JPH08227793A - Ｅｌ素子およびその製造方法 - Google Patents
Ｅｌ素子およびその製造方法Info
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- JPH08227793A JPH08227793A JP7260894A JP26089495A JPH08227793A JP H08227793 A JPH08227793 A JP H08227793A JP 7260894 A JP7260894 A JP 7260894A JP 26089495 A JP26089495 A JP 26089495A JP H08227793 A JPH08227793 A JP H08227793A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 44
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical group [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 353
- 239000010408 film Substances 0.000 description 53
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 9
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 description 9
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- -1 but other than this Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001044 red dye Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】多色EL素子の発光効率及び発光バランスを向上
させること。 【解決手段】第一発光層15a-第二発光層15b 間に形成さ
れた発光層隔離用誘電体層14a は各発光層間の段差を無
くし破壊発生時に破壊が隣接する発光層に及ぶことを防
止。発光層15a 以外の発光層の下に形成された発光開始
電圧調整用誘電体層14b は発光層15b に対する発光開始
電圧を発光層15a の発光開始電圧に略同等化。発光層15
a 形成領域に対応する第二電極上の赤色フィルタ18は色
純度及び輝度バランスを調整。誘電体層14a は発光クロ
ストーク及び色純度悪化を防止。発光層15a をパターン
形成しその上に誘電体層14を形成し発光層15a の非形成
領域に発光層15b を埋め込むように形成後、ホトリソグ
ラフィ法を用いずに一度に不要な誘電体層と発光層15b
を引き剥がし可能。容易に各発光層を誘電体層14a で分
離でき発光層15a 以外の発光層に誘電体層14b を重ねた
構成が可能。
させること。 【解決手段】第一発光層15a-第二発光層15b 間に形成さ
れた発光層隔離用誘電体層14a は各発光層間の段差を無
くし破壊発生時に破壊が隣接する発光層に及ぶことを防
止。発光層15a 以外の発光層の下に形成された発光開始
電圧調整用誘電体層14b は発光層15b に対する発光開始
電圧を発光層15a の発光開始電圧に略同等化。発光層15
a 形成領域に対応する第二電極上の赤色フィルタ18は色
純度及び輝度バランスを調整。誘電体層14a は発光クロ
ストーク及び色純度悪化を防止。発光層15a をパターン
形成しその上に誘電体層14を形成し発光層15a の非形成
領域に発光層15b を埋め込むように形成後、ホトリソグ
ラフィ法を用いずに一度に不要な誘電体層と発光層15b
を引き剥がし可能。容易に各発光層を誘電体層14a で分
離でき発光層15a 以外の発光層に誘電体層14b を重ねた
構成が可能。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、平面配置型多色Ｅ
Ｌ素子およびその製造方法に関する。
Ｌ素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＥＬ素子を用いた多色発光をさせ
る素子構造としては、発光色の異なった発光層を、絶縁
層間に平面的に配列したものが知られている。このよう
な異なる発光層を有するものにおいては、各発光層の発
光開始電圧が異なるため、その発光開始電圧を同じにす
るべく、対策が行われている。また、異なる発光層を平
面的に配列した構造においては、発光層相互間のクロス
トーク光を回避するべく、対策が行われている。前者の
発光開始電圧を同じにするものとして、例えば実開平５
−１１３９２号公報に開示された構造のものがある。こ
れは、マンガンを含む硫化亜鉛を母材とした第一発光層
と、希土類元素を含む硫化亜鉛を母材とした第二発光層
とを平面的に互いに隣接して配置し、かつ第一発光層の
発光開始電圧が第二発光層の発光開始電圧に比較して低
いため、該第一発光層と上記絶縁層との間に発光開始電
圧調整用の誘電体層を配置した構造である。後者のクロ
ストーク光を回避するものとして、例えば特開平４−３
９８９４号公報に開示された構造のものがある。これ
は、異なる発光層の間に光吸収材料から成る遮光膜を形
成した構造である。
る素子構造としては、発光色の異なった発光層を、絶縁
層間に平面的に配列したものが知られている。このよう
な異なる発光層を有するものにおいては、各発光層の発
光開始電圧が異なるため、その発光開始電圧を同じにす
るべく、対策が行われている。また、異なる発光層を平
面的に配列した構造においては、発光層相互間のクロス
トーク光を回避するべく、対策が行われている。前者の
発光開始電圧を同じにするものとして、例えば実開平５
−１１３９２号公報に開示された構造のものがある。こ
れは、マンガンを含む硫化亜鉛を母材とした第一発光層
と、希土類元素を含む硫化亜鉛を母材とした第二発光層
とを平面的に互いに隣接して配置し、かつ第一発光層の
発光開始電圧が第二発光層の発光開始電圧に比較して低
いため、該第一発光層と上記絶縁層との間に発光開始電
圧調整用の誘電体層を配置した構造である。後者のクロ
ストーク光を回避するものとして、例えば特開平４−３
９８９４号公報に開示された構造のものがある。これ
は、異なる発光層の間に光吸収材料から成る遮光膜を形
成した構造である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のもので
は、発光開始電圧調整とクロストーク光回避とを同時に
達成する効果的な手段は開示されていない。本発明は、
上記手段を提供することを目的とするものである。
は、発光開始電圧調整とクロストーク光回避とを同時に
達成する効果的な手段は開示されていない。本発明は、
上記手段を提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１乃至１４によれ
ば、少なくとも二種類の発光層の間に発光層隔離用誘電
体層を有し、一方の発光層の光取り出し側または反光取
り出し側に選択的に発光開始電圧調整用誘電体層を有
し、これら誘電体層を同一材料で構成するとともに、そ
の屈折率を、各発光層の屈折率よりも小さく設定したこ
とから、一方の発光素子の光取り出し側または反光取り
出し側に選択的に有した発光開始電圧調整用誘電体層の
作用によって該発光層の発光開始電圧を調節することが
可能となる。従って、少なくとも二種類の発光層間の発
光開始電圧の相違に基づいて何れかの発光層に対する発
光開始電圧調整用誘電体層の設置を適切に選定すること
により、これら発光層の発光開始電圧を同じに調整する
ことができる。また、一方の発光層を発光させている場
合において該発光層からの光は所定角度で隔離用誘電体
層に入射することになる。しかし、各発光層間に発光層
隔離用誘電体層を配置しており、加えて該誘電体層の光
の屈折率を各発光層の光の屈折率より小さく設定したか
ら、一方の発光層からの光は所定角度以上では全反射し
て該発光層側に戻ることになり、従ってクロストーク光
の発生は少ない。更に、該クロストーク光は発光層側に
戻るが、発光層の表面は微細ながら凹凸が存在するた
め、その凹凸によって先の戻った光を一方の発光層の表
示光として再び利用できる。また、発光開始電圧調整用
誘電体層と隔離用誘電体層とを同一の材料で構成したか
ら、異種層が複雑に入り込むことがなく、ＥＬ素子の信
頼性、耐久性を向上させることができると共に、プロセ
ス上も各誘電体層を同時に形成することができるため、
製造上およびコスト上、有利となる。また、発光層隔離
用誘電体層は、各発光層間の隙間による段差をなくすと
共に、隣接する発光層に破壊が及ぶことを防止する。即
ち、各発光層間に隙間が形成されていると、その発光層
の膜厚分だけ段差が生じるため、上部に形成される第二
絶縁層によるカバーレージが困難であるが、発光層間に
隔離用誘電体層を形成することにより、その段差がなく
なる。一方、各発光層が連なっていると、一つの微小破
壊が発生すると、隣接する発光層へ破壊点が拡大する危
険性があるが、発光層間に隔離用誘電体層を形成するこ
とにより、その破壊点の拡大を防止することができる。
請求項２乃至５によれば、発光開始電圧調整用誘電体層
の誘電率と、該誘電体層が形成された発光層の誘電率と
を所定の関係に設定したから、一方の発光層と他方の発
光層との発光開始電圧調整が適切に行われる。請求項９
によれば、一方の発光層と発光開始電圧調整用誘電体層
との合算の膜厚を、他方の発光層の膜厚と略同一に設定
したから、第二絶縁層が形成される、これら発光層の表
面を略平坦とすることができ、ＥＬ素子の信頼性、耐久
性を向上することができる。また、請求項９において、
請求項３との組合せによれば、一方の発光層の膜厚が電
圧調整用誘電体層の膜厚分だけ減少することになるた
め、該一方の発光層の発光輝度を減じることができる。
このことは、一方の発光層と他方の発光層との発光開始
電圧を同じに設定できるとともに、これら発光層の発光
輝度を略同じに設定でき、多色ＥＬ素子として有利とな
る。また、請求項９において、請求項８との組合せによ
れば、同様に一方の発光層の膜厚が電圧調整用誘電体層
の膜厚分だけ減少することになるため、該一方の発光層
の発光輝度が一層減少するが、赤色フィルタによって他
方の発光層からの光の内、特定波長が減衰されるので、
該他方の発光層の発光輝度と一方の発光輝度とのバラン
スを図ることができる。請求項１０によれば、発光開始
電圧を調整し得るのに必要な誘電体層の厚みを提供でき
る。請求項１１によれば、発光開始電圧を調整し得るの
に適した材料であり、請求項１２によれば、添加材料に
よってより適切な誘電率を得ることができ、ひいては所
望の発光開始電圧に設定することも可能である。主たる
金属酸化物として、請求項１１に記載の酸化物を用いる
ことでこれら効果を再現性よく実現できる。請求項１３
によれば、少なくとも二種類の発光層は、平面上におい
て周期的に交互に配列し、隣接する発光層を１画素とし
ているから、容易に多色の画像を表示することができ
る。請求項１４によれば、電圧調整用誘電体層を、一方
の発光層の反光取り出し側に位置せしめたから、該一方
の表示光が光取り出し側に放出される際に該誘電体層に
よって輝度が減じられることがなく、従って発光開始電
圧の低減と発光輝度の保持とをバランスさせることがで
きる。請求項１５によれば、第一発光層をパターニング
してその発光層の表面である上面および側面に誘電体層
を形成し、該第一発光層を形成していない領域における
第一絶縁層上に形成された誘電体層を取り除いた後、そ
の領域に第二発光層を形成し、該第二発光層をパターニ
ングして誘電体層の表面の第二発光層を取り除くから、
各発光層を誘電体層で分離する構成と、第一発光層以外
の第二発光層に対しては誘電体層を重ねない構成とを同
時に実施できる。請求項１６によれば、請求項１５と同
様に各発光層を誘電体層で分離する構成と、第一発光層
以外の第二発光層に対しては誘電体層を重ねない構成と
を同時に実施できる効果に加えて、余分な第二発光層を
取り除く工程と、第二発光層に対しては誘電体層を重ね
ない工程とを同時に実施することができ、請求項１５の
製造方法に比較して工程の簡略化を図ることができる。
請求項１７によれば、誘電体層を酸素を含むガス雰囲気
で形成することにより、硫化亜鉛を母体材料とする第一
発光層と誘電体層との界面に硫酸亜鉛の薄い層が形成さ
れ、該第一発光層の上面に形成された誘電体層および第
二発光層を、該硫酸亜鉛層が水に溶解することで容易に
取り除くことができる。請求項１８によれば、誘電体を
スパッタ法で形成することにより請求項１７と同様に第
一発光層と誘電体層との間に水で剥離し易い硫酸亜鉛層
を形成させることができ、同様に水で誘電体層および第
二発光層を取り除くことができる。請求項１９および２
０によれば、第一発光層と誘電体層との界面に形成され
た硫酸亜鉛等の層に水、または薬液を導くことができ、
誘電体層および第二発光層の取り除きを一層容易にす
る。
ば、少なくとも二種類の発光層の間に発光層隔離用誘電
体層を有し、一方の発光層の光取り出し側または反光取
り出し側に選択的に発光開始電圧調整用誘電体層を有
し、これら誘電体層を同一材料で構成するとともに、そ
の屈折率を、各発光層の屈折率よりも小さく設定したこ
とから、一方の発光素子の光取り出し側または反光取り
出し側に選択的に有した発光開始電圧調整用誘電体層の
作用によって該発光層の発光開始電圧を調節することが
可能となる。従って、少なくとも二種類の発光層間の発
光開始電圧の相違に基づいて何れかの発光層に対する発
光開始電圧調整用誘電体層の設置を適切に選定すること
により、これら発光層の発光開始電圧を同じに調整する
ことができる。また、一方の発光層を発光させている場
合において該発光層からの光は所定角度で隔離用誘電体
層に入射することになる。しかし、各発光層間に発光層
隔離用誘電体層を配置しており、加えて該誘電体層の光
の屈折率を各発光層の光の屈折率より小さく設定したか
ら、一方の発光層からの光は所定角度以上では全反射し
て該発光層側に戻ることになり、従ってクロストーク光
の発生は少ない。更に、該クロストーク光は発光層側に
戻るが、発光層の表面は微細ながら凹凸が存在するた
め、その凹凸によって先の戻った光を一方の発光層の表
示光として再び利用できる。また、発光開始電圧調整用
誘電体層と隔離用誘電体層とを同一の材料で構成したか
ら、異種層が複雑に入り込むことがなく、ＥＬ素子の信
頼性、耐久性を向上させることができると共に、プロセ
ス上も各誘電体層を同時に形成することができるため、
製造上およびコスト上、有利となる。また、発光層隔離
用誘電体層は、各発光層間の隙間による段差をなくすと
共に、隣接する発光層に破壊が及ぶことを防止する。即
ち、各発光層間に隙間が形成されていると、その発光層
の膜厚分だけ段差が生じるため、上部に形成される第二
絶縁層によるカバーレージが困難であるが、発光層間に
隔離用誘電体層を形成することにより、その段差がなく
なる。一方、各発光層が連なっていると、一つの微小破
壊が発生すると、隣接する発光層へ破壊点が拡大する危
険性があるが、発光層間に隔離用誘電体層を形成するこ
とにより、その破壊点の拡大を防止することができる。
請求項２乃至５によれば、発光開始電圧調整用誘電体層
の誘電率と、該誘電体層が形成された発光層の誘電率と
を所定の関係に設定したから、一方の発光層と他方の発
光層との発光開始電圧調整が適切に行われる。請求項９
によれば、一方の発光層と発光開始電圧調整用誘電体層
との合算の膜厚を、他方の発光層の膜厚と略同一に設定
したから、第二絶縁層が形成される、これら発光層の表
面を略平坦とすることができ、ＥＬ素子の信頼性、耐久
性を向上することができる。また、請求項９において、
請求項３との組合せによれば、一方の発光層の膜厚が電
圧調整用誘電体層の膜厚分だけ減少することになるた
め、該一方の発光層の発光輝度を減じることができる。
このことは、一方の発光層と他方の発光層との発光開始
電圧を同じに設定できるとともに、これら発光層の発光
輝度を略同じに設定でき、多色ＥＬ素子として有利とな
る。また、請求項９において、請求項８との組合せによ
れば、同様に一方の発光層の膜厚が電圧調整用誘電体層
の膜厚分だけ減少することになるため、該一方の発光層
の発光輝度が一層減少するが、赤色フィルタによって他
方の発光層からの光の内、特定波長が減衰されるので、
該他方の発光層の発光輝度と一方の発光輝度とのバラン
スを図ることができる。請求項１０によれば、発光開始
電圧を調整し得るのに必要な誘電体層の厚みを提供でき
る。請求項１１によれば、発光開始電圧を調整し得るの
に適した材料であり、請求項１２によれば、添加材料に
よってより適切な誘電率を得ることができ、ひいては所
望の発光開始電圧に設定することも可能である。主たる
金属酸化物として、請求項１１に記載の酸化物を用いる
ことでこれら効果を再現性よく実現できる。請求項１３
によれば、少なくとも二種類の発光層は、平面上におい
て周期的に交互に配列し、隣接する発光層を１画素とし
ているから、容易に多色の画像を表示することができ
る。請求項１４によれば、電圧調整用誘電体層を、一方
の発光層の反光取り出し側に位置せしめたから、該一方
の表示光が光取り出し側に放出される際に該誘電体層に
よって輝度が減じられることがなく、従って発光開始電
圧の低減と発光輝度の保持とをバランスさせることがで
きる。請求項１５によれば、第一発光層をパターニング
してその発光層の表面である上面および側面に誘電体層
を形成し、該第一発光層を形成していない領域における
第一絶縁層上に形成された誘電体層を取り除いた後、そ
の領域に第二発光層を形成し、該第二発光層をパターニ
ングして誘電体層の表面の第二発光層を取り除くから、
各発光層を誘電体層で分離する構成と、第一発光層以外
の第二発光層に対しては誘電体層を重ねない構成とを同
時に実施できる。請求項１６によれば、請求項１５と同
様に各発光層を誘電体層で分離する構成と、第一発光層
以外の第二発光層に対しては誘電体層を重ねない構成と
を同時に実施できる効果に加えて、余分な第二発光層を
取り除く工程と、第二発光層に対しては誘電体層を重ね
ない工程とを同時に実施することができ、請求項１５の
製造方法に比較して工程の簡略化を図ることができる。
請求項１７によれば、誘電体層を酸素を含むガス雰囲気
で形成することにより、硫化亜鉛を母体材料とする第一
発光層と誘電体層との界面に硫酸亜鉛の薄い層が形成さ
れ、該第一発光層の上面に形成された誘電体層および第
二発光層を、該硫酸亜鉛層が水に溶解することで容易に
取り除くことができる。請求項１８によれば、誘電体を
スパッタ法で形成することにより請求項１７と同様に第
一発光層と誘電体層との間に水で剥離し易い硫酸亜鉛層
を形成させることができ、同様に水で誘電体層および第
二発光層を取り除くことができる。請求項１９および２
０によれば、第一発光層と誘電体層との界面に形成され
た硫酸亜鉛等の層に水、または薬液を導くことができ、
誘電体層および第二発光層の取り除きを一層容易にす
る。
【０００５】
（第一実施例）以下、本発明を具体的な実施例に基づい
て説明する。図１は、本発明のＥＬ素子を示す模式的な
構成断面図である。透明ガラス基板１１上に第一透明電
極１２が形成され、その上に第一絶縁層１３が形成され
ている。そしてその上に第一発光層１５ａが選択的に配
置されて形成され、その間に絶縁材料である発光層隔離
用誘電体層１４ａを挟んで第二発光層１５ｂが第一発光
層１５ａと同一平面内に形成されている。そして第一発
光層１５ａの直上には発光開始電圧調整用誘電体層１４
ｂが形成されている。ここで、発光層隔離用誘電体層１
４ａと発光開始電圧調整用誘電体層１４ｂは同一材料で
形成され、第一発光層１５ａを覆う形となっており、発
光開始電圧調整用誘電体層１４ｂの上面と第二発光層１
５ｂの上面は、同じ高さで平坦に形成される。そして、
その上に第二絶縁層１６がそれらを覆いつくす形で形成
されている。そして各発光層に対して第二電極１７が配
置されている。
て説明する。図１は、本発明のＥＬ素子を示す模式的な
構成断面図である。透明ガラス基板１１上に第一透明電
極１２が形成され、その上に第一絶縁層１３が形成され
ている。そしてその上に第一発光層１５ａが選択的に配
置されて形成され、その間に絶縁材料である発光層隔離
用誘電体層１４ａを挟んで第二発光層１５ｂが第一発光
層１５ａと同一平面内に形成されている。そして第一発
光層１５ａの直上には発光開始電圧調整用誘電体層１４
ｂが形成されている。ここで、発光層隔離用誘電体層１
４ａと発光開始電圧調整用誘電体層１４ｂは同一材料で
形成され、第一発光層１５ａを覆う形となっており、発
光開始電圧調整用誘電体層１４ｂの上面と第二発光層１
５ｂの上面は、同じ高さで平坦に形成される。そして、
その上に第二絶縁層１６がそれらを覆いつくす形で形成
されている。そして各発光層に対して第二電極１７が配
置されている。
【０００６】ここで、第一発光層１５ａの誘電率をε
ｌ、発光開始電圧調整用誘電体層１４ｂの誘電率をεｒ
とすると、εｌ＞εｒの時、このＥＬ素子の両発光層に
同一電圧を印加した場合には、第一発光層１５ａは第二
発光層１５ｂに比べて発光開始電圧調整用誘電体層１４
ｂが形成されている分だけ、かかる電圧（分圧）が低下
する。しかし、第一発光層１５ａの発光開始電圧が第二
発光層１５ｂより低い場合には、実際の発光開始電圧は
等しくなる。逆に、εｌ＜εｒの時、このＥＬ素子の両
発光層に同一電圧を印加した場合には、第一発光層１５
ａは第二発光層１５ｂに比べて発光開始電圧調整用誘電
体層１４ｂが形成されている分だけ、かかる電圧（分
圧）が上昇する。しかし、第一発光層１５ａの発光開始
電圧が第二発光層１５ｂより高い場合には、実際の発光
開始電圧は等しくなる。また、各発光層間は発光層隔離
用誘電体層１４ａ（図１の１４で縦方向の部分）で分離
されているので、破壊の発生時にその破壊が隣接する発
光層にまで及びことがない。さらに、発光層隔離用誘電
体層１４ａの屈折率が、発光層の屈折率より低い場合に
は、各発光層間の光のクロストークをなくすことができ
る。
ｌ、発光開始電圧調整用誘電体層１４ｂの誘電率をεｒ
とすると、εｌ＞εｒの時、このＥＬ素子の両発光層に
同一電圧を印加した場合には、第一発光層１５ａは第二
発光層１５ｂに比べて発光開始電圧調整用誘電体層１４
ｂが形成されている分だけ、かかる電圧（分圧）が低下
する。しかし、第一発光層１５ａの発光開始電圧が第二
発光層１５ｂより低い場合には、実際の発光開始電圧は
等しくなる。逆に、εｌ＜εｒの時、このＥＬ素子の両
発光層に同一電圧を印加した場合には、第一発光層１５
ａは第二発光層１５ｂに比べて発光開始電圧調整用誘電
体層１４ｂが形成されている分だけ、かかる電圧（分
圧）が上昇する。しかし、第一発光層１５ａの発光開始
電圧が第二発光層１５ｂより高い場合には、実際の発光
開始電圧は等しくなる。また、各発光層間は発光層隔離
用誘電体層１４ａ（図１の１４で縦方向の部分）で分離
されているので、破壊の発生時にその破壊が隣接する発
光層にまで及びことがない。さらに、発光層隔離用誘電
体層１４ａの屈折率が、発光層の屈折率より低い場合に
は、各発光層間の光のクロストークをなくすことができ
る。
【０００７】次に、前述の多色発光のＥＬ素子の具体的
な製造方法の一例について述べる。 (a) まず、絶縁性基板であるガラス基板１１上に、透明
なＩＴＯからなる第一電極１２をＤＣスパッタ法により
成膜する。具体的には、ＩＴＯをターゲットして、スパ
ッタガスとしてアルゴン(Ar)、酸素(O2)ガスを導入し、
成膜炉内を一定圧力に保って、ガラス基板１１を加熱し
てスパッタリングパワーを印加して200nmの膜厚に成膜
する。そして通常知られているホトリソグラフィ法を用
いて所定の形状にパターンエッチングして形成する。 (b) 次に、第一絶縁層１３を、高周波スパッタ法により
成膜する。具体的には五酸化タンタル(Ta2O5) を主成分
とし、アルミナ(Al2O3) を6wt%添加したターゲットを用
い、スパッタガスとしてアルゴン(Ar)、酸素(O2)ガスの
混合ガスを与えて、一定圧力で、ガラス基板１１を加熱
し、高周波電力を与えて400nm の膜厚に成膜する（図２
(a))。
な製造方法の一例について述べる。 (a) まず、絶縁性基板であるガラス基板１１上に、透明
なＩＴＯからなる第一電極１２をＤＣスパッタ法により
成膜する。具体的には、ＩＴＯをターゲットして、スパ
ッタガスとしてアルゴン(Ar)、酸素(O2)ガスを導入し、
成膜炉内を一定圧力に保って、ガラス基板１１を加熱し
てスパッタリングパワーを印加して200nmの膜厚に成膜
する。そして通常知られているホトリソグラフィ法を用
いて所定の形状にパターンエッチングして形成する。 (b) 次に、第一絶縁層１３を、高周波スパッタ法により
成膜する。具体的には五酸化タンタル(Ta2O5) を主成分
とし、アルミナ(Al2O3) を6wt%添加したターゲットを用
い、スパッタガスとしてアルゴン(Ar)、酸素(O2)ガスの
混合ガスを与えて、一定圧力で、ガラス基板１１を加熱
し、高周波電力を与えて400nm の膜厚に成膜する（図２
(a))。
【０００８】(c) 次に第一発光層１５ａとしてZnS:Mn層
をスパッタ法もしくは蒸着法で、膜厚が450nm になるよ
うに成膜する。蒸着法による場合、具体的には、硫化亜
鉛(ZnS) にマンガン(Mn)を添加したペレットを蒸着材と
し、ガラス基板１１を加熱し電子ビーム蒸着を行う。高
周波マグネトロンスパッタ法の場合は、硫化亜鉛(ZnS)
にマンガン(Mn)を添加した焼結体をターゲットとし、ス
パッタガスとしてアルゴン(Ar)とヘリウム(He)ガスの混
合ガスを導入して行う（図２(b))。 (d) 次に、第一発光層１５ａの発光させない部分を、通
常知られているホトリソグラフィ法を用いて取り去る
（図２(c))。 (e) そして第一発光層１５ａおよび開口した領域全体
に、酸窒化シリコン(SiON)層を発光層隔離用誘電体層お
よび発光開始電圧調整用誘電体層（ともに１４）として
形成する。具体的には、基板温度300 ℃、パワー密度3.
1W/cm2でアルゴン(Ar)105SCCM 、酸素(O2)5SCCM 、窒素
(N2)40SCCMの混合ガスを用い、シリコン(Si)をターゲッ
トにした反応性高周波マグネトロンスパッタ法により10
0nm の膜厚に形成する（図２(d))。 (f) 次に、第一発光層１５ａの形成された部分を通常の
ホトリソグラフィ法を用いてレジストで覆い（図示せ
ず）、第一発光層１５ａの形成されていない部分（第一
絶縁層１３直上）の誘電体層１４を、四フッ化炭素(C
F4) と酸素(O2)の混合ガスでドライエッチングして取り
除く（図２(e))。
をスパッタ法もしくは蒸着法で、膜厚が450nm になるよ
うに成膜する。蒸着法による場合、具体的には、硫化亜
鉛(ZnS) にマンガン(Mn)を添加したペレットを蒸着材と
し、ガラス基板１１を加熱し電子ビーム蒸着を行う。高
周波マグネトロンスパッタ法の場合は、硫化亜鉛(ZnS)
にマンガン(Mn)を添加した焼結体をターゲットとし、ス
パッタガスとしてアルゴン(Ar)とヘリウム(He)ガスの混
合ガスを導入して行う（図２(b))。 (d) 次に、第一発光層１５ａの発光させない部分を、通
常知られているホトリソグラフィ法を用いて取り去る
（図２(c))。 (e) そして第一発光層１５ａおよび開口した領域全体
に、酸窒化シリコン(SiON)層を発光層隔離用誘電体層お
よび発光開始電圧調整用誘電体層（ともに１４）として
形成する。具体的には、基板温度300 ℃、パワー密度3.
1W/cm2でアルゴン(Ar)105SCCM 、酸素(O2)5SCCM 、窒素
(N2)40SCCMの混合ガスを用い、シリコン(Si)をターゲッ
トにした反応性高周波マグネトロンスパッタ法により10
0nm の膜厚に形成する（図２(d))。 (f) 次に、第一発光層１５ａの形成された部分を通常の
ホトリソグラフィ法を用いてレジストで覆い（図示せ
ず）、第一発光層１５ａの形成されていない部分（第一
絶縁層１３直上）の誘電体層１４を、四フッ化炭素(C
F4) と酸素(O2)の混合ガスでドライエッチングして取り
除く（図２(e))。
【０００９】(g) 次に、その上に第二発光層１５ｂとし
て、ZnS:TbOF層を高周波マグネトロンスパッタ法により
成膜する。具体的には、硫酸亜鉛(ZnS)aにテルビウム(T
bOF)を添加した焼結体をターゲットとし、スパッタガス
としてアルゴン(Ar)とヘリウム(He)ガスの混合ガスを導
入し、内部を一定圧力に保って、ガラス基板１１を加熱
しながら、高周波電力を与えて550nm の厚さに成膜する
（図２(f))。 (h) そして、（第一発光層１５ａ上の）誘電体層１４の
上の第二発光層１５ｂを、通常知られていないホトリソ
グラフィ法を用いて取り去る（図２(g))。この時、第一
発光層１５ａ上の誘電体層１４ｂは、第二発光層１５ｂ
のエッチングストッパとしても作用するので第一発光層
１５ａにダメージを与えることがない。
て、ZnS:TbOF層を高周波マグネトロンスパッタ法により
成膜する。具体的には、硫酸亜鉛(ZnS)aにテルビウム(T
bOF)を添加した焼結体をターゲットとし、スパッタガス
としてアルゴン(Ar)とヘリウム(He)ガスの混合ガスを導
入し、内部を一定圧力に保って、ガラス基板１１を加熱
しながら、高周波電力を与えて550nm の厚さに成膜する
（図２(f))。 (h) そして、（第一発光層１５ａ上の）誘電体層１４の
上の第二発光層１５ｂを、通常知られていないホトリソ
グラフィ法を用いて取り去る（図２(g))。この時、第一
発光層１５ａ上の誘電体層１４ｂは、第二発光層１５ｂ
のエッチングストッパとしても作用するので第一発光層
１５ａにダメージを与えることがない。
【００１０】(i) その後、誘電体層１４ｂと第二発光層
１５ｂの上に第二絶縁層１６を形成する。ここでは、ま
ず誘電体層１４と同様の方法で100nm の膜厚のSiONを成
膜し、その上に、第一絶縁層１３と同様の方法で300nm
の膜厚の五酸化タンタル・アルミナの複合膜(Ta2O5:Al2
O3) を成膜し、二層構造から成る第二絶縁層１６を形成
する。 (h) その上に透明な第二電極１７を、イオンプレーティ
ング法により成膜する。具体的には酸化亜鉛(ZnO) に酸
化ガリウム(Ga2O3) を添加したペレットを蒸着材とし、
アルゴン(Ar)ガスを導入して0.04Paに保ち、ガラス基板
１１を250 ℃に加熱して、40W の高周波電力を印加して
成膜する。そして再び、同様に通常のホトリソグラフィ
法を用いて所望の形状にパターニングして第二電極１７
を形成する。ここで、第二電極１７としては、ＩＴＯ電
極をＤＣスパッタ法で形成しても良い。また第一絶縁層
１３、第二絶縁層１６は五酸化タンタル・アルミナの複
合膜(Ta2O5:Al2O3) の単層膜とSiON膜と五酸化タンタル
・アルミナの複合膜の積層膜で構成したが、Ta2O5 、Al
2O3 、Si3N4 、SiO2、SiON、PbTiO3、Y2O3、SrTiO3の単
層膜や、或いはこれらを主成分とする複合膜や、これら
の積層膜で構成しても良い。
１５ｂの上に第二絶縁層１６を形成する。ここでは、ま
ず誘電体層１４と同様の方法で100nm の膜厚のSiONを成
膜し、その上に、第一絶縁層１３と同様の方法で300nm
の膜厚の五酸化タンタル・アルミナの複合膜(Ta2O5:Al2
O3) を成膜し、二層構造から成る第二絶縁層１６を形成
する。 (h) その上に透明な第二電極１７を、イオンプレーティ
ング法により成膜する。具体的には酸化亜鉛(ZnO) に酸
化ガリウム(Ga2O3) を添加したペレットを蒸着材とし、
アルゴン(Ar)ガスを導入して0.04Paに保ち、ガラス基板
１１を250 ℃に加熱して、40W の高周波電力を印加して
成膜する。そして再び、同様に通常のホトリソグラフィ
法を用いて所望の形状にパターニングして第二電極１７
を形成する。ここで、第二電極１７としては、ＩＴＯ電
極をＤＣスパッタ法で形成しても良い。また第一絶縁層
１３、第二絶縁層１６は五酸化タンタル・アルミナの複
合膜(Ta2O5:Al2O3) の単層膜とSiON膜と五酸化タンタル
・アルミナの複合膜の積層膜で構成したが、Ta2O5 、Al
2O3 、Si3N4 、SiO2、SiON、PbTiO3、Y2O3、SrTiO3の単
層膜や、或いはこれらを主成分とする複合膜や、これら
の積層膜で構成しても良い。
【００１１】ここでの、第一発光層１５ａであるZnS:Mn
膜のクランプ電界強度Ev1 は、約1.5MV/Cmで、その比誘
電率ε1 ’は約10.5であり、屈折率η1 は2.3 〜2.4 の
範囲にある。また、ZnS:TbOFより成る第二発光層１５ｂ
は、クランプ電界強度Ev2 が、約1.8MV/Cmで、その比誘
電率ε2 ’は約8.5 であり、屈折率η2 は2.3 〜2.4 の
範囲にある。さらに、発光層隔離用誘電体層及び発光開
始電圧調整用誘電体層( 共に１４）である酸窒化シリコ
ン(SiON)膜は、比誘電率εｒ’は約5.8 であり、その屈
折率ηｒは1.5 〜1.6 の範囲にある。つまり、この場合
の第一発光層１５ａと発光開始電圧調整用誘電体層１４
ｂの誘電率の関係はεｌ＞εｒにあり、第一発光層１５
ａが第二発光層１５ｂと同じ膜厚である場合に比べ、第
一発光層１５ａの一部が発光開始電圧調整用誘電体層１
４ｂと置き替わった分だけ、第一発光層１５ａにかかる
電圧（分圧）が低下する。しかし、この場合の第一発光
層１５ａの発光開始電圧（＝絶縁層構成が同じ時、クラ
ンプ電界強度と発光層誘電率により決まる）は、第二発
光層１５ｂより低いので、実際の発光開始電圧は185Vか
ら190Vの範囲内で等しくなる。言い換えれば、発光開始
電圧調整用誘電体層１４ｂが第一発光層１５ａ側のＥＬ
素子の発光開始電圧を上昇させていると言える。具体的
にその電圧上昇は、第一発光層１５ａが薄くなった分と
の差し引きで約12V である。また、この場合の第一発光
層１５ａであるZnS:Mnは第二発光層１５ｂであるZnS:Tb
OFに比べ同一膜厚で、同じ電圧を印加した場合はもちろ
ん、発光開始電圧から同じ電圧を印加する場合（即ち、
ZnS:TbOFにZnS:Mnとの発光開始電圧の差の分だけ余計に
電圧を印加する場合）にも、その輝度は高いが、ここで
はZnS:Mnの膜厚をZnS:TbOFの膜厚より薄く形成している
ので、ZnS:Mnの発光輝度を低く抑えることができ、両者
の輝度のバランスを取ることができる。さらに、各発光
層間に配置された発光層隔離用誘電体層１４ａの屈折率
ηｒが、発光層の屈折率（η1 、η2 ）より低い（ηｒ
＜η1 〜η2 ）ので、各発光層間の光のストロークをな
くすことができる。
膜のクランプ電界強度Ev1 は、約1.5MV/Cmで、その比誘
電率ε1 ’は約10.5であり、屈折率η1 は2.3 〜2.4 の
範囲にある。また、ZnS:TbOFより成る第二発光層１５ｂ
は、クランプ電界強度Ev2 が、約1.8MV/Cmで、その比誘
電率ε2 ’は約8.5 であり、屈折率η2 は2.3 〜2.4 の
範囲にある。さらに、発光層隔離用誘電体層及び発光開
始電圧調整用誘電体層( 共に１４）である酸窒化シリコ
ン(SiON)膜は、比誘電率εｒ’は約5.8 であり、その屈
折率ηｒは1.5 〜1.6 の範囲にある。つまり、この場合
の第一発光層１５ａと発光開始電圧調整用誘電体層１４
ｂの誘電率の関係はεｌ＞εｒにあり、第一発光層１５
ａが第二発光層１５ｂと同じ膜厚である場合に比べ、第
一発光層１５ａの一部が発光開始電圧調整用誘電体層１
４ｂと置き替わった分だけ、第一発光層１５ａにかかる
電圧（分圧）が低下する。しかし、この場合の第一発光
層１５ａの発光開始電圧（＝絶縁層構成が同じ時、クラ
ンプ電界強度と発光層誘電率により決まる）は、第二発
光層１５ｂより低いので、実際の発光開始電圧は185Vか
ら190Vの範囲内で等しくなる。言い換えれば、発光開始
電圧調整用誘電体層１４ｂが第一発光層１５ａ側のＥＬ
素子の発光開始電圧を上昇させていると言える。具体的
にその電圧上昇は、第一発光層１５ａが薄くなった分と
の差し引きで約12V である。また、この場合の第一発光
層１５ａであるZnS:Mnは第二発光層１５ｂであるZnS:Tb
OFに比べ同一膜厚で、同じ電圧を印加した場合はもちろ
ん、発光開始電圧から同じ電圧を印加する場合（即ち、
ZnS:TbOFにZnS:Mnとの発光開始電圧の差の分だけ余計に
電圧を印加する場合）にも、その輝度は高いが、ここで
はZnS:Mnの膜厚をZnS:TbOFの膜厚より薄く形成している
ので、ZnS:Mnの発光輝度を低く抑えることができ、両者
の輝度のバランスを取ることができる。さらに、各発光
層間に配置された発光層隔離用誘電体層１４ａの屈折率
ηｒが、発光層の屈折率（η1 、η2 ）より低い（ηｒ
＜η1 〜η2 ）ので、各発光層間の光のストロークをな
くすことができる。
【００１２】（第二実施例）図３は、本発明のもう一つ
のＥＬ素子を示す模式的な構成断面図である。透明ガラ
ス基板１１上に第一透明電極１２が形成され、その上に
第一絶縁層１３が形成されている。そしてその上に第一
発光層１５ａが選択的に配置されて形成され、その間に
第二発光層１５ｂが、絶縁材料である発光層隔離用誘電
体層および発光開始電圧調整用誘電体層（ともに１４）
を介して埋め込まれる形で、第一発光層１５ａと同一平
面内に形成されている。そして、各発光層の上面は平坦
に形成されて、その上面に第二絶縁層１６が各発光層を
覆いつくす形で形成されている。そして各発光層に対し
て第二電極１７が配置され、第一発光層１５ａ形成領域
に対応する第二電極１７上に色純度調整用のフィルタが
形成されている。
のＥＬ素子を示す模式的な構成断面図である。透明ガラ
ス基板１１上に第一透明電極１２が形成され、その上に
第一絶縁層１３が形成されている。そしてその上に第一
発光層１５ａが選択的に配置されて形成され、その間に
第二発光層１５ｂが、絶縁材料である発光層隔離用誘電
体層および発光開始電圧調整用誘電体層（ともに１４）
を介して埋め込まれる形で、第一発光層１５ａと同一平
面内に形成されている。そして、各発光層の上面は平坦
に形成されて、その上面に第二絶縁層１６が各発光層を
覆いつくす形で形成されている。そして各発光層に対し
て第二電極１７が配置され、第一発光層１５ａ形成領域
に対応する第二電極１７上に色純度調整用のフィルタが
形成されている。
【００１３】本実施例と第一実施例との違いは、主にそ
の製造プロセスにあり、結果として第二発光層１５ｂの
下側に発光開始電圧調整用誘電体層１４ｂが形成される
構成となる。ここでは、発光開始電圧調整用誘電体層１
４ｂの誘電率εｒと第二発光層１５ｂの誘電率の関係が
逆（即ち、ε2 ＜εｒ）の場合の効果について説明す
る。この場合は、第二発光層１５ｂの一部がそれより誘
電率の高い発光開始電圧調整用誘電体層１４ｂと置き替
わったと見なせるので、その分だけ全てが第二発光層１
５ｂである場合に比べ、かかる電圧（分圧）が上昇す
る。つまり、低い電圧で発光を開始する。しかし、この
場合の第二発光層１５ｂの発光開始電圧は、元々、第一
発光層１５ａより高いので、実際の発光開始電圧は等し
くなる。言い換えれば、発光開始電圧調整用誘電体層１
４ｂが第二発光層１５ｂ側のＥＬ素子の発光開始電圧を
低下させていると言える。但し、この場合には第一実施
例の時と異なり、第一発光層１５ａであるZnS:Mnの方が
第二発光層１５ｂであるZnS:TbOFに比べ、膜厚が厚くな
るので、発光開始電圧は同じでも、ZnS:Mn側のＥＬ素子
の輝度は、ZnS:TbOF側のＥＬ素子に比べてますます高く
なることになる。そこで、第一発光層１５ａであるZnS:
Mnの形成領域に対応する第二電極１７の上にのみ赤色フ
ィルタ１８を形成することで、ZnS:TbOF側のＥＬ素子と
の輝度バランスを保つ構成とする。例えば、ZnS:Mnの黄
橙色発光を、590nm 以下の波長のスペクトルをカットす
る赤色フィルタ１８に通すと、その発光輝度は元の黄橙
色発光輝度の約20% に減衰する。このような構成とする
ことで、輝度のバランスを取ることのみならず、赤色の
色合いが増加するため、赤−緑間の色のバリエーション
を飛躍的に増すことができる。
の製造プロセスにあり、結果として第二発光層１５ｂの
下側に発光開始電圧調整用誘電体層１４ｂが形成される
構成となる。ここでは、発光開始電圧調整用誘電体層１
４ｂの誘電率εｒと第二発光層１５ｂの誘電率の関係が
逆（即ち、ε2 ＜εｒ）の場合の効果について説明す
る。この場合は、第二発光層１５ｂの一部がそれより誘
電率の高い発光開始電圧調整用誘電体層１４ｂと置き替
わったと見なせるので、その分だけ全てが第二発光層１
５ｂである場合に比べ、かかる電圧（分圧）が上昇す
る。つまり、低い電圧で発光を開始する。しかし、この
場合の第二発光層１５ｂの発光開始電圧は、元々、第一
発光層１５ａより高いので、実際の発光開始電圧は等し
くなる。言い換えれば、発光開始電圧調整用誘電体層１
４ｂが第二発光層１５ｂ側のＥＬ素子の発光開始電圧を
低下させていると言える。但し、この場合には第一実施
例の時と異なり、第一発光層１５ａであるZnS:Mnの方が
第二発光層１５ｂであるZnS:TbOFに比べ、膜厚が厚くな
るので、発光開始電圧は同じでも、ZnS:Mn側のＥＬ素子
の輝度は、ZnS:TbOF側のＥＬ素子に比べてますます高く
なることになる。そこで、第一発光層１５ａであるZnS:
Mnの形成領域に対応する第二電極１７の上にのみ赤色フ
ィルタ１８を形成することで、ZnS:TbOF側のＥＬ素子と
の輝度バランスを保つ構成とする。例えば、ZnS:Mnの黄
橙色発光を、590nm 以下の波長のスペクトルをカットす
る赤色フィルタ１８に通すと、その発光輝度は元の黄橙
色発光輝度の約20% に減衰する。このような構成とする
ことで、輝度のバランスを取ることのみならず、赤色の
色合いが増加するため、赤−緑間の色のバリエーション
を飛躍的に増すことができる。
【００１４】次に、前述の多色発光のＥＬ素子の具体的
な製造方法の一例について述べる。 (a) まず、絶縁性基板であるガラス基板１１上に、透明
なＩＴＯからなる第一電極１２を第一実施例と同様にＤ
Ｃスパッタ法により200nm の膜厚に成膜し、ホトリソグ
ラフィ法を用いて所定の形状にパターニングして形成す
る。 (b) 次に、第一絶縁層１３を、第一実施例と同様に、五
酸化タンタル・アルミナの複合膜(Ta2O5:Al2O3) を400n
m の膜厚に成膜する（図４(a))。
な製造方法の一例について述べる。 (a) まず、絶縁性基板であるガラス基板１１上に、透明
なＩＴＯからなる第一電極１２を第一実施例と同様にＤ
Ｃスパッタ法により200nm の膜厚に成膜し、ホトリソグ
ラフィ法を用いて所定の形状にパターニングして形成す
る。 (b) 次に、第一絶縁層１３を、第一実施例と同様に、五
酸化タンタル・アルミナの複合膜(Ta2O5:Al2O3) を400n
m の膜厚に成膜する（図４(a))。
【００１５】(c) 次に第一発光層１５ａとしてZnS:Mn層
を第一実施例と同様に成膜する。但し、その膜厚は650n
m になるようにする（図４(b))。 (d) 次に、第一発光層１５ａの発光させない部分を、通
常知られているホトリソグラフィ法を用いて取り去る
（図４(c))。 (e) そして第一発光層１５ａおよび開口した領域全体
に、五酸化タンタル(Ta2O5) 層を発光層隔離用誘電体層
および発光開始電圧調整用誘電体層（ともに１４）とし
て形成する。具体的には、アルゴン(Ar)140SCCM 、酸素
(O2)60SCCMの混合ガスを用い、五酸化タンタル(Ta2O5)
焼結体をターゲットとし、一定圧力で、基板１１を300
℃に加熱しながら、パワー密度4.1W/cm2の高周波電力を
与えて150nmの膜厚にスパッタ成膜する（図４(d))。 (f) 次に、その上に第二発光層１５ｂとしてZnS:TbOF層
を第一実施例と同様に高周波スパッタ法により５００ｎ
ｍの膜厚に成膜する（図４(e))。
を第一実施例と同様に成膜する。但し、その膜厚は650n
m になるようにする（図４(b))。 (d) 次に、第一発光層１５ａの発光させない部分を、通
常知られているホトリソグラフィ法を用いて取り去る
（図４(c))。 (e) そして第一発光層１５ａおよび開口した領域全体
に、五酸化タンタル(Ta2O5) 層を発光層隔離用誘電体層
および発光開始電圧調整用誘電体層（ともに１４）とし
て形成する。具体的には、アルゴン(Ar)140SCCM 、酸素
(O2)60SCCMの混合ガスを用い、五酸化タンタル(Ta2O5)
焼結体をターゲットとし、一定圧力で、基板１１を300
℃に加熱しながら、パワー密度4.1W/cm2の高周波電力を
与えて150nmの膜厚にスパッタ成膜する（図４(d))。 (f) 次に、その上に第二発光層１５ｂとしてZnS:TbOF層
を第一実施例と同様に高周波スパッタ法により５００ｎ
ｍの膜厚に成膜する（図４(e))。
【００１６】(g) そして次に、ガラス基板１１全体を水
に浸して、第一発光層１５ａの上にある第二発光層１５
ｂを、あいだの五酸化タンタル(Ta2O5) 層ごと洗い流し
て（リフトオフして）、余分な第二発光層１５ｂを取り
除く。第一発光層１５ａと第二発光層１５ｂの間にある
五酸化タンタル(Ta2O5) 層は、第一発光層１５ａの上に
この五酸化タンタル(Ta2O5) 層を形成する際に、O2雰囲
気で行うためその界面に硫酸亜鉛(ZnSO4) の薄い層が形
成され、このため、ガラス基板１１を水中に浸すだけで
容易にこの薄い硫酸亜鉛(ZnSO4) 層が溶けて、上の第二
発光層１５ｂがリフトオフされる（図４(f))。また、第
一発光層１５ａ及び第二発光層１５ｂの表面に接触する
液は水であるため、第一発光層１５ａ、第二発光層１５
ｂに悪い影響は及ぼさない。 (h) 以下図示しないが、次に真空中において、熱処理を
加え、各発光層１５ａ、１５ｂの結晶性を向上させる。 (i) その後、各発光層の上に第二絶縁層１６を第一実施
例と同様に、100nm の膜厚のSiON膜と300nm の膜厚の五
酸化タンタル・アルミナの複合膜(Ta2O5:Al2O3)から成
る二層構造の第二絶縁層１６を形成する。 (j) その上に酸化亜鉛(ZnO:Ga2O3) から成る透明な第二
電極１７を、第一実施例と同様にイオンプレーティング
法により成膜し、同様にホトリソグラフィ法を用いて所
望の形状にパターニングして第二電極１７を形成する。 (k) 最後に、透明な第二電極１７上に赤色染料を溶かし
た感光性のレジストを塗布する。そして、ホトリソグラ
フィ法によりZnS:Mnより成る第一発光層１５ａ形成領域
に対応する透明な第二電極１７上にレジストを残し、他
を除去することにより赤色フィルタ１８を形成する。
に浸して、第一発光層１５ａの上にある第二発光層１５
ｂを、あいだの五酸化タンタル(Ta2O5) 層ごと洗い流し
て（リフトオフして）、余分な第二発光層１５ｂを取り
除く。第一発光層１５ａと第二発光層１５ｂの間にある
五酸化タンタル(Ta2O5) 層は、第一発光層１５ａの上に
この五酸化タンタル(Ta2O5) 層を形成する際に、O2雰囲
気で行うためその界面に硫酸亜鉛(ZnSO4) の薄い層が形
成され、このため、ガラス基板１１を水中に浸すだけで
容易にこの薄い硫酸亜鉛(ZnSO4) 層が溶けて、上の第二
発光層１５ｂがリフトオフされる（図４(f))。また、第
一発光層１５ａ及び第二発光層１５ｂの表面に接触する
液は水であるため、第一発光層１５ａ、第二発光層１５
ｂに悪い影響は及ぼさない。 (h) 以下図示しないが、次に真空中において、熱処理を
加え、各発光層１５ａ、１５ｂの結晶性を向上させる。 (i) その後、各発光層の上に第二絶縁層１６を第一実施
例と同様に、100nm の膜厚のSiON膜と300nm の膜厚の五
酸化タンタル・アルミナの複合膜(Ta2O5:Al2O3)から成
る二層構造の第二絶縁層１６を形成する。 (j) その上に酸化亜鉛(ZnO:Ga2O3) から成る透明な第二
電極１７を、第一実施例と同様にイオンプレーティング
法により成膜し、同様にホトリソグラフィ法を用いて所
望の形状にパターニングして第二電極１７を形成する。 (k) 最後に、透明な第二電極１７上に赤色染料を溶かし
た感光性のレジストを塗布する。そして、ホトリソグラ
フィ法によりZnS:Mnより成る第一発光層１５ａ形成領域
に対応する透明な第二電極１７上にレジストを残し、他
を除去することにより赤色フィルタ１８を形成する。
【００１７】ここで、発光層隔離用誘電体層及び発光開
始電圧調整用誘電体層( 共に１４）として用いた五酸化
タンタル(Ta2O5) 層は、比誘電率εｒ’が約23であり、
その屈折率ηｒは2.0 〜2.1 の範囲にある。しかし、誘
電体層１４としては五酸化タンタル(Ta2O5) 層に限定さ
れるものではなく、この他にCr2O3 、IrO 、Ir2O3 、Cu
2O等の誘電体を用いてもかまわない。所望の発光開始電
圧とするには、発光層の誘電率との関係が重要であり、
そのためには、これらの酸化物誘電体にAl2O3、SiO2、Y
2O3、WO3 、Nb2O5 等を添加して誘電率を調整してもか
まわない。例えば、第一絶縁層１３として使用した五酸
化タンタル・アルミナの複合膜(Ta2O5:Al2O3) は、比誘
電率εｒ’が約17であり、その屈折率ηｒは1.9 〜2.0
の範囲にあり、もちろん発光層隔離用誘電体層及び発光
開始電圧調整用誘電体層として用いることができる。こ
れらの酸化物誘電体層は、水酸基(OH - ) を形成する、
または水(H2O) を包含した構造と成り得る金属酸化物で
あり、誘電体層を通して発光層表面に形成された硫酸亜
鉛(ZnSO4) 等の層へ水を導くことができ、さらに剥離を
容易にする。この製造方法は、第一実施例の製造方法に
比べ、ホトエッチング工程を２回を少なくできる点で経
済的に極めて優れた方法であるが、そのポイントは発光
層との界面に水溶性の生成物を形成させることと、その
層に水、薬液等を導く経路を有することである。
始電圧調整用誘電体層( 共に１４）として用いた五酸化
タンタル(Ta2O5) 層は、比誘電率εｒ’が約23であり、
その屈折率ηｒは2.0 〜2.1 の範囲にある。しかし、誘
電体層１４としては五酸化タンタル(Ta2O5) 層に限定さ
れるものではなく、この他にCr2O3 、IrO 、Ir2O3 、Cu
2O等の誘電体を用いてもかまわない。所望の発光開始電
圧とするには、発光層の誘電率との関係が重要であり、
そのためには、これらの酸化物誘電体にAl2O3、SiO2、Y
2O3、WO3 、Nb2O5 等を添加して誘電率を調整してもか
まわない。例えば、第一絶縁層１３として使用した五酸
化タンタル・アルミナの複合膜(Ta2O5:Al2O3) は、比誘
電率εｒ’が約17であり、その屈折率ηｒは1.9 〜2.0
の範囲にあり、もちろん発光層隔離用誘電体層及び発光
開始電圧調整用誘電体層として用いることができる。こ
れらの酸化物誘電体層は、水酸基(OH - ) を形成する、
または水(H2O) を包含した構造と成り得る金属酸化物で
あり、誘電体層を通して発光層表面に形成された硫酸亜
鉛(ZnSO4) 等の層へ水を導くことができ、さらに剥離を
容易にする。この製造方法は、第一実施例の製造方法に
比べ、ホトエッチング工程を２回を少なくできる点で経
済的に極めて優れた方法であるが、そのポイントは発光
層との界面に水溶性の生成物を形成させることと、その
層に水、薬液等を導く経路を有することである。
【００１８】仮に、発光層との界面に水溶性の生成物を
形成させたとしても、これに水、薬液等を導く経路を持
たない緻密で浸透性のない膜ではリフトオフさせること
はできない。また、ある程度薄い膜、例えば膜厚10nm以
下なら膜に多数のピンホールを作ることでリフトオフで
きるしもしれないが、その程度の膜厚ではダイナミック
な発光開始電圧の調整はできない。好ましい発光開始電
圧の調整を行なうには、少なくとも50nm以上の膜厚は必
要である。また、好ましい発光輝度を確保するために
は、その膜厚を200nm 以下程度に抑える必要がある。上
記の酸化物誘電体層は、その構造中に水酸基(OH - ) 等
を介して水を移動させることができるので、比較的厚い
膜にでも水を導くことができ、わざわざピンホールを作
る必要もない。尚、第一発光層１５ａと第二発光層１５
ｂの間にある五酸化タンタル(Ta2O5)層を形成する際
に、第一発光層１５ａとの界面に、硫酸亜鉛(ZnSO4) で
はなく、酸化亜鉛(ZnO) が形成されてしまう場合があっ
たとしても、この酸化亜鉛(ZnO)の薄膜は、酢酸などの
弱い酸に溶けるため、やはり容易に、余分な第二発光層
１５ｂ及びその下の部分の五酸化タンタル(Ta2O5) 層１
４をリフトオフさせて除去することができる。
形成させたとしても、これに水、薬液等を導く経路を持
たない緻密で浸透性のない膜ではリフトオフさせること
はできない。また、ある程度薄い膜、例えば膜厚10nm以
下なら膜に多数のピンホールを作ることでリフトオフで
きるしもしれないが、その程度の膜厚ではダイナミック
な発光開始電圧の調整はできない。好ましい発光開始電
圧の調整を行なうには、少なくとも50nm以上の膜厚は必
要である。また、好ましい発光輝度を確保するために
は、その膜厚を200nm 以下程度に抑える必要がある。上
記の酸化物誘電体層は、その構造中に水酸基(OH - ) 等
を介して水を移動させることができるので、比較的厚い
膜にでも水を導くことができ、わざわざピンホールを作
る必要もない。尚、第一発光層１５ａと第二発光層１５
ｂの間にある五酸化タンタル(Ta2O5)層を形成する際
に、第一発光層１５ａとの界面に、硫酸亜鉛(ZnSO4) で
はなく、酸化亜鉛(ZnO) が形成されてしまう場合があっ
たとしても、この酸化亜鉛(ZnO)の薄膜は、酢酸などの
弱い酸に溶けるため、やはり容易に、余分な第二発光層
１５ｂ及びその下の部分の五酸化タンタル(Ta2O5) 層１
４をリフトオフさせて除去することができる。
【００１９】（第三実施例）本発明の構造上の特徴は、
発光層隔離用誘電体層１４ａ及び発光開始電圧調整用誘
電体層１４ｂとを有することである。そして、それらの
効果、特に、発光開始電圧調整用誘電体層１４ｂの効果
については、第一実施例及び第二実施例において詳細に
説明した。本実施例では、発光層隔離用誘電体層１４ａ
の効果、特に発光のクロストーク防止効果について比較
サンプル（図５、図６）を作成し、第二実施例の構造
（図３）と比較して詳細に説明する。
発光層隔離用誘電体層１４ａ及び発光開始電圧調整用誘
電体層１４ｂとを有することである。そして、それらの
効果、特に、発光開始電圧調整用誘電体層１４ｂの効果
については、第一実施例及び第二実施例において詳細に
説明した。本実施例では、発光層隔離用誘電体層１４ａ
の効果、特に発光のクロストーク防止効果について比較
サンプル（図５、図６）を作成し、第二実施例の構造
（図３）と比較して詳細に説明する。
【００２０】比較サンプルＡ（図５）は、第二実施例の
構造（図３）から発光層隔離用誘電体層１４ａ及び発光
開始電圧調整用誘電体層１４ｂを取り除いたもので、第
一発光層１５ａと第二発光層１５ｂが各々ストライプ状
に（紙面に垂直な方向に長く伸びている）形成され、各
々の発光層が直接隣接する構造となっており、第二実施
例と同様に、第一発光層１５ａ(ZnS:Mn)の形成領域に対
応する第二電極１７上に赤色フィルタ１８がストライプ
状に形成されている。また、比較サンプルＢ（図６）
は、第二電極１７上の全てを覆うように赤色フィルタ１
８が形成されている以外は、比較サンプルＡ（図５）と
同じ構造をしている。第二実施例の構造（図３）におい
て、赤色発光は第一発光層１５ａ(ZnS:Mn)の発光が赤色
フィルタ１８を通過することによって得られ、緑色発光
は、第二発光層１５ｂ(ZnS:Tb)の発光から得られる。同
様に、比較サンプルＡ（図５）においても、赤／緑の各
々の発光開始電圧は異なるものの、基本的には同じであ
る。比較サンプルＢ（図６）においては、第二発光層１
５ｂ(ZnS:TbOF)からの緑色発光が赤色フィルタ１８によ
りカットされ、光が取り出せない点では異なるが、赤色
発光が赤色フィルタ１８を介して取り出される点では同
じである。
構造（図３）から発光層隔離用誘電体層１４ａ及び発光
開始電圧調整用誘電体層１４ｂを取り除いたもので、第
一発光層１５ａと第二発光層１５ｂが各々ストライプ状
に（紙面に垂直な方向に長く伸びている）形成され、各
々の発光層が直接隣接する構造となっており、第二実施
例と同様に、第一発光層１５ａ(ZnS:Mn)の形成領域に対
応する第二電極１７上に赤色フィルタ１８がストライプ
状に形成されている。また、比較サンプルＢ（図６）
は、第二電極１７上の全てを覆うように赤色フィルタ１
８が形成されている以外は、比較サンプルＡ（図５）と
同じ構造をしている。第二実施例の構造（図３）におい
て、赤色発光は第一発光層１５ａ(ZnS:Mn)の発光が赤色
フィルタ１８を通過することによって得られ、緑色発光
は、第二発光層１５ｂ(ZnS:Tb)の発光から得られる。同
様に、比較サンプルＡ（図５）においても、赤／緑の各
々の発光開始電圧は異なるものの、基本的には同じであ
る。比較サンプルＢ（図６）においては、第二発光層１
５ｂ(ZnS:TbOF)からの緑色発光が赤色フィルタ１８によ
りカットされ、光が取り出せない点では異なるが、赤色
発光が赤色フィルタ１８を介して取り出される点では同
じである。
【００２１】この３つのＥＬ素子について、赤色のみを
発光させた時の色純度測定結果を表１に示す。表中の
ｘ、ｙの値は、国際照明委員会(Commission Internatio
nale del'Eclairage=CIE) の標準色度図(C.I.E.Chromat
icity Diagram)の色度座標値を示すもので、ｘ座標値が
大きく、ｙ座標値が小さくなるほど赤色の色純度が増す
（真の赤色に近づく）ことを意味する。この結果からわ
かるように、本発明の１つである第二実施例の構造のも
の（図３）とサンプルＢ（図６）については同じ値を示
すもののサンプルＡ（図５）は、赤色の純度が悪くなっ
ている。
発光させた時の色純度測定結果を表１に示す。表中の
ｘ、ｙの値は、国際照明委員会(Commission Internatio
nale del'Eclairage=CIE) の標準色度図(C.I.E.Chromat
icity Diagram)の色度座標値を示すもので、ｘ座標値が
大きく、ｙ座標値が小さくなるほど赤色の色純度が増す
（真の赤色に近づく）ことを意味する。この結果からわ
かるように、本発明の１つである第二実施例の構造のも
の（図３）とサンプルＢ（図６）については同じ値を示
すもののサンプルＡ（図５）は、赤色の純度が悪くなっ
ている。
【００２２】
【表１】
【００２３】これは、サンプルＡ（図５）では、第一と
第二の発光層がつながっており、その屈折率がいずれも
約2.36と同じであるため、赤色発光をさせた場合(ZnS:M
n 上の第二電極１７のみに電圧を印加した場合) に、表
示面側へ光が放射されるだけでなく、放射光が発光層の
平面方向( 即ち、表示面と直角方向) へも進行するため
である。このように発光層中を平面方向へ進行する光の
一部は、発光層の粒界等によりその方向を変え、表示面
側にも放射される。このような光は、フィルタを介さず
に直接ZnS:Mnの黄橙色の光を放つので、この色成分が混
入した分、赤色の色純度を下げることとなる。これに対
しサンプルＢ（図６）は、表示面側の全てに赤色フィル
タ１８が形成されているので、サンプルＡ（図５）のよ
うに発光層中を平面方向へ進行し方向を変え、表示面側
に光が放射されても全て赤色フィルタ１８を介して光が
取り出される。従って、この赤色フィルタ１８で決まる
真の色純度と言える。また、本発明の第二実施例の構造
（図３）においては、発光層よりも屈折率の低い物質か
ら成る発光層隔離用誘電体層１４ａを有するため、発光
層中を平面方向へ進行しようとする光が発光層隔離用誘
電体層１４ａで反射され、隣接するZnS:TbOF発光層から
抜け出すことができず、赤色フィルタ１８で決まる真の
色純度を示しているものと思われる。
第二の発光層がつながっており、その屈折率がいずれも
約2.36と同じであるため、赤色発光をさせた場合(ZnS:M
n 上の第二電極１７のみに電圧を印加した場合) に、表
示面側へ光が放射されるだけでなく、放射光が発光層の
平面方向( 即ち、表示面と直角方向) へも進行するため
である。このように発光層中を平面方向へ進行する光の
一部は、発光層の粒界等によりその方向を変え、表示面
側にも放射される。このような光は、フィルタを介さず
に直接ZnS:Mnの黄橙色の光を放つので、この色成分が混
入した分、赤色の色純度を下げることとなる。これに対
しサンプルＢ（図６）は、表示面側の全てに赤色フィル
タ１８が形成されているので、サンプルＡ（図５）のよ
うに発光層中を平面方向へ進行し方向を変え、表示面側
に光が放射されても全て赤色フィルタ１８を介して光が
取り出される。従って、この赤色フィルタ１８で決まる
真の色純度と言える。また、本発明の第二実施例の構造
（図３）においては、発光層よりも屈折率の低い物質か
ら成る発光層隔離用誘電体層１４ａを有するため、発光
層中を平面方向へ進行しようとする光が発光層隔離用誘
電体層１４ａで反射され、隣接するZnS:TbOF発光層から
抜け出すことができず、赤色フィルタ１８で決まる真の
色純度を示しているものと思われる。
【００２４】この結果から、本発明における発光層隔離
用誘電体層は、隣接する発光層への破壊の広がりを防止
するだけでなく、その屈折率を発光層の屈折率より小さ
くすることにより光の横漏れによるクロストークを抑え
られ、特に特定の部位にのみ色純度向上のためのフィル
タを設ける場合に有効であることがわかる。
用誘電体層は、隣接する発光層への破壊の広がりを防止
するだけでなく、その屈折率を発光層の屈折率より小さ
くすることにより光の横漏れによるクロストークを抑え
られ、特に特定の部位にのみ色純度向上のためのフィル
タを設ける場合に有効であることがわかる。
【００２５】（第四実施例）図示はしないが、三種類以
上の異なる発光色を発光する発光層を形成する場合に
は、前述の第二実施例の二つの発光層を形成した図２
(f) の段階から、さらに第三番目以降の発光層を形成す
る領域をエッチング工程で開口して、再び誘電体層を形
成する図２(d) からの、同様な発光層形成工程を実施し
ていく。その際、それまでに形成された前の発光層は硫
化亜鉛(ZnS) を母材としたものであって、第三発光層を
形成する際に、開口した後に五酸化タンタル(Ta2O5) 層
を設け、第三発光層をその上に形成し、水でリフトオフ
する。第一、及び第二発光層は硫化亜鉛(ZnS) を母材と
するので、五酸化タンタル(Ta2O5) の層との界面に硫酸
亜鉛(ZnSO4) の薄い膜が形成され、余分な第三発光層は
容易にリフトオフされる。
上の異なる発光色を発光する発光層を形成する場合に
は、前述の第二実施例の二つの発光層を形成した図２
(f) の段階から、さらに第三番目以降の発光層を形成す
る領域をエッチング工程で開口して、再び誘電体層を形
成する図２(d) からの、同様な発光層形成工程を実施し
ていく。その際、それまでに形成された前の発光層は硫
化亜鉛(ZnS) を母材としたものであって、第三発光層を
形成する際に、開口した後に五酸化タンタル(Ta2O5) 層
を設け、第三発光層をその上に形成し、水でリフトオフ
する。第一、及び第二発光層は硫化亜鉛(ZnS) を母材と
するので、五酸化タンタル(Ta2O5) の層との界面に硫酸
亜鉛(ZnSO4) の薄い膜が形成され、余分な第三発光層は
容易にリフトオフされる。
【図１】本発明の第一実施例に示すＥＬ素子の模式的構
成断面図。
成断面図。
【図２】本発明の第一実施例に示すＥＬ素子の模式的な
製造工程図。
製造工程図。
【図３】本発明の第二実施例に示すＥＬ素子の模式的構
成断面図。
成断面図。
【図４】本発明の第二実施例に示すＥＬ素子の模式的な
製造工程図。
製造工程図。
【図５】本発明の第三実施例に示す比較サンプルＡのＥ
Ｌ素子の模式的構成断面図。
Ｌ素子の模式的構成断面図。
【図６】本発明の第三実施例に示す比較サンプルＢのＥ
Ｌ素子の模式的構成断面図。
Ｌ素子の模式的構成断面図。
１１ ガラス基板 １２ 第一電極 １３ 第一絶縁層 １４ａ 発光層隔離用誘電体層 １４ｂ 発光開始電圧調整用誘電体層 １５ａ 第一発光層 １５ｂ 第二発光層 １６ 第二絶縁層 １７ 第二電極 １８ 赤色フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 服部 正 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (20)
- 【請求項１】絶縁性基板上に第一電極、第一絶縁層、発
光層、第二絶縁層、および第二電極を、少なくとも光取
り出し側の材料を光学的に透明なものにて順次積層し形
成し、前記発光層を、発光色の異なる少なくとも二種類
の発光層として平面的に配列した多色表示ＥＬ素子にお
いて、 前記少なくとも二種類の発光層が各々分離して形成さ
れ、前記各発光層間に発光層隔離用誘電体層を有すると
共に、 前記各発光層の内の一方の発光層の光取り出し側または
その反光取り出し側に、選択的に形成された発光開始電
圧調整用誘電体層を有し、 前記発光層隔離用誘電体層と前記発光開始電圧調整用誘
電体層とを同一材料で構成すると共に、該両誘電体層の
光の屈折率を、前記各発光層の光の屈折率よりも小さく
設定したことを特徴とするＥＬ素子。 - 【請求項２】前記発光開始電圧調整用誘電体層の誘電率
が、これが光取り出し側またはその反対側に形成され
た、前記一方の発光層の誘電率より小さいことを特徴と
する請求項１に記載のＥＬ素子。 - 【請求項３】前記一方の発光層が、他方の発光層と同一
厚さであると、該他方の発光層の発光開始電圧よりも低
い発光開始電圧となり、かつ該他方の発光層の発光輝度
よりも高い発光輝度となることを特徴とする請求項２に
記載のＥＬ素子。 - 【請求項４】前記一方の発光層が、マンガンを含む硫化
亜鉛であり、前記他方の発光層が、テルビウムを含む硫
化亜鉛であることを特徴とする請求項３に記載のＥＬ素
子。 - 【請求項５】前記発光開始電圧調整用誘電体層の誘電率
が、これが光取り出し側またはその反対側に形成され
た、前記一方の発光層の誘電率より大きいことを特徴と
する請求項１に記載のＥＬ素子。 - 【請求項６】前記一方の発光層が、他方の発光層と同一
厚さであると、該他方の発光層の発光開始電圧よりも高
い発光開始電圧となり、かつ該他方の発光層の発光輝度
よりも低い発光輝度となることを特徴とする請求項５に
記載のＥＬ素子。 - 【請求項７】前記一方の発光層が、テルビウムを含む硫
化亜鉛であり、前記他方の発光層が、マンガンを含む硫
化亜鉛であることを特徴とする請求項６に記載のＥＬ素
子。 - 【請求項８】前記他方の発光層に対応する位置における
前記第二電極の上方に、特定波長を減衰させる赤色フィ
ルタを形成したことを特徴とする請求項７に記載のＥＬ
素子。 - 【請求項９】前記一方の発光層と、その光取り出し側ま
たはその反対側に形成された前記発光開始電圧調整用誘
電体層との合算の膜厚が、前記他方の発光層の膜厚と略
同一であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか
一つに記載のＥＬ素子。 - 【請求項１０】前記発光開始電圧調整用誘電体層の膜厚
が５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする
請求項１乃至９のいずれか一つに記載のＥＬ素子。 - 【請求項１１】前記発光開始電圧調整用誘電体層および
前記発光層隔離用誘電体層が、SiON、Ta2O5 、Cr2O3 、
IrO 、Ir2O3 、Cu2Oから選ばれた少なくとも一種の材料
により構成されていることを特徴とする請求項１乃至１
０のいずれか一つに記載のＥＬ素子。 - 【請求項１２】前記発光開始電圧調整用誘電体層および
前記発光層隔離用誘電体層が、Ta2O5 、Cr2O3 、IrO 、
Ir2O3 、Cu2Oから選ばれた少なくとも一種に対して、Al
2O3 、SiO2、Y2O3、WO3 、およびNb2O5 から選ばれた少
なくとも一種が添加された材料により構成されているこ
とを特徴とする請求項１１に記載のＥＬ素子。 - 【請求項１３】前記少なくとも二種類の発光層は、平面
上において周期的に交互に配列され、隣接する前記発光
層を１画素とすることを特徴とする請求項１乃至１１の
いずれか一つに記載のＥＬ素子。 - 【請求項１４】前記電圧調整用誘電体層は、前記一方の
発光層の前記反光取り出し側に位置していることを特徴
とする請求項１乃至１３のいずれか一つに記載のＥＬ素
子。 - 【請求項１５】絶縁性基板上に第一電極、第一絶縁層、
発光層、第二絶縁層、および第二電極を、少なくとも光
取り出し側の材料を光学的に透明なものにて順次積層し
形成し、前記発光層を、発光色の異なる少なくとも二種
類の第一および第二発光層として平面的に配列した多色
表示ＥＬ素子の製造方法であって、 前記第一絶縁層上に前記第一発光層を形成する工程と、 前記第一発光層をパターニングして、前記第一絶縁層上
に第一発光層の非形成領域を確立する工程と、 前記パターニング後の前記第一発光層の表面である上面
および側面、ならびに前記非形成領域における前記第一
絶縁層の露出表面に誘電体層を形成する工程と、 前記
非形成領域の前記第一絶縁層上に形成された前記誘電体
層を取り除く工程と、 前記第一発光層の上面の前記誘電体層の表面、および前
記誘電体層が取り除かれて露出した前記第一絶縁層の前
記露出表面に前記第二発光層を形成する工程と、 前記
第二発光層をパターニングして、前記誘電体層上の前記
表面に形成された前記第二発光層を取り除く工程と、を
含むことを特徴とするＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項１６】絶縁性基板上に第一電極、第一絶縁層、
発光層、第二絶縁層、および第二電極を、少なくとも光
取り出し側の材料を光学的に透明なものにて順次積層し
形成し、前記発光層を、発光色の異なる少なくとも二種
類の第一および第二発光層として平面的に配列した多色
表示ＥＬ素子の製造方法であって、 前記第一絶縁層上に前記第一発光層を形成する工程と、 前記第一発光層をパターニングして、前記第一絶縁層上
に第一発光層の非形成領域を確立する工程と、 前記パターニング後の前記第一発光層の表面である上面
および側面、ならびに前記非形成領域における前記第一
絶縁層の露出表面に誘電体層を形成する工程と、 前記
第一発光層の上面に形成された前記誘電体層の表面、お
よび前記非形成領域の第一絶縁層上に形成された前記誘
電体層の表面に第二発光層を形成する工程と、 水または薬液により、前記第一発光層の上面から該上面
に形成された前記誘電体層を剥離して、前記第一発光層
上の前記誘電体層および該誘電体層の表面に形成された
前記第二発光層を取り除く工程と、を含むことを特徴と
するＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項１７】前記第一発光層が硫化亜鉛を母体材料と
する発光層であって、前記誘電体層が酸素を含むガス雰
囲気で形成されることを特徴とする請求項１６に記載の
ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項１８】前記誘電体層がスパッタ法で形成される
ことを特徴とする請求項１７に記載のＥＬ素子の製造方
法。 - 【請求項１９】前記誘電体層を、水酸基を形成する、ま
たは水を包含した構造と成り得る金属酸化物を主成分と
する材料により形成することを特徴とする請求項１６乃
至１８のいずれか一つに記載のＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項２０】前記誘電体層を、Ta2O5 、Cr2O3 、IrO
、Ir2O3 、Cu2Oから選ばれた少なくとも一種の材料に
より形成することを特徴とする請求項１９に記載のＥＬ
素子の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26089495A JP3586939B2 (ja) | 1994-12-22 | 1995-09-12 | Ｅｌ素子およびその製造方法 |
| US08/941,753 US5989785A (en) | 1994-12-22 | 1997-09-30 | Process for fabricating an electroluminescent device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-336533 | 1994-12-22 | ||
| JP33653394 | 1994-12-22 | ||
| JP26089495A JP3586939B2 (ja) | 1994-12-22 | 1995-09-12 | Ｅｌ素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227793A true JPH08227793A (ja) | 1996-09-03 |
| JP3586939B2 JP3586939B2 (ja) | 2004-11-10 |
Family
ID=26544804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26089495A Expired - Lifetime JP3586939B2 (ja) | 1994-12-22 | 1995-09-12 | Ｅｌ素子およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5989785A (ja) |
| JP (1) | JP3586939B2 (ja) |
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| US6787991B2 (en) | 1996-12-04 | 2004-09-07 | Hitachi, Ltd. | Organic light emitting element and method of producing the same |
| KR20190042552A (ko) | 2016-08-31 | 2019-04-24 | 가부시키가이샤 플로스피아 | ｐ형 산화물 반도체 및 그 제조 방법 |
| WO2019098297A1 (ja) | 2017-11-15 | 2019-05-23 | 株式会社Flosfia | 半導体装置 |
| WO2019098296A1 (ja) | 2017-11-15 | 2019-05-23 | 株式会社Flosfia | 半導体装置 |
| WO2019098298A1 (ja) | 2017-11-15 | 2019-05-23 | 株式会社Flosfia | 半導体装置 |
| WO2020013260A1 (ja) | 2018-07-12 | 2020-01-16 | 株式会社Flosfia | 半導体装置および半導体装置を含む半導体システム |
| KR20220106816A (ko) | 2019-11-29 | 2022-07-29 | 가부시키가이샤 플로스피아 | 반도체 장치 및 반도체 시스템 |
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| US8653537B2 (en) | 2004-08-13 | 2014-02-18 | Novaled Ag | Layer assembly for a light-emitting component |
| DE102004041371B4 (de) * | 2004-08-25 | 2007-08-02 | Novaled Ag | Bauelement auf Basis einer organischen Leuchtdiodeneinrichtung und Verfahren zur Herstellung |
| DE502005002342D1 (de) | 2005-03-15 | 2008-02-07 | Novaled Ag | Lichtemittierendes Bauelement |
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-
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| WO2019098297A1 (ja) | 2017-11-15 | 2019-05-23 | 株式会社Flosfia | 半導体装置 |
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| US11233129B2 (en) | 2017-11-15 | 2022-01-25 | Flosfia Inc. | Semiconductor apparatus |
| US11594601B2 (en) | 2017-11-15 | 2023-02-28 | Flosfia Inc. | Semiconductor apparatus |
| US11670688B2 (en) | 2017-11-15 | 2023-06-06 | Flosfia Inc. | Semiconductor apparatus |
| WO2020013260A1 (ja) | 2018-07-12 | 2020-01-16 | 株式会社Flosfia | 半導体装置および半導体装置を含む半導体システム |
| KR20220106816A (ko) | 2019-11-29 | 2022-07-29 | 가부시키가이샤 플로스피아 | 반도체 장치 및 반도체 시스템 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5989785A (en) | 1999-11-23 |
| JP3586939B2 (ja) | 2004-11-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040707 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040720 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040802 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100820 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110820 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120820 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |