JP4316212B2 - 光強度変調装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、WDMシステムなどの光通信システムに用いられる光送信装置内の光強度変調装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光通信装置に用いられる外部変調器として光強度変調器がある。この光強度変調器には、たとえばLiNbO3を用いたマッハツエンダ型のLN変調器がある。図10は、LN変調器を用いた光送信装置の概要構成を示すブロック図である。図10において、LN変調器3は、光ファイバ2を介してレーザダイオード(LD)1に接続され、接続点P1を介して入力された光信号を、接続点P2を介して入力される、たとえば10Gbpsの電気信号S2によって強度変調する。強度変調された光信号は、接続点P3に接続された光ファイバ4を介して出力される。ここで、LN変調器3には、モニタフォトダイオード(PD)3aが設けられ、このモニタPD3aによってモニタされた信号S105をもとにバイアス電圧を制御するLN制御回路CCが設けられる。
【0003】
図11に示すように、LN変調器3は、光出力の電圧依存性として、cosの関数である変調曲線を描く。電気信号S2は、変調曲線Lの最大値と最小値との間を駆動電圧Vπとして印加する。この場合に電気信号S2には、変調曲線Lの最大値と最小値との間の中点を駆動点Popとすべくバイアス電圧Vbが印加される。なお、このバイアス電圧Vbは小さい方が好ましい。
【0004】
ところが、LN変調器3の特性として、このバイアス電圧Vbは、温度による熱ドリフトと経時によるDCドリフトが生じ、その結果、動作点Popが変調曲線Lの中点から光出力方向(上下方向)にシフトしてしまい、効率的な変調動作ができなくなる。このため、動作点Popが変調曲線Lの最大値と最小値との中点に位置するように、上述したLN制御回路CCを用いてバイアス電圧Vbのフィードバック制御を行う。たとえば、LN制御回路CCは、変調曲線Lが電圧の高い方に移動した場合に、ドリフトした分、バイアス電圧Vbを高くし、ドリフトした変調曲線LDの最適な動作点Pop´に位置させるバイアス電圧Vb´に補正する制御を行う。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来のLN制御回路CCでは、モニタPD3aが検出したDC電圧値をもとに現在のバイアス電圧Vbを直接求めるようにしているため、光レベル変動があると、バイアス電圧制御を誤ってしまうという問題点があった。
【0006】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、簡易な構成で、変調曲線Lのドリフト値を精度高く求め、精度の高い最適バイアス電圧値に制御することができる光強度変調装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項1にかかる光強度変調装置は、入力された電気信号によって入力された光信号を強度変調し、強度変調された光変調信号を外部出力するとともに、該光変調信号をモニタするモニタ光検出器を有した光強度変調器と、前記電気信号のバイアス電圧を出力するバイアス電圧印加手段と、所定基本周波数のパイロット信号を生成するパイロット信号出力手段と、前記バイアス電圧と前記パイロット信号とを重畳し前記光強度変調器に印加する重畳手段と、前記モニタ光検出器が検出した光変調信号の前記所定基本周波数成分および前記所定基本周波数の2倍高調波成分を取り出すフィルタと、前記フィルタから出力された所定基本周波数成分に対する前記2倍高調波成分の比を演算し、この演算結果をもとに前記光強度変調器の変調曲線のドリフトを求め、該ドリフトを相殺する前記バイアス電圧を前記バイアス電圧印加手段に生成させる制御手段と、を備え、前記電気信号の振幅値と前記パイロット信号の振幅値との合算値が前記光強度変調器の駆動電圧以内であることを特徴とする。
【0008】
請求項1の発明によれば、重畳手段が、バイアス電圧印加手段が出力した電気信号のバイアス電圧とパイロット信号出力手段が出力した所定基本周波数のパイロット信号とを光強度変調器に出力し、フィルタがモニタ光検出器によって検出された光変調信号から該光変調信号の前記所定基本周波数成分および前記所定基本周波数の2倍高調波成分を取り出し、制御手段が、前記フィルタから出力された所定基本周波数成分に対する前記2倍高調波成分の比を演算し、この演算結果をもとに前記光強度変調器の変調曲線のドリフトを求め、該ドリフトを相殺する前記バイアス電圧を前記バイアス電圧印加手段に生成させるようにするとともに、前記電気信号の振幅値と前記パイロット信号の振幅値との合算値が前記光強度変調器の駆動電圧以内となるように設定し、これによって、光強度変調器のバイアス電圧制御と光強度変調器から出力される光信号との最適化を図り、消光比の低下やクロスポイントの低下を生じさせないようにしている。
【0009】
また、請求項2にかかる光強度変調装置は、上記の発明において、前記パイロット信号に同期させて前記フィルタから出力された信号をサンプリングするサンプリング手段を備え、前記制御手段は、前記サンプリング手段が出力したサンプリング値をもとに前記バイアス電圧の制御を行うことを特徴とする。
【0010】
また、請求項3にかかる光強度変調装置は、上記の発明において、前記制御手段は、前記2倍高調波成分の振幅値の符号の正負をもとに前記ドリフトの方向を判定し、該ドリフトが零になるように前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
【0011】
また、請求項4にかかる光強度変調装置は、入力された電気信号によって入力された光信号を強度変調し、強度変調された光変調信号を外部出力するとともに、該光変調信号をモニタするモニタ光検出器を有した光強度変調器と、前記電気信号のバイアス電圧を出力するバイアス電圧印加手段と、所定基本周波数のパイロット信号を生成するパイロット信号出力手段と、前記バイアス電圧と前記パイロット信号とを重畳し前記光強度変調器に印加する重畳手段と、前記モニタ光検出器が検出した光変調信号の前記所定基本周波数成分および前記所定基本周波数の2倍高調波成分を取り出すフィルタと、前記フィルタから出力された所定基本周波数成分に対する前記2倍高調波成分の比を演算し、この演算結果をもとに前記光強度変調器の変調曲線のドリフトを求め、該ドリフトを相殺する算出バイアス電圧をシフトさせた前記バイアス電圧を前記バイアス電圧印加手段に生成させる制御手段と、を備え、前記電気信号の振幅値と前記パイロット信号の振幅値との合算値が前記光強度変調器の駆動電圧以上であることを特徴とする。
【0012】
請求項4の発明によれば、重畳手段が、バイアス電圧印加手段が出力した電気信号のバイアス電圧とパイロット信号出力手段が出力した所定基本周波数のパイロット信号とを光強度変調器に出力し、フィルタがモニタ光検出器によって検出された光変調信号から該光変調信号の前記所定基本周波数成分および前記所定基本周波数の2倍高調波成分を取り出し、制御手段が、前記フィルタから出力された所定基本周波数成分に対する前記2倍高調波成分の比を演算し、この演算結果をもとに前記光強度変調器の変調曲線のドリフトを求め、該ドリフトを相殺する算出バイアス電圧をシフトさせた前記バイアス電圧を前記バイアス電圧印加手段に生成させるようにし、前記電気信号の振幅値と前記パイロット信号の振幅値との合算値が前記光強度変調器の駆動電圧以上であっても、光強度変調器から出力される光信号との最適化を図り、消光比の低下やクロスポイントの低下を生じさせないようにしている。
【0013】
また、請求項5にかかる光強度変調装置は、上記の発明において、前記制御手段は、前記光変調信号の消光比が高くなる方向に前記算出バイアス電圧を所定値シフトさせた前記バイアス電圧を前記バイアス電圧印加手段に生成させる制御を行うことを特徴とする。
【0014】
また、請求項6にかかる光強度変調装置は、上記の発明において、前記パイロット信号に同期させて前記フィルタから出力された信号をサンプリングするサンプリング手段を備え、前記制御手段は、前記サンプリング手段が出力したサンプリング値をもとに前記算出バイアス電圧を求めることを特徴とする。
【0015】
また、請求項7にかかる光強度変調装置は、上記の発明において、前記制御手段は、前記2倍高調波成分の振幅値の符号の正負をもとに前記ドリフトの方向を判定し、該ドリフトが零になるように前記算出バイアス電圧を求めることを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる光強度変調装置について説明する。図1は、この発明の実施の形態である光強度変調装置を含む光送信装置の概要構成を示すブロック図である。図1において、この光送信装置は、LN変調器3とLN制御回路5とからなる光強度変調装置を有し、LN変調器3は、接続点P1を介して接続された光ファイバ2に接続されるとともに、接続点P3を介して光ファイバ4に接続される。
【0017】
LN変調器3は、図12に示したLN変調器3と同じであり、LiNbO3を用いたマッハツェンダ型の光強度変調器である。LN変調器3には、接続点P2を介してたとえば10Gbpsの電気信号S2が入力され、LN変調器3は、光ファイバ2に接続されたLD1から送信される光信号S1を電気信号S2によって強度変調し、この変調された光信号S3を光ファイバ4に出力する。
【0018】
LN変調器3は、強度変調時における漏れ光信号をモニタするモニタPD3aを有するとともに、LN制御回路5に接続され、モニタPD3aが検出した信号S5は、接続点P5,P7を介してLN制御回路5側に出力される。一方、制御されたバイアス電圧Vbと変調曲線Lのドリフトを検出するためのパイロット信号Vaとが重畳された信号S4は、接続点P6,P4を介してLN変調器3側に出力される。
【0019】
LN制御回路5では、電流電圧変換部11が、接続点P7を介して入力された信号S5の電流値を電圧値に変換し、バンドパスフィルタ12が、この変換された電圧信号のうちのパイロット信号Va成分とこのパイロット信号Vaの2倍高調波成分とを通過させるフィルタリングをし、アンプ13に出力する。アンプ13は入力された信号を増幅し、ADコンバータ14に出力し、ADコンバータ14は入力されたアナログ信号をデジタル信号に変換してコントローラCに出力する。
【0020】
コントローラCは、ADコンバータ14によってサンプリングされたデジタル信号の値をもとに、変調曲線Lのドリフトを検出し、このドリフトに対応したドリフト値を加味したバイアス電圧制御値をDAコンバータ15に出力する。DAコンバータ15から出力されたバイアス電圧制御値のアナログ値はアンプ16を介してバイアス電圧Vbとして加算器20に出力される。一方、発振器としてのシンセサイザ17からは、たとえば1kHzの正弦波であるパイロット信号Vaが出力され、アンプ18を介して所定値に増幅された後に加算器20に出力される。なお、シンセサイザ17から出力された1kHzのパイロット信号はコンパレータ19を介してパイロット信号の同期信号が生成され、コントローラCに出力される。コントローラCは、コンパレータ19から入力された同期信号をもとに、上述したADコンバータ14のサンプリング制御を行うとともに、DAコンバータ15の制御を行う。加算器20は、上述したバイアス電圧Vbとパイロット信号Vaとを加算重畳し、信号S4として接続点P6,P4を介してLN変調器3側に出力される。
【0021】
ここで、コントローラCによるパイロット信号Vaを用いたバイアス電圧制御動作について説明する。なお、変調曲線Lのドリフト値を「V0」とし(図11参照)、パイロット信号Vaの周波数を「fp」とする。したがって、パイロット信号Vaは、Vp・sin(2π・fp・t)となる。また、制御電圧「Vπ」の値を「1」とする。この場合、バンドパスフィルタ12から出力される信号Sは、Cfを定数として、
S=Cf・sin(2π・fp・t)
+0.25・Cf・π2・(Vb+V0)・Vp・cos(4π・fp・t)
・・・(1)
として表せる。式(1)右辺の第1項は、周波数fp成分(基本波成分)の正弦波であり、第2項は、基本波fp成分の2倍高調波(2fp)成分の余弦波である。
【0022】
ここで、基本波fp成分に対する2倍高調波2fp成分の比αは、
α=0.25・π2・(Vb+V0)・Vp ・・・(2)
となる。なお、式(2)において制御電圧Vπが「1」でない場合には、比αは式(2)に示した比αを制御電圧Vπの値で除算した値となる。この比αの(Vb+V0)依存性は、図2に示すように、(Vb+V0)が0近傍で急激に小さくなる特性を呈し、コントローラCは、比αを求めることによって、(Vb+V0)の値を求めることができる。
【0023】
たとえば、図3に示すように、2倍高調波2fpに対応させて、基本波fpの1周期に対してADコンバータ14が8つのサンプリング点SP0〜SP7でサンプリングし、各サンプリング点SP0〜SP7に対応したサンプリング値をそれぞれサンプリング値x(0)〜x(7)とすると、基本波fp成分β1は、
β1=0.5√((x(0)−x(4))2+(x(2)−x(6))2)
・・・(3)
として求めることができ、2倍高調波2fp成分β2は、
β2=0.25√((x(0)−x(2)+x(4)−x(6))2
+(x(1)−x(3)+x(5)−x(7))2) ・・・(4)
として求めることができる。ここで、パイロット信号Vaの振幅Vpは既知であるので、式(2)〜(4)を用いて比αを求めることができ、(Vb+V0)の値を最終的に求めることができる。
【0024】
ここで、LN制御回路5の電源投入時においてはバイアス電圧Vb=0であるため、コントローラCが算出する(Vb+V0)=V0によって初期のドリフト値V0を知ることができる。したがって、コントローラCは、DAコンバータ15に対して、このドリフト値V0を相殺すべき初期のバイアス電圧Vb=−V0を与える。コントローラCは、その後のドリフト値V0を相殺すべく、(Vb+V0)の値が0となるバイアス電圧Vbを印加する制御を行うことになる。この場合、図2に示すように、(Vb+V0)は0において比αが急激に小さくなるため、ドリフトを補正するバイアス電圧Vbを精度高く与えることができる。
【0025】
ところで、電源投入時においてドリフト値V0の絶対値を知ることができるが、式(3)および式(4)は、平方根の計算であるため、新規のドリフト値V0の正負は未知である。しかし、図3において、基本波fpのゼロクロス時に、正の値のドリフト値をもつ2倍高調波2fpの値の符号と、負の値のドリフト値をもつ2倍高調波2fp´の値の符号とが反転しており、この関係をもとにドリフト値V0の正負を判定することができる。すなわち、サンプリング値x(0),x(2),x(4),x(6)を用いた値γによって正負を判定することができる。
γ=x(0)−x(2)+x(4)−x(6) ・・・(5)
この値γが正のとき、ドリフト値V0は正であるので、このドリフト値V0を相殺するため、コントローラCはバイアス電圧Vbを負の値としてDAコンバータ15に出力し、値γが負のとき、ドリフト値V0は負であるので、このドリフト値V0を相殺するため、コントローラCはバイアス電圧Vbを正の値としてDAコンバータ15に出力する。
【0026】
換言すると、式(1)に対応した信号Sは、S=Asin(2πfpt)+Bcos(2π2fpt)と置き換えることができ、この実施の形態では、2倍高調波成分の振幅値Bの符号の正負によってドリフトずれの方向を判定するようにしている。
【0027】
この実施の形態では、パイロット信号Vaを生成し、変調曲線Lの非線形によって生じる2倍高調波2fpのサンプリング値をもとにドリフト値V0を大きさと正負とを判定し、このドリフト値V0を補正したバイアス電圧を生成するようにしているので、精度の高い動作点制御を行うことができる。
【0028】
ところで上述した実施の形態におけるLN制御回路3は、上述したドリフトを補正する際、モニタPD3aが検出したパイロット信号の基本波fp成分と2倍高調波2fp成分とを用い、特に2倍高調波2fp成分を用いてバイアス電圧を制御していた。しかしながら、2倍高調波2fp成分のみを用いた制御を行った場合、LN変調器3によって変調された本来の光信号S3が効率的に変調された光信号とならない場合が生じ、伝送品質の劣化につながる。
【0029】
図4は、駆動電圧Vπと同じ振幅値「4.8VP-P」をもつ電気信号S2をLN変調器3に印加した場合におけるモニタPD3aの基本波fpおよび2倍高調波2fpの受信レベルと、光信号S3の消光比Rとの各バイアス電圧依存性を示した図である。この場合、バイアス電圧Vbは、LN制御回路5によって2倍高調波2fpの最小値である3.14Vに制御される。なお、この場合におけるパイロット信号Vaの振幅値は、「450mVP-P」である。図4に示すように、バイアス電圧Vbが3.14Vである場合、消光比Rは最適値(最大値)となっていない。消光比Rが最適値となるのは、バイアス電圧Vbが約3.05Vのときであり、バイアス電圧Vbが3.05Vのときとバイアス電圧Vbが3.14Vのときとの消光比Rの差は、約0.4dBとなる。
【0030】
また、この場合におけるアイパターンのクロスポイントPcは、約45%となり、最適値50%からずれたところに位置する。なお、図6に示すように、クロスポイントPcは、データ信号がオンオフによって交差する点であり、受信器側におけるオン/オフ判定時における閾値の値に一致させるのが好ましい。この消光比Rの減少およびクロスポイントPcの低下は、光信号S3を受信する受信器側における信号誤りを生起させ、伝送品質の低下を招く。
【0031】
このため、図7に示すように、駆動電圧Vπの約88%の振幅値「4.22VP-P」をもつ電気信号S2をLN変調器3に印加し、上記と同様に、バイアス電圧Vbに「450mVP-P」のパイロット信号Vaを重畳している。この場合、図8に示すように、バイアス電圧Vbは、2倍高調波2fpの最小値である約3.23Vに制御され、このとき消光比R(PA/PB)の低下はなく、最大値となり、さらに、図9に示すように、このときのクロスポイントPcは50%となる。すなわち、このときのLN制御回路5によるバイアス電圧制御は、光信号S3の変調出力の最適化に一致している。
【0032】
図4および図5に示した結果が、光信号S3の変調出力の最適化になっていないのは、電気信号S2の振幅値が駆動電圧Vπと同じであり、この電気信号S2が変調時においてさらにパイロット信号Vaが重畳されるため、変調曲線Lによって大きな歪みを招来しているからだと考えられる。一方、図8および図9に示した結果が、光信号S3の変調出力の最適化となっているのは、電気信号S2の振幅値とパイロット信号Vaの振幅値との合算値が、駆動電圧Vπとほぼ同じになっており、LN制御回路5に余分な歪みをもった2倍高調波2fpが入力されていないためと考えられる。したがって、消光比Rの最適化時は、電気信号S2の振幅値とパイロット信号Vaの振幅値との合算値が、駆動電圧Vπと同じときである。なお、図4に示した消光比Rの値は14.2dB強であるが、図8に示した消光比Rの値は14.2dB弱であり、消光比Rが約0.05dB劣化している。しかし、これは電気信号S2の振幅値が88%になったからであり、図4に示したように、約0.4dB劣化した場合に比してそのオーダーが異なる。
【0033】
なお、上述した実施の形態では、2倍高調波2fpの最小値と消光比Rの最大値とを一致させるものであったが、逆に、LN制御回路5は2倍高調波2fpの最小値にバイアス電圧を制御せずに、消光比Rが最大となるバイアス電圧に制御するようにしてもよいし、2倍高調波2fpの最小値以外の点にバイアス電圧を制御するようにしてもよい。この場合、電気信号S2の振幅値は駆動電圧Vπと同じにすることができ、消光比Rの最大化を図ることができるとともに、クロスポイントPcも50%となる。
【0034】
たとえば、電気信号S2が駆動電圧Vπと同じで、そこにパイロット信号Vaを印加した場合は、既に説明したように図4のような関係になる。このような場合において、2倍高調波2fpと基本波fpの比αが、ある所定値、この場合だと約−48dB(−18dBと−66dBとの差分)になるように制御をすればよい。ただし、このような関係が現れる動作点として、3.05V、3.3Vがある。このどちらかに制御するかという点について、図4のように、2倍高調波2fpの最小点に対して消光比Rの最大点が、より小さいバイアス電圧であるという関係が既知であるので、小さいほうの電圧を選択すればよい。また、その逆の関係であった場合には大きい電圧として3.3Vを選択すればよい。
【0035】
すなわち、電気信号S2の振幅値とパイロット信号Vaの振幅値の合算値が駆動電圧Vπ以上の場合にバイアス電圧Vbをシフトする制御を行う。この場合、LN制御回路5は、バイアス電圧Vbを、2倍高調波2fpの最小値から消光比Rが最大値となる方向に所定値シフトさせる補正制御を行うことによって、パイロット信号Vaの2倍高調波2fpを用いた制御をそのまま利用することができる。この所定値は、予め決定しておいてもよいし、演算によって求めてもよい。ここで、LN制御回路5は、バイアス電圧Vbを消光比Rが最大値となる点にシフトさせることが好ましいが、これに限らず、2倍高調波2fpの最小点に対応する消光比R以上の値に制御できるようにバイアス電圧Vbをシフトしてもよい。
【0036】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、重畳手段が、バイアス電圧印加手段が出力した電気信号のバイアス電圧とパイロット信号出力手段が出力した所定基本周波数のパイロット信号とを光強度変調器に出力し、フィルタがモニタ光検出器によって検出された光変調信号から該光変調信号の前記所定基本周波数成分および前記所定基本周波数の2倍高調波成分を取り出し、制御手段が、前記フィルタから出力された所定基本周波数成分に対する前記2倍高調波成分の比を演算し、この演算結果をもとに前記光強度変調器の変調曲線のドリフトを求め、該ドリフトを相殺する前記バイアス電圧を前記バイアス電圧印加手段に生成させるようにするとともに、前記電気信号の振幅値と前記パイロット信号の振幅値との合算値が前記光強度変調器の駆動電圧以内となるように設定し、これによって、光強度変調器のバイアス電圧制御と光強度変調器から出力される光信号との最適化を図り、消光比の低下やクロスポイントの低下を生じさせないようにしているので、この光強度変調器を用いたシステムの伝送品質の低下を抑止することができるという効果を奏する。
【0037】
また、この発明によれば、重畳手段が、バイアス電圧印加手段が出力した電気信号のバイアス電圧とパイロット信号出力手段が出力した所定基本周波数のパイロット信号とを光強度変調器に出力し、フィルタがモニタ光検出器によって検出された光変調信号から該光変調信号の前記所定基本周波数成分および前記所定基本周波数の2倍高調波成分を取り出し、制御手段が、前記フィルタから出力された所定基本周波数成分に対する前記2倍高調波成分の比を演算し、この演算結果をもとに前記光強度変調器の変調曲線のドリフトを求め、該ドリフトを相殺する算出バイアス電圧をシフトさせた前記バイアス電圧を前記バイアス電圧印加手段に生成させるようにし、前記電気信号の振幅値と前記パイロット信号の振幅値との合算値が前記光強度変調器の駆動電圧以上であっても、光強度変調器から出力される光信号との最適化を図り、消光比の低下やクロスポイントの低下を生じさせないようにしているので、この光強度変調器を用いたシステムの伝送品質の低下を抑止することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態である光強度変調装置を含む光送信装置の概要構成を示すブロック図である。
【図2】パイロット信号である基本波に対する2倍高調波の比の(Vb+V0)依存性を示す図である。
【図3】基本波と2倍高調波の波形図である。
【図4】電気信号の振幅値が駆動電圧と同じである場合における基本波、2倍高調波および消光比のバイアス電圧依存性を示す図である。
【図5】電気信号の振幅値が駆動電圧と同じである場合におけるクロスポイントのバイアス電圧依存性を示す図である。
【図6】クロスポイントが50%のときのNRZ符号のアイパターンを示す図である。
【図7】電気信号の振幅値と基本波の振幅値の合算値が駆動電圧以内のときの変調動作を示す図である。
【図8】電気信号の振幅値と基本波の振幅値の合算値が駆動電圧以内のときの基本波、2倍高調波および消光比のバイアス電圧依存性を示す図である。
【図9】電気信号の振幅値と基本波の振幅値の合算値が駆動電圧以内のときのクロスポイントのバイアス電圧依存性を示す図である。
【図10】従来の光送信装置の概要構成を示すブロック図である。
【図11】図10に示した光送信装置のバイアス制御を説明する説明図である。
【符号の説明】
1 レーザダイオード(LD)
2,4 光ファイバ
3 LN変調器
3a モニタPD
5 LN制御回路
11 電流電圧変換部
12 バンドパスフィルタ
13,16,18 アンプ
14 ADコンバータ
15 DAコンバータ
17 シンセサイザ
19 コンパレータ
20 加算器
C コントローラ
P1〜P7 接続点
fp 基本波
2fp 2倍高調波
R 消光比
Pc クロスポイント
Claims (3)
- 入力された電気信号によって入力された光信号を強度変調し、強度変調された光変調信号を外部出力するとともに、該光変調信号をモニタするモニタ光検出器を有した光強度変調器と、
前記光強度変調器の駆動点が該光強度変調器の変調曲線の最大値と最小値との間の中点に一致するように前記電気信号に印加するバイアス電圧を出力するバイアス電圧印加手段と、
所定基本周波数のパイロット信号を生成するパイロット信号出力手段と、
前記バイアス電圧と前記パイロット信号とを重畳し前記光強度変調器に印加する重畳手段と、
前記モニタ光検出器が検出した光変調信号の前記所定基本周波数成分および前記光強度変調器の変調曲線にドリフトがある場合に発生する非線形成分である前記所定基本周波数の2倍高調波成分を取り出すフィルタと、
前記フィルタから出力された所定基本周波数成分に対する前記2倍高調波成分の比を演算し、この演算結果をもとに前記光強度変調器の変調曲線のドリフトを求め、該ドリフトを相殺する算出バイアス電圧を、前記光変調信号の消光比が高くなる方向に所定値シフトさせた前記バイアス電圧を前記バイアス電圧印加手段に生成させる制御手段と、
を備え、前記電気信号の振幅値と前記パイロット信号の振幅値との合算値が前記光強度変調器の変調曲線の最大値と最小値との間に対応する駆動電圧以上であることを特徴とする光強度変調装置。 - 前記パイロット信号に同期させて前記フィルタから出力された信号をサンプリングするサンプリング手段を備え、
前記制御手段は、前記サンプリング手段が出力したサンプリング値をもとに前記算出バイアス電圧を求めることを特徴とする請求項1に記載の光強度変調装置。 - 前記制御手段は、前記2倍高調波成分の振幅値の符号の正負をもとに前記ドリフトの方向を判定し、該ドリフトが零になるように前記算出バイアス電圧を求めることを特徴とする請求項1または2に記載の光強度変調装置。
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