JPH08115964A - ボール・グリッド・アレイ半導体パッケージのワイヤボンディング検査方法 - Google Patents
ボール・グリッド・アレイ半導体パッケージのワイヤボンディング検査方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体パッケージのワイヤボンディングの不
良を効率的にかつ正確に検査し得るBGA半導体パッケ
ージのワイヤボンディング検査方法を提供することであ
る。 【解決手段】 BGA半導体パッケージのPCBに半導
体チップが安置されるチップ搭載部(L1)からコンパ
ウンド樹脂物の分離性を向上させるためのゲート(G)
まで導電性金属層(L3)を連結形成し、ワイヤボンデ
ィング検査システム(S)の探針(PB)とキャピラリ
ー(CP)をそれぞれゲート(G)と半導体チップ
(C)に接触させた状態で、半導体チップ(C)と各リ
ード(LD)間にワイヤボンディングされたBGA半導
体パッケージの電気的導通を確認することにより、リフ
トボンド及びミッシングワイヤ等のワイヤボンディング
作業工程上の不良を検査して良品及び不良品を検査し得
るようにする。
良を効率的にかつ正確に検査し得るBGA半導体パッケ
ージのワイヤボンディング検査方法を提供することであ
る。 【解決手段】 BGA半導体パッケージのPCBに半導
体チップが安置されるチップ搭載部(L1)からコンパ
ウンド樹脂物の分離性を向上させるためのゲート(G)
まで導電性金属層(L3)を連結形成し、ワイヤボンデ
ィング検査システム(S)の探針(PB)とキャピラリ
ー(CP)をそれぞれゲート(G)と半導体チップ
(C)に接触させた状態で、半導体チップ(C)と各リ
ード(LD)間にワイヤボンディングされたBGA半導
体パッケージの電気的導通を確認することにより、リフ
トボンド及びミッシングワイヤ等のワイヤボンディング
作業工程上の不良を検査して良品及び不良品を検査し得
るようにする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はボール・グリッド・
アレイ(以下、BGAと称す)半導体パッケージのワイ
ヤボンディング検査方法に関するもので、詳しくはリー
ドフレームがプリント回路基板(以下、PCBと称す)
に適用されるBGA半導体パッケージの製造工程時、ワ
イヤボンディングされた半導体パッケージのリフトボン
ド(LIFT BOND :ボンディング痕跡部分がパッドまたは
ポストから全体的に一部分が取れるか浮かされる場合)
及びミッシングワイヤ(MISSING WIRE:ワイヤボンディ
ングされなかった状態)を検査し得るようにしたBGA
半導体パッケージのワイヤボンディング検査方法に関す
るものである。
アレイ(以下、BGAと称す)半導体パッケージのワイ
ヤボンディング検査方法に関するもので、詳しくはリー
ドフレームがプリント回路基板(以下、PCBと称す)
に適用されるBGA半導体パッケージの製造工程時、ワ
イヤボンディングされた半導体パッケージのリフトボン
ド(LIFT BOND :ボンディング痕跡部分がパッドまたは
ポストから全体的に一部分が取れるか浮かされる場合)
及びミッシングワイヤ(MISSING WIRE:ワイヤボンディ
ングされなかった状態)を検査し得るようにしたBGA
半導体パッケージのワイヤボンディング検査方法に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、従来の銅合金リードフレームで
は半導体チップ搭載板が電気的接地役割をするので、半
導体チップと各リードのワイヤボンディング作業中に発
生するリフトボンドまたはミッシングワイヤ等の不良が
発生することを、ワイヤボンディング検査システムで半
導体チップ搭載板と半導体チップとを接触させて電気的
に導通することにより確認することができた。
は半導体チップ搭載板が電気的接地役割をするので、半
導体チップと各リードのワイヤボンディング作業中に発
生するリフトボンドまたはミッシングワイヤ等の不良が
発生することを、ワイヤボンディング検査システムで半
導体チップ搭載板と半導体チップとを接触させて電気的
に導通することにより確認することができた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、PCB
を適用させたBGA半導体パッケージにおいては、半導
体チップが搭載される部位が電気的に導通されない隔離
部分(ISOLATION :基板部位)でなっており、電気的信
号により、ワイヤボンディングされた半導体チップと各
リード間が電気的に導通されない。このため、BGA半
導体パッケージにおいて、リフトボンドやミッシングワ
イヤ等の検査は、作業者がワイヤボンディングされた資
材を視覚的に検査することで行われている。このことか
ら、ワイヤボンディング検査に正確性を欠くおそれがあ
り、かつ人的、物的、時間的損失を発生させて生産性及
び製品の品質信頼度を低下させるという問題があった。
を適用させたBGA半導体パッケージにおいては、半導
体チップが搭載される部位が電気的に導通されない隔離
部分(ISOLATION :基板部位)でなっており、電気的信
号により、ワイヤボンディングされた半導体チップと各
リード間が電気的に導通されない。このため、BGA半
導体パッケージにおいて、リフトボンドやミッシングワ
イヤ等の検査は、作業者がワイヤボンディングされた資
材を視覚的に検査することで行われている。このことか
ら、ワイヤボンディング検査に正確性を欠くおそれがあ
り、かつ人的、物的、時間的損失を発生させて生産性及
び製品の品質信頼度を低下させるという問題があった。
【0004】本発明は前記のような従来の問題点を解決
するためのもので、半導体パッケージのワイヤボンディ
ングの不良を効率的にかつ正確に検査し得るBGA半導
体パッケージのワイヤボンディング検査方法を提供する
ことをその目的とする。
するためのもので、半導体パッケージのワイヤボンディ
ングの不良を効率的にかつ正確に検査し得るBGA半導
体パッケージのワイヤボンディング検査方法を提供する
ことをその目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に係るボール・グ
リッド・アレイ半導体パッケージのワイヤボンディング
検査方法は、BGA半導体パッケージのPCBに半導体
チップが安置されるチップ搭載部からコンパウンド樹脂
物の分離性を向上させるためのゲートまで導電性金属層
による連結部を連結形成し、ワイヤボンディング検査シ
ステムの探針とキャピラリーをそれぞれゲートと半導体
チップに接触させた状態で、半導体チップと各リード間
にワイヤボンディングされたBGA半導体パッケージの
電気的導通を確認することにより、リフトボンド及びミ
ッシングワイヤ等のワイヤボンディング作業工程上の不
良を検査して良品及び不良品を検査し得るようにしてい
る。
リッド・アレイ半導体パッケージのワイヤボンディング
検査方法は、BGA半導体パッケージのPCBに半導体
チップが安置されるチップ搭載部からコンパウンド樹脂
物の分離性を向上させるためのゲートまで導電性金属層
による連結部を連結形成し、ワイヤボンディング検査シ
ステムの探針とキャピラリーをそれぞれゲートと半導体
チップに接触させた状態で、半導体チップと各リード間
にワイヤボンディングされたBGA半導体パッケージの
電気的導通を確認することにより、リフトボンド及びミ
ッシングワイヤ等のワイヤボンディング作業工程上の不
良を検査して良品及び不良品を検査し得るようにしてい
る。
【0006】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
を詳細に説明する。図1は本発明のBGA半導体パッケ
ージのリードフレームの平面図である。このうち、PC
B(P)上には、回路が印刷された複数のリード(L
D)が設けられており、このリード(LD)の中央部に
半導体チップ(C)が搭載されるチップ搭載部(L1)
が形成されている。このチップ搭載部(L1)は金(A
U)または銅(CU)で形成される導電性金属層(L
3)の一部を構成している。
を詳細に説明する。図1は本発明のBGA半導体パッケ
ージのリードフレームの平面図である。このうち、PC
B(P)上には、回路が印刷された複数のリード(L
D)が設けられており、このリード(LD)の中央部に
半導体チップ(C)が搭載されるチップ搭載部(L1)
が形成されている。このチップ搭載部(L1)は金(A
U)または銅(CU)で形成される導電性金属層(L
3)の一部を構成している。
【0007】また、導電性金属層(L3)は、コンパウ
ンド樹脂物のパッケージモルディング完了後、前記半導
体チップ(C)が搭載されるチップ搭載部(L1)での
コンパウンド樹脂物の分離性を向上させるために、PC
B(P)上の一側外部に形成されたゲート(G)までの
連結部(L2)に連結形成させてグラウンディング(GR
OUNDINIG)されるようにする。
ンド樹脂物のパッケージモルディング完了後、前記半導
体チップ(C)が搭載されるチップ搭載部(L1)での
コンパウンド樹脂物の分離性を向上させるために、PC
B(P)上の一側外部に形成されたゲート(G)までの
連結部(L2)に連結形成させてグラウンディング(GR
OUNDINIG)されるようにする。
【0008】このようなBGA半導体パッケージのリー
ドフレームに半導体チップ(C)を安置しワイヤボンデ
ィング工程での検査を施行するため、図2に示すよう
に、ワイヤボンディング検査システム(S)の一側探針
(PR)をリードフレームのPCB(P)上のゲート
(G)に接触させ、他側のキャピラリー(CP)は半導
体チップ(C)上に接触させる。
ドフレームに半導体チップ(C)を安置しワイヤボンデ
ィング工程での検査を施行するため、図2に示すよう
に、ワイヤボンディング検査システム(S)の一側探針
(PR)をリードフレームのPCB(P)上のゲート
(G)に接触させ、他側のキャピラリー(CP)は半導
体チップ(C)上に接触させる。
【0009】このように探針(PR)とキャピラリー
(CP)がそれぞれゲート(G)と半導体チップ(C)
に接触されると、半導体チップ(C)と接触されたチッ
プ搭載部(L1)の金(AU)または銅(CU)の導電
性金属層(L3)がゲート(G)までの連結部(L2)
によりグラウディングされているので、ワイヤボンディ
ング検査システム(S)から印加される電気的信号によ
る電気的導通または短絡を調べることで、BGA半導体
パッケージの各リード(LD)と半導体チップ(C)間
のワイヤボンディング作業中にリフトボンド及びミッシ
ングワイヤのような不良状態が生じたかまたは良品のワ
イヤボンディングされたリードフレーム資材であるかを
検査し得る。
(CP)がそれぞれゲート(G)と半導体チップ(C)
に接触されると、半導体チップ(C)と接触されたチッ
プ搭載部(L1)の金(AU)または銅(CU)の導電
性金属層(L3)がゲート(G)までの連結部(L2)
によりグラウディングされているので、ワイヤボンディ
ング検査システム(S)から印加される電気的信号によ
る電気的導通または短絡を調べることで、BGA半導体
パッケージの各リード(LD)と半導体チップ(C)間
のワイヤボンディング作業中にリフトボンド及びミッシ
ングワイヤのような不良状態が生じたかまたは良品のワ
イヤボンディングされたリードフレーム資材であるかを
検査し得る。
【0010】前記導電性金属層(L3)は電気的導電性
の良い金(AU)または銅(CU)を使用しており、ワ
イヤボンディング検査システム(S)の検査性を向上さ
せ、かつ半導体パッケージ内の電気的回路特性に無理が
ないようにすることができる。このようなBGA半導体
パッケージのワイヤボンディング工程を検査するワイヤ
ボンディング検査システム(S)は、図3に示すよう
に、単層PCB(P)にワイヤボンディングされたもの
を検査し得るように、半導体チップ(C)が安置される
PCB(P)に金または銅でなった導電性金属層を備え
てワイヤボンディング検査し得るようにできる。
の良い金(AU)または銅(CU)を使用しており、ワ
イヤボンディング検査システム(S)の検査性を向上さ
せ、かつ半導体パッケージ内の電気的回路特性に無理が
ないようにすることができる。このようなBGA半導体
パッケージのワイヤボンディング工程を検査するワイヤ
ボンディング検査システム(S)は、図3に示すよう
に、単層PCB(P)にワイヤボンディングされたもの
を検査し得るように、半導体チップ(C)が安置される
PCB(P)に金または銅でなった導電性金属層を備え
てワイヤボンディング検査し得るようにできる。
【0011】また、このようなワイヤボンディング検査
システム(S)を用いる他の実施例においては、図4に
示すように、ブラインドビア(BLIND VIA ;BL)が備
えられた多層PCB(P)に安置される半導体チップ
(C)と導通される金または銅の導電性金属層(L3)
をグラウンディングさせてからワイヤボンディング検査
システム(S)でワイヤボンディング検査するようにで
きる。
システム(S)を用いる他の実施例においては、図4に
示すように、ブラインドビア(BLIND VIA ;BL)が備
えられた多層PCB(P)に安置される半導体チップ
(C)と導通される金または銅の導電性金属層(L3)
をグラウンディングさせてからワイヤボンディング検査
システム(S)でワイヤボンディング検査するようにで
きる。
【0012】前記ワイヤボンディング検査システム
(S)を用いるさらに他の実施例は、図5及び図6に示
すように、ベリドビア(BURIED VIA;BU)とスルーホ
ール(THROUGH HOLE;TH)が形成された多層PCB
(P)に半導体チップ(C)が安置される部位に導電性
金属層(L3)をグラウンディングさせ、ワイヤボンデ
ィング検査システム(S)の探針(PR)とキャピラリ
ー(CP)が導通されるようにすることにより、ワイヤ
ボンディングされたBGA半導体パッケージのリフトボ
ンドまたはミッシングワイヤ等の不良を検査し得るよう
にしたものである。
(S)を用いるさらに他の実施例は、図5及び図6に示
すように、ベリドビア(BURIED VIA;BU)とスルーホ
ール(THROUGH HOLE;TH)が形成された多層PCB
(P)に半導体チップ(C)が安置される部位に導電性
金属層(L3)をグラウンディングさせ、ワイヤボンデ
ィング検査システム(S)の探針(PR)とキャピラリ
ー(CP)が導通されるようにすることにより、ワイヤ
ボンディングされたBGA半導体パッケージのリフトボ
ンドまたはミッシングワイヤ等の不良を検査し得るよう
にしたものである。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ボール
・グリッド・アレイ半導体パッケージのPCBに半導体
チップが安置されるチップ搭載部からコンパウンド樹脂
物の分離性を向上させるためのゲートまでの連結部に導
電性金属層をグラウンディングさせ、ワイヤボンディン
グ検査システムの探針とキャピラリーをそれぞれゲート
と半導体チップに接続させた状態で、半導体チップと各
リード間にワイヤボンディングされたBGA半導体パッ
ケージの電気的導通によってリフトボンド及びミッシン
グワイヤの不良とワイヤボンディングされたリードフレ
ーム資材の良品を検査することにより、ワイヤボンディ
ング工程におけるワイヤボンディング作業及び検査を円
滑にして製品の生産性を高め、製品の品質と信頼度を高
める効果があるものである。
・グリッド・アレイ半導体パッケージのPCBに半導体
チップが安置されるチップ搭載部からコンパウンド樹脂
物の分離性を向上させるためのゲートまでの連結部に導
電性金属層をグラウンディングさせ、ワイヤボンディン
グ検査システムの探針とキャピラリーをそれぞれゲート
と半導体チップに接続させた状態で、半導体チップと各
リード間にワイヤボンディングされたBGA半導体パッ
ケージの電気的導通によってリフトボンド及びミッシン
グワイヤの不良とワイヤボンディングされたリードフレ
ーム資材の良品を検査することにより、ワイヤボンディ
ング工程におけるワイヤボンディング作業及び検査を円
滑にして製品の生産性を高め、製品の品質と信頼度を高
める効果があるものである。
【図1】本発明のBGA半導体パッケージがPCBに適
用されたリードフレームの平面図。
用されたリードフレームの平面図。
【図2】本発明のワイヤボンディングされた半導体パッ
ケージの検査方法を示す側断面図。
ケージの検査方法を示す側断面図。
【図3】本発明による単層PCB状態の半導体パッケー
ジの検査方法を示す側断面図。
ジの検査方法を示す側断面図。
【図4】本発明によるブラインドビアを有するPCB状
態の半導体パッケージの検査方法を示す側断面図。
態の半導体パッケージの検査方法を示す側断面図。
【図5】本発明によるベリドビアを有するPCB状態の
半導体パッケージの検査方法を示す側断面図。
半導体パッケージの検査方法を示す側断面図。
【図6】本発明によるスルーホールを有するPCB状態
の半導体パッケージの検査方法を示す側断面図。
の半導体パッケージの検査方法を示す側断面図。
C 半導体チップ CP キャピラリー G ゲート L1 チップ搭載部 L2 連結部 L3 導電性金属層 LD リード P プリント回路基板 S ワイヤボンディング検査システム BL ブラインドビア BU ベリドビア TH スルーホール
Claims (8)
- 【請求項1】ボール・グリッド・アレイ半導体パッケー
ジのプリント回路基板に半導体チップが安置されるチッ
プ搭載部からコンパウンド樹脂物の分離性を向上させる
ためのゲートまでの連結部に導電性金属層を連結形成
し、ワイヤボンディング検査システムの探針とキャピラ
リーをそれぞれゲートと半導体チップに接触させた状態
で、半導体チップと各リード間にワイヤボンディングさ
れたボール・グリッド・アレイ半導体パッケージの電気
的導通を確認することにより、良品及び不良品を検査し
得るようにしたボール・グリッド・アレイ半導体パッケ
ージのワイヤボンディング検査方法。 - 【請求項2】導電性金属層を金で形成した、請求項1に
記載のボール・グリッド・アレイ半導体パッケージのワ
イヤボンディング検査方法。 - 【請求項3】導電性金属層を銅で形成した、請求項1に
記載のボール・グリッド・アレイ半導体パッケージのワ
イヤボンディング検査方法。 - 【請求項4】単層プリント回路基板にワイヤボンディン
グされたものをワイヤボンディング検査システムで検査
することを特徴とする請求項1に記載のボール・グリッ
ド・アレイ半導体パッケージのワイヤボンディング検査
方法。 - 【請求項5】多層プリント回路基板にワイヤボンディン
グされたものをワイヤボンディング検査システムで検査
することを特徴とする請求項1に記載のボール・グリッ
ド・アレイ半導体パッケージのワイヤボンディング検査
方法。 - 【請求項6】ブラインドビアを有する多層プリント回路
基板にワイヤボンディングされたものを検査することを
特徴とする請求項5に記載のボール・グリッド・アレイ
半導体パッケージのワイヤボンディング検査方法。 - 【請求項7】ベリドビアが形成された多層プリント回路
基板にワイヤボンディングされたものを検査することを
特徴とする請求項5に記載のボール・グリッド・アレイ
半導体パッケージのワイヤボンディング検査方法。 - 【請求項8】スルーホールが形成された多層プリント回
路基板にワイヤボンディングされたものを検査すること
を特徴とする請求項5に記載のボール・グリッド・アレ
イ半導体パッケージのワイヤボンディング検査方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940024280A KR0131389B1 (ko) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 비지에이 반도체패키지의 와이어본딩 검사방법 |
KR1994P24280 | 1994-09-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08115964A true JPH08115964A (ja) | 1996-05-07 |
JP2703204B2 JP2703204B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=19393532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7241960A Expired - Fee Related JP2703204B2 (ja) | 1994-09-27 | 1995-09-20 | ボール・グリッド・アレイ半導体パッケージのワイヤボンディング検査方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5712570A (ja) |
JP (1) | JP2703204B2 (ja) |
KR (1) | KR0131389B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110133373A (zh) * | 2019-06-10 | 2019-08-16 | 重庆理工大学 | 一种bga板的焊点电阻测试装置 |
CN110133416A (zh) * | 2019-06-10 | 2019-08-16 | 重庆理工大学 | 一种bga板电迁移测试装置 |
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---|---|---|---|---|
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JP3011147B2 (ja) * | 1997-08-20 | 2000-02-21 | 日本電気株式会社 | 固体アクチュエータ製造装置及び固体アクチュエータ製造方法並びに固体アクチュエータ製造装置制御プログラム記録媒体 |
US6085962A (en) * | 1997-09-08 | 2000-07-11 | Micron Technology, Inc. | Wire bond monitoring system for layered packages |
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US6342398B1 (en) | 1998-12-17 | 2002-01-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of backside emission analysis for BGA packaged IC's |
KR100339020B1 (ko) * | 1999-08-02 | 2002-05-31 | 윤종용 | 반도체칩 패키징 시스템 및 이를 이용한 반도체칩 패키징 방법 |
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US6172318B1 (en) | 1999-08-23 | 2001-01-09 | Advanced Semiconductor Engineering Inc. | Base for wire bond checking |
US6392425B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-05-21 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Multi-chip packaging having non-sticking test structure |
TW522532B (en) | 2000-11-07 | 2003-03-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Schemes for detecting bonding status of bonding wire of semiconductor package |
CN1327520C (zh) * | 2002-09-16 | 2007-07-18 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 具有静电放电防护的封装基板 |
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US7319043B2 (en) * | 2005-09-26 | 2008-01-15 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | Method and system of trace pull test |
US8179143B2 (en) * | 2008-10-15 | 2012-05-15 | Test Research, Inc. | Apparatus for testing printed circuit and method therefor |
CN102005165B (zh) * | 2009-08-28 | 2013-09-18 | 上海天马微电子有限公司 | 压合测试装置和方法 |
US9395400B1 (en) * | 2013-03-11 | 2016-07-19 | Amazon Technologies, Inc. | Test fixture to test device connectors |
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KR102688263B1 (ko) | 2021-12-29 | 2024-07-25 | 주식회사 에스에프에이 | 반도체 와이어본딩 공정 모니터링 장치 및 그 장치의 구동방법 |
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-
1994
- 1994-09-27 KR KR1019940024280A patent/KR0131389B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-09-19 US US08/530,558 patent/US5712570A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-20 JP JP7241960A patent/JP2703204B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN110133373A (zh) * | 2019-06-10 | 2019-08-16 | 重庆理工大学 | 一种bga板的焊点电阻测试装置 |
CN110133416A (zh) * | 2019-06-10 | 2019-08-16 | 重庆理工大学 | 一种bga板电迁移测试装置 |
CN110133416B (zh) * | 2019-06-10 | 2021-07-30 | 重庆理工大学 | 一种bga板电迁移测试装置 |
CN110133373B (zh) * | 2019-06-10 | 2021-07-30 | 重庆理工大学 | 一种bga板的焊点电阻测试装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2703204B2 (ja) | 1998-01-26 |
US5712570A (en) | 1998-01-27 |
KR960012409A (ko) | 1996-04-20 |
KR0131389B1 (ko) | 1998-04-14 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |