JPH08148030A - 導電性ペースト - Google Patents
導電性ペーストInfo
- Publication number
- JPH08148030A JPH08148030A JP29008094A JP29008094A JPH08148030A JP H08148030 A JPH08148030 A JP H08148030A JP 29008094 A JP29008094 A JP 29008094A JP 29008094 A JP29008094 A JP 29008094A JP H08148030 A JPH08148030 A JP H08148030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass frit
- conductive paste
- powder
- bismuth oxide
- oxide powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 設計通りの静電容量を確保することが可能で
あり、しかも、半導体化された磁器に対する密着強度の
向上を図ることができる導電性ペーストを提供する。 【構成】 本発明に係る導電性ペーストは、導電性金属
粉末と、酸化ビスマス粉末と、ホウケイ酸鉛ビスマス系
のガラスフリットとが固形成分として有機ビヒクル中に
分散されたものであり、この際における酸化ビスマス粉
末及びガラスフリットそれぞれの固形成分全体に対する
配合比率が0.4ないし0.5wt%ずつの範囲内とさ
れていることを特徴とする。
あり、しかも、半導体化された磁器に対する密着強度の
向上を図ることができる導電性ペーストを提供する。 【構成】 本発明に係る導電性ペーストは、導電性金属
粉末と、酸化ビスマス粉末と、ホウケイ酸鉛ビスマス系
のガラスフリットとが固形成分として有機ビヒクル中に
分散されたものであり、この際における酸化ビスマス粉
末及びガラスフリットそれぞれの固形成分全体に対する
配合比率が0.4ないし0.5wt%ずつの範囲内とさ
れていることを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は導電性ペーストに係り、
詳しくは、半導体磁器コンデンサの電極形成時に用いら
れる導電性ペーストの固形成分組成に関する。
詳しくは、半導体磁器コンデンサの電極形成時に用いら
れる導電性ペーストの固形成分組成に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、チタン酸バリウム磁器を本体
部とする磁器コンデンサなどの電極を形成するに際して
は導電性ペーストが用いられており、この種の導電性ペ
ーストとしては、銀などのような導電性金属粉末と、ホ
ウケイ酸鉛系のガラスフリットとを固形成分として含ん
でおり、かつ、セルロース樹脂を有機溶剤で溶解してな
る有機ビヒクル中に固形成分を分散させたうえで作製さ
れたものがある。なお、ここでのガラスフリットは焼付
後における電極の本体部に対する密着強度を確保すべく
添加されているのであり、銀電極を形成するための導電
性ペーストには、銀粉末及びガラスフリットからなる固
形成分の全体に対する配合比率が4ないし10wt%程
度のガラスフリットを添加しておくことが行われてい
る。
部とする磁器コンデンサなどの電極を形成するに際して
は導電性ペーストが用いられており、この種の導電性ペ
ーストとしては、銀などのような導電性金属粉末と、ホ
ウケイ酸鉛系のガラスフリットとを固形成分として含ん
でおり、かつ、セルロース樹脂を有機溶剤で溶解してな
る有機ビヒクル中に固形成分を分散させたうえで作製さ
れたものがある。なお、ここでのガラスフリットは焼付
後における電極の本体部に対する密着強度を確保すべく
添加されているのであり、銀電極を形成するための導電
性ペーストには、銀粉末及びガラスフリットからなる固
形成分の全体に対する配合比率が4ないし10wt%程
度のガラスフリットを添加しておくことが行われてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述したよ
うな固形成分組成の導電性ペーストを用いたうえで半導
体磁器コンデンサの電極を形成した際には、設計段階で
予定していた静電容量を確保することができなくなり、
実際に得られる静電容量は低下することになってしま
う。すなわち、半導体磁器コンデンサにおいては、半導
体化されたチタン酸バリウム磁器からなる本体部と銀電
極との間にバリア層が形成されることによって静電容量
が確保されるのであるが、導電性ペースト中におけるガ
ラスフリットの添加量が多すぎた場合には、バリア層が
厚くなりすぎるために静電容量が低下するのである。そ
して、このような不都合を回避すべく導電性ペースト中
のガラスフリットを減量すると、焼付後における電極の
本体部に対する密着強度が低下するという別異の不都合
が生じてしまう。
うな固形成分組成の導電性ペーストを用いたうえで半導
体磁器コンデンサの電極を形成した際には、設計段階で
予定していた静電容量を確保することができなくなり、
実際に得られる静電容量は低下することになってしま
う。すなわち、半導体磁器コンデンサにおいては、半導
体化されたチタン酸バリウム磁器からなる本体部と銀電
極との間にバリア層が形成されることによって静電容量
が確保されるのであるが、導電性ペースト中におけるガ
ラスフリットの添加量が多すぎた場合には、バリア層が
厚くなりすぎるために静電容量が低下するのである。そ
して、このような不都合を回避すべく導電性ペースト中
のガラスフリットを減量すると、焼付後における電極の
本体部に対する密着強度が低下するという別異の不都合
が生じてしまう。
【0004】本発明は、このような不都合に鑑みて創案
されたものであって、設計通りの静電容量を確保するこ
とが可能であり、しかも、半導体化された磁器に対する
密着強度の向上を図ることができる導電性ペーストの提
供を目的としている。
されたものであって、設計通りの静電容量を確保するこ
とが可能であり、しかも、半導体化された磁器に対する
密着強度の向上を図ることができる導電性ペーストの提
供を目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に係る導電性ペー
ストは、導電性金属粉末と、酸化ビスマス粉末と、ホウ
ケイ酸鉛ビスマス系のガラスフリットとが固形成分とし
て有機ビヒクル中に分散されたものであり、この際にお
ける酸化ビスマス粉末及びガラスフリットそれぞれの固
形成分全体に対する配合比率が0.4ないし0.5wt
%ずつの範囲内とされていることを特徴とする。
ストは、導電性金属粉末と、酸化ビスマス粉末と、ホウ
ケイ酸鉛ビスマス系のガラスフリットとが固形成分とし
て有機ビヒクル中に分散されたものであり、この際にお
ける酸化ビスマス粉末及びガラスフリットそれぞれの固
形成分全体に対する配合比率が0.4ないし0.5wt
%ずつの範囲内とされていることを特徴とする。
【0006】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【0007】まず、導電性金属粉末であるところの銀
(Ag)粉末、例えば、平均粒径が1.0μm程度で球
状のAg粉末と、不定形の2次凝集体である酸化ビスマ
ス(Bi2O3)粉末と、ホウケイ酸鉛ビスマス系のガラ
スフリットとのそれぞれを固形成分として用意するとと
もに、樹脂成分であるニトロセルロースをブチルカルビ
トール系などの有機溶剤によって溶解してなる有機ビヒ
クルを用意する。そして、この有機ビヒクル中に固形成
分を分散させることにより、表1中の試料1ないし試料
7で示されているような成分組成の導電性ペーストをそ
れぞれ作製した。なお、この表1における()内の数値
は、固形成分の全体に対するBi2O3粉末及びガラスフ
リットそれぞれの配合比率を示している。
(Ag)粉末、例えば、平均粒径が1.0μm程度で球
状のAg粉末と、不定形の2次凝集体である酸化ビスマ
ス(Bi2O3)粉末と、ホウケイ酸鉛ビスマス系のガラ
スフリットとのそれぞれを固形成分として用意するとと
もに、樹脂成分であるニトロセルロースをブチルカルビ
トール系などの有機溶剤によって溶解してなる有機ビヒ
クルを用意する。そして、この有機ビヒクル中に固形成
分を分散させることにより、表1中の試料1ないし試料
7で示されているような成分組成の導電性ペーストをそ
れぞれ作製した。なお、この表1における()内の数値
は、固形成分の全体に対するBi2O3粉末及びガラスフ
リットそれぞれの配合比率を示している。
【0008】
【表1】
【0009】すなわち、本発明に係る導電性ペースト
は、Ag粉末及びBi2O3粉末と、ホウケイ酸鉛ビスマ
ス系のガラスフリットとを固形成分として含んでおり、
かつ、Bi2O3粉末及びガラスフリットそれぞれの固形
成分全体に対する配合比率が0.4ないし0.5wt%
ずつの範囲内とされたものである。そこで、表1で示し
た試料1,2,5,6,7それぞれの導電性ペースト
は、本発明の範囲外となっている。また、この際におけ
るガラスフリットは表2中の試料aで示すような成分組
成を有するものであるが、試料bのような成分組成であ
っても差し支えないことが確認されているので、本実施
例においては試料aのガラスフリットを使用している。
は、Ag粉末及びBi2O3粉末と、ホウケイ酸鉛ビスマ
ス系のガラスフリットとを固形成分として含んでおり、
かつ、Bi2O3粉末及びガラスフリットそれぞれの固形
成分全体に対する配合比率が0.4ないし0.5wt%
ずつの範囲内とされたものである。そこで、表1で示し
た試料1,2,5,6,7それぞれの導電性ペースト
は、本発明の範囲外となっている。また、この際におけ
るガラスフリットは表2中の試料aで示すような成分組
成を有するものであるが、試料bのような成分組成であ
っても差し支えないことが確認されているので、本実施
例においては試料aのガラスフリットを使用している。
【0010】
【表2】
【0011】引き続き、予め用意しておいた半導体磁器
コンデンサの本体部、つまり半導体化されたチタン酸バ
リウム系磁器からなる直径8mmの円板形状を有するコ
ンデンサ素体それぞれの両面上に対して試料1から試料
7までの導電性ペーストそれぞれをスクリーン印刷する
ことによって直径7mmの電極パターンを形成した後、
これらコンデンサ素体のそれぞれを850℃の温度下で
30分間にわたって加熱することによって電極を焼き付
け形成した。
コンデンサの本体部、つまり半導体化されたチタン酸バ
リウム系磁器からなる直径8mmの円板形状を有するコ
ンデンサ素体それぞれの両面上に対して試料1から試料
7までの導電性ペーストそれぞれをスクリーン印刷する
ことによって直径7mmの電極パターンを形成した後、
これらコンデンサ素体のそれぞれを850℃の温度下で
30分間にわたって加熱することによって電極を焼き付
け形成した。
【0012】さらに、このような手順に従って電極が形
成された半導体磁器コンデンサの有する電気特性、すな
わち、c/s(単位面積当たりの静電容量値)とDF
(誘電損失)とを調査してみたところ、表3で示すよう
な調査結果が得られた。また、各半導体磁器コンデンサ
の電極に対してリード線を半田付け接続したうえでの引
張強度試験を行った、つまりリード線を電極面とは垂直
の向きに引っ張ることによって各電極のコンデンサ素体
に対する密着強度を測定してみたところ、表3に付記し
て示すような測定結果が得られた。
成された半導体磁器コンデンサの有する電気特性、すな
わち、c/s(単位面積当たりの静電容量値)とDF
(誘電損失)とを調査してみたところ、表3で示すよう
な調査結果が得られた。また、各半導体磁器コンデンサ
の電極に対してリード線を半田付け接続したうえでの引
張強度試験を行った、つまりリード線を電極面とは垂直
の向きに引っ張ることによって各電極のコンデンサ素体
に対する密着強度を測定してみたところ、表3に付記し
て示すような測定結果が得られた。
【0013】
【表3】
【0014】そして、表3で示す特性調査結果によれ
ば、Bi2O3粉末及びガラスフリットそれぞれの固形成
分全体に対する配合比率が低いために本発明の範囲外と
なる試料1,2の導電性ペーストでは引張強度が低下す
る一方、両者の配合比率が高いために本発明の範囲外と
なる試料5ではc/sが低くなり、かつ、DFが高くな
っている。また、Bi2O3粉末及びガラスフリットの配
合比率がさらに高くなった試料6を用いた場合には引張
強度が低下しており、また、Bi2O3粉末が全く添加さ
れていない従来例同様の成分組成とされた試料7の導電
性ペーストでは、c/sが低くなってDFが高くなると
同時に半田付け性が悪くなって引張強度が低下している
ことが分かる。
ば、Bi2O3粉末及びガラスフリットそれぞれの固形成
分全体に対する配合比率が低いために本発明の範囲外と
なる試料1,2の導電性ペーストでは引張強度が低下す
る一方、両者の配合比率が高いために本発明の範囲外と
なる試料5ではc/sが低くなり、かつ、DFが高くな
っている。また、Bi2O3粉末及びガラスフリットの配
合比率がさらに高くなった試料6を用いた場合には引張
強度が低下しており、また、Bi2O3粉末が全く添加さ
れていない従来例同様の成分組成とされた試料7の導電
性ペーストでは、c/sが低くなってDFが高くなると
同時に半田付け性が悪くなって引張強度が低下している
ことが分かる。
【0015】これらに対し、Bi2O3粉末及びガラスフ
リットそれぞれの固形成分全体に対する配合比率が0.
4ないし0.5wt%ずつの範囲内とされた試料3,4
の導電性ペーストを用いた場合には、c/sが300n
F/cm2程度、また、DFが1.0%となるととも
に、引張強度が75ないし80Nとなっており、半田付
け性が良くなってコンデンサ素体に対する電極の密着性
が良好となっていることが分かる。すなわち、この表3
で示した特性調査結果によれば、本発明の範囲内となる
成分組成を有する導電性ペーストを用いて電極を形成し
た際には、半導体磁器コンデンサの有する電気特性が大
きく向上していることが明らかであるといえる。
リットそれぞれの固形成分全体に対する配合比率が0.
4ないし0.5wt%ずつの範囲内とされた試料3,4
の導電性ペーストを用いた場合には、c/sが300n
F/cm2程度、また、DFが1.0%となるととも
に、引張強度が75ないし80Nとなっており、半田付
け性が良くなってコンデンサ素体に対する電極の密着性
が良好となっていることが分かる。すなわち、この表3
で示した特性調査結果によれば、本発明の範囲内となる
成分組成を有する導電性ペーストを用いて電極を形成し
た際には、半導体磁器コンデンサの有する電気特性が大
きく向上していることが明らかであるといえる。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る導電
性ペーストを用いて半導体磁器コンデンサの電極を形成
した場合には、設計通りの静電容量を確保することが可
能となり、しかも、半導体化された磁器に対する密着強
度の大幅な向上を図ることができるという効果が得られ
る。
性ペーストを用いて半導体磁器コンデンサの電極を形成
した場合には、設計通りの静電容量を確保することが可
能となり、しかも、半導体化された磁器に対する密着強
度の大幅な向上を図ることができるという効果が得られ
る。
Claims (1)
- 【請求項1】 導電性金属粉末と、酸化ビスマス粉末
と、ホウケイ酸鉛ビスマス系のガラスフリットとを固形
成分として含んでおり、 かつ、酸化ビスマス粉末及びガラスフリットそれぞれの
固形成分全体に対する配合比率が0.4ないし0.5w
t%ずつの範囲内とされていることを特徴とする導電性
ペースト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29008094A JPH08148030A (ja) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 導電性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29008094A JPH08148030A (ja) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 導電性ペースト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08148030A true JPH08148030A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17751545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29008094A Pending JPH08148030A (ja) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 導電性ペースト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08148030A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000069220A1 (fr) * | 1999-05-07 | 2000-11-16 | Ibiden Co., Ltd. | Plaque chauffante et pate conductrice |
US6174462B1 (en) | 1998-01-20 | 2001-01-16 | Denso Corporation | Conductive paste composition including conductive metallic powder |
-
1994
- 1994-11-24 JP JP29008094A patent/JPH08148030A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6174462B1 (en) | 1998-01-20 | 2001-01-16 | Denso Corporation | Conductive paste composition including conductive metallic powder |
WO2000069220A1 (fr) * | 1999-05-07 | 2000-11-16 | Ibiden Co., Ltd. | Plaque chauffante et pate conductrice |
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