JPH08184790A - Ln変調器直流バイアス回路 - Google Patents

Ln変調器直流バイアス回路

Info

Publication number
JPH08184790A
JPH08184790A JP6327347A JP32734794A JPH08184790A JP H08184790 A JPH08184790 A JP H08184790A JP 6327347 A JP6327347 A JP 6327347A JP 32734794 A JP32734794 A JP 32734794A JP H08184790 A JPH08184790 A JP H08184790A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
modulator
voltage
output
sine wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6327347A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2661574B2 (ja
Inventor
Tsutomu Tajima
勉 田島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP6327347A priority Critical patent/JP2661574B2/ja
Priority to US08/579,203 priority patent/US5726794A/en
Publication of JPH08184790A publication Critical patent/JPH08184790A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2661574B2 publication Critical patent/JP2661574B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L27/00Modulated-carrier systems
    • H04L27/02Amplitude-modulated carrier systems, e.g. using on-off keying; Single sideband or vestigial sideband modulation
    • H04L27/04Modulator circuits; Transmitter circuits
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0121Operation of devices; Circuit arrangements, not otherwise provided for in this subclass
    • G02F1/0123Circuits for the control or stabilisation of the bias voltage, e.g. automatic bias control [ABC] feedback loops
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0265Intensity modulators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0427Electrical excitation ; Circuits therefor for applying modulation to the laser

Abstract

(57)【要約】 【目的】 LN変調器の有する直流オフセットや直流ド
リフトによる光信号出力波形の劣化を防ぎ、伝送特性の
劣化を防止する。 【構成】 微小振幅で低周波の正弦波信号eを出力する
低周波発振器9を設ける。正弦波信号eを直流電圧VB
に重畳する。モニタ信号光dを電気信号に変換してモニ
タ電圧Vmを得る。モニタ電圧Vmを増幅し出力信号f
としてサンプリング回路5,6,7へ与える。サンプリ
ング回路5,6,7は、正弦波信号eと同相,90゜進
相,90゜遅相のサンプリングパルスSP1,SP2,
SP3をトリガ信号として、出力信号f1,f2,f3
を保持出力する。負帰還回路8へ、出力信号f1および
出力信号f2とf3との平均値f23を与え、平均値f23
と出力信号f1との差が圧縮されるように、直流電圧V
B を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、LN変調器直流バイ
アス回路に関し、特にLN変調器のもつ直流オフセット
や直流ドリフトを抑圧する機能を備えたLN変調器直流
バイアス回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般的な光通信システムにおいては、光
送信器により強度変調された光信号が送信側から伝送路
へ送出され、伝送路を伝搬した後、光受信器に到達し、
情報を伝達している。光強度変調の手段としては、LD
(レーザダイオード)等の発光素子を直接駆動する直接
変調方式と、直流光を光変調器を用いて強度変調し光信
号に変換する外部変調方式とがある。
【0003】特にLDを直接駆動する直接変調方式にお
いては、変調時に発光する光スペクトラムが広がる現象
があり、光ファイバの波長分散特性により伝送速度や伝
送距離が制限される。これに対し、光変調器を使用した
外部変調方式においては、直流光を光変調器によって強
度変調し光信号に変換しているため、伝送速度では10
Gb/s以上、伝送距離では数1000km以上が実用
されている。
【0004】種々の光変調器のうち、特にマッハツェン
ダ型LN(LiNbO3 )変調器は高速応答性等が有利
である。このLN変調器を用いて直流光を光信号に変換
する回路例を図3に示す。同図において、1はLN変調
器、2は光分岐、3はPINフォトダイオード、8は負
帰還回路、10はLD(レーザダイオード)、11はデ
ィジタル主信号入力端子、12は光出力端子、13は抵
抗器、19は加算器、L1〜L4は光ファイバケーブル
である。
【0005】この回路において、LD10から出射され
た直流光aは、光ファイバケーブルL1を介してLN変
調器1に入力される。一方、端子11よりディジタル主
信号Sが入力され、加算器19にて負帰還回路8からの
直流電圧VB と加算されて、LN変調器1へ与えられ
る。これにより、LN変調器1において、LD10から
の直流光が直流電圧VB の重畳されたディジタル主信号
Sにより強度変調され、光信号bに変換される。
【0006】LN変調器1から出力される光信号bは、
光ファイバケーブルL2を介して光分岐2へ至り、光フ
ァイバL3への伝送路出力信号光cと光ファイバケーブ
ルL4へのモニタ信号光dとに分配される。伝送路出力
信号光cは出力端子12より伝送路へ送られる。モニタ
信号光dはフォトダイオード3により電気信号(微小電
流信号)に変換される。これによって、フォトダイオー
ド3と抵抗器13との接続点に、モニタ信号光dに応じ
たモニタ電圧Vmが生じる。負帰還回路8は、モニタ電
圧Vmと基準電圧Vref との差を圧縮するように、ディ
ジタル主信号Sに重畳する直流電圧VB を変化させる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のLN変調器直流バイアス回路によると、LN
変調器1の動作点が時間的に変動する直流ドリフトや直
流オフセットがあり、ここれによりLN変調器1の動作
点が最適なバイアス点からずれ、光信号波形の劣化とな
り、結果として符号誤りの発生するような伝送特性劣化
が生ずるという問題があった。
【0008】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、その目的とするところは、LN変調器
の有する直流オフセットや直流ドリフトによる光信号出
力波形の劣化を防ぎ、伝送特性の劣化を防止し、安定し
た光送信を行うことのできるLN変調器直流バイアス回
路を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、第1発明(請求項1に係る発明)は、上述し
たLN変調器直流バイアス回路において、LN変調器の
変調特性の変化を検出し、LN変調器が常に最適なバイ
アス点で動作するように、ディジタル主信号に重畳する
直流電圧を制御するようにしたものである。第2発明
(請求項2に係る発明)は、上述したLN変調器直流バ
イアス回路において、微小振幅で低周波の正弦波信号を
発振出力する低周波発振手段と、この低周波発振手段の
発振出力する正弦波信号を直流電圧(ディジタル主信号
に重畳する直流電圧)に重畳する正弦波信号重畳手段と
を設け、モニタ信号光からLN変調器の変調特性の変化
を検出し、LN変調器が常に最適なバイアス点で動作す
るように、上記直流電圧を制御するようにしたものであ
る。
【0010】第3発明(請求項3に係る発明)は、上述
したLN変調器直流バイアス回路において、微小振幅で
低周波の正弦波信号を発振出力する低周波発振手段と、
この低周波発振手段の発振出力する正弦波信号を直流電
圧(ディジタル主信号に重畳する直流電圧)に重畳する
正弦波信号重畳手段と、モニタ信号を微小電流信号に変
換する光電変換手段と、この光電変換手段により変換さ
れた微小電流信号を増幅し電圧信号として出力する増幅
手段と、低周波発振手段の発振出力する正弦波信号と同
相の第1のサンプリングパルスをトリガ信号として、増
幅手段からの出力信号を保持する第1のサンプリング手
段と、低周波発振手段の発振出力する正弦波信号に対し
て位相の90度進んだ第2のサンプリングパルスをトリ
ガ信号として、増幅手段からの出力信号を保持する第2
のサンプリング手段と、低周波発振手段の発振出力する
正弦波信号に対して位相の90度遅れた第3のサンプリ
ングパルスをトリガ信号として、増幅手段からの出力信
号を保持する第3のサンプリング手段とを設け、第2の
サンプリング手段の保持する電圧信号と第3のサンプリ
ング手段の保持する電圧信号との平均値と第1のサンプ
リング手段の保持する電圧信号との差を圧縮するよう
に、上記直流電圧を制御するようにしたものである。
【0011】
【作用】したがってこの発明によれば、第1発明では、
LN変調器の変調特性の変化(直流オフセットや直流ド
リフト)が検出され、LN変調器が常に最適なバイアス
点で動作するようにディジタル主信号に重畳する直流電
圧が制御される。第2発明では、「正弦波信号+直流電
圧」の重畳されたディジタル主信号によって直流光が光
信号に変換される一方、モニタ信号光からLN変調器の
変調特性の変化(直流オフセットや直流ドリフト)が検
出され、LN変調器が常に最適なバイアス点で動作する
ようにディジタル主信号に重畳する直流電圧が制御され
る。
【0012】第3発明では、「正弦波信号+直流電圧」
の重畳されたディジタル主信号によって直流光が光信号
に変換される一方、モニタ信号光が微小電流信号に変換
され、この微小電流信号が増幅されて電圧信号となり、
第1,第2および第3のサンプリング手段へ与えられ
る。第1のサンプリング手段は、低周波発振手段の発振
出力する正弦波信号と同相の第1のサンプリングパルス
をトリガ信号として、増幅手段からの電圧信号を保持す
る。第2のサンプリング手段は、低周波発振手段の発振
出力する正弦波信号に対して位相の90度進んだ第2の
サンプリングパルスをトリガ信号として、増幅手段から
の電圧信号を保持する。第3のサンプリング手段は、低
周波発振手段の発振出力する正弦波信号に対して位相の
90度遅れた第3のサンプリングパルスをトリガ信号と
して、増幅手段からの電圧信号を保持する。そして、第
2のサンプリング手段の保持する電圧信号と第3のサン
プリング手段の保持する電圧信号との平均値と第1のサ
ンプリング手段の保持する電圧信号との差が圧縮される
ように、ディジタル主信号に重畳する直流電圧が制御さ
れる。
【0013】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明す
る。図1はこの発明の一実施例を示すブロック構成図で
ある。同図において、1はLN変調器、2は光分岐、3
はPINフォトダイオード、4は増幅器、5は第1のサ
ンプリング回路、6は第2のサンプリング回路、7は第
3のサンプリング回路、8は負帰還回路、9は微小振幅
で低周波の正弦波信号eを発振出力する低周波発振器、
10はLD(レーザダイオード)、11はディジタル主
信号入力端子、12は光出力端子、13,14および1
5は抵抗器である。
【0014】16は低周波発振器9の発振出力する正弦
波信号eを入力としこの正弦波信号eと同相の第1のサ
ンプリングパルスSP1を出力する第1のサンプリング
パルス発生回路、17は低周波発振器9の発振出力する
正弦波信号eを入力としこの正弦波信号eに対して位相
の90度進んだ第2のサンプリングパルスSP2を出力
する第2のサンプリングパルス発生回路、18は低周波
発振器9の発振出力する正弦波信号eを入力としこの正
弦波信号eに対して位相の90度遅れた第3のサンプリ
ングパルスSP3を出力する第3のサンプリングパルス
発生回路、19および20は加算器、L1〜L4は光フ
ァイバケーブルである。
【0015】この回路において、LD10から出射され
た直流光aは、光ファイバケーブルL1を介してLN変
調器1に入力される。一方、端子11よりディジタル主
信号Sが入力され、正弦波信号eの重畳された負帰還回
路8からの直流電圧VB と加算されて、LN変調器1へ
与えられる。これにより、LN変調器1において、LD
10からの直流光が「正弦波信号e+直流電圧VB 」の
重畳されたディジタル主信号Sにより強度変調され、光
信号bに変換される。
【0016】LN変調器1から出力される光信号bは、
光ファイバケーブルL2を介して光分岐2へ至り、光フ
ァイバL3への伝送路出力信号光cと光ファイバケーブ
ルL4へのモニタ信号光dとに分配される。伝送路出力
信号光cは出力端子12より伝送路へ送られる。モニタ
信号光dはフォトダイオード3により電気信号(微小電
流信号)に変換される。これにより、フォトダイオード
3と抵抗器13との接続点に、モニタ信号光dに応じた
モニタ電圧Vmが生じる。モニタ電圧Vmは増幅器4で
増幅されて出力信号fとされる。出力信号fはサンプリ
ング回路5,6および7へ与えられる。
【0017】サンプリング回路5は、サンプリングパル
ス発生回路16からのサンプリングパルスSP1をトリ
ガ信号として、増幅器4からの出力信号f(f1)を保
持出力する。サンプリング回路6は、サンプリングパル
ス発生回路17からのサンプリングパルスSP2をトリ
ガ信号として、増幅器4からの出力信号f(f2)を保
持出力する。サンプリング回路7は、サンプリングパル
ス発生回路18からのサンプリングパルスSP3をトリ
ガ信号として、増幅器4からの出力信号f(f3)を保
持出力する。
【0018】サンプリング回路6の保持出力する出力信
号f2およびサンプリング回路7の保持出力する出力信
号f3は、抵抗器14と抵抗器15との直列接続回路の
両端に印加され、これにより抵抗器14と抵抗器15と
の接続点から出力信号f2と出力信号f3との平均値f
23が出力される。そして、この平均値f23が負帰還回路
8への基準電圧として入力され、平均値f23とサンプリ
ング回路5の保持出力する出力信号f1との差が圧縮さ
れるように、ディジタル主信号Sに重畳する直流電圧V
B が制御される。
【0019】LN変調器1の変調特性に対して正常に直
流バイアス電圧が印加されている場合は、平均値f23
出力信号f1とは等しくなるため、直流電圧VB は変化
しない。これに対し、直流バイアス電圧が最適なバイア
ス点からずれている場合は、平均値f23と出力信号f1
とが異なるため、最適なバイアス点となるところまで直
流電圧VB が変化して行く。これにより、LN変調器1
の有する直流オフセットや直流ドリフトが抑圧されて、
LN変調器1が常に最適なバイアス点で動作するように
なる。
【0020】図2に直流ドリフト発生時の光信号波形の
劣化の様子を示す。同図〔A〕はLN変調器1の強度変
調特性を示し、初期の特性を実線で、直流ドリフトが生
じた時の特性を点線で示している。同図〔B〕はLN変
調器1に入力されるディジタル主信号Sを示す。初期の
変調特性に対して直流バイアス電圧xを印加し、ディジ
タル主信号Sによって駆動すると、光信号bとして同図
(a)に示すような波形が得られる。直流バイアス電圧
xを固定とし、同図〔A〕に示した点線の如く強度変調
特性にドリフトが生じると、光信号bの波形は同図
(b)に示すように劣化してしまう。ここで、直流バイ
アス電圧xをyまで変化させれば、光信号bは初期と同
じ波形となる。
【0021】本実施例では、LN変調器1の強度変調特
性の変化を平均値f23と出力信号f1との差として検出
するようにしており、この差を圧縮するように直流電圧
Bを制御することにより、LN変調器1を常に最適な
バイアス点で動作させるようにしている。
【0022】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように本
発明によれば、第1発明では、LN変調器の変調特性の
変化(直流オフセットや直流ドリフト)が検出され、L
N変調器が常に最適なバイアス点で動作するようにディ
ジタル主信号に重畳する直流電圧が制御されるものとな
り、LN変調器の有する直流オフセットや直流ドリフト
による光信号出力波形の劣化を防ぎ、伝送特性の劣化を
防止し、安定した光送信を行うことができるようにな
る。第2発明では、「正弦波信号+直流電圧」の重畳さ
れたディジタル主信号によって直流光が光信号に変換さ
れる一方、モニタ信号光からLN変調器の変調特性の変
化(直流オフセットや直流ドリフト)が検出され、LN
変調器が常に最適なバイアス点で動作するようにディジ
タル主信号に重畳する直流電圧が制御されるものとな
り、LN変調器の有する直流オフセットや直流ドリフト
による光信号出力波形の劣化を防ぎ、伝送特性の劣化を
防止し、安定した光送信を行うことができるようにな
る。
【0023】第3発明では、「正弦波信号+直流電圧」
の重畳されたディジタル主信号によって直流光が光信号
に変換される一方、モニタ信号光が微小電流信号に変換
され、この微小電流信号が増幅されて電圧信号となり、
第1,第2および第3のサンプリング手段へ与えられ、
第2のサンプリング手段の保持する電圧信号と第3のサ
ンプリング手段の保持する電圧信号との平均値と第1の
サンプリング手段の保持する電圧信号との差が圧縮され
るように、すなわちLN変調器の変調特性の変化(直流
オフセットや直流ドリフト)が抑圧されるように、ディ
ジタル主信号に重畳する直流電圧が制御されるものとな
り、LN変調器の有する直流オフセットや直流ドリフト
による光信号出力波形の劣化を防ぎ、伝送特性の劣化を
防止し、安定した光送信を行うことができるようにな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例を示すブロック構成図であ
る。
【図2】 直流ドリフト発生時の光信号波形の劣化の様
子を示す図である。
【図3】 従来のLN変調器直流バイアス回路を示すブ
ロック構成図である。
【符号の説明】
1…LN変調器、2…光分岐、3…PINフォトダイオ
ード、4…増幅器、5…第1のサンプリング回路、6…
第2のサンプリング回路、7…第3のサンプリング回
路、8…負帰還回路、9…低周波発振器、10…LD
(レーザダイオード)、11…ディジタル主信号入力端
子、12…光出力端子、13,14,15…抵抗器、1
6…第1のサンプリングパルス発生回路、17…第2の
サンプリングパルス発生回路、18…第3のサンプリン
グパルス発生回路、19,20…加算器、L1〜L4…
光ファイバケーブル。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力される直流光を直流電圧の重畳され
    たディジタル主信号によって強度変調し光信号に変換す
    るLN変調器と、このLN変調器からの光信号を伝送路
    出力信号光とモニタ信号光とに分岐する光分岐とを備
    え、前記モニタ信号光に基づき前記直流電圧を制御する
    LN変調器直流バイアス回路において、 前記LN変調器の変調特性の変化を検出し、前記LN変
    調器が常に最適なバイアス点で動作するように、前記直
    流電圧を制御する制御手段を備えたことを特徴とするL
    N変調器直流バイアス回路。
  2. 【請求項2】 入力される直流光を直流電圧の重畳され
    たディジタル主信号によって強度変調し光信号に変換す
    るLN変調器と、このLN変調器からの光信号を伝送路
    出力信号光とモニタ信号光とに分岐する光分岐とを備
    え、前記モニタ信号光に基づき前記直流電圧を制御する
    LN変調器直流バイアス回路において、 微小振幅で低周波の正弦波信号を発振出力する低周波発
    振手段と、 この低周波発振手段の発振出力する正弦波信号を前記直
    流電圧に重畳する正弦波信号重畳手段と、 前記モニタ信号光から前記LN変調器の変調特性の変化
    を検出し、前記LN変調器が常に最適なバイアス点で動
    作するように、前記直流電圧を制御する制御手段とを備
    えたことを特徴とするLN変調器直流バイアス回路。
  3. 【請求項3】 入力される直流光を直流電圧の重畳され
    たディジタル主信号によって強度変調し光信号に変換す
    るLN変調器と、このLN変調器からの光信号を伝送路
    出力信号光とモニタ信号光とに分岐する光分岐とを備
    え、前記モニタ信号光に基づき前記直流電圧を制御する
    LN変調器直流バイアス回路において、 微小振幅で低周波の正弦波信号を発振出力する低周波発
    振手段と、 この低周波発振手段の発振出力する正弦波信号を前記直
    流電圧に重畳する正弦波信号重畳手段と、 前記モニタ信号光を微小電流信号に変換する光電変換手
    段と、 この光電変換手段により変換された微小電流信号を増幅
    し電圧信号として出力する増幅手段と、 前記低周波発振手段の発振出力する正弦波信号と同相の
    第1のサンプリングパルスをトリガ信号として、前記増
    幅手段からの出力信号を保持する第1のサンプリング手
    段と、 前記低周波発振手段の発振出力する正弦波信号に対して
    位相の90度進んだ第2のサンプリングパルスをトリガ
    信号として、前記増幅手段からの出力信号を保持する第
    2のサンプリング手段と、 前記低周波発振手段の発振出力する正弦波信号に対して
    位相の90度遅れた第3のサンプリングパルスをトリガ
    信号として、前記増幅手段からの出力信号を保持する第
    3のサンプリング手段と、 前記第2のサンプリング手段の保持する電圧信号と前記
    第3のサンプリング手段の保持する電圧信号との平均値
    と前記第1のサンプリング手段の保持する電圧信号との
    差を圧縮するように、前記直流電圧を制御する制御手段
    とを備えたことを特徴とするLN変調器直流バイアス回
    路。
JP6327347A 1994-12-28 1994-12-28 Ln変調器直流バイアス回路 Expired - Lifetime JP2661574B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6327347A JP2661574B2 (ja) 1994-12-28 1994-12-28 Ln変調器直流バイアス回路
US08/579,203 US5726794A (en) 1994-12-28 1995-12-27 DC bias controller for optical modulator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6327347A JP2661574B2 (ja) 1994-12-28 1994-12-28 Ln変調器直流バイアス回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08184790A true JPH08184790A (ja) 1996-07-16
JP2661574B2 JP2661574B2 (ja) 1997-10-08

Family

ID=18198128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6327347A Expired - Lifetime JP2661574B2 (ja) 1994-12-28 1994-12-28 Ln変調器直流バイアス回路

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5726794A (ja)
JP (1) JP2661574B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011114539A (ja) * 2009-11-26 2011-06-09 Yokogawa Electric Corp 光送信器

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000031900A (ja) * 1998-07-08 2000-01-28 Fujitsu Ltd 光ファイバ通信のための方法並びに該方法の実施に使用する端局装置及びシステム
US6441940B1 (en) * 1998-10-09 2002-08-27 Agere Systems Guardian Corp. Wavelength stabilization of light emitting components
WO2000052855A1 (de) * 1999-03-01 2000-09-08 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und anordnung zur optimierung der impulsform eines amplitudenmodulierten optischen signals
JP4204693B2 (ja) * 1999-03-31 2009-01-07 三菱電機株式会社 光増幅装置
KR100381014B1 (ko) 2000-11-01 2003-04-26 한국전자통신연구원 선형 광 변조기를 이용하여 진폭 잡음을 억제시킨 광 세기변조 장치 및 그 방법
US6539038B1 (en) 2000-11-13 2003-03-25 Jds Uniphase Corporation Reference frequency quadrature phase-based control of drive level and DC bias of laser modulator
US6700907B2 (en) 2000-11-20 2004-03-02 Jds Uniphase Corporation Mach-Zehnder modulator bias and driver gain control mechanism
US20020085257A1 (en) * 2001-01-04 2002-07-04 Hirt Fred S. Optical modulator linearization by direct radio frequency (RF) feedback
EP1380874A1 (en) * 2002-07-11 2004-01-14 Agilent Technologies, Inc. - a Delaware corporation - Control loop apparatus and method therefor
US7369290B1 (en) 2003-03-19 2008-05-06 Photonic Systems, Inc. Modulator bias control
GB2417333B (en) * 2004-08-13 2008-07-16 Bookham Technology Plc Automatic bias controller for an optical modulator
US7706696B2 (en) * 2006-05-19 2010-04-27 Alcatel-Lucent Usa Inc. Pilot tone bias control
CN103780303B (zh) * 2012-10-24 2017-07-25 华为技术有限公司 光模块及其检测电路
US9553679B2 (en) * 2013-07-24 2017-01-24 Bae Systems Information And Electronic Systems Integrations Inc. Analog radio frequency memory for signal replication

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4939019A (ja) * 1972-08-23 1974-04-11
JPH05323245A (ja) * 1992-05-18 1993-12-07 Nec Corp 光変調制御方式

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6485411A (en) * 1987-09-28 1989-03-30 Nec Corp Amplitude limit circuit
JP2990713B2 (ja) * 1989-12-08 1999-12-13 日本電気株式会社 光変調回路
US5175749A (en) * 1991-01-25 1992-12-29 Motorola, Inc. Apparatus and method for dc offset correction in a receiver
US5389839A (en) * 1993-03-03 1995-02-14 Motorola, Inc. Integratable DC blocking circuit
JPH06308439A (ja) * 1993-04-20 1994-11-04 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 偏波変調装置及び偏波変調方法
JPH07240551A (ja) * 1994-03-02 1995-09-12 Fujitsu Ltd 光増幅伝送装置におけるサージ光発生防止方式

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4939019A (ja) * 1972-08-23 1974-04-11
JPH05323245A (ja) * 1992-05-18 1993-12-07 Nec Corp 光変調制御方式

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011114539A (ja) * 2009-11-26 2011-06-09 Yokogawa Electric Corp 光送信器

Also Published As

Publication number Publication date
US5726794A (en) 1998-03-10
JP2661574B2 (ja) 1997-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4561119A (en) Optical frequency modulation system
JP2661574B2 (ja) Ln変調器直流バイアス回路
US5208817A (en) Modulator-based lightwave transmitter
EP0444688B1 (en) Optical transmitter
JP3405046B2 (ja) レーザ光発生装置
JP2917333B2 (ja) 光送信方法及び光送信装置
US4700352A (en) FSK laser transmitting apparatus
WO2012132112A1 (ja) 補償方法、光変調システム、及び光復調システム
JP3210061B2 (ja) 光干渉器の動作点安定化装置
US20080158640A1 (en) Optical apparatus utilizing modulation based on a tertiary drive signal, optical transmitter, and optical transmission system
KR100617709B1 (ko) 주파수 변조 방식의 광송신 장치 및 방법
JPH05323245A (ja) 光変調制御方式
US5379144A (en) Optical transmitter
US7388703B2 (en) Optical transmission device and optical phase modulator
JPH02165117A (ja) 導波路型光変調器の動作安定化方法
JPH04188686A (ja) 光送信装置
JPH05232412A (ja) LiNbO3 マッハツェンダ干渉型変調器の制御装置
JP3008677B2 (ja) 光送信装置
JPH10221656A (ja) 光送信器及び光送信方法
JP2990713B2 (ja) 光変調回路
JP4316212B2 (ja) 光強度変調装置
JP2000206474A (ja) 光送信回路
JPH03189616A (ja) 導波路型光変調器の動作安定化方法
JPS62258528A (ja) 光送信器
JPS5914936B2 (ja) 半導体レ−ザのアナログ変調方式