JPH0799181A - 半導体素子のエッチング検査用パターン及びそのエッチング検査方法 - Google Patents
半導体素子のエッチング検査用パターン及びそのエッチング検査方法Info
- Publication number
- JPH0799181A JPH0799181A JP24190193A JP24190193A JPH0799181A JP H0799181 A JPH0799181 A JP H0799181A JP 24190193 A JP24190193 A JP 24190193A JP 24190193 A JP24190193 A JP 24190193A JP H0799181 A JPH0799181 A JP H0799181A
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- Japan
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- etching
- pattern
- field oxide
- oxide film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 グリットラインの半導体基板上にモニタパタ
ーンを新たに作成することにより、光学的なインスペク
ションにて数百倍の倍率で開穴を確認し、判断すること
ができる半導体素子のエッチング検査用パターン及びそ
のエッチング検査方法を提供する。 【構成】 半導体素子のエッチング検査用パターンにお
いて、グリットラインの半導体基板上に形成されるフィ
ールド酸化膜２と、該フィールド酸化膜２上に形成され
るゲート配線３と、全面に形成される絶縁層間膜４とを
有し、該絶縁層間膜４がレジストマスクによりエッチン
グされるモニタパターン１１を設ける。
ーンを新たに作成することにより、光学的なインスペク
ションにて数百倍の倍率で開穴を確認し、判断すること
ができる半導体素子のエッチング検査用パターン及びそ
のエッチング検査方法を提供する。 【構成】 半導体素子のエッチング検査用パターンにお
いて、グリットラインの半導体基板上に形成されるフィ
ールド酸化膜２と、該フィールド酸化膜２上に形成され
るゲート配線３と、全面に形成される絶縁層間膜４とを
有し、該絶縁層間膜４がレジストマスクによりエッチン
グされるモニタパターン１１を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を製造する
ためのウエハプロセスにおけるエッチング後のエッチン
グ状態のインスペクション（検査）のためのパターンの
構造及びそのインスペクション方法に関する。
ためのウエハプロセスにおけるエッチング後のエッチン
グ状態のインスペクション（検査）のためのパターンの
構造及びそのインスペクション方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置を製造するためのウエ
ハプロセスのエッチング工程、つまり、ウェットエッチ
ング、等方性ドライエッチング又は異方性ドライエッチ
ングにおいては、仕上がりを確認するため、インスペク
ションをエッチング後に行っていた。
ハプロセスのエッチング工程、つまり、ウェットエッチ
ング、等方性ドライエッチング又は異方性ドライエッチ
ングにおいては、仕上がりを確認するため、インスペク
ションをエッチング後に行っていた。
【０００３】しかし、このインスペクションは外観を見
るだけでなく（マクロ検査）、エッチングされているか
否かを判断するため、エッチング部を見ているが、サブ
ミクロンパターンのエッチング状態を見るのは不可能と
なってきた。現在は、これらのインスペクションはグリ
ッドライン（スクライブライン）上のパターン開穴部を
見て判断しているが、工程によって色や形状等を検査し
ても判断不可能であった。
るだけでなく（マクロ検査）、エッチングされているか
否かを判断するため、エッチング部を見ているが、サブ
ミクロンパターンのエッチング状態を見るのは不可能と
なってきた。現在は、これらのインスペクションはグリ
ッドライン（スクライブライン）上のパターン開穴部を
見て判断しているが、工程によって色や形状等を検査し
ても判断不可能であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、以上述べ
た従来の方法では、インスペクションを行っても、開穴
を明確に判断できるパターンがなく、特にコンタクトの
工程は開穴部に下地膜が有り、色が付いており、開穴し
ているかどうか判断がつかないという問題点があった。
た従来の方法では、インスペクションを行っても、開穴
を明確に判断できるパターンがなく、特にコンタクトの
工程は開穴部に下地膜が有り、色が付いており、開穴し
ているかどうか判断がつかないという問題点があった。
【０００５】本発明は、上記問題点を解決し、グリット
ラインの半導体基板上に新たにモニタパターンを作成す
ることにより、光学的なインスペクションにて数百倍の
倍率で開穴を確認し、判断することができる半導体素子
のエッチング検査用パターン及びそのエッチング検査方
法を提供することを目的とする。
ラインの半導体基板上に新たにモニタパターンを作成す
ることにより、光学的なインスペクションにて数百倍の
倍率で開穴を確認し、判断することができる半導体素子
のエッチング検査用パターン及びそのエッチング検査方
法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、半導体素子のエッチング検査用パターン
において、グリットラインの半導体基板上に形成される
フィールド酸化膜と、該フィールド酸化膜上に形成され
るゲート配線と、全面に形成される絶縁層間膜とを有
し、該層間絶縁膜がレジストマスクによりエッチングさ
れるモニタパターンを設けるようにしたものである。
成するために、半導体素子のエッチング検査用パターン
において、グリットラインの半導体基板上に形成される
フィールド酸化膜と、該フィールド酸化膜上に形成され
るゲート配線と、全面に形成される絶縁層間膜とを有
し、該層間絶縁膜がレジストマスクによりエッチングさ
れるモニタパターンを設けるようにしたものである。
【０００７】また、半導体素子のエッチング検査方法に
おいて、グリットラインの半導体基板上にフィールド酸
化膜を形成し、該フィールド酸化膜上にゲート配線を形
成し、その全面に層間絶縁膜を形成し、前記ゲート配線
の上方にエッチングプロセスによるモニタパターンを形
成し、前記エッチングされる幅を見ることにより、エッ
チング状態を判定するようにしたものである。
おいて、グリットラインの半導体基板上にフィールド酸
化膜を形成し、該フィールド酸化膜上にゲート配線を形
成し、その全面に層間絶縁膜を形成し、前記ゲート配線
の上方にエッチングプロセスによるモニタパターンを形
成し、前記エッチングされる幅を見ることにより、エッ
チング状態を判定するようにしたものである。
【０００８】以下、（１）前記ゲート配線の幅と前記モ
ニタパターンの幅とを対比して、ウエハ内のエッチング
の均一性を判定する。（２）前記モニタパターンを２個
並列に形成し、それぞれのモニタパターン間の幅に基づ
いて、エッチング状態を判定する。（３）前記モニタパ
ターンを略十字状に形成し、その広がり形状に基づい
て、エッチング状態を判定する。（４）前記モニタパタ
ーンを前記ゲート配線と、フィールド酸化膜と、半導体
基板とに跨がる傾斜部に形成し、前記半導体基板とフィ
ールド酸化膜との境界線の位置を検査することにより、
エッチング状態を判定する。（５）前記境界線がゲート
配線側に位置するほど過剰エッチングであると判定す
る。
ニタパターンの幅とを対比して、ウエハ内のエッチング
の均一性を判定する。（２）前記モニタパターンを２個
並列に形成し、それぞれのモニタパターン間の幅に基づ
いて、エッチング状態を判定する。（３）前記モニタパ
ターンを略十字状に形成し、その広がり形状に基づい
て、エッチング状態を判定する。（４）前記モニタパタ
ーンを前記ゲート配線と、フィールド酸化膜と、半導体
基板とに跨がる傾斜部に形成し、前記半導体基板とフィ
ールド酸化膜との境界線の位置を検査することにより、
エッチング状態を判定する。（５）前記境界線がゲート
配線側に位置するほど過剰エッチングであると判定す
る。
【０００９】
【作用】本発明によれば、上記したように、グリットラ
インの半導体基板上に形成されるフィールド酸化膜と、
該フィールド酸化膜上に形成されるゲート配線と、全面
に形成される層間絶縁膜とを有し、該層間絶縁膜がレジ
ストマスクによりエッチングされるモニタパターンを設
ける。
インの半導体基板上に形成されるフィールド酸化膜と、
該フィールド酸化膜上に形成されるゲート配線と、全面
に形成される層間絶縁膜とを有し、該層間絶縁膜がレジ
ストマスクによりエッチングされるモニタパターンを設
ける。
【００１０】ここで、レジストにてパターニング形状を
変えて種々の形状のモニタパターンを作成し、エッチン
グした後の形状を見ることにより、エッチング状態を判
定する。また、レジストのパターニングと下地とのずれ
を見ることにより、エッチング状態を判定することがで
きる。
変えて種々の形状のモニタパターンを作成し、エッチン
グした後の形状を見ることにより、エッチング状態を判
定する。また、レジストのパターニングと下地とのずれ
を見ることにより、エッチング状態を判定することがで
きる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施例を
示すグリッドライン上のインスペクション用モニタパタ
ーンを示す断面図、図２はそのインスペクション用モニ
タパターンの平面図である。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施例を
示すグリッドライン上のインスペクション用モニタパタ
ーンを示す断面図、図２はそのインスペクション用モニ
タパターンの平面図である。
【００１２】図１において、グリッドライン上のＳｉ基
板１上にフィールド酸化膜２を６０００Å生成させ、ゲ
ート配線（多結晶Ｓｉ，ＷＳｉ，Ａｌ等）工程で、フィ
ールド酸化膜２上にゲート配線３（膜厚２０００Å）を
形成する。ただし、この時、フィールド酸化膜２とゲー
ト配線３の間に層間絶縁膜が形成されていても良い。こ
のゲート配線３の上に層間絶縁膜４（膜厚６０００Å）
を生成し、その上にレジスト５（膜厚１２０００Å）を
形成し、該層間絶縁膜４のエッチング用パターニング時
にゲート配線３が形成された領域内に、図２に示すよう
なパターンＡ，Ｂ，Ｃの形状のパターニングをする。こ
こでは、ウェットエッチング、等方性ドライエッチング
等のエッチング（深さ３０００Å）を行う。エッチング
後のインスペクションにてそれぞれのパターン毎に以下
の判定基準を設け判断する。
板１上にフィールド酸化膜２を６０００Å生成させ、ゲ
ート配線（多結晶Ｓｉ，ＷＳｉ，Ａｌ等）工程で、フィ
ールド酸化膜２上にゲート配線３（膜厚２０００Å）を
形成する。ただし、この時、フィールド酸化膜２とゲー
ト配線３の間に層間絶縁膜が形成されていても良い。こ
のゲート配線３の上に層間絶縁膜４（膜厚６０００Å）
を生成し、その上にレジスト５（膜厚１２０００Å）を
形成し、該層間絶縁膜４のエッチング用パターニング時
にゲート配線３が形成された領域内に、図２に示すよう
なパターンＡ，Ｂ，Ｃの形状のパターニングをする。こ
こでは、ウェットエッチング、等方性ドライエッチング
等のエッチング（深さ３０００Å）を行う。エッチング
後のインスペクションにてそれぞれのパターン毎に以下
の判定基準を設け判断する。
【００１３】以下、そのパターンについて図２を用いて
説明する。まず、図２（ａ）に示すように、パターンＡ
はレジストマスクによる１個の開穴部６を形成した場合
であり、このパターンＡはしみ込み部（モニタパター
ン）１１と下地の多結晶Ｓｉ，ＷＳｉ，Ａｌ等のゲート
配線３との関係からエッチングの程度が判定できる。つ
まり、しみ込み部１１以外の領域とゲート配線３の重な
りからしみ込みの幅を見ることができ、エッチングの程
度が判定できる。そして、下地のサイズを変えることで
しみ込みの幅の大きさを比較、判断できる。このように
して、しみ込みの幅を見ることで、ウエハ内の均一性を
確認できる。
説明する。まず、図２（ａ）に示すように、パターンＡ
はレジストマスクによる１個の開穴部６を形成した場合
であり、このパターンＡはしみ込み部（モニタパター
ン）１１と下地の多結晶Ｓｉ，ＷＳｉ，Ａｌ等のゲート
配線３との関係からエッチングの程度が判定できる。つ
まり、しみ込み部１１以外の領域とゲート配線３の重な
りからしみ込みの幅を見ることができ、エッチングの程
度が判定できる。そして、下地のサイズを変えることで
しみ込みの幅の大きさを比較、判断できる。このように
して、しみ込みの幅を見ることで、ウエハ内の均一性を
確認できる。
【００１４】また、図２（ｂ）に示すように、パターン
Ｂはレジストマスクによる２つの開穴部７を平行に形成
した場合であり、このパターンＢはしみ込み部１２の間
隔を見ることでしみ込み幅を判定し、エッチングの程度
を検査できる。更に、図２（ｃ）に示すように、パター
ンＣはレジストマスクによる十字状の開穴部８を形成し
た場合であり、このパターンＣはしみ込み部１３の膨ら
み具合で判定する。つまり、エッチング量が増加すれ
ば、しみ込み部１３は、円形になるので、形状を見るこ
とで判断することができる。
Ｂはレジストマスクによる２つの開穴部７を平行に形成
した場合であり、このパターンＢはしみ込み部１２の間
隔を見ることでしみ込み幅を判定し、エッチングの程度
を検査できる。更に、図２（ｃ）に示すように、パター
ンＣはレジストマスクによる十字状の開穴部８を形成し
た場合であり、このパターンＣはしみ込み部１３の膨ら
み具合で判定する。つまり、エッチング量が増加すれ
ば、しみ込み部１３は、円形になるので、形状を見るこ
とで判断することができる。
【００１５】このような３つのパターンは、工程、エッ
チング量、層間絶縁膜の膜厚にて独自に使用する。ただ
し、インスペクションの感度としては、パターンＡ＞パ
ターンＢ＞パターンＣの順番であり、しみ込み制御が必
要な工程ではパターンＡを使い、しみ込みエッチングが
されたか確認する程度の工程では、パターンＣを使用す
る。
チング量、層間絶縁膜の膜厚にて独自に使用する。ただ
し、インスペクションの感度としては、パターンＡ＞パ
ターンＢ＞パターンＣの順番であり、しみ込み制御が必
要な工程ではパターンＡを使い、しみ込みエッチングが
されたか確認する程度の工程では、パターンＣを使用す
る。
【００１６】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。図３は本発明の第２の実施例を示すグリッドライ
ン上に形成される膜構造を示す断面図、図４は図３にお
けるグリッドライン上に形成される膜構造に層間絶縁膜
エッチング用パターニングを行った状態を示す平面図で
ある。この実施例では、グリッドラインに段差形状の膜
が作成され、異方性ドライエッチングにより、エッチン
グする場合のインスペクション用モニタパターンの作
成、判断基準について説明する。
する。図３は本発明の第２の実施例を示すグリッドライ
ン上に形成される膜構造を示す断面図、図４は図３にお
けるグリッドライン上に形成される膜構造に層間絶縁膜
エッチング用パターニングを行った状態を示す平面図で
ある。この実施例では、グリッドラインに段差形状の膜
が作成され、異方性ドライエッチングにより、エッチン
グする場合のインスペクション用モニタパターンの作
成、判断基準について説明する。
【００１７】図３に示すように、グリットラインのＳｉ
基板２０上にフィールド酸化膜２１を６０００Å生成さ
せ、ゲート配線（多結晶Ｓｉ，ＷＳｉ，Ａｌ等）工程
で、フィールド酸化膜２１上にゲート配線２２を形成す
る。ただし、この時フィールド酸化膜２１とゲート配線
２２の間に層間絶縁膜が形成されていても良い。このゲ
ート配線２２上に層間絶縁膜２３を生成し、レジスト２
４マスクにより、層間絶縁膜エッチング用パターニング
時に、このゲート配線２２が形成された領域上に、図４
に示すようなパターニングを行う。この図４の斜線部の
拡大図は、図５に示すようであり、これを見て、エッチ
ング程度の判定を行う。すなわち、まず、エッチング
後、図５に示すＳｉ基板２０を確認し、層間絶縁膜の色
がないとエッチングが終了している。また、図５のよう
に、ＳｉＯ2 膜２１とＳｉ基板２０の境界線が、２５か
ら２６へと矢印で示すように、ＳｉＯ2 膜２１側に移動
していると、エッチング時間が過剰になっていること
が、斜線で示されるモニタパターン２８以外の部分のＳ
ｉＯ2 膜２１の領域の境界線２１ａとの差でわかる。
基板２０上にフィールド酸化膜２１を６０００Å生成さ
せ、ゲート配線（多結晶Ｓｉ，ＷＳｉ，Ａｌ等）工程
で、フィールド酸化膜２１上にゲート配線２２を形成す
る。ただし、この時フィールド酸化膜２１とゲート配線
２２の間に層間絶縁膜が形成されていても良い。このゲ
ート配線２２上に層間絶縁膜２３を生成し、レジスト２
４マスクにより、層間絶縁膜エッチング用パターニング
時に、このゲート配線２２が形成された領域上に、図４
に示すようなパターニングを行う。この図４の斜線部の
拡大図は、図５に示すようであり、これを見て、エッチ
ング程度の判定を行う。すなわち、まず、エッチング
後、図５に示すＳｉ基板２０を確認し、層間絶縁膜の色
がないとエッチングが終了している。また、図５のよう
に、ＳｉＯ2 膜２１とＳｉ基板２０の境界線が、２５か
ら２６へと矢印で示すように、ＳｉＯ2 膜２１側に移動
していると、エッチング時間が過剰になっていること
が、斜線で示されるモニタパターン２８以外の部分のＳ
ｉＯ2 膜２１の領域の境界線２１ａとの差でわかる。
【００１８】したがって、エッチングが正常か、エッチ
ング不足か過剰かの判定が可能となる。次に、エッチン
グによる段差が多い膜構造の場合は、図６に示すように
エッチング程度を判定することができる。すなわち、図
６（ａ）に示すように、エッチング後のＳｉ基板３０と
ＳｉＯ2 膜（フィールド酸化膜）３１との境界線の位置
を見ることにより、エッチングの程度を判定できる。例
えば、境界線が４１の場合はエッチングが適切である
が、境界線が４２ではややエッチング過剰、境界線が４
３では完全にエッチング過剰であると判定することがで
きる。
ング不足か過剰かの判定が可能となる。次に、エッチン
グによる段差が多い膜構造の場合は、図６に示すように
エッチング程度を判定することができる。すなわち、図
６（ａ）に示すように、エッチング後のＳｉ基板３０と
ＳｉＯ2 膜（フィールド酸化膜）３１との境界線の位置
を見ることにより、エッチングの程度を判定できる。例
えば、境界線が４１の場合はエッチングが適切である
が、境界線が４２ではややエッチング過剰、境界線が４
３では完全にエッチング過剰であると判定することがで
きる。
【００１９】また、図６（ｂ）に示すように、エッチン
グ後のＳｉ基板５０とＳｉＯ2 膜５１（フィールド酸化
膜）との境界線の位置を見ることにより、エッチングの
程度を判定できる。例えば、境界線が６１の場合はエッ
チングが適切であるが、境界線が６２ではややエッチン
グ過剰、境界線が６３では完全にエッチング過剰である
と判定することができる。
グ後のＳｉ基板５０とＳｉＯ2 膜５１（フィールド酸化
膜）との境界線の位置を見ることにより、エッチングの
程度を判定できる。例えば、境界線が６１の場合はエッ
チングが適切であるが、境界線が６２ではややエッチン
グ過剰、境界線が６３では完全にエッチング過剰である
と判定することができる。
【００２０】なお、図６において、３２，５２，５３は
ゲート配線、３３，５４は層間絶縁膜、３４，５５はレ
ジストである。このように、段差が多い場合には、各段
差部の色や形状を見ることで、各膜間のエッチングが正
常か異常かも合わせて判定できるようにしたものであ
る。なお、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、
これらを本発明の範囲から排除するものではない。
ゲート配線、３３，５４は層間絶縁膜、３４，５５はレ
ジストである。このように、段差が多い場合には、各段
差部の色や形状を見ることで、各膜間のエッチングが正
常か異常かも合わせて判定できるようにしたものであ
る。なお、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、
これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００２１】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、上記のように構成したので、以下のような効果
を奏することができる。 （１）エッチング後のしみこみ部（モニタパターン）の
幅がインスペクションで分かり、ウエハ内、ウエハ間の
エッチングの均一性を検査することができる。 （２）インスペクション用レジストマスクパターンの形
状を変えることにより、各工程に合った検査ができる。 （３）傾斜部を有するモニタパターンの形成により、エ
ッチングの程度を適切に検査することができる。
よれば、上記のように構成したので、以下のような効果
を奏することができる。 （１）エッチング後のしみこみ部（モニタパターン）の
幅がインスペクションで分かり、ウエハ内、ウエハ間の
エッチングの均一性を検査することができる。 （２）インスペクション用レジストマスクパターンの形
状を変えることにより、各工程に合った検査ができる。 （３）傾斜部を有するモニタパターンの形成により、エ
ッチングの程度を適切に検査することができる。
【００２２】このように、従来のエッチング後のインス
ペクションで判断できなかった項目が増えるので、より
設計ルールの厳しいデバイスの確認作業が明確になる。
これにより、ウエハのエッチング状態が確実に検査さ
れ、品質の向上及び管理が可能となる。
ペクションで判断できなかった項目が増えるので、より
設計ルールの厳しいデバイスの確認作業が明確になる。
これにより、ウエハのエッチング状態が確実に検査さ
れ、品質の向上及び管理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示すグリッドライン上
のインスペクション用モニタパターンを示す断面図であ
る。
のインスペクション用モニタパターンを示す断面図であ
る。
【図２】本発明の第１の実施例を示すグリッドライン上
のインスペクション用モニタパターンの平面図である。
のインスペクション用モニタパターンの平面図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示すグリッドライン上
に形成される膜構造を示す断面図である。
に形成される膜構造を示す断面図である。
【図４】図３におけるグリッドライン上に形成される膜
構造に層間絶縁膜エッチング用パターニングを行った状
態を示す平面図である。
構造に層間絶縁膜エッチング用パターニングを行った状
態を示す平面図である。
【図５】図４におけるグリッドライン上に形成される膜
構造の傾斜部の拡大平面図である。
構造の傾斜部の拡大平面図である。
【図６】本発明の第３の実施例を示す多層構造の場合の
グリッドライン上のインスペクション用モニタパターン
を示す断面図である。
グリッドライン上のインスペクション用モニタパターン
を示す断面図である。
１，２０，３０，５０ Ｓｉ基板 ２，２１，３１，５１ フィールド酸化膜（ＳｉＯ2
膜） ３，２２，３２，５２，５３ ゲート配線 ４，２３，３３，５４ 層間絶縁膜 ５，２４，３４，５５ レジスト ６，７，８ 開穴部 １１，１２，１３ しみ込み部（モニタパターン） ２２ ゲート配線 ２３ 層間絶縁膜 ２５，２６，４１，４２，４３，６１，６２，６３
境界線 ２８ モニタパターン
膜） ３，２２，３２，５２，５３ ゲート配線 ４，２３，３３，５４ 層間絶縁膜 ５，２４，３４，５５ レジスト ６，７，８ 開穴部 １１，１２，１３ しみ込み部（モニタパターン） ２２ ゲート配線 ２３ 層間絶縁膜 ２５，２６，４１，４２，４３，６１，６２，６３
境界線 ２８ モニタパターン
Claims (7)
- 【請求項１】（ａ）グリットラインの半導体基板上に形
成されるフィールド酸化膜と、（ｂ）該フィールド酸化
膜上に形成されるゲート配線と、（ｃ）全面に形成され
る層間絶縁膜とを有し、（ｄ）該層間絶縁膜がレジスト
マスクによりエッチングされるモニタパターンを設ける
ことを特徴とする半導体素子のエッチング検査用パター
ン。 - 【請求項２】 グリットラインの半導体基板上にフィー
ルド酸化膜を形成し、該フィールド酸化膜上にゲート配
線を形成し、その全面に層間絶縁膜を形成し、前記ゲー
ト配線の上方にエッチングプロセスによるモニタパター
ンを形成し、前記エッチングされる幅を見ることによ
り、エッチング状態を判定することを特徴とする半導体
素子のエッチング検査方法。 - 【請求項３】 前記ゲート配線の幅と前記モニタパター
ンの幅とを対比して、ウエハ内のエッチングの均一性を
判定することを特徴とする請求項２記載の半導体素子の
エッチング検査方法。 - 【請求項４】 前記モニタパターンを２個並列に形成
し、それぞれのモニタパターン間の幅に基づいて、エッ
チング状態を判定することを特徴とする請求項２記載の
半導体素子のエッチング検査方法。 - 【請求項５】 前記モニタパターンを略十字状に形成
し、その広がり形状に基づいて、エッチング状態を判定
することを特徴とする請求項２記載の半導体素子のエッ
チング検査方法。 - 【請求項６】 前記モニタパターンを前記ゲート配線
と、フィールド酸化膜と、半導体基板とに跨がる傾斜部
に形成し、前記半導体基板とフィールド酸化膜との境界
線の位置を検査することにより、エッチング状態を判定
することを特徴とする請求項２記載の半導体素子のエッ
チング検査方法。 - 【請求項７】 前記境界線がゲート配線側に位置するほ
ど過剰エッチングである請求項６記載の半導体素子のエ
ッチング検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24190193A JPH0799181A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 半導体素子のエッチング検査用パターン及びそのエッチング検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24190193A JPH0799181A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 半導体素子のエッチング検査用パターン及びそのエッチング検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0799181A true JPH0799181A (ja) | 1995-04-11 |
Family
ID=17081243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24190193A Withdrawn JPH0799181A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 半導体素子のエッチング検査用パターン及びそのエッチング検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0799181A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990006180A (ko) * | 1997-06-30 | 1999-01-25 | 김영환 | 반도체 소자의 디펙트 모니터링 방법 및 이를 이용한 페일 메카니즘 추적 방법 |
| JP2017123391A (ja) * | 2016-01-06 | 2017-07-13 | ローム株式会社 | 孔を有する基板およびその製造方法ならびに赤外線センサおよびその製造方法 |
-
1993
- 1993-09-29 JP JP24190193A patent/JPH0799181A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990006180A (ko) * | 1997-06-30 | 1999-01-25 | 김영환 | 반도체 소자의 디펙트 모니터링 방법 및 이를 이용한 페일 메카니즘 추적 방법 |
| JP2017123391A (ja) * | 2016-01-06 | 2017-07-13 | ローム株式会社 | 孔を有する基板およびその製造方法ならびに赤外線センサおよびその製造方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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