JPS6363655A - 光学活性β−ラクタムの製造方法 - Google Patents
光学活性β−ラクタムの製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D499/00—Heterocyclic compounds containing 4-thia-1-azabicyclo [3.2.0] heptane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. penicillins, penems; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
- C07D499/88—Compounds with a double bond between positions 2 and 3 and a carbon atom having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. an ester or nitrile radical, directly attached in position 2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D205/00—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07D205/02—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
- C07D205/06—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member
- C07D205/08—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with one oxygen atom directly attached in position 2, e.g. beta-lactams
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光学活性β−ラクタム化合物の製造の好ま
しい立体的に制御された新、硯な製造方法、並びに該化
合物を製造のための新規な中間体、及びその製造方法に
関する。
しい立体的に制御された新、硯な製造方法、並びに該化
合物を製造のための新規な中間体、及びその製造方法に
関する。
抗生物M活性を有するベネム化合物及び/又はカルバペ
ネム化合物の製造のために使用することができる3、4
−ジ置換β−ラクタムの製造のため、すでに多数の提案
がなされている。しかしながら、これらの提案は完全に
満足できるものではなく、段階が多いこと、ラセミ体の
生成、低収量、中間体又はこれから製造される最終生成
物の非結晶性、出発材料の高価格及び他の理由により、
工業的製造は常に困難である。
ネム化合物の製造のために使用することができる3、4
−ジ置換β−ラクタムの製造のため、すでに多数の提案
がなされている。しかしながら、これらの提案は完全に
満足できるものではなく、段階が多いこと、ラセミ体の
生成、低収量、中間体又はこれから製造される最終生成
物の非結晶性、出発材料の高価格及び他の理由により、
工業的製造は常に困難である。
ヨーロッパ特許出願Nc167155には、ペネム及び
カルバペネムの製造のための既知の中間体である(3R
,4R,1’R)−3(I−ヒドロキシエチル)−4−
アセトキシアゼチジノンの製造方法が提案されており、
この方法においてはヒドロキシ基において保護された3
−ヒドロキシブチルアルデヒドがハロートリー低級アル
キルシランにより対応するシリルエノールエーテルにシ
リル化され、これがクロロスルホニルイソシアネートに
より対応するヒドロキシ基において保11された3−(
I−ヒドロキシエチル)−4−)り一低級アルキルシリ
ルオキシー1−クロロスルホニルアゼチジ−2−オンを
もたらし、これからクロロスルホン基が同じ段階におい
て還元的に除去され得る。
カルバペネムの製造のための既知の中間体である(3R
,4R,1’R)−3(I−ヒドロキシエチル)−4−
アセトキシアゼチジノンの製造方法が提案されており、
この方法においてはヒドロキシ基において保護された3
−ヒドロキシブチルアルデヒドがハロートリー低級アル
キルシランにより対応するシリルエノールエーテルにシ
リル化され、これがクロロスルホニルイソシアネートに
より対応するヒドロキシ基において保11された3−(
I−ヒドロキシエチル)−4−)り一低級アルキルシリ
ルオキシー1−クロロスルホニルアゼチジ−2−オンを
もたらし、これからクロロスルホン基が同じ段階におい
て還元的に除去され得る。
得られたアゼチジノンをハロートリー低級アルキルシラ
ンにより処理し、そして生ずるN−シリル化生成物を無
水酢酸と反応せしめる。アゼチジノン環のNl−原子の
トリー低級アルキルシリル保譚基が、これに続いて、テ
トラブチルアンモニウムフルオリドにより選択的に除去
される。この方法は相対的に立体選択的に進行する。〇
−保護(3R)−3−ヒドロキシブチルアルデヒドから
出発する場合、シリルエノールエステルのトランス−形
及びシス−形の混合物が得られ、そしてクロロスルホニ
ルイソシアネートとの反応の後、約10%の(3S、4
S、1 ’R)−アゼチジノンを伴って主として(3R
,4R,1’R)アゼチジノンが得られる。
ンにより処理し、そして生ずるN−シリル化生成物を無
水酢酸と反応せしめる。アゼチジノン環のNl−原子の
トリー低級アルキルシリル保譚基が、これに続いて、テ
トラブチルアンモニウムフルオリドにより選択的に除去
される。この方法は相対的に立体選択的に進行する。〇
−保護(3R)−3−ヒドロキシブチルアルデヒドから
出発する場合、シリルエノールエステルのトランス−形
及びシス−形の混合物が得られ、そしてクロロスルホニ
ルイソシアネートとの反応の後、約10%の(3S、4
S、1 ’R)−アゼチジノンを伴って主として(3R
,4R,1’R)アゼチジノンが得られる。
ヨーロッパ特許出願公開1Vh171064には、1−
シリルイミン−2−プロピン化合物への(3R)−3−
ヒドロキシ酪酸誘導体の付加、これに続く、得られた4
−エチニルアゼチジノンへの水の付加、及び得られた4
−アセチルアゼチジノンのBayer−Villige
r転移により3−(I−ヒドロキシエチル)−4−アセ
トキシアゼチジノンの合成を提案している。この方法゛
は、C−3におけるβ−配配水水素好ましい異性体の比
較的不利な部分を伴って3.4−シス/トランス−ジ置
換アゼチジノンの混合物が生成するという欠点を有する
。目的とする3R,4R,1’R−アゼチジノンを生成
する転移が均一に進行しない。
シリルイミン−2−プロピン化合物への(3R)−3−
ヒドロキシ酪酸誘導体の付加、これに続く、得られた4
−エチニルアゼチジノンへの水の付加、及び得られた4
−アセチルアゼチジノンのBayer−Villige
r転移により3−(I−ヒドロキシエチル)−4−アセ
トキシアゼチジノンの合成を提案している。この方法゛
は、C−3におけるβ−配配水水素好ましい異性体の比
較的不利な部分を伴って3.4−シス/トランス−ジ置
換アゼチジノンの混合物が生成するという欠点を有する
。目的とする3R,4R,1’R−アゼチジノンを生成
する転移が均一に進行しない。
最近開示されたアゼチジノン合成の第三の例として、ヨ
ーロッパ特許出願N1179318が挙げられる。
ーロッパ特許出願N1179318が挙げられる。
幾つかの段階において、3−ブチン−2−オールからラ
セミ体Z、−3−シリルオキシ−1−ブテニルフェニル
スルフィドが製造され、これはクロロスルホニルノソシ
アネートによりラセミ体(3S。
セミ体Z、−3−シリルオキシ−1−ブテニルフェニル
スルフィドが製造され、これはクロロスルホニルノソシ
アネートによりラセミ体(3S。
4R,1’ 5)−3−(I−シリルオキシエチル)−
4−フェニルチオアゼチジノンに環化される。
4−フェニルチオアゼチジノンに環化される。
追加の異性化を必要とする側鎖のC−1′の1’S−配
置、並びに得られるアゼチジノンの必須のラセミ分割及
びスルフィド基の必須の酸化は収量の大きな損失を意味
する。
置、並びに得られるアゼチジノンの必須のラセミ分割及
びスルフィド基の必須の酸化は収量の大きな損失を意味
する。
3.4−ジ置換β−ラクタム及びその製造方法はさらに
EP 82113 、 DE−O33224055、D
E−OS3013997 、又はHaness ian
等、J、Am、Chem、Soc。
EP 82113 、 DE−O33224055、D
E−OS3013997 、又はHaness ian
等、J、Am、Chem、Soc。
削門、107.1438−1439から知られる。
この発明は、β−ラクタム環の4−位にエステル化ヒド
ロキシル基を、そして3−位に保護されている場合があ
るヒドロキシエチル基を有する光学活性β−ラクタム化
合物を製造するための新規で有利な、エナンチオ選択的
及びジアステレオ選択的方法に関し、立体配置3R,4
R,1’Rが優先的に得られる。他の対象は、前記の方
法において出発物質として使用される、lなブチノール
エステル及びその製造方法に関する。
ロキシル基を、そして3−位に保護されている場合があ
るヒドロキシエチル基を有する光学活性β−ラクタム化
合物を製造するための新規で有利な、エナンチオ選択的
及びジアステレオ選択的方法に関し、立体配置3R,4
R,1’Rが優先的に得られる。他の対象は、前記の方
法において出発物質として使用される、lなブチノール
エステル及びその製造方法に関する。
この発明は、次の式(I):
(式中、R1は水素、又は閉環条件下で脱離しないヒド
ロキシ保護基R”であり、そしてR2は弱カルボン酸の
アシル基である) で表わされる化合物、又は該化合物と(3S。
ロキシ保護基R”であり、そしてR2は弱カルボン酸の
アシル基である) で表わされる化合物、又は該化合物と(3S。
4S、1’R)−ジアステレオマー(I a)との混合
物の製造方法であって、次の式(II)二辺下余白 〔式中、Rlm及びR2は式(I)において記載した意
味を有する〕 で表わされる化合物をクロロスルホニルイソシアネート
と反応せしめ、生ずる生成物からクロロスルホン基を還
元的に脱離せしめ、所望によりヒドロキシ保護基R”″
を脱離せしめ、そして所望により、生成した式(I)の
化合物を存在する(3S。
物の製造方法であって、次の式(II)二辺下余白 〔式中、Rlm及びR2は式(I)において記載した意
味を有する〕 で表わされる化合物をクロロスルホニルイソシアネート
と反応せしめ、生ずる生成物からクロロスルホン基を還
元的に脱離せしめ、所望によりヒドロキシ保護基R”″
を脱離せしめ、そして所望により、生成した式(I)の
化合物を存在する(3S。
4S、1’R)−ジアステレロマーから分離する、こと
を特徴とする方法に関する。
を特徴とする方法に関する。
閉環条件下で脱離しないヒドロキシ保護基RImはペネ
ム化学において常用のヒドロキシ保護基、例えば常用の
アシル基、置換された低級アルキル基又はシリル基であ
る。
ム化学において常用のヒドロキシ保護基、例えば常用の
アシル基、置換された低級アルキル基又はシリル基であ
る。
適当なアシル基は例えば、2−位においてハロゲンによ
り置換されている場合がある低級アルカノイル、例えば
アセチル、クロロアセチル又はトリフルオロアセチル、
ニトロにより置換されている場合があるベンゾイル、例
えばベンゾイル、4−ニトロヘンゾイル又は2.4−ジ
ニトロベンゾイル、ハロゲンにより置換されている場合
がある低級アルコキシカルボニル、例えば2−ブロモエ
トキシカルボニル又は2.2.2−)リクロロエトキシ
カルボニル、低級アルケニルオキシカルボニル、例えば
アリルオキシカルボニル、又はニトロにより置換されて
いる場合があるフェニル低級アルコキシカルボニル、例
えば4−ニトロベンジルオキシカルボニルである。適当
に置換された低級アルキル基は、例えば2−ハロ低級ア
ルキル基、例えば2−クロロ−12−ブロモ−12−ヨ
ード−1及び2,2.2−−トリクロロ−エチル′、並
びに場合によってはハロゲン、例えば塩素、低級アルコ
キシ、例えばメトキシ、及び/又はニトロにより置換さ
れたフェニル低級アルキル、例えば対応するベンジルで
ある。特に好ましいヒドロキシ保護基は、例えばトリ置
換シリル、例えばトリー低級アルキルシリル、例えばト
リイソプロピルシリル、2.3−ジメチルブツ−2−イ
ルジメチルシリル又はtert−ブチルジメチルシリル
である。
り置換されている場合がある低級アルカノイル、例えば
アセチル、クロロアセチル又はトリフルオロアセチル、
ニトロにより置換されている場合があるベンゾイル、例
えばベンゾイル、4−ニトロヘンゾイル又は2.4−ジ
ニトロベンゾイル、ハロゲンにより置換されている場合
がある低級アルコキシカルボニル、例えば2−ブロモエ
トキシカルボニル又は2.2.2−)リクロロエトキシ
カルボニル、低級アルケニルオキシカルボニル、例えば
アリルオキシカルボニル、又はニトロにより置換されて
いる場合があるフェニル低級アルコキシカルボニル、例
えば4−ニトロベンジルオキシカルボニルである。適当
に置換された低級アルキル基は、例えば2−ハロ低級ア
ルキル基、例えば2−クロロ−12−ブロモ−12−ヨ
ード−1及び2,2.2−−トリクロロ−エチル′、並
びに場合によってはハロゲン、例えば塩素、低級アルコ
キシ、例えばメトキシ、及び/又はニトロにより置換さ
れたフェニル低級アルキル、例えば対応するベンジルで
ある。特に好ましいヒドロキシ保護基は、例えばトリ置
換シリル、例えばトリー低級アルキルシリル、例えばト
リイソプロピルシリル、2.3−ジメチルブツ−2−イ
ルジメチルシリル又はtert−ブチルジメチルシリル
である。
弱カルボン酸のアシル基であるR2は例えばトリ低級ア
ルキルアセチル、例えばピバロイル、2.2−ジメチル
プロピオニル、又はトリエチルアセチル、あるいは非置
換の、又は第一オーダーの置換基により1回又は複数回
、例えば2回又は3回置換されたベンゾイル、例えば4
−メトキシ−12,4−もしくは3.4−ジメトキシベ
ンゾイル又は3,4.5−もしくは2,4.6−トリメ
トキシベンゾイル、又は4−ジメチルアミノベンゾイル
である。R2はまた、炭酸半エステルのアシル基−CO
−〇−1’l 、又は置換されたカルバミン酸のアシル
基−Co−NRRであることができ、ここでRは低級ア
ルキル、例えばメチル又はエチル、アリール、例えばフ
ェニル、又は了り−ル低級アルキル、例えばベンジルで
ある。好ましくはR2はピバロイル及び3.4−ジメト
キシベンゾイルである。
ルキルアセチル、例えばピバロイル、2.2−ジメチル
プロピオニル、又はトリエチルアセチル、あるいは非置
換の、又は第一オーダーの置換基により1回又は複数回
、例えば2回又は3回置換されたベンゾイル、例えば4
−メトキシ−12,4−もしくは3.4−ジメトキシベ
ンゾイル又は3,4.5−もしくは2,4.6−トリメ
トキシベンゾイル、又は4−ジメチルアミノベンゾイル
である。R2はまた、炭酸半エステルのアシル基−CO
−〇−1’l 、又は置換されたカルバミン酸のアシル
基−Co−NRRであることができ、ここでRは低級ア
ルキル、例えばメチル又はエチル、アリール、例えばフ
ェニル、又は了り−ル低級アルキル、例えばベンジルで
ある。好ましくはR2はピバロイル及び3.4−ジメト
キシベンゾイルである。
クロロスルホニルイソシアネートとの反応は、不活性の
、すなわち反応に関与しない溶剤、例えばアセトニトリ
ル、場合によってはハロゲン、例えば塩素、低級アルコ
キシ、例えばメトキノ又はエトキシ、又はニトロにより
1回又は複数回置換されている低級アルカン、例えばn
−ヘキサン、ジメトキシエタン、ジエチルエーテル、ジ
クロロメタン又はニトロメタン、複素環溶剤、例えばジ
オキサン又はテトラヒドロフラン、ベンゼンであってハ
ロゲン例えば塩素もしくは弗素、低級アルコキシ、例え
ばメトキシ、低級アルキル、例えばメチルにより1回又
は複数回、例えば2〜6回置換されているもの、例えば
ニトロメンゼン、ジニトロベンゼン、ヘキサフルオロベ
ンゼン、ヘキサメトキシベンゼン又はトルエン、あるい
はこれらに類するもの又はこれらの混合物中で、約−7
0℃〜室温において行われる。反応体はおよそ等モル量
で、又はわずかに過剰のクロロスルホニルイソシアネー
トを用いて行われる。
、すなわち反応に関与しない溶剤、例えばアセトニトリ
ル、場合によってはハロゲン、例えば塩素、低級アルコ
キシ、例えばメトキノ又はエトキシ、又はニトロにより
1回又は複数回置換されている低級アルカン、例えばn
−ヘキサン、ジメトキシエタン、ジエチルエーテル、ジ
クロロメタン又はニトロメタン、複素環溶剤、例えばジ
オキサン又はテトラヒドロフラン、ベンゼンであってハ
ロゲン例えば塩素もしくは弗素、低級アルコキシ、例え
ばメトキシ、低級アルキル、例えばメチルにより1回又
は複数回、例えば2〜6回置換されているもの、例えば
ニトロメンゼン、ジニトロベンゼン、ヘキサフルオロベ
ンゼン、ヘキサメトキシベンゼン又はトルエン、あるい
はこれらに類するもの又はこれらの混合物中で、約−7
0℃〜室温において行われる。反応体はおよそ等モル量
で、又はわずかに過剰のクロロスルホニルイソシアネー
トを用いて行われる。
環付加の終了後に得られる反応液は、生成物として、対
応する1−クロロスルホニルアゼチジノン、すなわち式
(I)及び式(Ia)の化合物の>10:1の比率での
混合物を含有し、この化合物においては1−位がクロロ
スルホニル基により占められている。この生成物に、ク
ロロスルホニル基を還元的に除去しそして水素により置
き換える遷元剤を添加する。適当な還元剤は例えば金属
ヒドリド、例えばリチウムアルミニウムヒドリド、ナト
リウム−ビス−(2−メトキシエトキシ)−アルミニウ
ムヒドリド又はナトリウムボロヒドリド、あるいはラネ
ーニッケル等、あるいはメルカプタン、例えばチオフェ
ノールである。反応は、場合によっては前記の溶剤のい
ずれかにより、金属ヒドリドを用いる場合にはテトラヒ
ドロフラン、トルエン又はエチルエーテルにより、反応
溶液をあらかじめ稀釈してから行う。還元温度もまたお
よそ一り0℃〜室温の間である。
応する1−クロロスルホニルアゼチジノン、すなわち式
(I)及び式(Ia)の化合物の>10:1の比率での
混合物を含有し、この化合物においては1−位がクロロ
スルホニル基により占められている。この生成物に、ク
ロロスルホニル基を還元的に除去しそして水素により置
き換える遷元剤を添加する。適当な還元剤は例えば金属
ヒドリド、例えばリチウムアルミニウムヒドリド、ナト
リウム−ビス−(2−メトキシエトキシ)−アルミニウ
ムヒドリド又はナトリウムボロヒドリド、あるいはラネ
ーニッケル等、あるいはメルカプタン、例えばチオフェ
ノールである。反応は、場合によっては前記の溶剤のい
ずれかにより、金属ヒドリドを用いる場合にはテトラヒ
ドロフラン、トルエン又はエチルエーテルにより、反応
溶液をあらかじめ稀釈してから行う。還元温度もまたお
よそ一り0℃〜室温の間である。
R1が水素である弐N)の化合物の製造のため、R1が
閉環条件下で脱離しないヒドロキシ保護基R”である式
(I)の本発明の化合物において、ヒドロキシ保護基R
”を除去しそして水素で置き換えることができる。この
除去はそれ自体既知の方法により、保護基の種類に従っ
て、例えば加溶媒分解又は還元により行われる。
閉環条件下で脱離しないヒドロキシ保護基R”である式
(I)の本発明の化合物において、ヒドロキシ保護基R
”を除去しそして水素で置き換えることができる。この
除去はそれ自体既知の方法により、保護基の種類に従っ
て、例えば加溶媒分解又は還元により行われる。
例えば、2−ハロ低級アルコキシカルボニル(場合によ
っては2−ブロモ低級アルコキシカルボニル基を2−ヨ
ード低級アルコキシカルボニルに転換した後)及び4−
ニトロベンジルオキシカルボニルは、適当な化学還元剤
、例えば水性酢酸のごとき適当なカルボン酸の存在下で
の亜鉛による処理により、あるいはパラジウム触媒の存
在下での水素による触媒により、あるいはアルカリ金属
ジチオナイト例えばナトリウムジチオナイトで処理する
ことにより、除去することができる。置換されている場
合があるベンジルオキシカルボニルは、例えば水素化分
解により、すなわちパラジウム触媒のごとき適当な水素
化触媒の存在下で水素で処理することにより、そしてア
リルオキシカルボニルはパラジウム化合物、例えばテト
ラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムとの反応
により、場合によってはトリフェニルホスフィンの存在
下及びアリル基受容体、例えばカルボン酸、例えば2−
エチルヘキサン酸もしくはその塩、又はトリブチル錫ヒ
ドリドもしくはジメドンの存在下で除去することができ
る。2−ハロー低級アルカノイル、例えば2−クロロア
セチルは、塩基の存在下でチオ尿素で、処理して又はチ
オ尿素の塩、例えばアルカリ金属塩で処理し、そして次
に得られた縮合生成物の加溶媒分解、例えばアルコール
分解又は加水分解を行うことにより遊離せしめることが
できる。トリ置換シリル基はアセトン中水性弗化水素酸
又は弗素陰イオンを提供するその塩、例えばアルカリ金
属弗化物、例えば弗化ナトリウムにより目皿ポリエーテ
ル(クラウンエーテル)の存在下で処理することによっ
て、あるいは有機第四塩基の弗化物、例えばテトラ低級
アルキルアンモニウムフルオリド、例えばテトラブチル
−又はエトラエチルーアンモニウムフルオリド(永和吻
として)により処理することによって除去することがで
きる。
っては2−ブロモ低級アルコキシカルボニル基を2−ヨ
ード低級アルコキシカルボニルに転換した後)及び4−
ニトロベンジルオキシカルボニルは、適当な化学還元剤
、例えば水性酢酸のごとき適当なカルボン酸の存在下で
の亜鉛による処理により、あるいはパラジウム触媒の存
在下での水素による触媒により、あるいはアルカリ金属
ジチオナイト例えばナトリウムジチオナイトで処理する
ことにより、除去することができる。置換されている場
合があるベンジルオキシカルボニルは、例えば水素化分
解により、すなわちパラジウム触媒のごとき適当な水素
化触媒の存在下で水素で処理することにより、そしてア
リルオキシカルボニルはパラジウム化合物、例えばテト
ラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムとの反応
により、場合によってはトリフェニルホスフィンの存在
下及びアリル基受容体、例えばカルボン酸、例えば2−
エチルヘキサン酸もしくはその塩、又はトリブチル錫ヒ
ドリドもしくはジメドンの存在下で除去することができ
る。2−ハロー低級アルカノイル、例えば2−クロロア
セチルは、塩基の存在下でチオ尿素で、処理して又はチ
オ尿素の塩、例えばアルカリ金属塩で処理し、そして次
に得られた縮合生成物の加溶媒分解、例えばアルコール
分解又は加水分解を行うことにより遊離せしめることが
できる。トリ置換シリル基はアセトン中水性弗化水素酸
又は弗素陰イオンを提供するその塩、例えばアルカリ金
属弗化物、例えば弗化ナトリウムにより目皿ポリエーテ
ル(クラウンエーテル)の存在下で処理することによっ
て、あるいは有機第四塩基の弗化物、例えばテトラ低級
アルキルアンモニウムフルオリド、例えばテトラブチル
−又はエトラエチルーアンモニウムフルオリド(永和吻
として)により処理することによって除去することがで
きる。
式(I)の化合物は好ましい(3R,4R。
1′R)−配lを有する。同時に10%未満の量で得ら
れる(3S、43.1 ’ R)−ジアステレオマーは
次の式(Ia): を有する。
れる(3S、43.1 ’ R)−ジアステレオマーは
次の式(Ia): を有する。
不所望の(33,4S、1 ’R)−アゼチジノンの除
去は、ヒドロキシ保護基R1mの除去の前又は後で行う
ことができるが、しかし好ましくは後の段階で行う。立
体異性体の除去、すなわち式(I)の化合物の精製はそ
れ自体既知の方法により、例えば蒸留、結晶化及び/又
はクロマトグラフィー等により行う。
去は、ヒドロキシ保護基R1mの除去の前又は後で行う
ことができるが、しかし好ましくは後の段階で行う。立
体異性体の除去、すなわち式(I)の化合物の精製はそ
れ自体既知の方法により、例えば蒸留、結晶化及び/又
はクロマトグラフィー等により行う。
式(II)の出発物質は新規でありそしてそれ故に本発
明の対象である。このものは次の式(Ila):で表わ
されるシス−異性体として、又は次の式%式%): で表わされるトランス−異性体として、あるいはシス/
トランス−異性体混合物として存在することができる。
明の対象である。このものは次の式(Ila):で表わ
されるシス−異性体として、又は次の式%式%): で表わされるトランス−異性体として、あるいはシス/
トランス−異性体混合物として存在することができる。
この化合物は、次の式(■):
で表わされるブチルアルデヒドを、次の式(■)二HO
−R” (IV)のカ
ルボン酸のアシル基を導入する薬剤と反応せしめ、そし
て所望によりトランス(E)−及びシス(Z)−異性体
の混合物からトランス(E) −異性体を単離すること
により得られる。
−R” (IV)のカ
ルボン酸のアシル基を導入する薬剤と反応せしめ、そし
て所望によりトランス(E)−及びシス(Z)−異性体
の混合物からトランス(E) −異性体を単離すること
により得られる。
アシル基R2を導入する薬剤は縮合剤の存在下での式(
rV)のカルボン酸自体、又はカルボン酸の反応性官能
誘導体又は塩である。
rV)のカルボン酸自体、又はカルボン酸の反応性官能
誘導体又は塩である。
好ましい縮合剤は知られており、そして例えばカルボジ
イミド、例えばジエチル−、ジプロピル−、ジシクロへ
キシル−又はN−エチル−N’−3−ジメチルアミノプ
ロピルカルポジイミド、カルボニルジイミダゾール、又
は1.2−オキサシリウム化合物、例えば2−エチル−
5−フェニル−1,2−オキサシリウム−3′−スルホ
ネートもしくは2−tert−ブチル−5−メチル−1
,2−オキサゾリウムパークロレート、又は適当なアシ
ルアミノ化合物、例えば2−エトキシ−1−エトキシカ
ルボニル−1,2−ジヒドロキノリンである。
イミド、例えばジエチル−、ジプロピル−、ジシクロへ
キシル−又はN−エチル−N’−3−ジメチルアミノプ
ロピルカルポジイミド、カルボニルジイミダゾール、又
は1.2−オキサシリウム化合物、例えば2−エチル−
5−フェニル−1,2−オキサシリウム−3′−スルホ
ネートもしくは2−tert−ブチル−5−メチル−1
,2−オキサゾリウムパークロレート、又は適当なアシ
ルアミノ化合物、例えば2−エトキシ−1−エトキシカ
ルボニル−1,2−ジヒドロキノリンである。
縮合反応はそれ自体既知の方法により、好ましくは、不
活性の非プロトン性溶剤、例えば塩化メチレン、ジメチ
ルホルムアミド、アセトニトリル又はテトラヒドロフラ
ンの存在下で、場合によっては冷却又は加熱しながら、
例えば約−40’C〜約+100℃において、好ましく
は約−20℃〜約+50℃において、場合によっては不
活性ガス、例えば窒素ガスのもとで行われる。
活性の非プロトン性溶剤、例えば塩化メチレン、ジメチ
ルホルムアミド、アセトニトリル又はテトラヒドロフラ
ンの存在下で、場合によっては冷却又は加熱しながら、
例えば約−40’C〜約+100℃において、好ましく
は約−20℃〜約+50℃において、場合によっては不
活性ガス、例えば窒素ガスのもとで行われる。
エノールエステル官能基を形成することができる式(I
V)のカルボン酸の反応性官能誘導体は知られている。
V)のカルボン酸の反応性官能誘導体は知られている。
対応する誘導体は式(rl/)のカルボン酸の無水物、
好ましくは混合無水物、例えば無機酸との混合無水物、
例えばカルボン酸クロリドもしくはプロミド、カルボン
酸アジド、リン含有酸、例えばリン酸、ジエチルリン酸
、硫黄含有酸、例えば硫酸、又はシアン化水素酸との混
合無水物、あるいは有機カルボン酸、例えば非置換の又
はハロゲン、例えば弗素もしくは塩素で置換された低級
アルカンカルボン酸、例えばピバリン酸又はトリフルオ
ロ酢酸、炭酸の低級アルキル半エステル、例えば炭酸の
エチル又はイソブチル半エステルの半エステルとの混合
無水物、あるいは有機の、例えば脂肪族又は芳香族のス
ルホン酸、例えばメタンスルホン酸又はp−)ルエンス
ルホン酸との混合無水物である。式(IV)のカルボン
酸の反応性官能誘4体はさらに、活性エステル、例えば
ビニル性アルコール、すなわちエノール、例えばビニル
性低級アルケノールとの縮合によって形成される活性エ
ステル、式(mV)のカルボン酸及び例えば式((CH
3) zN” = C(Cl )C)h) Cl−のジ
メチル(I−クロルエチリデン)−イミニウムクロリド
から製造されるイミノメチルエステルハライド、例えば
ジメチルイミノメチルエステルクロリド、了り−ルエス
テル、例えばハロゲン、例えば塩素及び/又はニトロで
置換されたフェニルエステル、例エハペンタクロロフヱ
ニルエステル、4−ニトロフェニルエステル又は2.3
−ジニトロフェニルエステル、N−へテロ芳香族エステ
ル、例えばN−ベンゾトリアゾールエステル、又はN−
ジアシルイミノエステル、例えばN−サクシニルイミノ
、又はN−フタリルイミノエステルである。
好ましくは混合無水物、例えば無機酸との混合無水物、
例えばカルボン酸クロリドもしくはプロミド、カルボン
酸アジド、リン含有酸、例えばリン酸、ジエチルリン酸
、硫黄含有酸、例えば硫酸、又はシアン化水素酸との混
合無水物、あるいは有機カルボン酸、例えば非置換の又
はハロゲン、例えば弗素もしくは塩素で置換された低級
アルカンカルボン酸、例えばピバリン酸又はトリフルオ
ロ酢酸、炭酸の低級アルキル半エステル、例えば炭酸の
エチル又はイソブチル半エステルの半エステルとの混合
無水物、あるいは有機の、例えば脂肪族又は芳香族のス
ルホン酸、例えばメタンスルホン酸又はp−)ルエンス
ルホン酸との混合無水物である。式(IV)のカルボン
酸の反応性官能誘4体はさらに、活性エステル、例えば
ビニル性アルコール、すなわちエノール、例えばビニル
性低級アルケノールとの縮合によって形成される活性エ
ステル、式(mV)のカルボン酸及び例えば式((CH
3) zN” = C(Cl )C)h) Cl−のジ
メチル(I−クロルエチリデン)−イミニウムクロリド
から製造されるイミノメチルエステルハライド、例えば
ジメチルイミノメチルエステルクロリド、了り−ルエス
テル、例えばハロゲン、例えば塩素及び/又はニトロで
置換されたフェニルエステル、例エハペンタクロロフヱ
ニルエステル、4−ニトロフェニルエステル又は2.3
−ジニトロフェニルエステル、N−へテロ芳香族エステ
ル、例えばN−ベンゾトリアゾールエステル、又はN−
ジアシルイミノエステル、例えばN−サクシニルイミノ
、又はN−フタリルイミノエステルである。
式(IV)のカルボン酸の反応性官能誘導体によるアシ
ル化は、好ましくは適当な塩基、例えば第三級アミン、
例えばトリ低級アルキルアミン、例えばトリメチルアミ
ン、トリエチルアミン又はエチル−ジ−イソプロピルア
ミン、N、N−ジ低級アルキルアニリン、例えばN、N
−ジメチルアニリン、N−低級アルキル化モルホリン、
例えばN−メチルモルホリン、ピリジンタイプの塩基、
例えばピリジン又はキノリン、あるいはジアザビシクロ
塩基、例えば1.5−ジアザビシクロ[5゜4.0〕ウ
ンデク−5−エン、又は無機塩基、例えばアルカリ金属
又はアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸塩又は炭酸水素
塩、例えばナトリウム、カリウム又はカルシウムの水酸
化物、炭酸塩又は炭酸水素塩の存在下で、好ましくは不
活性の特に水を含有しない非プロトン性溶剤又は溶剤混
合物、例えばカルボン酸アミド、例えばジメチルホルム
アミド、ハロゲン化炭化水素、例えば塩化メチレン、四
塩化炭素又は塩化ベンゼン、環状エーテル、例えばテト
ラヒドロフラン又はジオキサン、エステル、例えば酢酸
エチル、又はニトリル、例えばアセトニトリル、あるい
はこれらの混合物中で、場合によっては高温又は低温に
おいて、例えば約−40℃〜約+100℃、好ましくは
+50”C〜約100℃において、そして場合によって
は不活性ガス、例えば窒素ガスのもとで行う。
ル化は、好ましくは適当な塩基、例えば第三級アミン、
例えばトリ低級アルキルアミン、例えばトリメチルアミ
ン、トリエチルアミン又はエチル−ジ−イソプロピルア
ミン、N、N−ジ低級アルキルアニリン、例えばN、N
−ジメチルアニリン、N−低級アルキル化モルホリン、
例えばN−メチルモルホリン、ピリジンタイプの塩基、
例えばピリジン又はキノリン、あるいはジアザビシクロ
塩基、例えば1.5−ジアザビシクロ[5゜4.0〕ウ
ンデク−5−エン、又は無機塩基、例えばアルカリ金属
又はアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸塩又は炭酸水素
塩、例えばナトリウム、カリウム又はカルシウムの水酸
化物、炭酸塩又は炭酸水素塩の存在下で、好ましくは不
活性の特に水を含有しない非プロトン性溶剤又は溶剤混
合物、例えばカルボン酸アミド、例えばジメチルホルム
アミド、ハロゲン化炭化水素、例えば塩化メチレン、四
塩化炭素又は塩化ベンゼン、環状エーテル、例えばテト
ラヒドロフラン又はジオキサン、エステル、例えば酢酸
エチル、又はニトリル、例えばアセトニトリル、あるい
はこれらの混合物中で、場合によっては高温又は低温に
おいて、例えば約−40℃〜約+100℃、好ましくは
+50”C〜約100℃において、そして場合によって
は不活性ガス、例えば窒素ガスのもとで行う。
式(II)の化合物のアシル化はまた、適当なアシラー
ゼの存在下でも行うことができる。
ゼの存在下でも行うことができる。
式(IV)の酸の反応性官能誘導体をアシル化反応の際
に使用する場合には、この誘導体をその場で生成せしめ
ることもできる。エステル化の際に弐(H)の化合物の
トランス/シス−混合物が住する。
に使用する場合には、この誘導体をその場で生成せしめ
ることもできる。エステル化の際に弐(H)の化合物の
トランス/シス−混合物が住する。
R”の種類、使用されるカルボンM(’IV)の誘導体
及び反応条件に依存して、種々の量のシス−異性体が得
られる。シリル保護基RI&、特ニジメチル−(2,3
−ジメチルブツ−2−イル)シリル又はジメチル−te
r t−ブチルシリルを使用する場合、ジメチルホルム
アミド中ピバリン酸クロリド又は3,4−ジメトキシ安
息香酸クロリドを使用する場合、約9:1のトランス/
シス−混合物が得られる。
及び反応条件に依存して、種々の量のシス−異性体が得
られる。シリル保護基RI&、特ニジメチル−(2,3
−ジメチルブツ−2−イル)シリル又はジメチル−te
r t−ブチルシリルを使用する場合、ジメチルホルム
アミド中ピバリン酸クロリド又は3,4−ジメトキシ安
息香酸クロリドを使用する場合、約9:1のトランス/
シス−混合物が得られる。
精製は蒸留又はクロマトグラフィーにより行うことがで
きる。弐(IIb)の得られるトランス−化合物(ま、
純粋な形で、又は好ましくは式(Ila)のシス−異性
体との混合物を分離することなく次の段階に導入する。
きる。弐(IIb)の得られるトランス−化合物(ま、
純粋な形で、又は好ましくは式(Ila)のシス−異性
体との混合物を分離することなく次の段階に導入する。
驚(べきことに、クロロスルホニルイソシアネートとの
その後の反応の後、次の弐: で表わされる理論的に可能な両ジアステレオマー3.4
−シス−アゼチジノンが見出されない。
その後の反応の後、次の弐: で表わされる理論的に可能な両ジアステレオマー3.4
−シス−アゼチジノンが見出されない。
この発明はまた、中間体として得られる化合物を出発物
質として使用しそして残りの段階を実施する変法、又は
方法を任意の段階で中断する変法、あるいはこれらの組
合わせを含む。さらに、出発物質を誘導体の形で使用し
、又は場合によっては反応条件下でその場で生成せしめ
ることもできる。
質として使用しそして残りの段階を実施する変法、又は
方法を任意の段階で中断する変法、あるいはこれらの組
合わせを含む。さらに、出発物質を誘導体の形で使用し
、又は場合によっては反応条件下でその場で生成せしめ
ることもできる。
場合によっては10%以下の(3S、4S。
1′R)−ジアステレオマーを含有する式(I)の化合
物は価値ある中間体であり、この中間体はそれ自体既知
の方法により抗生物質活性を有するペネム又はカルバペ
ネム化合物に転換することができる。−R1がヒドロキ
シ保護基R+aである式(I)の化合物のその後の処理
は、式(I)の既知のアゼチジノン化合物と同様にして
、例えばT、Hayashi等、Chem、Pharm
、Bull、29.3158.1981又はヨーロッパ
特許出願ff142026(ペネムについて)又はm7
8026(カルバペネムについて)に記載されているよ
うにして行われる。
物は価値ある中間体であり、この中間体はそれ自体既知
の方法により抗生物質活性を有するペネム又はカルバペ
ネム化合物に転換することができる。−R1がヒドロキ
シ保護基R+aである式(I)の化合物のその後の処理
は、式(I)の既知のアゼチジノン化合物と同様にして
、例えばT、Hayashi等、Chem、Pharm
、Bull、29.3158.1981又はヨーロッパ
特許出願ff142026(ペネムについて)又はm7
8026(カルバペネムについて)に記載されているよ
うにして行われる。
場合によってはなお(33,43,1’R)−ジアステ
レオマーを含有する、R1が水素である式(I)のこの
発明により得られる化合物はEP215739の方法に
従ってペネム化合物に転換することができる。このヨー
ロッパ特許出願は次の式(): で表わされる化合物又はその塩の改良された製造方法に
関し、この方法は、 a)次の式(II): で表わされる化合物を、次の式(III’)ニーS−’
fニーR2< m ′> で表わされるチオカルボン酸基を導入する化合物により
処理し; b)次の式(IV’): で表わされる得られた化合物を、次の式(V’):で表
わされる苺酸半エステルのアシル基を導入するアシル化
剤により処理し; 以下余白 C)次の式(■′): で表わされる得られる化合物を三価リンの有機化合物で
処理し;そして d)次の弐(■′): 0OR1 で表わされる得られた化合物において、オキサリルエス
テル基−co−coo−R:及び所望により保81基R
4及び/又は場合によってはaRZ中に存在する保護基
R:を任意の順序で除去しそして水素で置き換え、そし
て所望により式(I)の得られた塩形成基を有する化合
物を塩に、又は得られた塩を遊離化合物に転換する。上
記化合物において、R。
レオマーを含有する、R1が水素である式(I)のこの
発明により得られる化合物はEP215739の方法に
従ってペネム化合物に転換することができる。このヨー
ロッパ特許出願は次の式(): で表わされる化合物又はその塩の改良された製造方法に
関し、この方法は、 a)次の式(II): で表わされる化合物を、次の式(III’)ニーS−’
fニーR2< m ′> で表わされるチオカルボン酸基を導入する化合物により
処理し; b)次の式(IV’): で表わされる得られた化合物を、次の式(V’):で表
わされる苺酸半エステルのアシル基を導入するアシル化
剤により処理し; 以下余白 C)次の式(■′): で表わされる得られる化合物を三価リンの有機化合物で
処理し;そして d)次の弐(■′): 0OR1 で表わされる得られた化合物において、オキサリルエス
テル基−co−coo−R:及び所望により保81基R
4及び/又は場合によってはaRZ中に存在する保護基
R:を任意の順序で除去しそして水素で置き換え、そし
て所望により式(I)の得られた塩形成基を有する化合
物を塩に、又は得られた塩を遊離化合物に転換する。上
記化合物において、R。
はメチルであり、R2は場合によっては常用の保護基R
Sにより保護されていることができる官能基を担持する
ことができる有機であり、R3は水素又は常用のカルボ
キシ保護基RL3であり、Wは式(I[[)のチオカル
ボン酸基と交換され得る基であり、そしてZは酸素又は
硫黄である。
Sにより保護されていることができる官能基を担持する
ことができる有機であり、R3は水素又は常用のカルボ
キシ保護基RL3であり、Wは式(I[[)のチオカル
ボン酸基と交換され得る基であり、そしてZは酸素又は
硫黄である。
類似の方法がEP 221846に記載されている。
式(II′)の化合物中の脱離1wはまた、この発明の
式(I)及び(II)の化合物において定義したような
基−OR”を包含する。記載された好ましいアシルオキ
シ−脱離基W1すなわちアセトキシ1、ベンゾイルオキ
シ、ニトロにより置換されたベンゾイルオキシ及びフェ
ニルアセチルオキシは、しかしながら、アゼチジノン閉
環の進行が不十分である点において、この発明のために
あまり適当ではない。他方、式(I)のこの発明の化合
物は式(■′)の化合物に容易にチオール化され、この
場合1′−ヒドロキシ基も保護され得る。式(■′)の
化合物は結晶の形で得られ、そしてそれ故に不所望の(
3R,4S、1 ’R)−ジアステレオマーから容易に
分離され得る。
式(I)及び(II)の化合物において定義したような
基−OR”を包含する。記載された好ましいアシルオキ
シ−脱離基W1すなわちアセトキシ1、ベンゾイルオキ
シ、ニトロにより置換されたベンゾイルオキシ及びフェ
ニルアセチルオキシは、しかしながら、アゼチジノン閉
環の進行が不十分である点において、この発明のために
あまり適当ではない。他方、式(I)のこの発明の化合
物は式(■′)の化合物に容易にチオール化され、この
場合1′−ヒドロキシ基も保護され得る。式(■′)の
化合物は結晶の形で得られ、そしてそれ故に不所望の(
3R,4S、1 ’R)−ジアステレオマーから容易に
分離され得る。
この発明はまた、1′−ヒドロキシ基が場合によっては
基R1mにより保護されていることができる式(■′)
の化合物の製造のための改良された方法に関し、この方
法は、式(I)の化合物を、場合によっては弐(I a
)の化合物との混合物として、式−5C(=Z)Rz
(I[’ )のチオカルボン酸基を導入する化合物で処
理することを特徴とする。
基R1mにより保護されていることができる式(■′)
の化合物の製造のための改良された方法に関し、この方
法は、式(I)の化合物を、場合によっては弐(I a
)の化合物との混合物として、式−5C(=Z)Rz
(I[’ )のチオカルボン酸基を導入する化合物で処
理することを特徴とする。
式(I′)の基を導入する化合物は対応するチオカルボ
ン酸)!−3−C(=Z)−Rz自体、又はその塩、例
えばアルカリ金属塩、例えばナトリウム塩又はカリウム
塩である。
ン酸)!−3−C(=Z)−Rz自体、又はその塩、例
えばアルカリ金属塩、例えばナトリウム塩又はカリウム
塩である。
置換は有機溶剤中、例えば低級アルカノール、例えばメ
タノール又はエタノール、低級アルカノン、例えばアセ
トン、低級アルカンカルボン酸アミド、例えばジメチル
ホルムアミド、環状エーテル、例えばテトラヒドロフラ
ン又はジオキサン、あるいは類似の不活性溶剤中で行う
ことができる。
タノール又はエタノール、低級アルカノン、例えばアセ
トン、低級アルカンカルボン酸アミド、例えばジメチル
ホルムアミド、環状エーテル、例えばテトラヒドロフラ
ン又はジオキサン、あるいは類似の不活性溶剤中で行う
ことができる。
反応は通常は室温にて行われるが、しかしながらより高
い又はより低い温度、例えば約り℃〜約40℃で行うこ
とができる。
い又はより低い温度、例えば約り℃〜約40℃で行うこ
とができる。
導入される基−3−C(=Z)〜R2は基R,−CH(
0)1)−によりもっばらトランス−位に向けられる。
0)1)−によりもっばらトランス−位に向けられる。
式(■′)の化合物は容易に結晶化し、そしてそれによ
り、場合によっては存在する式(I a)の化合物から
生成した(3R,43,1’R)−ジアステレオマーを
含有しなくなる。
り、場合によっては存在する式(I a)の化合物から
生成した(3R,43,1’R)−ジアステレオマーを
含有しなくなる。
この発明はまた式(I)の新規化合物に関し、この化合
物は場合によっては弐(I a)の(3s。
物は場合によっては弐(I a)の(3s。
43.1’R)−ジアステレオマーとの混合物として存
在する。混合物においてI化合物とIa化合物との比は
>10:1である。
在する。混合物においてI化合物とIa化合物との比は
>10:1である。
この発明はまた、場合によっては式(I a)の(33
,4S、1’R)−ジアステレオマーとの混合物である
式(Hの化合物の使用であって、a)式(I)の化合物
又はこれと式N a)の化合物との混合物を次の式(I
il’):l −3−C−R2(m ’ ) (式中、Zは酸素又は硫黄である) で表わされるチオカルボン酸基を導入する化合物で処理
し; b)次の式(IV’): で表わされる得られる化合物を、次の式(V’):で表
わされるNu半エステルのアシル基を4人する薬剤で処
理し; C)次の式(■′): で表わされる得られる化合物を三価リンの有機化合物で
処理し;そして d)次の式(■′): C0OR; で表わされる得られる化合物において、オキサリルエス
テル基−co−coo−RH及び所望により保護基R;
及び/又は場合によっては基R2中に存在する保護基R
=を任意の順序で除去し、そして水素で置き換え、そし
て所望により、塩形成基を有する式(I)の得られる化
合物を塩に、又は得られる塩を遊離化合物に転換するこ
とを特徴とする方法に関する。
,4S、1’R)−ジアステレオマーとの混合物である
式(Hの化合物の使用であって、a)式(I)の化合物
又はこれと式N a)の化合物との混合物を次の式(I
il’):l −3−C−R2(m ’ ) (式中、Zは酸素又は硫黄である) で表わされるチオカルボン酸基を導入する化合物で処理
し; b)次の式(IV’): で表わされる得られる化合物を、次の式(V’):で表
わされるNu半エステルのアシル基を4人する薬剤で処
理し; C)次の式(■′): で表わされる得られる化合物を三価リンの有機化合物で
処理し;そして d)次の式(■′): C0OR; で表わされる得られる化合物において、オキサリルエス
テル基−co−coo−RH及び所望により保護基R;
及び/又は場合によっては基R2中に存在する保護基R
=を任意の順序で除去し、そして水素で置き換え、そし
て所望により、塩形成基を有する式(I)の得られる化
合物を塩に、又は得られる塩を遊離化合物に転換するこ
とを特徴とする方法に関する。
次に、例によりこの発明をさらに具体的に説明するが、
これによりこの発明の範囲を限定するものではない。
これによりこの発明の範囲を限定するものではない。
34.5a/のジメチルホルムアミド及び41.1+a
Z(295mmole)のトリエチルアミン中18.7
g (81,3mmole)のC3R)−3−(ジメ
チル(2,3−ジメチルブツ−2−イル)シリルオキシ
コブチルアルデヒドの溶液に25.8m (210mn
+ole)のピバリン酸クロリドを添加する0反応混合
物を窒素雰囲気下で、90〜100℃の浴温にて20.
5時間撹拌する。黒褐色の懸濁液を150−のn−ヘキ
サン及び60−の水で処理する。有機相を硫酸ナトリウ
ムで乾燥し、真空蒸発せしめ、そして黒色の残渣を短い
Vigreuxカラム上で高真空蒸留により精製する。
Z(295mmole)のトリエチルアミン中18.7
g (81,3mmole)のC3R)−3−(ジメ
チル(2,3−ジメチルブツ−2−イル)シリルオキシ
コブチルアルデヒドの溶液に25.8m (210mn
+ole)のピバリン酸クロリドを添加する0反応混合
物を窒素雰囲気下で、90〜100℃の浴温にて20.
5時間撹拌する。黒褐色の懸濁液を150−のn−ヘキ
サン及び60−の水で処理する。有機相を硫酸ナトリウ
ムで乾燥し、真空蒸発せしめ、そして黒色の残渣を短い
Vigreuxカラム上で高真空蒸留により精製する。
沸点96〜100℃/ 0.1 Torr、標記化合物
が透明な黄色液として、360MHz−’H−NMR−
スペクトルによれば88:12の比率のE/Z−異性体
の混合物として得られる。
が透明な黄色液として、360MHz−’H−NMR−
スペクトルによれば88:12の比率のE/Z−異性体
の混合物として得られる。
IR(C8ICIlz)2970 、2B80 、1
740 、1140゜主成分の’H−NMR(601’
lHz、CDCl s)は特に、7.2ppm+(l)
l、d、J=1211z): 5.4ppm (I)1
dXd、J+=12Hz、 Jz=6tlz) 。
740 、1140゜主成分の’H−NMR(601’
lHz、CDCl s)は特に、7.2ppm+(l)
l、d、J=1211z): 5.4ppm (I)1
dXd、J+=12Hz、 Jz=6tlz) 。
4.3pps+(IB、、5−直線系)のシグナルを示
す。
す。
出発物質は次の様にして製造することができる。
天火
21−のジメチルホルムアシド中27.9 g (21
1,2mmole)の(3R)−3−ヒドロキシ酪酸エ
チルエステルの溶液を25.8 g C379n+a+
ole)のイミダゾール及び45 g (253,5n
+n+ole)のジメチル−(2,3−ジメチルブツ−
2−イル)−クロルシランと反応せしめる。氷/水によ
り最初に冷却して20℃の反応温度を保持し、そして次
に18時間室温にて攪拌する。反応混合物に250−の
酢酸エチル及び50−の水を加える。有機相を分離した
後、これを50a!ずつの水で3回洗浄し、硫酸ナトリ
ウムで乾燥し、そして真空蒸発せしめる。粗生成物を高
真空蒸留により精製する。沸点60℃10.05Tor
r。
1,2mmole)の(3R)−3−ヒドロキシ酪酸エ
チルエステルの溶液を25.8 g C379n+a+
ole)のイミダゾール及び45 g (253,5n
+n+ole)のジメチル−(2,3−ジメチルブツ−
2−イル)−クロルシランと反応せしめる。氷/水によ
り最初に冷却して20℃の反応温度を保持し、そして次
に18時間室温にて攪拌する。反応混合物に250−の
酢酸エチル及び50−の水を加える。有機相を分離した
後、これを50a!ずつの水で3回洗浄し、硫酸ナトリ
ウムで乾燥し、そして真空蒸発せしめる。粗生成物を高
真空蒸留により精製する。沸点60℃10.05Tor
r。
標記化合物を無色液体として得る。
〔α) o = 23” (c=0.6. CHCf
fx)。IR(CthCl g)2960 、2870
、1730 、1375 、1300 、11B5
、1000 、835゜820゜ 窒素雰囲気下で、30.9 g (I12,7smol
e)の(3R)−3−〔ジメチル(2,3−ジメチルブ
ツ−2−イル)シリルオキシ〕酪酸エチルエステルを1
40−のn−ヘキサンに溶解する。−70℃の内部温度
において、113.5rn!のヘキサン中IMジイソブ
チルアルミニウムヒドリドの溶液を滴加する。こうして
内部温度が一50℃より高くならないようにする。−7
0℃にて45分間攪拌した後、23艷の純エタノールを
、そして次に46m1のエタノール/水(I: 1)を
−60℃〜−70℃において滴加する。反応混合物を1
.5時間にわたり室温以上に加温し、200gの硫酸ナ
トリウムを加え、そしてさらに10分間攪拌する。ハイ
フロ及び硫酸ナトリウム上での2回の濾過の後、透明な
液体を真空蒸発せしめ、°そして粗生成物を短いVig
reuxカラムでの高真空蒸留により精製する。沸点6
9℃/ 0.3 Torr。標記化合物を無色の液体と
して得る。
fx)。IR(CthCl g)2960 、2870
、1730 、1375 、1300 、11B5
、1000 、835゜820゜ 窒素雰囲気下で、30.9 g (I12,7smol
e)の(3R)−3−〔ジメチル(2,3−ジメチルブ
ツ−2−イル)シリルオキシ〕酪酸エチルエステルを1
40−のn−ヘキサンに溶解する。−70℃の内部温度
において、113.5rn!のヘキサン中IMジイソブ
チルアルミニウムヒドリドの溶液を滴加する。こうして
内部温度が一50℃より高くならないようにする。−7
0℃にて45分間攪拌した後、23艷の純エタノールを
、そして次に46m1のエタノール/水(I: 1)を
−60℃〜−70℃において滴加する。反応混合物を1
.5時間にわたり室温以上に加温し、200gの硫酸ナ
トリウムを加え、そしてさらに10分間攪拌する。ハイ
フロ及び硫酸ナトリウム上での2回の濾過の後、透明な
液体を真空蒸発せしめ、°そして粗生成物を短いVig
reuxカラムでの高真空蒸留により精製する。沸点6
9℃/ 0.3 Torr。標記化合物を無色の液体と
して得る。
(α)、=−9,0°(c”0.5.CHCl 3)。
IR(CHzCl z)2970 、2880 、1?
30 、1390 、1030 、840゜上 15gのジメチルホルムアミド及び5.2 g (51
,5o+mole)のトリエチルアミン中3.2 g’
(I3,9mmola)の(3R)−3−(ジメチル(
2,3−ジメチルブツ−2−イル)シリルオキシコブチ
ルアルデヒドの)容液に6.8 g (34mmole
)の3.4−ジメトキシ安息香酸クロリドを添加し、そ
して次に95℃の浴温にて17時間攪拌する。50m1
のヘキサン及び50−の水を添加し、有機相を分離し、
そして20−ずつの水で4回洗浄し、硫酸ナトリウムで
乾燥し、そして真空蒸発せしめる。残渣を250gのシ
リカゲル上トルエン/酢酸エチル(9:1)でクロマト
グラフ精製し、標記化合物を無色油状物として得る。
30 、1390 、1030 、840゜上 15gのジメチルホルムアミド及び5.2 g (51
,5o+mole)のトリエチルアミン中3.2 g’
(I3,9mmola)の(3R)−3−(ジメチル(
2,3−ジメチルブツ−2−イル)シリルオキシコブチ
ルアルデヒドの)容液に6.8 g (34mmole
)の3.4−ジメトキシ安息香酸クロリドを添加し、そ
して次に95℃の浴温にて17時間攪拌する。50m1
のヘキサン及び50−の水を添加し、有機相を分離し、
そして20−ずつの水で4回洗浄し、硫酸ナトリウムで
乾燥し、そして真空蒸発せしめる。残渣を250gのシ
リカゲル上トルエン/酢酸エチル(9:1)でクロマト
グラフ精製し、標記化合物を無色油状物として得る。
Rf=0.65 (メルク薄層)、トルエン/酢酸エチ
ル(I: 1) 、発色剤ヨウ素。360M)lz−’
H−NMRスペクトルは85 : 15の比率のE/Z
−異性体混合物を示す、 IR(CH2(l□)29
60 、2870 、2840 、1?20゜1600
、1510 、1220゜主成分の’H−NMR(6
0MH2。
ル(I: 1) 、発色剤ヨウ素。360M)lz−’
H−NMRスペクトルは85 : 15の比率のE/Z
−異性体混合物を示す、 IR(CH2(l□)29
60 、2870 、2840 、1?20゜1600
、1510 、1220゜主成分の’H−NMR(6
0MH2。
CDCl 3)は5.56ppm(I)1.dXd、J
+ =12)1z、 h=6Hz)。
+ =12)1z、 h=6Hz)。
4.4ppmCIll、5−直線系)、3.86ppn
+(6H,s)のシグナルを示す。
+(6H,s)のシグナルを示す。
以下余白
1、 3R,4R,1’R)−3−(I−4ジ150
mZのエーテル中15.7g (50mmole)の(
3R)−3−(ジメチル(2,3−ジメチルブツ−2−
イル)シリルオキシコブター1−エン−1−イルーピバ
ロエート(E : Z =88 : 12)の溶液をア
ルゴン雰囲気下で一60℃に冷却し、十分に攪拌しなか
ら°、10−のトルエン中合計10ml(I10m1(
I14のクロロスルホニルイソシアネートの溶液を2回
に分けて15分間ずつにわたり1時間を隔てて滴加し、
そして次に+4℃にて19時間反応せしめる。次に、−
50℃〜−55℃に冷却し、200−のトルエンを、次
に30分間にわたりよく攪拌しながら、300艷のトル
エン中3.5Mナトリウムジヒドロ−ビス−(2−メト
キシエトキシ)−アルミネート31−を添加し、そして
−50℃にて1時゛間反応せしめる。この反応混合物を
、1.251のIM酒石酸カリウムナトリウム水溶液及
び1.251のトルエンの水冷混合物に注加し、そして
20分間激しく攪拌する。ハイフロ上で濾過した後、有
機相を分離し、塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し
、そして真空濃縮する。残渣を、1、5 kgのシリカ
ゲル上でまず102のトルエン/酢酸エチル(95:
5)そして次に51のトルエン/酢酸エチル(4:1)
によりクロマトグラフ精製する。合計II!の画分を集
める。画分7〜10が(3R,4R,1’ R)−配置
及び(3S。
mZのエーテル中15.7g (50mmole)の(
3R)−3−(ジメチル(2,3−ジメチルブツ−2−
イル)シリルオキシコブター1−エン−1−イルーピバ
ロエート(E : Z =88 : 12)の溶液をア
ルゴン雰囲気下で一60℃に冷却し、十分に攪拌しなか
ら°、10−のトルエン中合計10ml(I10m1(
I14のクロロスルホニルイソシアネートの溶液を2回
に分けて15分間ずつにわたり1時間を隔てて滴加し、
そして次に+4℃にて19時間反応せしめる。次に、−
50℃〜−55℃に冷却し、200−のトルエンを、次
に30分間にわたりよく攪拌しながら、300艷のトル
エン中3.5Mナトリウムジヒドロ−ビス−(2−メト
キシエトキシ)−アルミネート31−を添加し、そして
−50℃にて1時゛間反応せしめる。この反応混合物を
、1.251のIM酒石酸カリウムナトリウム水溶液及
び1.251のトルエンの水冷混合物に注加し、そして
20分間激しく攪拌する。ハイフロ上で濾過した後、有
機相を分離し、塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し
、そして真空濃縮する。残渣を、1、5 kgのシリカ
ゲル上でまず102のトルエン/酢酸エチル(95:
5)そして次に51のトルエン/酢酸エチル(4:1)
によりクロマトグラフ精製する。合計II!の画分を集
める。画分7〜10が(3R,4R,1’ R)−配置
及び(3S。
4S、l’R)−配置のジアステレオマーの>10:1
混合物として標記化合物を含有する。
混合物として標記化合物を含有する。
(cr) D =+36°(C= 0.5 、CHCl
、)。融点46℃〜50℃。IR(C)H2Cl 、)
3400 、2950 、2860 、1785 。
、)。融点46℃〜50℃。IR(C)H2Cl 、)
3400 、2950 、2860 、1785 。
1725 、1130゜(3R,4R,1’ R)−異
性体の360MI(z−J−’N?tR(CDCl 3
)における特性シグナルは5.79ppm(ill、d
、J=1.5Hz) 、 3.19ppm(III、d
xd、J+=3.9Hz、Jz=1.5)1z) 、
1.26ppm(3H,d、J=711z)に存在する
。他のクロマトグラフィー及び−50℃におげろへキサ
ンからの2回の再結晶により純粋な形の標記化合物が得
られる。融点70℃〜72℃。
性体の360MI(z−J−’N?tR(CDCl 3
)における特性シグナルは5.79ppm(ill、d
、J=1.5Hz) 、 3.19ppm(III、d
xd、J+=3.9Hz、Jz=1.5)1z) 、
1.26ppm(3H,d、J=711z)に存在する
。他のクロマトグラフィー及び−50℃におげろへキサ
ンからの2回の再結晶により純粋な形の標記化合物が得
られる。融点70℃〜72℃。
〔α)D”=+47°(c = 0.5. CHCR3
)。
)。
ソー2−オン
15−のエーテル中2.0 g (511mole)の
(3R)−3−〔ジメチル(2,3−ジメチルブツ−2
−イル)シリルオキシコブター1−エン−1−イル−3
,4−ジメトキシベンゾニー)(E:Z=85 : 1
5)の溶液をアルゴン雰囲気下にて一60゛Cに冷却す
る。十分に攪拌しながら、これにIInIのトルエン中
1 ml (I1,5mmole)のクロロスルホニル
イソシアネートの溶液を滴加し、そして次に+4°Cに
て200時間反応しめる。次に一60℃に冷却し、20
m/のトルエンを加え、次に30m7のトルエン中3.
1−の3.5Mナトリウムジヒドロ−ビス−(2−メト
キシエトキシ)−アルミナートの溶液を滴加し、そして
−50℃にて1時間反応せしめる。反応混合物を、25
0−のトルエン及び250dの0.1 M酒石酸カリウ
ムナトリウム水溶液に注加しそして全体を激しく攪拌す
る。次にハイフロ上で濾過し、有機相を分離し、塩水に
より洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、そして真空濃縮
する。残渣を150 gのシリカゲル上でトルエン/酢
酸エチル(9:1)によりクロマトグラフ精製する。画
分28−36が粘稠な標記化合物を(3S。
(3R)−3−〔ジメチル(2,3−ジメチルブツ−2
−イル)シリルオキシコブター1−エン−1−イル−3
,4−ジメトキシベンゾニー)(E:Z=85 : 1
5)の溶液をアルゴン雰囲気下にて一60゛Cに冷却す
る。十分に攪拌しながら、これにIInIのトルエン中
1 ml (I1,5mmole)のクロロスルホニル
イソシアネートの溶液を滴加し、そして次に+4°Cに
て200時間反応しめる。次に一60℃に冷却し、20
m/のトルエンを加え、次に30m7のトルエン中3.
1−の3.5Mナトリウムジヒドロ−ビス−(2−メト
キシエトキシ)−アルミナートの溶液を滴加し、そして
−50℃にて1時間反応せしめる。反応混合物を、25
0−のトルエン及び250dの0.1 M酒石酸カリウ
ムナトリウム水溶液に注加しそして全体を激しく攪拌す
る。次にハイフロ上で濾過し、有機相を分離し、塩水に
より洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、そして真空濃縮
する。残渣を150 gのシリカゲル上でトルエン/酢
酸エチル(9:1)によりクロマトグラフ精製する。画
分28−36が粘稠な標記化合物を(3S。
4S、1’R)−配置のジアステレオマーとの>10:
1混合物として含有する。
1混合物として含有する。
(α) o =+48°(c=0.5+ CHCl3)
、 IR(CHzC1!z)’410 、2960
、2870 、2840 、1785 、1?10 、
1600 、1175゜1135 、1100 、10
25゜(3R,4R,1’R)−異性体の360−Ml
lz−’H−NMR(CDCI J中の特性シグナル:
6.07ppm(ill、d、J=1.511z);
3.34ppm(IH,dxd、J+=3.9tlz、
Jz=1.5Hz):1.32(3H,d、J=6.5
Hz)。
、 IR(CHzC1!z)’410 、2960
、2870 、2840 、1785 、1?10 、
1600 、1175゜1135 、1100 、10
25゜(3R,4R,1’R)−異性体の360−Ml
lz−’H−NMR(CDCI J中の特性シグナル:
6.07ppm(ill、d、J=1.511z);
3.34ppm(IH,dxd、J+=3.9tlz、
Jz=1.5Hz):1.32(3H,d、J=6.5
Hz)。
−アゼチジン−2−オン
0、9 m7のl N NaOH水溶液中226.3m
g (0,9mmole)のN−シンナミルオキシカル
ボニルチオグリシンの溶液を0.1 N HC1水溶液
によりp)18に調整し、そして25℃にて窒素雰囲気
下で、0.75m1のアセ 。
g (0,9mmole)のN−シンナミルオキシカル
ボニルチオグリシンの溶液を0.1 N HC1水溶液
によりp)18に調整し、そして25℃にて窒素雰囲気
下で、0.75m1のアセ 。
トコトリル中160.8mg (0,45mmole)
の(3R14R,1’R)−3−(I−(ジメチル(2
,3−ジメチルブツ−2−イル)シリルオキシ〕エチル
)−4−ピバロイルオキシアゼチジン−2−オン(例3
からの>10:1混合物)に滴加する。
の(3R14R,1’R)−3−(I−(ジメチル(2
,3−ジメチルブツ−2−イル)シリルオキシ〕エチル
)−4−ピバロイルオキシアゼチジン−2−オン(例3
からの>10:1混合物)に滴加する。
0、 I N NaOH水溶液を1滴添加した後、25
°Cにて20分間攪拌する。20−の酢酸エチル及び1
〇−の塩水を反応混合物と共に振とうする。有機相を分
離し、5−の5%NaHCO1水溶液、及び5mlの塩
水で2回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、そしてロー
タリーエバポレーターで溶剤を除去する。
°Cにて20分間攪拌する。20−の酢酸エチル及び1
〇−の塩水を反応混合物と共に振とうする。有機相を分
離し、5−の5%NaHCO1水溶液、及び5mlの塩
水で2回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、そしてロー
タリーエバポレーターで溶剤を除去する。
残渣を6gのシリカゲル上でトルエン/酢酸エチル9;
1〜4:1によりすぐにクロマトグラフ精製する。融点
98℃〜100℃(石油エーテル/CHzCRz)の標
記化合物を得る。
1〜4:1によりすぐにクロマトグラフ精製する。融点
98℃〜100℃(石油エーテル/CHzCRz)の標
記化合物を得る。
〔α〕。=+87°(C= 0.5. CHCl 3)
。IR(CH2CI!□)3440.3400.29ε
0.1775.1730.1695.1505.965
゜945 。
。IR(CH2CI!□)3440.3400.29ε
0.1775.1730.1695.1505.965
゜945 。
10−のアセトニトリル中285.6mg (0,8+
nmole)の(3R,4R,1’R)−3−(I−(
ジメチル(2,3−ジメチルブツ−2−イル)シリルオ
キシ〕エチル)−4−ピバロイルオキシアゼチジン−2
−オンの溶液に、室温にて4−の48%弗化水素酸水溶
液を加える。1時間撹拌した後、反応混合物を150−
の塩化メチレンで稀釈し、そして8gの炭酸水素ナトリ
ウムで中和する。10gの硫酸ナトリウムを添加した後
、濾過し、そして濾液を真空濃縮する。残渣を、6gの
シリカゲル上でトルエン/酢酸エチル(I: 1)でク
ロマトグラフ精製し、標記化合物を得る。融点131℃
〜133℃(CihCl z /石油エーテル)。〔α
〕。=+48(c”’0.5. CHI!x)、 I
R(CHzC1’z)3400,2950゜2920
、2860 、17B0 、1725 、1135゜氾
(3S、4R,1’R)−3−(i−ヒト−2−オン 0.54m1のIN水酸化ナトリウム水溶液中1u6m
g(0,54mmo le)のN−シンナミルオキシカ
ルボニルチオグリシンの溶液を0. I N l1tJ
’水溶液によりpH8に調整し、そして25℃にて窒素
雰囲気下で、0.9−のアセトニトリル中9 a ug
(0,45mmole>の(3R,4R,1’R)−3
−(I−ヒドロキシエチル)−4−ピバロイルオキシア
ゼチジン−2−オンに加える。0.IN水酸化ナトリウ
ム水’18 ?’1を1滴加えた後、20分間攪拌し、
そして次に例5の場合のように処理する。粗生成物をシ
リカゲル上トルエン/酢酸エチル(3: 2)でクロマ
トグラフ精製した後、標記化合物を得る。融点100℃
〜101’c (ジイソプロピルエーテル/CH2Cf
2)。
nmole)の(3R,4R,1’R)−3−(I−(
ジメチル(2,3−ジメチルブツ−2−イル)シリルオ
キシ〕エチル)−4−ピバロイルオキシアゼチジン−2
−オンの溶液に、室温にて4−の48%弗化水素酸水溶
液を加える。1時間撹拌した後、反応混合物を150−
の塩化メチレンで稀釈し、そして8gの炭酸水素ナトリ
ウムで中和する。10gの硫酸ナトリウムを添加した後
、濾過し、そして濾液を真空濃縮する。残渣を、6gの
シリカゲル上でトルエン/酢酸エチル(I: 1)でク
ロマトグラフ精製し、標記化合物を得る。融点131℃
〜133℃(CihCl z /石油エーテル)。〔α
〕。=+48(c”’0.5. CHI!x)、 I
R(CHzC1’z)3400,2950゜2920
、2860 、17B0 、1725 、1135゜氾
(3S、4R,1’R)−3−(i−ヒト−2−オン 0.54m1のIN水酸化ナトリウム水溶液中1u6m
g(0,54mmo le)のN−シンナミルオキシカ
ルボニルチオグリシンの溶液を0. I N l1tJ
’水溶液によりpH8に調整し、そして25℃にて窒素
雰囲気下で、0.9−のアセトニトリル中9 a ug
(0,45mmole>の(3R,4R,1’R)−3
−(I−ヒドロキシエチル)−4−ピバロイルオキシア
ゼチジン−2−オンに加える。0.IN水酸化ナトリウ
ム水’18 ?’1を1滴加えた後、20分間攪拌し、
そして次に例5の場合のように処理する。粗生成物をシ
リカゲル上トルエン/酢酸エチル(3: 2)でクロマ
トグラフ精製した後、標記化合物を得る。融点100℃
〜101’c (ジイソプロピルエーテル/CH2Cf
2)。
〔α〕n =+112” (c=0.42.CHCj!
3)、 IR(CHzCI!z)3440 、340
0 、2970 、17?5 、1730 、1700
、1510 、970゜以下余白 ]」ユ (5R,63,1’R)−6−(I’−ヒ2.
3−の塩化メチレン中310q (0,852m+5o
le)の(3S、4R,1’R)−3−(I’−ヒドロ
キシエチル)−4−(N−シンナミルオキシカルボニル
グリシルチオ)−2−アゼチジノン(例7)の溶液に、
攪拌しそして水分を遮断しながら−10”C〜−15℃
にて、0.216m/ (I,76mo+ole)の新
しく蒸留した蓚酸アリルエステルクロリド及び0.30
1rJ (I,75mmole)のN−エチル−ジイソ
プロピルアミンを次々に添加し、そして−10℃にてさ
らに10分間攪拌する。IR(C1hC12)は182
0ロー1に特徴的なオキサリミドー力ルボニル吸収を示
す。反応混合物を2dのCH2CI Zで稀釈し、そし
て4!n!の水性緩衝液で2回洗浄する。水性画分をC
HiCl zで1回抽出する。一層にした有機相をNa
zSOiで乾燥し、真空蒸発せしめ、そして粗生成物を
畜真空下で乾燥する。(3S、4R,1’R)−2−(
4−(N−シンナミルオキシカルボニルグリシルチオ)
−3−(I’−了りルオキシオキサリルオキシエチル)
−2−オキソ−1−アゼチジニル〕−2−オキソ酢酸ア
リルエステル(IR(C)IzCl 2)する得られた
樹脂状残渣を0.37mZのジオキサンに溶解し、そし
てN2−雰囲気下、室温にて0.51m7(2,1mm
ole)のトリイソプロピルホスファイトと混合する。
3)、 IR(CHzCI!z)3440 、340
0 、2970 、17?5 、1730 、1700
、1510 、970゜以下余白 ]」ユ (5R,63,1’R)−6−(I’−ヒ2.
3−の塩化メチレン中310q (0,852m+5o
le)の(3S、4R,1’R)−3−(I’−ヒドロ
キシエチル)−4−(N−シンナミルオキシカルボニル
グリシルチオ)−2−アゼチジノン(例7)の溶液に、
攪拌しそして水分を遮断しながら−10”C〜−15℃
にて、0.216m/ (I,76mo+ole)の新
しく蒸留した蓚酸アリルエステルクロリド及び0.30
1rJ (I,75mmole)のN−エチル−ジイソ
プロピルアミンを次々に添加し、そして−10℃にてさ
らに10分間攪拌する。IR(C1hC12)は182
0ロー1に特徴的なオキサリミドー力ルボニル吸収を示
す。反応混合物を2dのCH2CI Zで稀釈し、そし
て4!n!の水性緩衝液で2回洗浄する。水性画分をC
HiCl zで1回抽出する。一層にした有機相をNa
zSOiで乾燥し、真空蒸発せしめ、そして粗生成物を
畜真空下で乾燥する。(3S、4R,1’R)−2−(
4−(N−シンナミルオキシカルボニルグリシルチオ)
−3−(I’−了りルオキシオキサリルオキシエチル)
−2−オキソ−1−アゼチジニル〕−2−オキソ酢酸ア
リルエステル(IR(C)IzCl 2)する得られた
樹脂状残渣を0.37mZのジオキサンに溶解し、そし
てN2−雰囲気下、室温にて0.51m7(2,1mm
ole)のトリイソプロピルホスファイトと混合する。
室温にて15時間の後、IRにおいてもはやオキサリミ
ドを確認することができない(I820cm−’のバン
ト)。
ドを確認することができない(I820cm−’のバン
ト)。
真空(原管、0. I Torr)において、反応混合
物から過剰のホスファイト及びホスフェートを除去する
。
物から過剰のホスファイト及びホスフェートを除去する
。
環化のため、残留する粗ホスホランを3.3−のジオキ
サンに溶解し、そして12時間100℃にて攪拌する。
サンに溶解し、そして12時間100℃にて攪拌する。
(5R,6S、1’R)−2−シンナミルオキシカルボ
ニルアミノメチル−6−(I’−(アリルオキシオキサ
リルオキシ)エチル〕−2−ベネム−3−カルボン酸エ
チルエステルを含有する反応混合物〔分析のため、粗環
化生成物のサンプルをシリカゲル上トルエン/酢酸エチ
ル(9: 1 ) ニヨリ精’Jtル;融点87℃〜8
8℃、Uv(EtOll)315nm 、 IR(C
!izc l z)3440(N!I) 、 1795
。
ニルアミノメチル−6−(I’−(アリルオキシオキサ
リルオキシ)エチル〕−2−ベネム−3−カルボン酸エ
チルエステルを含有する反応混合物〔分析のため、粗環
化生成物のサンプルをシリカゲル上トルエン/酢酸エチ
ル(9: 1 ) ニヨリ精’Jtル;融点87℃〜8
8℃、Uv(EtOll)315nm 、 IR(C
!izc l z)3440(N!I) 、 1795
。
1770 、1745 、1720(C) )を真空下
室温にて蒸発せしめ、そして残渣を0℃にて4m7のメ
タノールに溶解する。次に、2−の5%NaHCOJ[
を0℃にて滴加する。15分間の後、2mgの水を滴加
し、そして30分間沈澱した標記化合物を濾取し、そし
てメタノールから再結晶化せしめる。融点178’c−
180°C0 1−のテトラヒF D 7 ’y 7中48 mg(0
,108m+5ole)の(5R,63,1’R)−6
−(I’−ヒドロキシエチル)−2−シンナミルオキシ
カルボニルアミノメチル−2−ペネム−3−カルボン成
子りルエステル及び22.3mg (0,159mmo
le)のジメドンの溶液を窒素により5分間洗浄し、そ
して窒素雰囲気下室温において1.6■のテトラキスト
リフェニルホスフィン−パラジウムと混合する。約30
分の後、標記化合物が沈澱を始める。さらに2.5時間
攪拌した後、生成物を濾取し、テトラヒドロフランでよ
く洗浄し、そして高真空において乾燥する。Rf=0.
50 (TLCtho、0PTI IJPC+z);1
iV(JO)+osnmの標記化合物を得る。
室温にて蒸発せしめ、そして残渣を0℃にて4m7のメ
タノールに溶解する。次に、2−の5%NaHCOJ[
を0℃にて滴加する。15分間の後、2mgの水を滴加
し、そして30分間沈澱した標記化合物を濾取し、そし
てメタノールから再結晶化せしめる。融点178’c−
180°C0 1−のテトラヒF D 7 ’y 7中48 mg(0
,108m+5ole)の(5R,63,1’R)−6
−(I’−ヒドロキシエチル)−2−シンナミルオキシ
カルボニルアミノメチル−2−ペネム−3−カルボン成
子りルエステル及び22.3mg (0,159mmo
le)のジメドンの溶液を窒素により5分間洗浄し、そ
して窒素雰囲気下室温において1.6■のテトラキスト
リフェニルホスフィン−パラジウムと混合する。約30
分の後、標記化合物が沈澱を始める。さらに2.5時間
攪拌した後、生成物を濾取し、テトラヒドロフランでよ
く洗浄し、そして高真空において乾燥する。Rf=0.
50 (TLCtho、0PTI IJPC+z);1
iV(JO)+osnmの標記化合物を得る。
a)0.2−の水中191.3mg (0,54mmo
le)のN−アリルオキシカルボニルチオグリシンのジ
シクロヘキシルアンモニウム塩の溶液に0.54−のl
NNaOH水溶液を加え、そして1rnlの塩化メチレ
ンで2回抽出する。水相を0.1 N HC1水溶液で
pl!7〜8に調整する。生ずるチオール酸水溶液を2
5℃にて、0.75−のア七ト二トリル中160.8■
(0,45mmole)の(3R,4R,−1’ R)
−3−(I−〔ジメチル(2,3−ジメチルブツ−2−
イル)シリルオキシ〕−エチル)−4−ピバロイルオキ
シアゼチジン−2−オン(例3からの>10:1混合¥
yJ)の溶液に、窒素雰囲気下で添加する。
le)のN−アリルオキシカルボニルチオグリシンのジ
シクロヘキシルアンモニウム塩の溶液に0.54−のl
NNaOH水溶液を加え、そして1rnlの塩化メチレ
ンで2回抽出する。水相を0.1 N HC1水溶液で
pl!7〜8に調整する。生ずるチオール酸水溶液を2
5℃にて、0.75−のア七ト二トリル中160.8■
(0,45mmole)の(3R,4R,−1’ R)
−3−(I−〔ジメチル(2,3−ジメチルブツ−2−
イル)シリルオキシ〕−エチル)−4−ピバロイルオキ
シアゼチジン−2−オン(例3からの>10:1混合¥
yJ)の溶液に、窒素雰囲気下で添加する。
0、 I N Na01]水溶液を添加し、そして25
℃にて45分間攪拌する。15−の酢酸エチルを分液漏
斗に加え、これに反応混合物を加える。よく攪拌しそし
て有機層を分離した後、5rdの5%NaHCO。
℃にて45分間攪拌する。15−の酢酸エチルを分液漏
斗に加え、これに反応混合物を加える。よく攪拌しそし
て有機層を分離した後、5rdの5%NaHCO。
水溶液及び5−の塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥
し、そしてロータリーエバポレーターで濃縮する。粗生
成物を6gのシリカゲル上でトルエン/酢酸エチル9:
1〜4:1によりクロマトグラフ精製する。融点78℃
〜79℃(石油エーテル)の標記化合物を得る。
し、そしてロータリーエバポレーターで濃縮する。粗生
成物を6gのシリカゲル上でトルエン/酢酸エチル9:
1〜4:1によりクロマトグラフ精製する。融点78℃
〜79℃(石油エーテル)の標記化合物を得る。
((r) o ’=+ 108°(C=0.5. CH
Cl3)、 Rf=0.43(メルク薄層板)、トルエ
ン/酢酸エチル1:1、ニンヒドリン発色。
Cl3)、 Rf=0.43(メルク薄層板)、トルエ
ン/酢酸エチル1:1、ニンヒドリン発色。
同じ化合物を次の様にして製造することもてきる。
b) 方法a)と同様にして、131.3mg (0,
3+amole)の(3R,4R,1’ R)−3−(
I−〔ジメチル(2,3−ジメチルブツ−2−イル)シ
リルオキシ〕−エチル)−4−(3,4−ジメトキシベ
ンゾイルオキシ)アゼチジン−2−オン(例4からの>
10:1混合物)から出発し、粗生成物のクロマトグラ
フ精製(シリカゲル、トルエン/酢酸エチル8:1〜4
:1)の後に得られる。
3+amole)の(3R,4R,1’ R)−3−(
I−〔ジメチル(2,3−ジメチルブツ−2−イル)シ
リルオキシ〕−エチル)−4−(3,4−ジメトキシベ
ンゾイルオキシ)アゼチジン−2−オン(例4からの>
10:1混合物)から出発し、粗生成物のクロマトグラ
フ精製(シリカゲル、トルエン/酢酸エチル8:1〜4
:1)の後に得られる。
9−の塩化メチレン中692N (I,6mmole)
の(3S、4R,1’R)−3−(I’−(ジメチル−
2,3−ジメチルブツ−2−イルシリルオキシ)−エチ
ル)−4−N−アリルオキシカルボニルグリシルチオア
ゼチジン− −20℃にて、アルゴンのもとで、360■(約2.4
1++osole)のNuアリルエステルクロリド及び
410m1 (約2.41mmole)のヒューニノヒ
塩基を次々に添加し、そして得られる反応混合物をまず
一10℃にて2.5時間、そして次にO″Cにて80分
間攪拌する。これを塩化メチレンで稀釈し、そして氷冷
した0、 1 N HC1水溶液及び8%Na1ICO
s水溶液により洗浄する。有機画分をNazSO,で乾
燥し、そして蒸発せしめる。得られる残渣をトリエチル
ホスフィトに溶解し、そして溶液を2時間アルゴンのも
とて60℃に加温する。揮発性画分をまず減圧下で、そ
して次に高真空下で除去し、残渣を10−のジオキサン
に溶解し、そして生じる溶液をアルゴンのもとて8時間
105℃(浴温)にて加熱する。減圧下でジオキサンを
1発せしめた後に得られる粗生成物を、シリカゲル上で
ヘキサン/酢酸エチル(9:1及び4:1)によりクロ
マトグラフ処理する。標記化合物を無色油状物として得
る。 〔α3?=+62±2.7° (c= 0.37
1%、CHCl5中> 、 U、V、 :λ□−= 3
20nm (ε−6230iエタノール中)。
の(3S、4R,1’R)−3−(I’−(ジメチル−
2,3−ジメチルブツ−2−イルシリルオキシ)−エチ
ル)−4−N−アリルオキシカルボニルグリシルチオア
ゼチジン− −20℃にて、アルゴンのもとで、360■(約2.4
1++osole)のNuアリルエステルクロリド及び
410m1 (約2.41mmole)のヒューニノヒ
塩基を次々に添加し、そして得られる反応混合物をまず
一10℃にて2.5時間、そして次にO″Cにて80分
間攪拌する。これを塩化メチレンで稀釈し、そして氷冷
した0、 1 N HC1水溶液及び8%Na1ICO
s水溶液により洗浄する。有機画分をNazSO,で乾
燥し、そして蒸発せしめる。得られる残渣をトリエチル
ホスフィトに溶解し、そして溶液を2時間アルゴンのも
とて60℃に加温する。揮発性画分をまず減圧下で、そ
して次に高真空下で除去し、残渣を10−のジオキサン
に溶解し、そして生じる溶液をアルゴンのもとて8時間
105℃(浴温)にて加熱する。減圧下でジオキサンを
1発せしめた後に得られる粗生成物を、シリカゲル上で
ヘキサン/酢酸エチル(9:1及び4:1)によりクロ
マトグラフ処理する。標記化合物を無色油状物として得
る。 〔α3?=+62±2.7° (c= 0.37
1%、CHCl5中> 、 U、V、 :λ□−= 3
20nm (ε−6230iエタノール中)。
7rnIの純テトラヒドロフラン中367■(0,72
mmole)の(5R,63,1’R)−6−(I’−
ジメチル=(2,3−ジメチルブッ〜2−イルシリルオ
キシ)−エチル〕−2−アリルオキシカルボニルアミツ
メ゛チル−2−ペネム−3−カルボン酸アリルエステル
の溶液に室温にて223■(I,59mmole)のジ
メドン及び36■のテトラキス−トリフェニルホスフィ
ン−パラジウムを添加し、そして得られる溶液を室温に
てさらに攪拌する。やがて標記化合物の結晶化が始まり
、そして1時間後に実質的に終了する。結晶を濾取し、
そしてフィルター上でテトラヒドロフランにより洗浄す
る。
mmole)の(5R,63,1’R)−6−(I’−
ジメチル=(2,3−ジメチルブッ〜2−イルシリルオ
キシ)−エチル〕−2−アリルオキシカルボニルアミツ
メ゛チル−2−ペネム−3−カルボン酸アリルエステル
の溶液に室温にて223■(I,59mmole)のジ
メドン及び36■のテトラキス−トリフェニルホスフィ
ン−パラジウムを添加し、そして得られる溶液を室温に
てさらに攪拌する。やがて標記化合物の結晶化が始まり
、そして1時間後に実質的に終了する。結晶を濾取し、
そしてフィルター上でテトラヒドロフランにより洗浄す
る。
得られる標記化合物は無色の結晶である。融点119℃
、LIV:λ、、、X(EtOH) : 309nm、
268nm 。
、LIV:λ、、、X(EtOH) : 309nm、
268nm 。
以下余白
罰、 (5R,6S、1’R)−6−(I’−ヒla
fの2,6−ルチジン中50■の(5R96S、1’R
)−6−(I’−(ジメチル−2゜3−ジメチルブツ−
2−イルシリルオキシ)−エチル〕−2−アリルオキシ
カルボニルアミノメチル−2−ペネム−3−カルボン酸
アリルエステルの溶液に60■(約30mmole)の
70%HF−尿素混合物を添加し、そして2時間室温に
て攪拌する。
fの2,6−ルチジン中50■の(5R96S、1’R
)−6−(I’−(ジメチル−2゜3−ジメチルブツ−
2−イルシリルオキシ)−エチル〕−2−アリルオキシ
カルボニルアミノメチル−2−ペネム−3−カルボン酸
アリルエステルの溶液に60■(約30mmole)の
70%HF−尿素混合物を添加し、そして2時間室温に
て攪拌する。
次に、反応混合物にさらに5滴(約100■=約50m
M)のHF−尿素を添加する。粘稠な混合物を1m/の
塩化メチレンで稀釈し、室温にて一夜攪拌し、そして1
0滴のHF−尿素(約100mM)と混合して中和する
。室温にてさらに24時間の反応の後、反応混合物を水
で稀釈し、そして酢酸エチルで抽出する。次に、有機相
を4N塩酸及び塩化ナトリウム飽和水溶液で洗浄し、乾
燥し、そしてロータリーエバポレーター中で?i 4i
1する。エーテル/ヘキサンから沈澱する粗生成物の再
溶解により純標記化合物が得られる。融点141’C〜
141.5℃、 Rf=0.20 (メルク薄層、トル
エン/酢酸エチル1:1)。
M)のHF−尿素を添加する。粘稠な混合物を1m/の
塩化メチレンで稀釈し、室温にて一夜攪拌し、そして1
0滴のHF−尿素(約100mM)と混合して中和する
。室温にてさらに24時間の反応の後、反応混合物を水
で稀釈し、そして酢酸エチルで抽出する。次に、有機相
を4N塩酸及び塩化ナトリウム飽和水溶液で洗浄し、乾
燥し、そしてロータリーエバポレーター中で?i 4i
1する。エーテル/ヘキサンから沈澱する粗生成物の再
溶解により純標記化合物が得られる。融点141’C〜
141.5℃、 Rf=0.20 (メルク薄層、トル
エン/酢酸エチル1:1)。
7.2−のテトラヒドロフラン中313■(0,82m
mole)の(5R,6S、1’R)−2−アリルオキ
シカルボニル゛アミノメチル−6−(I’−ヒドロキシ
エチル)−2−ペネム−3−カルボン酸アリルエステル
及び174.6w (I,24mIIIole)のジメ
ドンの溶液に、5分間にわたりフラッシュし、そしてア
ルゴン雰囲気下室塩にて27■(0,023mmole
)のテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムを添
加する。約5分間後、沈澱が始まり、これをさらに2時
間攪拌した後に濾取し、約10−のテトラヒドロフラン
で洗浄し、そして次に4dの水に溶解する。黄灰色の溶
液に1サジの活性炭及び2サジのトンシル(tonsi
l)を添加し、5分間よく攪拌し、そしてハイフロ上で
冷濾過する。高真空下で濃縮し、そして>@遇する。無
色の結晶を2−のテトラヒドロフランで洗浄し、そして
高真空下で乾燥する。 Rf =0.50 (OC:
HzO,0PTIUPC+z) :〔α)D=+176
°(c = O’、 5. )lzo)の標記化合物を
得る。
mole)の(5R,6S、1’R)−2−アリルオキ
シカルボニル゛アミノメチル−6−(I’−ヒドロキシ
エチル)−2−ペネム−3−カルボン酸アリルエステル
及び174.6w (I,24mIIIole)のジメ
ドンの溶液に、5分間にわたりフラッシュし、そしてア
ルゴン雰囲気下室塩にて27■(0,023mmole
)のテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムを添
加する。約5分間後、沈澱が始まり、これをさらに2時
間攪拌した後に濾取し、約10−のテトラヒドロフラン
で洗浄し、そして次に4dの水に溶解する。黄灰色の溶
液に1サジの活性炭及び2サジのトンシル(tonsi
l)を添加し、5分間よく攪拌し、そしてハイフロ上で
冷濾過する。高真空下で濃縮し、そして>@遇する。無
色の結晶を2−のテトラヒドロフランで洗浄し、そして
高真空下で乾燥する。 Rf =0.50 (OC:
HzO,0PTIUPC+z) :〔α)D=+176
°(c = O’、 5. )lzo)の標記化合物を
得る。
例1と同様にして、24.4 g (I21mmole
)の(3R) 3 (tert−ブチル−ジメチル
シリルオキシ)ブチルアルデヒド及び38.5mf (
311o+a+ole)のピバリン酸クロリドから出発
し、標記化合物(沸点65℃〜70℃10.05Tor
r)を10:1の比率のE/Z−異性体の混合物として
得る。
)の(3R) 3 (tert−ブチル−ジメチル
シリルオキシ)ブチルアルデヒド及び38.5mf (
311o+a+ole)のピバリン酸クロリドから出発
し、標記化合物(沸点65℃〜70℃10.05Tor
r)を10:1の比率のE/Z−異性体の混合物として
得る。
IR(C)1.C1□): 2860 、1740 、
1140゜主化合物の’H−NMR(60MH2,CD
C13)は、特に、7.22ppm(I)!、dxd、
J+=121(z、 h=1.51(z) ;5.4p
pm(Ill、 dxd、J+=12Hz、 Jz=
6Hz); 4.3ppm(I!+、5−線系)にシグ
ナルを示す。
1140゜主化合物の’H−NMR(60MH2,CD
C13)は、特に、7.22ppm(I)!、dxd、
J+=121(z、 h=1.51(z) ;5.4p
pm(Ill、 dxd、J+=12Hz、 Jz=
6Hz); 4.3ppm(I!+、5−線系)にシグ
ナルを示す。
出発物Tt:ま既知である。
土ヱ
例3と同様にして、14.3 g (50mmole
)の(3R) 3 (tert−ブチルジメチル
シリルオキシ)ブラー1−ニンー1−イルーピバロエー
ト(E:Z>10:1)及び10−<114mmole
>のクロロスルホニルイソシアネートから出発して、標
記化合物を、(3R,4R,1’R)−配置及び(3S
、4S、1 ’R)−配置のジアステレオマーの96:
4混合物として得る。−50℃における石油エーテルか
らの低温再結晶化により純粋な(3R,4R,1’R)
−ジアステレオマーが得られる。 C’c ) n =
+So” (c=0.5. C11Cff 3)。
)の(3R) 3 (tert−ブチルジメチル
シリルオキシ)ブラー1−ニンー1−イルーピバロエー
ト(E:Z>10:1)及び10−<114mmole
>のクロロスルホニルイソシアネートから出発して、標
記化合物を、(3R,4R,1’R)−配置及び(3S
、4S、1 ’R)−配置のジアステレオマーの96:
4混合物として得る。−50℃における石油エーテルか
らの低温再結晶化により純粋な(3R,4R,1’R)
−ジアステレオマーが得られる。 C’c ) n =
+So” (c=0.5. C11Cff 3)。
融点90℃〜92℃。IR(CHCl 3) : 34
10 、2960 、2930゜2860 、1790
、1732 、1140cm−’。360M1+2−
’)l−NMR(CDCl 、)における特性シグナル
: 5.8ppm(I)1.d、J= 1.411z)
、3.2ppm(I)1.d X d、J、 = 1
.4)12.J2 = 4.0Hz) 。
10 、2960 、2930゜2860 、1790
、1732 、1140cm−’。360M1+2−
’)l−NMR(CDCl 、)における特性シグナル
: 5.8ppm(I)1.d、J= 1.411z)
、3.2ppm(I)1.d X d、J、 = 1
.4)12.J2 = 4.0Hz) 。
1.26ppm(d、J=6.5Hz)。
標記化合物は常圧にお、いても昇華することもできる。
例6と同様にして、329.5ar (I,0mmol
e)の(3R、4R、1’ R) −3−(I−(te
rt−ブチルジメチルシリルオキシ)エチルツー4−ピ
バロイルオキシアゼチジン−2−オン(I0%の。
e)の(3R、4R、1’ R) −3−(I−(te
rt−ブチルジメチルシリルオキシ)エチルツー4−ピ
バロイルオキシアゼチジン−2−オン(I0%の。
(3S、4S、1 ’R)−ジアステレオマーにより汚
染されている〕から出発して標記化合物を得る。融点1
32℃〜133℃(CLCji’z/石油エーテル)。
染されている〕から出発して標記化合物を得る。融点1
32℃〜133℃(CLCji’z/石油エーテル)。
〔α〕。=+48°(c=0.5. Cl1i、)。
以下余白
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、次の式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R^1は水素、又は閉環条件下で脱離しないヒ
ドロキシ保護基R^1^aであり、そしてR^2は弱カ
ルボン酸のアシル基である) で表わされる化合物、又は該化合物と(3S,4S,1
′R)−ジアステレオマー( I a)との混合物の製造
方法であって、次の式(II):▲数式、化学式、表等が
あります▼(II) 〔式中、R^1^a及びR^2は式( I )において記
載した意味を有する〕 で表わされる化合物をクロロスルホニルイソシアネート
と反応せしめ、生ずる生成物からクロロスルホン基を還
元的に脱離せしめ、所望によりヒドロキシ保護基R^1
^aを脱離せしめ、そして所望により、生成した式(
I )の化合物から存在する(3S,4S,1′R)−ジ
アステレロマーを除去する、ことを特徴とする方法。 2、R^1が水素である式( I )の化合物を製造する
ための特許請求の範囲第1項に記載の方法。 3、R^1が、2位においてハロゲンにより置換されて
いる場合がある低級アルカノイル、例えばアセチル、ク
ロロアセチル又はトリフルオロアセチル;ニトロにより
置換されている場合があるベンゾイル、例えばベンゾイ
ル、4−ニトロベンゾイル又は2,4−ジニトロベンゾ
イル;ハロゲンにより置換されている場合がある低級ア
ルコキシカルボニル、例えば2−ブロモエトキシカルボ
ニル又は2,2,2−トリクロロエトキシカルボニル;
低級アルケニルオキシカルボニル、例えばアリルオキシ
カルボニル;ニトロにより置換されている場合があるフ
ェニル低級アルコキシカルボニル、例えば4−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル;2−ハロ低級アルキル、例え
ば2−クロロ−、2−ブロモ−、2−ヨード−又は2,
2,2−トリクロロ−エチル;あるいは場合によっては
ハロゲン、例えば塩素、低級アルコキシ、例えばメトキ
シ、及び/又はニトロにより置換されているフェニル低
級アルキル、例えば対応するベンジルである式( I )
の化合物を製造するための特許請求の範囲第1項に記載
の方法。 4、R^1がトリ置換シリル、例えばトリ低級アルキル
シリル、例えばトリイソプロピルシリル、2,3−ジメ
チルブツ−2−イル−ジメチルシリル又はtert−ブ
チル−ジメチルシリルである式( I )の化合物を製造
するための特許請求の範囲第1項に記載の方法。 5、R^2が弱カルボン酸のアシル基である式( I )
の化合物を製造するための特許請求の範囲第1項に記載
の方法。 6、R^2がトリ低級アルキルアセチル、例えばピバロ
イル、2,2−ジメチルプロピオニル又はトリエチルア
セチル、あるいは非置換の又は第一オーダーの置換基に
より1回又は複数回、例えば2回又は3回置換されたベ
ンゾイル、例えば4−メトキシ−、2,4−もしくは3
,4−ジメトキシ−又は3,4,5−もしくは2,4,
6−トリメトキシ−ベンゾイルあるいは4−ジメチルア
ミノベンゾイルである式( I )の化合物を製造するた
めの特許請求の範囲第1項に記載の方法。 7、R^2がピバロイル又は3,4−ジメトキシベンゾ
イルである式( I )の化合物を製造するための特許請
求の範囲第1項に記載の方法。 8、約−70℃〜室温において不活性溶媒中で反応を行
い、そして得られた1−クロロスルホニルアゼチジノン
を金属ハイドライド又はラネーニッケルにより還元する
ことを特徴とする、特許請求の範囲第1項に記載の方法
。 9、R^1がヒドロキシ保護基R^1^aである得られ
た化合物から該保護基を除去することを特徴とする特許
請求の範囲第1項に記載の方法。 10、次の式(II): ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R^1^aは閉環条件下で脱離しないヒドロキ
シ保護基であり、そしてR^2は弱カルボン酸のアシル
基である) で表わされる化合物。 11、R^1^aが、2位においてハロゲンにより置換
されている場合がある低級アルカノイル、例えばアセチ
ル、クロロアセチル又はトリフルオロアセチル;ニトロ
により置換されている場合があるベンゾイル、例えばベ
ンゾイル、4−ニトロベンゾイル又は2,4−ジニトロ
ベンゾイル;ハロゲンにより置換されている場合がある
低級アルコキシカルボニル、例えば2−ブロモエトキシ
カルボニル又は2,2,2−トリクロロエトキシカルボ
ニル;低級アルケニルオキシカルボニル、例えばアリル
オキシカルボニル;ニトロにより置換されている場合が
あるフェニル低級アルコキシカルボニル、例えば4−ニ
トロベンジルオキシカルボニル;2−ハロ低級アルキル
、例えば2−クロロ−、2−ブロモ−、2−ヨード−又
は2,2,2−トリクロロ−エチル;あるいは場合によ
ってはハロゲン、例えば塩素、低級アルコキシ、例えば
メトキシ、及び/又はニトロにより置換されているフェ
ニル低級アルキル、例えば対応するベンジルである特許
請求の範囲第10項に記載の式(II)の化合物。 12、R^1^aがトリ置換シリル、例えばトリ低級ア
ルキルシリル、例えばトリイソプロピルシリル、2,3
−ジメチルブツ−2−イル−ジメチルシリル又はter
t−ブチル−ジメチルシリルである特許請求の範囲第1
0項に記載の式(II)の化合物。 13、R^2が弱酸のアシル基である特許請求の範囲第
10項に記載の式(II)の化合物。 14、R^2がトリ低級アルキルアセチル、例えばピバ
ロイル、2,2−ジメチルプロピオニル、又はトリエチ
ルアセチル、あるいは非置換の又は第一オーダーの置換
基により1回又は複数回、例えば2回又は3回置換され
たベンゾイル、例えば4−メトキシ−、2,4−もしく
は3,4−ジメトキシ−又は3,4,5−もしくは2,
4,6−トリメトキシ−ベンゾイルあるいは4−ジメチ
ルアミノベンゾイル、あるいは炭酸半エステルのアシル
基−CO−O−R、あるいは置換されたカルバミン酸の
アシル基−CO−NRRであり、ここでRは低級アルキ
ル、例えばメチル又はエチル、アリール、例えばフェニ
ル、又はアリール低級アルキル、例えばベンジルである
、特許請求の範囲第10項に記載の式(II)の化合物。 15、R^2がピバロイル又は3,4−ジメトキシベン
ゾイルである特許請求の範囲第10項に記載の式(II)
の化合物。 16、次の式(II): ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R^1^aは閉環条件下で脱離しないヒドロキ
シ保護基であり、そしてR^2は弱カルボン酸のアシル
基である) で表わされる化合物の製造方法であって、次の式(III
): ▲数式、化学式、表等があります▼(III) で表わされるブチルアルデヒドを、次の式(IV):HO
−R^2(IV) で表わされるカルボン酸のアシル基を導入する薬剤によ
りエステル化し、そして所望により得られたトランス(
E)−異性体及びシス(Z)−異性体の混合物からトラ
ンス(E)−異性体を分離する、ことを特徴とする方法
。 17、次の式( I ′): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ′) (式中、R_1はメチルであり、R^2は場合によって
は常用の保護基R^0_2により保護されていることが
できる官能基を担持することができる有機基であり、R
_3は水素、又は常用のカルボキシ保護基R^0_3で
あり、そしてR^0_3は常用のカルボキシル保護基で
ある) で表わされる化合物、又はその塩の製造のための、次の
式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R^1は水素、又は閉環条件下で脱離しないヒ
ドロキシ保護基R^1^aであり、そしてR^2は弱カ
ルボン酸のアシル基である) で表わされる化合物、又は該化合物と(3S,4S,1
′R)−ジアステレオマー( I a)との混合物の使用
であって、 a)式( I )の化合物又はこれと式( I a)の化合物
との混合物を次の式(III′): ▲数式、化学式、表等があります▼(III′) (式中、Zは酸素又は硫黄である) で表わされるチオカルボン酸基を導入する化合物で処理
し; b)次の式(IV′): ▲数式、化学式、表等があります▼(IV′) で表わされる得られる化合物を、次の式(V′):▲数
式、化学式、表等があります▼(V′) で表わされる蓚酸半エステルのアシル基を導入する薬剤
で処理し; c)次の式(VII′): ▲数式、化学式、表等があります▼(VII′) で表わされる得られる化合物を三価リンの有機化合物で
処理し;そして d)次の式(VIII′): ▲数式、化学式、表等があります▼(VIII′) で表わされる得られる化合物において、オキサリルエス
テル基−CO−COO−R^0_3及び所望により保護
基R^0_3及び/又は場合によっては基R_2中に存
在する保護基R^0_2を任意の順序で除去し、そして
水素で置き換え、そして所望により、塩形成基を有する
式( I )の得られる化合物を塩に、又は得られる塩を
遊離化合物に転換することを特徴とする方法。 18、次の式(IV′): ▲数式、化学式、表等があります▼(IV′) (式中、R_1はメチルであり、R_2は場合によって
は常用の保護基R^0_2により保護されていることが
できる官能基を担持することができる有機基であり、Z
は酸素又は硫黄であり;そして1′ヒドロキシ基は場合
によっては基R^1^aにより保護されていることがで
きる) で表わされる化合物の製造方法であって、次の式( I
): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R^1は水素、又は閉環条件下で脱離しないヒ
ドロキシ保護基R^1^aであり、そしてR^2は弱カ
ルボン酸のアシル基である) で表わされる化合物を、式(III′): −SC(=Z)−R_2(III′) で表わされるチオカルボン酸基を誘導し得る化合物で処
理することを特徴とする方法。 19、場合によっては、式( I a)の(3S,4S,
1′R)−ジアステレオマーとの混合物との混合物であ
る式( I )の新規化合物。 20、R^1が水素又はジメチル(2,3−ジメチルブ
ツ−2−イル)シリルである特許請求の範囲第19項に
記載の化合物。 21、R^2がピバロイル又は3,4−ジメトキシベン
ゾイルである特許請求の範囲第19項に記載の化合物。 22、(3R,4R,1′R)−3−{1−〔ジメチル
(2,3−ジメチルブツ−2−イル)シリルオキシ〕−
エチル}−4−ピバロイルオキシアゼチジン−2−オン
であって、場合によってはその(3S,4S,1′R)
−ジアステレオマーと>10:1で混合されている特許
請求の範囲第19項に記載の化合物。 23、(3R,4R,1′R)−3−{1−〔ジメチル
(2,3−ジメチルブツ−2−イル)シリルオキシ〕−
エチル}−4−(3,4−ジメトキシベンゾイルオキシ
)−アゼチジン−2−オンであって、場合によってはそ
の(3S,4S,1′R)−ジアステレオマーと>10
:1で混合されている特許請求の範囲第19項に記載の
化合物。 24、(3R,4R,1′R)−3−〔1−tert−
ブチル−ジメチルシリルオキシ)エチル〕−4−ピバロ
イルオキシアゼチジン−2−オンであって、場合によっ
てはその(3S,4S,1′R)−ジアステレオマーと
の混合物である特許請求の範囲第1項に記載の化合物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH356286 | 1986-09-04 | ||
CH03562/86-5 | 1986-09-04 |
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JPS6363655A true JPS6363655A (ja) | 1988-03-22 |
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JP (1) | JPS6363655A (ja) |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009528300A (ja) * | 2006-02-28 | 2009-08-06 | ティエンチン グリーンバイオ マテリアル カンパニー リミテッド | β−ラクタム化合物の調製におけるポリ−3−ヒドロキシブチレートの使用 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9103654D0 (en) * | 1991-02-21 | 1991-04-10 | Merck Sharp & Dohme | Chemical process |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6118791A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 新規β−ラクタム化合物及びその製造法 |
JPS62164689A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-21 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 新規β−ラクタム化合物及びその製造法 |
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DE3567644D1 (de) * | 1984-10-18 | 1989-02-23 | Hoffmann La Roche | Sterical uniform 2-azetidinones |
-
1987
- 1987-08-31 EP EP87810497A patent/EP0259268A1/de not_active Withdrawn
- 1987-09-03 JP JP62219267A patent/JPS6363655A/ja active Pending
- 1987-09-03 DK DK460187A patent/DK460187A/da not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009528300A (ja) * | 2006-02-28 | 2009-08-06 | ティエンチン グリーンバイオ マテリアル カンパニー リミテッド | β−ラクタム化合物の調製におけるポリ−3−ヒドロキシブチレートの使用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0259268A1 (de) | 1988-03-09 |
DK460187A (da) | 1988-03-05 |
DK460187D0 (da) | 1987-09-03 |
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