JPS6054358A - アゼチジノン類の製法 - Google Patents
アゼチジノン類の製法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D205/00—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07D205/02—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
- C07D205/06—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member
- C07D205/08—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with one oxygen atom directly attached in position 2, e.g. beta-lactams
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Saccharide Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明はキラルアゼチジノン類およびそれらの立体特異
的製法に関する。本発明によるアゼチジノン類は英国%
杵第2,043,639号および同第2,013,67
4芳容明細書ならびに西独特許第2.819,655号
明細書に記載されているたとえば一般式1 (式中、RはM慎基を表わす)を有する8R,6B。
的製法に関する。本発明によるアゼチジノン類は英国%
杵第2,043,639号および同第2,013,67
4芳容明細書ならびに西独特許第2.819,655号
明細書に記載されているたとえば一般式1 (式中、RはM慎基を表わす)を有する8R,6B。
5Rペネム類を包含する既知および新規なβ−ラクタム
化合物を製造するための中間体として有用である。かか
るベネム類は強い抗菌作用を示す。
化合物を製造するための中間体として有用である。かか
るベネム類は強い抗菌作用を示す。
本明細曹において「低級アルキル」なる語は1〜4個の
炭JA原子を有する直鎖状または分枝鎖状のアルキル基
を意味する。たとえば[低級アルコキシ」および「低級
ハロアルキル基」のような飴は対応して解釈されるべき
である。
炭JA原子を有する直鎖状または分枝鎖状のアルキル基
を意味する。たとえば[低級アルコキシ」および「低級
ハロアルキル基」のような飴は対応して解釈されるべき
である。
「ヒドロキシ保護基」なる語は化学反応中にヒドロキシ
官能基の保護のために慣用される任意の基を意味する。
官能基の保護のために慣用される任意の基を意味する。
かかる基の例としては限定されるわけではないがたとえ
ば第6級ブトキシカルボニルのような低級アルコキシカ
ルボニル基。
ば第6級ブトキシカルボニルのような低級アルコキシカ
ルボニル基。
たとえば2−ヨードエトキシカルボニルまたは2.2.
2− ) リクロロエトキシカルボニルのような低Rハ
ロアルコキシカルボニル基、たとえばベンジルオキシカ
ルボニル%p−メトキシベンジルオキシカルボニ/I/
%O−ニトロベンジルオキシカルボニルおよびp−ニト
ロベンジルオキシカルボニルのような場合により置換さ
れたアルアルコキシカルボニル基、たとえば第3級ブチ
ルジメチルシリルまたはトリメチルシリルのようなトリ
(低級アルキル)シリル基、たとえ 9− ば第3級ブチルのような4〜10個の炭系原子をNfる
aI6級アルキル基、たとえばベンジル。
2− ) リクロロエトキシカルボニルのような低Rハ
ロアルコキシカルボニル基、たとえばベンジルオキシカ
ルボニル%p−メトキシベンジルオキシカルボニ/I/
%O−ニトロベンジルオキシカルボニルおよびp−ニト
ロベンジルオキシカルボニルのような場合により置換さ
れたアルアルコキシカルボニル基、たとえば第3級ブチ
ルジメチルシリルまたはトリメチルシリルのようなトリ
(低級アルキル)シリル基、たとえ 9− ば第3級ブチルのような4〜10個の炭系原子をNfる
aI6級アルキル基、たとえばベンジル。
p−メトキシベンジル、ジフェニルメチル、ジ(p−メ
トキシフェニル)メチル、p−メトキシフェニル、α、
4−ジメトキシベンジルおよびトリチルのような置換さ
れているかまたは置換されていないモノフェニルメチル
基、ジフェニルメチル基またはトリフェニルメチル基お
よびたとえばp−メトキシフェニルのような置換されて
いるかまたは1jjt、換されていないフェニル基をあ
げることができる。
トキシフェニル)メチル、p−メトキシフェニル、α、
4−ジメトキシベンジルおよびトリチルのような置換さ
れているかまたは置換されていないモノフェニルメチル
基、ジフェニルメチル基またはトリフェニルメチル基お
よびたとえばp−メトキシフェニルのような置換されて
いるかまたは1jjt、換されていないフェニル基をあ
げることができる。
「カルボキシ保護基」なる飴は化学反応中にカルボキシ
官能外の保護のために慣用される任意の基を意味する。
官能外の保護のために慣用される任意の基を意味する。
かかる基の例としては成層されるわけではないかたとえ
ばメチル、エチル、イソプロピルおよび第6級ブチルの
ような低級アルキル基、たとえは2−′Ei−ドエチル
および10− ン、2.2− )リタロロエチルのような低級ハロアル
キル基、たとえばメトキシメチル、エトキシメチルおよ
びインブトキシメチルのような低級アルコキシメチル基
、たとえはアセトキシメチA−,グロビオニルオキシメ
チル、ブチリルオキシメチルおよびピバロイルオキシメ
チルのようす低級アルコキシカルボニルオキシメチル基
。
ばメチル、エチル、イソプロピルおよび第6級ブチルの
ような低級アルキル基、たとえは2−′Ei−ドエチル
および10− ン、2.2− )リタロロエチルのような低級ハロアル
キル基、たとえばメトキシメチル、エトキシメチルおよ
びインブトキシメチルのような低級アルコキシメチル基
、たとえはアセトキシメチA−,グロビオニルオキシメ
チル、ブチリルオキシメチルおよびピバロイルオキシメ
チルのようす低級アルコキシカルボニルオキシメチル基
。
たとえば1−メトキシカルボニルオキシエチルおよび1
−エトキシカルボニルオキシエチルの、J:5なl−(
低級アルコキシカルボニルオキシ)−エテル基、たとえ
はベンジル、p−メトキシベンジル、0−ニトロベンジ
ルおよびp−ニトロベンジルのような場合により置換さ
れたアリールメチル基、ベンズヒドリル基、フタリジル
基およびたとえ(ニトリメチルシリルおよび第6級ブチ
ルジメチルゾリルのようなトリ(低級アルキル)シリル
基をあげることができる。
−エトキシカルボニルオキシエチルの、J:5なl−(
低級アルコキシカルボニルオキシ)−エテル基、たとえ
はベンジル、p−メトキシベンジル、0−ニトロベンジ
ルおよびp−ニトロベンジルのような場合により置換さ
れたアリールメチル基、ベンズヒドリル基、フタリジル
基およびたとえ(ニトリメチルシリルおよび第6級ブチ
ルジメチルゾリルのようなトリ(低級アルキル)シリル
基をあげることができる。
本発明(ニ一般式…
(式中、R1は水系原子を衣わすかまたは穏和な条件下
での単一1程反応において水素原子で置換され5る基を
表わし、R2は水系原子またはヒドロキシ保−基を表わ
し、R3は置換さ1しているかまたは置換さ」1ていな
いアルキル基またはアリール基を表わし、セしてR4は
水系原子、低級アルキル基あるいは社決され゛〔いるか
または置換されていないフェニル基を表わすンを勺する
キラルfゼチジノン旭を提供3−る。
での単一1程反応において水素原子で置換され5る基を
表わし、R2は水系原子またはヒドロキシ保−基を表わ
し、R3は置換さ1しているかまたは置換さ」1ていな
いアルキル基またはアリール基を表わし、セしてR4は
水系原子、低級アルキル基あるいは社決され゛〔いるか
または置換されていないフェニル基を表わすンを勺する
キラルfゼチジノン旭を提供3−る。
R1か表わしうる基の例としては
(1)未1献侯フエニル基またを」置換フェニル基。
籍に式
で衣わされる基、
(11) 未置換ベンジル基または置換ベンジル基、特
に式 、10R5 H で表わされる基。
に式 、10R5 H で表わされる基。
(ili) 未置換ベンジルオキシ基または置換ベンジ
ルオキシ基1%にベンジルオキシ基およびp−ニトロベ
ンジルオキシ基。
ルオキシ基1%にベンジルオキシ基およびp−ニトロベ
ンジルオキシ基。
(iv) 置換基がアルキル基、アリール基またはアル
アルキル基であるトリ置換シリル基%特にトリメチルシ
リル基、ジメチル第3級ブチルシリル基およびジフェニ
ル第6級ブチルシリル基、および 13− (V)式 %式% c式中、各R5は洒立して水系原子、トリアルキルシリ
ル基、低級アルキル基(%にメチルまたはエチル)また
はアシル基(%にアセチルまたはトリフルオロアセチル
)ヲ表わす〕をあげることができる。
アルキル基であるトリ置換シリル基%特にトリメチルシ
リル基、ジメチル第3級ブチルシリル基およびジフェニ
ル第6級ブチルシリル基、および 13− (V)式 %式% c式中、各R5は洒立して水系原子、トリアルキルシリ
ル基、低級アルキル基(%にメチルまたはエチル)また
はアシル基(%にアセチルまたはトリフルオロアセチル
)ヲ表わす〕をあげることができる。
R2が表わしうる基の例としてはたとえは第3級フトキ
シカルボニルのような[1アルコキシカルボニル基、た
とえば2−ヨードエトキシカルボニルまたは2,2.2
− )リクロロエトキシヵルボニルのようなハロゲン置
換低級アルコキシカルボニル基、たとえはベンジルオキ
シカルボニル、p−メトキシベンジルオキシカルボニル
O−二トロペンジルオキシヵルボニルまたはp−ニトロ
ベンジルオキシカルボニルのよウナ場14− 合により置換されたアルアルコキシカルボニル基、たと
えば第6級ブナルシメナルシリルまたはトリメチルシリ
ルのようなトリ(低級アルキル)シリル基、たとえは第
3級ブチルのような4〜10個の炭系原子を市する第3
級アルキル基。
シカルボニルのような[1アルコキシカルボニル基、た
とえば2−ヨードエトキシカルボニルまたは2,2.2
− )リクロロエトキシヵルボニルのようなハロゲン置
換低級アルコキシカルボニル基、たとえはベンジルオキ
シカルボニル、p−メトキシベンジルオキシカルボニル
O−二トロペンジルオキシヵルボニルまたはp−ニトロ
ベンジルオキシカルボニルのよウナ場14− 合により置換されたアルアルコキシカルボニル基、たと
えば第6級ブナルシメナルシリルまたはトリメチルシリ
ルのようなトリ(低級アルキル)シリル基、たとえは第
3級ブチルのような4〜10個の炭系原子を市する第3
級アルキル基。
タトエばベンジル、p−メトキシベンジル、ジフェニル
メチル、ジ(p−メトキシフェニル)メチル、p−メト
キシフェニル、α、4−ジメトキシベンジルまたはトリ
チルのような置換されているかまたは畷1換されていな
いモノフェニルメチル基、ジフェニルメチル基またはト
リフェニルメチル基あるいはたとえばp−メトキシフェ
ニルのような置換フェニル基または未置換フェニル基を
あげることができる。
メチル、ジ(p−メトキシフェニル)メチル、p−メト
キシフェニル、α、4−ジメトキシベンジルまたはトリ
チルのような置換されているかまたは畷1換されていな
いモノフェニルメチル基、ジフェニルメチル基またはト
リフェニルメチル基あるいはたとえばp−メトキシフェ
ニルのような置換フェニル基または未置換フェニル基を
あげることができる。
R3はメチル基を衣わすのが好ましい。R4が表わすこ
とのできる好ましい低級アルキル基はメチルまたはエチ
ルであり、その好ましい置換フェニル基はp−ニトロフ
ェニルオJ: ヒp−り0ロフエニルである。
とのできる好ましい低級アルキル基はメチルまたはエチ
ルであり、その好ましい置換フェニル基はp−ニトロフ
ェニルオJ: ヒp−り0ロフエニルである。
本発明による化合物はそれらの構造中に小倉炭素原子を
含有し、したかつて立体異性体の外に光学異性体でも存
在しうる。本発明の目的は単一エナンチオマーとしてか
またはラセミ混合物として存在しうる1梱の立体異性体
のみを選択的に製造する方法を開示するものである。
含有し、したかつて立体異性体の外に光学異性体でも存
在しうる。本発明の目的は単一エナンチオマーとしてか
またはラセミ混合物として存在しうる1梱の立体異性体
のみを選択的に製造する方法を開示するものである。
かかるエナンチオマー類は本明細豊中では簡略のために
単一化学構造で表わされるが、本発明はその範囲内にそ
れの2セミ混合物の外に各エナンチオマーをも包含する
。接頭辞の8畳およヒs舎(「Rスター」および1゛8
スター」と云われる二は接頭辞の相対的順序により11
61々に台己載される一方および7才たは曲刃の鏡像(
エナンチオマー)において決定された相対配置(立体異
性体)をMするキラル化付物を命名するために本明細書
で使用されている。しかしながl:): O−1’にお
いてB配置なMするエナンチオマーがより好ましい。
単一化学構造で表わされるが、本発明はその範囲内にそ
れの2セミ混合物の外に各エナンチオマーをも包含する
。接頭辞の8畳およヒs舎(「Rスター」および1゛8
スター」と云われる二は接頭辞の相対的順序により11
61々に台己載される一方および7才たは曲刃の鏡像(
エナンチオマー)において決定された相対配置(立体異
性体)をMするキラル化付物を命名するために本明細書
で使用されている。しかしながl:): O−1’にお
いてB配置なMするエナンチオマーがより好ましい。
式■のキラルアモチジノン類は一般式■1
(式中、R1,R2およびR5は前述のだ義をMし。
又はハロゲン原子を表わしそしてAは有機基を表わす)
を有するキラル化合物を簡単な化学的操作に付すことに
より製造されうる。
を有するキラル化合物を簡単な化学的操作に付すことに
より製造されうる。
Xが表わしうる好ましいハロゲン原子は塩素、臭素およ
び沃素である。Aが表わしうる好ましい有機基の例とし
ては (11カルボニル基。
び沃素である。Aが表わしうる好ましい有機基の例とし
ては (11カルボニル基。
(11)一般式000R6(ここでR6はカルボキシ保
饅17− 基を衆わ1−)の基、 (II〇 一般式00R4(ここでR4は前述の厘義を
1する)の基および (IVI 一般式R7の基〔ここでR7は11鎮状また
は分枝鎖状の置換アルキル基または未置換アルキル基、
置換または未置換のモノフェニルメチル基(たとえはベ
ンジル基)、ジフェニルメチル基またはトリフェニルメ
チル基、アルコキシ基またはアリールオキシ基、アルキ
ルチオ基またはアリールチオ基、保鞍アシル基(たとえ
ばフェニルエチリデン基または置換フェニルエチリデン
基ンおよび一般式 前述の足載を:a−する)の基を表わ・1−〕をあげる
ことができる。
饅17− 基を衆わ1−)の基、 (II〇 一般式00R4(ここでR4は前述の厘義を
1する)の基および (IVI 一般式R7の基〔ここでR7は11鎮状また
は分枝鎖状の置換アルキル基または未置換アルキル基、
置換または未置換のモノフェニルメチル基(たとえはベ
ンジル基)、ジフェニルメチル基またはトリフェニルメ
チル基、アルコキシ基またはアリールオキシ基、アルキ
ルチオ基またはアリールチオ基、保鞍アシル基(たとえ
ばフェニルエチリデン基または置換フェニルエチリデン
基ンおよび一般式 前述の足載を:a−する)の基を表わ・1−〕をあげる
ことができる。
焉ろくべきことに本発明に」:れは犬山の化合18−
リは一般式■
(式中h R2はヒドロ千シ保−基を衣わし七してR3
およびXは前述の定義を弔する)を南するキラルα〜ハ
ロアルキルケテン(筺たはそれの適当なプレカーサーン
を一般式■ (式中、Aは前述の定義をMする基000R6,0OR
4またはR7を懺わしそしてR1は穏和な条件下で進行
する単一工程反応で水系により置換されうる基を表わす
)を有するシッフ塩基またはイミン誘碑体に立体特異的
付加環化(aycloaddition)させることに
より得られることが見出された◎この付加環化は弐■の
化合物が式■のlA科キラルケテンの配置1により支配
されるO−3および0−4において211M+のキラル
中心を有するように進行する。式■の原料キラルケテン
が接頭辞(R,8)で示されるラセミ混合物である場合
にはただ1種のジアステレオ異性体状アゼチジノンが生
成され、したがってその付加環化はジアステレオ選択性
と云われ、その生成物は接頭辞R41および8@によっ
て命名される。弐■のahキラルケテンが*題辞Rまた
はSのいずれかにより示されるエナンチオマーである場
合にはただ1種のエナンチオマー状アセ、チジノンが生
成され。
およびXは前述の定義を弔する)を南するキラルα〜ハ
ロアルキルケテン(筺たはそれの適当なプレカーサーン
を一般式■ (式中、Aは前述の定義をMする基000R6,0OR
4またはR7を懺わしそしてR1は穏和な条件下で進行
する単一工程反応で水系により置換されうる基を表わす
)を有するシッフ塩基またはイミン誘碑体に立体特異的
付加環化(aycloaddition)させることに
より得られることが見出された◎この付加環化は弐■の
化合物が式■のlA科キラルケテンの配置1により支配
されるO−3および0−4において211M+のキラル
中心を有するように進行する。式■の原料キラルケテン
が接頭辞(R,8)で示されるラセミ混合物である場合
にはただ1種のジアステレオ異性体状アゼチジノンが生
成され、したがってその付加環化はジアステレオ選択性
と云われ、その生成物は接頭辞R41および8@によっ
て命名される。弐■のahキラルケテンが*題辞Rまた
はSのいずれかにより示されるエナンチオマーである場
合にはただ1種のエナンチオマー状アセ、チジノンが生
成され。
したがってその付7JII 3R化はエナンチオ選択性
と云われ、その生成物は接!imi’#RまたはSによ
り命名される。
と云われ、その生成物は接!imi’#RまたはSによ
り命名される。
式Iの薬理学的に油性な8R,68,5R−ベネム類は
とりわけ西独特許第5,245,270号明細’IKI
c載の既知反応および方法により1 ’ R,3R,4
R8配置′lt有する弐■のアゼチジノンから得られる
ので不発明方法は生り学的Kr6性なベネム類の合成に
おける1責中間体である光字活性アゼチジノン類を提供
するのに非常に有用である。アゼチジノン類を得るため
の多数の類似の付〃0環化が今まで報告されてきたけれ
ども、どれも全不斉誘導ではなく、シたρ5つて本発明
の付加環化法は篤(はどに有利である。本発明方法にょ
nばR配置を有する式■のN科キラルクテンは1′R2
3R,4R配置または1’R,3R,4B配置のいずれ
かを有する式Hのアセチジノンに一義的に導かれるので
、薬理学的に活性なベネム類への新規で実用的なルート
が提供されることになる。さらに弐■の化−8−吻およ
びいくつかの弐■で表わされる化合物はf/Jr規であ
る。
とりわけ西独特許第5,245,270号明細’IKI
c載の既知反応および方法により1 ’ R,3R,4
R8配置′lt有する弐■のアゼチジノンから得られる
ので不発明方法は生り学的Kr6性なベネム類の合成に
おける1責中間体である光字活性アゼチジノン類を提供
するのに非常に有用である。アゼチジノン類を得るため
の多数の類似の付〃0環化が今まで報告されてきたけれ
ども、どれも全不斉誘導ではなく、シたρ5つて本発明
の付加環化法は篤(はどに有利である。本発明方法にょ
nばR配置を有する式■のN科キラルクテンは1′R2
3R,4R配置または1’R,3R,4B配置のいずれ
かを有する式Hのアセチジノンに一義的に導かれるので
、薬理学的に活性なベネム類への新規で実用的なルート
が提供されることになる。さらに弐■の化−8−吻およ
びいくつかの弐■で表わされる化合物はf/Jr規であ
る。
本発明方法は以下の反応スキームで読切される。
21−
1’R”、38壷、4B” 1’R”、3B’、413
費1′?、5B”、 4R* ■ 22− 工程(a)は弐■のキラルクテンと式Vで表わされるシ
ッフ塩基またはイミンとの反応からなる。
費1′?、5B”、 4R* ■ 22− 工程(a)は弐■のキラルクテンと式Vで表わされるシ
ッフ塩基またはイミンとの反応からなる。
この弐Wのキラルケテンは一般式WhC式中%X。
R2およびR3は式■のクテンに関して前述した矩義を
MしそしてYはハロゲン原子、好ましくは塩素原子また
は臭素原子を表わすかまたは既知のカルボキシ活性化作
用基を表わす)で表わされる適当な中2ルアシル誘導体
から生成されるのが最良である。適当なカルボキシ活性
化作用基の例としてはたとえばアセトキシ基、トリフル
オロアセトキシ基およびピバロイルオキシ基。
MしそしてYはハロゲン原子、好ましくは塩素原子また
は臭素原子を表わすかまたは既知のカルボキシ活性化作
用基を表わす)で表わされる適当な中2ルアシル誘導体
から生成されるのが最良である。適当なカルボキシ活性
化作用基の例としてはたとえばアセトキシ基、トリフル
オロアセトキシ基およびピバロイルオキシ基。
アルコキシ基および式
を有する基をあげることができる。式■aのキラルアシ
ルn導体は当業省に周知の方法により対応する遊離カル
ホン酸から#!造され5る。
ルn導体は当業省に周知の方法により対応する遊離カル
ホン酸から#!造され5る。
式Vで衆わされるシッフ塩基またはイミン錦導体は常法
によりアルデヒド酵導体および第1級アミンから製造さ
れうるかあるいは式Vの化合物上の置換パターンにした
がって尚業者に周知の他の方法により製造されうる。
によりアルデヒド酵導体および第1級アミンから製造さ
れうるかあるいは式Vの化合物上の置換パターンにした
がって尚業者に周知の他の方法により製造されうる。
前記第1工程は弐m(式中、この段階ではA。
R15R2およびR5は式■および式■の谷化合物に関
して前述した定義を有する)のアゼチジノンを生成する
ための式■のα−ハロアルキルクテンと式Vのイミンと
の間における2+2付加環化反応である。この付加環化
のための反応条件は式R/aのアシル酵導体における置
換パターンにしたがつ【変化しうる・。この付加環化は
たとえは炭化水IA、芳香族炭化水木水系ロゲン化炭化
水系、エーテル、ジメチルスルホキシド、ジメチルホル
ムアミドまたはそれらの混合物のような不油性壱機溶媒
中でたとえはトリエチルアミン。
して前述した定義を有する)のアゼチジノンを生成する
ための式■のα−ハロアルキルクテンと式Vのイミンと
の間における2+2付加環化反応である。この付加環化
のための反応条件は式R/aのアシル酵導体における置
換パターンにしたがつ【変化しうる・。この付加環化は
たとえは炭化水IA、芳香族炭化水木水系ロゲン化炭化
水系、エーテル、ジメチルスルホキシド、ジメチルホル
ムアミドまたはそれらの混合物のような不油性壱機溶媒
中でたとえはトリエチルアミン。
ピリジン、ルチジン、 N、N−ジメチルピリジンまた
はDBDのような塩基の存在下において実施される。反
応温度は一30℃〜100℃であり1反応は30分〜2
4時間かかることができる。
はDBDのような塩基の存在下において実施される。反
応温度は一30℃〜100℃であり1反応は30分〜2
4時間かかることができる。
工程(b)は一般式■を有する化合物を得るための弐■
の化合物の還元的脱ハロゲン化からなる。
の化合物の還元的脱ハロゲン化からなる。
これは弐曹の化付物中のハロゲンにより占められている
空間位置をハロゲンXを置き換えるプロトンが占めるよ
うになされ、その結果、一般に容認されているカー7、
インゴールドおよびブレローブの各法則による優先順位
の変化のために0−4におけるキラル中心の記載がB1
からR4kに変わると同様にこの○−3におけるキシル
中心の記載もR4)から8畳に変わるであろうけれども
、25一 式■の化貧智の0−5においては同一配置が維持される
。
空間位置をハロゲンXを置き換えるプロトンが占めるよ
うになされ、その結果、一般に容認されているカー7、
インゴールドおよびブレローブの各法則による優先順位
の変化のために0−4におけるキラル中心の記載がB1
からR4kに変わると同様にこの○−3におけるキシル
中心の記載もR4)から8畳に変わるであろうけれども
、25一 式■の化貧智の0−5においては同一配置が維持される
。
この脱ハロゲン化反応は緩触水16i、金桐水木化吻で
の還元またはプロトン性媒体中におシする后性金j!4
tたは合金での還元により実施されうる。還元的脱ハロ
ゲン化は11%R2およびAに関し【は前述の建銭を有
する葱味のいずれかである弐■の化合りについて実施さ
れうる。特にR1が水系でありsR2が水系でありある
いはAかカルボキシ基である場合にはこれらの基を有す
るために工程(b)に先だって特別の工程が必要とされ
る。かかる変換は尚業者に周知の簡単な化学反応によっ
て容易に実施される。本発明方法の工程(1))を実施
するための好ましい方法はたとえハヘンゼン、トルエン
fたはジメチルスルホキシドのよう′/、C有機#媒中
における式■の化合物の溶液または患濁液を0℃〜10
0℃の温度で1026− 分〜24時間トリブチル錫水系化吻と共に撹拌すること
である。
の還元またはプロトン性媒体中におシする后性金j!4
tたは合金での還元により実施されうる。還元的脱ハロ
ゲン化は11%R2およびAに関し【は前述の建銭を有
する葱味のいずれかである弐■の化合りについて実施さ
れうる。特にR1が水系でありsR2が水系でありある
いはAかカルボキシ基である場合にはこれらの基を有す
るために工程(b)に先だって特別の工程が必要とされ
る。かかる変換は尚業者に周知の簡単な化学反応によっ
て容易に実施される。本発明方法の工程(1))を実施
するための好ましい方法はたとえハヘンゼン、トルエン
fたはジメチルスルホキシドのよう′/、C有機#媒中
における式■の化合物の溶液または患濁液を0℃〜10
0℃の温度で1026− 分〜24時間トリブチル錫水系化吻と共に撹拌すること
である。
工程(0)は式■の化合物を式…のアゼチジニルカルボ
キシレートに変換することからなり、これはR1および
R2に閥しては前述の定義な南する意味のいずれかであ
る式■の化合物について実施されうる。この工程は基A
の酸化的分解反応からなるのでAは単にカルボキシ基才
たは基叫を表わすべきである。かかる意味の基か工程(
b)に先立って弐■の化合物中にあらかじめ導入されて
いない場合には工程(Q)に進む前にこれらの基をりす
るように特別の工程が必要とされる。
キシレートに変換することからなり、これはR1および
R2に閥しては前述の定義な南する意味のいずれかであ
る式■の化合物について実施されうる。この工程は基A
の酸化的分解反応からなるのでAは単にカルボキシ基才
たは基叫を表わすべきである。かかる意味の基か工程(
b)に先立って弐■の化合物中にあらかじめ導入されて
いない場合には工程(Q)に進む前にこれらの基をりす
るように特別の工程が必要とされる。
かかる変換は当業者に周知である簡単な化学反応によっ
て容易に実施される。
て容易に実施される。
特KAがカルボキシ基を衆わす場合にはその酸化的分解
反応は好ましくは四酢酸鉛を用いて酸化的脱カルボキシ
ル化の形態で実施される。
反応は好ましくは四酢酸鉛を用いて酸化的脱カルボキシ
ル化の形態で実施される。
この酸化的脱カルボキシル化はたとえ&1ニビリジンま
たはルチジンのような塩基あるいはたとえは酢酸ナトリ
ウムまたはl!ri−酸カリウムのような塩の存在下ま
たは不存在下で不活性溶媒中において式■の化合物をこ
の化合物のモル当り1モル以上好ましくは1〜3モルの
四酢酸鉛で処理することにより実施されうる。適当な不
活性溶媒の例としてはたとえば炭化水系、芳香族炭化水
素、af+酸sジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、ヒリジン、 HMPA、、ジエチルエーテル、
テトラヒドロフラン、レオキサンまたはそれらの混合物
をあげることができる。反応温度は0℃〜100℃であ
り1反応時間は10分〜24時間であることができる。
たはルチジンのような塩基あるいはたとえは酢酸ナトリ
ウムまたはl!ri−酸カリウムのような塩の存在下ま
たは不存在下で不活性溶媒中において式■の化合物をこ
の化合物のモル当り1モル以上好ましくは1〜3モルの
四酢酸鉛で処理することにより実施されうる。適当な不
活性溶媒の例としてはたとえば炭化水系、芳香族炭化水
素、af+酸sジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、ヒリジン、 HMPA、、ジエチルエーテル、
テトラヒドロフラン、レオキサンまたはそれらの混合物
をあげることができる。反応温度は0℃〜100℃であ
り1反応時間は10分〜24時間であることができる。
この場合にはO−4における配置の反転が得られ、した
がって式中R4がメチルである式■の化合物は1′w
、3R骨、aaeとして記載され°る。
がって式中R4がメチルである式■の化合物は1′w
、3R骨、aaeとして記載され°る。
Aが基00R4を表わす場合にはその酸化的分解反応は
バイヤー−ビリガー(Baeyer Villiger
)反応の形態で実施される。この変換は式■の化合物を
たとえば触媒として硫tRマたはp−)ルエンスルホン
酸を含有する酢酸中における過酢酸の溶液、メチレンシ
クロライド、クロロホルムまたは酢酸エチル中における
ペルオキシドリフルオロ酢酸、モノ過マレイン酸、モノ
過フタル酸または過安息香酸の各溶液、ペルオキシモノ
硫酸または過酸化水系と酸あるいは塩基との混合物また
は過酸化水系−へキサフルオロアセトン付加物、たとえ
ばアセトニトリルおよび水中における硝酸アンそニウム
第二セリウムのような無機酸化剤のような酸化剤で処理
することにより実施されうる。この反応は一10℃〜1
00℃で30分〜72時間実施されうる。この場合には
0−4における配置の保持が得られ、したかつ29− て一般式No化合’II ハ1’R”、5R”、484
として記載される。
バイヤー−ビリガー(Baeyer Villiger
)反応の形態で実施される。この変換は式■の化合物を
たとえば触媒として硫tRマたはp−)ルエンスルホン
酸を含有する酢酸中における過酢酸の溶液、メチレンシ
クロライド、クロロホルムまたは酢酸エチル中における
ペルオキシドリフルオロ酢酸、モノ過マレイン酸、モノ
過フタル酸または過安息香酸の各溶液、ペルオキシモノ
硫酸または過酸化水系と酸あるいは塩基との混合物また
は過酸化水系−へキサフルオロアセトン付加物、たとえ
ばアセトニトリルおよび水中における硝酸アンそニウム
第二セリウムのような無機酸化剤のような酸化剤で処理
することにより実施されうる。この反応は一10℃〜1
00℃で30分〜72時間実施されうる。この場合には
0−4における配置の保持が得られ、したかつ29− て一般式No化合’II ハ1’R”、5R”、484
として記載される。
(d)および(e)の工程は式■の化合物への別径路を
構成し、そこではAl1配(C1工程に記載の0−4に
おける酸化的分解反応か前記置b)工程に記載のa−6
における還元的脱ハロゲン化に先立って実施される。こ
の場合一般式■の中同体化負°物はAの意味、すなわち
採用される酸化的分解反応の形態によって1’R”、6
E!”、48”またはi’xぜ、313” 、4R骨の
配置を有する。
構成し、そこではAl1配(C1工程に記載の0−4に
おける酸化的分解反応か前記置b)工程に記載のa−6
における還元的脱ハロゲン化に先立って実施される。こ
の場合一般式■の中同体化負°物はAの意味、すなわち
採用される酸化的分解反応の形態によって1’R”、6
E!”、48”またはi’xぜ、313” 、4R骨の
配置を有する。
以下に本発明を実施例によりl!鎚明する。
実施例 1
l−(p−メト中ジフェニル) −(51壷)−3−ブ
ロモ−6−41’−((1’R’)−第3級ブチルジメ
チルシリルオキシ」−エナル) −(48シー4−メト
キシカルボニルーアセチジン−2−オン30− 0℃で定木下において20mQの乾燥ベンセン中におけ
る15′:リモルの(2R”ンー2−ブロモ−(6Rリ
−3−(第3級ブチルジメチルシリルオキシ)−ブチリ
ルクロライドの溶1v2su+eの乾燥ベンゼン中にお
ける1、932(10ミリモル)のp−メトキシカルボ
ニルメチレンアミノ−アニソールおよび3.5 mQ
(25ミリモル)のトリエチルアミンの攪拌溶液に6時
間かかつて加えた。この反応混合物をさらに1時間攪拌
しついで塩化ナトリウム水浴液、゛1N塩醒、飽和炭酸
水素ナトリウム水浴液および塩化ナトリウム水溶液でこ
の順序において洗浄した。ついでこの反応侃会吻を無水
減酸ナトリウム上で乾燥させそして沖過した。ベンゼン
なX、吏中で蒸発させて4jlの油状残貿吻な僧、これ
を1509のシリカゲル上でのカラムクロ育トゲラフイ
ーによりn製した。ヘキサン/酢酸エテル(96:7谷
量)で溶Mid;させて前h「;衣題化仕物を油状物(
2,4p、 b Oチ収率ンとして得た。
ロモ−6−41’−((1’R’)−第3級ブチルジメ
チルシリルオキシ」−エナル) −(48シー4−メト
キシカルボニルーアセチジン−2−オン30− 0℃で定木下において20mQの乾燥ベンセン中におけ
る15′:リモルの(2R”ンー2−ブロモ−(6Rリ
−3−(第3級ブチルジメチルシリルオキシ)−ブチリ
ルクロライドの溶1v2su+eの乾燥ベンゼン中にお
ける1、932(10ミリモル)のp−メトキシカルボ
ニルメチレンアミノ−アニソールおよび3.5 mQ
(25ミリモル)のトリエチルアミンの攪拌溶液に6時
間かかつて加えた。この反応混合物をさらに1時間攪拌
しついで塩化ナトリウム水浴液、゛1N塩醒、飽和炭酸
水素ナトリウム水浴液および塩化ナトリウム水溶液でこ
の順序において洗浄した。ついでこの反応侃会吻を無水
減酸ナトリウム上で乾燥させそして沖過した。ベンゼン
なX、吏中で蒸発させて4jlの油状残貿吻な僧、これ
を1509のシリカゲル上でのカラムクロ育トゲラフイ
ーによりn製した。ヘキサン/酢酸エテル(96:7谷
量)で溶Mid;させて前h「;衣題化仕物を油状物(
2,4p、 b Oチ収率ンとして得た。
■、R,(CHCHI、、傷−’): 1765,15
1ON、M、R,(ODOβ5.−CD、10(5H,
5)Ll、13(3工(、s) 0.81(9H,s) 1.51J(3H,a、、y覇6H幻 5.77C5H,B) 3.82(3H,8) 4.30(IH,q 、J=6Hz) 4.85(IH,8) 6.8〜Z3(4H,ABq 、J−10HL)実施例
2 l−(p−メトキシフェニル) −(3Rリ−6−(1
’−((1′l(り一第6級ブチルジメチルシリルオキ
シ〕−エチ/l/ ) −(4Rシ〜4−メトキシカル
ボニル−アゼチジン−2−オン 、1 95019(2ミリモル〕の実施例1で製造された化合
物、 0.64m(L (2,4ミリモル)のトリブチ
ル錫水系化物および10ダのAよりNからなる混合物を
80mNの乾沫ベンゼン中で1時間還流させた。この反
応混合物を冷却し、それを水および塩化ナトリウム水浴
液で完全に洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥させ、
P去しついで真空33− 中で蒸発乾固させて柑i11紀衆鵬化合物をかなり純粋
な油状物C7bb〜、96%)として得た。
1ON、M、R,(ODOβ5.−CD、10(5H,
5)Ll、13(3工(、s) 0.81(9H,s) 1.51J(3H,a、、y覇6H幻 5.77C5H,B) 3.82(3H,8) 4.30(IH,q 、J=6Hz) 4.85(IH,8) 6.8〜Z3(4H,ABq 、J−10HL)実施例
2 l−(p−メトキシフェニル) −(3Rリ−6−(1
’−((1′l(り一第6級ブチルジメチルシリルオキ
シ〕−エチ/l/ ) −(4Rシ〜4−メトキシカル
ボニル−アゼチジン−2−オン 、1 95019(2ミリモル〕の実施例1で製造された化合
物、 0.64m(L (2,4ミリモル)のトリブチ
ル錫水系化物および10ダのAよりNからなる混合物を
80mNの乾沫ベンゼン中で1時間還流させた。この反
応混合物を冷却し、それを水および塩化ナトリウム水浴
液で完全に洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥させ、
P去しついで真空33− 中で蒸発乾固させて柑i11紀衆鵬化合物をかなり純粋
な油状物C7bb〜、96%)として得た。
工、R,(OHOIt5.倒−’C17!〕5,15H
JN、M、R,(ODOA3.δ): [J、[]2(
3H,a)tJ、10 (3H、s ) 0.87(9H,s) 1.40 (6H、d 、;f−6Hz )5.56(
IH,崩解されたdd、J−75Hz)3.78(6H
,s) 4.20〜4.6 (J (I H、m 、 l−6H
幻4.60(1)(、+i、、J脚6HM)6、ElO
〜7.30(4H,ABq 、 J−I DHz)実施
例 3 l−(p−メトキシフェニル) −(3R畳)−3−(
1’−((1’R畳)−第3級ブチルジメチルシリルオ
キシ〕−エテルJ −(4R’) −4−カルボキシ−
アゼチジン−2−オン 34− 755岬の実施例2で製造された粗化合’if!1.2
峨のピリジンおよび4mi!の0.5N水酸化ナトリウ
ム水溶液からなる混合物を周vAm度で24時間攪拌し
た。この反応混合物を冷却し、濃塩酸で慎]iK敵性に
しついで酢酸エチル(,5X20mffi)で抽出した
。抽出物を一緒にし、それを塩化ナトリウム水溶液で洗
浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥させついで真空中で
蒸発させて前記の粗表題化合物をガム(!585譜、
82 % )として得た。
JN、M、R,(ODOA3.δ): [J、[]2(
3H,a)tJ、10 (3H、s ) 0.87(9H,s) 1.40 (6H、d 、;f−6Hz )5.56(
IH,崩解されたdd、J−75Hz)3.78(6H
,s) 4.20〜4.6 (J (I H、m 、 l−6H
幻4.60(1)(、+i、、J脚6HM)6、ElO
〜7.30(4H,ABq 、 J−I DHz)実施
例 3 l−(p−メトキシフェニル) −(3R畳)−3−(
1’−((1’R畳)−第3級ブチルジメチルシリルオ
キシ〕−エテルJ −(4R’) −4−カルボキシ−
アゼチジン−2−オン 34− 755岬の実施例2で製造された粗化合’if!1.2
峨のピリジンおよび4mi!の0.5N水酸化ナトリウ
ム水溶液からなる混合物を周vAm度で24時間攪拌し
た。この反応混合物を冷却し、濃塩酸で慎]iK敵性に
しついで酢酸エチル(,5X20mffi)で抽出した
。抽出物を一緒にし、それを塩化ナトリウム水溶液で洗
浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥させついで真空中で
蒸発させて前記の粗表題化合物をガム(!585譜、
82 % )として得た。
工、R1(OHOjlg、cI++−t) : 360
0〜2400.1755.1725.151 ON、M
、R,C0DOIt3.a): 0.06(6H,s)
36− 0.85C9H,B) 1.67(SH,a、J−6H幻 3.60(1](、da 、 、rね6H幻3.74<
3)1.θ) 4.20=j+、60(IH,m、J−6Hi)4.6
0(IH,d、JミロHtx) 6.80〜7.30(4H,ABq、J歎10Hg)9
、EIO(II4.br m) 実施例 4 l−(p−メトキシフェニルン−(3Rシー3−(1’
−((1’R”)−第5級ブチルジメチルシリルオキシ
〕−エチルJ −(4R”ノー4−アセトキシ−アゼチ
ジン−2−オン 、1 36− 240キ(0,63ミリモ/I/)の実施例6で製造さ
れた化付物、υ、i7me (1,9ミリモル)の無水
ピリジン8よび620#r (1,26ミリ七ル)の9
0饅四酢酸鉛からなる混合物を50℃で60分間10m
1のamベンゼン中において攪拌した。この反応混合物
を冷却し、それを2Fの70リシルを通して濾過し、さ
らに別の30雄のベンゼンで洗浄した。これらベンゼン
溶液を一緒にし、それを1N塩酸および硫酸ナトリワム
水溶液で洗浄し、無水(jlt酸ナトリウム上で乾燥さ
せついでP”Aした。ベンゼンを真空中で蒸発させて粗
表題化合物をかなり純粋な油状物(2101klJ、
85チ)として得た。
0〜2400.1755.1725.151 ON、M
、R,C0DOIt3.a): 0.06(6H,s)
36− 0.85C9H,B) 1.67(SH,a、J−6H幻 3.60(1](、da 、 、rね6H幻3.74<
3)1.θ) 4.20=j+、60(IH,m、J−6Hi)4.6
0(IH,d、JミロHtx) 6.80〜7.30(4H,ABq、J歎10Hg)9
、EIO(II4.br m) 実施例 4 l−(p−メトキシフェニルン−(3Rシー3−(1’
−((1’R”)−第5級ブチルジメチルシリルオキシ
〕−エチルJ −(4R”ノー4−アセトキシ−アゼチ
ジン−2−オン 、1 36− 240キ(0,63ミリモ/I/)の実施例6で製造さ
れた化付物、υ、i7me (1,9ミリモル)の無水
ピリジン8よび620#r (1,26ミリ七ル)の9
0饅四酢酸鉛からなる混合物を50℃で60分間10m
1のamベンゼン中において攪拌した。この反応混合物
を冷却し、それを2Fの70リシルを通して濾過し、さ
らに別の30雄のベンゼンで洗浄した。これらベンゼン
溶液を一緒にし、それを1N塩酸および硫酸ナトリワム
水溶液で洗浄し、無水(jlt酸ナトリウム上で乾燥さ
せついでP”Aした。ベンゼンを真空中で蒸発させて粗
表題化合物をかなり純粋な油状物(2101klJ、
85チ)として得た。
工、R−COHOIJ、tm−’): 1755.15
1ON、M、R,(ODOj15 、δ): 0.07
(6H,s)0.75(6H,s) 1.31 <5H,d、;J−6Hra)37− 2.10 (51(、θ〕 6.18(IHld、J’−3)fg)3.75(5H
,s) 4.10〜4.40(1H,m、Jz3Hss、6Hz
)6.60C1H,a) 6.78−′−7.5b(4H,ABq、J畷10Hg
)実施例 5 (′6Rリ−6−(1’−1(1’)1費〕−第6級フ
テルジメチルシリルオキシ〕−エチル) −(4R”)
−4−アセトキシ−アセテジン−2−オン 25唯のアセトニトリル中托おける920コタ(2,3
ミリモルンの実施例4で製造された化合物の餅液R−1
0tで2時間かかつて25m1の水38− 中における6、84p (7ミリモルンの硝酸アンモニ
ウム第二セリクムの浴液を加えた。この反応混合物を一
10℃できりに1峙間撹拌しついで50峨の水で希釈し
た。ついでそれをほぼ30mgの酢酸エチルで6回抽出
し七[7て抽出物を一緒にし、それを距和炭酸水系ナト
リウム水浴液、30緘アリコートの10%亜硫酸ナトリ
ウム水溶液で5回、30軸の飽和炭1波水素ナトリウム
水溶液および塩化ナトリウム水済液でこのJ1mt序に
おいて洗浄した。この洗浄した漬液を無水硫酸ナトリウ
ム上で乾燥させついでP遇した。溶媒なX空中で蒸発さ
せて粗表題化合物をかなり純粋な白色固体(560ff
l、85%)として得た。
1ON、M、R,(ODOj15 、δ): 0.07
(6H,s)0.75(6H,s) 1.31 <5H,d、;J−6Hra)37− 2.10 (51(、θ〕 6.18(IHld、J’−3)fg)3.75(5H
,s) 4.10〜4.40(1H,m、Jz3Hss、6Hz
)6.60C1H,a) 6.78−′−7.5b(4H,ABq、J畷10Hg
)実施例 5 (′6Rリ−6−(1’−1(1’)1費〕−第6級フ
テルジメチルシリルオキシ〕−エチル) −(4R”)
−4−アセトキシ−アセテジン−2−オン 25唯のアセトニトリル中托おける920コタ(2,3
ミリモルンの実施例4で製造された化合物の餅液R−1
0tで2時間かかつて25m1の水38− 中における6、84p (7ミリモルンの硝酸アンモニ
ウム第二セリクムの浴液を加えた。この反応混合物を一
10℃できりに1峙間撹拌しついで50峨の水で希釈し
た。ついでそれをほぼ30mgの酢酸エチルで6回抽出
し七[7て抽出物を一緒にし、それを距和炭酸水系ナト
リウム水浴液、30緘アリコートの10%亜硫酸ナトリ
ウム水溶液で5回、30軸の飽和炭1波水素ナトリウム
水溶液および塩化ナトリウム水済液でこのJ1mt序に
おいて洗浄した。この洗浄した漬液を無水硫酸ナトリウ
ム上で乾燥させついでP遇した。溶媒なX空中で蒸発さ
せて粗表題化合物をかなり純粋な白色固体(560ff
l、85%)として得た。
工、R,(OHOn5. ばコ1ν1−1)二 342
0.1780.1745N、M、)’L、(CDOβ3
.す: 0.06(6H,5)L)、84(9H,s) 1.25 (’J4 、cl 、 J−6Hz )2.
10 (61(−〇 6.15(1H,cl、J就6Hts)4.08〜4.
35(1H,m、Jx3Hg、6Hg)5.82(IH
,s) 6.78(1H,br s) 実施例 6 l−(p−メトキシフェニル) −(31(’) −3
−ブロモ−(1’−m’)t”)−第6級ブチルジメチ
ルシリルオキシノ−エチルj −(4B”) −4−(
p−クロロベンゾイル)−アセチジン−2−オン0℃で
窒糸下において15喧のlit/、床メチレンジクロラ
イド(メタノール不含)中における1、38ア(5ミリ
モル)の4−(p−クロロベンゾイルメチレンアミン)
−アニソールおよび1.75ミリ (12,5ミリモル
)のトリエチルアミンの撹拌浴液に2時間かかつて10
m1!のメチレンジクロライド中におりる7ミリモルの
(2R”) −2−ブロモ−(3H畳)−5−C第3級
ブチルジメチルシリルオキシ)−ブチリルクロ2イドの
層液な加えた。ついでこの反応混合11勿を水、IN塩
酸、水、飽和炭酸水素ナトリウム水M液および水でこの
順序において洗浄した。ついで洗浄した反応混合物を無
水硫酸す) IJウム土で乾燥させセしてp過した。メ
チレンジクロライドを真空中で蒸発させて3.16Fの
油状残留物を得、これを1202のシリカゲル上でのカ
ラムクロマトグラフィーにより棺製した。ヘキサン/酢
敵エテル(93ニア容量)で溶陥させて前hU2表題化
付1!lをフオーム(2,35jl 、85チ収率)と
して得41− た。
0.1780.1745N、M、)’L、(CDOβ3
.す: 0.06(6H,5)L)、84(9H,s) 1.25 (’J4 、cl 、 J−6Hz )2.
10 (61(−〇 6.15(1H,cl、J就6Hts)4.08〜4.
35(1H,m、Jx3Hg、6Hg)5.82(IH
,s) 6.78(1H,br s) 実施例 6 l−(p−メトキシフェニル) −(31(’) −3
−ブロモ−(1’−m’)t”)−第6級ブチルジメチ
ルシリルオキシノ−エチルj −(4B”) −4−(
p−クロロベンゾイル)−アセチジン−2−オン0℃で
窒糸下において15喧のlit/、床メチレンジクロラ
イド(メタノール不含)中における1、38ア(5ミリ
モル)の4−(p−クロロベンゾイルメチレンアミン)
−アニソールおよび1.75ミリ (12,5ミリモル
)のトリエチルアミンの撹拌浴液に2時間かかつて10
m1!のメチレンジクロライド中におりる7ミリモルの
(2R”) −2−ブロモ−(3H畳)−5−C第3級
ブチルジメチルシリルオキシ)−ブチリルクロ2イドの
層液な加えた。ついでこの反応混合11勿を水、IN塩
酸、水、飽和炭酸水素ナトリウム水M液および水でこの
順序において洗浄した。ついで洗浄した反応混合物を無
水硫酸す) IJウム土で乾燥させセしてp過した。メ
チレンジクロライドを真空中で蒸発させて3.16Fの
油状残留物を得、これを1202のシリカゲル上でのカ
ラムクロマトグラフィーにより棺製した。ヘキサン/酢
敵エテル(93ニア容量)で溶陥させて前hU2表題化
付1!lをフオーム(2,35jl 、85チ収率)と
して得41− た。
ニーR−(OHOI15.am−’): 1765,1
691J、1り90.151ON、M、R,(ODOg
3.δ): 0.17(6H,a)0.88 (9H、
θ) 1、!:+CI(3H,d、J=6Hz)3.73(3
H,a) 4−48 (I H+ q + Jw=6Hta )5
72(IH,s) 6.7[1〜8.10 (tiH、2AB(1、J −
9H2、9Hz )実施例 7 l−(p−メトキシフェニルシン−(38”) −3−
(1’−((1’R畳)−第5級ブチルジメチルシリル
オキシ」−エチルJ −(4)1畳)−4−(p−クロ
42− 553〜(1ミリモル)の実施例6で製造された化合吻
、[J、32mQ (1,2ミリモル〕のトリブチル錫
水系化物おまひ5〜のA、TBNからなる混合物を40
mQの乾燥ベンセン中で4時間還流させた。
691J、1り90.151ON、M、R,(ODOg
3.δ): 0.17(6H,a)0.88 (9H、
θ) 1、!:+CI(3H,d、J=6Hz)3.73(3
H,a) 4−48 (I H+ q + Jw=6Hta )5
72(IH,s) 6.7[1〜8.10 (tiH、2AB(1、J −
9H2、9Hz )実施例 7 l−(p−メトキシフェニルシン−(38”) −3−
(1’−((1’R畳)−第5級ブチルジメチルシリル
オキシ」−エチルJ −(4)1畳)−4−(p−クロ
42− 553〜(1ミリモル)の実施例6で製造された化合吻
、[J、32mQ (1,2ミリモル〕のトリブチル錫
水系化物おまひ5〜のA、TBNからなる混合物を40
mQの乾燥ベンセン中で4時間還流させた。
この反応混合物を冷却し、これを笑施f!I 2に記載
のように後処理して残留物を得、これを202のシリカ
ゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより梢製した。
のように後処理して残留物を得、これを202のシリカ
ゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより梢製した。
ベンゼン/酢酸エチル(95:5谷童〕で溶離させて前
記表題化合物を黄色固体(415ff、88チンとして
得た。
記表題化合物を黄色固体(415ff、88チンとして
得た。
1 、R、(0HOI13.cm−リ: 1750,1
690,1590.151ON、M、R,(ODOp、
5.a): −0,35(5H,5)−0,18(3H
,s) 0.66(9H,s) 1.28 < 3H、d 、 J=6H2)6.67(
IH,m、J=6Hz) 3.73(3H,s) 43− 4.1 り〜4.り b (I H、rn 、 J−6
Hz )5.48(IH,d、J−6Hz) 6.71J−8,10(8H,:i’ABq 、 J−
9H2、9Hz )44− 第1頁の続き [相]発明者 アンジエロ・クルニョ イタ1−ラ −
上2 0発 明 者 ジョヴアンニ・フラン イタセスキ リア国21100ヴアレーゼ、ヴイアルツジエロセツテ
イ0
690,1590.151ON、M、R,(ODOp、
5.a): −0,35(5H,5)−0,18(3H
,s) 0.66(9H,s) 1.28 < 3H、d 、 J=6H2)6.67(
IH,m、J=6Hz) 3.73(3H,s) 43− 4.1 り〜4.り b (I H、rn 、 J−6
Hz )5.48(IH,d、J−6Hz) 6.71J−8,10(8H,:i’ABq 、 J−
9H2、9Hz )44− 第1頁の続き [相]発明者 アンジエロ・クルニョ イタ1−ラ −
上2 0発 明 者 ジョヴアンニ・フラン イタセスキ リア国21100ヴアレーゼ、ヴイアルツジエロセツテ
イ0
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)一般式■ (式中、J(1は水素原子を衣わすかまたは穏和な条r
十下での早一工程反応において水素原子で置換されうる
基を表わしmR2は水素原子またはヒドロキシ保詠基を
表わしh ”5は置換されているかまたは置換されてい
ないアルキル基またはアリール基を表わしセしてR4は
水素原子、低級アルキル基あるいは置換されているかま
たは置換されていないフェニル基を次わす)をセする新
規なキラルアゼテジノン類。 2)一般武門 1 〔式中b 1m 12およびR5は前述の定義を有し。 Xはハロゲン原子を表わしそしてAは好ましくは (1) カルボニル基。 (1) 一般式000R,11(ここでR6はカルボキ
シ保護基を表わす)の基。 (ilD 一般式00R4(ここでR4は前述の定義を
有する)の基および (iVl 一般式R70基(ここでR7は直鎖状または
分枝鎖状の置換アルキル基または未置換ア/”?/I’
iaL置換または未置換のモノフェニルメチル基(たと
えはベンジル基)、ジフエニルメチル基またはトリフェ
ニルメチル基、アルコキシ基またはアリールオキシ基、
アルキルテオ基またはアリールチオ基、保麟アシル基(
たとえばフェニルエチリデン基または*fiフェニルエ
チリデン基)および一般式 前述の定義を有する)の基を表わす) であるM根基′lt表わす〕を有する靴規なキラルアゼ
チジノン類。 3)1−(1)−メトキシフェニル) −(3Rリ−3
−プロモー3− (1’[(1’R”)−第3級ブチル
ジメチルシリルオキシ〕−エチル)−<4B”)−4−
メトキシカルボニル−アセチジン−2−オンである前記
特許請求の範囲第1項記載のキラルアモチジノン類。 4)1−(p−メトキシフェニルンー(5Rリ−3−4
1’−((1’Hリ−第6級フナルジメチルシリルオキ
シj−エチル) −(48費)−4−メトキシカルボニ
ル−アセテジン−2−オンである前mt%許請求の範囲
第1項記載のキラルアゼチジノン類。 5)1−(p−メトキシフェニル) −(38“)−3
−(1’−((1’R骨ン一第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシ〕−エテルJ −(4R”) −4−カルボキ
シ−アセチジン−2−オンである前記特許請求の範囲第
1.!Jl記載のギラルアゼチジノン類。 6)1−(p−メトキシフェニル) −(3R’) −
!’ −(1’−[(1’RI)−第3Mブチルジメチ
ルシリルオキシj〜エチルl −(4B畳)−4−アセ
トキシ−アゼチジン−2−オンである前ml特許請求の
範囲第1項記載のキ2ルアゼテジノン類。 7) (3Rリ−6−41’−[(1’R憂ン一第3級
ブチルジメチルシリルオキシ〕−エチルJ −(4R”
)−4−アセトキシ−アセチジン−2−オンである前記
も一軒蛸求の範囲第1項hc載のキラルアモチジノン類
。 8)1−(p−メトキシフェニ/I/) −(3R骨)
−3−プロモー6− (1’−((1’R”)−第6級
ブチルジメチルシリルオキシ〕−エチル)−C4B”)
−4−(p−クロロベンゾイル)−アゼチジン−2−オ
ンである前記特許請求の範囲第1項記載のキラルアモチ
ジノン類。 9)1−(p−メトキシフェニルンー(38畳フン−−
(1’−m’R畳ンー第3級ブチルジメチルシリルオキ
シ〕−エチルJ −(4R”) −4−(p−クロロベ
ンゾイル)−アセチジン−2−オンである前記特許請求
の範囲第1項記載のキラルアモチジノン類。 5− 10) −60℃〜100℃の編l斐で有m浴奴中にお
いて塩基の存在下に一般式■ (式中s ”2はヒドロキシ保諌基を次わしそしてR5
はW1換されているかまたは置換されていないアルキル
基またはアリール基を表わし、Xはハロゲン原子な衣わ
1)のキラルα−ノ為ロアルキルケテンを一般式V t1 (式中、Aは前記第2唄に定義された0OOR,S、0
0R4ま、たはR7の基を衣わしそしてR1は穏和な粂
注下で単−1栓反応で氷結により置換されうる基を衣わ
′1)のシッフ塩基またはイミン誘導体に立挿神異的に
付加環化しそして生成 6− する#配%ii′fi=求の範囲第2項にIC載の一般
式■を壱する化合物のO−3で脱ノ為ロゲン化しついで
生成する式■ 1 の0−4で酸化的分解反応させて一般式Hの目的化合物
を得ることからなる一般式■を有するキラルアゼチジノ
ン類の製法。 11)式■の化合物の0−4で酸化的分解反応させ、つ
いでO−3で還元的分解反応させて成用の目的化合物を
得ることからなる前記特許請求の範囲第10項の記載に
よる一般式■を有するキシルアゼチジノン類の製法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8321004 | 1983-08-04 | ||
GB838321004A GB8321004D0 (en) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | Azetidinones |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6054358A true JPS6054358A (ja) | 1985-03-28 |
JPH0557980B2 JPH0557980B2 (ja) | 1993-08-25 |
Family
ID=10546786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59161645A Granted JPS6054358A (ja) | 1983-08-04 | 1984-08-02 | アゼチジノン類の製法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6054358A (ja) |
BE (1) | BE900275A (ja) |
DE (1) | DE3428049A1 (ja) |
GB (2) | GB8321004D0 (ja) |
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- 1984-07-30 DE DE19843428049 patent/DE3428049A1/de active Granted
- 1984-08-01 BE BE0/213428A patent/BE900275A/fr not_active IP Right Cessation
- 1984-08-02 JP JP59161645A patent/JPS6054358A/ja active Granted
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