JPH0147467B2 - - Google Patents
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Description
本発明は、一般式
〔式中、R1は水素原子、アミノ基、アミド基
またはアルコキシカルボニルアミノ基を示し、
R2は水素原子または低級アルキル基を示し、R3
はカルボキシル基、低級アルコキシカルボニル
基、無置換または置換のアルケニル基あるいは無
置換または置換の低級アルキル基を示し、Ｒはモ
ノもしくはジアリールメチル基を示す。〕 で表わされるβ―ラクタム誘導体をセリツクアン
モニウムナイトレイト（ceric ammonium
nitrate）と反応させ、窒素原子―モノまたはジ
アリールメチル基の結合を開裂し、一般式 〔式中、R1，R2およびR3は前述と同じ意味を
有する。〕 で表わされるβ―ラクタム誘導体の製造法に関す
る。 前記式におけるR1を詳細に述べると水素原子、
アミノ基、アセチルアミノ基、フエノキシアセチ
ルアミノ基、チエニルアセチルアミノ基等の無置
換または置換低級アルカノイルアミノ基、ベンゾ
イルアミノ基等のアリールカルボニルアミノ基、
メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニ
ルアミノ基等の低級アルコキシカルボニルアミノ
基または２，２，２―トリクロロエトキシカルボ
ニルアミノ基等のハロゲン置換低級アルコキシカ
ルボニルアミノ基を示す。 R2を詳細に述べると水素原子またはメチル基、
エチル基、ｎ―プロピル基、イソプロピル基、ｎ
―ブチル基、sec―ブチル基またはイソブチル基
等の低級アルキル基を示す。 R3はカルボキシル基、メトキシカルボニル基、
エトキシカルボニル基、ｎ―プロポキシカルボニ
ル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ―ブトキ
シカルボニル基、sec―ブトキシカルボニル基、
イソ―ブトキシカルボニル基、tert―ブトキシカ
ルボニル基等の低級アルコキシカルボニル基、エ
テニル基、アリル基、ブテニル基、フエニルエテ
ニル、カルボキシエテニル、ｎ―ブトキシカルボ
ニルエテニル等の無置換または置換の低級アルケ
ニル基、メチル基、エチル基、ｎ―プロピル基、
ｎ―ブチル基、アセチルエチル基、ベンゾイルエ
チル基等の無置換または置換の低級アルキル基を
示す。 従来、β―ラクタム環上のモノアリールメチル
基の除去法としては過硫酸カリ等を用いて酸化的
に開裂する方法（JACS，99，2352（1977））が知
られているが、収率も高くなく、強い反応条件を
必要とするため複雑な生成物を与え、実際上使用
が困難である。あるいはβ―ラクタム環の開裂を
防ぐため緩衝液中での反応が必要等、操作上幾多
の難点をあげることができる。 本発明者らはより広範囲に応用することがで
き、かつ操作が容易なβ―ラクタム環の窒素原子
上のモノあるいはジアリールメチル基を除去する
新しい方法を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、
セリツクアンモニウムナイトレイト（Ceric
ammonium nitrate）で処理することによつて目
的を達しうることを見出し、本発明を完成した。 以下、本発明方法を詳細に説明する。 一般式 〔式中、R1，R2，R3およびＲは前述と同じ意
味を有する。〕 で表わされるβ―ラクタム誘導体をセリツクアン
モニウムナイトレイトと不活性溶媒中反応させて
実施することができる。 不活性溶媒として水、ジメチルホルムアミド、
アセトニトリル、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール等のアルコール類、酢酸等の有機酸
あるいはこれらの混合溶媒が好適であるが、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、ベンゼン、トルエ
ン等も合わせて用いることができる。 セリツクアンモニウムナイトレイトは通常２倍
モルから３倍モルの量を用いることが望ましく、
また反応温度としては冷却または加熱することに
より反応を抑制または促進することが可能である
が、０〜100℃が好ましい。 反応終了後は通常の有機化学的手段により成績
体をとりだすことができる。 Ｒのモノまたはジアリールメチル基を詳細に述
べると、好適には１または２個の無置換または置
換基を有するフエニル基により置換されたメチル
基で、さらに好適には２，４―ジメトキシベンジ
ル基、２，４，６―トリメトキシベンジル基、ジ
（４―メトキシフエニル）メチル基等をあげるこ
とができるが、４―メトキシベンジル基、２―メ
トキシベンジル基、４―メトキシフエニル・フエ
ニルメチル基、ジフエニルメチル基、３，４―ジ
メトキシベンジル基、４―ジメチルアミノベンジ
ル基等も可能である。 本発明方法によれば抗菌作用を有する医薬とし
て有用なシングル―β―ラクタム誘導体、ビサイ
クリツク（bicyclic）β―ラクタム誘導体の製造
に際し、優れた合成中間体となりうるβ―ラクタ
ム環の窒素原子が無置換のβ―ラクタム誘導体
を、モノまたはジアリールメチル基を窒素原子上
の置換基として有しているβ―ラクタム誘導体か
ら容易に得ることができる。 また、本発明方法は過硫酸酸化法に比べ一般的
に短時間かつ低温での操作が可能である等非常に
有利な方法であるといえる。 以上述べたごとく本発明方法は新規かつ簡便な
る一般式 〔式中、R1，R2，R3は前述と同じ意味を有す
る。〕 で表わされるβ―ラクタム誘導体の製造法を提供
するものである。 なお、本発明の原料化合物は例えば以下に示す
スキームの方法によつて得ることができる。 〔反応式中、Phはフエニル基、Meはメチル
基、nBuはｎ―ブチル基を示す。〕 (1) ４―ｎ―ブトキシカルボニル―３―フエニル
チオ―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―ア
ゼチジノンはジ（ｐ―アニシル）メチルアミン
とグリオキシル酸ｎ―ブチルを脱水縮合したイ
ミノエステル誘導体をフエニルチオ酢酸クロリ
ドと共に塩基の存在下で反応させることにより
得ることができる。 (2) ４―ｎ―ブトキシカルボニル―Ｎ―ジ（ｐ―
アニシル）メチル―２―アゼチジノンは４―ｎ
―ブトキシカルボニル―３―フエニルチオ―Ｎ
―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アセチジノ
ンを、ラネーニツケルを用いた脱硫反応により
得ることができる。 (3) ４―ヒドロキシメチル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシ
ル）メチル―２―アゼチジノンは、４―ｎ―ブ
トキシカルボニル―３―フエニルチオ―Ｎ―ジ
（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチジノンを
水素化ホウ素ナトリウムとヨウ化リチウムから
合成した水素化ホウ素リチウムを用いて還元す
ることにより得ることができる。 (4) ４―ホルミル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチ
ル―２―アゼチジノンは、４―ヒドロキシメチ
ル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼ
チジノンをジメチルスルホキシド中、三酸化イ
オウ―ピリジン・コンプレツクスを用いて酸化
することにより得ることができる。 (5) ４―（２―ベンゾイルエテニル）―Ｎ―ジ
（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチジノンは
４―ホルミル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル
―２―アゼチジノンとベンゾイルメチレントリ
フエニルホスホランとのウイテイヒ反応
（Wittig反応）により得ることができる。 (6) ４―（２―ベンゾイルエチル）―Ｎ―ジ（ｐ
―アニシル）メチル―２―アゼチジノンは、パ
ラジウム―炭素上の水素添加により得ることが
できる。 また、４―ｎ―ブトキシカルボニル―３―エ
チル―Ｎ―（２，４―ジメトキシベンジル）―
２―アゼチジノンはジ（ｐ―アニシル）メチル
アミンを２，４―ジメトキシベンジルアミン、
フエニルチオ酢酸クロリドをフエニルチオ酪酸
クロリドに加えて用いることにより、スキーム
(1)および(2)と同様の方法により得ることができ
る。 〔反応式中、Meはメチル基、Phはフエニル
基、R′はメチル基、フエノキシメチル基、チ
エニルメチル基、２，２，２―トリクロロエチ
ルオキシ基等を示す。〕 (7) ４―（２―フエニルエテニル）―３―（２―
メトキシカルボニル―１―メチルエテニル）ア
ミノ―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―ア
ゼチジノンm.p.164〜166℃は、Ｎ―（２―メト
キシカルボニル―１―メチルエテニル）グリシ
ン・カリウム塩とクロルギ酸エチルより得られ
る酸無水物とtrans―シンナミリデン―ジ（ｐ
―アニシル）メチルアミンを塩基の存在下反応
で反応させることにより得ることができる。 (8) ４―（２―フエニルエテニル）―３―アミノ
―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチ
ジノン、ｐ―トルエンスルホン酸塩m.p.172〜
174℃は、４―（２―フエニルエテニル）―３
―（２―メトキシカルボニル―１―メチルエテ
ニル）アミノ―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル
―２―アゼチジノンをｐ―トルエンスルホン酸
で処理することにより得ることができる。 (9) 種々の３―アシルアミノ―４―（２―フエニ
ルエテニル）―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル
―２―アゼチジノンは、４―（２―フエニルエ
テニル）―３―アミノ―Ｎ―ジ（ｐ―アニシ
ル）メチル―２―アゼチジノン―ｐ―トルエン
スルホン酸塩を炭酸カリウムで処理して得た４
―（２―フエニルエテニル）―３―アミノ―Ｎ
―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチジノ
ンをクロルギ酸―２，２，２―トリクロロエチ
ル、アセチルクロリド等の酸塩化物を用いる通
常のアシル化法により得ることができる。 次に実施例をあげて本発明を更に詳細に説明す
るが、本発明はもちろんこれらによつて何ら限定
されるものではない。 実施例 １ ４―ｎ―ブトキシカルボニル―３―エチル―Ｎ
―（２，４―ジメトキシベンジル）―２―アゼチ
ジノン（306mg）を50％酢酸―水中、セリツク・
アンモニウム・ナイトレイト（ceric ammonium
nitrate）（810mg）を加え、浴温95〜105℃上で１
時間撹拌し、飽和食塩水を加えエーテル抽出後、
水洗、芒硝乾燥、溶媒留去、シリカゲルカラムク
ロマト精製によつて、４―ｎ―ブトキシカルボニ
ル―３―エチル―２―アゼチジノンを得た。収率
75％ IRfilm nax（cm-1）；3270，1760，1285，1205，1150，
1100，1038，820 NMRδ（CDCl3）；1.05（3H，ｔ，Ｊ＝７Hz），3.47
（1H，ｍ），4.25（2H，ｑ，Ｊ＝７Hz），6.37
（1H，br.S） 実施例 ２ ４―（２―フエニルエテニル）―３―（２，
２，２―トリクロロエトキシカルボニル）アミノ
―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチジ
ノン（59mg）をジメチルホルムアミド―水（９：
１）（1.2ml）にとかし、これにセリツク・アンモ
ニウム・ナイトレイト（ceric ammonium
nitrate）（166ｇ）を加え、室温で１時間撹拌、
氷水で希釈後、酢酸エチル抽出、水洗、芒硝乾
燥、溶媒留去、シリカゲルクロマト精製により、
４―（２―フエニルエテニル）―３―（２，２，
２―トリクロロエトキシカルボニル）アミノ―２
―アゼチジノンを得た。〔収率73％〕m.p.157〜
161℃ 以下の化合物は、実施例１および２に示したと
同様の方法により得ることができる。
またはアルコキシカルボニルアミノ基を示し、
R2は水素原子または低級アルキル基を示し、R3
はカルボキシル基、低級アルコキシカルボニル
基、無置換または置換のアルケニル基あるいは無
置換または置換の低級アルキル基を示し、Ｒはモ
ノもしくはジアリールメチル基を示す。〕 で表わされるβ―ラクタム誘導体をセリツクアン
モニウムナイトレイト（ceric ammonium
nitrate）と反応させ、窒素原子―モノまたはジ
アリールメチル基の結合を開裂し、一般式 〔式中、R1，R2およびR3は前述と同じ意味を
有する。〕 で表わされるβ―ラクタム誘導体の製造法に関す
る。 前記式におけるR1を詳細に述べると水素原子、
アミノ基、アセチルアミノ基、フエノキシアセチ
ルアミノ基、チエニルアセチルアミノ基等の無置
換または置換低級アルカノイルアミノ基、ベンゾ
イルアミノ基等のアリールカルボニルアミノ基、
メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニ
ルアミノ基等の低級アルコキシカルボニルアミノ
基または２，２，２―トリクロロエトキシカルボ
ニルアミノ基等のハロゲン置換低級アルコキシカ
ルボニルアミノ基を示す。 R2を詳細に述べると水素原子またはメチル基、
エチル基、ｎ―プロピル基、イソプロピル基、ｎ
―ブチル基、sec―ブチル基またはイソブチル基
等の低級アルキル基を示す。 R3はカルボキシル基、メトキシカルボニル基、
エトキシカルボニル基、ｎ―プロポキシカルボニ
ル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ―ブトキ
シカルボニル基、sec―ブトキシカルボニル基、
イソ―ブトキシカルボニル基、tert―ブトキシカ
ルボニル基等の低級アルコキシカルボニル基、エ
テニル基、アリル基、ブテニル基、フエニルエテ
ニル、カルボキシエテニル、ｎ―ブトキシカルボ
ニルエテニル等の無置換または置換の低級アルケ
ニル基、メチル基、エチル基、ｎ―プロピル基、
ｎ―ブチル基、アセチルエチル基、ベンゾイルエ
チル基等の無置換または置換の低級アルキル基を
示す。 従来、β―ラクタム環上のモノアリールメチル
基の除去法としては過硫酸カリ等を用いて酸化的
に開裂する方法（JACS，99，2352（1977））が知
られているが、収率も高くなく、強い反応条件を
必要とするため複雑な生成物を与え、実際上使用
が困難である。あるいはβ―ラクタム環の開裂を
防ぐため緩衝液中での反応が必要等、操作上幾多
の難点をあげることができる。 本発明者らはより広範囲に応用することがで
き、かつ操作が容易なβ―ラクタム環の窒素原子
上のモノあるいはジアリールメチル基を除去する
新しい方法を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、
セリツクアンモニウムナイトレイト（Ceric
ammonium nitrate）で処理することによつて目
的を達しうることを見出し、本発明を完成した。 以下、本発明方法を詳細に説明する。 一般式 〔式中、R1，R2，R3およびＲは前述と同じ意
味を有する。〕 で表わされるβ―ラクタム誘導体をセリツクアン
モニウムナイトレイトと不活性溶媒中反応させて
実施することができる。 不活性溶媒として水、ジメチルホルムアミド、
アセトニトリル、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール等のアルコール類、酢酸等の有機酸
あるいはこれらの混合溶媒が好適であるが、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、ベンゼン、トルエ
ン等も合わせて用いることができる。 セリツクアンモニウムナイトレイトは通常２倍
モルから３倍モルの量を用いることが望ましく、
また反応温度としては冷却または加熱することに
より反応を抑制または促進することが可能である
が、０〜100℃が好ましい。 反応終了後は通常の有機化学的手段により成績
体をとりだすことができる。 Ｒのモノまたはジアリールメチル基を詳細に述
べると、好適には１または２個の無置換または置
換基を有するフエニル基により置換されたメチル
基で、さらに好適には２，４―ジメトキシベンジ
ル基、２，４，６―トリメトキシベンジル基、ジ
（４―メトキシフエニル）メチル基等をあげるこ
とができるが、４―メトキシベンジル基、２―メ
トキシベンジル基、４―メトキシフエニル・フエ
ニルメチル基、ジフエニルメチル基、３，４―ジ
メトキシベンジル基、４―ジメチルアミノベンジ
ル基等も可能である。 本発明方法によれば抗菌作用を有する医薬とし
て有用なシングル―β―ラクタム誘導体、ビサイ
クリツク（bicyclic）β―ラクタム誘導体の製造
に際し、優れた合成中間体となりうるβ―ラクタ
ム環の窒素原子が無置換のβ―ラクタム誘導体
を、モノまたはジアリールメチル基を窒素原子上
の置換基として有しているβ―ラクタム誘導体か
ら容易に得ることができる。 また、本発明方法は過硫酸酸化法に比べ一般的
に短時間かつ低温での操作が可能である等非常に
有利な方法であるといえる。 以上述べたごとく本発明方法は新規かつ簡便な
る一般式 〔式中、R1，R2，R3は前述と同じ意味を有す
る。〕 で表わされるβ―ラクタム誘導体の製造法を提供
するものである。 なお、本発明の原料化合物は例えば以下に示す
スキームの方法によつて得ることができる。 〔反応式中、Phはフエニル基、Meはメチル
基、nBuはｎ―ブチル基を示す。〕 (1) ４―ｎ―ブトキシカルボニル―３―フエニル
チオ―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―ア
ゼチジノンはジ（ｐ―アニシル）メチルアミン
とグリオキシル酸ｎ―ブチルを脱水縮合したイ
ミノエステル誘導体をフエニルチオ酢酸クロリ
ドと共に塩基の存在下で反応させることにより
得ることができる。 (2) ４―ｎ―ブトキシカルボニル―Ｎ―ジ（ｐ―
アニシル）メチル―２―アゼチジノンは４―ｎ
―ブトキシカルボニル―３―フエニルチオ―Ｎ
―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アセチジノ
ンを、ラネーニツケルを用いた脱硫反応により
得ることができる。 (3) ４―ヒドロキシメチル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシ
ル）メチル―２―アゼチジノンは、４―ｎ―ブ
トキシカルボニル―３―フエニルチオ―Ｎ―ジ
（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチジノンを
水素化ホウ素ナトリウムとヨウ化リチウムから
合成した水素化ホウ素リチウムを用いて還元す
ることにより得ることができる。 (4) ４―ホルミル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチ
ル―２―アゼチジノンは、４―ヒドロキシメチ
ル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼ
チジノンをジメチルスルホキシド中、三酸化イ
オウ―ピリジン・コンプレツクスを用いて酸化
することにより得ることができる。 (5) ４―（２―ベンゾイルエテニル）―Ｎ―ジ
（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチジノンは
４―ホルミル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル
―２―アゼチジノンとベンゾイルメチレントリ
フエニルホスホランとのウイテイヒ反応
（Wittig反応）により得ることができる。 (6) ４―（２―ベンゾイルエチル）―Ｎ―ジ（ｐ
―アニシル）メチル―２―アゼチジノンは、パ
ラジウム―炭素上の水素添加により得ることが
できる。 また、４―ｎ―ブトキシカルボニル―３―エ
チル―Ｎ―（２，４―ジメトキシベンジル）―
２―アゼチジノンはジ（ｐ―アニシル）メチル
アミンを２，４―ジメトキシベンジルアミン、
フエニルチオ酢酸クロリドをフエニルチオ酪酸
クロリドに加えて用いることにより、スキーム
(1)および(2)と同様の方法により得ることができ
る。 〔反応式中、Meはメチル基、Phはフエニル
基、R′はメチル基、フエノキシメチル基、チ
エニルメチル基、２，２，２―トリクロロエチ
ルオキシ基等を示す。〕 (7) ４―（２―フエニルエテニル）―３―（２―
メトキシカルボニル―１―メチルエテニル）ア
ミノ―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―ア
ゼチジノンm.p.164〜166℃は、Ｎ―（２―メト
キシカルボニル―１―メチルエテニル）グリシ
ン・カリウム塩とクロルギ酸エチルより得られ
る酸無水物とtrans―シンナミリデン―ジ（ｐ
―アニシル）メチルアミンを塩基の存在下反応
で反応させることにより得ることができる。 (8) ４―（２―フエニルエテニル）―３―アミノ
―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチ
ジノン、ｐ―トルエンスルホン酸塩m.p.172〜
174℃は、４―（２―フエニルエテニル）―３
―（２―メトキシカルボニル―１―メチルエテ
ニル）アミノ―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル
―２―アゼチジノンをｐ―トルエンスルホン酸
で処理することにより得ることができる。 (9) 種々の３―アシルアミノ―４―（２―フエニ
ルエテニル）―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル
―２―アゼチジノンは、４―（２―フエニルエ
テニル）―３―アミノ―Ｎ―ジ（ｐ―アニシ
ル）メチル―２―アゼチジノン―ｐ―トルエン
スルホン酸塩を炭酸カリウムで処理して得た４
―（２―フエニルエテニル）―３―アミノ―Ｎ
―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチジノ
ンをクロルギ酸―２，２，２―トリクロロエチ
ル、アセチルクロリド等の酸塩化物を用いる通
常のアシル化法により得ることができる。 次に実施例をあげて本発明を更に詳細に説明す
るが、本発明はもちろんこれらによつて何ら限定
されるものではない。 実施例 １ ４―ｎ―ブトキシカルボニル―３―エチル―Ｎ
―（２，４―ジメトキシベンジル）―２―アゼチ
ジノン（306mg）を50％酢酸―水中、セリツク・
アンモニウム・ナイトレイト（ceric ammonium
nitrate）（810mg）を加え、浴温95〜105℃上で１
時間撹拌し、飽和食塩水を加えエーテル抽出後、
水洗、芒硝乾燥、溶媒留去、シリカゲルカラムク
ロマト精製によつて、４―ｎ―ブトキシカルボニ
ル―３―エチル―２―アゼチジノンを得た。収率
75％ IRfilm nax（cm-1）；3270，1760，1285，1205，1150，
1100，1038，820 NMRδ（CDCl3）；1.05（3H，ｔ，Ｊ＝７Hz），3.47
（1H，ｍ），4.25（2H，ｑ，Ｊ＝７Hz），6.37
（1H，br.S） 実施例 ２ ４―（２―フエニルエテニル）―３―（２，
２，２―トリクロロエトキシカルボニル）アミノ
―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチジ
ノン（59mg）をジメチルホルムアミド―水（９：
１）（1.2ml）にとかし、これにセリツク・アンモ
ニウム・ナイトレイト（ceric ammonium
nitrate）（166ｇ）を加え、室温で１時間撹拌、
氷水で希釈後、酢酸エチル抽出、水洗、芒硝乾
燥、溶媒留去、シリカゲルクロマト精製により、
４―（２―フエニルエテニル）―３―（２，２，
２―トリクロロエトキシカルボニル）アミノ―２
―アゼチジノンを得た。〔収率73％〕m.p.157〜
161℃ 以下の化合物は、実施例１および２に示したと
同様の方法により得ることができる。
【表】
【表】
４―カルボキシ―３―エチル―Ｎ―ジ（ｐ―ア
ニシル）メチル―２―アゼチジノン、４―エテニ
ル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチ
ジノン、４―エチル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メ
チル―２―アゼチジノン等においても同様の方法
で各々Ｎ―無置換誘導体に導くことができる。 参考例 １ ジ―（ｐ―アニシル）メチルアミン（20.0ｇ）
とグリオキシル酸ｎ―ブチル（14.6ｇ）を乾燥ト
ルエン（1200ml）に溶解し、室温で１時間撹拌
後、油浴上で乾燥トルエンを供給しながら生成し
た水を共沸脱水後65〜70℃まで冷却し、トリエチ
ルアミン（12.4ｇ）を加えた。反応液にフエニル
チオ酢酸クロリド（18.4ｇ）を含むトルエン溶液
（83ml）を65〜70℃で滴下し１時間撹拌後、水洗、
希塩酸洗い、水洗、重曹水洗い、水洗、芒硝乾
燥、溶媒留去により４―ｎ―ブトキシカルボニル
―３―フエニルチオ―Ｎ―ジ―（ｐ―アニシル）
メチル―２―アゼチジノンを得た。 IRfilm nax（cm-1）；1760，1740，1245，1170，1030，
820，685 NMRδ（CDCl3）；3.77（6H，Ｓ），4.34（1H，ｄ，
Ｊ＝６Hz），4.66（1H，ｄ，Ｊ＝６Hz），5.80
（1H，Ｓ） なお、４―ｎ―ブトキシカルボニル―３―フエ
ニルチオ―３―エチル―Ｎ―（２，４―ジメトキ
シベンジル）―２―アゼチジノンはジ―（ｐ―ア
ニシル）メチルアミンのかわりに２，４―ジメト
キシベンジルアミンを、フエニルチオ酢酸クロリ
ドのかわりにフエニルチオ酪酸クロリドを用いる
ことにより、同様に得ることができた。 IRfilm nax（cm-1）；1770，1740（sh），1290，1210，
1155，1035，832，750，692 NMRδ（CDCl3）；0.8〜2.13（12H，ｍ），3.63（3H，
Ｓ），3.80（3H，Ｓ），6.33（2H，ｍ），6.73
（1H，ｄ，Ｊ＝８Hz） 参考例 ２ ４―ｎ―ブトキシカルボニル―３―フエニルチ
オ―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチ
ジノン（5.05ｇ）を過剰のラネーニツケルとエタ
ノール（70ml）中20分還流した。ニツケルをロ別
し、溶媒留去することによつて、４―ｎ―ブトキ
シカルボニル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―
２―アゼチジノンを得た。 IRfilm nax（cm-1）；1770，1740，1305，1250，1175，
1035，825 NMRδ（CDCl3）；0.73〜1.73（7H，ｍ），2.96（1H，
dd，Ｊ＝3.6Hz，Ｊ＝15Hz），3.12（1H，dd，
Ｊ＝5.5Hz，Ｊ＝15Hz），3.77（6H，ｓ），3.95
（1H，dd，Ｊ＝3.6Hz，Ｊ＝5.5Hz），5.83
（1H，ｓ） なお、４―ｎ―ブトキシカルボニル―３―エチ
ル―Ｎ―（２，４―ジメトキシベンジル）―２―
アゼチジノンも対応する３―フエニルチオ誘導体
より同様にして得ることができた。 IRfilm nax（cm-1）；1760，1740（sh）、1295，1212，
1158，1035，838 NMRδ（CDCl3）；3.75（3H，ｓ），3.78（3H，ｓ）、 3.97（1H，ｄ，Ｊ＝６Hz），4.10（1H，ｄ，Ｊ
＝６Hz），4.13（1H，ｄ，Ｊ＝15Hz），4.60
（1H，ｄ，Ｊ＝15Hz），6.43（2H，ｍ）、7.10
（1H，ｄ，Ｊ＝８Hz） 参考例 ３ ４―ｎ―ブトキシカルボニル―Ｎ―ジ（ｐ―ア
ニシル）メチル―２―アゼチジノン（３ｇ）と水
素化硼素ナトリウム（0.574ｇ）と沃化リチウム
（2.03ｇ）を乾燥テトラヒドロフラン中、窒素気
流下１時間還流した。溶媒留去後、水を加え酢酸
エチル抽出、水洗、芒硝乾燥、溶媒留去後、４―
ｎ―ヒドロキシメチル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）
メチル―２―アゼチジノンを得た。 IRfilm nax（cm-1）；3400，1725，1380，1300，1250，
1177，1110，1035，950，830，810 NMRδ（CDCl3）；2.47（1H，br，ｓ，OH），3.74
（6H，Ｓ），5.87（1H，Ｓ） 参考例 ４ ４―ヒドロキシメチル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシ
ル）メチル―２―アゼチジノン（1.6ｇ）を乾燥
ジメチルスルホキシド（13ml）にとかし、トリエ
チルアミン（5.2ml〕を加えた。次に三酸化硫黄
―ピリジンコンプレツクス（2.57ｇ）を乾燥ジメ
チルスルホキシド（13ml）にとかし窒素気流下、
室温で滴下し、30分間撹拌した。水を加え、エー
テル―塩化メチレン（９：１）抽出し水洗、希塩
酸洗い、水洗、芒硝乾燥、溶媒留去により４―ホ
ルミル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―ア
ゼチジノンを得た。 IRfilm nax（cm-1）；1750，1720（sh）、1305，1180，
1110，1035，960，827，817 NMRδ（CDCl3）；3.76（6H，Ｓ），5.99（1H，Ｓ），
9.07（1H，ｄ，Ｊ＝5.5Hz） 参考例 ５ ４―ホルミル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル
―２―アゼチジノン（0.51ｇ）とベンゾイルメチ
レントリフエニルホスホラン（0.715ｇ）を乾燥
ベンゼン（10ml）中、2.5時間還流した。溶媒留
去、シリカゲルクロマト精製により４―（２―ベ
ンゾイルエテニル）―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メ
チル―２―アゼチジノンを得た。 IRυfilm nax（cm-1）；1740，1670，1620，1607，1510
，
1175，1025，966 NMRδ（CDCl3）；2.76（1H，dd，Ｊ＝３，15Hz），
3.22（1H，dd，Ｊ＝５，15Hz），3.62（3H，
Ｓ），3.74（3H，Ｓ），4.19（1H，dd，Ｊ＝３
Hz，Ｊ＝５Hz），5.87（1H，Ｓ） 参考例 ６ ４―（２―ベンゾイルエテニル）―Ｎ―ジ（ｐ
―アニシル）メチル―２―アゼチジノン（0.58
ｇ）をエタノール（18ml）にとかし、10％パラジ
ウム―炭素（58mg）を用いて常圧下、10時間水素
を通じて接触還元を行う。反応終了後、セライト
過し、触媒をエタノールで洗浄後、液と洗液
を合わせ減圧濃縮し、４―（２―ベンゾイルエチ
ル）―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼ
チジノンを得た。 IRfilm nax（cm-1）；1740，1678，1508，1243，1174，
1105，1028，807 NMRδ（CDCl3）；1.83（2H，ｑ，Ｊ＝７Hz），2.60
〜3.30（4H），3.75（3H，Ｓ），3.81（3H，Ｓ），
5.74（1H，Ｓ） 参考例 ７ Ｎ―（２―メトキシカルボニル―１―メチルエ
テニル）グリシン・カリウム塩（63.3ｇ）とトリ
エチルアミン（30.3ｇ）を乾燥塩化メチレン
（1.25）にとかし、窒素気流下、これにクロル
ギ酸エチル（32.7ｇ）の乾燥塩化メチレン（100
ml）溶液を−20℃で滴下し、そのまま30分間撹拌
した。次にtrans―シンナミリデン―ジ（ｐ―ア
ニシル）メチルアミン（53.55ｇ）の乾燥塩化メ
チレン（150ml）溶液を滴下し、室温で一夜放置
後、反応液をセライト上で過し、液を４％重
ソウ水洗い、水洗、芒硝乾燥、溶媒留去、残渣を
ジイソプロピルエーテルより結晶化させ、４―
（２―フエニルエテニル）―３―（２―メトキシ
カルボニル―１―メチルエテニル）アミノ―Ｎ―
ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチジノンを
得た。〔76％〕m.p.164〜166℃ なお、原料trans―シンナミリデン―ジ（ｐ―
アニシル）メチルアミンは、trans―シンナムア
ルデヒドとジ（ｐ―アニシル）メチルアミンを乾
燥塩化メチレン中で共沸脱水することにより得
た。 参考例 ８ ４―（２―フエニルエテニル）―３―（２―メ
トキシカルボニル―１―メチルエテニル）アミノ
―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチジ
ノン（58.7ｇ）のジオキサン（1.174）溶液に
ｐ―トルエンスルホン酸１水物（23.96ｇ）と水
（12.4ml〕を加え、室温で一夜放置、反応混合物
を氷水で冷却し、生じた沈でん粉を取、乾燥後
４―（２―フエニルエテニル）―３―アミノ―Ｎ
―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチジノ
ン、ｐ―トルエンスルホン酸塩を得た。m.p.172
〜174℃ 参考例 ９ ４―（２―フエニルエテニル）―３―アミノ―
Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチジノ
ン―ｐ―トルエンスルホン酸塩（5.47ｇ）を酢酸
エチルと炭酸カリウム水溶液に分配させ、酢酸エ
チル層を水洗、芒硝乾燥溶媒留去して得た４―
（２―フエニルエテニル）―３―アミノ―Ｎ―ジ
（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチジノンの乾
燥塩化メチレン（55ml）溶液にトリエチルアミン
（2.83ｇ）を加え、次いでクロルギ酸―２，２，
２―トリクロロエチル（5.94ｇ）の乾燥塩化メチ
レン（55ml）溶液を５℃で滴下し、そのまま10分
間撹拌後、氷水を加えた。塩化メチレン層を水
洗、芒硝乾燥、溶媒留去し、残渣をメタノールよ
り結晶化し、４―（２―フエニルエテニル）―３
―（２，２，２―トリクロロエトキシカルボニ
ル）アミノ―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２
―アゼチジノンを得た。m.p.189〜191℃ また、以下に示す化合物もクロルギ酸―２，
２，２―トリクロロエチルのかわりにアセチルク
ロリド、チエニルアセチルクロリド、フエノキシ
アセチルクロリド等の酸クロリドを用いることに
より同様に得ることができた。 ４―（２―フエニルエテニル）―３―アセチル
アミノ―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―ア
ゼチジノン IRfilm nax（cm-1）；3280，1745，1655，1610，1245，
1172，1030，965 NMRδ（CDCl3）；1.84（3H，Ｓ），3.64（3H，Ｓ），
3.78（3H，Ｓ），4.41（1H，dd，Ｊ＝５Hz，Ｊ
＝８Hz），5.35（1H，dd，Ｊ＝５Hz，Ｊ＝８
Hz） ４―（２―フエニルエテニル）―３―（２―チ
エニルアセチル）アミノ―Ｎ―ジ（ｐ―アニシ
ル）メチル―２―アゼチジノン IRfilm nax（cm-1）；3270，1740，1650，1245，1177，
1030，967，830 NMRδ（CDCl3）；3.63（3H，Ｓ）3.78（3H，Ｓ），
4.39（1H，dd，Ｊ＝5.5Hz，Ｊ＝８Hz），5.31
（1H，dd，Ｊ＝5.5Hz，Ｊ＝８Hz），5.70（1H，
dd，Ｊ＝８Hz，Ｊ＝16.5Hz），5.87（1H，
Ｓ），6.24（／Ｈ、ｄ、Ｊ＝／6.Hz） ４―（２―フエニルエテニル）―３―（フエノ
キシアセチル）アミド―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）
メチル―２―アゼチジノン IRfilm nax（cm-1）；3300，1745，1672，1508，1490，
1243，1170，1030，962，830 NMRδ（CDCl3）；3.63（3H，Ｓ）3.77（3H，Ｓ），
4.31（2H，Ｓ），4.42（1H，dd，Ｊ＝５Hz，Ｊ
＝８Hz），5.40（1H，dd，Ｊ＝５Hz，Ｊ＝８
Hz），5.85（1H，dd，Ｊ＝８Hz，Ｊ＝16Hz），
5.97（1H，Ｓ），6.30（1H，ｄ，Ｊ＝16Hz）。
ニシル）メチル―２―アゼチジノン、４―エテニ
ル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチ
ジノン、４―エチル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メ
チル―２―アゼチジノン等においても同様の方法
で各々Ｎ―無置換誘導体に導くことができる。 参考例 １ ジ―（ｐ―アニシル）メチルアミン（20.0ｇ）
とグリオキシル酸ｎ―ブチル（14.6ｇ）を乾燥ト
ルエン（1200ml）に溶解し、室温で１時間撹拌
後、油浴上で乾燥トルエンを供給しながら生成し
た水を共沸脱水後65〜70℃まで冷却し、トリエチ
ルアミン（12.4ｇ）を加えた。反応液にフエニル
チオ酢酸クロリド（18.4ｇ）を含むトルエン溶液
（83ml）を65〜70℃で滴下し１時間撹拌後、水洗、
希塩酸洗い、水洗、重曹水洗い、水洗、芒硝乾
燥、溶媒留去により４―ｎ―ブトキシカルボニル
―３―フエニルチオ―Ｎ―ジ―（ｐ―アニシル）
メチル―２―アゼチジノンを得た。 IRfilm nax（cm-1）；1760，1740，1245，1170，1030，
820，685 NMRδ（CDCl3）；3.77（6H，Ｓ），4.34（1H，ｄ，
Ｊ＝６Hz），4.66（1H，ｄ，Ｊ＝６Hz），5.80
（1H，Ｓ） なお、４―ｎ―ブトキシカルボニル―３―フエ
ニルチオ―３―エチル―Ｎ―（２，４―ジメトキ
シベンジル）―２―アゼチジノンはジ―（ｐ―ア
ニシル）メチルアミンのかわりに２，４―ジメト
キシベンジルアミンを、フエニルチオ酢酸クロリ
ドのかわりにフエニルチオ酪酸クロリドを用いる
ことにより、同様に得ることができた。 IRfilm nax（cm-1）；1770，1740（sh），1290，1210，
1155，1035，832，750，692 NMRδ（CDCl3）；0.8〜2.13（12H，ｍ），3.63（3H，
Ｓ），3.80（3H，Ｓ），6.33（2H，ｍ），6.73
（1H，ｄ，Ｊ＝８Hz） 参考例 ２ ４―ｎ―ブトキシカルボニル―３―フエニルチ
オ―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチ
ジノン（5.05ｇ）を過剰のラネーニツケルとエタ
ノール（70ml）中20分還流した。ニツケルをロ別
し、溶媒留去することによつて、４―ｎ―ブトキ
シカルボニル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―
２―アゼチジノンを得た。 IRfilm nax（cm-1）；1770，1740，1305，1250，1175，
1035，825 NMRδ（CDCl3）；0.73〜1.73（7H，ｍ），2.96（1H，
dd，Ｊ＝3.6Hz，Ｊ＝15Hz），3.12（1H，dd，
Ｊ＝5.5Hz，Ｊ＝15Hz），3.77（6H，ｓ），3.95
（1H，dd，Ｊ＝3.6Hz，Ｊ＝5.5Hz），5.83
（1H，ｓ） なお、４―ｎ―ブトキシカルボニル―３―エチ
ル―Ｎ―（２，４―ジメトキシベンジル）―２―
アゼチジノンも対応する３―フエニルチオ誘導体
より同様にして得ることができた。 IRfilm nax（cm-1）；1760，1740（sh）、1295，1212，
1158，1035，838 NMRδ（CDCl3）；3.75（3H，ｓ），3.78（3H，ｓ）、 3.97（1H，ｄ，Ｊ＝６Hz），4.10（1H，ｄ，Ｊ
＝６Hz），4.13（1H，ｄ，Ｊ＝15Hz），4.60
（1H，ｄ，Ｊ＝15Hz），6.43（2H，ｍ）、7.10
（1H，ｄ，Ｊ＝８Hz） 参考例 ３ ４―ｎ―ブトキシカルボニル―Ｎ―ジ（ｐ―ア
ニシル）メチル―２―アゼチジノン（３ｇ）と水
素化硼素ナトリウム（0.574ｇ）と沃化リチウム
（2.03ｇ）を乾燥テトラヒドロフラン中、窒素気
流下１時間還流した。溶媒留去後、水を加え酢酸
エチル抽出、水洗、芒硝乾燥、溶媒留去後、４―
ｎ―ヒドロキシメチル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）
メチル―２―アゼチジノンを得た。 IRfilm nax（cm-1）；3400，1725，1380，1300，1250，
1177，1110，1035，950，830，810 NMRδ（CDCl3）；2.47（1H，br，ｓ，OH），3.74
（6H，Ｓ），5.87（1H，Ｓ） 参考例 ４ ４―ヒドロキシメチル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシ
ル）メチル―２―アゼチジノン（1.6ｇ）を乾燥
ジメチルスルホキシド（13ml）にとかし、トリエ
チルアミン（5.2ml〕を加えた。次に三酸化硫黄
―ピリジンコンプレツクス（2.57ｇ）を乾燥ジメ
チルスルホキシド（13ml）にとかし窒素気流下、
室温で滴下し、30分間撹拌した。水を加え、エー
テル―塩化メチレン（９：１）抽出し水洗、希塩
酸洗い、水洗、芒硝乾燥、溶媒留去により４―ホ
ルミル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―ア
ゼチジノンを得た。 IRfilm nax（cm-1）；1750，1720（sh）、1305，1180，
1110，1035，960，827，817 NMRδ（CDCl3）；3.76（6H，Ｓ），5.99（1H，Ｓ），
9.07（1H，ｄ，Ｊ＝5.5Hz） 参考例 ５ ４―ホルミル―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル
―２―アゼチジノン（0.51ｇ）とベンゾイルメチ
レントリフエニルホスホラン（0.715ｇ）を乾燥
ベンゼン（10ml）中、2.5時間還流した。溶媒留
去、シリカゲルクロマト精製により４―（２―ベ
ンゾイルエテニル）―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メ
チル―２―アゼチジノンを得た。 IRυfilm nax（cm-1）；1740，1670，1620，1607，1510
，
1175，1025，966 NMRδ（CDCl3）；2.76（1H，dd，Ｊ＝３，15Hz），
3.22（1H，dd，Ｊ＝５，15Hz），3.62（3H，
Ｓ），3.74（3H，Ｓ），4.19（1H，dd，Ｊ＝３
Hz，Ｊ＝５Hz），5.87（1H，Ｓ） 参考例 ６ ４―（２―ベンゾイルエテニル）―Ｎ―ジ（ｐ
―アニシル）メチル―２―アゼチジノン（0.58
ｇ）をエタノール（18ml）にとかし、10％パラジ
ウム―炭素（58mg）を用いて常圧下、10時間水素
を通じて接触還元を行う。反応終了後、セライト
過し、触媒をエタノールで洗浄後、液と洗液
を合わせ減圧濃縮し、４―（２―ベンゾイルエチ
ル）―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼ
チジノンを得た。 IRfilm nax（cm-1）；1740，1678，1508，1243，1174，
1105，1028，807 NMRδ（CDCl3）；1.83（2H，ｑ，Ｊ＝７Hz），2.60
〜3.30（4H），3.75（3H，Ｓ），3.81（3H，Ｓ），
5.74（1H，Ｓ） 参考例 ７ Ｎ―（２―メトキシカルボニル―１―メチルエ
テニル）グリシン・カリウム塩（63.3ｇ）とトリ
エチルアミン（30.3ｇ）を乾燥塩化メチレン
（1.25）にとかし、窒素気流下、これにクロル
ギ酸エチル（32.7ｇ）の乾燥塩化メチレン（100
ml）溶液を−20℃で滴下し、そのまま30分間撹拌
した。次にtrans―シンナミリデン―ジ（ｐ―ア
ニシル）メチルアミン（53.55ｇ）の乾燥塩化メ
チレン（150ml）溶液を滴下し、室温で一夜放置
後、反応液をセライト上で過し、液を４％重
ソウ水洗い、水洗、芒硝乾燥、溶媒留去、残渣を
ジイソプロピルエーテルより結晶化させ、４―
（２―フエニルエテニル）―３―（２―メトキシ
カルボニル―１―メチルエテニル）アミノ―Ｎ―
ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチジノンを
得た。〔76％〕m.p.164〜166℃ なお、原料trans―シンナミリデン―ジ（ｐ―
アニシル）メチルアミンは、trans―シンナムア
ルデヒドとジ（ｐ―アニシル）メチルアミンを乾
燥塩化メチレン中で共沸脱水することにより得
た。 参考例 ８ ４―（２―フエニルエテニル）―３―（２―メ
トキシカルボニル―１―メチルエテニル）アミノ
―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチジ
ノン（58.7ｇ）のジオキサン（1.174）溶液に
ｐ―トルエンスルホン酸１水物（23.96ｇ）と水
（12.4ml〕を加え、室温で一夜放置、反応混合物
を氷水で冷却し、生じた沈でん粉を取、乾燥後
４―（２―フエニルエテニル）―３―アミノ―Ｎ
―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチジノ
ン、ｐ―トルエンスルホン酸塩を得た。m.p.172
〜174℃ 参考例 ９ ４―（２―フエニルエテニル）―３―アミノ―
Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチジノ
ン―ｐ―トルエンスルホン酸塩（5.47ｇ）を酢酸
エチルと炭酸カリウム水溶液に分配させ、酢酸エ
チル層を水洗、芒硝乾燥溶媒留去して得た４―
（２―フエニルエテニル）―３―アミノ―Ｎ―ジ
（ｐ―アニシル）メチル―２―アゼチジノンの乾
燥塩化メチレン（55ml）溶液にトリエチルアミン
（2.83ｇ）を加え、次いでクロルギ酸―２，２，
２―トリクロロエチル（5.94ｇ）の乾燥塩化メチ
レン（55ml）溶液を５℃で滴下し、そのまま10分
間撹拌後、氷水を加えた。塩化メチレン層を水
洗、芒硝乾燥、溶媒留去し、残渣をメタノールよ
り結晶化し、４―（２―フエニルエテニル）―３
―（２，２，２―トリクロロエトキシカルボニ
ル）アミノ―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２
―アゼチジノンを得た。m.p.189〜191℃ また、以下に示す化合物もクロルギ酸―２，
２，２―トリクロロエチルのかわりにアセチルク
ロリド、チエニルアセチルクロリド、フエノキシ
アセチルクロリド等の酸クロリドを用いることに
より同様に得ることができた。 ４―（２―フエニルエテニル）―３―アセチル
アミノ―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）メチル―２―ア
ゼチジノン IRfilm nax（cm-1）；3280，1745，1655，1610，1245，
1172，1030，965 NMRδ（CDCl3）；1.84（3H，Ｓ），3.64（3H，Ｓ），
3.78（3H，Ｓ），4.41（1H，dd，Ｊ＝５Hz，Ｊ
＝８Hz），5.35（1H，dd，Ｊ＝５Hz，Ｊ＝８
Hz） ４―（２―フエニルエテニル）―３―（２―チ
エニルアセチル）アミノ―Ｎ―ジ（ｐ―アニシ
ル）メチル―２―アゼチジノン IRfilm nax（cm-1）；3270，1740，1650，1245，1177，
1030，967，830 NMRδ（CDCl3）；3.63（3H，Ｓ）3.78（3H，Ｓ），
4.39（1H，dd，Ｊ＝5.5Hz，Ｊ＝８Hz），5.31
（1H，dd，Ｊ＝5.5Hz，Ｊ＝８Hz），5.70（1H，
dd，Ｊ＝８Hz，Ｊ＝16.5Hz），5.87（1H，
Ｓ），6.24（／Ｈ、ｄ、Ｊ＝／6.Hz） ４―（２―フエニルエテニル）―３―（フエノ
キシアセチル）アミド―Ｎ―ジ（ｐ―アニシル）
メチル―２―アゼチジノン IRfilm nax（cm-1）；3300，1745，1672，1508，1490，
1243，1170，1030，962，830 NMRδ（CDCl3）；3.63（3H，Ｓ）3.77（3H，Ｓ），
4.31（2H，Ｓ），4.42（1H，dd，Ｊ＝５Hz，Ｊ
＝８Hz），5.40（1H，dd，Ｊ＝５Hz，Ｊ＝８
Hz），5.85（1H，dd，Ｊ＝８Hz，Ｊ＝16Hz），
5.97（1H，Ｓ），6.30（1H，ｄ，Ｊ＝16Hz）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 〔式中、R1は水素原子、アミノ基、アミド基
またはアルコキシカルボニルアミノ基を示し、
R2は水素原子または低級アルキル基を示し、R3
はカルボキシル基、低級アルコキシカルボニル
基、無置換またはフエニル、カルボキシもしくは
低級アルコキシカルボニル置換の低級アルケニル
基、あるいは無置換または低級アルキルカルボニ
ルもしくはベンゾイル置換の低級アルキル基を示
し、Ｒはモノもしくはジアリールメチル基を示
す。〕 で示されるβ―ラクタム誘導体をセリツクアンモ
ニウムナイトレイト（ceric ammonium
nitrate）と反応させ、窒素原子―モノまたはジ
アリールメチル基の結合を開裂することを特徴と
する一般式 〔式中、R1，R2およびR3は前述と同じ意味を
有する。〕 で表されるβ―ラクタム誘導体の製造法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CA354817 | 1980-06-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5711962A JPS5711962A (en) | 1982-01-21 |
| JPH0147467B2 true JPH0147467B2 (ja) | 1989-10-13 |
Family
ID=4117268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16290180A Granted JPS5711962A (en) | 1980-06-25 | 1980-11-18 | Preparation of beta-lactam derivative |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5711962A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2929517B2 (ja) * | 1994-04-01 | 1999-08-03 | ダイワ精工株式会社 | 魚釣用リールのバックラッシュ防止装置 |
-
1980
- 1980-11-18 JP JP16290180A patent/JPS5711962A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5711962A (en) | 1982-01-21 |
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