JPH0790563A - 高純度チタニウムスパッタリングターゲット - Google Patents
高純度チタニウムスパッタリングターゲットInfo
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- JPH0790563A JPH0790563A JP5260383A JP26038393A JPH0790563A JP H0790563 A JPH0790563 A JP H0790563A JP 5260383 A JP5260383 A JP 5260383A JP 26038393 A JP26038393 A JP 26038393A JP H0790563 A JPH0790563 A JP H0790563A
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- Japan
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- content ratio
- sputtering
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 標準偏差の３倍値（３σ）が５％以下という
膜厚分布に関する規格を満足するＴｉターゲットの開
発。 【構成】 ターゲットのスパッタ面においてＸ線回折法
で測定され、定義された数式により算出した各部位の(0
02),(103),(014),(015) 面と関連しての結晶方位含有比
Ａがこれらの結晶方位含有比を平均化したターゲット全
体の平均結晶方位含有比に対してそのバラツキが±２０
％以内であるように調整する。
膜厚分布に関する規格を満足するＴｉターゲットの開
発。 【構成】 ターゲットのスパッタ面においてＸ線回折法
で測定され、定義された数式により算出した各部位の(0
02),(103),(014),(015) 面と関連しての結晶方位含有比
Ａがこれらの結晶方位含有比を平均化したターゲット全
体の平均結晶方位含有比に対してそのバラツキが±２０
％以内であるように調整する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高純度チタニウムから
なるスパッタリングターゲットに関するものであり、特
には今後の半導体デバイスに対応して従来とは異なる結
晶方位を備えた高純度チタニウムからなるスパッタリン
グターゲットに関するものである。
なるスパッタリングターゲットに関するものであり、特
には今後の半導体デバイスに対応して従来とは異なる結
晶方位を備えた高純度チタニウムからなるスパッタリン
グターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリングターゲットは、スパッタ
リングにより各種半導体デバイスの電極、ゲート、配
線、素子、絶縁膜、保護膜等を基板上に形成するための
スパッタリング源となる、通常は円盤状の板である。加
速された粒子がターゲット表面に衝突するとき運動量の
交換によりターゲットを構成する原子が空間に放出され
て対向する基板上に堆積する。スパッタリングターゲッ
トとしては、Ａｌ及びＡｌ合金ターゲット、高融点金属
及び合金（Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ等及びＷ
−Ｔｉのようなその合金）ターゲット、金属シリサイド
（ＭｏＳｉX 、ＷＳｉx 、ＮｉＳｉx 等）ターゲット等
が代表的に使用されてきた。
リングにより各種半導体デバイスの電極、ゲート、配
線、素子、絶縁膜、保護膜等を基板上に形成するための
スパッタリング源となる、通常は円盤状の板である。加
速された粒子がターゲット表面に衝突するとき運動量の
交換によりターゲットを構成する原子が空間に放出され
て対向する基板上に堆積する。スパッタリングターゲッ
トとしては、Ａｌ及びＡｌ合金ターゲット、高融点金属
及び合金（Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ等及びＷ
−Ｔｉのようなその合金）ターゲット、金属シリサイド
（ＭｏＳｉX 、ＷＳｉx 、ＮