JP2017123391A - 孔を有する基板およびその製造方法ならびに赤外線センサおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図19A、図19Bおよび図19Cを参照して、横断面形状がたとえば正四角形状(正方形)である孔を基板に形成する従来方法について説明する。図19Aは平面図であり、図19Bは縦断面図であり、図19Cは底面図である。
この発明の目的は、加工終端側の横断面形状が所定の多角形に近い形状である孔を有する基板を備えた赤外線センサおよびその製造方法を提供することである。
この発明の一実施形態では、前記所定の多角形が三角形である。
この発明による赤外線センサは、前記孔を有する基板と、前記孔に対向するように前記基板に保持された断熱膜と、前記断熱膜上に形成された焦電素子とを含む。
この構成では、孔の加工終端側の横断面形状が所定の多角形に近い形状である基板を含む焦電素子が得られる。また、この構成では、基板の孔を、焦電素子を基板から熱的に分離するためのキャビティとして用いることができる。
この発明は、孔を有する基板の製造方法であって、前記基板の一表面側に、所定の多角形に対して、その各辺が内方に凸の弓状に湾曲した形状の貫通孔を有するマスクを配置する工程と、前記マスクを介して、前記基板に対してドライエッチングを施すことにより、前記基板に孔を形成する工程とを含む。
この発明の一実施形態では、前記所定の多角形が四角形である。
この発明の一実施形態では、前記所定の多角形が三角形である。
この発明による赤外線センサの製造方法は、基板の一表面上に断熱膜を形成する工程と、前記断熱膜上に焦電素子を形成する工程と、前記断熱膜および前記焦電素子の表面を覆う被覆膜を形成する工程と、前記焦電素子上において、前記被覆膜に、前記上部電極の一部を露出させるコンタクト孔を形成する工程と、前記被覆膜上に、一端部が前記コンタクト孔を介して前記上部電極に接触し、他端部が前記焦電素子の外側に引き出された配線を形成する工程と、前記基板における前記焦電素子に対向する位置に、前記基板を厚さ方向に貫通するキャビティを形成する工程とを含む。前記キャビティを形成する工程は、前記基板における前記断熱膜が形成された表面とは反対側の表面に、所定の多角形に対して、その各辺が内方に凸の弓状に湾曲した形状の貫通孔を有するマスクを配置する工程と、前記マスクを介して、前記基板に対してドライエッチングを施すことにより、前記基板に前記キャビティを形成する工程とを含む。
図1は、この発明の第1実施形態に係る孔を有する基板が適用された赤外線センサの模式的な平面図である。図2は、図1のA部付近を拡大して示す模式的な拡大断面図である。図3は、図2のIII-III線に沿う模式的な断面図である。図2では、図3に符号16で示すフィルタ層は省略されている。
下部電極5は、焦電素子10を構成する平面視で正四角形状の主電極部5Aと、主電極部5Aの一辺の長さ中央からキャビティ3の外方に延びた引出部5Bと、引出部5Bに連結されかつ主電極部5Aの前記一辺と平行に延びた配線部5Cとからなる。下部電極5は、たとえば、チタン(Ti)からなる層およびプラチナ(Pt)からなる層を、断熱膜4側からこの順に積層した2層構造を有している。
赤外線の入射により焦電素子10内の焦電体膜6の温度が上昇すると、その温度に応じて、焦電体膜6の自発分極による焦電流が焦電素子10から出力される。したがって、その焦電流に基づいて、赤外線を検出することができる。
まず、図4Aに示すように、シリコン基板2の表面に断熱膜4が形成される。ただし、シリコン基板2としては、最終的なシリコン基板2の厚さより厚いものが用いられる。具体的には、シリコン基板2の表面に酸化シリコン膜からなる断熱膜4が形成される。
次に、焦電体膜6の材料膜(焦電体材料膜)32が下部電極膜31上の全面に形成される。具体的には、たとえば、ゾルゲル法によって焦電体材料膜32が形成される。このような焦電体材料膜32は、金属酸化物結晶粒の焼結体からなる。
次に、図4C〜図4Eに示すように、上部電極膜33、焦電体材料膜32および下部電極膜31のパターニングが行われる。まず、フォトリソグラフィによって、上部電極7のパターンのレジストマスクが形成される。そして、図4Cに示すように、このレジストマスクをマスクとして、上部電極膜33がエッチングされることにより、所定パターンの上部電極7が形成される。
次に、レジストマスクが剥離された後、フォトリソグラフィによって、下部電極5のパターンのレジストマスクが形成される。そして、図4Eに示すように、このレジストマスクをマスクとして、下部電極膜31がエッチングされることにより、所定パターンの下部電極5が形成される。これにより、主電極部5A、引出部5Bおよび配線部5Cからなる下部電極5が形成される。このようにして、下部電極5の主電極部5A、焦電体膜6および上部電極7からなる焦電素子10が形成される。
次に、絶縁膜13(被覆膜11)および配線14の表面に、光学フィルタ層16の材料であるチタン層が形成される。この後、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、チタン層がパターニングされることにより、図4Hに示すように、フィルタ層16が形成される。次に、図4Iに示すように、シリコン基板2が裏面から研磨されることにより、シリコン基板2が薄膜化される。
図6Aは、キャビティ3の加工始端側(基板2の裏面側)の底面形状を示す底面図である。図6Bは、図4KのV1B−V1Bに沿う断面図である。つまり、図6Bは、キャビティ3の長さ中央部(深さ中央部)の横断面形状を示す断面図である。図6Cは、キャビティ3の加工終端側(基板2の表面側)の平面形状を示す平面図である。
前述の実施形態では、キャビティ3の加工終端側の横断面形状を目標形状(所定の多角形)に近い形状とすることができる。
前述の実施形態では、キャビティ3の加工終端側の横断面の目標形状は正四角形であったが、前記目標形状は三角形、正四角形以外の四角形、五角形、六角形状の正四角以外の多角形であってもよい。キャビティ3の加工終端側の横断面の目標形状が多角形である場合には、キャビティ形成用のレジストマスクに形成される貫通孔は、目標形状である多角形に対して、その各辺が内方に凸の弓状に湾曲した形状に形成される。
インクジェットプリントヘッド201は、アクチュエータ基板202と、ノズル基板203と、保護基板204とを備えている。アクチュエータ基板202の表面202aには、可動膜形成層210が積層されている。アクチュエータ基板202には、インク流路(インク溜まり)205が形成されている。インク流路205は、この実施形態では、アクチュエータ基板202を貫通して形成されている。インク流路205は、図9に矢印で示すインク流通方向241に沿って細長く延びて形成されている。インク流路205は、インク流通方向241の上流側端部(図9では左端部)のインク流入部206と、インク流入部206に連通する圧力室207とから構成されている。図9において、インク流入部206と圧力室207との境界を二点鎖線で示すことにする。
可動膜210Aの表面には、圧電素子209が配置されている。圧電素子209は、可動膜形成層210上に形成された下部電極211と、下部電極211上に形成された圧電体膜212と、圧電体膜212上に形成された上部電極213とを備えている。言い換えれば、圧電素子209は、圧電体膜212を上部電極213および下部電極211で上下から挟むことにより構成されている。
圧電体膜212としては、たとえば、ゾルゲル法またはスパッタ法によって形成されたPZT(PbZrxTi1−xO3:チタン酸ジルコン酸鉛)膜を適用することができる。このような圧電体膜212は、金属酸化物結晶の焼結体からなる。圧電体膜212は、上部電極213と平面視で同形状に形成されている。圧電体膜212の厚さは、1μm程度である。可動膜210Aの全体の厚さは、圧電体膜212の厚さと同程度か、圧電体膜212の厚さの2/3程度とすることが好ましい。
水素バリア膜214上に、絶縁膜215が積層されている。絶縁膜215は、たとえば、SiO2、低水素のSiN等からなる。絶縁膜215の厚さは、500nm程度である。絶縁膜215上には、上部配線217、下部配線218およびダミー配線219が形成されている。これらの配線217,218,219は、Al(アルミニウム)を含む金属材料からなっていてもよい。これらの配線217,218,219の厚さは、たとえば、1000nm(1μm)程度である。
絶縁膜215上には、配線217,218,219および絶縁膜215を覆うパッシベーション膜221が形成されている。パッシベーション膜221は、たとえば、SiN(窒化シリコン)からなる。パッシベーション膜221の厚さは、たとえば、800nm程度であってもよい。
アクチュエータ基板202には、複数のインク流路205(圧力室207)が互いに平行に延びてストライプ状に形成されている。複数のインク流路205毎に、圧電素子209が配置されている。インク供給用貫通孔222は、複数のインク流路205毎に設けられている。保護基板204の収容凹所252およびインク供給路253は、複数のインク流路205毎に設けられている。
図8A、図10および図14に示すように、保護基板204の対向面251には、複数の収容凹所252が、インク流通方向241と直交する方向に間隔をおいて平行に形成されている。複数の収容凹所252は、平面視において、複数の圧力室207に対向する位置に配置されている。各収容凹所252に対してインク流通方向241の上流側にインク供給路253が配置されている。各収容凹所252は、平面視において、対応する圧電素子209の上部電極213のパターンよりも少し大きな矩形状に形成されている。そして、各収容凹所252に、対応する圧電素子209が収容されている。
ダミー配線219は、平面視において、インク供給路253(インク供給用貫通孔222)を取り囲む円形環状の第1ダミー配線219Aを含んでいる。第1ダミー配線219Aは、アクチュエータ基板202上において、保護基板204の対向面251のインク供給路253の周囲領域に対向する領域に配置されている。第1ダミー配線219Aの幅(第1ダミー配線219Aの内径と外径との差)は、インク供給路253の直径の1/3以上であることが好ましい。第1ダミー配線219Aの上面は平坦である。第1ダミー配線219Aは、保護基板204を支持するとともに保護基板204の対向面との接着性を高める台座220を構成している。
この第2実施形態では、絶縁膜215およびパッシベーション膜221は、アクチュエータ基板202上において、平面視で保護基板204の収容凹所252の外側領域のほぼ全域に形成されている。ただし、この領域において、絶縁膜215には、インク供給用貫通孔222およびコンタクト孔234が形成されている。この領域において、パッシベーション膜221には、インク供給用貫通孔222およびパッド開口235,236が形成されている。
まず、図15Aに示すように、アクチュエータ基板202の表面202aに可動膜形成層210が形成される。ただし、アクチュエータ基板202としては、最終的なアクチュエータ基板202の厚さより厚いものが用いられる。具体的には、アクチュエータ基板202の表面に酸化シリコン膜(たとえば、1.2μm厚)が形成される。可動膜形成層210が、シリコン膜と酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層膜で構成される場合には、アクチュエータ基板202の表面にシリコン膜(たとえば0.4μm厚)が形成され、シリコン膜上に酸化シリコン膜(たとえば0.4μm厚)が形成され、酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜(たとえば0.4μm厚)が形成される。
次に、圧電体材料膜272の全面に上部電極213の材料である上部電極膜273が形成される。上部電極膜273は、たとえば、白金(Pt)の単膜であってもよい。上部電極膜273は、たとえば、IrO2膜(たとえば40nm〜160nm厚)を下層とし、Ir膜(たとえば40nm〜160nm厚)を上層とするIr02/Ir積層膜であってもよい。このような上部電極膜273は、スパッタ法で形成されてもよい。
次に、フォトグラフィによってパッド開口235,236に対応した開口を有するレジストマスクが形成され、このレジストマスクをマスクとして、パッシベーション膜221がエッチングされる。これにより、図15Hに示すように、パッシベーション膜221にパッド開口235,236が形成される。レジストマスクが剥離された後に、パッシベーション膜221上にパッド開口235およびパッド開口236を介して、それぞれ上部配線217および下部配線218に接続されるパッド242,243が形成される。
図16Aおよび図16Bは、ノズル基板203へのインク吐出孔203aの形成工程を示す部分拡大断面図であり、図9に対応する切断面を示す。この実施形態では、インク吐出孔203aの加工終端側(アクチュエータ基板202側)の横断面形状が四角形状となるように、インク吐出孔203aが形成される。言い換えれば、インク吐出孔203aの加工終端側の横断面の目標形状は正四角形である。
図18Aは、インク吐出孔203aの加工始端側(ノズル基板203の裏面側)の底面形状を示す拡大底面図である。図18Bは、図16BのXVIIIB−XVIIIB に沿う拡大断面図である。つまり、図18Bは、インク吐出孔203aの長さ中央部(深さ中央部)の横断面形状を示す拡大断面図である。図18Cは、インク吐出孔203aの加工終端側(ノズル基板203の表面側)の平面形状を示す拡大平面図である。
前述の第2実施形態では、インク吐出孔203aの加工終端側の横断面の目標形状は正四角形であったが、前記目標形状は三角形、正四角形以外の四角形、五角形、六角形状の正四角以外の多角形であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
2 シリコン基板
3 キャビティ
4 断熱膜
5 下部電極
5A 主電極部
5B 引出部
5C 配線部
6 焦電体膜
7 上部電極
10 焦電素子
11 被覆膜
12 水素バリア膜
13 絶縁膜
14 配線
14A 電極接続部
14B 引出部
14C 主配線部
15 貫通孔
16 フィルタ層
31 下部電極膜
32 焦電体材料膜
33 上部電極膜
40,40A レジストマスク
41,41A 貫通孔
203 ノズル基板
203a インク吐出孔
203b 吐出口
291 貫通孔
290 レジストマスク
Claims (9)
- 孔を有する基板であって、
前記孔の加工始端側の横断面形状は、所定の多角形の各辺が内方に凸の弓状に形成された形状であり、
前記孔の加工終端側の横断面形状は、前記孔の加工始終端側の横断面形状に比べて、前記所定の多角形により近い形状である、孔を有する基板。 - 前記所定の多角形が四角形である請求項1に記載の孔を有する基板。
- 前記所定の多角形が三角形である請求項1に記載の孔を有する基板。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の孔を有する基板と、
前記孔に対向するように前記基板に保持された断熱膜と、
前記断熱膜上に形成された焦電素子とを含む、赤外線センサ。 - 前記焦電素子は、前記断熱膜における前記孔とは反対側の表面に形成された下部電極と、前記下部電極に対して前記断熱膜とは反対側に配置された上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に設けられた焦電体膜とを含む、請求項4に記載の赤外線センサ。
- 孔を有する基板の製造方法であって、
前記基板の一表面側に、所定の多角形に対して、その各辺が内方に凸の弓状に湾曲した形状の貫通孔を有するマスクを配置する工程と、
前記マスクを介して、前記基板に対してドライエッチングを施すことにより、前記基板に孔を形成する工程とを含む、孔を有する基板の製造方法。 - 前記所定の多角形が四角形である、請求項6に記載の孔を有する基板の製造方法。
- 前記所定の多角形が三角形である、請求項6に記載の孔を有する基板の製造方法。
- 基板の一表面上に断熱膜を形成する工程と、
前記断熱膜上に焦電素子を形成する工程と、
前記断熱膜および前記焦電素子の表面を覆う被覆膜を形成する工程と、
前記焦電素子上において、前記被覆膜に、前記上部電極の一部を露出させるコンタクト孔を形成する工程と、
前記被覆膜上に、一端部が前記コンタクト孔を介して前記上部電極に接触し、他端部が前記焦電素子の外側に引き出された配線を形成する工程と、
前記基板における前記焦電素子に対向する位置に、前記基板を厚さ方向に貫通するキャビティを形成する工程とを含み、
前記キャビティを形成する工程は、
前記基板における前記断熱膜が形成された表面とは反対側の表面に、所定の多角形に対して、その各辺が内方に凸の弓状に湾曲した形状の貫通孔を有するマスクを配置する工程と、
前記マスクを介して、前記基板に対してドライエッチングを施すことにより、前記基板に前記キャビティを形成する工程とを含む、赤外線センサの製造方法。
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