JPH0263182A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0263182A JPH0263182A JP63214310A JP21431088A JPH0263182A JP H0263182 A JPH0263182 A JP H0263182A JP 63214310 A JP63214310 A JP 63214310A JP 21431088 A JP21431088 A JP 21431088A JP H0263182 A JPH0263182 A JP H0263182A
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- JP
- Japan
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- cap
- gas
- semiconductor laser
- liquid
- heat
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 6
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- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 4
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
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- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
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- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザを用いて応用される分野に関す
るものである。
るものである。
第2図は従来の半導体レーザ装置を示す斜視図で、図に
おいて、(1)はキャップ、(2)はガラス窓、(3)
はブロック、(4)はサブマウント、(5)はレーザチ
ップ、(6)はモニタフォトダイオード、(7)はレー
ザ駆動ピン、(8)はグランドピン、(9)はモニタフ
ォトダイオードピン、QOはステム、(6)はキャップ
内に充填された窒素である。
おいて、(1)はキャップ、(2)はガラス窓、(3)
はブロック、(4)はサブマウント、(5)はレーザチ
ップ、(6)はモニタフォトダイオード、(7)はレー
ザ駆動ピン、(8)はグランドピン、(9)はモニタフ
ォトダイオードピン、QOはステム、(6)はキャップ
内に充填された窒素である。
次に動作について説明する。半導体レーザチップ(6)
の前面から出たレーザ光は、キャップ(1)のガラス窓
(2)部から出射する。又、半導体レーザチップ(5)
の後面から出たレーザ光は、設置されたモニタフォトダ
イオード(6)で受光する。この場合、レーザチップ(
5)を一定の湿度に確保するため、キャップ(1)内部
を窒素(2)が充填されている。
の前面から出たレーザ光は、キャップ(1)のガラス窓
(2)部から出射する。又、半導体レーザチップ(5)
の後面から出たレーザ光は、設置されたモニタフォトダ
イオード(6)で受光する。この場合、レーザチップ(
5)を一定の湿度に確保するため、キャップ(1)内部
を窒素(2)が充填されている。
従来の半導体レーザ装置は以とのように構成されていた
ので、半導体レーザチップの発熱に対する放熱はサブマ
ウントからブロック更にステムへと放熱されるのがほと
んどで、十分な放熱効果がなかった。そのため、レーザ
チップの発熱が大きく、温度特性に支障をきたすなどの
問題点があった。
ので、半導体レーザチップの発熱に対する放熱はサブマ
ウントからブロック更にステムへと放熱されるのがほと
んどで、十分な放熱効果がなかった。そのため、レーザ
チップの発熱が大きく、温度特性に支障をきたすなどの
問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、レーザチップの放熱性をレーザチップの全面
から得られ、高い発熱に対応することができる半導体レ
ーザ装置を得ることを目的とする。
たもので、レーザチップの放熱性をレーザチップの全面
から得られ、高い発熱に対応することができる半導体レ
ーザ装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置はキャップをステムに
ハーメチックシールする際に、フロンガス雰囲気又は同
等の効果をもたらす気体雰囲気又はフロリナート(不活
性)中又は同等の効果をもたらす液体中でハーメチック
シールを実施したものである。
ハーメチックシールする際に、フロンガス雰囲気又は同
等の効果をもたらす気体雰囲気又はフロリナート(不活
性)中又は同等の効果をもたらす液体中でハーメチック
シールを実施したものである。
キャップ内部に充填されたフロンガス又はフロ」ナート
の如き気体又は液体はレーザ発振により発熱したレーザ
チップを放熱させる役割を持つのである。
の如き気体又は液体はレーザ発振により発熱したレーザ
チップを放熱させる役割を持つのである。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、(1)はキャップで、このキャップ(1)
に取りつけられたガラス窓(2)からレーザ光は出射す
る。(3)はブロック、(4)はサブマウントで、この
サブマウント(4)にレーザチップ(5)をダイボンド
されている。これらキャップ(1)ブロック(3)とモ
ニタフォトダイオード(6)をステムa1ヘグイボンド
される。又、レーザ駆動ピン(7)、グランドピン(8
)、モニタフォトダイオードピン(9)で駆動する。こ
の際、卑ヤップ(1)内にはフロンガス等の気体、もし
くはフロリナート(不活性)等液体が充填されている。
図において、(1)はキャップで、このキャップ(1)
に取りつけられたガラス窓(2)からレーザ光は出射す
る。(3)はブロック、(4)はサブマウントで、この
サブマウント(4)にレーザチップ(5)をダイボンド
されている。これらキャップ(1)ブロック(3)とモ
