JPH1070514A - 高出力光送信機 - Google Patents
高出力光送信機Info
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- JPH1070514A JPH1070514A JP8225475A JP22547596A JPH1070514A JP H1070514 A JPH1070514 A JP H1070514A JP 8225475 A JP8225475 A JP 8225475A JP 22547596 A JP22547596 A JP 22547596A JP H1070514 A JPH1070514 A JP H1070514A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光源の周波数変調に伴って発生する残留強度
変調成分の抑圧を可能とし、高出力化を容易にする。 【解決手段】 光増幅手段の低域遮断周波数以下の低周
波信号（正弦波、三角波、その他）で光源を変調し、光
源の線幅を拡げる。光変調手段は、この光源の出力光を
情報信号で変調する。この光変調手段から出力される光
信号を飽和状態にある光増幅手段で増幅することによ
り、残留強度変調成分を抑圧する。
変調成分の抑圧を可能とし、高出力化を容易にする。 【解決手段】 光増幅手段の低域遮断周波数以下の低周
波信号（正弦波、三角波、その他）で光源を変調し、光
源の線幅を拡げる。光変調手段は、この光源の出力光を
情報信号で変調する。この光変調手段から出力される光
信号を飽和状態にある光増幅手段で増幅することによ
り、残留強度変調成分を抑圧する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低周波信号を重畳
した光信号を増幅して出力する高出力光送信機に関す
る。
した光信号を増幅して出力する高出力光送信機に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光伝送システムにおいて光中継器間隔を
拡大するには、光送信機の高出力化が必要である。しか
し、光ファイバへの入射レベルは、誘導ブリルアン散乱
と呼ばれる光ファイバの非線形光学効果により制限され
るので、簡単に高出力化を図ることができない。ここ
で、誘導ブリルアン散乱とは、高スペクトル密度の光が
光ファイバに入射されたときに、入射パワーの一部が後
方散乱光となる現象をいう。
拡大するには、光送信機の高出力化が必要である。しか
し、光ファイバへの入射レベルは、誘導ブリルアン散乱
と呼ばれる光ファイバの非線形光学効果により制限され
るので、簡単に高出力化を図ることができない。ここ
で、誘導ブリルアン散乱とは、高スペクトル密度の光が
光ファイバに入射されたときに、入射パワーの一部が後
方散乱光となる現象をいう。
【０００３】一般に、伝送速度が１Ｇbit/s 以下の光伝
送システムでは、半導体レーザを情報信号で変調する直
接変調方式がとられる。この直接変調方式では、チャー
ピングと呼ばれる光スペクトルの広がりが生じるので、
スペクトル密度が必然的に低くなり、誘導ブリルアン散
乱が生じにくくなる。一方、伝送速度が１Ｇbit/s を越
える光伝送システムでは、直接変調方式をとるとチャー
ピングによるスペクトル広がりと光ファイバの群速度分
散との複合効果によって生じる波形劣化が伝送距離を制
限することになるので、チャーピングの小さな外部変調
方式がとられる。
送システムでは、半導体レーザを情報信号で変調する直
接変調方式がとられる。この直接変調方式では、チャー
ピングと呼ばれる光スペクトルの広がりが生じるので、
スペクトル密度が必然的に低くなり、誘導ブリルアン散
乱が生じにくくなる。一方、伝送速度が１Ｇbit/s を越
える光伝送システムでは、直接変調方式をとるとチャー
ピングによるスペクトル広がりと光ファイバの群速度分
散との複合効果によって生じる波形劣化が伝送距離を制
限することになるので、チャーピングの小さな外部変調
方式がとられる。
【０００４】外部変調器を用いた光送信機では、常時一
定出力で発光させる半導体レーザを光源とし、その出力
光を外部変調器で強度変調する。外部変調器はチャーピ
ングが非常に小さいので、出力光のスペクトル密度の最
大値は光源の線幅によって決定されることになる。この
ような光送信機の出力レベルを増大させる場合には、光
ファイバの非線形光学効果を抑圧する工夫が必要であ
る。
定出力で発光させる半導体レーザを光源とし、その出力
光を外部変調器で強度変調する。外部変調器はチャーピ
ングが非常に小さいので、出力光のスペクトル密度の最
大値は光源の線幅によって決定されることになる。この
ような光送信機の出力レベルを増大させる場合には、光
ファイバの非線形光学効果を抑圧する工夫が必要であ
る。
【０００５】その一例として、光源を低周波信号で位相
変調または周波数変調し、光源の線幅を拡げることで光
スペクトル密度を低くする方法が提案されている。この
方法では、通常数ｍＡ（ミリアンペア）から数百ｍＡ程
度のバイアス電流で一定出力に制御されている半導体レ
ーザに対して、そのバイアス電流に数ｍＡ程度の交流電
流を重畳することで周波数変調する。
変調または周波数変調し、光源の線幅を拡げることで光
スペクトル密度を低くする方法が提案されている。この
方法では、通常数ｍＡ（ミリアンペア）から数百ｍＡ程
度のバイアス電流で一定出力に制御されている半導体レ
ーザに対して、そのバイアス電流に数ｍＡ程度の交流電
流を重畳することで周波数変調する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光源を低周
波信号で周波数変調すると、残留強度変調成分（振幅変
調成分）が発生する。残留強度変調成分の量は、光ファ
イバへの入射パワーから決まる光源線幅への要求条件
と、光源となる半導体レーザの周波数変調効率に依存す
る。一般に、半導体レーザの周波数変調効率は変調周波
数が高くなると高くなり、変調周波数が低くなると低く
なる。例えば、＋20dBｍの大電力光を光ファイバに入射
するには、光源の線幅を１ＧHz以上に拡げる必要があ
る。このとき、周波数変調効率 100ＭHz／ｍＡ、バイア
ス電流値 100ｍＡとすると、残留強度変調成分は10％以
上になる。この残留強度変調成分は符号間干渉量を増加
させ、受信感度を劣化させる要因となる。
波信号で周波数変調すると、残留強度変調成分（振幅変
調成分）が発生する。残留強度変調成分の量は、光ファ
イバへの入射パワーから決まる光源線幅への要求条件
と、光源となる半導体レーザの周波数変調効率に依存す
る。一般に、半導体レーザの周波数変調効率は変調周波
数が高くなると高くなり、変調周波数が低くなると低く
なる。例えば、＋20dBｍの大電力光を光ファイバに入射
するには、光源の線幅を１ＧHz以上に拡げる必要があ
る。このとき、周波数変調効率 100ＭHz／ｍＡ、バイア
ス電流値 100ｍＡとすると、残留強度変調成分は10％以
上になる。この残留強度変調成分は符号間干渉量を増加
させ、受信感度を劣化させる要因となる。
【０００７】このように、外部変調方式をとる従来の高
出力光送信機では、誘導ブリルアン散乱抑圧のために光
源を低周波信号で周波数変調して光源の線幅を拡げる
と、そのとき発生する残留強度変調成分で受信感度を劣
化させてしまう。そのため、光源の線幅の拡大が制限さ
れ、高出力化が困難になっていた。本発明は、誘導ブリ
ルアン散乱抑圧のために光源の周波数変調に伴って発生
する残留強度変調成分の抑圧を可能とし、容易に高出力
化を図ることができる高出力光送信機を提供することを
目的とする。
出力光送信機では、誘導ブリルアン散乱抑圧のために光
源を低周波信号で周波数変調して光源の線幅を拡げる
と、そのとき発生する残留強度変調成分で受信感度を劣
化させてしまう。そのため、光源の線幅の拡大が制限さ
れ、高出力化が困難になっていた。本発明は、誘導ブリ
ルアン散乱抑圧のために光源の周波数変調に伴って発生
する残留強度変調成分の抑圧を可能とし、容易に高出力
化を図ることができる高出力光送信機を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の高出力光送信
機は、光増幅手段の低域遮断周波数以下の低周波信号
（正弦波、三角波、その他）で光源を変調し、光源の線
幅を拡げる。光変調手段は、この光源の出力光を情報信
号で変調する。この光変調手段から出力される光信号を
飽和状態にある光増幅手段で増幅することにより、残留
強度変調成分を抑圧する。
機は、光増幅手段の低域遮断周波数以下の低周波信号
（正弦波、三角波、その他）で光源を変調し、光源の線
幅を拡げる。光変調手段は、この光源の出力光を情報信
号で変調する。この光変調手段から出力される光信号を
飽和状態にある光増幅手段で増幅することにより、残留
強度変調成分を抑圧する。
【０００９】請求項２の高出力光送信機は、光増幅手段
の出力を一定制御し、かつ時定数が光増幅手段の低域遮
断周波数の逆数以下である光出力一定制御手段を用い
る。例えば、エルビウム添加光ファイバを用いた光増幅
手段の低域遮断周波数は、一般に５ｋHz程度である。こ
のとき、光出力一定制御手段の時定数を 200マイクロ秒
以下で高速制御することにより、光増幅手段の低域遮断
特性を急峻にできる。その結果、実効的な周波数変調効
率を高くし、残留強度変調成分の抑圧効果を高めること
ができる。
の出力を一定制御し、かつ時定数が光増幅手段の低域遮
断周波数の逆数以下である光出力一定制御手段を用い
る。例えば、エルビウム添加光ファイバを用いた光増幅
手段の低域遮断周波数は、一般に５ｋHz程度である。こ
のとき、光出力一定制御手段の時定数を 200マイクロ秒
以下で高速制御することにより、光増幅手段の低域遮断
特性を急峻にできる。その結果、実効的な周波数変調効
率を高くし、残留強度変調成分の抑圧効果を高めること
ができる。
【００１０】請求項３の高出力光送信機は、光源を変調
する低周波信号を三角波とすることにより、後方散乱光
パワーの抑圧効果を高めることができる。
する低周波信号を三角波とすることにより、後方散乱光
パワーの抑圧効果を高めることができる。
【００１１】
（第１の実施形態−請求項１）図１は、本発明の高出力
光送信機の第１の実施形態を示す。図において、高出力
光送信機は、光源１１、低周波発振器１２、光変調器１
３、光ファイバ増幅器１４により構成される。光ファイ
バ増幅器１４は、合波器１５、励起光源１６、エルビウ
ム添加光ファイバ１７、励起光源駆動電流一定制御回路
１８により構成される。
光送信機の第１の実施形態を示す。図において、高出力
光送信機は、光源１１、低周波発振器１２、光変調器１
３、光ファイバ増幅器１４により構成される。光ファイ
バ増幅器１４は、合波器１５、励起光源１６、エルビウ
ム添加光ファイバ１７、励起光源駆動電流一定制御回路
１８により構成される。
【００１２】光源１１は、低周波発振器１２から出力さ
れる低周波信号ａにより微小周波数変調される。光源の
出力光ｂは光変調器１３に入力され、情報信号で変調さ
れて光信号ｃとして出力される。光信号ｃは、光ファイ
バ増幅器１４で増幅されて光増幅信号ｄとなり、光ファ
イバ伝送路に送出される。光ファイバ増幅器１４では、
合波器１５で光信号ｃと励起光源１６から出力される励
起光が合波され、エルビウム添加光ファイバ１７に入力
される。このとき、励起光源１６は励起光源駆動電流一
定制御回路１８により励起光パワーが一定になるように
制御され、光ファイバ増幅器１４は飽和状態にある。
れる低周波信号ａにより微小周波数変調される。光源の
出力光ｂは光変調器１３に入力され、情報信号で変調さ
れて光信号ｃとして出力される。光信号ｃは、光ファイ
バ増幅器１４で増幅されて光増幅信号ｄとなり、光ファ
イバ伝送路に送出される。光ファイバ増幅器１４では、
合波器１５で光信号ｃと励起光源１６から出力される励
起光が合波され、エルビウム添加光ファイバ１７に入力
される。このとき、励起光源１６は励起光源駆動電流一
定制御回路１８により励起光パワーが一定になるように
制御され、光ファイバ増幅器１４は飽和状態にある。
【００１３】励起光源１６の出力変動は、周囲温度変
化、励起光源の経時劣化等の変動速度が遅い要因による
と考えられる。このため、励起光源駆動電流一定制御回
路１８の時定数は数十ミリ秒以下とする。光ファイバ増
幅器１４における低域遮断周波数は数ｋHz以下である。
光源１１の変調周波数を光ファイバ増幅器１４の低域遮
断周波数以下とすることにより、光源１１のキャリア線
幅を拡げたときに生じた残留強度変調成分を抑圧するこ
とができる。
化、励起光源の経時劣化等の変動速度が遅い要因による
と考えられる。このため、励起光源駆動電流一定制御回
路１８の時定数は数十ミリ秒以下とする。光ファイバ増
幅器１４における低域遮断周波数は数ｋHz以下である。
光源１１の変調周波数を光ファイバ増幅器１４の低域遮
断周波数以下とすることにより、光源１１のキャリア線
幅を拡げたときに生じた残留強度変調成分を抑圧するこ
とができる。
【００１４】図２は、第１の実施形態における光ファイ
バ増幅器１４の周波数応答特性を示す。図３は、低周波
信号ａとして正弦波を用いた場合の残留強度変調成分抑
圧例を示す。(1) は光信号ｃの残留強度変調成分を示
し、(2) は光増幅信号ｄの残留強度変調成分を示す。
バ増幅器１４の周波数応答特性を示す。図３は、低周波
信号ａとして正弦波を用いた場合の残留強度変調成分抑
圧例を示す。(1) は光信号ｃの残留強度変調成分を示
し、(2) は光増幅信号ｄの残留強度変調成分を示す。
【００１５】図４は、低周波信号ａとして三角波を用い
た場合の残留強度変調成分抑圧例を示す（請求項３）。
(1) は光信号ｃの残留強度変調成分を示し、(2) は光増
幅信号ｄの残留強度変調成分を示す。図５は、低周波信
号ａを正弦波または三角波としたときの後方散乱光パワ
ーの測定結果を示す。□は正弦波の場合、○は三角波の
場合を示す。三角波の低周波信号ａで光源１１を変調す
ることにより、後方散乱光パワーの抑圧効果を高められ
ることがわかる。
た場合の残留強度変調成分抑圧例を示す（請求項３）。
(1) は光信号ｃの残留強度変調成分を示し、(2) は光増
幅信号ｄの残留強度変調成分を示す。図５は、低周波信
号ａを正弦波または三角波としたときの後方散乱光パワ
ーの測定結果を示す。□は正弦波の場合、○は三角波の
場合を示す。三角波の低周波信号ａで光源１１を変調す
ることにより、後方散乱光パワーの抑圧効果を高められ
ることがわかる。
【００１６】（第２の実施形態−請求項２）図６は、本
発明の高出力光送信機の第２の実施形態を示す。図にお
いて、高出力光送信機は、光源１１、低周波発振器１
２、光変調器１３、光ファイバ増幅器２０により構成さ
れる。光ファイバ増幅器２０は、合波器１５、励起光源
１６、エルビウム添加光ファイバ１７、分波器２１、光
検出器２２、光出力一定制御回路２３、励起光源駆動回
路２４により構成される。
発明の高出力光送信機の第２の実施形態を示す。図にお
いて、高出力光送信機は、光源１１、低周波発振器１
２、光変調器１３、光ファイバ増幅器２０により構成さ
れる。光ファイバ増幅器２０は、合波器１５、励起光源
１６、エルビウム添加光ファイバ１７、分波器２１、光
検出器２２、光出力一定制御回路２３、励起光源駆動回
路２４により構成される。
【００１７】光源１１は、低周波発振器１２から出力さ
れる低周波信号ａにより微小周波数変調される。光源の
出力光ｂは光変調器１３に入力され、情報信号で変調さ
れて光信号ｃとして出力される。光信号ｃは、光ファイ
バ増幅器２０で増幅されて光増幅信号ｄとなり、光ファ
イバ伝送路に送出される。光ファイバ増幅器２０では、
合波器１５で光信号ｃと励起光源１６から出力される励
起光が合波され、エルビウム添加光ファイバ１７に入力
される。エルビウム添加光ファイバ１７で増幅された光
増幅信号ｄの一部は分波器２１で分波され、光検出器２
２に入力されて光パワーが検出される。光出力一定制御
回路２３は、この光パワーが一定になるように励起光源
駆動回路２４を駆動して励起光源１６の出力を制御し、
光ファイバ増幅器２０から出力される光増幅信号ｄの光
パワーを一定に保つ。
れる低周波信号ａにより微小周波数変調される。光源の
出力光ｂは光変調器１３に入力され、情報信号で変調さ
れて光信号ｃとして出力される。光信号ｃは、光ファイ
バ増幅器２０で増幅されて光増幅信号ｄとなり、光ファ
イバ伝送路に送出される。光ファイバ増幅器２０では、
合波器１５で光信号ｃと励起光源１６から出力される励
起光が合波され、エルビウム添加光ファイバ１７に入力
される。エルビウム添加光ファイバ１７で増幅された光
増幅信号ｄの一部は分波器２１で分波され、光検出器２
２に入力されて光パワーが検出される。光出力一定制御
回路２３は、この光パワーが一定になるように励起光源
駆動回路２４を駆動して励起光源１６の出力を制御し、
光ファイバ増幅器２０から出力される光増幅信号ｄの光
パワーを一定に保つ。
【００１８】飽和状態にある光ファイバ増幅器２０の光
出力変動要因は、光入力レベルの変動、光学部品の損失
変動および励起光源１６の光出力変動が考えられる。こ
の中で、光入力レベルに応じた光出力変動の変動速度が
最も速い。通常用いられる光出力一定制御回路の時定数
は、光入力レベルによる光出力変動を抑えるために数ミ
リ秒に設定される。
出力変動要因は、光入力レベルの変動、光学部品の損失
変動および励起光源１６の光出力変動が考えられる。こ
の中で、光入力レベルに応じた光出力変動の変動速度が
最も速い。通常用いられる光出力一定制御回路の時定数
は、光入力レベルによる光出力変動を抑えるために数ミ
リ秒に設定される。
【００１９】本実施形態では、光ファイバ増幅器２０に
おける低域遮断周波数は数ｋHz以下であるので、光源１
１の変調周波数を光ファイバ増幅器２０の低域遮断周波
数以下とし、光源１１のキャリア線幅を拡げたときに生
じた残留強度変調成分を抑圧する。さらに、光出力一定
制御回路２３の時定数を通常の場合よりも高速の数百マ
イクロ秒以下（光ファイバ増幅器２０の低域遮断周波数
の逆数以下）にすることにより、光ファイバ増幅器２０
の低域遮断特性を急峻にすることができる。
おける低域遮断周波数は数ｋHz以下であるので、光源１
１の変調周波数を光ファイバ増幅器２０の低域遮断周波
数以下とし、光源１１のキャリア線幅を拡げたときに生
じた残留強度変調成分を抑圧する。さらに、光出力一定
制御回路２３の時定数を通常の場合よりも高速の数百マ
イクロ秒以下（光ファイバ増幅器２０の低域遮断周波数
の逆数以下）にすることにより、光ファイバ増幅器２０
の低域遮断特性を急峻にすることができる。
【００２０】図７は、第２の実施形態における光ファイ
バ増幅器２０の周波数応答特性を示す。(1) は、時定数
が 800マイクロ秒の光出力一定制御回路２３を用いた場
合を示し、(2) は、時定数が 200マイクロ秒の光出力一
定制御回路２３を用いた場合を示す。時定数が 200マイ
クロ秒のものを用いることにより、光ファイバ増幅器２
０の低域遮断特性が急峻になっていることがわかる。
バ増幅器２０の周波数応答特性を示す。(1) は、時定数
が 800マイクロ秒の光出力一定制御回路２３を用いた場
合を示し、(2) は、時定数が 200マイクロ秒の光出力一
定制御回路２３を用いた場合を示す。時定数が 200マイ
クロ秒のものを用いることにより、光ファイバ増幅器２
０の低域遮断特性が急峻になっていることがわかる。
【００２１】図８は、低周波信号ａとして正弦波を用い
た場合の残留強度変調成分抑圧例を示す。(1) は光信号
ｃの残留強度変調成分を示し、(2) は光増幅信号ｄの残
留強度変調成分を示す。図９は、低周波信号ａとして三
角波を用いた場合の残留強度変調成分抑圧例を示す（請
求項３）。(1) は光信号ｃの残留強度変調成分を示し、
(2) は光増幅信号ｄの残留強度変調成分を示す。
た場合の残留強度変調成分抑圧例を示す。(1) は光信号
ｃの残留強度変調成分を示し、(2) は光増幅信号ｄの残
留強度変調成分を示す。図９は、低周波信号ａとして三
角波を用いた場合の残留強度変調成分抑圧例を示す（請
求項３）。(1) は光信号ｃの残留強度変調成分を示し、
(2) は光増幅信号ｄの残留強度変調成分を示す。
【００２２】図１０は、第２の実施形態における残留強
度変調成分（キャリア線幅1.0ＧHz)の抑圧効果を示す。
◇は光出力一定制御を行わない場合、□は時定数が 800
マイクロ秒の光出力一定制御回路２３を用いた場合、○
は時定数が 200マイクロ秒の光出力一定制御回路２３を
用いた場合を示す。変調周波数を光ファイバ増幅器２０
の低域遮断周波数（数ｋHz）以下とし、時定数が 200マ
イクロ秒の光出力一定制御回路２３を用いることによ
り、残留強度変調成分が大幅に抑圧されていることがわ
かる。
度変調成分（キャリア線幅1.0ＧHz)の抑圧効果を示す。
◇は光出力一定制御を行わない場合、□は時定数が 800
マイクロ秒の光出力一定制御回路２３を用いた場合、○
は時定数が 200マイクロ秒の光出力一定制御回路２３を
用いた場合を示す。変調周波数を光ファイバ増幅器２０
の低域遮断周波数（数ｋHz）以下とし、時定数が 200マ
イクロ秒の光出力一定制御回路２３を用いることによ
り、残留強度変調成分が大幅に抑圧されていることがわ
かる。
【００２３】なお、以上説明した各実施形態では、光フ
ァイバ増幅器１４，２０でエルビウム添加光ファイバ１
７を用いた例を示したが、エルビウム以外の希土類添加
光ファイバも同様に用いることができる。
ァイバ増幅器１４，２０でエルビウム添加光ファイバ１
７を用いた例を示したが、エルビウム以外の希土類添加
光ファイバも同様に用いることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の高出力光
送信機は、光源の変調周波数を光増幅手段の低域遮断周
波数（数ｋHz）以下とすることにより、残留強度変調成
分（振幅変調成分）を抑圧することができる。また、光
増幅手段において、時定数が光増幅手段の低域遮断周波
数の逆数以下である高速の光出力一定制御手段を用いる
ことにより低域遮断特性を急峻にでき、残留強度変調成
分の抑圧効果を高めることができる。また、光源を変調
する低周波信号として三角波を用いることにより、誘導
ブリルアン散乱の抑圧効果を高めることができる。
送信機は、光源の変調周波数を光増幅手段の低域遮断周
波数（数ｋHz）以下とすることにより、残留強度変調成
分（振幅変調成分）を抑圧することができる。また、光
増幅手段において、時定数が光増幅手段の低域遮断周波
数の逆数以下である高速の光出力一定制御手段を用いる
ことにより低域遮断特性を急峻にでき、残留強度変調成
分の抑圧効果を高めることができる。また、光源を変調
する低周波信号として三角波を用いることにより、誘導
ブリルアン散乱の抑圧効果を高めることができる。
【００２５】このように、本発明の高出力光送信機を用
いることにより、感度劣化を発生する残留強度変調成分
を容易に抑圧することができ、光ファイバ伝送路への入
射パワーを大きくすることができる。
いることにより、感度劣化を発生する残留強度変調成分
を容易に抑圧することができ、光ファイバ伝送路への入
射パワーを大きくすることができる。
【図１】本発明の高出力光送信機の第１の実施形態を示
すブロック図。
すブロック図。
【図２】第１の実施形態における光ファイバ増幅器１４
の周波数応答特性を示す図。
の周波数応答特性を示す図。
【図３】第１の実施形態において、低周波信号ａとして
正弦波を用いた場合の残留強度変調成分抑圧例を示す
図。
正弦波を用いた場合の残留強度変調成分抑圧例を示す
図。
【図４】第１の実施形態において、低周波信号ａとして
三角波を用いた場合の残留強度変調成分抑圧例を示す
図。
三角波を用いた場合の残留強度変調成分抑圧例を示す
図。
【図５】低周波信号ａを正弦波または三角波としたとき
の後方散乱光パワーの測定結果を示す図。
の後方散乱光パワーの測定結果を示す図。
【図６】本発明の高出力光送信機の第２の実施形態を示
すブロック図。
すブロック図。
【図７】第２の実施形態における光ファイバ増幅器２０
の周波数応答特性を示す図。
の周波数応答特性を示す図。
【図８】第２の実施形態において、低周波信号ａとして
正弦波を用いた場合の残留強度変調成分抑圧例を示す
図。
正弦波を用いた場合の残留強度変調成分抑圧例を示す
図。
【図９】第２の実施形態において、低周波信号ａとして
三角波を用いた場合の残留強度変調成分抑圧例を示す
図。
三角波を用いた場合の残留強度変調成分抑圧例を示す
図。
【図１０】第２の実施形態における残留強度変調成分の
抑圧効果を示す図。
抑圧効果を示す図。
１１ 光源 １２ 低周波発振器 １３ 光変調器 １４，２０ 光ファイバ増幅器 １５ 合波器 １６ 励起光源 １７ エルビウム添加光ファイバ １８ 励起光源駆動電流一定制御回路 ２１ 分波器 ２２ 光検出器 ２３ 光出力一定制御回路 ２４ 励起光源駆動回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/10 Ｈ０４Ｂ 1/18 10/02 10/18
Claims (3)
- 【請求項１】 低周波信号で変調された光源と、前記光
源の出力光を情報信号で変調する光変調手段と、前記光
変調手段から出力される光信号を増幅して出力する光増
幅手段とを備えた高出力光送信機において、 前記光増幅手段は飽和状態にあり、前記光源の変調周波
数は前記光増幅手段の低域遮断周波数より低く設定した
ことを特徴とする高出力光送信機。 - 【請求項２】 請求項１に記載の高出力光送信機におい
て、 前記光増幅手段の出力を一定に制御し、かつ時定数が光
増幅手段の低域遮断周波数の逆数以下である光出力一定
制御手段を備えたことを特徴とする高出力光送信機。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の高出力
光送信機において、 光源を変調する低周波信号が三角波であることを特徴と
する高出力光送信機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8225475A JPH1070514A (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 高出力光送信機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8225475A JPH1070514A (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 高出力光送信機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1070514A true JPH1070514A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=16829906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8225475A Pending JPH1070514A (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 高出力光送信機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1070514A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006186406A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光クロスコネクト装置および光ネットワークシステム |
| JP2013055212A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光送受信システム |
| JP2013219600A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光送信システム |
-
1996
- 1996-08-27 JP JP8225475A patent/JPH1070514A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006186406A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光クロスコネクト装置および光ネットワークシステム |
| JP2013055212A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光送受信システム |
| JP2013219600A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光送信システム |
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