JPH0817311B2 - 高周波信号分配回路 - Google Patents
高周波信号分配回路Info
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- JPH0817311B2 JPH0817311B2 JP1090117A JP9011789A JPH0817311B2 JP H0817311 B2 JPH0817311 B2 JP H0817311B2 JP 1090117 A JP1090117 A JP 1090117A JP 9011789 A JP9011789 A JP 9011789A JP H0817311 B2 JPH0817311 B2 JP H0817311B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、移動体通信などで多用される高周波信号分
配回路に関するものである。
配回路に関するものである。
従来の技術 最近、自動車電話、携帯電話など移動体通信の分野で
は機器の小形化が急速に進展している。このため、構成
部品の小形化が必要不可欠になっている。高周波信号を
分配する分配回路も例外でない。この高周波信号分配回
路の例としては、分配回路と増幅器を組み合わせた回路
構成が知られている。以下、第３図を参照して、従来の
高周波信号分配回路について説明する。
は機器の小形化が急速に進展している。このため、構成
部品の小形化が必要不可欠になっている。高周波信号を
分配する分配回路も例外でない。この高周波信号分配回
路の例としては、分配回路と増幅器を組み合わせた回路
構成が知られている。以下、第３図を参照して、従来の
高周波信号分配回路について説明する。
第３図において、１は入力信号端子、２、３は分配出
力信号端子、４は分配回路、５、5aは入力整合回路、
６、6aは能動素子部、７、7aは出力整合回路、R1〜R3は
分配回路４を構成する抵抗である。
力信号端子、４は分配回路、５、5aは入力整合回路、
６、6aは能動素子部、７、7aは出力整合回路、R1〜R3は
分配回路４を構成する抵抗である。
以上のような構成において、以下その動作について説
明する。高周波信号は、入力信号端子１から分配回路４
に入力され、ここで２分配され、それぞれ入力整合回路
５、5aを介してトラジスタなどの能動素子部６、6aでそ
れぞれ増幅された後、出力整合回路７、7aを通して出力
信号端子２、３より取り出される。即ち、高周波入力信
号が２分配される。
明する。高周波信号は、入力信号端子１から分配回路４
に入力され、ここで２分配され、それぞれ入力整合回路
５、5aを介してトラジスタなどの能動素子部６、6aでそ
れぞれ増幅された後、出力整合回路７、7aを通して出力
信号端子２、３より取り出される。即ち、高周波入力信
号が２分配される。
発明が解決しようとする課題 しかし、以上のような回路構成では、入力整合回路
５、5aが２つあること、分配回路による分配損失がある
ことなど小形化、性能の両面で課題を有していた。
５、5aが２つあること、分配回路による分配損失がある
ことなど小形化、性能の両面で課題を有していた。
本発明は、従来技術の以上のような課題を、解決する
もので、入力整合回路を１つに削減するとともに、集積
回路化に適した簡単な回路構成をとることにより、小形
化を、また直接分配することで分配損失を軽減すると同
時に、分離度の良好な回路構成を実現して、高周波信号
分配回路に要求される基本性能である入出力間、出力相
互間の分離度を改善した高周波信号分配回路を提供する
ことを目的とするものである。
もので、入力整合回路を１つに削減するとともに、集積
回路化に適した簡単な回路構成をとることにより、小形
化を、また直接分配することで分配損失を軽減すると同
時に、分離度の良好な回路構成を実現して、高周波信号
分配回路に要求される基本性能である入出力間、出力相
互間の分離度を改善した高周波信号分配回路を提供する
ことを目的とするものである。
課題を解決するための手段 本発明は、能動素子にGaAsデュアルゲートFETを用
い、このGaAsデュアルゲートFETの入力インピーダンス
が高いことを利用して直接分配し、またこのGaAsデュア
ルゲートFETの第２ゲートを高周波的に接地することに
より、上記目的を達成するものである。
い、このGaAsデュアルゲートFETの入力インピーダンス
が高いことを利用して直接分配し、またこのGaAsデュア
ルゲートFETの第２ゲートを高周波的に接地することに
より、上記目的を達成するものである。
作用 本発明は上記構成により、分配回路を省略して直接２
分配することにより、分配損失を軽減すると同時に、入
力整合回路を１つに削減し、回路の簡略化を図り、集積
回路化に適した構成としている。また、入出力分離度が
良好な素子であるGaAsデュアルゲートFETを能動素子に
用い、更に第２ゲートを高周波的に接地することで、入
出力分離度を改善して、高周波信号分配回路に要求され
る基本性能である分離度を高めている。
分配することにより、分配損失を軽減すると同時に、入
力整合回路を１つに削減し、回路の簡略化を図り、集積
回路化に適した構成としている。また、入出力分離度が
良好な素子であるGaAsデュアルゲートFETを能動素子に
用い、更に第２ゲートを高周波的に接地することで、入
出力分離度を改善して、高周波信号分配回路に要求され
る基本性能である分離度を高めている。
実施例 以下、図面を参照しながら本発明の第１の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
第１図は、本発明の第１の実施例における高周波信号
分配回路のブロック結線を示す図である。第１図におい
て、10は入力信号端子、11、12は分配信号出力端子、13
は入力整合回路、14a、14bはゲート抵抗及びソース抵抗
により直流バイアスを設定して第２ゲートとソースとを
接続してソースを容量により高周波的に接地したGaAsデ
ュアルゲートFET回路、15a、15bは分配出力整合回路で
ある。
分配回路のブロック結線を示す図である。第１図におい
て、10は入力信号端子、11、12は分配信号出力端子、13
は入力整合回路、14a、14bはゲート抵抗及びソース抵抗
により直流バイアスを設定して第２ゲートとソースとを
接続してソースを容量により高周波的に接地したGaAsデ
ュアルゲートFET回路、15a、15bは分配出力整合回路で
ある。
以上のような構成において、以下その動作について説
明する。入力信号端子10に入力された高周波信号は、入
力用整合回路13を経て、直接２分配され、それぞれ２つ
のGaAsデュアルゲートFET回路14a、14bに入力され増幅
された後、出力整合回路15a、15bを介して分配出力信号
端子11、12に出力され、高周波信号分配回路としての動
作をする。
明する。入力信号端子10に入力された高周波信号は、入
力用整合回路13を経て、直接２分配され、それぞれ２つ
のGaAsデュアルゲートFET回路14a、14bに入力され増幅
された後、出力整合回路15a、15bを介して分配出力信号
端子11、12に出力され、高周波信号分配回路としての動
作をする。
以上本実施例によれば、入出力分離度が良好な素子で
あるGaAsデュアルゲートFETの第２ゲートを高周波的に
接地することで、入出力分離度を改善して、分配回路に
要求される入力、分配出力間ならびに分配出力相互間の
分離度を改善している。また、入力整合回路を１つに削
減して回路の簡略化を図り、集積回路化に適した構成と
したもので、高周波信号分配回路の小形化を達成するこ
とが可能である。
あるGaAsデュアルゲートFETの第２ゲートを高周波的に
接地することで、入出力分離度を改善して、分配回路に
要求される入力、分配出力間ならびに分配出力相互間の
分離度を改善している。また、入力整合回路を１つに削
減して回路の簡略化を図り、集積回路化に適した構成と
したもので、高周波信号分配回路の小形化を達成するこ
とが可能である。
第２図は本発明の第２の実施例における高周波信号分
配回路のブロック結線を示す図である。第２図におい
て、第１図の構成と異る点は、２つのGaAsデュアルゲー
トFET回路16のソース抵抗ならびにゲート抵抗を共通に
した点である。第１図と同じ番号を付したものは第１図
と同じ働きをするものである。
配回路のブロック結線を示す図である。第２図におい
て、第１図の構成と異る点は、２つのGaAsデュアルゲー
トFET回路16のソース抵抗ならびにゲート抵抗を共通に
した点である。第１図と同じ番号を付したものは第１図
と同じ働きをするものである。
以上のような回路構成において、その基本動作は第１
の実施例と同じなので説明を省略するが、分配、増幅用
GaAsデュアルゲートFET回路16のソース抵抗ならびにゲ
ート抵抗を共通にしたことで、回路部品点数を３つ省略
できるとともに集積回路化を図った場合ピン数を削減で
きると言う大きな利点がある。
の実施例と同じなので説明を省略するが、分配、増幅用
GaAsデュアルゲートFET回路16のソース抵抗ならびにゲ
ート抵抗を共通にしたことで、回路部品点数を３つ省略
できるとともに集積回路化を図った場合ピン数を削減で
きると言う大きな利点がある。
発明の効果 以上のように、本発明は、能動素子にGaAsデュアルゲ
ートFETを採用し、このGaAsデュアルゲートFETの入力イ
ンピーダンスが高いことを利用して、直接２分配するこ
とにより、分配損失を軽減すると同時に、入力整合回路
を１つに削減し、回路の簡略化を図り、集積回路化に適
した回路構成とすることが可能である。また、このGaAs
デュアルゲートFETの第２ゲートを高周波的に接地する
ことにより、入出力間の分離度を高め、高周波信号分配
回路に要求される基本特性である入力、分配出力間なら
びに分配出力相互間の分離度を改善することができる。
更に、共通にできる部品は共通にすることで、回路部品
点数を削減すると同時に、集積回路化を図った場合、ピ
ン数の削減が図れ、回路の小形化を大いに促進すること
ができるなど、その発明の効果は大きい。
ートFETを採用し、このGaAsデュアルゲートFETの入力イ
ンピーダンスが高いことを利用して、直接２分配するこ
とにより、分配損失を軽減すると同時に、入力整合回路
を１つに削減し、回路の簡略化を図り、集積回路化に適
した回路構成とすることが可能である。また、このGaAs
デュアルゲートFETの第２ゲートを高周波的に接地する
ことにより、入出力間の分離度を高め、高周波信号分配
回路に要求される基本特性である入力、分配出力間なら
びに分配出力相互間の分離度を改善することができる。
更に、共通にできる部品は共通にすることで、回路部品
点数を削減すると同時に、集積回路化を図った場合、ピ
ン数の削減が図れ、回路の小形化を大いに促進すること
ができるなど、その発明の効果は大きい。
第１図は本発明の第１の実施例における高周波信号分配
回路のブロック結線図、第２図は本発明の第２の実施例
における高周波信号分配回路のブロック結線図、第３図
は従来の高周波信号分配回路のブロック結線図である。 10……入力信号端子、11、12……分配信号出力端子、13
……入力整合回路、14a、14b、16……GaAsデュアルゲー
トFET回路、15a、15b……分配出力整合回路。
回路のブロック結線図、第２図は本発明の第２の実施例
における高周波信号分配回路のブロック結線図、第３図
は従来の高周波信号分配回路のブロック結線図である。 10……入力信号端子、11、12……分配信号出力端子、13
……入力整合回路、14a、14b、16……GaAsデュアルゲー
トFET回路、15a、15b……分配出力整合回路。
Claims (2)
- 【請求項１】第２ゲートとソースを高周波的に接地した
第１、第２のGaAsデュアルゲートFET回路と、前記第
１、第２のGaAsデュアルゲートFET回路の出力側に接続
された第１、第２の出力整合回路と、前記第１、第２の
GaAsデュアルゲートFET回路の入力側に接続された入力
整合回路とを具備したことを特徴とする高周波信号分配
回路。 - 【請求項２】請求項１記載の第１、第２のGaAsデュアル
ゲートFET回路のソース抵抗ならびにゲート抵抗を共通
にし、１つのGaAsデュアルゲートFET回路の置換したこ
とを特徴とする請求項１記載の高周波信号分配回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1090117A JPH0817311B2 (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 高周波信号分配回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1090117A JPH0817311B2 (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 高周波信号分配回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02268013A JPH02268013A (ja) | 1990-11-01 |
| JPH0817311B2 true JPH0817311B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=13989572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1090117A Expired - Fee Related JPH0817311B2 (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 高周波信号分配回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817311B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2523937B2 (ja) * | 1990-05-16 | 1996-08-14 | 松下電器産業株式会社 | 高周波信号分配回路 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63309001A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-16 | A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk | マイクロ波集積回路装置 |
| JPH0693565B2 (ja) * | 1987-06-26 | 1994-11-16 | 株式会社エイ・ティ・ア−ル光電波通信研究所 | マイクロ波分岐回路装置 |
-
1989
- 1989-04-10 JP JP1090117A patent/JPH0817311B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02268013A (ja) | 1990-11-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |