JPH0799197A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPH0799197A JPH0799197A JP24173293A JP24173293A JPH0799197A JP H0799197 A JPH0799197 A JP H0799197A JP 24173293 A JP24173293 A JP 24173293A JP 24173293 A JP24173293 A JP 24173293A JP H0799197 A JPH0799197 A JP H0799197A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 透明絶縁基板上に形成されたＴＦＴを有する
液晶表示装置において、金属配線の単純断線を防止し歩
留りを向上させる。 【構成】 第１層間絶縁膜にＴＦＴのソ−ス及びドレイ
ンと導通接続するように接続孔を開口した後、ドレイン
側の接続孔のみをレジストで覆い、そのレジストの熱処
理を段階的に実施することによりレジストの変形を防止
することを特徴とする。 【効果】 デ−タ線形成時にドレイン側の接続孔を覆っ
たレジストの変形が抑制され、デ−タ線下へのレジスト
の入り込みがなくなるため断線が防止でき、歩留まりを
向上させることが可能である。
液晶表示装置において、金属配線の単純断線を防止し歩
留りを向上させる。 【構成】 第１層間絶縁膜にＴＦＴのソ−ス及びドレイ
ンと導通接続するように接続孔を開口した後、ドレイン
側の接続孔のみをレジストで覆い、そのレジストの熱処
理を段階的に実施することによりレジストの変形を防止
することを特徴とする。 【効果】 デ−タ線形成時にドレイン側の接続孔を覆っ
たレジストの変形が抑制され、デ−タ線下へのレジスト
の入り込みがなくなるため断線が防止でき、歩留まりを
向上させることが可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、特
に、その歩留まり向上技術に関する。
に、その歩留まり向上技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置においては、画素信号を供
給するデ−タ線および走査信号を伝達するゲ−ト線が格
子状に配置されており各画素領域が区画形成された一方
側の透明絶縁基板と共通電極が形成された他方側の透明
絶縁基板との間に液晶が封入されており、共通電極と各
画素領域の画素電極との間に印加される電位を制御し
て、画素領域毎の液晶の配向状態を変化させるようにな
っている。このため、各画素領域から構成されたマトリ
クスアレイの一般的な構造は、垂直方向のデ−タ線と、
水平方向のゲ−ト線とによって区画形成された画素領域
にデ−タ線が導通接続するソ−スおよびゲ−ト線が導通
接続するゲ−トを有する薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴ
と略す）が構成されており、そのドレインには、それら
の表面側に形成されたシリコン酸化膜からなる層間絶縁
膜の接続孔を介して画素電極が導通接続している。
給するデ−タ線および走査信号を伝達するゲ−ト線が格
子状に配置されており各画素領域が区画形成された一方
側の透明絶縁基板と共通電極が形成された他方側の透明
絶縁基板との間に液晶が封入されており、共通電極と各
画素領域の画素電極との間に印加される電位を制御し
て、画素領域毎の液晶の配向状態を変化させるようにな
っている。このため、各画素領域から構成されたマトリ
クスアレイの一般的な構造は、垂直方向のデ−タ線と、
水平方向のゲ−ト線とによって区画形成された画素領域
にデ−タ線が導通接続するソ−スおよびゲ−ト線が導通
接続するゲ−トを有する薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴ
と略す）が構成されており、そのドレインには、それら
の表面側に形成されたシリコン酸化膜からなる層間絶縁
膜の接続孔を介して画素電極が導通接続している。
【０００３】従来、小型の液晶表示装置においては、開
口率を維持するためにデ−タ線と画素電極が別層に形成
されている構造をとる。その場合、層間絶縁膜を２層堆
積する必要があり、通常第１層目と第２層目の層間絶縁
膜の膜種は異なるため各層間絶縁膜のエッチングレ−ト
も異なる。ウェットエッチングにより接続孔を開口し、
直接画素電極がＴＦＴ素子と導通接続する場合、各層ご
とにエッチングする必要がある。しかし第１層目の層間
絶縁膜にＴＦＴのソ−ス及びドレインと導通接続するよ
うに接続孔を開口した後、デ−タ線（例えばＡｌ）をス
パッタ法により形成し、次に第２層目の層間絶縁膜を堆
積した後、第１の層間絶縁膜のドレイン側の接続孔を介
してＴＦＴのドレインと導通接続するように接続孔を開
口しようとすると、デ−タ線を形成する際のスパッタダ
メ−ジにより第１層目と第２層目の層間絶縁膜の密着不
良が発生し、その界面からエッチング液が染み込み第２
層目に開口された接続孔はオ−バ−エッチングされ逆テ
−パ−形状となる。その後その接続孔及び第１層目の層
間絶縁膜のドレイン側に開口された接続孔を介してＴＦ
Ｔのドレインに導通接続するように透明画素電極（例え
ばＩＴＯ膜）を形成すると、接続孔が逆テ−パ−形状の
ため画素電極が断線し表示欠陥の原因となる。そのた
め、デ−タ線を形成する前に画素側の接続孔をレジスト
で覆いスパッタダメ−ジを回避する必要がある。またレ
ジストが付着した状態でスパッタするためスパッタ中に
レジストからガスが発生し、デ−タ線とＴＦＴ素子との
コンタクト不良が起こる。よってＴＦＴ素子と良好なコ
ンタクト抵抗を得るためには３００℃程度の熱処理を行
いレジストをキュアする必要がある。
口率を維持するためにデ−タ線と画素電極が別層に形成
されている構造をとる。その場合、層間絶縁膜を２層堆
積する必要があり、通常第１層目と第２層目の層間絶縁
膜の膜種は異なるため各層間絶縁膜のエッチングレ−ト
も異なる。ウェットエッチングにより接続孔を開口し、
直接画素電極がＴＦＴ素子と導通接続する場合、各層ご
とにエッチングする必要がある。しかし第１層目の層間
絶縁膜にＴＦＴのソ−ス及びドレインと導通接続するよ
うに接続孔を開口した後、デ−タ線（例えばＡｌ）をス
パッタ法により形成し、次に第２層目の層間絶縁膜を堆
積した後、第１の層間絶縁膜のドレイン側の接続孔を介
してＴＦＴのドレインと導通接続するように接続孔を開
口しようとすると、デ−タ線を形成する際のスパッタダ
メ−ジにより第１層目と第２層目の層間絶縁膜の密着不
良が発生し、その界面からエッチング液が染み込み第２
層目に開口された接続孔はオ−バ−エッチングされ逆テ
−パ−形状となる。その後その接続孔及び第１層目の層
間絶縁膜のドレイン側に開口された接続孔を介してＴＦ
Ｔのドレインに導通接続するように透明画素電極（例え
ばＩＴＯ膜）を形成すると、接続孔が逆テ−パ−形状の
ため画素電極が断線し表示欠陥の原因となる。そのた
め、デ−タ線を形成する前に画素側の接続孔をレジスト
で覆いスパッタダメ−ジを回避する必要がある。またレ
ジストが付着した状態でスパッタするためスパッタ中に
レジストからガスが発生し、デ−タ線とＴＦＴ素子との
コンタクト不良が起こる。よってＴＦＴ素子と良好なコ
ンタクト抵抗を得るためには３００℃程度の熱処理を行
いレジストをキュアする必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記プロセス
のとおり画素側の接続孔をレジストで覆い、１５０℃程
度の温度で乾燥した後、一気に３００℃程度の熱処理を
施すと、レジストが変形しデ−タ線のパタ−ン部分にレ
ジストが入り込み、その上からデ−タ線を成膜しパタ−
ニングするとデ−タ線がレジストで挟まれた状態となり
レジスト剥離の際、デ−タ線が剥がれ断線となり歩留ま
り低下の原因となる。
のとおり画素側の接続孔をレジストで覆い、１５０℃程
度の温度で乾燥した後、一気に３００℃程度の熱処理を
施すと、レジストが変形しデ−タ線のパタ−ン部分にレ
ジストが入り込み、その上からデ−タ線を成膜しパタ−
ニングするとデ−タ線がレジストで挟まれた状態となり
レジスト剥離の際、デ−タ線が剥がれ断線となり歩留ま
り低下の原因となる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の液晶表示装置において講じた手段は、透明
な絶縁基板の少なくとも一方側に層間絶縁膜を堆積する
工程と、前記層間絶縁膜に接続孔を開口する工程と、前
記接続孔をレジストで覆う工程と、次に前記レジストを
１５０℃〜１６０℃で乾燥する工程と、次に前記レジス
トを１５０℃〜３００℃まで段階的に昇温し３００℃で
３０分以上熱処理する工程と、を有することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。
に、本発明の液晶表示装置において講じた手段は、透明
な絶縁基板の少なくとも一方側に層間絶縁膜を堆積する
工程と、前記層間絶縁膜に接続孔を開口する工程と、前
記接続孔をレジストで覆う工程と、次に前記レジストを
１５０℃〜１６０℃で乾燥する工程と、次に前記レジス
トを１５０℃〜３００℃まで段階的に昇温し３００℃で
３０分以上熱処理する工程と、を有することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。
【０００６】
【作用】本発明の液晶表示装置の製造方法において、接
続孔を覆ったレジストは上記の処理方法を施すことによ
り、変形が抑制されデ−タ線下にレジストが入り込まず
断線する恐れはない。
続孔を覆ったレジストは上記の処理方法を施すことによ
り、変形が抑制されデ−タ線下にレジストが入り込まず
断線する恐れはない。
【０００７】
【実施例】次に本発明の一実施例について添付図面を参
照して説明する。図１は本発明の実施例の製造方法を適
用した液晶表示装置における画素領域の構造断面図を工
程ごとに示したものである。
照して説明する。図１は本発明の実施例の製造方法を適
用した液晶表示装置における画素領域の構造断面図を工
程ごとに示したものである。
【０００８】この画素領域には、デ−タ線１２が導通接
続するソ−ス２、ゲ−ト線が導通接続するゲ−ト７、お
よび画素電極１５が導通接続するドレイン３によって、
ＴＦＴが形成されている。このＴＦＴの断面構造は、液
晶表示装置全体を支持する絶縁透明基板１の表面側にＳ
ｉＨ4ガスを600℃程度で熱分解させ、減圧下での化学気
相成長法（以下ＣＶＤ法と略す）により多結晶シリコン
層４を1000Å程度堆積した後所定の形状にパタ−ニング
し、次にこの多結晶シリコン層４の表面を1000〜1200℃
で熱酸化することによりゲ−ト酸化膜６を1200Å程度堆
積する。このとき多結晶シリコン層４は熱酸化により反
応するため膜厚は500Å程度となる。この多結晶シリコン
には、真性の多結晶シリコン領域であるチャネル領域５
を除いて、ｎ型の不純物としてリンが導入されて（ｐ型
を形成する場合はボロン）、ソ−ス２およびドレイン３
が形成されている。ここでリンの導入は、多結晶シリコ
ン層４の表面側に形成されたゲ−ト酸化膜６上のゲ−ト
７をマスクとするイオン注入を利用することにより、ソ
−ス２およびドレイン３がセルフアラインとなるように
行われる。ここでゲ−ト７は多結晶シリコン膜を3000〜
4000Å堆積した後、この多結晶シリコン膜中に酸素及び
窒素雰囲気中でオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3）を用い900
〜1000℃でリンを熱拡散するかあるいは、同等量のリン
をイオン打ち込みにより注入し、所定の形状にパタ−ニ
ングして形成する。このＴＦＴ８の表面側には、シリコ
ン酸化膜からなる第１の層間絶縁膜８がＳｉＨ4系ある
いはＴＥＯＳ系のガスを用い、常圧ＣＶＤ法あるいは減
圧ＣＶＤ法により8000〜10000Å程度堆積されており、
それには第１の接続孔９と第２の接続孔１０とがそれぞ
れＴＦＴのソ−ス及びドレインと導通接続するように開
口されている（ａ）。次にそのうちの第２の接続孔１０
のみをレジスト１１で覆った後、窒素雰囲気中で１５０
℃〜１６０℃で加熱し乾燥させる。なおこの際、接続孔
を覆うレジストはポジレジストでもネガレジストでも良
い。そしてここで３００℃の熱処理を一気に行うと図２
に示したように、レジストが変形しデ−タ線のパタ−ン
部分にまで入り込むため、熱処理方法を１５０℃〜３０
０℃まで段階的（例えば１０℃／分）に昇温させていき
３００℃で３０分以上保持する（ｂ）。そしてスパッタ
法によりデ−タ線となるアルミニウムを3000〜8000Å程
度堆積する（ｃ）。そして第１の接続孔を介して、この
アルミニウムがソ−ス２に導通接続するようにパタ−ニ
ングし、デ−タ線上のレジスト及び第２の接続孔１０を
覆っていたレジスト１１を同時に剥離しデ−タ線１２を
形成する（ｄ）。このとき、第２の接続孔１０のみをレ
ジストで覆う場合のフォトマスクは第２の接続孔１０の
みがレジスト覆われ、かつデ−タ線がレジストで覆われ
ないパタ−ンであれば良いから画素電極を形成するフォ
トマスクを共用して用いれば良い。あるいは画素電極の
周囲に不透明金属膜でブラックマトリクスを形成する構
造の場合には、そのブラックマトリクスを形成する際の
フォトマスクでレジストの極性を反転させて用いても良
い。つまりブラックマトリクスをパタ−ニングする際に
ポジレジストを用いたならばネガレジスト、逆にブラッ
クマトリクス形成時にネガレジストを用いたならばポジ
レジストを用いることによりドレイン側の接続孔のみを
レジストで覆うことができる。次にその上層に第２の層
間絶縁膜１３が第１の層間絶縁膜９と同様にＳｉＨ4系
あるいはＴＥＯＳ系のガスを用い、常圧ＣＶＤ法あるい
は減圧ＣＶＤ法により8000〜10000Å程度堆積されてお
り、接続孔１４を第１の層間絶縁膜の第２の接続孔１０
を介してドレイン３に導通接続されるように開孔した
後、画素電極１５となるＩＴＯ膜をスパッタ法により10
00Å〜2000Å堆積し、接続孔１４と第１の層間絶縁膜の
第２の接続孔１０を介してドレイン３に導通接続され、
画素電極の端部がデ−タ線の上方位置に配置されるよう
にパタ−ニングして形成し完成する（ｅ）。本実施例で
は画素電極にスパッタによるＩＴＯ膜を用いたが、金属
インジウムあるいはインジウム−スズ合金をスパッタ
法、蒸着法またはＣＶＤ法により堆積した後、３００℃
〜５００℃で酸素雰囲気あるいは空気中においてドライ
酸化または水蒸気を用いたウェット酸化を行うことによ
り、画素電極を形成しても良い。
続するソ−ス２、ゲ−ト線が導通接続するゲ−ト７、お
よび画素電極１５が導通接続するドレイン３によって、
ＴＦＴが形成されている。このＴＦＴの断面構造は、液
晶表示装置全体を支持する絶縁透明基板１の表面側にＳ
ｉＨ4ガスを600℃程度で熱分解させ、減圧下での化学気
相成長法（以下ＣＶＤ法と略す）により多結晶シリコン
層４を1000Å程度堆積した後所定の形状にパタ−ニング
し、次にこの多結晶シリコン層４の表面を1000〜1200℃
で熱酸化することによりゲ−ト酸化膜６を1200Å程度堆
積する。このとき多結晶シリコン層４は熱酸化により反
応するため膜厚は500Å程度となる。この多結晶シリコン
には、真性の多結晶シリコン領域であるチャネル領域５
を除いて、ｎ型の不純物としてリンが導入されて（ｐ型
を形成する場合はボロン）、ソ−ス２およびドレイン３
が形成されている。ここでリンの導入は、多結晶シリコ
ン層４の表面側に形成されたゲ−ト酸化膜６上のゲ−ト
７をマスクとするイオン注入を利用することにより、ソ
−ス２およびドレイン３がセルフアラインとなるように
行われる。ここでゲ−ト７は多結晶シリコン膜を3000〜
4000Å堆積した後、この多結晶シリコン膜中に酸素及び
窒素雰囲気中でオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3）を用い900
〜1000℃でリンを熱拡散するかあるいは、同等量のリン
をイオン打ち込みにより注入し、所定の形状にパタ−ニ
ングして形成する。このＴＦＴ８の表面側には、シリコ
ン酸化膜からなる第１の層間絶縁膜８がＳｉＨ4系ある
いはＴＥＯＳ系のガスを用い、常圧ＣＶＤ法あるいは減
圧ＣＶＤ法により8000〜10000Å程度堆積されており、
それには第１の接続孔９と第２の接続孔１０とがそれぞ
れＴＦＴのソ−ス及びドレインと導通接続するように開
口されている（ａ）。次にそのうちの第２の接続孔１０
のみをレジスト１１で覆った後、窒素雰囲気中で１５０
℃〜１６０℃で加熱し乾燥させる。なおこの際、接続孔
を覆うレジストはポジレジストでもネガレジストでも良
い。そしてここで３００℃の熱処理を一気に行うと図２
に示したように、レジストが変形しデ−タ線のパタ−ン
部分にまで入り込むため、熱処理方法を１５０℃〜３０
０℃まで段階的（例えば１０℃／分）に昇温させていき
３００℃で３０分以上保持する（ｂ）。そしてスパッタ
法によりデ−タ線となるアルミニウムを3000〜8000Å程
度堆積する（ｃ）。そして第１の接続孔を介して、この
アルミニウムがソ−ス２に導通接続するようにパタ−ニ
ングし、デ−タ線上のレジスト及び第２の接続孔１０を
覆っていたレジスト１１を同時に剥離しデ−タ線１２を
形成する（ｄ）。このとき、第２の接続孔１０のみをレ
ジストで覆う場合のフォトマスクは第２の接続孔１０の
みがレジスト覆われ、かつデ−タ線がレジストで覆われ
ないパタ−ンであれば良いから画素電極を形成するフォ
トマスクを共用して用いれば良い。あるいは画素電極の
周囲に不透明金属膜でブラックマトリクスを形成する構
造の場合には、そのブラックマトリクスを形成する際の
フォトマスクでレジストの極性を反転させて用いても良
い。つまりブラックマトリクスをパタ−ニングする際に
ポジレジストを用いたならばネガレジスト、逆にブラッ
クマトリクス形成時にネガレジストを用いたならばポジ
レジストを用いることによりドレイン側の接続孔のみを
レジストで覆うことができる。次にその上層に第２の層
間絶縁膜１３が第１の層間絶縁膜９と同様にＳｉＨ4系
あるいはＴＥＯＳ系のガスを用い、常圧ＣＶＤ法あるい
は減圧ＣＶＤ法により8000〜10000Å程度堆積されてお
り、接続孔１４を第１の層間絶縁膜の第２の接続孔１０
を介してドレイン３に導通接続されるように開孔した
後、画素電極１５となるＩＴＯ膜をスパッタ法により10
00Å〜2000Å堆積し、接続孔１４と第１の層間絶縁膜の
第２の接続孔１０を介してドレイン３に導通接続され、
画素電極の端部がデ−タ線の上方位置に配置されるよう
にパタ−ニングして形成し完成する（ｅ）。本実施例で
は画素電極にスパッタによるＩＴＯ膜を用いたが、金属
インジウムあるいはインジウム−スズ合金をスパッタ
法、蒸着法またはＣＶＤ法により堆積した後、３００℃
〜５００℃で酸素雰囲気あるいは空気中においてドライ
酸化または水蒸気を用いたウェット酸化を行うことによ
り、画素電極を形成しても良い。
【０００９】従って、本液晶表示装置において、デ−タ
線形成前にドレイン側の接続孔を覆うレジストの熱処理
を段階的に行うため、レジストの変形が抑制されデ−タ
線下へのレジストの入り込みがなくなり、デ−タ線の断
線が防止できるため歩留りを向上させることが可能であ
る。
線形成前にドレイン側の接続孔を覆うレジストの熱処理
を段階的に行うため、レジストの変形が抑制されデ−タ
線下へのレジストの入り込みがなくなり、デ−タ線の断
線が防止できるため歩留りを向上させることが可能であ
る。
【００１０】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置の製造方法におい
て前記のとおり、デ−タ線形成前にドレイン側の接続孔
を覆うレジストの熱処理を段階的に行うことに特徴を有
するので、以下の効果を奏する。
て前記のとおり、デ−タ線形成前にドレイン側の接続孔
を覆うレジストの熱処理を段階的に行うことに特徴を有
するので、以下の効果を奏する。
【００１１】デ−タ線形成前にドレイン側の接続孔を
覆っているレジストの熱処理方法を、段階的に行うため
レジストの変形が抑制され、デ−タ線下へのレジストの
入り込みがなくなりデ−タ線の断線が防止されるため歩
留まりが向上する。
覆っているレジストの熱処理方法を、段階的に行うため
レジストの変形が抑制され、デ−タ線下へのレジストの
入り込みがなくなりデ−タ線の断線が防止されるため歩
留まりが向上する。
【００１２】ドレイン側の接続孔をレジストで覆う場
合のフォトマスクは画素電極のフォトマスクと共用で
き、あるいは画素電極の周囲にブラックマトリクスを形
成する場合はそのブラックマトリクスのフォトマスクと
も共用して使用できるため、この工程専用に新規にフォ
トマスクを作成する必要はない。
合のフォトマスクは画素電極のフォトマスクと共用で
き、あるいは画素電極の周囲にブラックマトリクスを形
成する場合はそのブラックマトリクスのフォトマスクと
も共用して使用できるため、この工程専用に新規にフォ
トマスクを作成する必要はない。
【図１】（ａ）〜（ｅ）は本発明を各工程ごとに示した
図。 （ａ）第１層目の層間絶縁膜にＴＦＴのソ−ス及びドレ
インと導通接続するように接続孔を開口した図。 （ｂ）開口された接続孔のうちドレイン側の接続孔のみ
をレジストで覆った図。 （ｃ）ドレイン側の接続孔をレジストで覆ったままでデ
−タ線を堆積した図。 （ｄ）デ−タ線をパタ−ニングし、デ−タ線上のレジス
ト及びドレイン側の接続孔を覆っていたレジスト同時に
剥離し、デ−タ線を形成した図。 （ｅ）完成図。
図。 （ａ）第１層目の層間絶縁膜にＴＦＴのソ−ス及びドレ
インと導通接続するように接続孔を開口した図。 （ｂ）開口された接続孔のうちドレイン側の接続孔のみ
をレジストで覆った図。 （ｃ）ドレイン側の接続孔をレジストで覆ったままでデ
−タ線を堆積した図。 （ｄ）デ−タ線をパタ−ニングし、デ−タ線上のレジス
ト及びドレイン側の接続孔を覆っていたレジスト同時に
剥離し、デ−タ線を形成した図。 （ｅ）完成図。
【図２】図１のｂにおいて、急激な熱処理を行った場合
のレジストの状態を示した図。
のレジストの状態を示した図。
１ 透明絶縁基板 ２ ソ−ス ３ ドレイン ４ 多結晶シリコン膜 ５ チャネル ６ ゲ−ト酸化膜 ７ ゲ−ト電極 ８ 第１層目の層間絶縁膜 ９ 第１の接続孔 １０ 第２の接続孔 １１ レジスト １２ デ−タ線 １３ 第２層目の層間絶縁膜 １４ 接続孔 １５ 画素電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 7352−4Ｍ 29/786
Claims (3)
- 【請求項１】透明な絶縁基板の表面側に層間絶縁膜を堆
積する工程と、前記層間絶縁膜に接続孔を開口する工程
と、前記接続孔をレジストで覆う工程と、次に前記レジ
ストを１５０℃〜１６０℃で乾燥する工程と、次に前記
レジストを１５０℃〜３００℃まで毎分５℃〜１０℃で
昇温し３００℃で少なくとも３０分以上保持する工程
と、を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項２】前記接続孔を覆うレジストはポジレジスト
を用いても、ネガレジストを用いても形成することがで
きることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項３】前記接続孔を覆うレジストのパタ−ンは画
素電極と同一のフォトマスクを使用することによってパ
タ−ニングされることを特徴とする請求項１記載の液晶
表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24173293A JP3309517B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24173293A JP3309517B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0799197A true JPH0799197A (ja) | 1995-04-11 |
| JP3309517B2 JP3309517B2 (ja) | 2002-07-29 |
Family
ID=17078721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24173293A Expired - Lifetime JP3309517B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3309517B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7635260B2 (en) | 2005-06-07 | 2009-12-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing apparatus, processing method, and process for producing chip |
| JP2012134568A (ja) * | 1995-11-27 | 2012-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
-
1993
- 1993-09-28 JP JP24173293A patent/JP3309517B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2012134568A (ja) * | 1995-11-27 | 2012-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US7635260B2 (en) | 2005-06-07 | 2009-12-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing apparatus, processing method, and process for producing chip |
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