JPH11121491A - バンプボンディング装置 - Google Patents
バンプボンディング装置Info
- Publication number
- JPH11121491A JPH11121491A JP9282429A JP28242997A JPH11121491A JP H11121491 A JPH11121491 A JP H11121491A JP 9282429 A JP9282429 A JP 9282429A JP 28242997 A JP28242997 A JP 28242997A JP H11121491 A JPH11121491 A JP H11121491A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- stage
- semiconductor element
- setting
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 トレイからステージへ移設した半導体素子の
電極上にバンプを形成し、前記バンプ形成後にトレイへ
収納するバンプボンディング装置において、前記装置の
タクトタイムを短縮することを目的とする。 【解決手段】 複数の半導体素子３を搬送する複数の吸
着コレット９ａ，９ｂを設けた搬送装置と、半導体素子
３の載置する位置を複数設けたステージ１と、ステージ
１上の複数の半導体素子３を一度に規正する規正板２ａ
〜２ｃを設けた位置規正装置とを備え、前記搬送装置と
前記位置規正装置とが同時進行して動作するように構成
したバンプボンディング装置。
電極上にバンプを形成し、前記バンプ形成後にトレイへ
収納するバンプボンディング装置において、前記装置の
タクトタイムを短縮することを目的とする。 【解決手段】 複数の半導体素子３を搬送する複数の吸
着コレット９ａ，９ｂを設けた搬送装置と、半導体素子
３の載置する位置を複数設けたステージ１と、ステージ
１上の複数の半導体素子３を一度に規正する規正板２ａ
〜２ｃを設けた位置規正装置とを備え、前記搬送装置と
前記位置規正装置とが同時進行して動作するように構成
したバンプボンディング装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の電極
上に突起電極部であるバンプを形成するバンプボンディ
ング装置に関するものである。
上に突起電極部であるバンプを形成するバンプボンディ
ング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のバンプボンディング装置は、図６
に示すように、吸着コレット９とステージ１と規正板１
０とキャピラリー１２等で構成されている。
に示すように、吸着コレット９とステージ１と規正板１
０とキャピラリー１２等で構成されている。
【０００３】供給トレイ７に複数配置されている半導体
素子３の１個を吸着コレット９の先端に吸着する。吸着
コレット９は半導体素子３を吸着した状態でステージ１
へ移動して、吸着した半導体素子３を昇温されたステー
ジ１上面に載置し固定する。
素子３の１個を吸着コレット９の先端に吸着する。吸着
コレット９は半導体素子３を吸着した状態でステージ１
へ移動して、吸着した半導体素子３を昇温されたステー
ジ１上面に載置し固定する。
【０００４】超音波供給ユニットにより保持されている
キャピラリー１２は、超音波振動を加えられる構成にな
っており、金線１３を通されたキャピラリー１２によ
り、半導体素子３の電極上に金のバンプを形成する。
キャピラリー１２は、超音波振動を加えられる構成にな
っており、金線１３を通されたキャピラリー１２によ
り、半導体素子３の電極上に金のバンプを形成する。
【０００５】半導体素子３の電極１４上のバンプは、図
７に示すように、バンプ形成工程に従って形成される。
図７（ａ）に示すように、キャピラリー１２に金線１３
を通し、金線１３の先端をスパークさせ、先端に球形を
形成する。次に、図７（ｂ）に示すように、キャピラリ
ー１２を下降させ半導体素子３の電極１４上に押圧す
る。その際、超音波を加え、電極１４と金線１３を接合
する（１ｓｔボンディング）。
７に示すように、バンプ形成工程に従って形成される。
図７（ａ）に示すように、キャピラリー１２に金線１３
を通し、金線１３の先端をスパークさせ、先端に球形を
形成する。次に、図７（ｂ）に示すように、キャピラリ
