JPH08213654A - 分布ブラッグ反射ミラー多層膜を有する半導体装置 - Google Patents
分布ブラッグ反射ミラー多層膜を有する半導体装置Info
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- JPH08213654A JPH08213654A JP28196095A JP28196095A JPH08213654A JP H08213654 A JPH08213654 A JP H08213654A JP 28196095 A JP28196095 A JP 28196095A JP 28196095 A JP28196095 A JP 28196095A JP H08213654 A JPH08213654 A JP H08213654A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高輝度かつ単色性及び指向性のよい青又は緑
色の半導体発光装置を提供する。 【解決手段】 基板上に形成されたＡｌＧａＩｎＮ系か
らなる発光層の上下どちらかの少なくとも片側にＡｌx
Ｇａ1ーxＰ（０≦ｘ＜１）層とＡｌyＧａ1ーyＰ（０＜ｙ
≦１、ｘ＜ｙ）層を交互に積層した分布帰還型反射ミラ
ー多層膜を設けたことを特徴とする半導体装置。
色の半導体発光装置を提供する。 【解決手段】 基板上に形成されたＡｌＧａＩｎＮ系か
らなる発光層の上下どちらかの少なくとも片側にＡｌx
Ｇａ1ーxＰ（０≦ｘ＜１）層とＡｌyＧａ1ーyＰ（０＜ｙ
≦１、ｘ＜ｙ）層を交互に積層した分布帰還型反射ミラ
ー多層膜を設けたことを特徴とする半導体装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、より
詳しくは、窒化ガリウム系材料を使用した青色〜緑色発
光ダイオード、青色〜緑色レーザーダイオードに関す
る。
詳しくは、窒化ガリウム系材料を使用した青色〜緑色発
光ダイオード、青色〜緑色レーザーダイオードに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】最近の青色及び緑色の発光ダイオード
（ＬＥＤ）の高輝度化の進展には目ざましいものがあ
り、材料として、ＺｎＳＳｅ系やＡｌＧａＩｎＮ系が用
いられている。これらの背景には、ＺｎＳＳｅ系におけ
るラジカル窒素ドーピング、ＡｌＧａＩｎＮ系における
成長後の熱処理などのｐ型ドーピング技術の改善があ
る。特に、ＡｌＧａＩｎＮ系発光ダイオードは、青色光
源としては実用レベルのものが作製されており、図２に
示すようなダブルヘテロ構造が用いられている。
（ＬＥＤ）の高輝度化の進展には目ざましいものがあ
り、材料として、ＺｎＳＳｅ系やＡｌＧａＩｎＮ系が用
いられている。これらの背景には、ＺｎＳＳｅ系におけ
るラジカル窒素ドーピング、ＡｌＧａＩｎＮ系における
成長後の熱処理などのｐ型ドーピング技術の改善があ
る。特に、ＡｌＧａＩｎＮ系発光ダイオードは、青色光
源としては実用レベルのものが作製されており、図２に
示すようなダブルヘテロ構造が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】現在、青色用窒化ガリ
ウム系化合物半導体用基板として、サファイア、ＳｉＣ
などが用いられている。しかしながらサファイアには、
導電性基板が作製できない、劈開ができないなどの問題
点を有している。一方、ＳｉＣは導電性基板が得られる
ものの、高価であるという問題がある。また、これらの
基板は非常に固いために、チップ化等の素子分離プロセ
スに大きな困難を伴っている。
ウム系化合物半導体用基板として、サファイア、ＳｉＣ
などが用いられている。しかしながらサファイアには、
導電性基板が作製できない、劈開ができないなどの問題
点を有している。一方、ＳｉＣは導電性基板が得られる
ものの、高価であるという問題がある。また、これらの
基板は非常に固いために、チップ化等の素子分離プロセ
スに大きな困難を伴っている。
【０００４】ＡｌＧａＡｓ系やＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤ
では、光取り出し効率を向上させるために、発光波長に
対してブラックの回折条件を満たすように屈折率の異な
る層を交互に積層した分布ブラッグ反射ミラー（ＤＢ
Ｒ）が良く用いられる。このＤＢＲ膜を用いると、基板
での光の吸収を抑えて輝度を大きく向上させり、表面側
に光を反射させるために側面光が抑えられ指向性が向上
するといった利点がある。ＡｌＧａＡｓ系やＡｌＧａＩ
ｎＰ系の場合、ＡｌとＧａを混晶比を変化させても格子
定数がほとんど変わらないために、容易に屈折率の異な
る層を積層することができる。特に、有機金属気相成長
（ＭＯＣＶＤ）や分子線エピタキシー（ＭＢＥ）などの
成長法は、厚膜成長が困難であるが、精密な層厚や組成
制御に優れるためＤＢＲ膜の利用が有効である。
では、光取り出し効率を向上させるために、発光波長に
対してブラックの回折条件を満たすように屈折率の異な
る層を交互に積層した分布ブラッグ反射ミラー（ＤＢ
Ｒ）が良く用いられる。このＤＢＲ膜を用いると、基板
での光の吸収を抑えて輝度を大きく向上させり、表面側
に光を反射させるために側面光が抑えられ指向性が向上
するといった利点がある。ＡｌＧａＡｓ系やＡｌＧａＩ
ｎＰ系の場合、ＡｌとＧａを混晶比を変化させても格子
定数がほとんど変わらないために、容易に屈折率の異な
る層を積層することができる。特に、有機金属気相成長
（ＭＯＣＶＤ）や分子線エピタキシー（ＭＢＥ）などの
成長法は、厚膜成長が困難であるが、精密な層厚や組成
制御に優れるためＤＢＲ膜の利用が有効である。
【０００５】しかしながら、ＡｌＧａＩｎＮ系では、Ａ
ｌＮとＧａＮの格子定数が比較的大きく異なる（格子不
整２.２％）ために、ＡｌとＧａの混晶比を大きく変え
ると、臨界膜厚以下で作製することは事実上不可能であ
り、そこで格子整合させるためにＩｎも変化させねばな
らず、ＤＢＲを制御良く作製する上で大きな困難を伴っ
てしまうという問題が生じていた。
ｌＮとＧａＮの格子定数が比較的大きく異なる（格子不
整２.２％）ために、ＡｌとＧａの混晶比を大きく変え
ると、臨界膜厚以下で作製することは事実上不可能であ
り、そこで格子整合させるためにＩｎも変化させねばな
らず、ＤＢＲを制御良く作製する上で大きな困難を伴っ
てしまうという問題が生じていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、Ｍ
ＯＣＶＤやＭＢＥ法でＡｌＧａＩｎＮ系ＬＥＤを作製す
るにあたり、基板上に形成されたＩｎＡｌＧａＮ系から
なる発光層の上下どちらかの少なくとも片側にＡｌxＧ
ａ1ーxＰ（０≦ｘ＜１）層とＡｌyＧａ1ーyＰ（０＜ｙ≦
１、ｘ＜ｙ）層を交互に積層したＤＢＲ膜を設けること
により、上記の課題を解決するに至った。
ＯＣＶＤやＭＢＥ法でＡｌＧａＩｎＮ系ＬＥＤを作製す
るにあたり、基板上に形成されたＩｎＡｌＧａＮ系から
なる発光層の上下どちらかの少なくとも片側にＡｌxＧ
ａ1ーxＰ（０≦ｘ＜１）層とＡｌyＧａ1ーyＰ（０＜ｙ≦
１、ｘ＜ｙ）層を交互に積層したＤＢＲ膜を設けること
により、上記の課題を解決するに至った。
【０００７】ＡｌＧａＰ系は緑色波長に対応するバンド
ギャップを有しているが、間接遷移型であるために、高
輝度ＬＥＤ用材料には適さない。しかしながら、緑色に
対して透明であること、さらにＡｌＰとＧａＰの格子定
数がほとんど同じ（格子不整０.２４％）であるため
に、臨界膜厚以下で反射率の大きい緑色〜青色用のＤＢ
Ｒ膜を容易に作製することができる。また、高品質なＧ
ａＰ基板が安価で入手できることも、ＬＥＤを生産する
上でも本発明は非常に有望である。
ギャップを有しているが、間接遷移型であるために、高
輝度ＬＥＤ用材料には適さない。しかしながら、緑色に
対して透明であること、さらにＡｌＰとＧａＰの格子定
数がほとんど同じ（格子不整０.２４％）であるため
に、臨界膜厚以下で反射率の大きい緑色〜青色用のＤＢ
Ｒ膜を容易に作製することができる。また、高品質なＧ
ａＰ基板が安価で入手できることも、ＬＥＤを生産する
上でも本発明は非常に有望である。
【０００８】本発明において、ＡｌxＧａ1ーxＰ（０≦ｘ
＜１）層とＡｌyＧａ1ーyＰ（０＜ｙ≦１、ｘ＜ｙ）層を
交互に積層したＤＢＲ膜は、常法により製造することが
できる。そしてこのＤＢＲ膜は、活性層からみて光取り
出し方向側に設ける場合には、電極により吸収されてし
まう光を反射する目的で設けられ、この場合ＤＢＲ膜の
大きさは、電極と同じかやや小さくするとよい。逆に活
性層からみて光取り出し方向の反対側に設ける場合には
基板による光の吸収を抑制する目的で設けられ、特に該
発光層よりもバンドギャップの小さい基板を使用してい
る場合には、基板と発光層との間に前記ＤＢＲ膜を設け
ることが効果的である。いずれの場合も、光吸収の大き
な層がＤＢＲ膜と活性層の間に存在しない様な層構成を
とることが好ましい。
＜１）層とＡｌyＧａ1ーyＰ（０＜ｙ≦１、ｘ＜ｙ）層を
交互に積層したＤＢＲ膜は、常法により製造することが
できる。そしてこのＤＢＲ膜は、活性層からみて光取り
出し方向側に設ける場合には、電極により吸収されてし
まう光を反射する目的で設けられ、この場合ＤＢＲ膜の
大きさは、電極と同じかやや小さくするとよい。逆に活
性層からみて光取り出し方向の反対側に設ける場合には
基板による光の吸収を抑制する目的で設けられ、特に該
発光層よりもバンドギャップの小さい基板を使用してい
る場合には、基板と発光層との間に前記ＤＢＲ膜を設け
ることが効果的である。いずれの場合も、光吸収の大き
な層がＤＢＲ膜と活性層の間に存在しない様な層構成を
とることが好ましい。
【０００９】また、本発明に使用される基板としては、
ＧａＰ基板が好ましく、特に好ましくはその表面の面方
位が｛１１１｝Ｂであることである。以下、本発明を実
施例を用いてより詳細に説明するが、本発明はその要旨
を超えない限り、実施例に限定されるものではない。 （実施例）本発明の成長に使用した装置の構成は図３に
示すように中央に基板搬送室を設け、基板交換室１室と
減圧ＭＯＣＶＤ装置３台を設置してある。成長室１は通
常のＭＯＣＶＤ装置であり、ＡｌＧａＩｎＮ系化合物半
導体の成長に用いる。成長室２も通常のＭＯＣＶＤ装置
であるがＡｌＧａＩｎＮ系以外のＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体の成長に用いる。成長室３は、原料をマイクロ波励
起によりラジカル分解することができ、基板表面の窒化
及びＡｌＧａＩｎＮ系化合物の成長に用いる。図１に示
すような構造のエピタキシャルウエハを成長手順を示
す。
ＧａＰ基板が好ましく、特に好ましくはその表面の面方
位が｛１１１｝Ｂであることである。以下、本発明を実
施例を用いてより詳細に説明するが、本発明はその要旨
を超えない限り、実施例に限定されるものではない。 （実施例）本発明の成長に使用した装置の構成は図３に
示すように中央に基板搬送室を設け、基板交換室１室と
減圧ＭＯＣＶＤ装置３台を設置してある。成長室１は通
常のＭＯＣＶＤ装置であり、ＡｌＧａＩｎＮ系化合物半
導体の成長に用いる。成長室２も通常のＭＯＣＶＤ装置
であるがＡｌＧａＩｎＮ系以外のＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体の成長に用いる。成長室３は、原料をマイクロ波励
起によりラジカル分解することができ、基板表面の窒化
及びＡｌＧａＩｎＮ系化合物の成長に用いる。図１に示
すような構造のエピタキシャルウエハを成長手順を示
す。
【００１０】まずｎ型ＧａＰ（１１１）Ｂ基板を成長室
２に導入し、加熱昇温する。７５０゜Ｃにおいて、前記
ＧａＰ基板上にｎ型ＧａＰバッファ層０.５μｍ、ｎ型
Ａｌ0. 2Ｇａ0.8Ｐ３８.６ｎｍとｎ型ＡｌＰ４２.９ｎｍ
を交互に１０周期積層したＤＢＲ、ｎ型ＧａＰ保護膜５
ｎｍを順次成長させる。このとき、キャリアガスに水素
を用いて、ＩＩＩ族原料ガスに、トリメチルガリウム
（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）をＶ族
原料には、ホスフィン（ＰＨ3）を使用した。この後、
基板を冷却し、搬送室を経て成長室３へ基板を移動させ
る。基板を６００゜Ｃに加熱し、成長前に窒素ガス
（Ｎ2）を原料として、マイクロ波励起によりラジカル
窒素を基板表面に供給し、表面のＰ原子をＮ原子と置換
させる工程、すなわち窒化を行う。この表面上に、ｎ型
Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ｎバッファ層１０ｎｍを成長させる。こ
の後、基板を冷却し、搬送室を経て成長室１へ基板を移
動させる。成長温度７００゜Ｃで、前記エピタキシャル
膜成長基板上に、ｎ型Ｉｎ0.3Ｇａ0. 7Ｎバッファ層１μ
ｍ、ｎ型Ｉｎ0.3（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.7Ｎクラッド層１
μｍ、ＺｎドープＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎ活性層０.１μｍ、
ｐ型Ｉｎ0.3（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.7Ｎクラッド層１μ
ｍ、ｐ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ｎコンタクト層１μｍを順次成
長させる。このとき、キャリアガスに水素を用いて、Ｉ
ＩＩ族原料ガスに、ＴＭＧ、ＴＭＡ、トリメチルインジ
ウム（ＴＭＩ）を用いた。Ｖ族原料には、一般的にはア
ンモニア（ＮＨ3）が用いられるが、成長温度の低減の
ために、低温での分解効率のよいジメチルヒドラジンや
アジ化エチルなどの有機金属を用いてもよい。ｎ型ドー
パントには、ＳｉまたはＧｅを、ｐ型ドーパントには、
ＭｇまたはＺｎを用いた。必要に応じて、成長後に引き
続いて成長室内で熱処理を行い、キャリアを活性化させ
る。基板として｛１１１｝Ｂを採用したのは、ＧａＰ表
面の窒化を行いや易くするためである。ここで｛１１
１｝Ｂ面とは、III−Ｖ族化合物半導体であればＶ族の
みが表面にならぶ｛１１１｝面である。
２に導入し、加熱昇温する。７５０゜Ｃにおいて、前記
ＧａＰ基板上にｎ型ＧａＰバッファ層０.５μｍ、ｎ型
Ａｌ0. 2Ｇａ0.8Ｐ３８.６ｎｍとｎ型ＡｌＰ４２.９ｎｍ
を交互に１０周期積層したＤＢＲ、ｎ型ＧａＰ保護膜５
ｎｍを順次成長させる。このとき、キャリアガスに水素
を用いて、ＩＩＩ族原料ガスに、トリメチルガリウム
（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）をＶ族
原料には、ホスフィン（ＰＨ3）を使用した。この後、
基板を冷却し、搬送室を経て成長室３へ基板を移動させ
る。基板を６００゜Ｃに加熱し、成長前に窒素ガス
（Ｎ2）を原料として、マイクロ波励起によりラジカル
窒素を基板表面に供給し、表面のＰ原子をＮ原子と置換
させる工程、すなわち窒化を行う。この表面上に、ｎ型
Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ｎバッファ層１０ｎｍを成長させる。こ
の後、基板を冷却し、搬送室を経て成長室１へ基板を移
動させる。成長温度７００゜Ｃで、前記エピタキシャル
膜成長基板上に、ｎ型Ｉｎ0.3Ｇａ0. 7Ｎバッファ層１μ
ｍ、ｎ型Ｉｎ0.3（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.7Ｎクラッド層１
μｍ、ＺｎドープＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎ活性層０.１μｍ、
ｐ型Ｉｎ0.3（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.7Ｎクラッド層１μ
ｍ、ｐ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ｎコンタクト層１μｍを順次成
長させる。このとき、キャリアガスに水素を用いて、Ｉ
ＩＩ族原料ガスに、ＴＭＧ、ＴＭＡ、トリメチルインジ
ウム（ＴＭＩ）を用いた。Ｖ族原料には、一般的にはア
ンモニア（ＮＨ3）が用いられるが、成長温度の低減の
ために、低温での分解効率のよいジメチルヒドラジンや
アジ化エチルなどの有機金属を用いてもよい。ｎ型ドー
パントには、ＳｉまたはＧｅを、ｐ型ドーパントには、
ＭｇまたはＺｎを用いた。必要に応じて、成長後に引き
続いて成長室内で熱処理を行い、キャリアを活性化させ
る。基板として｛１１１｝Ｂを採用したのは、ＧａＰ表
面の窒化を行いや易くするためである。ここで｛１１
１｝Ｂ面とは、III−Ｖ族化合物半導体であればＶ族の
みが表面にならぶ｛１１１｝面である。
【００１１】このようにして成長したエピタキシャルウ
エハを基板側に全面電極、表面側に直径約１００μｍの
円形状電極を形成し、チップに加工した（図１）。この
チップを発光ダイオードとして組み立てて発光させたと
ころ、順方向電流２０ｍＡにおいて、発光波長５２０ｎ
ｍ、発光出力５００μＷと非常に良好な値が得られた。
比較のために作製したＡｌＧａＰ系ＤＢＲを使用しなか
った発光ダイオードも作製し、その輝度を比較すると
２.１倍の輝度となった。また、ＧａＮで問題となって
いる長波長側への裾引きによる単色性の劣化も低減する
ことができた。
エハを基板側に全面電極、表面側に直径約１００μｍの
円形状電極を形成し、チップに加工した（図１）。この
チップを発光ダイオードとして組み立てて発光させたと
ころ、順方向電流２０ｍＡにおいて、発光波長５２０ｎ
ｍ、発光出力５００μＷと非常に良好な値が得られた。
比較のために作製したＡｌＧａＰ系ＤＢＲを使用しなか
った発光ダイオードも作製し、その輝度を比較すると
２.１倍の輝度となった。また、ＧａＮで問題となって
いる長波長側への裾引きによる単色性の劣化も低減する
ことができた。
【００１２】さらに、表面側の円形電極直下にも、ＤＢ
Ｒ膜を形成したところ、電極での吸収が減少し、輝度を
さらに約５０％向上させることができ、上述の比較のた
めの発光ダイオードに比べ、約３倍の輝度となった。ま
た、ＡｌＧａＩｎＮ系からなる発光層とＡｌxＧａ1ーxＰ
（０≦ｘ＜１）層とＡｌyＧａ1ーyＰ（０＜ｙ≦１、ｘ＜
ｙ）層を交互に積層した分布ブラッグ反射ミラー多層膜
とを異なる基板上に成長し、前記基板の表面又は裏面を
張り合わせることによっても同様な効果が得られること
は言うまでもない。
Ｒ膜を形成したところ、電極での吸収が減少し、輝度を
さらに約５０％向上させることができ、上述の比較のた
めの発光ダイオードに比べ、約３倍の輝度となった。ま
た、ＡｌＧａＩｎＮ系からなる発光層とＡｌxＧａ1ーxＰ
（０≦ｘ＜１）層とＡｌyＧａ1ーyＰ（０＜ｙ≦１、ｘ＜
ｙ）層を交互に積層した分布ブラッグ反射ミラー多層膜
とを異なる基板上に成長し、前記基板の表面又は裏面を
張り合わせることによっても同様な効果が得られること
は言うまでもない。
【００１３】
【発明の効果】基板上に形成されたＡｌＧａＩｎＮ系か
らなる発光層の上下どちらかの少なくとも片側にＡｌx
Ｇａ1ーxＰ（０≦ｘ＜１）層とＡｌyＧａ1ーyＰ（０＜ｙ
≦１、ｘ＜ｙ）層を交互に積層した分布ブラッグ反射ミ
ラー多層膜を挿入したことにより、高輝度かつ単色性及
び指向性のよい青色〜緑色発光ダイオードを容易に作製
することができる。
らなる発光層の上下どちらかの少なくとも片側にＡｌx
Ｇａ1ーxＰ（０≦ｘ＜１）層とＡｌyＧａ1ーyＰ（０＜ｙ
≦１、ｘ＜ｙ）層を交互に積層した分布ブラッグ反射ミ
ラー多層膜を挿入したことにより、高輝度かつ単色性及
び指向性のよい青色〜緑色発光ダイオードを容易に作製
することができる。
【００１４】また、本発明により発光層の上下に制御性
良く高反射率のＤＢＲ膜を容易に作製できるために、青
色〜緑色面発光レーザの作製も可能となり、その産業上
の利用価値は大きい。
良く高反射率のＤＢＲ膜を容易に作製できるために、青
色〜緑色面発光レーザの作製も可能となり、その産業上
の利用価値は大きい。
【図１】図１は、本発明の実施例にて製造した素子の説
明図である。
明図である。
【図２】図２は、従来の素子の一例を示す説明図であ
る。
る。
【図３】図３は、実施例の素子を製造するために使用し
た装置の説明図である。
た装置の説明図である。
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に形成されたＡｌＧａＩｎＮ系から
なる発光層の上下どちらかの少なくとも片側にＡｌxＧ
ａ1ーxＰ（０≦ｘ＜１）層とＡｌyＧａ1ーyＰ（０＜ｙ≦
１、ｘ＜ｙ）層を交互に積層した分布ブラッグ反射ミラ
ー多層膜を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】該発光層よりもバンドギャップの小さい基
板との間に前記分布ブラッグ反射ミラー多層膜を設けた
請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】該発光層に対し基板と反対側であって、発
光層と電極との間に前記分布ブラッグ反射ミラー多層膜
を設けた請求項１又至２記載の半導体装置。 - 【請求項４】該基板がＧａＰである請求項１又至３のい
ずれか記載の半導体装置。 - 【請求項５】該ＧａＰ基板の面方位が｛１１１｝Ｂであ
る請求項１又至４のいずれか記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28196095A JP3344189B2 (ja) | 1994-10-28 | 1995-10-30 | 分布ブラッグ反射ミラー多層膜を有する半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26550394 | 1994-10-28 | ||
| JP6-265503 | 1994-10-28 | ||
| JP28196095A JP3344189B2 (ja) | 1994-10-28 | 1995-10-30 | 分布ブラッグ反射ミラー多層膜を有する半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213654A true JPH08213654A (ja) | 1996-08-20 |
| JP3344189B2 JP3344189B2 (ja) | 2002-11-11 |
Family
ID=26547005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28196095A Expired - Fee Related JP3344189B2 (ja) | 1994-10-28 | 1995-10-30 | 分布ブラッグ反射ミラー多層膜を有する半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3344189B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001024282A1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-04-05 | Aixtron Ag | Method for forming p-type semiconductor crystalline layer of iii-group element nitride |
| JP2004039717A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Ricoh Co Ltd | 半導体分布ブラッグ反射鏡および面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイおよび光通信システムおよび光書き込みシステムおよび光ピックアップシステム |
| US7084432B2 (en) | 2002-07-23 | 2006-08-01 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Nitride semiconductor light emitting diode |
| US8115213B2 (en) * | 2007-02-08 | 2012-02-14 | Phoseon Technology, Inc. | Semiconductor light sources, systems, and methods |
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| JPH02275682A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-11-09 | Toshiba Corp | 化合物半導体材料とこれを用いた半導体素子およびその製造方法 |
| JPH02288371A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-28 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
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| JPH0794822A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Hitachi Ltd | 半導体発光素子 |
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| JPH0856054A (ja) * | 1994-08-11 | 1996-02-27 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
-
1995
- 1995-10-30 JP JP28196095A patent/JP3344189B2/ja not_active Expired - Fee Related
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