JPH08236527A

JPH08236527A - バンプ形成方法とその装置

Info

Publication number: JPH08236527A
Application number: JP3402595A
Authority: JP
Inventors: Toshiko Suzuki; 寿子鈴木; Makoto Imanishi; 誠今西; Akira Kabeshita; 朗壁下; Kenichi Nishino; 賢一西野
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-02-22
Filing date: 1995-02-22
Publication date: 1996-09-13
Anticipated expiration: 2019-09-29
Also published as: JP3571398B2

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体素子の複数の素子電極上に１回の一連
の動作で同時にバンプを形成し、且つ、レベリング処理
が不要なバンプ形成方法の提供。【構成】バンプを形成する導電性材料により導電性材
料ボール９を形成し、導電性材料ボール９を、バンプを
形成すべき半導体素子の各素子電極に対応する位置に配
されたボール保持具１１、１１ａを有する導電性材料ボ
ール移送手段１により、バンプを形成すべき半導体素子
３上に移送し、ボール保持具１１、１１ａに保持されて
いる導電性材料ボール９を素子電極１２上に位置決め
し、前記位置決め状態で、加温と衝撃力と押圧力と超音
波振動との２つ以上の組合せによって導電性材料ボール
９を素子電極１２に接合してバンプを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、回路基板に実装する半
導体素子の素子電極にバンプを形成するバンプ形成方法
とその装置とに関し、特に、導電性材料ボールによるバ
ンプ形成方法とその装置とに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体素子を回路基板に実装する
方法として、半導体素子を、回路基板上の電極にフェイ
スダウン実装する、ＦＣＢ（ＦｌｉｐＣｈｉｐＢｏ
ｎｄｉｎｇ）実装方法の採用が増加している。

【０００３】このＦＣＢ実装方法におけるバンプ形成方
法としては、従来から、ワイヤーボンダーを使用し、Ｓ
ＢＢ（ＳｔｕｄＢｕｍｐＢｏｎｄｉｎｇ）方法で金
線によってバンプを形成するのが主流である。

【０００４】従来例の金線によるバンプ形成方法とその
装置を図１２、図１３に基づいて説明する。

【０００５】従来例の金線によるバンプ形成装置の斜視
図である図１２と、従来例の金線によるバンプ形成方法
の動作を示す図１３とにおいて、半導体素子移送手段６
が、トレイ５に詰められて搬送されてきた半導体素子３
を吸着して、昇温されたバンプ形成ステージ２の上に移
送し、移送されてきた半導体素子３をバンプ形成ステー
ジ２に固定する。超音波ユニット１０に保持され超音波
による振動がかかる構造になっているキャピラリー１４
に金線１６が通されている。

【０００６】バンプを形成するには、先ず、キャピラリ
ー１４に通されている金線１６の先端を図示しないスパ
ーク手段によって溶かして球形１６ａに形成する。キャ
ピラリー１４が、キャピラリー１４に保持された金線１
６の先端に形成された球形１６ａを半導体素子３の素子
電極１２に押圧する。超音波ユニット１０によって超音
波による振動が加えられ、前記球形１６ａは、温度と圧
力と超音波による振動とによって素子電極１２に１ｓｔ
ボンディングされる。キャピラリー１４を上昇させ、金
線１６でループを作るように僅かに横にずらしながら下
降させて前記の１ｓｔボンディング位置の横に押圧して
金線１６を切り取り、２ｎｄボンディングして金線１６
によるバンプ１６ｂを形成する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来例
に構成では、各素子電極上にバンプを一連の動作毎に１
個ずつしか形成できないので、生産のタクトタイムが遅
く、最近のように、一つの半導体素子に３００個以上の
素子電極がある場合にはバンプ形成に長時間かかり、生
産性が低いという問題点がある。

【０００８】又、バンプの高さにバラツキが発生するの
で、後工程で、バンプの高さを揃えるレベリング処理が
必要になる。

【０００９】本発明は、上記の問題点を解決し、半導体
素子の複数の素子電極上に１回の一連の動作で同時にバ
ンプを形成し、且つ、レベリング処理が不要なバンプ形
成方法とその装置の提供を課題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明のバンプ形成方法
は、上記の課題を解決するために、形成すべきバンプの
大きさに合わせた大きさの導電性材料ボールをバンプを
形成すべき電極との接合性が良い導電性材料により形成
し、前記導電性材料ボールを導電性材料ボール供給部に
層状に配列し、前記の配列された導電性材料ボール層か
ら、バンプを形成すべき半導体素子の各素子電極に対応
する位置に配されたボール保持具を有する導電性材料ボ
ール移送手段により、前記導電性材料ボールを前記ボー
ル保持具に取り出し保持してバンプを形成すべき半導体
素子上に移送し、前記ボール保持具に保持されている前
記導電性材料ボールを前記のバンプを形成すべき半導体
素子の素子電極上に位置決めし、前記位置決め状態で、
加温と衝撃力と押圧力と超音波振動との２つ以上の組合
せによって前記導電性材料ボールを前記素子電極に接合
してバンプを形成することを特徴とする。

【００１１】本発明のバンプ形成装置は、上記の課題を
解決するために、半導体素子を装置内に搬入する搬入手
段と、装置内で半導体素子を移送する半導体素子移送手
段と、バンプを形成した半導体素子を装置から搬出する
搬出手段と、バンプを形成する半導体素子を固定するバ
ンプ形成ステージと、バンプを形成すべき半導体素子の
各素子電極の位置に対応するボール保持具を有し、バン
プ形成用の導電性材料ボールを前記ボール保持具に保持
して前記バンプ形成ステージに固定された半導体素子上
に移送する導電性材料ボール移送手段と、前記導電性材
料ボール移送手段のボール保持具に保持されている前記
導電性材料ボールを前記バンプ形成ステージ上に固定さ
れた半導体素子の素子電極上に位置決めする位置決め部
と、前記の位置決め状態で前記導電性材料ボールを前記
半導体素子の素子電極上に接合する接合手段とを有する
ことを特徴とする。

【００１２】

【作用】本発明のバンプ形成方法は、形成すべきバンプ
の大きさに合わせた大きさの導電性材料ボールを、バン
プを形成すべき電極との接合性が良い導電性材料により
形成して使用するので、バンプ形成に使用する導電性材
料の選択範囲が広くなる。

【００１３】前記導電性材料ボールを導電性材料ボール
供給部に層状に配列することにより、導電性材料ボール
移送手段による導電性材料ボールの取り出しが容易にな
り、特に、１層に配列すると、導電性材料ボールの取り
出しが更に容易になる。

【００１４】前記の配列された導電性材料ボール層か
ら、バンプを形成すべき半導体素子の各素子電極に対応
する位置に配されたボール保持具を有する導電性材料ボ
ール移送手段により、前記導電性材料ボールを前記ボー
ル保持具に取り出し保持してバンプを形成すべき半導体
素子上に移送し、前記ボール保持具に保持されている前
記導電性材料ボールを前記のバンプを形成すべき半導体
素子の素子電極上に位置決めし、前記位置決め状態で、
加温と衝撃力と押圧力と超音波振動との２つ以上の組合
せによって前記導電性材料ボールを前記素子電極に接合
してバンプを形成することにより、半導体素子の多数の
素子電極に１回の一連の動作で同時にバンプを形成する
ことができ、生産のタクトタイムを大幅に短縮すること
ができ、且つ、バンプの高さを揃えることができる。

【００１５】本発明のバンプ形成方法において、導電性
材料ボールを、主物質の外側を別物質で被覆する多層構
造とし、必要により、最外層を相互に付着しにくい材質
と、導電性材料ボールの選択範囲が広がり、作業性が向
上する。

【００１６】本発明のバンプ形成装置は、半導体素子を
装置内に搬入する搬入手段と、装置内で半導体素子を移
送する半導体素子移送手段と、バンプを形成した半導体
素子を装置から搬出する搬出手段とを有するので、半導
体素子を搬入し、加工し、搬出することができる。

【００１７】バンプを形成する半導体素子を固定するバ
ンプ形成ステージと、バンプを形成すべき半導体素子の
各素子電極の位置に対応するボール保持具を有し、バン
プ形成用の導電性材料ボールを前記ボール保持具に保持
して前記バンプ形成ステージに固定された半導体素子上
に移送する導電性材料ボール移送手段と、前記導電性材
料ボール移送手段のボール保持具に保持されている前記
導電性材料ボールを前記バンプ形成ステージ上に固定さ
れた半導体素子の素子電極上に位置決めする位置決め部
と、前記の位置決め状態で前記導電性材料ボールを前記
半導体素子の素子電極上に接合する接合手段とを有する
ので、超音波振動と、押圧と、衝撃力とを使用して、半
導体素子の多数の素子電極に１回の一連の動作で同時に
バンプを形成することができ、生産のタクトタイムを大
幅に短縮することができ、且つ、バンプの高さを揃える
ことができる。

【００１８】本発明のバンプ形成装置において、バンプ
を形成する導電性材料ボールを層状に配列する導電性材
料ボール供給部を付加すると、導電性材料ボール移送手
段による導電性材料ボールの取り出しが容易になり、１
層に配列すると、導電性材料ボールの取り出しが更に容
易になる。

【００１９】本発明のバンプ形成装置において、導電性
材料ボール移送手段と導電性材料ボール供給部との間
に、導電性材料ボールを前記導電性材料ボール供給部か
ら受け取り前記導電性材料ボール移送手段に渡す導電性
材料ボール受け渡し手段を付加すると、受け渡し手段の
受取り動作と、導電性材料ボール移送手段のバンプ形成
動作とが並行して行われ、同一のタクトタイムで、導電
性材料ボールの移送個数の確認を確実に行うことができ
る。

【００２０】又、本発明のバンプ形成装置において、ボ
ール保持具を、導電性材料ボールを吸着し保持するキャ
ピラリーにすると、超音波振動によるバンプと電極との
接合作用が向上する。

【００２１】又、本発明のバンプ形成装置において、導
電性材料ボール移送手段に、除去手段を設けると、ボー
ル保持具以外の位置に導電性材料ボールが付着している
のを除去することができる。

【００２２】又、本発明のバンプ形成装置において、導
電性材料ボール移送手段と、導電性材料ボール供給部と
を、静電気を帯電しない材質で構成すると、静電気によ
り導電性材料ボールの動きが妨げられることを防止でき
る。

【００２３】

【実施例】本発明のバンプ形成方法を使用するバンプ形
成装置の第１実施例を図１〜図９に基づいて説明する。

【００２４】半導体素子３の移送方法とその手段は、バ
ンプを形成すべき半導体素子３が詰められた半導体素子
トレー５が搬入手段２２ａによってバンプ形成装置に搬
入され、半導体素子移送手段６が、前記搬入された半導
体素子トレー５に詰められた半導体素子３を１個ずつ吸
着して、順次、ヒータを内蔵するバンプ形成ステージ２
上に移送する。

【００２５】バンプ形成ステージ２は半導体素子３をバ
ンプ形成ステージ２上に固定する。

【００２６】バンプ形成が終了すると、再び、前記半導
体素子移送手段６が、バンプが形成された半導体素子３
をバンプ形成ステージ２上から吸着して、搬出手段２２
ｂ上にある半導体素子トレー５ａに移送する。半導体素
子トレー５ａが一杯になると、搬出手段２２ｂが半導体
素子トレー５ａを搬出する。

【００２７】バンプを形成する金製の金属ボール９の移
送方法とその手段は、金属ボール９を吸着して移送する
金属ボール移送手段１が、図３に示すように、金属ボー
ル供給部８に１層に配列されている金属ボール９を吸着
し、図４に示すように、前記のヒータを内蔵し所定温度
に加温されたバンプ形成ステージ２上に固定されている
半導体素子３上に移送する。尚、金属ボール移送手段１
は、超音波ユニット１０の先端に保持されている。

【００２８】上記の場合、金属ボール９の材質は、半導
体素子３の素子電極１２の材質との組合せによって決ま
り、後述のように、加温と衝撃力と押圧力と超音波振動
との２つ以上の組合せによって素子電極に接合する金属
を選択する。例えば、素子電極がアルミニウムの場合に
は金を使用する。但し、金を使用する場合には、金属ボ
ール供給部８内において、金属ボール９同士が付着する
ことがあるので、図９に示すように、金属ボール９を２
重構造とし、例えば、内部の主物質１９を金、外部の別
物質２０を樹脂にして金属ボール９どうしの付着を防止
する。勿論、バンプを形成するボールは、加温と衝撃力
と押圧力と超音波振動等によって、半導体素子３の素子
電極１２に接合する材質であれば、金属以外の物質で構
成しても良い。金属ボール９の大きさは、形成すべきバ
ンプの大きさに合わせて設定する。

【００２９】前記金属ボール移送手段１は、図２に示す
ように、下面の所定位置に吸着穴１１が設けられ、上部
に取付けられた吸引チューブ４による空気吸引によっ
て、金属ボール９を吸着する構造になっている。そし
て、前記吸着穴１１の所定位置は、図４に示すように、
バンプを形成すべき半導体素子３の素子電極１２の位置
に対応するように設定されている。更に、吸着穴１１の
周縁にはテーパー部１１ａを設けて、金属ボール９の吸
着を安定させ、且つ、バンプ形成後にバンプが抜け易い
ようにしており、吸着穴１１の直径とテーパー部１１ａ
の形状は、形成すべきバンプの形状と大きさと金属ボー
ル９の大きさとに合わせて調整する。又、金属ボール９
が金属ボール移送手段１に静電気で付着しないように、
金属ボール移送手段１と金属ボール供給部８とは、帯電
防止剤を使用する等して静電気が発生しない材質にして
おく。又、金属ボール移送手段１は、図２に示すよう
に、吸着穴１１の部分が少し突き出しており、吸着穴１
１以外の部分には、金属ボール供給部８に１層に配列さ
れた金属ボール９が付着しないようにするのが望まし
い。

【００３０】勿論、吸着穴１１は穴である必要は無く、
金属ボール９を保持することができるボール保持具であ
れば良い。

【００３１】又、金属ボール９を金属ボール供給部８に
１層に配列する理由は、図３に示すように、１層に並ん
でいると、金属ボール移送手段１の所定位置に配置され
た各吸着穴１１が確実に金属ボール９を吸着できるのに
対して、配列された金属ボールが２層以上に重なると並
んでいる各金属ボール９の上面が揃わず、金属ボール移
送手段１の吸着が不安定になるからである。又、図６に
示すように、金属ボール供給部８の底部に、金属ボール
移送手段１の吸着穴１１のピッチに合わせて溝８ａを設
け、前記溝８ａに金属ボール９が１つずつ並ぶようにし
ても良い。又、図７に示すように、金属ボール供給部８
の底部に、切り込み８ｂを所定ピッチで設け、前記切り
込み８ｂに金属ボール９が１つずつ並ぶようにしても良
い。又、図８に示すように、金属ボール供給部８の底部
に、波形凹部８ｃを所定ピッチで設け、前記波形凹部８
ｃに金属ボール９が１つずつ並ぶようにしても良い。
又、図８に示すように、金属ボール供給部８に加振手段
１７を取付け、振動によって、金属ボール９を、１層に
並べたり、前記溝８ａや切り込み８ｂや波形凹部８ｃに
はめ込むようにすることができる。尚、前記の加振に
は、金属ボール移送手段１側の超音波ユニット１０の加
振を利用できる。

【００３２】金属ボール移送手段１の位置決め方法とそ
の手段は、図１に示す認識手段７、７が、バンプ形成ス
テージ２上に固定された半導体素子３の位置と、金属ボ
ール移送手段１が金属ボール９を過不足なく吸着してい
るか否かを確認する。先ず、下側にある認識手段７の確
認により、金属ボール移送手段１の吸着穴１１以外の部
分に金属ボール９が付着しておれば、付着している金属
ボール９をエアーブロー等の方法により除去手段２１に
よって除去する。各吸着穴１１に吸着している金属ボー
ル９が不足しておれば、金属ボール移送手段１は前工程
に戻って再吸着する。次いで、図４に示すように、金属
ボール移送手段１を半導体素子３の素子電極１２の上に
位置決めする。金属ボール移送手段１は、バンプを形成
すべき半導体素子３の素子電極に対応する所定位置に吸
着穴１１を有するので、この位置決めによって、前記各
吸着穴１１が吸着している各金属ボール９は夫々が対応
すべき素子電極位置に位置決めされる。

【００３３】又、金属ボール９を半導体素子３の素子電
極に接合する接合方法とその手段は、半導体素子３を固
定するバンプ形成ステージ２が内蔵するヒータによる半
導体素子３の加温と、金属ボール移送手段１を先端に保
持している超音波ユニット１０の超音波による加振と、
金属ボール移送手段１が吸着保持している金属ボール９
を半導体素子３の素子電極に当接させる際の衝撃と、金
属ボール移送手段１による押圧とである。これらの加温
と超音波による加振と衝撃と押圧とを使用すると、図５
に示すように、複数の金属ボール９を半導体素子３の各
素子電極１２上にバンプ１３として同時に接合すること
ができ、且つ、接合されたバンプ１３は、金属ボール移
送手段１の吸着穴１１とテーパー部１１ａとによって決
まる形に形成され、それらの高さが揃う。

【００３４】尚、前記の加温と衝撃と押圧と超音波振動
とは、半導体素子３の素子電極１２の材質・大きさや金
属ボール９の材質・直径等によって調整すれば良い。

【００３５】次に、本発明のバンプ形成方法を使用する
バンプ形成装置の第２実施例を図１０に基づいて説明す
る。

【００３６】本実施例が第１実施例と異なるのは、図１
０に示すように、金属ボール移送手段１の吸着穴１１部
分が、キャピラリー１４で構成されていることだけであ
り、他は、第１実施例と同様である。各キャピラリー１
４は、キャピラリー固定部材１５で固定されて、吸引チ
ューブ４に接続されている。図１０に示すように、キャ
ピラリー１４を使用すると、余分の金属ボール９が金属
ボール移送手段１に付着することを完全に防止でき、且
つ、キャピラリー１４の使用によって、超音波ユニット
１０の超音波加振による接合効果が増大する。

【００３７】本発明のバンプ形成方法を使用するバンプ
形成装置の第３実施例を図１１に基づいて説明する。

【００３８】本実施例が第１実施例と異なるのは、図１
１に示すように、金属ボール供給部８と金属ボール移送
手段１との間に、受け渡し手段１８を介在させることだ
けであり、他は、第１実施例と同様である。受け渡し手
段１８は、水平を維持して上下方向に移動する支持軸２
１の回りを上下方向に１８０°回動する。そして、下方
を向き下方に下降して金属ボール供給部８から金属ボー
ル９を受け取り、上昇し１８０°回転して上方を向き、
金属ボール９を、金属ボール移送手段１に渡す。受け渡
し手段１８が金属ボール供給部８から金属ボール９を受
け取る機構は、第１実施例の金属ボール移送手段１の機
構と同様のものを使用すれば良い。このようにすると、
受け渡し手段１８の受取り動作と、金属ボール移送手段
１のバンプ形成動作とが並行して行われるので、同一の
タクトタイムで、金属ボール９の移送個数の確認を確実
に行うことができる。

【００３９】

【発明の効果】本発明のバンプ形成方法とその装置は、
導電性材料ボールを使用することにより、バンプ形成に
使用する導電性材料の選択範囲が広くなるという効果を
奏する。

【００４０】又、半導体素子の多数の素子電極に１回の
一連の動作で同時にバンプを形成することができ、生産
のタクトタイムを大幅に短縮することができ、且つ、バ
ンプの高さを揃えることができ従来技術で行っているバ
ンプの高さを揃える工程を省略できるという効果を奏す
る。

【００４１】又、導電性材料ボールを、主物質の外側を
別物質で被覆する多層構造とし、必要により、最外層を
相互に付着しにくい材質にすることにより、導電性材料
ボールの選択範囲が更に広がり、作業性が向上するとい
う効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のバンプ形成方法を使用するバンプ形成
装置の第１実施例の斜視図である。

【図２】本発明の第１実施例の金属ボール移送動作を示
す図である。

【図３】本発明の第１実施例の金属ボール移送動作を示
す図である。

【図４】本発明の第１実施例の金属ボール位置決め動作
と接合動作とを示す図である。

【図５】本発明の第１実施例が形成したバンプを示す図
である。

【図６】本発明の第１実施例の金属ボール供給部の一例
を示す図である。

【図７】本発明の第１実施例の金属ボール供給部の他の
例を示す図である。

【図８】本発明の第１実施例の金属ボール供給部の他の
例を示す図である。

【図９】本発明の第１実施例の二重構造の金属ボールの
断面図である。

【図１０】本発明のバンプ形成方法を使用するバンプ形
成装置の第２実施例の要部を示す斜視図である。

【図１１】本発明のバンプ形成方法を使用するバンプ形
成装置の第３実施例の要部を示す側面図である。

【図１２】従来例のバンプ形成方法を使用するバンプ形
成装置の斜視図である。

【図１３】従来例のバンプ形成方法の動作を示す図であ
る。

【符号の説明】

１金属ボール移送手段（導電性材料ボール移送手段）２バンプ形成ステージ３半導体素子４吸引チューブ５半導体素子トレイ５ａ半導体素子トレイ６半導体素子移送手段７認識手段８金属ボール供給部（導電性材料ボール供給部）８ａ溝８ｂ切り込み８ｃ波形９金属ボール（導電性材料ボール）１０超音波ユニット（接合手段）１１吸着穴１１ａテーパー部１２素子電極１３バンプ１４キャピラリー１５キャピラリー固定部材１７加振装置１８受け渡し手段１９主物質２０別物質２１支持軸２２ａ搬入手段２２ｂ搬出手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者西野賢一大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】形成すべきバンプの大きさに合わせた大
きさの導電性材料ボールをバンプを形成すべき電極との
接合性が良い導電性材料により形成し、前記導電性材料
ボールを導電性材料ボール供給部に層状に配列し、前記
の配列された導電性材料ボール層から、バンプを形成す
べき半導体素子の各素子電極に対応する位置に配された
ボール保持具を有する導電性材料ボール移送手段によ
り、前記導電性材料ボールを前記ボール保持具に取り出
し保持してバンプを形成すべき半導体素子上に移送し、
前記ボール保持具に保持されている前記導電性材料ボー
ルを前記のバンプを形成すべき半導体素子の素子電極上
に位置決めし、前記位置決め状態で、加温と衝撃力と押
圧力と超音波振動との２つ以上の組合せによって前記導
電性材料ボールを前記素子電極に接合してバンプを形成
することを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項２】ボール保持具に、導電性材料ボールを吸
着して保持させる請求項１に記載のバンプ形成方法。
【請求項３】導電性材料ボール供給部に、導電性材料
ボールを１層に配列する請求項１に記載のバンプ形成方
法。
【請求項４】導電性材料ボールは、主物質の外側を別
物質で被覆する多層構造とする請求項１、２または３に
記載のバンプ形成装置。
【請求項５】多層構造の導電性材料ボールは、最外層
が相互に付着しにくい材質である請求項４に記載のバン
プ形成装置。
【請求項６】半導体素子を装置内に搬入する搬入手段
と、装置内で半導体素子を移送する半導体素子移送手段
と、バンプを形成した半導体素子を装置から搬出する搬
出手段と、バンプを形成する半導体素子を固定するバン
プ形成ステージと、バンプを形成すべき半導体素子の各
素子電極の位置に対応するボール保持具を有し、バンプ
形成用の導電性材料ボールを前記ボール保持具に保持し
て前記バンプ形成ステージに固定された半導体素子上に
移送する導電性材料ボール移送手段と、前記導電性材料
ボール移送手段のボール保持具に保持されている前記導
電性材料ボールを前記バンプ形成ステージ上に固定され
た半導体素子の素子電極上に位置決めする位置決め部
と、前記の位置決め状態で前記導電性材料ボールを前記
半導体素子の素子電極上に接合する接合手段とを有する
ことを特徴とするバンプ形成装置。
【請求項７】請求項６に記載のバンプ形成装置におい
て、バンプを形成する導電性材料ボールを層状に配列す
る導電性材料ボール供給部を付加することを特徴とする
バンプ形成装置。
【請求項８】請求項７に記載のバンプ形成装置におい
て、導電性材料ボール移送手段と導電性材料ボール供給
部との間に、導電性材料ボールを前記導電性材料ボール
供給部から受け取り前記導電性材料ボール移送手段に渡
す導電性材料ボール受け渡し手段を付加することを特徴
とするバンプ形成装置。
【請求項９】ボール保持具は、導電性材料ボールを吸
着し保持する吸着穴またはキャピラリーである請求項
６、７または８に記載のバンプ形成装置。
【請求項１０】位置決め部は、画像処理による認識手
段を有する請求項６、７または８に記載のバンプ形成装
置。
【請求項１１】認識手段は、導電性材料ボール移送手
段による導電性材料ボールの保持状態を認識する請求項
１０に記載のバンプ形成装置。
【請求項１２】導電性材料ボール移送手段は、ボール
保持具以外の位置に導電性材料ボールが付着しているの
を認識手段が認識した場合に、付着している導電性材料
ボールを除去する除去手段を有する請求項１０に記載の
バンプ形成装置。
【請求項１３】導電性材料ボール移送手段は、保持し
ている導電性材料ボールの数が不足していることを認識
手段が認識した場合に、前工程に戻って導電性材料ボー
ルを保持し直す請求項１０に記載のバンプ形成装置。
【請求項１４】接合手段は、導電性材料ボール移送手
段に超音波振動を与える超音波ユニットである請求項
６、７または８に記載のバンプ形成装置。
【請求項１５】接合手段は、導電性材料ボール移送手
段が保持する導電性材料ボールを半導体素子の素子電極
に押圧する請求項６、７または８に記載のバンプ形成装
置。
【請求項１６】接合手段は、導電性材料ボール移送手
段が保持する導電性材料ボールを半導体素子の素子電極
に衝撃的に接触させる請求項６、７または８に記載のバ
ンプ形成装置。
【請求項１７】導電性材料ボール供給部は、導電性材
料ボールを所定位置に配列させる複数の凹部を有する請
求項７または８に記載のバンプ形成装置。
【請求項１８】導電性材料ボール供給部は、加振手段
を有する請求項７または８に記載のバンプ形成装置。
【請求項１９】導電性材料ボール移送手段は、静電気
を帯電しない材質で構成される請求項６、７または８に
記載のバンプ形成装置。
【請求項２０】導電性材料ボール供給部は、静電気を
帯電しない材質で構成される請求項７または８に記載の
バンプ形成装置。