ニタフォトダイオード(6)をステムa1ヘグイボンド
される。又、レーザ駆動ピン(7)、グランドピン(8
)、モニタフォトダイオードピン(9)で駆動する。こ
の際、卑ヤップ(1)内にはフロンガス等の気体、もし
くはフロリナート(不活性)等液体が充填されている。
半導体レーザ装置に電流を流し、発振に至るまで特に、
発光点の領域から発熱する、その熱を、キャップ内に充
填された気体もしくは液体で、放熱性を良くしたもので
ある。
発光点の領域から発熱する、その熱を、キャップ内に充
填された気体もしくは液体で、放熱性を良くしたもので
ある。
なお、上記実施例では半導体レーザ装置のキャップ(1
)の封止の場合について説明したが、発光タイオードで
キャップを封[ヒする場合にも、キャップ内に気体もし
くは液体を充填させてもよい。
)の封止の場合について説明したが、発光タイオードで
キャップを封[ヒする場合にも、キャップ内に気体もし
くは液体を充填させてもよい。
以北のようにこの発明によれば、半導体レーザ装置の放
熱性がよくなることにより半導体レーザ装置の温度特性
が改善され、又長寿命化が得られる。
熱性がよくなることにより半導体レーザ装置の温度特性
が改善され、又長寿命化が得られる。
第1図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す斜視図、第2図は従来の半導体レーザ装置を示す斜
視図である。 図において、(1)はキャップ、(2)はガラス窓、(
3)はブロック、(4)はサブマウント、(5)はレー
ザチップ、(6)はフォトダイオード、(7)はレーザ
駆動ピン、(8)はグランドピン、(9)はフォトダイ
オードピン、aOはステム、aηはフロンガス等の気体
またはフロリナート等の液体を示す。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
示す斜視図、第2図は従来の半導体レーザ装置を示す斜
視図である。 図において、(1)はキャップ、(2)はガラス窓、(
3)はブロック、(4)はサブマウント、(5)はレー
ザチップ、(6)はフォトダイオード、(7)はレーザ
駆動ピン、(8)はグランドピン、(9)はフォトダイ
オードピン、aOはステム、aηはフロンガス等の気体
またはフロリナート等の液体を示す。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
Claims (1)
- ステム上にガラス窓付キャップをハーメチックシールし
た半導体レーザ装置において、前記キャップ内にフロン
ガス等の気体、もしくはフロリナート(不活性)等の液
体を充填したことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63214310A JPH0263182A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63214310A JPH0263182A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0263182A true JPH0263182A (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=16653627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63214310A Pending JPH0263182A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0263182A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05249022A (ja) * | 1991-11-07 | 1993-09-28 | Hughes Aircraft Co | 排出管中の粒子の大きさおよび密度を測定する装置および方法 |
EP0600426A3 (en) * | 1992-11-30 | 1995-12-13 | Canon Kk | Device with light emitting diode and method for its production. |
JP2004526307A (ja) * | 2001-01-31 | 2004-08-26 | ジェンテクス・コーポレーション | 高出力放射エミッタデバイスおよび電子部品用熱放散パッケージ |
KR101136168B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2012-04-17 | 엘지전자 주식회사 | 레이저 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법 |
-
1988
- 1988-08-29 JP JP63214310A patent/JPH0263182A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05249022A (ja) * | 1991-11-07 | 1993-09-28 | Hughes Aircraft Co | 排出管中の粒子の大きさおよび密度を測定する装置および方法 |
EP0600426A3 (en) * | 1992-11-30 | 1995-12-13 | Canon Kk | Device with light emitting diode and method for its production. |
JP2004526307A (ja) * | 2001-01-31 | 2004-08-26 | ジェンテクス・コーポレーション | 高出力放射エミッタデバイスおよび電子部品用熱放散パッケージ |
KR101136168B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2012-04-17 | 엘지전자 주식회사 | 레이저 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법 |
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