ー１２を下降させ半導体素子３の電極１４上に押圧す
る。その際、超音波を加え、電極１４と金線１３を接合
する（１ｓｔボンディング）。
【０００６】次に、図７（ｃ）に示すように、キャピラ
リー１２を上昇させる。図７（ｄ）に示すように、ルー
プコントロールしながら再び下降させる。キャピラリー
１２は１ｓｔボンディングした金塊上を押圧する。図７
（ｅ）に示すように、キャピラリー１２を上昇させて、
金線１３を引きちぎり（２ｎｄボンディング）、半導体
素子３の電極１４上にバンプ１５が形成される。
リー１２を上昇させる。図７（ｄ）に示すように、ルー
プコントロールしながら再び下降させる。キャピラリー
１２は１ｓｔボンディングした金塊上を押圧する。図７
（ｅ）に示すように、キャピラリー１２を上昇させて、
金線１３を引きちぎり（２ｎｄボンディング）、半導体
素子３の電極１４上にバンプ１５が形成される。
【０００７】必要個所にバンプ形成を終えた半導体素子
３は、図６に示すように、吸着コレット９によりステー
ジ１から吸着されて、収納トレイ８に収納する。引き続
き半導体素子３にバンプ形成をする必要がある場合は、
吸着コレット９が供給トレイ７へ移動して、次の半導体
素子３の１個を吸着し、前記と同様の作業を繰り返す。
３は、図６に示すように、吸着コレット９によりステー
ジ１から吸着されて、収納トレイ８に収納する。引き続
き半導体素子３にバンプ形成をする必要がある場合は、
吸着コレット９が供給トレイ７へ移動して、次の半導体
素子３の１個を吸着し、前記と同様の作業を繰り返す。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】近年では半導体素子の
小型化が進み、１．５ｍｍ角程度の微小な半導体素子に
数少ないバンプをボンディングする傾向が増加してい
る。この場合のバンプボンディング装置全体のタクトタ
イムの占める割合は、バンプボンディングタクトに比べ
て搬送タクトの方が多く、搬送タクトの占める割合が大
きい問題がある。
小型化が進み、１．５ｍｍ角程度の微小な半導体素子に
数少ないバンプをボンディングする傾向が増加してい
る。この場合のバンプボンディング装置全体のタクトタ
イムの占める割合は、バンプボンディングタクトに比べ
て搬送タクトの方が多く、搬送タクトの占める割合が大
きい問題がある。
【０００９】本発明は、搬送タクトを短縮して、ボンデ
ィング装置全体としてのタクトタイムの短縮を図ること
により、生産性が向上したボンディング装置を提供する
ことを目的とする。
ィング装置全体としてのタクトタイムの短縮を図ること
により、生産性が向上したボンディング装置を提供する
ことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のバンプボンディ
ング装置は、複数の半導体素子を搬送する搬送装置と、
前記半導体素子の載置する位置を複数設けたステージ
と、前記ステージ上の複数の半導体素子を一度に規正す
る位置規正装置とを備え、前記搬送装置と前記位置規正
装置とが同時進行して動作するように構成したものであ
る。
ング装置は、複数の半導体素子を搬送する搬送装置と、
前記半導体素子の載置する位置を複数設けたステージ
と、前記ステージ上の複数の半導体素子を一度に規正す
る位置規正装置とを備え、前記搬送装置と前記位置規正
装置とが同時進行して動作するように構成したものであ
る。
【００１１】この本発明のバンプボンディング装置によ
れば、搬送タクトを短縮して、ボンディング装置全体と
してのタクトタイムの短縮を図ることができる。
れば、搬送タクトを短縮して、ボンディング装置全体と
してのタクトタイムの短縮を図ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、トレイからステージへ移設した半導体素子の電極上
にバンプを形成し、前記バンプ形成後にトレイへ収納す
るバンプボンディング装置において、複数の半導体素子
を搬送する搬送装置と、前記半導体素子の載置する位置
を複数設けたステージと、前記ステージ上の複数の半導
体素子を一度に規正する位置規正装置とを備え、前記搬
送装置と前記位置規正装置とが同時進行して動作するよ
うに構成したバンプボンディング装置としたものであ
り、搬送装置によって複数の半導体素子を搬送すること
ができ、位置規正装置によってステージ上の半導体素子
を一度に規正することができるので、搬送タクトを短縮
することができる。
は、トレイからステージへ移設した半導体素子の電極上
にバンプを形成し、前記バンプ形成後にトレイへ収納す
るバンプボンディング装置において、複数の半導体素子
を搬送する搬送装置と、前記半導体素子の載置する位置
を複数設けたステージと、前記ステージ上の複数の半導
体素子を一度に規正する位置規正装置とを備え、前記搬
送装置と前記位置規正装置とが同時進行して動作するよ
うに構成したバンプボンディング装置としたものであ
り、搬送装置によって複数の半導体素子を搬送すること
ができ、位置規正装置によってステージ上の半導体素子
を一度に規正することができるので、搬送タクトを短縮
することができる。
【００１３】具体的には、複数の半導体素子を複数の吸
着コレットによって搬送する搬送装置と、半導体素子の
搬入位置とボンディング位置及び搬出位置をそれぞれ専
用に設けたステージと、前記ステージ上の複数の半導体
素子を一度に規正する単数または複数の規正板を設けた
位置規正装置とを備えたことを特徴とする。
着コレットによって搬送する搬送装置と、半導体素子の
搬入位置とボンディング位置及び搬出位置をそれぞれ専
用に設けたステージと、前記ステージ上の複数の半導体
素子を一度に規正する単数または複数の規正板を設けた
位置規正装置とを備えたことを特徴とする。
【００１４】本発明のこの構成によると、複数の吸着コ
レットによって複数の半導体素子を搬送することがで
き、単数または複数の規正板を設けた位置規正装置によ
ってステージ上の複数の半導体素子を一度に規正するこ
とができるので、搬送タクトを短縮することができる。
レットによって複数の半導体素子を搬送することがで
き、単数または複数の規正板を設けた位置規正装置によ
ってステージ上の複数の半導体素子を一度に規正するこ
とができるので、搬送タクトを短縮することができる。
【００１５】また具体的には、複数の半導体素子を一括
して搬送する搬送装置を備えたことを特徴とする。以
下、本発明のバンプボンディング装置を具体的な実施の
形態に基づいて説明する。
して搬送する搬送装置を備えたことを特徴とする。以
下、本発明のバンプボンディング装置を具体的な実施の
形態に基づいて説明する。
【００１６】（実施の形態１）本発明の実施の形態１に
おけるバンプボンディング装置は、図１に示すように、
ステージ１と搬送装置（例えば、２基の吸着コレット９
ａ，９ｂ）と位置規正装置（例えば、３枚の規正板２
ａ，２ｂ，２ｃ）とキャピラリー１２等で構成されてい
る。
おけるバンプボンディング装置は、図１に示すように、
ステージ１と搬送装置（例えば、２基の吸着コレット９
ａ，９ｂ）と位置規正装置（例えば、３枚の規正板２
ａ，２ｂ，２ｃ）とキャピラリー１２等で構成されてい
る。
【００１７】２基の吸着コレット９ａ，９ｂは、半導体
素子３を吸着して移動させるものである。具体的には、
半導体素子３を供給トレイ７からステージ１へまたはス
テージ１から収納トレイ８へ移動させるものである。
素子３を吸着して移動させるものである。具体的には、
半導体素子３を供給トレイ７からステージ１へまたはス
テージ１から収納トレイ８へ移動させるものである。
【００１８】ステージ１上には、図２に示すように、半
導体素子の搬入位置４とボンディング位置５と搬出位置
６がそれぞれ設けられている。半導体素子の搬入位置４
は、吸着コレット９ａ，９ｂにより吸着した半導体素子
３を搬入する位置である。
導体素子の搬入位置４とボンディング位置５と搬出位置
６がそれぞれ設けられている。半導体素子の搬入位置４
は、吸着コレット９ａ，９ｂにより吸着した半導体素子
３を搬入する位置である。
【００１９】半導体素子のボンディング位置５は、半導
体素子３の電極１４上にバンプを形成する作業位置であ
る。半導体素子の搬出位置６は、必要個所にバンプ形成
を終えた半導体素子３を吸着コレット９ａにより吸着し
搬出する位置である。
体素子３の電極１４上にバンプを形成する作業位置であ
る。半導体素子の搬出位置６は、必要個所にバンプ形成
を終えた半導体素子３を吸着コレット９ａにより吸着し
搬出する位置である。
【００２０】３枚の規正板２ａ〜２ｃは、半導体素子３
をその搬入位置４とボンディング位置５と搬出位置６に
それぞれ移設するものである。バンプボンディング装置
は、図３に示すように、２基の吸着コレット９ａ，９ｂ
で半導体素子３をステージ１上に搬送して、３枚の規正
板２ａ〜２ｃを移動させて、半導体素子３にバンプを形
成するボンディング動作を行う。
をその搬入位置４とボンディング位置５と搬出位置６に
それぞれ移設するものである。バンプボンディング装置
は、図３に示すように、２基の吸着コレット９ａ，９ｂ
で半導体素子３をステージ１上に搬送して、３枚の規正
板２ａ〜２ｃを移動させて、半導体素子３にバンプを形
成するボンディング動作を行う。
【００２１】最初に、２基の吸着コレット９ａ，９ｂ
は、供給トレイの半導体素子を吸着してステージ１上方
へ搬送する。ステージ１上には、図３（ａ）に示すよう
に、吸着コレット９ａに吸着された半導体素子３ａが搬
入位置４に載置されている。半導体素子３ａを載置した
吸着コレット９ａは、移動して搬出位置６付近で待機し
ている。なお、この吸着コレット９ａは搬出専用とな
る。
は、供給トレイの半導体素子を吸着してステージ１上方
へ搬送する。ステージ１上には、図３（ａ）に示すよう
に、吸着コレット９ａに吸着された半導体素子３ａが搬
入位置４に載置されている。半導体素子３ａを載置した
吸着コレット９ａは、移動して搬出位置６付近で待機し
ている。なお、この吸着コレット９ａは搬出専用とな
る。
【００２２】３枚の規正板２ａ〜２ｃ全体は、図３
（ｂ）に示すように、右側へ移動して半導体素子３ａを
ボンディング位置５に規正する。なお、このボンディン
グ位置５で半導体素子３ａはバンプ形成される。
（ｂ）に示すように、右側へ移動して半導体素子３ａを
ボンディング位置５に規正する。なお、このボンディン
グ位置５で半導体素子３ａはバンプ形成される。
【００２３】図３（ｃ）に示すように、３枚の規正板２
ａ〜２ｃ全体は上側へ移動する。もう１基の吸着コレッ
ト９ｂに吸着された半導体素子３ｂを搬入位置４に載置
した後、吸着コレット９ｂは次の半導体素子を吸着する
ために供給トレイへ移動する。なお、この吸着コレット
９ｂは搬入専用となる。
ａ〜２ｃ全体は上側へ移動する。もう１基の吸着コレッ
ト９ｂに吸着された半導体素子３ｂを搬入位置４に載置
した後、吸着コレット９ｂは次の半導体素子を吸着する
ために供給トレイへ移動する。なお、この吸着コレット
９ｂは搬入専用となる。
【００２４】図３（ｄ）に示すように、３枚の規正板２
ａ〜２ｃ全体は左側へ移動する。図３（ｅ）に示すよう
に、３枚の規正板２ａ〜２ｃ全体は下側へ移動する。次
の半導体素子３ｃを吸着した吸着コレット９ｂは搬入位
置４付近で待機している。この時点において、半導体素
子３ａは必要箇所のバンプ形成を終えている。
ａ〜２ｃ全体は左側へ移動する。図３（ｅ）に示すよう
に、３枚の規正板２ａ〜２ｃ全体は下側へ移動する。次
の半導体素子３ｃを吸着した吸着コレット９ｂは搬入位
置４付近で待機している。この時点において、半導体素
子３ａは必要箇所のバンプ形成を終えている。
【００２５】３枚の規正板２ａ〜２ｃ全体は、図３
（ｆ）に示すように、右側へ移動する。半導体素子３ａ
は搬出位置６に、半導体素子３ｂはボンディング位置５
に一度に規正される。
（ｆ）に示すように、右側へ移動する。半導体素子３ａ
は搬出位置６に、半導体素子３ｂはボンディング位置５
に一度に規正される。
【００２６】半導体素子３ｂについてはバンプ形成さ
れ、必要箇所にバンプ形成を終えた半導体素子３ａは搬
出位置６付近で待機していた吸着コレット９ａに吸着さ
れて収納トレイへ収納される。
れ、必要箇所にバンプ形成を終えた半導体素子３ａは搬
出位置６付近で待機していた吸着コレット９ａに吸着さ
れて収納トレイへ収納される。
【００２７】以上の一連の動作を繰り返してバンプ形成
を行うものである。以上のことから、２基の吸着コレッ
ト９ａ，９ｂと３枚の規正板２ａ〜２ｃが同時進行で動
作することにより、バンプボンディングタクト内で半導
体素子の搬送動作の一部を行うため半導体素子の搬送タ
クトを短縮して、ボンディング装置全体としてのタクト
タイムの短縮を図ることができる。
を行うものである。以上のことから、２基の吸着コレッ
ト９ａ，９ｂと３枚の規正板２ａ〜２ｃが同時進行で動
作することにより、バンプボンディングタクト内で半導
体素子の搬送動作の一部を行うため半導体素子の搬送タ
クトを短縮して、ボンディング装置全体としてのタクト
タイムの短縮を図ることができる。
【００２８】この実施の形態１では、３枚の規正板を用
いているが、図４に示すように、位置規正装置の規正板
を１枚の規正板２ｄとした場合であっても、同様の効果
を有する。
いているが、図４に示すように、位置規正装置の規正板
を１枚の規正板２ｄとした場合であっても、同様の効果
を有する。
【００２９】この実施の形態１では、ステージの半導体
素子の載置する位置を３箇所としているが、この載置す
る位置をより増加させた場合では、搬送タクトをさらに
短縮することができる。
素子の載置する位置を３箇所としているが、この載置す
る位置をより増加させた場合では、搬送タクトをさらに
短縮することができる。
【００３０】（実施の形態２）本発明の実施の形態２の
バンプボンディング装置の搬送装置は、図５に示すよう
に、例えば複数の吸着コレットを備えた一体型の吸着コ
レット１１としたものである。
バンプボンディング装置の搬送装置は、図５に示すよう
に、例えば複数の吸着コレットを備えた一体型の吸着コ
レット１１としたものである。
【００３１】一体型の吸着コレット１１は、図５（ａ）
に示すように、供給トレイ７の半導体素子３を３つの吸
着部１１ａ〜１１ｃに同時に吸着させて一括に搬送す
る。半導体素子３を吸着した一体型の吸着コレット１１
は、図５（ｂ）に示すように、ステージ１の上に移動し
て、ステージ１に設けた３枚の規正板２ｅの載置位置１
７にそれぞれの半導体素子３が載置するように３つの吸
着部１１ａ〜１１ｃ間のピッチを変更する。
に示すように、供給トレイ７の半導体素子３を３つの吸
着部１１ａ〜１１ｃに同時に吸着させて一括に搬送す
る。半導体素子３を吸着した一体型の吸着コレット１１
は、図５（ｂ）に示すように、ステージ１の上に移動し
て、ステージ１に設けた３枚の規正板２ｅの載置位置１
７にそれぞれの半導体素子３が載置するように３つの吸
着部１１ａ〜１１ｃ間のピッチを変更する。
【００３２】前記ピッチ変更後、ステージ１の規正板２
ｅの載置位置１７にそれぞれの半導体素子３を載置す
る。規正板２ｅを実施の形態１と同様にステージ１上で
動作させてバンプボンディングする。
ｅの載置位置１７にそれぞれの半導体素子３を載置す
る。規正板２ｅを実施の形態１と同様にステージ１上で
動作させてバンプボンディングする。
【００３３】ステージ１上の半導体素子３全てのバンプ
ボンディングが終了した後に、一体型の吸着コレット１
１でステージ１上の半導体素子３を吸着して収納トレイ
へ一括搬送する。
ボンディングが終了した後に、一体型の吸着コレット１
１でステージ１上の半導体素子３を吸着して収納トレイ
へ一括搬送する。
【００３４】続いて半導体素子３のバンプボンディング
を行う場合は、前記と同様の作業を行う。以上のことか
ら、一体型の吸着コレット１１で複数の半導体素子３を
一括で搬送して、規正板２ｅを実施の形態１と同様にス
テージ１上で動作させてバンプボンディングすることに
より、半導体素子３の搬送回数を低減して、搬送タクト
を短縮することができる。
を行う場合は、前記と同様の作業を行う。以上のことか
ら、一体型の吸着コレット１１で複数の半導体素子３を
一括で搬送して、規正板２ｅを実施の形態１と同様にス
テージ１上で動作させてバンプボンディングすることに
より、半導体素子３の搬送回数を低減して、搬送タクト
を短縮することができる。
【００３５】この実施の形態２では、位置規正装置の規
正板を３枚としているが、１枚の規正板とした場合であ
っても同様の効果を有する。また、各実施の形態におい
て、搬送装置としての吸着コレットと位置規正装置とし
ての規正板およびその載置位置との数を増加させた場
合、半導体素子３の搬送回数をより低減して、搬送タク
トをより短縮することができる。
正板を３枚としているが、１枚の規正板とした場合であ
っても同様の効果を有する。また、各実施の形態におい
て、搬送装置としての吸着コレットと位置規正装置とし
ての規正板およびその載置位置との数を増加させた場
合、半導体素子３の搬送回数をより低減して、搬送タク
トをより短縮することができる。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明のバンプボンディ
ング装置よれば、搬送装置と位置規正装置とが同時進行
で動作することにより、バンプボンディングタクト内で
半導体素子の搬送動作の一部を行うため、搬送タクトを
短縮して、バンプボンディング装置全体としてのタクト
タイムの短縮を図ることができ、生産性が向上したボン
ディング装置を提供することができる。
ング装置よれば、搬送装置と位置規正装置とが同時進行
で動作することにより、バンプボンディングタクト内で
半導体素子の搬送動作の一部を行うため、搬送タクトを
短縮して、バンプボンディング装置全体としてのタクト
タイムの短縮を図ることができ、生産性が向上したボン
ディング装置を提供することができる。
【００３７】数少ないバンプをボンディングする半導体
素子の場合には、ボンディングに比べて搬送に時間を要
しているために、半導体素子の搬送タクトを短縮するこ
とで、ボンディング装置全体としてのタクトタイムの短
縮をより効果的に図ることができる。
素子の場合には、ボンディングに比べて搬送に時間を要
しているために、半導体素子の搬送タクトを短縮するこ
とで、ボンディング装置全体としてのタクトタイムの短
縮をより効果的に図ることができる。
【００３８】複数の半導体素子を一括で搬送する搬送装
置により、半導体素子の搬送回数を低減して、搬送タク
トを短縮することができる。
置により、半導体素子の搬送回数を低減して、搬送タク
トを短縮することができる。
【図１】本発明の実施の形態１のバンプボンディング装
置の斜視図
置の斜視図
【図２】同実施の形態１のバンプボンディング装置のス
テージの斜視図
テージの斜視図
【図３】同実施の形態１のボンディング装置の動作工程
を示す上面図
を示す上面図
【図４】同実施の形態１のバンプボンディング装置の規
正板の斜視図
正板の斜視図
【図５】本発明の実施の形態２のバンプボンディング装
置の搬送装置の斜視図
置の搬送装置の斜視図
【図６】従来のバンプボンディング装置の斜視図
【図７】従来のバンプ形成を示すバンプボンディング工
程図
程図
１ ステージ ２ 規正板 ２ａ〜２ｃ 規正板 ２ｄ 一体型の規正板 ２ｅ 規正板 ３ 半導体素子 ４ 半導体素子の搬入位置 ５ ボンディング位置 ６ 半導体素子の搬出位置 ７ 供給トレイ ８ 収納トレイ ９ 吸着コレット ９ａ、９ｂ 吸着コレット １０ 規正板 １１ 一体型の吸着コレット １１ａ〜１１ｃ 吸着部 １２ キャピラリー １３ 金線 １４ 電極 １５ バンプ １６ 超音波供給ユニット １７ 載置位置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今西 誠 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 トレイからステージへ移設した半導体素
子の電極上にバンプを形成し、前記バンプ形成後にトレ
イへ収納するバンプボンディング装置において、 複数の半導体素子を搬送する搬送装置と、 前記半導体素子の載置する位置を複数設けたステージ
と、 前記ステージ上の複数の半導体素子を一度に規正する位
置規正装置とを備え、 前記搬送装置と前記位置規正装置とが同時進行して動作
するように構成したバンプボンディング装置。 - 【請求項２】 トレイからステージへ移設した半導体素
子の電極上にバンプを形成し、前記バンプ形成後にトレ
イへ収納するバンプボンディング装置において、 複数の半導体素子を複数の吸着コレットによって搬送す
る搬送装置と、 半導体素子の搬入位置とボンディング位置及び搬出位置
をそれぞれ専用に設けたステージと、 前記ステージ上の複数の半導体素子を一度に規正する単
数または複数の規正板を設けた位置規正装置とを備え、 前記搬送装置と前記位置規正装置とが同時進行して動作
するように構成したバンプボンディング装置。 - 【請求項３】 搬送装置は複数の半導体素子を一括して
搬送することを特徴とする請求項１または請求項２記載
のバンプボンディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28242997A JP3406206B2 (ja) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | バンプボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28242997A JP3406206B2 (ja) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | バンプボンディング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121491A true JPH11121491A (ja) | 1999-04-30 |
| JP3406206B2 JP3406206B2 (ja) | 2003-05-12 |
Family
ID=17652306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28242997A Expired - Fee Related JP3406206B2 (ja) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | バンプボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3406206B2 (ja) |
-
1997
- 1997-10-16 JP JP28242997A patent/JP3406206B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3406206B2 (ja) | 2003-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4800524B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、製造装置 | |
| KR20150039688A (ko) | 전극 형성 장치, 전극 형성 시스템, 및 전극 형성 방법 | |
| JP2019054209A (ja) | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法およびコレット | |
| JP3011694B2 (ja) | ダイボンディング装置 | |
| TWI304643B (en) | Bonding apparatus, bonding method, and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP3857949B2 (ja) | 電子部品実装装置 | |
| JPH11121491A (ja) | バンプボンディング装置 | |
| JP2006135082A (ja) | 電子部品の実装装置及び実装方法 | |
| JP2002050861A (ja) | 常温接合装置及び方法 | |
| JP4547285B2 (ja) | バンプ形成装置 | |
| JP3621908B2 (ja) | ベアチップ実装方法および実装システム | |
| JP2764532B2 (ja) | バンプの接合方法および接合装置 | |
| JP3552574B2 (ja) | 導電性ボールの搭載装置および搭載方法 | |
| JP3872232B2 (ja) | はんだ除去装置 | |
| JP2019029647A (ja) | 柱状部材搭載装置及び柱状部材搭載方法 | |
| JP3571398B2 (ja) | バンプ形成方法とその装置 | |
| CN111983829B (zh) | 部件压接装置以及部件压接方法 | |
| JP2001358451A (ja) | 導電性ボール搭載装置 | |
| JP7023700B2 (ja) | 実装装置及び実装方法 | |
| JPH08213398A (ja) | 半導体素子のバンプレベリング方法とその装置 | |
| JP4579670B2 (ja) | 部品の圧着装置及び圧着方法 | |
| JP2001257308A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2022167260A (ja) | 部品圧着装置および部品圧着方法 | |
| JP3725668B2 (ja) | 金属ボール接合方法および装置 | |
| JP2022189084A (ja) | 部品圧着システムおよび部品圧着方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080307 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090307 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100307 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |