JPH08162746A - 回路基板 - Google Patents
回路基板Info
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- JPH08162746A JPH08162746A JP32147794A JP32147794A JPH08162746A JP H08162746 A JPH08162746 A JP H08162746A JP 32147794 A JP32147794 A JP 32147794A JP 32147794 A JP32147794 A JP 32147794A JP H08162746 A JPH08162746 A JP H08162746A
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- land conductor
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- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 温度変化による回路パターンの導通不良が起
こりにくく、且つ回路パターンの高密度化の障害となら
ない回路基板。 【構成】 回路基板は、絶縁材を主体とする材料により
形成された基板１１と、この基板１１の表面上に形成さ
れ、回路部品に半田付けされるランド導体パターン１
３、１４を含む導体パターンと、この導体パターンのう
ち、回路部品に半田付けされる部分以外の部分を覆う絶
縁性のオーバーコート膜１２とを有する。前記ランド導
体パターン１３の一部であって、それを回路と接続する
接続導体パターン１５が導出された端部１９のみがオー
バーコート膜１２で覆れている。この端部１９は、回路
部品を半田付けする半田フィレットの先端側にある。
こりにくく、且つ回路パターンの高密度化の障害となら
ない回路基板。 【構成】 回路基板は、絶縁材を主体とする材料により
形成された基板１１と、この基板１１の表面上に形成さ
れ、回路部品に半田付けされるランド導体パターン１
３、１４を含む導体パターンと、この導体パターンのう
ち、回路部品に半田付けされる部分以外の部分を覆う絶
縁性のオーバーコート膜１２とを有する。前記ランド導
体パターン１３の一部であって、それを回路と接続する
接続導体パターン１５が導出された端部１９のみがオー
バーコート膜１２で覆れている。この端部１９は、回路
部品を半田付けする半田フィレットの先端側にある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回路部品を半田付けす
るランド導体パターンを有する回路基板に関する。
るランド導体パターンを有する回路基板に関する。
【０００２】混成集積回路装置等に使用される回路基板
は、アルミナ等の絶縁材料を主体として板状に形成され
た基板の表面や内部にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ或はＣｕ等の導
体膜により形成された導体パターンを主体とする回路パ
ターンを形成したものである。前記基板の表面に形成さ
れた導体パターンの一部はランド導体パターンとなって
おり、このランド導体パターン等のように回路部品に半
田付けされる部分を除いて基板の表面の回路パターンが
樹脂やガラス等からなる絶縁性のオーバーコート膜で覆
われている。このオーバーコート膜から露出したランド
導体パターンには、ペースト半田等が印刷され、その上
にチップ部品やパッケージ部品等の回路部品が搭載され
て半田付けされる。また、基板の縁部には、クリップリ
ード等のリード端子を半田付けするためのランド導体パ
ターンが形成され、ここにクリップリード等のリード端
子が半田付けされる。
は、アルミナ等の絶縁材料を主体として板状に形成され
た基板の表面や内部にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ或はＣｕ等の導
体膜により形成された導体パターンを主体とする回路パ
ターンを形成したものである。前記基板の表面に形成さ
れた導体パターンの一部はランド導体パターンとなって
おり、このランド導体パターン等のように回路部品に半
田付けされる部分を除いて基板の表面の回路パターンが
樹脂やガラス等からなる絶縁性のオーバーコート膜で覆
われている。このオーバーコート膜から露出したランド
導体パターンには、ペースト半田等が印刷され、その上
にチップ部品やパッケージ部品等の回路部品が搭載され
て半田付けされる。また、基板の縁部には、クリップリ
ード等のリード端子を半田付けするためのランド導体パ
ターンが形成され、ここにクリップリード等のリード端
子が半田付けされる。
【０００３】例えば、図９は従来の回路基板のチップ状
部品ａが搭載されるランド導体パターン３、４の部分を
示している。ランド導体パターン３、４は、他の導体パ
ターンと同時に導体膜により基板１の表面に形成された
もので、搭載するチップ状部品ａの両端の電極ｂ、ｂに
対応するよう基板１上に対向している。このランド導体
パターン３、４は、その全体がオーバーコート膜２の窓
状の部分から基板１の表面に露出しており、接続導体パ
ターン５、６を介して他の回路パターンと電気的に接続
されている。
部品ａが搭載されるランド導体パターン３、４の部分を
示している。ランド導体パターン３、４は、他の導体パ
ターンと同時に導体膜により基板１の表面に形成された
もので、搭載するチップ状部品ａの両端の電極ｂ、ｂに
対応するよう基板１上に対向している。このランド導体
パターン３、４は、その全体がオーバーコート膜２の窓
状の部分から基板１の表面に露出しており、接続導体パ
ターン５、６を介して他の回路パターンと電気的に接続
されている。
【０００４】図１０は従来の回路基板のチップ状部品ａ
が搭載される回路基板上のランド導体パターン３、４の
部分の他の例を示している。ここでは、ランド導体パタ
ーン３、４の周辺部がオーバーコート膜２で覆われてお
り、その中央部分がオーバーコート膜１２の窓状の部分
から基板１の表面に露出している。このランド導体パタ
ーン３、４が接続導体パターン５、６を介して他の回路
パターンと電気的に接続されていることは、図９と同様
である。これらの回路基板上には、前記ランド導体パタ
ーン３、４の上に例えばチップ状部品ａ等の回路部品が
搭載され、その両端の端子ｂ、ｂがランド導体パターン
３、４に半田付けされる。
が搭載される回路基板上のランド導体パターン３、４の
部分の他の例を示している。ここでは、ランド導体パタ
ーン３、４の周辺部がオーバーコート膜２で覆われてお
り、その中央部分がオーバーコート膜１２の窓状の部分
から基板１の表面に露出している。このランド導体パタ
ーン３、４が接続導体パターン５、６を介して他の回路
パターンと電気的に接続されていることは、図９と同様
である。これらの回路基板上には、前記ランド導体パタ
ーン３、４の上に例えばチップ状部品ａ等の回路部品が
搭載され、その両端の端子ｂ、ｂがランド導体パターン
３、４に半田付けされる。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】このような回路基
板において、基板１、ランド導体パターン３、４、半田
等は、各々熱膨張係数が違うため、温度変化が生じると
各部に熱応力を発生する。このため、図９に示された前
記のような従来の回路基板では、ランド導体パターン
３、４とチップ状部品ａの端子ｂ、ｂとを接続している
半田にクラックが入ったり、ランド導体パターン３、４
が基板１の表面から剥がれやすい。これにより、基板１
に形成された回路パターンと基板１上に搭載した回路部
品との導通性が損なわれる。
板において、基板１、ランド導体パターン３、４、半田
等は、各々熱膨張係数が違うため、温度変化が生じると
各部に熱応力を発生する。このため、図９に示された前
記のような従来の回路基板では、ランド導体パターン
３、４とチップ状部品ａの端子ｂ、ｂとを接続している
半田にクラックが入ったり、ランド導体パターン３、４
が基板１の表面から剥がれやすい。これにより、基板１
に形成された回路パターンと基板１上に搭載した回路部
品との導通性が損なわれる。
【０００６】他方、図１０に示された前記のような回路
基板では、ランド導体パターン３、４の基板１の表面か
らの剥がれが生じにくい。しかしこの場合、ランド導体
パターン３、４は、その回路部品との半田接続のために
必要な面積を確保する必要性から、周囲をオーバーコー
ト膜２で覆った分だけ図９に示したランド導体パターン
３、４よりその面積を広くする必要がある。そのため、
ランド導体パターン３、４の基板１上に占める面積が増
大し、回路パターンの配線密度が低下してしまう。換言
すると、回路パターンの高密度化がしにくく、小型化が
図りにくいという課題がある。
基板では、ランド導体パターン３、４の基板１の表面か
らの剥がれが生じにくい。しかしこの場合、ランド導体
パターン３、４は、その回路部品との半田接続のために
必要な面積を確保する必要性から、周囲をオーバーコー
ト膜２で覆った分だけ図９に示したランド導体パターン
３、４よりその面積を広くする必要がある。そのため、
ランド導体パターン３、４の基板１上に占める面積が増
大し、回路パターンの配線密度が低下してしまう。換言
すると、回路パターンの高密度化がしにくく、小型化が
図りにくいという課題がある。
【０００７】そこで本発明では、前記の課題を解消し、
温度変化による回路パターンの導通不良が起こりにく
く、且つ回路パターンの高密度化の障害とならない回路
基板を提供することを目的とする。
温度変化による回路パターンの導通不良が起こりにく
く、且つ回路パターンの高密度化の障害とならない回路
基板を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では、前記の目的
を達成するため、ランド導体パターン１３、１４のう
ち、導体パターン１３、１４の一部のみ、より具体的に
は、それを回路と接続する接続導体パターン１５、１６
が導出された端部１９のみ、或は互いに対向したランド
導体パターン１３、１４の半田付け部分の外側の端部１
９、２１のみをオーバーコート膜１２で覆ったものであ
る。これにより、ヒートサイクルによる導通不良の発生
率について、ランド導体パターン１３、１４の全周囲を
オーバーコート膜１２で覆ったのと概ね同等の低減効果
を得たものである。
を達成するため、ランド導体パターン１３、１４のう
ち、導体パターン１３、１４の一部のみ、より具体的に
は、それを回路と接続する接続導体パターン１５、１６
が導出された端部１９のみ、或は互いに対向したランド
導体パターン１３、１４の半田付け部分の外側の端部１
９、２１のみをオーバーコート膜１２で覆ったものであ
る。これにより、ヒートサイクルによる導通不良の発生
率について、ランド導体パターン１３、１４の全周囲を
オーバーコート膜１２で覆ったのと概ね同等の低減効果
を得たものである。
【０００９】すなわち、本発明による回路基板は、絶縁
材を主体とする材料により形成された基板１１と、この
基板１１の表面上に形成され、回路部品に半田付けされ
るランド導体パターン１３、１４を含む導体パターン
と、この導体パターンのうち、回路部品に半田付けされ
る部分以外の部分を覆う絶縁性のオーバーコート膜１２
とを有する回路基板において、前記ランド導体パターン
１３の一部であって、それを回路と接続する接続導体パ
ターン１５が導出された端部１９のみをオーバーコート
膜１２で覆ったことを特徴とするものである。ここで、
前記オーバーコート膜１２で覆われるランド導体パター
ン１３の端部１９は、回路部品を半田付けする半田フィ
レットの先端側にある。或は、互いに対向した前記ラン
ド導体パターン１３、１４の回路部品が半田付けされる
部分の外側の端部１９、２１のみをオーバーコート膜１
２で覆ったことを特徴とするものである。
材を主体とする材料により形成された基板１１と、この
基板１１の表面上に形成され、回路部品に半田付けされ
るランド導体パターン１３、１４を含む導体パターン
と、この導体パターンのうち、回路部品に半田付けされ
る部分以外の部分を覆う絶縁性のオーバーコート膜１２
とを有する回路基板において、前記ランド導体パターン
１３の一部であって、それを回路と接続する接続導体パ
ターン１５が導出された端部１９のみをオーバーコート
膜１２で覆ったことを特徴とするものである。ここで、
前記オーバーコート膜１２で覆われるランド導体パター
ン１３の端部１９は、回路部品を半田付けする半田フィ
レットの先端側にある。或は、互いに対向した前記ラン
ド導体パターン１３、１４の回路部品が半田付けされる
部分の外側の端部１９、２１のみをオーバーコート膜１
２で覆ったことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】前記本発明による回路基板では、ヒートサイク
ル試験において、ランド導体パターン１３、１４の全周
囲をオーバーコート膜１２で覆ったものと、導通不良の
発生率がほぼ同じ程度に低かった。これは次のような理
由によるものと考えられる。すなわち、温度変動によ
り、ランド導体パターン１３、１４と回路部品とを接続
している半田フィレット２０’、２０’に発生する熱応
力は、その先端部分に集中する。従って、前述のよう
に、互いに対向した前記ランド導体パターン１３、１４
の半田付け部分の外側の端部１９、２１のみをオーバー
コート膜１２で覆うだけで、半田フィレット２０’、２
０’の先端部分に集中しようとする熱応力を分散するこ
とができ、その部分を確実に補強できる。
ル試験において、ランド導体パターン１３、１４の全周
囲をオーバーコート膜１２で覆ったものと、導通不良の
発生率がほぼ同じ程度に低かった。これは次のような理
由によるものと考えられる。すなわち、温度変動によ
り、ランド導体パターン１３、１４と回路部品とを接続
している半田フィレット２０’、２０’に発生する熱応
力は、その先端部分に集中する。従って、前述のよう
に、互いに対向した前記ランド導体パターン１３、１４
の半田付け部分の外側の端部１９、２１のみをオーバー
コート膜１２で覆うだけで、半田フィレット２０’、２
０’の先端部分に集中しようとする熱応力を分散するこ
とができ、その部分を確実に補強できる。
【００１１】さらに、温度変動により、導体パターンに
発生する熱応力は、ランド導体パターン１３、１４と接
続導体パターン１５、１６とが連なるくびれた部分に集
中する。従って、その部分をオーバーコート膜１２で覆
うことにより、ランド導体パターン１３、１４と接続導
体パターン１５、１６との連なった部分に生じる熱応力
を分散することができ、その部分の断線が確実に防止で
きる。
発生する熱応力は、ランド導体パターン１３、１４と接
続導体パターン１５、１６とが連なるくびれた部分に集
中する。従って、その部分をオーバーコート膜１２で覆
うことにより、ランド導体パターン１３、１４と接続導
体パターン１５、１６との連なった部分に生じる熱応力
を分散することができ、その部分の断線が確実に防止で
きる。
【００１２】この場合、ランド導体パターン１３、１４
の一部だけをオーバーコート膜１２で覆えばよいので、
ランド導体パターン１３、１４の全周囲をオーバーコー
ト膜１２で覆うのに比べて、ランド導体パターン１３、
１４の基板１１上に占める面積を大幅に狭くすることが
できる。
の一部だけをオーバーコート膜１２で覆えばよいので、
ランド導体パターン１３、１４の全周囲をオーバーコー
ト膜１２で覆うのに比べて、ランド導体パターン１３、
１４の基板１１上に占める面積を大幅に狭くすることが
できる。
【００１３】
【実施例】次に、図面を参照しながら、本発明の実施例
について具体的且つ詳細に説明する。図１〜図４に本発
明の実施例による回路基板のランド導体パターン１３、
１４の周囲の部分を示している。
について具体的且つ詳細に説明する。図１〜図４に本発
明の実施例による回路基板のランド導体パターン１３、
１４の周囲の部分を示している。
【００１４】基板１１（図３及び図４参照）は、アルミ
ナ等の絶縁性セラミックの焼成体或はガラスエポキシ樹
脂等の樹脂系成形体により、平板上に作られたもので、
その表面や内部に回路パターンが形成されている。基板
１１の内部に回路パターンが形成される例としては、多
層回路基板があげられる。回路パターンは、導体膜によ
り形成された導体パターンがその主なものであり、さら
に抵抗膜や誘電体膜により、膜状素子のような形態で基
板１１の表面や内部に形成されるものもある。これらの
回路パターンは、導電ペースト、抵抗ペースト、誘電体
ペースト等を所定のパターンで基板１１上に印刷し、焼
き付けることにより形成される。図１〜図４では、前記
導体パターンのうち、ランド導体パターン１３、１４の
部分が示されている。
ナ等の絶縁性セラミックの焼成体或はガラスエポキシ樹
脂等の樹脂系成形体により、平板上に作られたもので、
その表面や内部に回路パターンが形成されている。基板
１１の内部に回路パターンが形成される例としては、多
層回路基板があげられる。回路パターンは、導体膜によ
り形成された導体パターンがその主なものであり、さら
に抵抗膜や誘電体膜により、膜状素子のような形態で基
板１１の表面や内部に形成されるものもある。これらの
回路パターンは、導電ペースト、抵抗ペースト、誘電体
ペースト等を所定のパターンで基板１１上に印刷し、焼
き付けることにより形成される。図１〜図４では、前記
導体パターンのうち、ランド導体パターン１３、１４の
部分が示されている。
【００１５】図１〜図４に示されたランド導体パターン
１３、１４は、回路部品としてチップ状部品ａを搭載す
るためのものであり、基板１１の表面上で対向して配置
された一対の矩形の導体膜からなる。このランド導体パ
ターン１３、１４には、それを他の回路パターンと接続
するための接続導体パターン１５、１６が一体に連なっ
ており、この接続導体パターン１５、１６はランド導体
パターン１３、１４に比べて幅の狭い細密な導体膜から
なる。図１〜図４で示した実施例では、ランド導体パタ
ーン１３とランド導体パターン１４とから各々導出され
た接続導体パターン１５、１６は、互いに直交する方向
に導出されている。
１３、１４は、回路部品としてチップ状部品ａを搭載す
るためのものであり、基板１１の表面上で対向して配置
された一対の矩形の導体膜からなる。このランド導体パ
ターン１３、１４には、それを他の回路パターンと接続
するための接続導体パターン１５、１６が一体に連なっ
ており、この接続導体パターン１５、１６はランド導体
パターン１３、１４に比べて幅の狭い細密な導体膜から
なる。図１〜図４で示した実施例では、ランド導体パタ
ーン１３とランド導体パターン１４とから各々導出され
た接続導体パターン１５、１６は、互いに直交する方向
に導出されている。
【００１６】前記ランド導体パターン１３、１４を除い
て、他の回路パターンを覆うように、基板１１の表面が
オーバーコート膜１２で覆われている。このオーバーコ
ート膜１２は、アクリル系樹脂、紫外線硬化性樹脂、オ
ーバーコート用ガラス等を使用し、これらのペーストを
印刷し、焼き付けることにより形成される。このオーバ
ーコート膜１２は、ランド導体パターン１３、１４の部
分で窓状に開いており、ここからランド導体パターン１
３、１４が表面に露出している。但し、オーバーコート
膜１２はランド導体パターン１３のうち、他方のランド
導体パターン１４と反対側の接続導体パターン１５が連
なった側の端部１９を一部覆うように形成されている。
導体パターン１３は、後述するチップ状部品ａの電極ｂ
との半田付けのために必要な面積を確保するため、オー
バーコート膜１２に覆われた端部１９の分だけ他方のラ
ンド導体パターン１４より端部１９側に広く形成されて
いる。
て、他の回路パターンを覆うように、基板１１の表面が
オーバーコート膜１２で覆われている。このオーバーコ
ート膜１２は、アクリル系樹脂、紫外線硬化性樹脂、オ
ーバーコート用ガラス等を使用し、これらのペーストを
印刷し、焼き付けることにより形成される。このオーバ
ーコート膜１２は、ランド導体パターン１３、１４の部
分で窓状に開いており、ここからランド導体パターン１
３、１４が表面に露出している。但し、オーバーコート
膜１２はランド導体パターン１３のうち、他方のランド
導体パターン１４と反対側の接続導体パターン１５が連
なった側の端部１９を一部覆うように形成されている。
導体パターン１３は、後述するチップ状部品ａの電極ｂ
との半田付けのために必要な面積を確保するため、オー
バーコート膜１２に覆われた端部１９の分だけ他方のラ
ンド導体パターン１４より端部１９側に広く形成されて
いる。
【００１７】この回路基板上には、前記ランド導体パタ
ーン１３、１４の上にチップ状部品ａが搭載され、その
両端の端子ｂ、ｂがランド導体パターン１３、１４に半
田付けされる。そのために、これらランド導体パターン
１３、１４上には、予めクリーム半田等のペースト状の
半田２０が印刷される。そして、前記チップ状部品ａが
ランド導体パターン１３、１４の上に搭載された後、前
記ペースト状の半田２０、２０がリフローされ、その後
再硬化されることで、チップ状部品ａの両端の端子ｂ、
ｂがランド導体パターン１３、１４に半田付けされる。
図４は、このようにしてチップ状部品ａの両端の端子
ｂ、ｂはランド導体ランド１３、１４に半田付けされた
状態を示しており、同図において符合２０’、２０’は
半田フィレットである。
ーン１３、１４の上にチップ状部品ａが搭載され、その
両端の端子ｂ、ｂがランド導体パターン１３、１４に半
田付けされる。そのために、これらランド導体パターン
１３、１４上には、予めクリーム半田等のペースト状の
半田２０が印刷される。そして、前記チップ状部品ａが
ランド導体パターン１３、１４の上に搭載された後、前
記ペースト状の半田２０、２０がリフローされ、その後
再硬化されることで、チップ状部品ａの両端の端子ｂ、
ｂがランド導体パターン１３、１４に半田付けされる。
図４は、このようにしてチップ状部品ａの両端の端子
ｂ、ｂはランド導体ランド１３、１４に半田付けされた
状態を示しており、同図において符合２０’、２０’は
半田フィレットである。
【００１８】このようにして、ランド導体パターン１３
のうち、他方のランド導体パターン１４と反対側の接続
導体パターン１５が連なった側の端部１９をオーバーコ
ート膜１２で覆うことにより、ランド導体パターン１
３、１４と接続導体パターン１５、１６との連なった部
分に生じる熱応力を分散することができ、その部分の断
線が確実に防止できる。また、この端部１９は、ランド
導体パターン１３、１４とチップ状部品ａの端子ｂ、ｂ
とを接続している半田フィレット２０’、２０’の先端
部分に近く、その先端部分に集中しようとする熱応力を
オーバーコート膜１２で受け、分散することができる。
のうち、他方のランド導体パターン１４と反対側の接続
導体パターン１５が連なった側の端部１９をオーバーコ
ート膜１２で覆うことにより、ランド導体パターン１
３、１４と接続導体パターン１５、１６との連なった部
分に生じる熱応力を分散することができ、その部分の断
線が確実に防止できる。また、この端部１９は、ランド
導体パターン１３、１４とチップ状部品ａの端子ｂ、ｂ
とを接続している半田フィレット２０’、２０’の先端
部分に近く、その先端部分に集中しようとする熱応力を
オーバーコート膜１２で受け、分散することができる。
【００１９】図５は前記実施例による回路基板につい
て、雰囲気温度が−５５℃と１２５℃とに各々３０分ず
つ交互に切り替わるヒートサイクル試験を行い、各々の
ヒートサイクル数での導通不良の発生率を調べた結果で
ある。導通不良は回路基板１００枚について各々１０個
所ずつ、合計１０００個所ずつ測定し、その百分率で示
した。同時に、図９（比較例１）と図１０（比較例２）
についても同様のヒートサイクル試験を行い、各々のヒ
ートサイクル数での導通不良の発生率を調べ、その結果
を図５に示した。
て、雰囲気温度が−５５℃と１２５℃とに各々３０分ず
つ交互に切り替わるヒートサイクル試験を行い、各々の
ヒートサイクル数での導通不良の発生率を調べた結果で
ある。導通不良は回路基板１００枚について各々１０個
所ずつ、合計１０００個所ずつ測定し、その百分率で示
した。同時に、図９（比較例１）と図１０（比較例２）
についても同様のヒートサイクル試験を行い、各々のヒ
ートサイクル数での導通不良の発生率を調べ、その結果
を図５に示した。
【００２０】この結果から明かな通り、前記実施例で
は、比較例２（図１０）と同様に、８００回までのヒー
トサイクル試験では導通不良は発生せず、１０００回の
ヒートサイクルを経てもその導通不良の発生率は数％で
あった。これに対して、比較例１（図９）では、ヒート
サイクルが２００回を越えると導通不良の発生が見ら
れ、８００回のヒートサイクル試験では、導通不良が８
０％にも達した。
は、比較例２（図１０）と同様に、８００回までのヒー
トサイクル試験では導通不良は発生せず、１０００回の
ヒートサイクルを経てもその導通不良の発生率は数％で
あった。これに対して、比較例１（図９）では、ヒート
サイクルが２００回を越えると導通不良の発生が見ら
れ、８００回のヒートサイクル試験では、導通不良が８
０％にも達した。
【００２１】このことから、前記実施例では比較例１に
比べてヒートサイクルによる導通不良の発生率が遥かに
低くなっており、その低減効果は比較例２と殆ど同じで
あることが分かる。すなわち、ランド導体パターン１
３、１４の一部だけをオーバーコート膜１２で覆っただ
けで、ランド導体パターン１３、１４の全周囲をオーバ
ーコート膜１２で覆たのと同等の耐熱衝撃性が得られた
ことになる。
比べてヒートサイクルによる導通不良の発生率が遥かに
低くなっており、その低減効果は比較例２と殆ど同じで
あることが分かる。すなわち、ランド導体パターン１
３、１４の一部だけをオーバーコート膜１２で覆っただ
けで、ランド導体パターン１３、１４の全周囲をオーバ
ーコート膜１２で覆たのと同等の耐熱衝撃性が得られた
ことになる。
【００２２】次に、図６の実施例について説明すると、
この実施例では、互いに対向しているランド電極１３、
１４の半田付け部分の外側の端部１９、２１がオーバー
コート膜１２で覆われている。このうち、一方のランド
電極１３の端部１９から接続導体パターン１５が導出さ
れているが、他方のランド電極１４の端部２１からは接
続導体パターン１６が導出されておらず、同端部２１と
直交する辺から接続導体パターン１６が導出されてい
る。
この実施例では、互いに対向しているランド電極１３、
１４の半田付け部分の外側の端部１９、２１がオーバー
コート膜１２で覆われている。このうち、一方のランド
電極１３の端部１９から接続導体パターン１５が導出さ
れているが、他方のランド電極１４の端部２１からは接
続導体パターン１６が導出されておらず、同端部２１と
直交する辺から接続導体パターン１６が導出されてい
る。
【００２３】既に述べたように、温度変動により発生す
る熱応力は、ランド導体パターン１３、１４とチップ状
部品ａの端子ｂ、ｂとを接続している半田フィレット２
０’、２０’の先端部分に集中する。このため、図示の
ように、互いに対向した前記ランド導体パターン１３、
１４の端子ｂ、ｂが半田付けされる部分の外側の端部１
９、２１をオーバーコート膜１２で覆うことで、半田フ
ィレット２０’、２０’の先端部分に集中しようとする
熱応力を分散することができる。
る熱応力は、ランド導体パターン１３、１４とチップ状
部品ａの端子ｂ、ｂとを接続している半田フィレット２
０’、２０’の先端部分に集中する。このため、図示の
ように、互いに対向した前記ランド導体パターン１３、
１４の端子ｂ、ｂが半田付けされる部分の外側の端部１
９、２１をオーバーコート膜１２で覆うことで、半田フ
ィレット２０’、２０’の先端部分に集中しようとする
熱応力を分散することができる。
【００２４】次に、図７の実施例について説明すると、
前述の実施例は何れもチップ状部品ａを回路基板上に搭
載する場合のランド導体パターン１３、１４に適用され
たものであったが、この実施例では、パッケージ部品ｃ
の両側の複数ずつのリード端子ｄ、ｄ…を半田で接続す
るためのランド導体パターン１３に本発明を適用したも
のである。すなわちこの実施例では、パッケージ部品ｃ
の両側に一定のピッチで並んだリード端子ｄ、ｄ…に対
応して、複数個ずつのランド導体パターン１３を２列に
対称に配置してある。これらランド導体パターン１３の
両側からは、各々接続導体パターン１５が導出されてお
り、この接続導体パターン１５が導出されたランド導体
パターン１３の外側の端部１９がオーバーコート膜１２
に覆われている。
前述の実施例は何れもチップ状部品ａを回路基板上に搭
載する場合のランド導体パターン１３、１４に適用され
たものであったが、この実施例では、パッケージ部品ｃ
の両側の複数ずつのリード端子ｄ、ｄ…を半田で接続す
るためのランド導体パターン１３に本発明を適用したも
のである。すなわちこの実施例では、パッケージ部品ｃ
の両側に一定のピッチで並んだリード端子ｄ、ｄ…に対
応して、複数個ずつのランド導体パターン１３を２列に
対称に配置してある。これらランド導体パターン１３の
両側からは、各々接続導体パターン１５が導出されてお
り、この接続導体パターン１５が導出されたランド導体
パターン１３の外側の端部１９がオーバーコート膜１２
に覆われている。
【００２５】このように、パッケージ部品ｃのリード端
子ｄが半田付けされる部分の外側の端部１９であって、
接続導体パターン１５に連なる部分をオーバーコート膜
１２で覆うことで、前記実施例においてチップ状部品ａ
の端子ｂ、ｂを接続したのと同様に、半田フィレットの
先端部分に集中しようとする熱応力を分散することがで
きる。
子ｄが半田付けされる部分の外側の端部１９であって、
接続導体パターン１５に連なる部分をオーバーコート膜
１２で覆うことで、前記実施例においてチップ状部品ａ
の端子ｂ、ｂを接続したのと同様に、半田フィレットの
先端部分に集中しようとする熱応力を分散することがで
きる。
【００２６】次に、図８の実施例について説明すると、
この実施例では、フレームリードｅのクリップ部ｆ、ｆ
…を半田で接続するためのランド導体パターン１３に本
発明を適用したものである。すなわちこの実施例では、
フレームリードｅから一定のピッチで突設されたクリッ
プ部ｆに対応して、基板１１の縁にランド導体パターン
１３が一列に配置してある。これらランド導体パターン
１３の基板１１の縁より奥側からは、各々接続導体パタ
ーン１５が導出されており、この接続導体パターン１５
が導出されたランド導体パターン１３の端部１９がオー
バーコート膜１２に覆われている。そして、基板１１の
縁の各々ランド導体パターン１３の部分にクリップ部ｆ
が装着され、半田付けされる。
この実施例では、フレームリードｅのクリップ部ｆ、ｆ
…を半田で接続するためのランド導体パターン１３に本
発明を適用したものである。すなわちこの実施例では、
フレームリードｅから一定のピッチで突設されたクリッ
プ部ｆに対応して、基板１１の縁にランド導体パターン
１３が一列に配置してある。これらランド導体パターン
１３の基板１１の縁より奥側からは、各々接続導体パタ
ーン１５が導出されており、この接続導体パターン１５
が導出されたランド導体パターン１３の端部１９がオー
バーコート膜１２に覆われている。そして、基板１１の
縁の各々ランド導体パターン１３の部分にクリップ部ｆ
が装着され、半田付けされる。
【００２７】このように、フレームリードｅのクリップ
部ｆが半田付けされる部分の外側の端部１９をオーバー
コート膜１２で覆うことで、前記実施例と同様に、半田
フィレットの先端部分に集中しようとする熱応力を分散
することができる。なお、この実施例では、ランド導体
パターン１３に半田付けされる回路部品として、クリッ
プ部ｆを有するフレームリードｅを例示したが、先端が
クリップ状になっていないフレームリードにも本発明を
同様にして適用できることはもちろんである。
部ｆが半田付けされる部分の外側の端部１９をオーバー
コート膜１２で覆うことで、前記実施例と同様に、半田
フィレットの先端部分に集中しようとする熱応力を分散
することができる。なお、この実施例では、ランド導体
パターン１３に半田付けされる回路部品として、クリッ
プ部ｆを有するフレームリードｅを例示したが、先端が
クリップ状になっていないフレームリードにも本発明を
同様にして適用できることはもちろんである。
【００２８】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明による回路基
板では、温度変化に伴って発生する熱応力の集中する部
分で効果的な熱応力の分散を図ることができるので、回
路パターンの導通不良が起こりにくく、熱衝撃性の高い
回路基板が得られる。しかも、ランド導体パターンの全
体を広げる程の大型化が必要ないので、回路パターンの
高密度化の障害とならず、回路基板の高密度化、小型化
が可能となる。
板では、温度変化に伴って発生する熱応力の集中する部
分で効果的な熱応力の分散を図ることができるので、回
路パターンの導通不良が起こりにくく、熱衝撃性の高い
回路基板が得られる。しかも、ランド導体パターンの全
体を広げる程の大型化が必要ないので、回路パターンの
高密度化の障害とならず、回路基板の高密度化、小型化
が可能となる。
【図１】本発明の実施例による回路基板のランド導体パ
ターン付近の斜視図である。
ターン付近の斜視図である。
【図２】同実施例による回路基板のランド導体パターン
付近の平面図である。
付近の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図３の断面位置においてチップ状部品が回路基
板上に搭載された状態を示す断面図である。
板上に搭載された状態を示す断面図である。
【図５】同実施例による回路基板と比較例である回路基
板についてヒートサイクル試験を行い、その回数と回路
パターンの導通不良発生率とを調べた結果のグラフであ
る。
板についてヒートサイクル試験を行い、その回数と回路
パターンの導通不良発生率とを調べた結果のグラフであ
る。
【図６】本発明の他の実施例による回路基板のランド導
体パターン付近の平面図である。
体パターン付近の平面図である。
【図７】本発明のさらに他の実施例による回路基板のラ
ンド導体パターン付近の平面図である。
ンド導体パターン付近の平面図である。
【図８】本発明のさらに他の実施例による回路基板のラ
ンド導体パターン付近の平面図である。
ンド導体パターン付近の平面図である。
【図９】従来例による回路基板のランド導体パターン付
近の平面図である。
近の平面図である。
【図１０】他の従来例による回路基板のランド導体パタ
ーン付近の平面図である。
ーン付近の平面図である。
１１ 基板 １２ 絶縁性のオーバーコート膜 １３ ランド導体パターン １４ ランド導体パターン １５ 接続導体パターン １６ 接続導体パターン １９ ランド導体パターンの端部 ２１ ランド導体パターンの端部
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁材を主体とする材料により形成され
た基板（１１）と、この基板（１１）の表面上に形成さ
れ、回路部品に半田付けされるランド導体パターン（１
３）、（１４）を含む導体パターンと、この導体パター
ンのうち、回路部品が半田付けされる部分以外の部分を
覆う絶縁性のオーバーコート膜（１２）とを有する回路
基板において、前記ランド導体パターン（１３）の一部
であって、それを回路と接続する接続導体パターン（１
５）が導出された端部（１９）のみをオーバーコート膜
（１２）で覆ったことを特徴とする回路基板。 - 【請求項２】 前記オーバーコート膜（１２）で覆われ
るランド導体パターン（１３）の端部（１９）は、回路
部品を半田付けする半田フィレットの先端側にあること
を特徴とする請求項１に記載の回路基板。 - 【請求項３】 絶縁材を主体とする材料により形成され
た基板（１１）と、この基板（１１）の表面上に形成さ
れ、回路部品に半田付けされるランド導体パターン（１
３）、（１４）を含む導体パターンと、この導体パター
ンのうち、回路部品が半田付けされる部分以外の部分を
覆う絶縁性のオーバーコート膜（１２）とを有する回路
基板において、互いに対向した前記ランド導体パターン
（１３）、（１４）の回路部品が半田付けされる部分の
外側の端部（１９）、（２１）のみをオーバーコート膜
（１２）で覆ったことを特徴とする回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32147794A JPH08162746A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32147794A JPH08162746A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162746A true JPH08162746A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=18133005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32147794A Pending JPH08162746A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08162746A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003008191A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-10 | Toshiba Corp | 配線基板装置 |
| GB2418538A (en) * | 2004-09-22 | 2006-03-29 | Vetco Gray Controls Ltd | Thick-film printed circuit |
-
1994
- 1994-11-30 JP JP32147794A patent/JPH08162746A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003008191A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-10 | Toshiba Corp | 配線基板装置 |
| GB2418538A (en) * | 2004-09-22 | 2006-03-29 | Vetco Gray Controls Ltd | Thick-film printed circuit |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990302 |