JP3405046B2 - レーザ光発生装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光発生装置
に関し、より具体的には、光周波数変調されたレーザ光
を発生するレーザ光発生装置に関する。
に関し、より具体的には、光周波数変調されたレーザ光
を発生するレーザ光発生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ伝送システム、特に無中継伝
送システムでは、伝送距離（中継伝送システムの場合に
は、中継距離）を長くするために光ファイバへの入力光
パワーを高くしたい。しかし、レーザ光のパワーが高く
なると、誘導ブリルアン散乱（ＳＢＳ）による伝送特性
の劣化が顕著になり、結果的に光ファイバへの入力パワ
ーを高く出来ない問題点がある。誘導ブリルアン散乱が
影響しない入力パワーの閾値は、一般的な光ファイバで
約５ｍＷと言われている。
送システムでは、伝送距離（中継伝送システムの場合に
は、中継距離）を長くするために光ファイバへの入力光
パワーを高くしたい。しかし、レーザ光のパワーが高く
なると、誘導ブリルアン散乱（ＳＢＳ）による伝送特性
の劣化が顕著になり、結果的に光ファイバへの入力パワ
ーを高く出来ない問題点がある。誘導ブリルアン散乱が
影響しない入力パワーの閾値は、一般的な光ファイバで
約５ｍＷと言われている。
【０００３】これに対しては、例えば単一周波数のトー
ンでレーザ光（搬送波）を周波数変調することにより、
この閾値を高くできることが知られている。例えば、最
も簡単には、半導体レーザ・ダイオードの注入電流を微
小変調すると、半導体レーザ・ダイオードの共振器内の
屈折率が変化するので、半導体レーザ・ダイオードの発
振光の周波数が注入電流に含まれる変調信号に応じて変
化する。光周波数変移量を大きくするには、注入電流に
重畳する変調信号の振幅を大きくする必要がある。
ンでレーザ光（搬送波）を周波数変調することにより、
この閾値を高くできることが知られている。例えば、最
も簡単には、半導体レーザ・ダイオードの注入電流を微
小変調すると、半導体レーザ・ダイオードの共振器内の
屈折率が変化するので、半導体レーザ・ダイオードの発
振光の周波数が注入電流に含まれる変調信号に応じて変
化する。光周波数変移量を大きくするには、注入電流に
重畳する変調信号の振幅を大きくする必要がある。
【０００４】ところが、半導体レーザ・ダイオードの注
入電流を微小変調する方式では、光周波数変調だけでな
く強度変調も発生し、その強度変調成分が伝送特性を劣
化（直接的には、伝送損失とエラー・レートを増加）さ
せる。例えば、Ｌ．Ｅｓｋｉｌｄｓｅｎ，ｅｔａ
ｌ．，”Ｒｅｓｉｄｕａｌ ａｍｐｌｉｔｕｄｅ ｍｏ
ｄｕｌａｔｉｏｎ ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ ｕｓｉｎ
ｇ ｄｅａｐｌｙ ｓａｔｕｒａｔｅｄ Ｅｒｂｉｕｍ
−ｄｏｐｅｄ ｆｉｂｅｒ ａｍｐｌｉｆｉｅｒｓ”，
ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎ．Ｔｅｃｈｎｏｌ． Ｌｅｔ
ｔ．，ｖｏｌ．７，ｎｏ．１２，ｐｐ．１５１６−１５
１８，１９９５）には、約８ＧＨｚの光周波数変移量を
得るように半導体レーザ・ダイオードへの注入電流を微
小変調すると、約４２％程度の光強度変調成分が生じ
る、と記載されている。アイ・パターンが、同文献の図
４（ａ）に示すように劣化する。
入電流を微小変調する方式では、光周波数変調だけでな
く強度変調も発生し、その強度変調成分が伝送特性を劣
化（直接的には、伝送損失とエラー・レートを増加）さ
せる。例えば、Ｌ．Ｅｓｋｉｌｄｓｅｎ，ｅｔａ
ｌ．，”Ｒｅｓｉｄｕａｌ ａｍｐｌｉｔｕｄｅ ｍｏ
ｄｕｌａｔｉｏｎ ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ ｕｓｉｎ
ｇ ｄｅａｐｌｙ ｓａｔｕｒａｔｅｄ Ｅｒｂｉｕｍ
−ｄｏｐｅｄ ｆｉｂｅｒ ａｍｐｌｉｆｉｅｒｓ”，
ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎ．Ｔｅｃｈｎｏｌ． Ｌｅｔ
ｔ．，ｖｏｌ．７，ｎｏ．１２，ｐｐ．１５１６−１５
１８，１９９５）には、約８ＧＨｚの光周波数変移量を
得るように半導体レーザ・ダイオードへの注入電流を微
小変調すると、約４２％程度の光強度変調成分が生じ
る、と記載されている。アイ・パターンが、同文献の図
４（ａ）に示すように劣化する。
【０００５】このような強度変調成分を抑圧する手段と
して、同文献には、エルビウム添加光増幅ファイバの応
答特性を利用する技術が説明されている。即ち、ＤＦＢ
レーザ・ダイオードを連続レーザ発振させながら５ｋＨ
ｚ乃至１０ｋＨｚで微小変調し、その出力光を、飽和特
性の深いエルビウム添加光増幅ファイバに入力する。そ
のエルビウム添加光増幅ファイバは、３ｄＢカットオフ
周波数を２５ｋＨｚ程度に設定される。エルビウム添加
光増幅ファイバの応答特性のスロープ部分により、５ｋ
Ｈｚ乃至１０ｋＨｚの強度変調成分が抑圧される。な
お、光周波数変移量は約８ＧＨｚであり、光増幅後の光
パワーは約２００ｍＷである。強度変調成分を抑圧しな
い場合に、約３．５ｄＢの伝送ペナルティであったもの
が、強度成分を抑圧することで、伝送ペナルティを０．
２〜１．０ｄＢに改善できたとしている。
して、同文献には、エルビウム添加光増幅ファイバの応
答特性を利用する技術が説明されている。即ち、ＤＦＢ
レーザ・ダイオードを連続レーザ発振させながら５ｋＨ
ｚ乃至１０ｋＨｚで微小変調し、その出力光を、飽和特
性の深いエルビウム添加光増幅ファイバに入力する。そ
のエルビウム添加光増幅ファイバは、３ｄＢカットオフ
周波数を２５ｋＨｚ程度に設定される。エルビウム添加
光増幅ファイバの応答特性のスロープ部分により、５ｋ
Ｈｚ乃至１０ｋＨｚの強度変調成分が抑圧される。な
お、光周波数変移量は約８ＧＨｚであり、光増幅後の光
パワーは約２００ｍＷである。強度変調成分を抑圧しな
い場合に、約３．５ｄＢの伝送ペナルティであったもの
が、強度成分を抑圧することで、伝送ペナルティを０．
２〜１．０ｄＢに改善できたとしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、同文献に記載
されるような構成では、レーザ・ダイオードの変調周波
数が１０ｋＨｚ以下、最大でも２５ｋＨｚに制限されて
しまう。誘導ブリルアン散乱による伝送特性の劣化を安
定に補償するには、より高い周波数が好ましいとされて
おり、このような要望に対応できない。
されるような構成では、レーザ・ダイオードの変調周波
数が１０ｋＨｚ以下、最大でも２５ｋＨｚに制限されて
しまう。誘導ブリルアン散乱による伝送特性の劣化を安
定に補償するには、より高い周波数が好ましいとされて
おり、このような要望に対応できない。
【０００７】また、エルビウム添加光増幅ファイバをほ
とんど飽和させた状態で利用するために６台もの励起光
源（Ｐｕｍｐ１〜Ｐｕｍｐ６）を使用しなければならな
ず、不経済である。飽和光出力パワーが２００ｍＷ以上
であり、この様な高いパワーを必要としない場合が普通
にありうるからである。
とんど飽和させた状態で利用するために６台もの励起光
源（Ｐｕｍｐ１〜Ｐｕｍｐ６）を使用しなければならな
ず、不経済である。飽和光出力パワーが２００ｍＷ以上
であり、この様な高いパワーを必要としない場合が普通
にありうるからである。
【０００８】本発明は、このような問題点を解決し、光
強度変動の無い又は少ないレーザ光を出力するレーザ光
発生装置を提示することを目的とする。
強度変動の無い又は少ないレーザ光を出力するレーザ光
発生装置を提示することを目的とする。
【０００９】本発明は更に、不要な光強度変動を低減し
た光通信用又は計測用のデータ変調光信号を発生するレ
ーザ光発生装置を提示することを目的とする。
た光通信用又は計測用のデータ変調光信号を発生するレ
ーザ光発生装置を提示することを目的とする。
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明では、レーザ光源
を光周波数変調する光周波数変調信号Ｓｍから得られる
信号とデータ信号Ｓｄとを合成（乗算又は加算）した信
号により、当該レーザ光源の出力光を強度変調する。こ
れにより、光周波数変調されているが光強度変動の少な
い光搬送波を得ることができ、同時に、同じ素子でデー
タ信号Ｓｄで変調するので、良品質な光信号が得られ
る。強度変動の抑圧とデータ信号Ｓｄによる変調を１つ
の光変調手段で行なえるので、経済的である。
を光周波数変調する光周波数変調信号Ｓｍから得られる
信号とデータ信号Ｓｄとを合成（乗算又は加算）した信
号により、当該レーザ光源の出力光を強度変調する。こ
れにより、光周波数変調されているが光強度変動の少な
い光搬送波を得ることができ、同時に、同じ素子でデー
タ信号Ｓｄで変調するので、良品質な光信号が得られ
る。強度変動の抑圧とデータ信号Ｓｄによる変調を１つ
の光変調手段で行なえるので、経済的である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態を詳細に説明する。
実施の形態を詳細に説明する。
【００１６】図１は、本発明の一実施例の概略構成ブロ
ック図、図２は各部の波形を示す。１０は半導体レーザ
・ダイオードであり、加算器１２は、レーザ・ダイオー
ド１０を連続レーザ発振させる所定の直流バイアスに、
浅い光周波数変調信号（正弦波交流信号）Ｓｍを重畳
し、駆動電流としてレーザ・ダイオード１０に印加す
る。なお、光周波数変調信号Ｓｍの周波数は、計測用と
してはＤＣ又は数Ｈｚ〜数ＭＨｚであるが、ＳＢＳ抑圧
用としては数ｋＨｚ〜数ＭＨｚである。図２（ａ）は、
レーザ・ダイオード１０の駆動電流の波形を示す。レー
ザ・ダイオード１０はこの駆動電流により駆動されて、
強度変調され且つ光周波数変調されたレーザ光を出力す
る。図２（ｂ）は、レーザ・ダイオード１０の出力光の
強度変動波形を示し、図２（ｃ）は、レーザ・ダイオー
ド１０の出力光の光周波数変動波形を示す。
ック図、図２は各部の波形を示す。１０は半導体レーザ
・ダイオードであり、加算器１２は、レーザ・ダイオー
ド１０を連続レーザ発振させる所定の直流バイアスに、
浅い光周波数変調信号（正弦波交流信号）Ｓｍを重畳
し、駆動電流としてレーザ・ダイオード１０に印加す
る。なお、光周波数変調信号Ｓｍの周波数は、計測用と
してはＤＣ又は数Ｈｚ〜数ＭＨｚであるが、ＳＢＳ抑圧
用としては数ｋＨｚ〜数ＭＨｚである。図２（ａ）は、
レーザ・ダイオード１０の駆動電流の波形を示す。レー
ザ・ダイオード１０はこの駆動電流により駆動されて、
強度変調され且つ光周波数変調されたレーザ光を出力す
る。図２（ｂ）は、レーザ・ダイオード１０の出力光の
強度変動波形を示し、図２（ｃ）は、レーザ・ダイオー
ド１０の出力光の光周波数変動波形を示す。
【００１７】レーザ・ダイオード１０の出力光は光強度
制御器１４に印加される。光強度制御器１４は、入力光
の強度を電気的に外部制御自在な光素子であり、具体的
には、半導体レーザ増幅器及び光ファイバ増幅器のよう
に利得を電気的に外部制御できる光素子、並びに、電界
吸収型光変調器、マッハツェンダ干渉型変調器及び光減
衰器のように減衰量を電気的に外部制御できる光素子か
らなる。なお、光ファイバ増幅器ではポンプ光の光量を
制御することで、増幅利得を制御する。また、光フィル
タの波長透過特性のスロープ部を利用し、中心波長を外
部から変更することで、減衰量を制御するようにしたも
のでもよい。本実施例では、光強度制御器１４として、
電界吸収型光変調器を採用した。幅広い周波数に対応で
き、後述するようにデータ信号Ｓｄによる変調にも併用
できるからである。電界吸収型光変調器の特性を図３に
示す。横軸は陰極への印加電圧（制御電圧）、縦軸は透
過率（対数）である。図３に示すように、電界吸収型光
変調器は、制御電圧に対して指数関数的に透過率が変化
する。
制御器１４に印加される。光強度制御器１４は、入力光
の強度を電気的に外部制御自在な光素子であり、具体的
には、半導体レーザ増幅器及び光ファイバ増幅器のよう
に利得を電気的に外部制御できる光素子、並びに、電界
吸収型光変調器、マッハツェンダ干渉型変調器及び光減
衰器のように減衰量を電気的に外部制御できる光素子か
らなる。なお、光ファイバ増幅器ではポンプ光の光量を
制御することで、増幅利得を制御する。また、光フィル
タの波長透過特性のスロープ部を利用し、中心波長を外
部から変更することで、減衰量を制御するようにしたも
のでもよい。本実施例では、光強度制御器１４として、
電界吸収型光変調器を採用した。幅広い周波数に対応で
き、後述するようにデータ信号Ｓｄによる変調にも併用
できるからである。電界吸収型光変調器の特性を図３に
示す。横軸は陰極への印加電圧（制御電圧）、縦軸は透
過率（対数）である。図３に示すように、電界吸収型光
変調器は、制御電圧に対して指数関数的に透過率が変化
する。
【００１８】位相調整回路１６は、光周波数変調信号Ｓ
ｍを位相調整して、振幅調整回路１８に印加する。位相
調整回路１６は、レーザ・ダイオード１０の出力光の強
度変動成分と光強度制御器１４による強度変動の抑圧効
果の位相を合わせるために挿入される、いわゆる遅延回
路である。振幅調整回路１８は、位相調整回路１６の出
力を振幅調整（及び必要により位相反転）すると共に所
定のバイアスを加えて、制御信号として光強度制御器１
４に印加する。
ｍを位相調整して、振幅調整回路１８に印加する。位相
調整回路１６は、レーザ・ダイオード１０の出力光の強
度変動成分と光強度制御器１４による強度変動の抑圧効
果の位相を合わせるために挿入される、いわゆる遅延回
路である。振幅調整回路１８は、位相調整回路１６の出
力を振幅調整（及び必要により位相反転）すると共に所
定のバイアスを加えて、制御信号として光強度制御器１
４に印加する。
【００１９】振幅調整回路１８の出力信号により、光強
度制御器１４の透過率は、図２（ｄ）に示すように、光
周波数変調信号Ｓｍに同期し且つ振幅調整回路１８の出
力電圧に応じた振幅で変動し、レーザ・ダイオード１０
の出力レーザ光の強度変動を相殺する。換言すると、振
幅調整回路１８は、光強度制御器１４の透過特性がレー
ザ・ダイオード１０の出力レーザ光の強度変動を相殺す
るように変化するように、位相調整回路１６の出力信号
の振幅を調整する。
度制御器１４の透過率は、図２（ｄ）に示すように、光
周波数変調信号Ｓｍに同期し且つ振幅調整回路１８の出
力電圧に応じた振幅で変動し、レーザ・ダイオード１０
の出力レーザ光の強度変動を相殺する。換言すると、振
幅調整回路１８は、光強度制御器１４の透過特性がレー
ザ・ダイオード１０の出力レーザ光の強度変動を相殺す
るように変化するように、位相調整回路１６の出力信号
の振幅を調整する。
【００２０】光強度制御器１４の出力光の強度変化を図
２（ｅ）に示す。図２（ｅ）に示すように、光強度制御
器１４により、レーザ・ダイオード１０の出力光の強度
変調成分はほぼゼロとなり、光強度制御器１４の出力光
強度は、時間に対してほぼ一定となる。
２（ｅ）に示す。図２（ｅ）に示すように、光強度制御
器１４により、レーザ・ダイオード１０の出力光の強度
変調成分はほぼゼロとなり、光強度制御器１４の出力光
強度は、時間に対してほぼ一定となる。
【００２１】光強度変調器２０は、光強度制御器１４の
出力光を、通信用データ信号Ｓｄに従ってオン／オフ変
調する。通信用データ信号Ｓｄの周波数は、数１００Ｍ
Ｈｚ以上である。通信用とはいっても、伝送特性等の計
測に使用する場合には、計測のためのデータ信号でもあ
りうることはいうまでもない。光強度変調器２０はたと
えば、電界吸収型光変調器からなる。光強度変調器２０
の出力光波形を図２（ｆ）に示す。
出力光を、通信用データ信号Ｓｄに従ってオン／オフ変
調する。通信用データ信号Ｓｄの周波数は、数１００Ｍ
Ｈｚ以上である。通信用とはいっても、伝送特性等の計
測に使用する場合には、計測のためのデータ信号でもあ
りうることはいうまでもない。光強度変調器２０はたと
えば、電界吸収型光変調器からなる。光強度変調器２０
の出力光波形を図２（ｆ）に示す。
【００２２】次に、光周波数変調に伴う強度変調成分の
抑圧と通信用データ信号Ｓｄによる変調を同一の光変調
器で実行する実施例を説明する。図４は、その実施例の
概略構成ブロック図を示す。
抑圧と通信用データ信号Ｓｄによる変調を同一の光変調
器で実行する実施例を説明する。図４は、その実施例の
概略構成ブロック図を示す。
【００２３】図４において、３０は、光周波数変調信号
Ｓｍを２つに分岐する分岐回路であり、分岐回路３０の
一方の出力は所定遅延量の遅延回路３２を介して加算器
３４に印加される。加算器３４は、連続レーザ発振に必
要な直流電圧に遅延回路３２の出力（光周波数変調信号
Ｓｍ）を加算し、駆動電流として半導体レーザ・ダイオ
ード３６に印加する。分岐回路３０の他方の出力は、所
定遅延量の遅延回路３８を介して振幅調整回路４０に印
加される。なお、分岐回路３０から遅延回路３２又は同
３８に供給される信号は、必要により、光周波数変調信
号Ｓｍを位相反転した信号である。位相反転するかしな
いかは、レーザ・ダイオード３６の出力光の強度変動成
分を抑圧するのにどちらが好ましいかに依存する。
Ｓｍを２つに分岐する分岐回路であり、分岐回路３０の
一方の出力は所定遅延量の遅延回路３２を介して加算器
３４に印加される。加算器３４は、連続レーザ発振に必
要な直流電圧に遅延回路３２の出力（光周波数変調信号
Ｓｍ）を加算し、駆動電流として半導体レーザ・ダイオ
ード３６に印加する。分岐回路３０の他方の出力は、所
定遅延量の遅延回路３８を介して振幅調整回路４０に印
加される。なお、分岐回路３０から遅延回路３２又は同
３８に供給される信号は、必要により、光周波数変調信
号Ｓｍを位相反転した信号である。位相反転するかしな
いかは、レーザ・ダイオード３６の出力光の強度変動成
分を抑圧するのにどちらが好ましいかに依存する。
【００２４】振幅調整回路４０は可変抵抗器及びＯＰア
ンプ等を用いた利得可変回路であり、遅延回路３８の出
力信号を利得調整し、その出力は乗算器４２の一方の入
力に印加される。乗算器４２の他方の入力には通信用デ
ータ信号Ｓｄが印加されており、乗算器４２は、通信用
データ信号Ｓｄに利得調整回路４０の出力（位相調整さ
れた光周波数変調信号Ｓｍを振幅調整した信号）に乗算
し、その乗算結果は、加算器４４に印加される。即ち、
乗算器４２は振幅変調回路として機能する。通信用デー
タ信号Ｓｄは、’１’が＋Ｖａ（ボルト）、’０’が−
Ｖａ（ボルト）となるような２値の電圧信号である。
ンプ等を用いた利得可変回路であり、遅延回路３８の出
力信号を利得調整し、その出力は乗算器４２の一方の入
力に印加される。乗算器４２の他方の入力には通信用デ
ータ信号Ｓｄが印加されており、乗算器４２は、通信用
データ信号Ｓｄに利得調整回路４０の出力（位相調整さ
れた光周波数変調信号Ｓｍを振幅調整した信号）に乗算
し、その乗算結果は、加算器４４に印加される。即ち、
乗算器４２は振幅変調回路として機能する。通信用デー
タ信号Ｓｄは、’１’が＋Ｖａ（ボルト）、’０’が−
Ｖａ（ボルト）となるような２値の電圧信号である。
【００２５】加算器４４は、乗算器４２の出力に所定の
直流バイアスを加算し、制御電圧として電界吸収型光変
調器４６の制御端子（陰極）に印加する。電界吸収型光
変調器４６には半導体レーザ・ダイオード３６の出力光
が入力されている。電界吸収型光変調器４６は、加算器
４４の出力電圧に従ってその透過率が変動し、これによ
り、レーザ・ダイオード３６の出力光を加算器４４の出
力電圧に従って強度変調する。
直流バイアスを加算し、制御電圧として電界吸収型光変
調器４６の制御端子（陰極）に印加する。電界吸収型光
変調器４６には半導体レーザ・ダイオード３６の出力光
が入力されている。電界吸収型光変調器４６は、加算器
４４の出力電圧に従ってその透過率が変動し、これによ
り、レーザ・ダイオード３６の出力光を加算器４４の出
力電圧に従って強度変調する。
【００２６】加算器４４で加算されるバイアス値は、乗
算器４２の出力信号の全部又はほぼ全部が一方の極性
（例えば、マイナス側）になるように設定される。加算
器４４で加算されるバイアス値はたとえば、−Ｖａ（ボ
ルト）である。また、通信用データ信号Ｓｄの振幅２Ｖ
ａは、電界吸収型光変調器４６の、透過率がほとんどゼ
ロになる印加電圧に設定される。光周波数変調信号Ｓ
ｍ、通信用データ信号Ｓｄ並びに乗算器４２及び加算器
４４の出力の各波形を図５に示し、電界吸収型光変調器
４６の入出力特性図を図６に示す。
算器４２の出力信号の全部又はほぼ全部が一方の極性
（例えば、マイナス側）になるように設定される。加算
器４４で加算されるバイアス値はたとえば、−Ｖａ（ボ
ルト）である。また、通信用データ信号Ｓｄの振幅２Ｖ
ａは、電界吸収型光変調器４６の、透過率がほとんどゼ
ロになる印加電圧に設定される。光周波数変調信号Ｓ
ｍ、通信用データ信号Ｓｄ並びに乗算器４２及び加算器
４４の出力の各波形を図５に示し、電界吸収型光変調器
４６の入出力特性図を図６に示す。
【００２７】図６からも分かるように、加算器４４の出
力電圧の、−Ｖａ（ボルト）付近の変動（特に、光周波
数変調信号Ｓｍに同期した変動）は、電界吸収型光変調
器４６の透過率が充分低い箇所でその透過率を僅かに変
動させるだけであるので、レーザ・ダイオード３６の出
力光に対する影響は極く少ない。他方、加算器４４の出
力電圧が０ボルト付近のときには、電界吸収型光変調器
４６の透過率が高く、且つその変化率も大きいので、加
算器４４の出力電圧の、０ボルト付近の変動は、レーザ
・ダイオード３６の出力光に対する影響が大きい。具体
的には、レーザ・ダイオード３６の出力光に含まれる強
度変調成分は、加算器４４の出力のゼロ・ボルト付近
の、光周波数変調信号Ｓｍの振幅変動成分による電界吸
収型光変調器４６の透過率変動により抑圧される。ま
た、レーザ・ダイオード３６の出力光の直流成分は、同
時に、加算器４４の出力に含まれる通信用データ信号Ｓ
ｄに対応する成分により強度変調される。
力電圧の、−Ｖａ（ボルト）付近の変動（特に、光周波
数変調信号Ｓｍに同期した変動）は、電界吸収型光変調
器４６の透過率が充分低い箇所でその透過率を僅かに変
動させるだけであるので、レーザ・ダイオード３６の出
力光に対する影響は極く少ない。他方、加算器４４の出
力電圧が０ボルト付近のときには、電界吸収型光変調器
４６の透過率が高く、且つその変化率も大きいので、加
算器４４の出力電圧の、０ボルト付近の変動は、レーザ
・ダイオード３６の出力光に対する影響が大きい。具体
的には、レーザ・ダイオード３６の出力光に含まれる強
度変調成分は、加算器４４の出力のゼロ・ボルト付近
の、光周波数変調信号Ｓｍの振幅変動成分による電界吸
収型光変調器４６の透過率変動により抑圧される。ま
た、レーザ・ダイオード３６の出力光の直流成分は、同
時に、加算器４４の出力に含まれる通信用データ信号Ｓ
ｄに対応する成分により強度変調される。
【００２８】このようにして、電界吸収型光変調器４６
の出力光は、通信用データ信号Ｓｄによりオン／オフ変
調され、且つ、光周波数変調信号Ｓｍの光周波数変調に
よりレーザ・ダイオード３６の出力光に含まれる強度変
調成分を抑圧されたものになっており、一定の安定した
消光比を得ることが出来る。ある実験では、レーザ・ダ
イオード３６の出力光に含まれる強度変調成分を１／１
０に抑圧できた。この程度の抑圧でも、充分に伝送特性
を改善できる。
の出力光は、通信用データ信号Ｓｄによりオン／オフ変
調され、且つ、光周波数変調信号Ｓｍの光周波数変調に
よりレーザ・ダイオード３６の出力光に含まれる強度変
調成分を抑圧されたものになっており、一定の安定した
消光比を得ることが出来る。ある実験では、レーザ・ダ
イオード３６の出力光に含まれる強度変調成分を１／１
０に抑圧できた。この程度の抑圧でも、充分に伝送特性
を改善できる。
【００２９】遅延回路３２，３８の遅延量及び振幅調整
回路４０における振幅調整量は、使用される光周波数変
調信号Ｓｍに応じて、電界吸収型光変調器４６での強度
変動抑圧効果が最大になるように、予め調整される。レ
ーザ・ダイオード３６の出力光の強度変動と、電界吸収
型光変調器４６での強度変動の抑圧タイミングとの兼ね
合いで、遅延回路３２，３８の一方のみを設けるだけで
済むことは明らかである。
回路４０における振幅調整量は、使用される光周波数変
調信号Ｓｍに応じて、電界吸収型光変調器４６での強度
変動抑圧効果が最大になるように、予め調整される。レ
ーザ・ダイオード３６の出力光の強度変動と、電界吸収
型光変調器４６での強度変動の抑圧タイミングとの兼ね
合いで、遅延回路３２，３８の一方のみを設けるだけで
済むことは明らかである。
【００３０】図４に示す実施例では、光周波数変調信号
Ｓｍを位相・振幅調整した信号で通信用データ信号Ｓｄ
を振幅変調したが、両信号を加算しても、同様の作用効
果を得ることができる。即ち、乗算器４２の代わりに、
加算器を使用してもよい。その変更実施例の概略構成ブ
ロック図を図７に示す。図４と同じ構成要素には同じ符
号を付してある。
Ｓｍを位相・振幅調整した信号で通信用データ信号Ｓｄ
を振幅変調したが、両信号を加算しても、同様の作用効
果を得ることができる。即ち、乗算器４２の代わりに、
加算器を使用してもよい。その変更実施例の概略構成ブ
ロック図を図７に示す。図４と同じ構成要素には同じ符
号を付してある。
【００３１】加算器４８は、振幅調整回路４０の出力電
圧に、電界吸収型光変調器４６の動作点を決定するバイ
アス電圧（例えば、Ｖａ（ボルト））を加算し、加算器
５０は、加算器４８の出力電圧に通信用データ信号Ｓｄ
を加算する。加算器５０の出力は、電界吸収型光変調器
４６の制御端子（陰極）に印加される。振幅調整された
光周波数変調信号Ｓｍに通信用データ信号Ｓｄを加算し
てからバイアス電圧を加算してもよいことは明らかであ
る。図７に示す構成でも、電界吸収型光変調器４６は図
４の場合と全く同様に機能し、電界吸収型光変調器４６
の出力光は、通信用データ信号Ｓｄによりオン／オフ変
調され、且つ、光周波数変調信号Ｓｍの光周波数変調に
よりレーザ・ダイオード３６の出力光に含まれる強度変
調成分を抑圧されたものになっている。
圧に、電界吸収型光変調器４６の動作点を決定するバイ
アス電圧（例えば、Ｖａ（ボルト））を加算し、加算器
５０は、加算器４８の出力電圧に通信用データ信号Ｓｄ
を加算する。加算器５０の出力は、電界吸収型光変調器
４６の制御端子（陰極）に印加される。振幅調整された
光周波数変調信号Ｓｍに通信用データ信号Ｓｄを加算し
てからバイアス電圧を加算してもよいことは明らかであ
る。図７に示す構成でも、電界吸収型光変調器４６は図
４の場合と全く同様に機能し、電界吸収型光変調器４６
の出力光は、通信用データ信号Ｓｄによりオン／オフ変
調され、且つ、光周波数変調信号Ｓｍの光周波数変調に
よりレーザ・ダイオード３６の出力光に含まれる強度変
調成分を抑圧されたものになっている。
【００３２】なお、電界吸収型光変調器４６の透過率特
性は図３に図示したようにかなり非線形である。そこ
で、図７に示す実施例で、例えば、加算器４８の出力
を、電界吸収型光変調器４６の非線形な透過率特性を補
償するように変換して加算器５０に印加する変換回路を
設けてもよい。このような変換回路を設けることで、電
界吸収型光変調器４６における強度変動抑圧効果を更に
効果あるものにできる。
性は図３に図示したようにかなり非線形である。そこ
で、図７に示す実施例で、例えば、加算器４８の出力
を、電界吸収型光変調器４６の非線形な透過率特性を補
償するように変換して加算器５０に印加する変換回路を
設けてもよい。このような変換回路を設けることで、電
界吸収型光変調器４６における強度変動抑圧効果を更に
効果あるものにできる。
【００３３】図１、図４及び図７に示す各実施例では、
半導体レーザ・ダイオード１０，３６の出力光の強度変
動を、光周波数変調信号Ｓｍをそのまま使用して抑圧し
ているが、半導体レーザ・ダイオード１０，３６の出力
光の強度変動成分をフォトダイオードなどで検出・抽出
し、その出力を光周波数変調信号Ｓｍの代わりに使用し
てもよい。レーザ・ダイオード１０，３６から２つのレ
ーザ出力が得られる場合に有益であり、また、光周波数
変調信号Ｓｍに対するレーザ光の強度変動度を加味でき
るという利点がある。このような構成も、実質的には、
光周波数変調信号Ｓｍに従って光強度変動を抑圧してい
ることに他ならない。
半導体レーザ・ダイオード１０，３６の出力光の強度変
動を、光周波数変調信号Ｓｍをそのまま使用して抑圧し
ているが、半導体レーザ・ダイオード１０，３６の出力
光の強度変動成分をフォトダイオードなどで検出・抽出
し、その出力を光周波数変調信号Ｓｍの代わりに使用し
てもよい。レーザ・ダイオード１０，３６から２つのレ
ーザ出力が得られる場合に有益であり、また、光周波数
変調信号Ｓｍに対するレーザ光の強度変動度を加味でき
るという利点がある。このような構成も、実質的には、
光周波数変調信号Ｓｍに従って光強度変動を抑圧してい
ることに他ならない。
【００３４】次に、光周波数変調信号Ｓｍの振幅が変化
したりしても、強度変動抑圧後の残存変動量を最小に自
動制御する実施例を説明する。図８は、その実施例の概
略構成ブロック図を示す。
したりしても、強度変動抑圧後の残存変動量を最小に自
動制御する実施例を説明する。図８は、その実施例の概
略構成ブロック図を示す。
【００３５】図８を詳細に説明する。光周波数変調信号
Ｓｍは分岐回路６０により２分割され、分岐回路６０の
一方の出力は分岐回路６２により更に２分割される。分
岐回路６２の一方の出力は、所定遅延量の遅延回路６４
を介して加算器６６に印加され、他方の出力は遅延回路
７６に印加される。加算器６６には更に、半導体レーザ
・ダイオード６８を連続レーザ発振させる直流電圧が印
加されており、加算器６６はその直流電圧に遅延回路６
４の出力電圧を加算する。加算器６６の出力電流が駆動
電流として半導体レーザ・ダイオード６８に印加され
る。これにより、半導体レーザ・ダイオード６８は、連
続レーザ発振しつつ、光周波数変調信号Ｓｍにより光周
波数変調及び強度変調される。
Ｓｍは分岐回路６０により２分割され、分岐回路６０の
一方の出力は分岐回路６２により更に２分割される。分
岐回路６２の一方の出力は、所定遅延量の遅延回路６４
を介して加算器６６に印加され、他方の出力は遅延回路
７６に印加される。加算器６６には更に、半導体レーザ
・ダイオード６８を連続レーザ発振させる直流電圧が印
加されており、加算器６６はその直流電圧に遅延回路６
４の出力電圧を加算する。加算器６６の出力電流が駆動
電流として半導体レーザ・ダイオード６８に印加され
る。これにより、半導体レーザ・ダイオード６８は、連
続レーザ発振しつつ、光周波数変調信号Ｓｍにより光周
波数変調及び強度変調される。
【００３６】分岐回路６０の別の出力は、所定遅延量の
遅延回路７０を介して乗算器７２に印加される。乗算器
７２の他方の入力には、半導体レーザ・ダイオード６８
の出力光の強度変動を抑圧した後の残留強度変動成分を
示す信号（具体的には、後述する受光器８６の出力）が
印加されており、両入力を乗算して両入力の相関を検出
する。即ち、乗算器７２の出力は、光周波数変調信号Ｓ
ｍと強度変動抑圧後の残留成分との相関度を示してお
り、乗算器７２は相関検出器として機能する。即ち、乗
算器７２の相関出力信号は、その大きさが残留強度成分
の量を示し、その極性が強度変動抑圧の過不足の方向を
示す。
遅延回路７０を介して乗算器７２に印加される。乗算器
７２の他方の入力には、半導体レーザ・ダイオード６８
の出力光の強度変動を抑圧した後の残留強度変動成分を
示す信号（具体的には、後述する受光器８６の出力）が
印加されており、両入力を乗算して両入力の相関を検出
する。即ち、乗算器７２の出力は、光周波数変調信号Ｓ
ｍと強度変動抑圧後の残留成分との相関度を示してお
り、乗算器７２は相関検出器として機能する。即ち、乗
算器７２の相関出力信号は、その大きさが残留強度成分
の量を示し、その極性が強度変動抑圧の過不足の方向を
示す。
【００３７】分岐回路６０，６２からそれぞれ遅延回路
７０，７６に供給される信号は、必要により分岐回路６
０，６２の入力信号を位相反転した信号になっている。
７０，７６に供給される信号は、必要により分岐回路６
０，６２の入力信号を位相反転した信号になっている。
【００３８】積分回路７４が乗算器７２の出力を積分
し、積分回路７４の出力は乗算器７８の乗算係数制御端
子に印加される。積分回路７４により、相関度（乗算器
７２の出力）の変動が平滑化・積分される。乗算器７８
には、分岐回路６２の別の出力が所定遅延量の遅延回路
７６を介して印加されている。乗算器７８は、積分回路
７４の出力電圧及び極性に応じた大きさの係数を、遅延
回路７６の出力（即ち、光周波数変調信号Ｓｍを遅延回
路７６の遅延量だけ遅らせた信号）に乗算する。即ち、
乗算器７８は、積分回路７４の出力電圧が正方向で大き
ければより大きい乗算係数を、積分回路７４の出力電圧
が負方向で大きければより小さい乗算係数を、遅延回路
７６の出力に乗算する。乗算器７８は振幅調整手段とし
て機能し、積分回路７４は当該振幅調整手段（乗算器７
８）の振幅調整量を制御する振幅制御手段として機能す
る。
し、積分回路７４の出力は乗算器７８の乗算係数制御端
子に印加される。積分回路７４により、相関度（乗算器
７２の出力）の変動が平滑化・積分される。乗算器７８
には、分岐回路６２の別の出力が所定遅延量の遅延回路
７６を介して印加されている。乗算器７８は、積分回路
７４の出力電圧及び極性に応じた大きさの係数を、遅延
回路７６の出力（即ち、光周波数変調信号Ｓｍを遅延回
路７６の遅延量だけ遅らせた信号）に乗算する。即ち、
乗算器７８は、積分回路７４の出力電圧が正方向で大き
ければより大きい乗算係数を、積分回路７４の出力電圧
が負方向で大きければより小さい乗算係数を、遅延回路
７６の出力に乗算する。乗算器７８は振幅調整手段とし
て機能し、積分回路７４は当該振幅調整手段（乗算器７
８）の振幅調整量を制御する振幅制御手段として機能す
る。
【００３９】乗算器７８の出力は加算器８０に印加され
る。加算器８０には他に、電界吸収型光変調器８２の作
動点を決定するバイアス電圧が印加されている。加算器
８０は、そのバイアス電圧に乗算器７８の出力を加算し
て、電界吸収型光変調器８２の制御端子（陰極）に印加
する。なお、この実施例では、電界吸収型光変調器８２
は、半導体レーザ・ダイオード６８の出力光の強度変動
を抑圧する目的で使用されるので、加算器８０で加算さ
れるバイアス電圧はゼロ・ボルトでもよい。
る。加算器８０には他に、電界吸収型光変調器８２の作
動点を決定するバイアス電圧が印加されている。加算器
８０は、そのバイアス電圧に乗算器７８の出力を加算し
て、電界吸収型光変調器８２の制御端子（陰極）に印加
する。なお、この実施例では、電界吸収型光変調器８２
は、半導体レーザ・ダイオード６８の出力光の強度変動
を抑圧する目的で使用されるので、加算器８０で加算さ
れるバイアス電圧はゼロ・ボルトでもよい。
【００４０】このようにして、電界吸収型光変調器８２
の透過率は、レーザ・ダイオード６８の出力光の強度変
動を相殺するように変動する。透過率変動の振幅は、強
度変動抑圧後の残留量（具体的には乗算器７２の出力）
に依存し、強度変動抑圧後の残留量が少なくなる方向に
制御される。積分回路７４の出力信号は、相関信号（乗
算器７２の出力）がゼロ、即ち、残留強度成分が最低に
なるレベルに収束する。電界吸収型光変調器８２の透過
率の変動の位相が、半導体レーザ・ダイオード６８の出
力光の強度変動を打ち消す位相になるようになるよう
に、遅延回路６４，７６の遅延量が予め設定されるの
は、図４の場合と同じである。なお、遅延回路６４，７
０，７６の内の少なくとも１つを省略できることは、明
らかである。
の透過率は、レーザ・ダイオード６８の出力光の強度変
動を相殺するように変動する。透過率変動の振幅は、強
度変動抑圧後の残留量（具体的には乗算器７２の出力）
に依存し、強度変動抑圧後の残留量が少なくなる方向に
制御される。積分回路７４の出力信号は、相関信号（乗
算器７２の出力）がゼロ、即ち、残留強度成分が最低に
なるレベルに収束する。電界吸収型光変調器８２の透過
率の変動の位相が、半導体レーザ・ダイオード６８の出
力光の強度変動を打ち消す位相になるようになるよう
に、遅延回路６４，７６の遅延量が予め設定されるの
は、図４の場合と同じである。なお、遅延回路６４，７
０，７６の内の少なくとも１つを省略できることは、明
らかである。
【００４１】光分波器８４は電界吸収型光変調器８２の
出力光を２つに分波し、一方を受光器８６に、他方を電
界吸収型光変調器８８に印加する。受光器８６は、光分
波器８４からの光信号（即ち、電界吸収型光変調器８２
から出力される光信号）を電気信号に変換する。受光器
８６の出力電気信号は、電界吸収型光変調器８２による
半導体レーザ・ダイオード６８の出力光の強度変動抑圧
の残存量を反映している。受光器８６の出力は乗算器７
２に印加され、上述のように光周波数変調信号Ｓｍとの
相関検出に利用される。受光器８６の出力と遅延回路７
０の出力で位相が合うように、遅延回路７０の遅延量が
予め設定される。
出力光を２つに分波し、一方を受光器８６に、他方を電
界吸収型光変調器８８に印加する。受光器８６は、光分
波器８４からの光信号（即ち、電界吸収型光変調器８２
から出力される光信号）を電気信号に変換する。受光器
８６の出力電気信号は、電界吸収型光変調器８２による
半導体レーザ・ダイオード６８の出力光の強度変動抑圧
の残存量を反映している。受光器８６の出力は乗算器７
２に印加され、上述のように光周波数変調信号Ｓｍとの
相関検出に利用される。受光器８６の出力と遅延回路７
０の出力で位相が合うように、遅延回路７０の遅延量が
予め設定される。
【００４２】図９、図１０及び図１１は、図８に示す実
施例の各部の波形図であって、図９は強度変動の抑圧不
足の場合、図１０は最適制御の場合、図１１は抑圧し過
ぎの場合を、それぞれ示す。図９、図１０及び図１１
で、（ａ）は光周波数変調信号Ｓｍ、（ｂ）は半導体レ
ーザ・ダイオード６８の出力光強度、（ｃ）は電界吸収
型光変調器８２の透過特性、（ｄ）は電界吸収型光変調
器８２の出力光、（ｅ）は乗算器７２の相関出力であ
る。
施例の各部の波形図であって、図９は強度変動の抑圧不
足の場合、図１０は最適制御の場合、図１１は抑圧し過
ぎの場合を、それぞれ示す。図９、図１０及び図１１
で、（ａ）は光周波数変調信号Ｓｍ、（ｂ）は半導体レ
ーザ・ダイオード６８の出力光強度、（ｃ）は電界吸収
型光変調器８２の透過特性、（ｄ）は電界吸収型光変調
器８２の出力光、（ｅ）は乗算器７２の相関出力であ
る。
【００４３】例えば、電界吸収型光変調器８２による強
度変動抑圧効果が低い場合は図９の状態であり、電界吸
収型光変調器８２の出力光には、レーザ・ダイオード６
８の出力光の強度変動と同位相の強度変動が残ってい
る。従って、受光器８６の出力には、光周波数変調信号
Ｓｍと同位相であって強度変動の残留量に応じた振幅の
信号成分があり、乗算器７２の相関出力は、図９（ｅ）
に示すように、強度変動の残留量に応じた正電圧値にな
る。その結果、積分回路７４の出力電圧は正方向に大き
くなり、乗算器７８は遅延回路７６の出力に大きな係数
を乗算する。乗算器７８の出力の振幅が大きくなると、
電界吸収型光変調器８２の透過率の変動の振幅も大きく
なり、半導体レーザ・ダイオード６８の出力光の強度変
動をより強く抑圧する。このようにして、電界吸収型光
変調器８２の出力光に残る強度変動が小さくなるよう
に、即ち、図１０に示す状態に向かうように、電界吸収
型光変調器８２が制御される。
度変動抑圧効果が低い場合は図９の状態であり、電界吸
収型光変調器８２の出力光には、レーザ・ダイオード６
８の出力光の強度変動と同位相の強度変動が残ってい
る。従って、受光器８６の出力には、光周波数変調信号
Ｓｍと同位相であって強度変動の残留量に応じた振幅の
信号成分があり、乗算器７２の相関出力は、図９（ｅ）
に示すように、強度変動の残留量に応じた正電圧値にな
る。その結果、積分回路７４の出力電圧は正方向に大き
くなり、乗算器７８は遅延回路７６の出力に大きな係数
を乗算する。乗算器７８の出力の振幅が大きくなると、
電界吸収型光変調器８２の透過率の変動の振幅も大きく
なり、半導体レーザ・ダイオード６８の出力光の強度変
動をより強く抑圧する。このようにして、電界吸収型光
変調器８２の出力光に残る強度変動が小さくなるよう
に、即ち、図１０に示す状態に向かうように、電界吸収
型光変調器８２が制御される。
【００４４】逆に、電界吸収型光変調器８２による強度
変動抑圧効果が効き過ぎている場合は、図１１の状態で
あり、電界吸収型光変調器８２の出力光には、半導体レ
ーザ・ダイオード６８の出力光の強度変動とは逆位相の
強度変動が残留する。従って、受光器８６の出力には、
光周波数変調信号Ｓｍと逆位相であって、強度変動の残
留量に応じた振幅の信号成分があり、乗算器７２の相関
出力は、図１１（ｅ）に示すように、強度変動の残留量
に応じた大きさの負値になる。乗算器７８は積分回路７
４の出力に応じて、遅延回路７６の出力に最適状態より
も小さいな係数を乗算する。これにより、電界吸収型光
変調器８２の透過率変動の振幅が小さくなり、電界吸収
型光変調器８２の過剰であった強度変動抑圧効果が弱く
なる。このようにして、図１１に示すような過剰制御状
態でも、電界吸収型光変調器８２の出力光に残る強度変
動が小さくなるように、即ち、図１０に示す状態に向か
うように電界吸収型光変調器８２が制御される。
変動抑圧効果が効き過ぎている場合は、図１１の状態で
あり、電界吸収型光変調器８２の出力光には、半導体レ
ーザ・ダイオード６８の出力光の強度変動とは逆位相の
強度変動が残留する。従って、受光器８６の出力には、
光周波数変調信号Ｓｍと逆位相であって、強度変動の残
留量に応じた振幅の信号成分があり、乗算器７２の相関
出力は、図１１（ｅ）に示すように、強度変動の残留量
に応じた大きさの負値になる。乗算器７８は積分回路７
４の出力に応じて、遅延回路７６の出力に最適状態より
も小さいな係数を乗算する。これにより、電界吸収型光
変調器８２の透過率変動の振幅が小さくなり、電界吸収
型光変調器８２の過剰であった強度変動抑圧効果が弱く
なる。このようにして、図１１に示すような過剰制御状
態でも、電界吸収型光変調器８２の出力光に残る強度変
動が小さくなるように、即ち、図１０に示す状態に向か
うように電界吸収型光変調器８２が制御される。
【００４５】このように、電界吸収型光変調器８２は、
上述の制御ループ構成により半導体レーザ・ダイオード
６８の出力光の強度変動を最小するように制御されてお
り、電界吸収型光変調器８２の出力光は、図１０（ｄ）
に示すように、時間に対してほぼ一定になる。
上述の制御ループ構成により半導体レーザ・ダイオード
６８の出力光の強度変動を最小するように制御されてお
り、電界吸収型光変調器８２の出力光は、図１０（ｄ）
に示すように、時間に対してほぼ一定になる。
【００４６】電界吸収型光変調器８８の制御端子（陰
極）には、通信用データ信号Ｓｄが印加されており、電
界吸収型光変調器８８は、光分波器８４からの光信号を
通信用データ信号Ｓｄにより変調する。
極）には、通信用データ信号Ｓｄが印加されており、電
界吸収型光変調器８８は、光分波器８４からの光信号を
通信用データ信号Ｓｄにより変調する。
【００４７】図８に示す実施例では、乗算器７２による
相関検出の基準信号として、光周波数変調信号Ｓｍその
ものを使用したが、半導体レーザ・ダイオード６８の出
力光の強度変動成分を図示しない受光器で検出及び抽出
し、相関検出の基準信号としてもよい。その場合、半導
体レーザ・ダイオード６８の出力光から抽出した強度変
動成分信号を、乗算器７２及び乗算器７８の被乗算信号
としてもよい。このような構成は、光強度変動の原因と
なる光周波数変調信号Ｓｍ又は光強度変動を示す電気信
号を得るのが不可能又は困難な場合に特に有益であり、
図８に示す実施例と同様の作用効果を得ることができ
る。
相関検出の基準信号として、光周波数変調信号Ｓｍその
ものを使用したが、半導体レーザ・ダイオード６８の出
力光の強度変動成分を図示しない受光器で検出及び抽出
し、相関検出の基準信号としてもよい。その場合、半導
体レーザ・ダイオード６８の出力光から抽出した強度変
動成分信号を、乗算器７２及び乗算器７８の被乗算信号
としてもよい。このような構成は、光強度変動の原因と
なる光周波数変調信号Ｓｍ又は光強度変動を示す電気信
号を得るのが不可能又は困難な場合に特に有益であり、
図８に示す実施例と同様の作用効果を得ることができ
る。
【００４８】図８に示す実施例を変形し、１つの電界吸
収型光変調器で強度変動の抑圧と通信データ信号Ｓｄに
よる変調の両方を同時に実行するようにした変更実施例
を説明する。図１２はその変更実施例の概略構成ブロッ
ク図を示す。
収型光変調器で強度変動の抑圧と通信データ信号Ｓｄに
よる変調の両方を同時に実行するようにした変更実施例
を説明する。図１２はその変更実施例の概略構成ブロッ
ク図を示す。
【００４９】図１２に示す実施例を説明する。光周波数
変調信号Ｓｍは分岐回路１１０により２分割され、分岐
回路１１０の一方の出力は分岐回路１１２により更に２
分割される。分岐回路１１２の一方の出力は、所定遅延
量の遅延回路１１４を介して加算器１１６に印加され、
分岐回路１１２の別の出力は遅延回路１２６に印加され
る。加算器１１６には更に、半導体レーザ・ダイオード
１１８を連続レーザ発振させる直流電圧が印加されてお
り、加算器１１６はその直流電圧に遅延回路１１４の出
力電圧を加算する。加算器１１６の出力電流が駆動電流
として半導体レーザ・ダイオード１１８に印加される。
これにより、半導体レーザ・ダイオード１１８は、連続
レーザ発振しつつ、光周波数変調信号Ｓｍにより光周波
数変調及び強度変調される。
変調信号Ｓｍは分岐回路１１０により２分割され、分岐
回路１１０の一方の出力は分岐回路１１２により更に２
分割される。分岐回路１１２の一方の出力は、所定遅延
量の遅延回路１１４を介して加算器１１６に印加され、
分岐回路１１２の別の出力は遅延回路１２６に印加され
る。加算器１１６には更に、半導体レーザ・ダイオード
１１８を連続レーザ発振させる直流電圧が印加されてお
り、加算器１１６はその直流電圧に遅延回路１１４の出
力電圧を加算する。加算器１１６の出力電流が駆動電流
として半導体レーザ・ダイオード１１８に印加される。
これにより、半導体レーザ・ダイオード１１８は、連続
レーザ発振しつつ、光周波数変調信号Ｓｍにより光周波
数変調及び強度変調される。
【００５０】分岐回路１１０の別の出力は、所定遅延量
の遅延回路１２０を介して乗算器１２２に印加される。
乗算器１２２の他方の入力には、半導体レーザ・ダイオ
ード１１８の出力光の強度変動を抑圧した後の残留成分
を示す信号（具体的には、後述する受光器１３８の出
力）が印加されており、両入力を乗算して両入力の相関
を検出する。即ち、乗算器１２２の出力は、光周波数変
調信号Ｓｍと強度変動抑圧後の残留成分との相関度を示
しており、乗算器１２２は相関検出器として機能する。
の遅延回路１２０を介して乗算器１２２に印加される。
乗算器１２２の他方の入力には、半導体レーザ・ダイオ
ード１１８の出力光の強度変動を抑圧した後の残留成分
を示す信号（具体的には、後述する受光器１３８の出
力）が印加されており、両入力を乗算して両入力の相関
を検出する。即ち、乗算器１２２の出力は、光周波数変
調信号Ｓｍと強度変動抑圧後の残留成分との相関度を示
しており、乗算器１２２は相関検出器として機能する。
【００５１】分岐回路１１０，１１２からそれぞれ遅延
回路１２０，１２６に供給される信号は、必要により分
岐回路１１０，１１２の入力信号を位相反転した信号に
なっている。
回路１２０，１２６に供給される信号は、必要により分
岐回路１１０，１１２の入力信号を位相反転した信号に
なっている。
【００５２】積分回路１２４が乗算器１２２の出力を積
分し、積分回路１２４の出力は乗算器１２８の乗算係数
制御端子に印加される。積分回路１２４により、相関度
の変動が平滑化・積分される。乗算器１２８には、分岐
回路１１２の別の出力が所定遅延量の遅延回路１２６を
介して印加されており、乗算器１２８は、積分回路１２
４の出力電圧及び極性に応じた大きさの係数を、遅延回
路１２６の出力（即ち、光周波数変調信号Ｓｍを遅延回
路１２６の遅延量だけ遅らせた信号）に乗算する。即
ち、乗算器１２８は、積分回路１２４の出力電圧が正方
向で大きければより大きい乗算係数を、積分回路１２４
の出力電圧が負方向で大きければより小さい乗算係数
を、遅延回路１２６の出力に乗算する。乗算器１２８は
振幅調整手段として機能し、積分回路１２４は当該振幅
調整手段（乗算器１２８）の振幅調整量を制御する振幅
制御手段として機能する。
分し、積分回路１２４の出力は乗算器１２８の乗算係数
制御端子に印加される。積分回路１２４により、相関度
の変動が平滑化・積分される。乗算器１２８には、分岐
回路１１２の別の出力が所定遅延量の遅延回路１２６を
介して印加されており、乗算器１２８は、積分回路１２
４の出力電圧及び極性に応じた大きさの係数を、遅延回
路１２６の出力（即ち、光周波数変調信号Ｓｍを遅延回
路１２６の遅延量だけ遅らせた信号）に乗算する。即
ち、乗算器１２８は、積分回路１２４の出力電圧が正方
向で大きければより大きい乗算係数を、積分回路１２４
の出力電圧が負方向で大きければより小さい乗算係数
を、遅延回路１２６の出力に乗算する。乗算器１２８は
振幅調整手段として機能し、積分回路１２４は当該振幅
調整手段（乗算器１２８）の振幅調整量を制御する振幅
制御手段として機能する。
【００５３】乗算器１２８の出力は乗算器１３０の一方
の入力に印加される。乗算器１３０の別の入力には、通
信データ用信号Ｓｄが印加される。乗算器１３０は、通
信データ用信号Ｓｄを乗算器１２８の出力で振幅変調し
た信号を出力する。加算器１３２は乗算器１３０の出力
に、電界吸収型光変調器１３４の作動点を決定するバイ
アス電圧を加算する。乗算器１３０及び加算器１３２の
作用は、図４の乗算器４２及び加算器４４の作用と同じ
である。ここでも、例えば、通信用データ信号Ｓｄ
は、’１’が＋Ｖａ（ボルト）、’０’が−Ｖａ（ボル
ト）となるような２値の電圧信号であり、加算器１３２
で加算されるバイアス電圧は、例えば、−Ｖａ（ボル
ト）である。
の入力に印加される。乗算器１３０の別の入力には、通
信データ用信号Ｓｄが印加される。乗算器１３０は、通
信データ用信号Ｓｄを乗算器１２８の出力で振幅変調し
た信号を出力する。加算器１３２は乗算器１３０の出力
に、電界吸収型光変調器１３４の作動点を決定するバイ
アス電圧を加算する。乗算器１３０及び加算器１３２の
作用は、図４の乗算器４２及び加算器４４の作用と同じ
である。ここでも、例えば、通信用データ信号Ｓｄ
は、’１’が＋Ｖａ（ボルト）、’０’が−Ｖａ（ボル
ト）となるような２値の電圧信号であり、加算器１３２
で加算されるバイアス電圧は、例えば、−Ｖａ（ボル
ト）である。
【００５４】加算器１３２の出力電圧は、電界吸収型光
変調器１３４の制御端子（陰極）に印加される。電界吸
収型光変調器１３４には半導体レーザ・ダイオード１１
８の出力光が入力されている。電界吸収型光変調器１３
４は、加算器１３２の出力電圧に従ってその透過率が変
動し、これにより、レーザ・ダイオード１１８の出力光
を加算器１３２の出力電圧に従って強度変調する。電界
吸収型光変調器１３４は図４に示した実施例の電界吸収
型光変調器４６と全く同様に動作する。即ち、レーザ・
ダイオード１１８の出力光に含まれる強度変調成分は、
加算器１３２の出力のゼロ・ボルトに近い側での、光周
波数変調信号Ｓｍの周波数の変動成分による電界吸収型
光変調器１３４の透過率変動により抑圧される。また同
時に、レーザ・ダイオード１１８の出力光の直流成分
が、加算器１３２の出力に含まれる通信用データ信号Ｓ
ｄに対応する成分により強度変調される。
変調器１３４の制御端子（陰極）に印加される。電界吸
収型光変調器１３４には半導体レーザ・ダイオード１１
８の出力光が入力されている。電界吸収型光変調器１３
４は、加算器１３２の出力電圧に従ってその透過率が変
動し、これにより、レーザ・ダイオード１１８の出力光
を加算器１３２の出力電圧に従って強度変調する。電界
吸収型光変調器１３４は図４に示した実施例の電界吸収
型光変調器４６と全く同様に動作する。即ち、レーザ・
ダイオード１１８の出力光に含まれる強度変調成分は、
加算器１３２の出力のゼロ・ボルトに近い側での、光周
波数変調信号Ｓｍの周波数の変動成分による電界吸収型
光変調器１３４の透過率変動により抑圧される。また同
時に、レーザ・ダイオード１１８の出力光の直流成分
が、加算器１３２の出力に含まれる通信用データ信号Ｓ
ｄに対応する成分により強度変調される。
【００５５】このようにして、電界吸収型光変調器１３
４の出力光は、通信用データ信号Ｓｄによりオン／オフ
変調され、且つ、光周波数変調信号Ｓｍの光周波数変調
によりレーザ・ダイオード１１８の出力光に含まれる強
度変調成分を抑圧されたものになっており、一定の安定
した消光比を得ることが出来る。
４の出力光は、通信用データ信号Ｓｄによりオン／オフ
変調され、且つ、光周波数変調信号Ｓｍの光周波数変調
によりレーザ・ダイオード１１８の出力光に含まれる強
度変調成分を抑圧されたものになっており、一定の安定
した消光比を得ることが出来る。
【００５６】遅延回路１１４，１２０，１２６の遅延量
は、レーザ・ダイオード１１８の出力光の強度変動の位
相と、その強度変動を抑圧する電界吸収型光変調器１３
４の透過率変動の位相が合致するように、また、乗算器
１２２による相関検出と乗算器１２８による振幅調整が
適切なものとなるように、予め調整される。何れかの遅
延回路１１４，１２０，１２６を省略できることは明ら
かである。
は、レーザ・ダイオード１１８の出力光の強度変動の位
相と、その強度変動を抑圧する電界吸収型光変調器１３
４の透過率変動の位相が合致するように、また、乗算器
１２２による相関検出と乗算器１２８による振幅調整が
適切なものとなるように、予め調整される。何れかの遅
延回路１１４，１２０，１２６を省略できることは明ら
かである。
【００５７】光分波器１３６は電界吸収型光変調器１３
４の出力光を２つに分波し、一方を受光器１３８に、他
方を光ファイバ等の光伝送路に出力する。受光器１３８
は、光分波器１３６からの光信号（即ち、電界吸収型光
変調器１３４から出力される光信号）を電気信号に変換
する。受光器１３８の出力電気信号は、電界吸収型光変
調器１３４による半導体レーザ・ダイオード１１８の出
力光の強度変動抑圧の残存量と通信用データ信号Ｓｄを
反映しているが、ここでは、半導体レーザ・ダイオード
１１８の出力光の強度変動抑圧の残存量のみが必要なの
で、受光器１３８として通信用データ信号Ｓｄの周波数
に無関係な低速の受光素子を使用する。又は、高速の受
光素子を使用し、その出力からローパス・フィルタ又は
バンドパス・フィルタにより光周波数変調信号Ｓｍの周
波数成分のみを抽出する。Ｓｍ以外の不要成分を除去す
ることにより、光強度変動抑圧制御系の動作の安定化を
図ることが出来る。
４の出力光を２つに分波し、一方を受光器１３８に、他
方を光ファイバ等の光伝送路に出力する。受光器１３８
は、光分波器１３６からの光信号（即ち、電界吸収型光
変調器１３４から出力される光信号）を電気信号に変換
する。受光器１３８の出力電気信号は、電界吸収型光変
調器１３４による半導体レーザ・ダイオード１１８の出
力光の強度変動抑圧の残存量と通信用データ信号Ｓｄを
反映しているが、ここでは、半導体レーザ・ダイオード
１１８の出力光の強度変動抑圧の残存量のみが必要なの
で、受光器１３８として通信用データ信号Ｓｄの周波数
に無関係な低速の受光素子を使用する。又は、高速の受
光素子を使用し、その出力からローパス・フィルタ又は
バンドパス・フィルタにより光周波数変調信号Ｓｍの周
波数成分のみを抽出する。Ｓｍ以外の不要成分を除去す
ることにより、光強度変動抑圧制御系の動作の安定化を
図ることが出来る。
【００５８】受光器１３８の出力は乗算器１２２に印加
され、乗算器７２と同様に、光周波数変調信号Ｓｍとの
相関検出に利用される。受光器１３８の出力と遅延回路
１２０の出力で位相が合うように、遅延回路１２０の遅
延量が予め設定される。
され、乗算器７２と同様に、光周波数変調信号Ｓｍとの
相関検出に利用される。受光器１３８の出力と遅延回路
１２０の出力で位相が合うように、遅延回路１２０の遅
延量が予め設定される。
【００５９】光分波器１３６、受光器１３８、乗算器１
２２、積分回路１２４、乗算器１２８、乗算器１３０及
び加算器１３２からなるループは、電界吸収型光変調器
１３４における強度変動抑圧効果を、その残留分が最小
になるように制御する。この作用は、図８に示す実施例
の光分波器８４、受光器８６、乗算器７２、積分回路７
４、乗算器７８及び加算器８０からなる制御ループの作
用と実質的に同じである。
２２、積分回路１２４、乗算器１２８、乗算器１３０及
び加算器１３２からなるループは、電界吸収型光変調器
１３４における強度変動抑圧効果を、その残留分が最小
になるように制御する。この作用は、図８に示す実施例
の光分波器８４、受光器８６、乗算器７２、積分回路７
４、乗算器７８及び加算器８０からなる制御ループの作
用と実質的に同じである。
【００６０】図１２に示す実施例では、乗算器１２２に
よる相関検出の基準信号として、光周波数変調信号Ｓｍ
そのものを使用したが、半導体レーザ・ダイオード１１
８の出力光の強度変動成分を図示しない受光器により検
出・抽出し、相関検出の基準信号としてもよい。その場
合、半導体レーザ・ダイオード１１８の出力光から抽出
した強度変動成分信号を、乗算器１２８の被乗算信号と
してもよい。このような構成は、光強度変動の原因とな
る光周波数変調信号Ｓｍ又は光強度変動を示す電気信号
を得るのが不可能又は困難な場合に特に有益であり、図
１２に示す実施例と同様の作用効果を得ることができ
る。
よる相関検出の基準信号として、光周波数変調信号Ｓｍ
そのものを使用したが、半導体レーザ・ダイオード１１
８の出力光の強度変動成分を図示しない受光器により検
出・抽出し、相関検出の基準信号としてもよい。その場
合、半導体レーザ・ダイオード１１８の出力光から抽出
した強度変動成分信号を、乗算器１２８の被乗算信号と
してもよい。このような構成は、光強度変動の原因とな
る光周波数変調信号Ｓｍ又は光強度変動を示す電気信号
を得るのが不可能又は困難な場合に特に有益であり、図
１２に示す実施例と同様の作用効果を得ることができ
る。
【００６１】図１２に示す実施例では、光周波数変調信
号Ｓｍを位相・振幅調整した信号で通信用データ信号Ｓ
ｄを振幅変調したが、両信号を加算しても、同様の作用
効果を得ることができる。即ち、乗算器１３０の代わり
に、加算器を使用してもよい。その変更実施例の概略構
成ブロック図を図１３に示す。図１２と同じ構成要素に
は同じ符号を付してある。
号Ｓｍを位相・振幅調整した信号で通信用データ信号Ｓ
ｄを振幅変調したが、両信号を加算しても、同様の作用
効果を得ることができる。即ち、乗算器１３０の代わり
に、加算器を使用してもよい。その変更実施例の概略構
成ブロック図を図１３に示す。図１２と同じ構成要素に
は同じ符号を付してある。
【００６２】加算器１４０は、乗算器１２８の出力電圧
に、電界吸収型光変調器１３４の動作点を決定するバイ
アス電圧（例えば、−Ｖａ（ボルト））を加算し、加算
器１４２は、加算器１４０の出力電圧に通信用データ信
号Ｓｄを加算する。加算器１４２の出力は、電界吸収型
光変調器１３４の制御端子（陰極）に印加される。図１
３に示す実施例でも、電界吸収型光変調器１３４は図１
２の場合と全く同様に機能し、電界吸収型光変調器１３
４の出力光は、通信用データ信号Ｓｄによりオン／オフ
変調され、且つ、光周波数変調信号Ｓｍの光周波数変調
によりレーザ・ダイオード１１８の出力光に含まれる強
度変調成分を抑圧されたものになっている。
に、電界吸収型光変調器１３４の動作点を決定するバイ
アス電圧（例えば、−Ｖａ（ボルト））を加算し、加算
器１４２は、加算器１４０の出力電圧に通信用データ信
号Ｓｄを加算する。加算器１４２の出力は、電界吸収型
光変調器１３４の制御端子（陰極）に印加される。図１
３に示す実施例でも、電界吸収型光変調器１３４は図１
２の場合と全く同様に機能し、電界吸収型光変調器１３
４の出力光は、通信用データ信号Ｓｄによりオン／オフ
変調され、且つ、光周波数変調信号Ｓｍの光周波数変調
によりレーザ・ダイオード１１８の出力光に含まれる強
度変調成分を抑圧されたものになっている。
【００６３】加算器１４０（バイアス電圧の加算）は、
加算器１４２の出力側に配置してもよい。また、電界吸
収型光変調器１３４の非線形性を補償する変換回路を乗
算器１２８又は加算器１４０の出力段に接続し、電界吸
収型光変調器１３４の透過率変動が半導体レーザ・ダイ
オード１１８の出力光の強度変動にマッチするように、
電界吸収型光変調器１３４の制御信号（強度変動抑圧制
御信号）の振幅変化を補償しておけば、強度変動抑圧効
果を更に高めることができる。
加算器１４２の出力側に配置してもよい。また、電界吸
収型光変調器１３４の非線形性を補償する変換回路を乗
算器１２８又は加算器１４０の出力段に接続し、電界吸
収型光変調器１３４の透過率変動が半導体レーザ・ダイ
オード１１８の出力光の強度変動にマッチするように、
電界吸収型光変調器１３４の制御信号（強度変動抑圧制
御信号）の振幅変化を補償しておけば、強度変動抑圧効
果を更に高めることができる。
【００６４】通信用レーザ光を得ることを念頭に説明し
たが、本実施例により得られるレーザ光は、計測用とし
ても利用できることは明らかである。即ち、本願発明に
よれば、光周波数変調されているが光強度が一定に維持
されたレーザ光を得ることができ、このようなレーザ光
を使用する種々の用途に利用できる。
たが、本実施例により得られるレーザ光は、計測用とし
ても利用できることは明らかである。即ち、本願発明に
よれば、光周波数変調されているが光強度が一定に維持
されたレーザ光を得ることができ、このようなレーザ光
を使用する種々の用途に利用できる。
【００６５】
【発明の効果】以上の説明から容易に理解できるよう
に、本発明によれば、レーザ光源の光周波数変調に起因
する強度変動を安定的且つ効果的に抑圧できる。また、
光周波数変調周波数をより高くすることができる。
に、本発明によれば、レーザ光源の光周波数変調に起因
する強度変動を安定的且つ効果的に抑圧できる。また、
光周波数変調周波数をより高くすることができる。
【００６６】上述の文献に記載される光ファイバ増幅器
を利用する方法に比べ、より安価に実現できる。特に、
通信用又は計測用等のデータ信号の変調器と共用するこ
とにより、より高品質の光信号をより経済的に得ること
ができる。
を利用する方法に比べ、より安価に実現できる。特に、
通信用又は計測用等のデータ信号の変調器と共用するこ
とにより、より高品質の光信号をより経済的に得ること
ができる。
【００６７】光周波数変調されているが光強度変動の少
ない又は無い光搬送波、若しくはデータ信号により変調
された信号が得られるので、ハイパワー光伝送システ
ム、特に無中継光伝送システムの実現と長距離化に寄与
できる。
ない又は無い光搬送波、若しくはデータ信号により変調
された信号が得られるので、ハイパワー光伝送システ
ム、特に無中継光伝送システムの実現と長距離化に寄与
できる。
【００６８】また、本発明に係る装置は、通信用以外に
も計測用その他の用途に利用できることは明らかであ
る。
も計測用その他の用途に利用できることは明らかであ
る。
【図１】 本発明の一実施例の概略構成ブロック図であ
る。
る。
【図２】 図１に示す実施例の各部の波形を示す図であ
る。
る。
【図３】 電界吸収型光変調器の特性図である。
【図４】 本発明の第２実施例の概略構成ブロック図で
ある。
ある。
【図５】 光周波数変調信号Ｓｍ、通信用データ信号Ｓ
ｄ並びに乗算器４２及び加算器４４の出力の各波形を示
す図である。
ｄ並びに乗算器４２及び加算器４４の出力の各波形を示
す図である。
【図６】 電界吸収型光変調器４６の入出力特性を示す
図である。
図である。
【図７】 図４に示す実施例を変更した第３実施例の概
略構成ブロック図である。
略構成ブロック図である。
【図８】 本発明の第４実施例の概略構成ブロック図で
ある。
ある。
【図９】 図８に示す実施例で強度変動の抑圧不足の場
合の波形図である。
合の波形図である。
【図１０】 図８に示す実施例で最適制御の場合の波形
図である。
図である。
【図１１】 図８に示す実施例で抑圧し過ぎの場合の波
形図である。
形図である。
【図１２】 本発明の第５実施例の概略構成ブロック図
である。
である。
【図１３】 本発明の第６実施例の概略構成ブロック図
である。
である。
１０：半導体レーザ・ダイオード
１２：加算器
１４：光強度制御器
１６：位相調整回路
１８：振幅調整回路
２０：光強度変調器
３０：分岐回路
３２：遅延回路
３４：加算器
３６：半導体レーザ・ダイオード
３８：遅延回路
４０：振幅調整回路
４２：乗算器
４４：加算器
４６：電界吸収型光変調器
４８：加算器
５０：加算器
６０：分岐回路
６２：分岐回路
６４：遅延回路
６６：加算器
６８：半導体レーザ・ダイオード
７０：遅延回路
７２：乗算器
７４：積分回路
７６：遅延回路
７８：乗算器
８０：加算器
８２：電界吸収型光変調器
８４：光分波器
８６：受光器
８８：電界吸収型光変調器
１１０：分岐回路
１１２：分岐回路
１１４：遅延回路
１１６：加算器
１１８：半導体レーザ・ダイオード
１２０：遅延回路
１２２：乗算器
１２４：積分回路
１２６：遅延回路
１２８：乗算器
１３０：乗算器
１３２：加算器
１３４：電界吸収型光変調器
１３６：光分波器
１３８：受光器
１４０：加算器
１４２：加算器
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−92510（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01S 5/00 - 5/50
Claims (7)
- 【請求項１】 光周波数変調信号Ｓｍを重畳された駆動
信号により連続レーザ発振するレーザ光源と、 当該光周波数変調信号Ｓｍの位相及び振幅の少なくとも
一方を調整する位相／振幅調整手段と、 当該位相／振幅調整手段により位相／振幅調整された当
該光周波数変調信号Ｓｍとデータ信号Ｓｄを合成する合
成手段と、 当該合成手段の出力に従い当該レーザ光源の出力光を変
調し、もって、当該レーザ光源の出力光に含まれる光強
度変動を抑圧すると共に、当該データ信号Ｓｄにより強
度変調した光信号を出力する光変調手段とからなるレー
ザ光発生装置。 - 【請求項２】 更に、上記光変調手段の出力光に残存す
る、上記光周波数変調信号Ｓｍによる光強度変動成分を
検出する残留変動検出手段と、当該残留変動検出手段の
出力信号と当該光周波数変調信号Ｓｍとの相関を検出す
る相関検出手段と、当該相関検出手段により検出される
相関度に応じて、上記位相／振幅調整手段の振幅調整量
を制御する振幅制御手段とを具備する請求項１に記載の
レーザ光発生装置。 - 【請求項３】 上記光変調手段が、外部制御信号により
増幅利得を制御自在な光増幅手段である請求項１又は２
に記載のレーザ光発生装置。 - 【請求項４】 上記光変調手段が、外部制御信号により
入力光の減衰率を制御自在な光透過手段である請求項１
又は２に記載のレーザ光発生装置。 - 【請求項５】 上記光変調手段が、電界吸収型光変調
器、マッハツェンダ干渉型変調器、光フィルタ、光減衰
器、半導体レーザ増幅器及び光ファイバ増幅器の何れか
である請求項１又は２に記載のレーザ光発生装置。 - 【請求項６】 上記合成手段が、当該位相／振幅調整手
段の出力信号に上記データ信号Ｓｄを乗算する乗算手段
と、当該乗算手段の出力に上記光変調手段の作動点を規
定するバイアスを加算する加算手段とからなる請求項１
乃至５の何れか１項に記載のレーザ光発生装置。 - 【請求項７】 上記合成手段が、当該位相／振幅調整手
段の出力信号に上記光変調手段の作動点を規定するバイ
アス、及び、上記データ信号Ｓｄを加算する加算手段で
ある請求項１乃至５の何れか１項に記載のレーザ光発生
装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03519096A JP3405046B2 (ja) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | レーザ光発生装置 |
| US08/799,119 US5771255A (en) | 1996-02-22 | 1997-02-11 | Laser light generator |
| EP97102596A EP0792033A3 (en) | 1996-02-22 | 1997-02-18 | Laser light generator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03519096A JP3405046B2 (ja) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | レーザ光発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232662A JPH09232662A (ja) | 1997-09-05 |
| JP3405046B2 true JP3405046B2 (ja) | 2003-05-12 |
Family
ID=12434941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03519096A Expired - Fee Related JP3405046B2 (ja) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | レーザ光発生装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5771255A (ja) |
| EP (1) | EP0792033A3 (ja) |
| JP (1) | JP3405046B2 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3097618B2 (ja) * | 1997-09-30 | 2000-10-10 | 日本電気株式会社 | Ｆｍ変調器 |
| US5956437A (en) * | 1997-12-24 | 1999-09-21 | Northern Telecom Limited | Electrically controllable optical attenuator |
| JPH11212037A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光変調器と光集積回路素子 |
| JP2000241778A (ja) | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Fujitsu Ltd | 光通信装置および光分岐・挿入装置 |
| JP2000299525A (ja) | 1999-04-13 | 2000-10-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信器および光通信システム |
| WO2003007444A1 (en) * | 2001-07-12 | 2003-01-23 | Textron Systems Corporation | Semiconductor zigzag laser and optical amplifier |
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| JP4008793B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2007-11-14 | アンリツ株式会社 | 光変調器駆動装置及びそれを用いる光伝送装置 |
| KR100533914B1 (ko) | 2003-10-08 | 2005-12-06 | 한국전자통신연구원 | 라만 증폭기 및 라만 펌핑 방법 |
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| JP5405716B2 (ja) | 2006-09-29 | 2014-02-05 | 富士通株式会社 | 光送信機 |
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| US9973278B2 (en) | 2016-03-21 | 2018-05-15 | Arris Enterprises Llc | Stimulated Brillouin scattering (SBS) suppression in an optical communications system |
| US10680715B1 (en) * | 2019-07-22 | 2020-06-09 | Semtech Corporation | Digital implementation of closed loop optical modulation amplitude controller for laser diode |
| WO2023105644A1 (ja) * | 2021-12-07 | 2023-06-15 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置、光変調器および光送信装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6448480A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-22 | Fujitsu Ltd | Semiconductor laser modulation control system |
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| JP3223562B2 (ja) * | 1992-04-07 | 2001-10-29 | 株式会社日立製作所 | 光送信装置、光伝送装置および光変調器 |
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-
1996
- 1996-02-22 JP JP03519096A patent/JP3405046B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-02-11 US US08/799,119 patent/US5771255A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-02-18 EP EP97102596A patent/EP0792033A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0792033A2 (en) | 1997-08-27 |
| JPH09232662A (ja) | 1997-09-05 |
| US5771255A (en) | 1998-06-23 |
| EP0792033A3 (en) | 1999-04-14 |
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