JPH0819090B2 - ３，４―トランス―β―ラクタム誘導体 - Google Patents
３，４―トランス―β―ラクタム誘導体Info
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- JPH0819090B2 JPH0819090B2 JP1008558A JP855889A JPH0819090B2 JP H0819090 B2 JPH0819090 B2 JP H0819090B2 JP 1008558 A JP1008558 A JP 1008558A JP 855889 A JP855889 A JP 855889A JP H0819090 B2 JPH0819090 B2 JP H0819090B2
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- group
- mmol
- dibenzylamino
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- butyloxycarbonylamino
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は下記一般式（Ｉ） 〔式中、R1はアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジメチル
アミノ基、アセトアミド基、トリフルオロアセトアミド
基、1,2−ベンゼンジカルボキシイミド基、ベンジルオ
キシカルボニルアミノ基、ｔ−ブチルオキシカルボニル
アミノ基を表し、R2は水素原子、水酸基、メトキシ基、
ベンジルオキシ基、ｔ−ブトキシ基、アセトキシ基、ベ
ンゾイルオキシ基、トリメチルシリルオキシ基、ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジフェニルシ
リルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基、４−トル
エンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基、
トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、アミノ基、ジ
ベンジルアミノ基、ジメチルアミノ基、アセトアミド
基、トリフルオロアセトアミド基、1,2−ベンゼンジカ
ルボキシイミド基、ベンジルオキシカルボニルアミノ
基、ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ基、メチルチオ
基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、ｔ−ブチルチ
オ基、ベンゼンチオ基、４−トルエンチオ基、２−ピリ
ジルチオ基、ヨウ素原子、臭素原子又は塩素原子を表
す。R3はCHR4Arを表す（R4は低級アルキル基を示し、Ar
はアリール基を表す）。但し、３位のR1基と４位のCH2R
2基とはトランス配置である。〕で表されるβ−ラクタ
ム誘導体に関する。
アミノ基、アセトアミド基、トリフルオロアセトアミド
基、1,2−ベンゼンジカルボキシイミド基、ベンジルオ
キシカルボニルアミノ基、ｔ−ブチルオキシカルボニル
アミノ基を表し、R2は水素原子、水酸基、メトキシ基、
ベンジルオキシ基、ｔ−ブトキシ基、アセトキシ基、ベ
ンゾイルオキシ基、トリメチルシリルオキシ基、ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジフェニルシ
リルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基、４−トル
エンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基、
トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、アミノ基、ジ
ベンジルアミノ基、ジメチルアミノ基、アセトアミド
基、トリフルオロアセトアミド基、1,2−ベンゼンジカ
ルボキシイミド基、ベンジルオキシカルボニルアミノ
基、ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ基、メチルチオ
基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、ｔ−ブチルチ
オ基、ベンゼンチオ基、４−トルエンチオ基、２−ピリ
ジルチオ基、ヨウ素原子、臭素原子又は塩素原子を表
す。R3はCHR4Arを表す（R4は低級アルキル基を示し、Ar
はアリール基を表す）。但し、３位のR1基と４位のCH2R
2基とはトランス配置である。〕で表されるβ−ラクタ
ム誘導体に関する。
前記一般式（Ｉ）で表される3,4−トランス−β−ラ
クタム誘導体は、モノバクタム類など各種のβ−ラクタ
ム系抗菌剤を製造するうえで有用な中間体となり得るも
のである。
クタム誘導体は、モノバクタム類など各種のβ−ラクタ
ム系抗菌剤を製造するうえで有用な中間体となり得るも
のである。
例えば、一般式（Ｉ）においてR1がｔ−ブチルオキシ
カルボニルアミノ基、R2が水酸基、R3が（Ｓ）−１−フ
ェニルエチル基であるβ−ラクタム誘導体は、抗菌剤ア
ズトレオナム（D.M.Floydら、J.Org.Chem.,47,5160（19
82））の合成中間体として（後記参考例参照）使用でき
る。
カルボニルアミノ基、R2が水酸基、R3が（Ｓ）−１−フ
ェニルエチル基であるβ−ラクタム誘導体は、抗菌剤ア
ズトレオナム（D.M.Floydら、J.Org.Chem.,47,5160（19
82））の合成中間体として（後記参考例参照）使用でき
る。
従来、３位に保護されていてもよいアミノ基を持つ3,
4−トランス−β−ラクタム誘導体としては、 ｉ）Ｌ−トリオニンを出発物質として得られるβ−フク
タム誘導体（D.M.Floydら、J.Org.Chem.,47,176（198
2））、 ii）対応する3,4−シス体を塩基により異性化して得ら
れるβ−ラクタム誘導体（S.Kishimotoら、Chem.Pharm.
Bull.,32,2646（1984））、 iii）Ｄ−グリセルアルデヒドを出発物質として得られ
るβ−ラクタム誘導体（R.Herrantら、J.C.S.,Perkin
I,649（1988））、等が知られているが、ｉ）について
は４位置換基がメチル基に限定されるため他の誘導体合
成に使用できない、ii）については光学活性体として得
ることが困難である、iii）については合成の工程数が
長い、等の欠点を有している。従ってこれらの誘導体を
用いて光学活性な３位アミノ置換3,4−トランス−β−
ラクタム誘導体を合成するには種々の難点がある。
4−トランス−β−ラクタム誘導体としては、 ｉ）Ｌ−トリオニンを出発物質として得られるβ−フク
タム誘導体（D.M.Floydら、J.Org.Chem.,47,176（198
2））、 ii）対応する3,4−シス体を塩基により異性化して得ら
れるβ−ラクタム誘導体（S.Kishimotoら、Chem.Pharm.
Bull.,32,2646（1984））、 iii）Ｄ−グリセルアルデヒドを出発物質として得られ
るβ−ラクタム誘導体（R.Herrantら、J.C.S.,Perkin
I,649（1988））、等が知られているが、ｉ）について
は４位置換基がメチル基に限定されるため他の誘導体合
成に使用できない、ii）については光学活性体として得
ることが困難である、iii）については合成の工程数が
長い、等の欠点を有している。従ってこれらの誘導体を
用いて光学活性な３位アミノ置換3,4−トランス−β−
ラクタム誘導体を合成するには種々の難点がある。
本発明者らは、前記の問題点を解決すべく鋭意検討し
た結果、３位にアミノ置換基、４位に種々の誘導体に変
換可能な官能基を持つ新規な3,4−トランス−β−ラク
タム誘導体を見出した。
た結果、３位にアミノ置換基、４位に種々の誘導体に変
換可能な官能基を持つ新規な3,4−トランス−β−ラク
タム誘導体を見出した。
即ち、第一級アミンから容易に製造することができる
前記一般式（Ｉ）で表される本発明の3,4−トランス−
β−ラクタム誘導体がアズトレオナム等の抗菌剤合成に
有用な中間体となることを見出し本発明を完成した。
前記一般式（Ｉ）で表される本発明の3,4−トランス−
β−ラクタム誘導体がアズトレオナム等の抗菌剤合成に
有用な中間体となることを見出し本発明を完成した。
本発明において前記一般式（Ｉ）中のR1はアミノ基、
ジベンジルアミノ基、ジメチルアミノ基、アセトアミド
基、トリフルオロアセトアミド基、1,2−ベンゼンジカ
ルボキシイミド基、ベンジルオキシカルボニルアミノ
基、ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ基等を例示でき
る。
ジベンジルアミノ基、ジメチルアミノ基、アセトアミド
基、トリフルオロアセトアミド基、1,2−ベンゼンジカ
ルボキシイミド基、ベンジルオキシカルボニルアミノ
基、ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ基等を例示でき
る。
R2は水素原子、水酸基、メトキシ基、ベンジルオキシ
基、ｔ−ブトキシ基、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ
基、トリメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基、
ベンゼンスルホニルオキシ基、４−トルエンスルホニル
オキシ基、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメ
タンスルホニルオキシ基、アミノ基、ジベンジルアミノ
基、ジメチルアミノ基、アセトアミド基、トリフルオロ
アセトアミド基、1,2−ベンゼンジカルボキシイミド
基、ベンジルオキシカルボニルアミノ基、ｔ−ブチルオ
キシカルボニルアミノ基、メチルチオ基、エチルチオ
基、イソプロピルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ベンゼン
チオ基、４−トルエンチオ基、２−ピリジルチオ基、ヨ
ウ素原子、臭素原子又は塩素原子等を例示できる。
基、ｔ−ブトキシ基、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ
基、トリメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基、
ベンゼンスルホニルオキシ基、４−トルエンスルホニル
オキシ基、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメ
タンスルホニルオキシ基、アミノ基、ジベンジルアミノ
基、ジメチルアミノ基、アセトアミド基、トリフルオロ
アセトアミド基、1,2−ベンゼンジカルボキシイミド
基、ベンジルオキシカルボニルアミノ基、ｔ−ブチルオ
キシカルボニルアミノ基、メチルチオ基、エチルチオ
基、イソプロピルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ベンゼン
チオ基、４−トルエンチオ基、２−ピリジルチオ基、ヨ
ウ素原子、臭素原子又は塩素原子等を例示できる。
R3はCHR4Arを表す。R4は低級アルキル基である。低級
アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソ
プロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル等が例示で
きる。Arはアリール基である。アリール基としては、フ
ェニル、２−メトキシフェニル、４−メトキシフェニ
ル、2,4−ジメトキシフェニル、２−トリル、４−トリ
ル、2,4,6−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−
ナフチル等を例示できる。
アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソ
プロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル等が例示で
きる。Arはアリール基である。アリール基としては、フ
ェニル、２−メトキシフェニル、４−メトキシフェニ
ル、2,4−ジメトキシフェニル、２−トリル、４−トリ
ル、2,4,6−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−
ナフチル等を例示できる。
本発明の前記一般式（Ｉ）で表される3,4−トランス
−β−ラクタム誘導体は下記式（II）で表されるβ−ラ
クタム誘導体より以下の工程により容易に製造できる。
−β−ラクタム誘導体は下記式（II）で表されるβ−ラ
クタム誘導体より以下の工程により容易に製造できる。
〔式中、R1，R2及びR3は前記と同様の意味を表す。R5は
アミノ基又は保護されたアミノ基を表す。R6は水素原子
又はカルボキシル基の保護基を表す。〕保護されたアミ
ノ基としてはジベンジルアミノ、ベンジルアミノ、3,4
−ジメトキシベンジルアミノ、ジ−（４−メトキシフェ
ニル）メチルアミノ、２−ニトロベンジルアミノ、トリ
フェニルメチルアミノ、４−メトキシフェニルアミノ、
ジメチルアミノ、フェナシルアミノ、アセトアミド、ト
リフルオロアセトアミド、1,2−ベンゼンカルボキシイ
ミド、ベンジルオキシカルボニルアミノ、ｔ−ブチルオ
キシカルボニルアミノ等を例示できる。
アミノ基又は保護されたアミノ基を表す。R6は水素原子
又はカルボキシル基の保護基を表す。〕保護されたアミ
ノ基としてはジベンジルアミノ、ベンジルアミノ、3,4
−ジメトキシベンジルアミノ、ジ−（４−メトキシフェ
ニル）メチルアミノ、２−ニトロベンジルアミノ、トリ
フェニルメチルアミノ、４−メトキシフェニルアミノ、
ジメチルアミノ、フェナシルアミノ、アセトアミド、ト
リフルオロアセトアミド、1,2−ベンゼンカルボキシイ
ミド、ベンジルオキシカルボニルアミノ、ｔ−ブチルオ
キシカルボニルアミノ等を例示できる。
カルボキシル基の保護基としては、メチル、エチル、
イソプロピル、ｔ−ブチル、ベンジル、４−ニトロベン
ジル、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、
ｔ−ブチルジフェニルシリル等を例示できる。
イソプロピル、ｔ−ブチル、ベンジル、４−ニトロベン
ジル、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、
ｔ−ブチルジフェニルシリル等を例示できる。
第１工程の原料となるβ−ラクタム誘導体（II）は、
例えば入手容易な第一級アミン、R3−NH2（式中、R3は
前記と同様の意味を表す）、をアルキル化した後、アシ
ル化することにより得られる第三アミドを塩基の存在下
酸化剤と処理することにより容易に製造することができ
る（後記参考例参照）。
例えば入手容易な第一級アミン、R3−NH2（式中、R3は
前記と同様の意味を表す）、をアルキル化した後、アシ
ル化することにより得られる第三アミドを塩基の存在下
酸化剤と処理することにより容易に製造することができ
る（後記参考例参照）。
〔第１工程〕 本工程は、β−ラクタム誘導体（II）の４位カルボキ
シル基又はエステル基を対応するヒドロキシメチル基に
還元するものである。還元剤としては、カルボン酸又は
エステルを対応するアルコールに還元するのに使用され
るいかなる還元剤も使用することができるが、好適には
水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素
化ホウ素カルシウム、水素化リチウムアルミニウム、ジ
ボラン、水素化ビス（メトキシエトキシ）アルミニウム
ナトリウム、及び水素化トリエチルホウ素リチウム等の
還元剤を単独で又は公知の還元触媒（H.C.Brownら、J.O
rg.Chem.,47,1604（1982））等と共に用いることができ
る。本反応は溶媒中で行なわれ、溶媒としては還元反応
に関与しないものであればいかなるものも使用できる
が、好適にはジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、
トルエン、メタノール、エタノール、２−プロパノー
ル、２−メチル−２−プロパノール、水、ジクロロメタ
ン、1,2−ジクロロエタン等が用いられる。反応は−100
℃から＋150℃の間で円滑に進行するが、好適には０℃
から80℃の範囲である。
シル基又はエステル基を対応するヒドロキシメチル基に
還元するものである。還元剤としては、カルボン酸又は
エステルを対応するアルコールに還元するのに使用され
るいかなる還元剤も使用することができるが、好適には
水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素
化ホウ素カルシウム、水素化リチウムアルミニウム、ジ
ボラン、水素化ビス（メトキシエトキシ）アルミニウム
ナトリウム、及び水素化トリエチルホウ素リチウム等の
還元剤を単独で又は公知の還元触媒（H.C.Brownら、J.O
rg.Chem.,47,1604（1982））等と共に用いることができ
る。本反応は溶媒中で行なわれ、溶媒としては還元反応
に関与しないものであればいかなるものも使用できる
が、好適にはジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、
トルエン、メタノール、エタノール、２−プロパノー
ル、２−メチル−２−プロパノール、水、ジクロロメタ
ン、1,2−ジクロロエタン等が用いられる。反応は−100
℃から＋150℃の間で円滑に進行するが、好適には０℃
から80℃の範囲である。
〔第２工程〕 本工程は第１工程で得られた一般式（Ｉ）−ａ（但
し、R2＝OH）で表されるβ−ラクタム誘導体の水酸基へ
の保護基の導入又は水酸基の官能基変換を行うことによ
り目的とする（Ｉ）−ｂを得るものである。水酸基の保
護基の導入は、例えば“プロテクティブグループスイン
オーガニックシンセシス（Protective Groups in Organ
ic Synthesis）”〔1981年ジョン・ウィリー アンド
サンズ（John Wiley ＆ Sons）発行ニューヨーク〕に記
載されている公知の方法等により行うことができる。水
酸基の官能基変換は、例えば“オーガニックファンクシ
ョナルグループプリパレーションズ（Organic Function
al Groups Preparations）”〔1971年アカデミックプレ
ス（Academic Press）発行ニューヨーク〕に記載されて
いる公知の方法等により行うことができる。
し、R2＝OH）で表されるβ−ラクタム誘導体の水酸基へ
の保護基の導入又は水酸基の官能基変換を行うことによ
り目的とする（Ｉ）−ｂを得るものである。水酸基の保
護基の導入は、例えば“プロテクティブグループスイン
オーガニックシンセシス（Protective Groups in Organ
ic Synthesis）”〔1981年ジョン・ウィリー アンド
サンズ（John Wiley ＆ Sons）発行ニューヨーク〕に記
載されている公知の方法等により行うことができる。水
酸基の官能基変換は、例えば“オーガニックファンクシ
ョナルグループプリパレーションズ（Organic Function
al Groups Preparations）”〔1971年アカデミックプレ
ス（Academic Press）発行ニューヨーク〕に記載されて
いる公知の方法等により行うことができる。
以下の参考例、実施例をあげて本発明を詳細に説明す
るが、本発明はこれによってなんら限定されるものでは
ない。なお、参考例、実施例中の略号の意味は次のとお
りである。
るが、本発明はこれによってなんら限定されるものでは
ない。なお、参考例、実施例中の略号の意味は次のとお
りである。
ｔ−Bu:t−ブチル基 THF:テトラヒドロフラン ｎ−BuLi:ブチルリチウム ｔ−BuLi:t−ブチルリチウム NIS:N−ヨードこはく酸イミド Anis:p−メトキシフェニル基 TMEDA:N,N,N′,N′−テトラメチルエチレンジアミン 参考例１ （Ｓ）−１−フェニルエチルアミン（1.66,14mmol）
のTHF（40ml）溶液に氷冷下トリエチルアミン（3.82ml,
27mmol）及びブロモ酢酸ｔ−ブチル（3.32ml,20mmol）
を加え室温にて16時間攪拌した。反応液を酢酸エチルに
あけ、水、飽和炭素水素ナトリウム水溶液、及び飽和食
塩水で順次洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、溶媒を減圧留去し淡黄色油状物を得た。このも
のをジクロロメタン（30ml）に溶解し、−20℃に冷却し
た。トリエチルアミン（2.70ml,19mmol）及びブロモア
セチルブロミド（1.35ml,15mmol）に加え、同温度にて
２時間攪拌した。
のTHF（40ml）溶液に氷冷下トリエチルアミン（3.82ml,
27mmol）及びブロモ酢酸ｔ−ブチル（3.32ml,20mmol）
を加え室温にて16時間攪拌した。反応液を酢酸エチルに
あけ、水、飽和炭素水素ナトリウム水溶液、及び飽和食
塩水で順次洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、溶媒を減圧留去し淡黄色油状物を得た。このも
のをジクロロメタン（30ml）に溶解し、−20℃に冷却し
た。トリエチルアミン（2.70ml,19mmol）及びブロモア
セチルブロミド（1.35ml,15mmol）に加え、同温度にて
２時間攪拌した。
反応液は飽和塩化アンモニウム水溶液にあけ、酢酸エ
チルで抽出した。有機層は1M−塩酸、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液、及び飽和食塩水で順次洗浄した。無水硫
酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し褐色油状物
を得た。このものをTHF（30ml）溶解し、氷冷下にトリ
エチルアミン（3.59ml,26mmol）及びジベンジルアミン
（3.71ml,19mmol）を加え、室温にて15時間攪拌した。
反応液は酢酸エチルで希釈し、水、1M−塩酸、飽和炭素
水素ナトリウム水溶液、及び飽和食塩水で順次洗浄し
た。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減
圧留去して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（アセトン：ジクロロメタン＝0.5〜1:99.5〜9
9）にて精製し、Ｎ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチ
ル）−Ｎ−〔（Ｓ）−１−フェニルエチル〕−（Ｎ′,
N′−ジベンジルアミノ）アセトアミド（4.68g,3段階収
率72％）を無色結晶として得た。
チルで抽出した。有機層は1M−塩酸、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液、及び飽和食塩水で順次洗浄した。無水硫
酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し褐色油状物
を得た。このものをTHF（30ml）溶解し、氷冷下にトリ
エチルアミン（3.59ml,26mmol）及びジベンジルアミン
（3.71ml,19mmol）を加え、室温にて15時間攪拌した。
反応液は酢酸エチルで希釈し、水、1M−塩酸、飽和炭素
水素ナトリウム水溶液、及び飽和食塩水で順次洗浄し
た。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減
圧留去して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（アセトン：ジクロロメタン＝0.5〜1:99.5〜9
9）にて精製し、Ｎ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチ
ル）−Ｎ−〔（Ｓ）−１−フェニルエチル〕−（Ｎ′,
N′−ジベンジルアミノ）アセトアミド（4.68g,3段階収
率72％）を無色結晶として得た。
融点67−67.5℃（イソプロピルエーテル−ヘキサ
ン）． Rf0.49（アセトン：ジクロロメタン＝3:97）． ▲〔α〕20 D▼−47.9°（c1.40,CHCl3）． 1H−NMR（CDCl3） δ1.18,1.37（2S,強度比＝3:2,9
H）,1.40（d,J＝7.0Hz,3H）,3.25,3.37（2ABq,JAB＝13.
4,13.5Hz,ΔνAB＝91.0,10.8Hz,強度比＝3:2,2H）,3.3
3,3.35（2d,J＝16.7,18.4Hz,強度比＝2:3,1H）,3.93,4.
17（2d,J＝16.7,18.4Hz,強度比＝2:3,1H）,3.93,4.17
（2d,J＝16.7,18.4Hz,強度比＝2:3,1H）,3.45（d,J＝1
3.3Hz,1.2H）,3.74（s,1.6H）,3.80（d,J＝13.3Hz,1.2
H）,5.29,6.03（2q,J＝7.0,7.0Hz,強度比＝2:3,1H）,7.
0−7.4（m,5H）． IR（KBr）2980,2805,1735,1650,1445,1150cm-1． Mass m/z（相対強度）:472（M+,0.2）,399（1.5）,38
1（25.5）,210（93.5）,91（100）． 元素分析値：C30H36N2O3としての 計算値:C,76.24;H,7.68;N,5.93％． 実測値:C,76.08;H,7.80;N,5.97％． 参考例２ Ｎ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチル）−Ｎ−
〔（Ｓ）−１−フェニルエチル〕−（Ｎ′,N′−ジベン
ジルアミノ）アセトアミド（1.06g,2.2mmol）のTHF（50
ml）溶液を−78℃に冷却し、TMEDA（0.75ml,5.0mmol）
を加え、次いでｎ−BuLiのヘキサン溶液（1.60M,5.63m
l,9.0mmol）を加え、同温度にて１時間攪拌した。反応
液を−95℃に冷却後、NIS（1.67g,7.4mmol）のTHF（25m
l）溶液を加えた。反応液を攪拌しながら、１時間以上
かけて徐々に−70℃まで昇温した。同温度にてメタノー
ル（約5ml）を加え、混合物を飽和塩化アンモニウム水
溶液にあけ、酢酸エチルで抽出した。有機層は飽和チオ
硫酸ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
及び飽和食塩水で順次洗浄した。無水硫酸マグネシウム
で乾燥後、溶媒を減圧下留去して得られた残渣をシリカ
ゲルカラムクロマト（エーテル：ヘキサン＝1:3）にて
精製し、（3R,4R）−４−（ｔ−ブトキシカルボニル）
−３−N,N−ジベンジルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フ
ェニルエチル〕−２−アゼチジノン（452mg,収率43％）
を得た。
ン）． Rf0.49（アセトン：ジクロロメタン＝3:97）． ▲〔α〕20 D▼−47.9°（c1.40,CHCl3）． 1H−NMR（CDCl3） δ1.18,1.37（2S,強度比＝3:2,9
H）,1.40（d,J＝7.0Hz,3H）,3.25,3.37（2ABq,JAB＝13.
4,13.5Hz,ΔνAB＝91.0,10.8Hz,強度比＝3:2,2H）,3.3
3,3.35（2d,J＝16.7,18.4Hz,強度比＝2:3,1H）,3.93,4.
17（2d,J＝16.7,18.4Hz,強度比＝2:3,1H）,3.93,4.17
（2d,J＝16.7,18.4Hz,強度比＝2:3,1H）,3.45（d,J＝1
3.3Hz,1.2H）,3.74（s,1.6H）,3.80（d,J＝13.3Hz,1.2
H）,5.29,6.03（2q,J＝7.0,7.0Hz,強度比＝2:3,1H）,7.
0−7.4（m,5H）． IR（KBr）2980,2805,1735,1650,1445,1150cm-1． Mass m/z（相対強度）:472（M+,0.2）,399（1.5）,38
1（25.5）,210（93.5）,91（100）． 元素分析値：C30H36N2O3としての 計算値:C,76.24;H,7.68;N,5.93％． 実測値:C,76.08;H,7.80;N,5.97％． 参考例２ Ｎ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチル）−Ｎ−
〔（Ｓ）−１−フェニルエチル〕−（Ｎ′,N′−ジベン
ジルアミノ）アセトアミド（1.06g,2.2mmol）のTHF（50
ml）溶液を−78℃に冷却し、TMEDA（0.75ml,5.0mmol）
を加え、次いでｎ−BuLiのヘキサン溶液（1.60M,5.63m
l,9.0mmol）を加え、同温度にて１時間攪拌した。反応
液を−95℃に冷却後、NIS（1.67g,7.4mmol）のTHF（25m
l）溶液を加えた。反応液を攪拌しながら、１時間以上
かけて徐々に−70℃まで昇温した。同温度にてメタノー
ル（約5ml）を加え、混合物を飽和塩化アンモニウム水
溶液にあけ、酢酸エチルで抽出した。有機層は飽和チオ
硫酸ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
及び飽和食塩水で順次洗浄した。無水硫酸マグネシウム
で乾燥後、溶媒を減圧下留去して得られた残渣をシリカ
ゲルカラムクロマト（エーテル：ヘキサン＝1:3）にて
精製し、（3R,4R）−４−（ｔ−ブトキシカルボニル）
−３−N,N−ジベンジルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フ
ェニルエチル〕−２−アゼチジノン（452mg,収率43％）
を得た。
Rf0.52（エーテル：ヘキサン＝1:1）． ▲〔α〕20 D▼−36.8°（c1.32,CHCl3）． 1H−NMR（CDCl3） δ1.54,（s,9H）,1.65（d,J＝7.0
Hz,3H）,3.72（d,J＝5.3Hz,1H）,3.91（ABq,JAB＝13.9H
z,ΔνAB＝29.7Hz,4H）,4.34,（d,J＝5.3Hz,1H）,5.03
（q,J＝7.0Hz,1H）,7.1−7.5（m,15H）． IR（neat）2980,1750,1370,1150cm-1． Mass m/z（相対強度）:470（M+,0.4）,237（14.1）,1
05（30.9）,91（100）． 参考例３ （3R,4R）−４−（ｔ−ブトキシカルボニル）−３−
N,N−ジベンジルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニル
エチル〕−２−アゼチジノン（36mg,0.077mmol）のジク
ロロメタン（1ml）溶液に氷冷下トリフルオロ酢酸（1m
l）を加え、同温度にて30分間攪拌後、室温で10時間攪
拌した。反応液にトルエン（5ml）を加え、35℃以下で
減圧下に溶媒を留去した。トルエン（5ml）を加え同様
に溶媒を留去し、得られた残渣にエーテル（1ml）を加
え、氷冷下にジアゾメタンのエーテル溶液を加えた。室
温に昇温後２時間攪拌した。エーテルを留去して得られ
た残渣を分取用TLC（酢酸エチル：ヘキサン＝1:3）にて
精製し、（3S,4R）−４−メトキシカルボニル−３−N,N
−ジベンジルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニルエチ
ル〕−２−アゼチジノン（27mg,収率82％）を単一の立
体異性体として得た。
Hz,3H）,3.72（d,J＝5.3Hz,1H）,3.91（ABq,JAB＝13.9H
z,ΔνAB＝29.7Hz,4H）,4.34,（d,J＝5.3Hz,1H）,5.03
（q,J＝7.0Hz,1H）,7.1−7.5（m,15H）． IR（neat）2980,1750,1370,1150cm-1． Mass m/z（相対強度）:470（M+,0.4）,237（14.1）,1
05（30.9）,91（100）． 参考例３ （3R,4R）−４−（ｔ−ブトキシカルボニル）−３−
N,N−ジベンジルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニル
エチル〕−２−アゼチジノン（36mg,0.077mmol）のジク
ロロメタン（1ml）溶液に氷冷下トリフルオロ酢酸（1m
l）を加え、同温度にて30分間攪拌後、室温で10時間攪
拌した。反応液にトルエン（5ml）を加え、35℃以下で
減圧下に溶媒を留去した。トルエン（5ml）を加え同様
に溶媒を留去し、得られた残渣にエーテル（1ml）を加
え、氷冷下にジアゾメタンのエーテル溶液を加えた。室
温に昇温後２時間攪拌した。エーテルを留去して得られ
た残渣を分取用TLC（酢酸エチル：ヘキサン＝1:3）にて
精製し、（3S,4R）−４−メトキシカルボニル−３−N,N
−ジベンジルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニルエチ
ル〕−２−アゼチジノン（27mg,収率82％）を単一の立
体異性体として得た。
無色結晶（イソプロピルエーテル）． 融点121−122℃ Rf0.37（酢酸エチル：ヘキサン＝1:3）． ▲〔α〕20 D▼＋4.9°（c1.00,CHCl3）． 1H−NMR（CDCl3） δ1.55,（d,J＝7.3Hz,3H）,3.57
（ABq,JAB＝13.4Hz,ΔνAB＝29.1Hz,4H）,3.64（s,3
H）,3.91（d,J＝2.0Hz,1H）,4.23,（d,J＝2.0Hz,1H）,
5.04（q,J＝7.3Hz,1H）,7.23（brs,10H）,7.31（brs,5
H）． IR（neat）3040,1750,1735,1380,1205,1145cm-1． Mass m/z（相対強度）:428（M+,0.2）,323（0.5）,23
7（8.4）,190（9.3）,105（19.0）,91（100）． 元素分析値：C27H28N3O2としての 計算値:C,75.67;H,6.59;N,6.54％． 実測値:C,75.65;H,6.62;N.6.54％． 実施例１ （3S,4R）−４−メトキシカルボニル−３−N,N−ジベ
ンジルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニルエチル〕−
２−アゼチジノン（376mg,0.88mmol）のエタノール（16
ml）溶液に20％水酸化パラジウム／カーボン（70mg）を
加え水素雰囲気下に１時間加熱還流した。不溶物を濾取
し、加温したエタノールで洗浄した。濾液をあわせ溶媒
を減圧留去した。このものをジクロロメタン（3.0ml）
に溶解し、氷冷下にトリエチルアミン（0.20ml,1.4mmo
l）及び２−（ｔ−ブトキシカルボニルオキシイミノ）
−２−フェニルアセトニトリル（Boc−ON）（264mg,1.1
mmol）を加え室温で24時間攪拌後、トリエチルアミン
（0.20ml,1.4mmol）及びBoc−ON（264mg,1.1mmol）を追
加し、さらに18時間攪拌した。反応液を酢酸エチルで希
釈し、飽和炭素水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で
順次洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後
溶媒を減圧留去して得られる残渣を分取用TLC（アセト
ン：ジクロロメタン＝5:95）にて精製し、（3S,4R）−
４−メトキシカルボニル−３−ｔ−ブトキシカルボニル
アミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニルエチル〕−２−ア
ゼチジノン（196mg,2段階収率64％）を得た。1 H−NMR（CDCl3） δ1.36（s,9H）,1.57（d,J＝7.0Hz,
3H）,3.58（s,3H）,3.79（d,J＝2.0Hz,1H）,4.57（dd,J
＝7.7,2.0Hz,1H）,4.87（q,J＝7.0Hz,1H）,5.54（d,J＝
7.7Hz,1H）,7.27（s,5H）． （3S,4R）−４−メトキシカルボニル−３−ｔ−ブト
キシカルボニルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニルエ
チル〕−２−アゼチジノン（190mg,0.55mmol）をTHF（1
0ml）に溶解し、氷冷下に水素化ホウ素ナトリウム（207
mg,5.5mmol）の水（5ml）溶液を加え、室温で２時間攪
拌した。反応液を酢酸エチルで希釈し、飽和食塩水で洗
浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒
を減圧下留去して得られる残渣を分取用TLC（エーテ
ル）にて精製し、（3S,4R）−４−ヒドロキシメチル−
３−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−１−〔（Ｓ）
−１−フェニルエチル〕−２−アゼチジノン（90mg,収
率56％）を得た。
（ABq,JAB＝13.4Hz,ΔνAB＝29.1Hz,4H）,3.64（s,3
H）,3.91（d,J＝2.0Hz,1H）,4.23,（d,J＝2.0Hz,1H）,
5.04（q,J＝7.3Hz,1H）,7.23（brs,10H）,7.31（brs,5
H）． IR（neat）3040,1750,1735,1380,1205,1145cm-1． Mass m/z（相対強度）:428（M+,0.2）,323（0.5）,23
7（8.4）,190（9.3）,105（19.0）,91（100）． 元素分析値：C27H28N3O2としての 計算値:C,75.67;H,6.59;N,6.54％． 実測値:C,75.65;H,6.62;N.6.54％． 実施例１ （3S,4R）−４−メトキシカルボニル−３−N,N−ジベ
ンジルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニルエチル〕−
２−アゼチジノン（376mg,0.88mmol）のエタノール（16
ml）溶液に20％水酸化パラジウム／カーボン（70mg）を
加え水素雰囲気下に１時間加熱還流した。不溶物を濾取
し、加温したエタノールで洗浄した。濾液をあわせ溶媒
を減圧留去した。このものをジクロロメタン（3.0ml）
に溶解し、氷冷下にトリエチルアミン（0.20ml,1.4mmo
l）及び２−（ｔ−ブトキシカルボニルオキシイミノ）
−２−フェニルアセトニトリル（Boc−ON）（264mg,1.1
mmol）を加え室温で24時間攪拌後、トリエチルアミン
（0.20ml,1.4mmol）及びBoc−ON（264mg,1.1mmol）を追
加し、さらに18時間攪拌した。反応液を酢酸エチルで希
釈し、飽和炭素水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で
順次洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後
溶媒を減圧留去して得られる残渣を分取用TLC（アセト
ン：ジクロロメタン＝5:95）にて精製し、（3S,4R）−
４−メトキシカルボニル−３−ｔ−ブトキシカルボニル
アミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニルエチル〕−２−ア
ゼチジノン（196mg,2段階収率64％）を得た。1 H−NMR（CDCl3） δ1.36（s,9H）,1.57（d,J＝7.0Hz,
3H）,3.58（s,3H）,3.79（d,J＝2.0Hz,1H）,4.57（dd,J
＝7.7,2.0Hz,1H）,4.87（q,J＝7.0Hz,1H）,5.54（d,J＝
7.7Hz,1H）,7.27（s,5H）． （3S,4R）−４−メトキシカルボニル−３−ｔ−ブト
キシカルボニルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニルエ
チル〕−２−アゼチジノン（190mg,0.55mmol）をTHF（1
0ml）に溶解し、氷冷下に水素化ホウ素ナトリウム（207
mg,5.5mmol）の水（5ml）溶液を加え、室温で２時間攪
拌した。反応液を酢酸エチルで希釈し、飽和食塩水で洗
浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒
を減圧下留去して得られる残渣を分取用TLC（エーテ
ル）にて精製し、（3S,4R）−４−ヒドロキシメチル−
３−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−１−〔（Ｓ）
−１−フェニルエチル〕−２−アゼチジノン（90mg,収
率56％）を得た。
無色結晶（イソプロピルエーテル） Rf0.47（酢酸エチル：ヘキサン＝9:1）． ▲〔α〕20 D▼＋22.1°（C1.27,CHCl3）． 1H−NMR（CDCl3） δ1.42（s,9H）,1.63（d,J＝7.0H
z,3H）,3.2−3.8（m,4H）,4.28（dd,J＝5.1,1.5Hz,1
H）,4.87（q,J＝7.0Hz,1H）,5.1−5.4（brs,1H）,7.34
（s,5H）． IR（KBr）3360,2995,1725,1710,1540,1270,1255,117
0,1155cm-1． Mass m/z（相対強度）:321（MH+,0.1）,265（0.7）,2
47（4.6）,173（11.6）,117（48.3）,105（41.7）,73
（30.9）,57（100）． 実施例２ （3S,4R）−４−ヒドロキシメチル−３−ｔ−ブトキ
シカルボニルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニルエチ
ル〕−２−アゼチジノン（9.0mg,0.028mmol）のピリジ
ン（1ml）溶液にｐ−トルエンスルホニルクロリド（27m
g,0.4mmol）を氷冷下に加え、同温度で１時間攪拌後、
室温して18時間攪拌した。反応液を酢酸エチルで希釈
し、飽和硫酸銅水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
及び飽和食塩水で順次洗浄した。有機層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下留去して得られる残渣
を分取用TLC（エーテル）にて精製し、（3S,4R）−４−
（４−トルエンスルホニルオキシメチル）−３−ｔ−ブ
トキシカルボニルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニル
エチル〕−２−アゼチジノン（13mg,収率98％）を得
た。
z,3H）,3.2−3.8（m,4H）,4.28（dd,J＝5.1,1.5Hz,1
H）,4.87（q,J＝7.0Hz,1H）,5.1−5.4（brs,1H）,7.34
（s,5H）． IR（KBr）3360,2995,1725,1710,1540,1270,1255,117
0,1155cm-1． Mass m/z（相対強度）:321（MH+,0.1）,265（0.7）,2
47（4.6）,173（11.6）,117（48.3）,105（41.7）,73
（30.9）,57（100）． 実施例２ （3S,4R）−４−ヒドロキシメチル−３−ｔ−ブトキ
シカルボニルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニルエチ
ル〕−２−アゼチジノン（9.0mg,0.028mmol）のピリジ
ン（1ml）溶液にｐ−トルエンスルホニルクロリド（27m
g,0.4mmol）を氷冷下に加え、同温度で１時間攪拌後、
室温して18時間攪拌した。反応液を酢酸エチルで希釈
し、飽和硫酸銅水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
及び飽和食塩水で順次洗浄した。有機層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下留去して得られる残渣
を分取用TLC（エーテル）にて精製し、（3S,4R）−４−
（４−トルエンスルホニルオキシメチル）−３−ｔ−ブ
トキシカルボニルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニル
エチル〕−２−アゼチジノン（13mg,収率98％）を得
た。
Rf0.52（エーテル）． ▲〔α〕20 D▼＋35.9°（c1.25,CHCl3）． 1H−NMR（CDCl3） δ1.38（s,9H）,1.59（d,J＝7.5H
z,3H）,2.44（s,3H）,3.4−3.6（m,1H）,3.8−4.2（m,2
H）,4.89（q,J＝7.5Hz,1H）,4.9−5.2（brs,1H）,7.30
（s,5H）,7.31（d,J＝8.8Hz,2H）,7.71（d,J＝8.8Hz,2
H）． IR（KBr）3410,2995,1760,1715,1600,1510,1370,1180
cm-1． Mass m/z（相対強度）:475（MH+,0.1）,419（1.6）,3
27（6.8）,271（29.2）,227（34.1）,172（19.7）,146
（48.7）,105（100）． 実施例３ （3S,4R）−４−（４−トルエンスルホニルオキシメ
チル）−３−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ−１−
〔（Ｓ）−１−フェニルエチル〕−２−アゼチジノン
（80mg,0.17mmol）のアセトン（3ml）溶液にヨウ化ナト
リウム（254mg,1.7mmol）を加え70℃で５時間攪拌し
て。反応液を室温に冷却後、酢酸エチルで希釈し、飽和
チオ硫酸ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液、及び飽和食塩水で順次洗浄した。有機層を無水硫
酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下留去し、得られ
た残渣を分取用TLC（エーテル：ヘキサン＝4:1）にて精
製し（3S,4R）−４−ヨードメチル−３−ｔ−ブトキシ
カルボニルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニルエチ
ル〕−２−アゼチジノン（70mg、収率96％）を得た。
z,3H）,2.44（s,3H）,3.4−3.6（m,1H）,3.8−4.2（m,2
H）,4.89（q,J＝7.5Hz,1H）,4.9−5.2（brs,1H）,7.30
（s,5H）,7.31（d,J＝8.8Hz,2H）,7.71（d,J＝8.8Hz,2
H）． IR（KBr）3410,2995,1760,1715,1600,1510,1370,1180
cm-1． Mass m/z（相対強度）:475（MH+,0.1）,419（1.6）,3
27（6.8）,271（29.2）,227（34.1）,172（19.7）,146
（48.7）,105（100）． 実施例３ （3S,4R）−４−（４−トルエンスルホニルオキシメ
チル）−３−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ−１−
〔（Ｓ）−１−フェニルエチル〕−２−アゼチジノン
（80mg,0.17mmol）のアセトン（3ml）溶液にヨウ化ナト
リウム（254mg,1.7mmol）を加え70℃で５時間攪拌し
て。反応液を室温に冷却後、酢酸エチルで希釈し、飽和
チオ硫酸ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液、及び飽和食塩水で順次洗浄した。有機層を無水硫
酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下留去し、得られ
た残渣を分取用TLC（エーテル：ヘキサン＝4:1）にて精
製し（3S,4R）−４−ヨードメチル−３−ｔ−ブトキシ
カルボニルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニルエチ
ル〕−２−アゼチジノン（70mg、収率96％）を得た。
Rf0.43（エーテル：ヘキサン＝4:1）． ▲〔α〕20 D▼＋7.9°（c1.24,CHCl3）． 1H−NMR（CDCl3） δ1.44（s,9H）,1.72（d,J＝7.0H
z,3H）,3.8−4.4（m,3H）,4.26（dd,J＝6.3,1.3Hz,1
H）,4.91（q,J＝7.0Hz,1H）,4.8−5.1（brs,1H）,7.36
（S,5H）． IR（neat）3340,2995,1750,1710,1510,1370,1160c
m-1． Mass m/z（相対強度）:431（MH+,0.1）,375（2.8）,3
57（6.1）,156（58.2）,105（100）． 実施例４ （3S,4R）−４−ヨードメチル−３−ｔ−ブトシキカ
ルボニルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニルエチル〕
−２−アゼチジノン（20mg,0.047mmol）をヘキサメチル
ホスホリックトリアミド（0.5ml）に溶解し、シアノ水
素化ほう素ナトリウム（15mg,0.24mmol）を加え、90℃
にて４時間攪拌した。反応液を室温に冷却後、エーテル
で希釈し水で３回洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去して得られる残渣を
分取用TLC（エーテル１）にて精製し、（3S,4S）−４−
メチル−３−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ−１−
〔（Ｓ）−１−フェニルエチル〕−２−アゼチジノン
（12mg、収率81％）を得た。
z,3H）,3.8−4.4（m,3H）,4.26（dd,J＝6.3,1.3Hz,1
H）,4.91（q,J＝7.0Hz,1H）,4.8−5.1（brs,1H）,7.36
（S,5H）． IR（neat）3340,2995,1750,1710,1510,1370,1160c
m-1． Mass m/z（相対強度）:431（MH+,0.1）,375（2.8）,3
57（6.1）,156（58.2）,105（100）． 実施例４ （3S,4R）−４−ヨードメチル−３−ｔ−ブトシキカ
ルボニルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニルエチル〕
−２−アゼチジノン（20mg,0.047mmol）をヘキサメチル
ホスホリックトリアミド（0.5ml）に溶解し、シアノ水
素化ほう素ナトリウム（15mg,0.24mmol）を加え、90℃
にて４時間攪拌した。反応液を室温に冷却後、エーテル
で希釈し水で３回洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去して得られる残渣を
分取用TLC（エーテル１）にて精製し、（3S,4S）−４−
メチル−３−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ−１−
〔（Ｓ）−１−フェニルエチル〕−２−アゼチジノン
（12mg、収率81％）を得た。
無色油状． Rf0.63（エーテル）． ▲〔α〕20 D▼−26.8°（c1.16,CHCl3）． 1H−NMR（CDCl3） δ1.30（d,J＝6.2Hz,3H）,1.42
（s,9H）,1.64（d,J＝7.0Hz,3H）,3.34（dd,J＝6.9,1.8
Hz,1H）,4.91（q,J＝7.0Hz,1H）,4.8−5.1（brs,1H）,
7.33（S,5H）． IR（CHCl3）3455,2985,2945,1745,1715,1500,1370,11
60cm-1． Mass m/z（相対強度）:305（MH+,0.1）,249（0.6）,2
31（1.1）,157（3.8）,147（3.9）,132（11.7）,105（3
0.9）,57（100）． 参考例４ （3S,4S）−４−メチル−３−ｔ−ブトキシカルボニ
ルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニルエチル〕−２−
アゼチジノン（3.6mg,0.012mmol）のTHF−２−メチル−
２−プロパノール（10:1,0.3ml）溶液を−78℃に冷却し
たナトリウム（5.4mg,0.23mmol）−アンモニア（1ml）
に加え、同温度にて１時間攪拌した。粉末状の塩化アン
モニウムを加え、反応液の青色が消えるとジクロロメタ
ンを加え、反応液を室温としアンモニアを気化させた。
水を加えジクロロメタン層を分離した。水層はジクロロ
メタンで抽出し、有機層は合わせて無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥後、溶媒を減圧下留去した。得られた残渣を分
取用TLC（エーテル）にて精製し、（3S,4S）−４−メチ
ル−３−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−２−アゼ
チジノン（1.4mg,収率59％）を得た。
（s,9H）,1.64（d,J＝7.0Hz,3H）,3.34（dd,J＝6.9,1.8
Hz,1H）,4.91（q,J＝7.0Hz,1H）,4.8−5.1（brs,1H）,
7.33（S,5H）． IR（CHCl3）3455,2985,2945,1745,1715,1500,1370,11
60cm-1． Mass m/z（相対強度）:305（MH+,0.1）,249（0.6）,2
31（1.1）,157（3.8）,147（3.9）,132（11.7）,105（3
0.9）,57（100）． 参考例４ （3S,4S）−４−メチル−３−ｔ−ブトキシカルボニ
ルアミノ−１−〔（Ｓ）−１−フェニルエチル〕−２−
アゼチジノン（3.6mg,0.012mmol）のTHF−２−メチル−
２−プロパノール（10:1,0.3ml）溶液を−78℃に冷却し
たナトリウム（5.4mg,0.23mmol）−アンモニア（1ml）
に加え、同温度にて１時間攪拌した。粉末状の塩化アン
モニウムを加え、反応液の青色が消えるとジクロロメタ
ンを加え、反応液を室温としアンモニアを気化させた。
水を加えジクロロメタン層を分離した。水層はジクロロ
メタンで抽出し、有機層は合わせて無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥後、溶媒を減圧下留去した。得られた残渣を分
取用TLC（エーテル）にて精製し、（3S,4S）−４−メチ
ル−３−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−２−アゼ
チジノン（1.4mg,収率59％）を得た。
このものの比施光度▲〔α〕20 D▼−67.1°（e0.14,M
eOH）及び機器データが文献記載のもの（〔α〕Ｄ−68.
4°（c2.8,MeOH））（D.M.Floydら、J.Org.Chem.,47,51
60（1982））と一致した。
eOH）及び機器データが文献記載のもの（〔α〕Ｄ−68.
4°（c2.8,MeOH））（D.M.Floydら、J.Org.Chem.,47,51
60（1982））と一致した。
Claims (1)
- 【請求項１】一般式 〔式中、R1はアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジメチル
アミノ基、アセトアミド基、トリフルオロアセトアミド
基、1,2−ベンゼンジカルボキシイミド基、ベンジルオ
キシカルボニルアミノ基、ｔ−ブチルオキシカルボニル
アミノ基を表し、R2は水素原子、水酸基、メトキシ基、
ベンジルオキシ基、ｔ−ブトキシ基、アセトキシ基、ベ
ンゾイルオキシ基、トリメチルシリルオキシ基、ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジフェニルシ
リルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基、４−トル
エンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基、
トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、アミノ基、ジ
ベンジルアミノ基、ジメチルアミノ基、アセトアミド
基、トリフルオロアセトアミド基、1,2−ベンゼンジカ
ルボキシイミド基、ベンジルオキシカルボニルアミノ
基、ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ基、メチルチオ
基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、ｔ−ブチルチ
オ基、ベンゼンチオ基、４−トルエンチオ基、２−ピリ
ジルチオ基、ヨウ素原子、臭素原子又は塩素原子を表
す。R3はCHR4Arを表す（R4は低級アルキル基を示し、Ar
はアリール基を表す）。但し、３位のR1基と４位のCH2R
2基とはトランス配置である。〕で表されるβ−ラクタ
ム誘導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1008558A JPH0819090B2 (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | ３，４―トランス―β―ラクタム誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1008558A JPH0819090B2 (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | ３，４―トランス―β―ラクタム誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02193963A JPH02193963A (ja) | 1990-07-31 |
| JPH0819090B2 true JPH0819090B2 (ja) | 1996-02-28 |
Family
ID=11696431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1008558A Expired - Lifetime JPH0819090B2 (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | ３，４―トランス―β―ラクタム誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0819090B2 (ja) |
-
1989
- 1989-01-19 JP JP1008558A patent/JPH0819090B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，４２（１０），２６７７−８４（１９８６） |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02193963A (ja) | 1990-07-31 |
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