JP4335029B2 - キャップ部材及び光半導体装置 - Google Patents
キャップ部材及び光半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4335029B2 JP4335029B2 JP2004037327A JP2004037327A JP4335029B2 JP 4335029 B2 JP4335029 B2 JP 4335029B2 JP 2004037327 A JP2004037327 A JP 2004037327A JP 2004037327 A JP2004037327 A JP 2004037327A JP 4335029 B2 JP4335029 B2 JP 4335029B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- window material
- window
- thickness direction
- melting point
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 91
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 68
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 242
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 161
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 116
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 112
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 27
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 20
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 18
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 17
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 17
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
まず、第1実施形態に係るキャップ部材について説明する。図1は第1実施形態に係るキャップ部材を示す斜視図であり、図2は第1実施形態に係るキャップ部材を示す平面図であり、図3は第1実施形態に係るキャップ部材を示す概略断面図である。キャップ部材C1は、筒体1と、窓材11とを備える。
キャップ部材C4〜C6において筒体1,31と窓材11,21との接着強度を適切に維持するためには、窓材11の厚み方向に垂直な面11bと高融点ガラス13との接触面積は、窓材11の厚み方向に沿った面11aと高融点ガラス13との接触面積の30%以下であることが好ましい。
次に、第2実施形態に係る光半導体装置について説明する。
次に、第3実施形態に係る光半導体装置について説明する。
次に、第4実施形態に係るキャップ部材について説明する。図13は第4実施形態に係るキャップ部材を示す平面図であり、図14は第4実施形態に係るキャップ部材を示す概略断面図である。キャップ部材C7は、窓枠として機能する平板状部材81と、窓材11とを備える。
次に、第5実施形態に係る光半導体装置について説明する。
次に、第6実施形態に係る光半導体装置について説明する。
Claims (7)
- 金属からなり、円形状を呈した開口が形成された部材と、
前記部材の内側に位置し、前記開口を塞ぐようにリング状とされた高融点ガラスにより前記部材に接着されると共に円板形状を呈した窓材と、を備え、
前記部材は、前記窓材及び前記高融点ガラスの熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有し、
前記高融点ガラスは、硼硅酸ガラスであり且つ前記窓材の熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有すると共に、前記窓材の融点よりも低い温度で前記部材及び前記窓材に融着しており、
前記窓材における当該窓材の厚み方向に沿った面と前記高融点ガラスとの接触面積が、前記窓材における当該窓材の厚み方向に垂直な面と前記高融点ガラスとの接触面積よりも大きく設定され、
前記窓材に対し当該窓材の厚み方向に垂直な方向から作用する収縮力が、前記窓材の厚み方向に垂直な方向以外の方向から作用する力よりも大きいことを特徴とするキャップ部材。 - 金属からなる筒体と、
前記筒体の内側に位置し、リング状とされた高融点ガラスにより前記筒体に当該筒体の円形状を呈した開口を塞ぐように接着されると共に円板形状を呈した窓材と、を備え、
前記筒体は、前記窓材及び前記高融点ガラスの熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有し、
前記高融点ガラスは、硼硅酸ガラスであり且つ前記窓材の熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有すると共に、前記窓材の融点よりも低い温度で前記筒体及び前記窓材に融着しており、
前記窓材における当該窓材の厚み方向に沿った面と前記高融点ガラスとの接触面積が、前記窓材における当該窓材の厚み方向に垂直な面と前記高融点ガラスとの接触面積よりも大きく設定され、
前記窓材に対し当該窓材の厚み方向に垂直な方向から作用する収縮力が、前記窓材の厚み方向に垂直な方向以外の方向から作用する力よりも大きいことを特徴とするキャップ部材。 - 金属からなり、円形状を呈した開口が形成された平板状部材と、
前記平板状部材の内側に位置し、前記開口を塞ぐようにリング状とされた高融点ガラスにより前記平板状部材に接着されると共に円板形状を呈した窓材と、を備え、
前記平板状部材は、前記窓材及び前記高融点ガラスの熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有し、
前記高融点ガラスは、硼硅酸ガラスであり且つ前記窓材の熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有すると共に、前記窓材の融点よりも低い温度で前記平板状部材及び前記窓材に融着しており、
前記窓材における当該窓材の厚み方向に沿った面と前記高融点ガラスとの接触面積が、前記窓材における当該窓材の厚み方向に垂直な面と前記高融点ガラスとの接触面積よりも大きく設定され、
前記窓材に対し当該窓材の厚み方向に垂直な方向から作用する収縮力が、前記窓材の厚み方向に垂直な方向以外の方向から作用する力よりも大きいことを特徴とするキャップ部材。 - 前記窓材は、前記窓材の厚み方向に沿った前記面でのみ前記高融点ガラスに接触していることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載のキャップ部材。
- パッケージ内に光半導体素子が収容された光半導体装置であって、
前記パッケージは、
金属からなる筒体と、
前記筒体の内側に位置し、リング状とされた高融点ガラスにより前記筒体に当該筒体の円形状を呈した開口を塞ぐように接着されると共に円板形状を呈した窓材と、
を備えたキャップ部材を含み、
前記筒体は、前記窓材及び前記高融点ガラスの熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有し、
前記高融点ガラスは、硼硅酸ガラスであり且つ前記窓材の熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有すると共に、前記窓材の融点よりも低い温度で前記筒体及び前記窓材に融着し、
前記窓材における当該窓材の厚み方向に沿った面と前記高融点ガラスとの接触面積が、前記窓材における当該窓材の厚み方向に垂直な面と前記高融点ガラスとの接触面積よりも大きく設定され、
前記窓材に対し当該窓材の厚み方向に垂直な方向から作用する収縮力が、前記窓材の厚み方向に垂直な方向以外の方向から作用する力よりも大きいことを特徴とする光半導体装置。 - パッケージ内に光半導体素子が収容された光半導体装置であって、
前記パッケージは、
金属からなり、円形状を呈した開口が形成された平板状部材と、
前記平板状部材の内側に位置し、前記開口を塞ぐようにリング状とされた高融点ガラスにより前記平板状部材に接着されると共に円板形状を呈した窓材と、
を備えたキャップ部材を含み、
前記平板状部材は、前記窓材及び前記高融点ガラスの熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有し、
前記高融点ガラスは、硼硅酸ガラスであり且つ前記窓材の熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有すると共に、前記窓材の融点よりも低い温度で前記平板状部材及び前記窓材に融着し、
前記窓材における当該窓材の厚み方向に沿った面と前記高融点ガラスとの接触面積が、前記窓材における当該窓材の厚み方向に垂直な面と前記高融点ガラスとの接触面積よりも大きく設定され、
前記窓材に対し当該窓材の厚み方向に垂直な方向から作用する収縮力が、前記窓材の厚み方向に垂直な方向以外の方向から作用する力よりも大きいことを特徴とする光半導体装置。 - 前記窓材は、前記窓材の厚み方向に沿った前記面でのみ前記高融点ガラスに接触していることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004037327A JP4335029B2 (ja) | 2003-09-16 | 2004-02-13 | キャップ部材及び光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003323510 | 2003-09-16 | ||
JP2004037327A JP4335029B2 (ja) | 2003-09-16 | 2004-02-13 | キャップ部材及び光半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005116996A JP2005116996A (ja) | 2005-04-28 |
JP4335029B2 true JP4335029B2 (ja) | 2009-09-30 |
Family
ID=34554470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004037327A Expired - Lifetime JP4335029B2 (ja) | 2003-09-16 | 2004-02-13 | キャップ部材及び光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4335029B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4985772B2 (ja) * | 2007-06-28 | 2012-07-25 | 富士通株式会社 | 光サブアセンブリの製造方法および光サブアセンブリ |
JP6657559B2 (ja) * | 2014-12-24 | 2020-03-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP6915236B2 (ja) * | 2016-06-29 | 2021-08-04 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置およびプロジェクター |
JP7508234B2 (ja) | 2020-02-05 | 2024-07-01 | 古河電気工業株式会社 | 光学装置 |
-
2004
- 2004-02-13 JP JP2004037327A patent/JP4335029B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005116996A (ja) | 2005-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3909257B2 (ja) | 光結合装置 | |
US7420754B2 (en) | Optical module and method for manufacturing the same | |
JP5482985B2 (ja) | 光安定化装置、光安定化方法および印刷装置 | |
WO2011013581A1 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
US7389026B2 (en) | Method for manufacturing optical module | |
KR20120091173A (ko) | 광전자 소자 | |
KR20010050867A (ko) | 반도체 레이저 | |
JP4335029B2 (ja) | キャップ部材及び光半導体装置 | |
JP2005235864A (ja) | 光半導体装置 | |
JP7306831B2 (ja) | 半導体パッケージ用ステム、半導体パッケージ | |
JP2006269783A (ja) | 光半導体パッケージ | |
JP4165760B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP5338900B2 (ja) | 光通信モジュール及び光通信モジュールの製造方法 | |
JP7014645B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2008042512A (ja) | 電子部品用パッケージ | |
US6596986B1 (en) | Reflective sensor | |
US20080137700A1 (en) | Semiconductor Laser Device and Method for Manufacturing Same | |
CN109003971A (zh) | 用于光电器件的外壳及其生产方法、以及用于外壳的盖 | |
JP5351624B2 (ja) | Ledモジュール | |
JP2010182988A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP2007019053A (ja) | ウェハ上で実装および封止を行う光モジュール | |
JP5000096B2 (ja) | キャップ部材及び光半導体装置 | |
WO2017010025A1 (ja) | レーザモジュール | |
JP2005235857A (ja) | 光半導体装置 | |
JPH10313147A (ja) | 半導体レーザ光源 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060921 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090501 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090623 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090624 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120703 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4335029 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120703 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130703 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130703 Year of fee payment: 4 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |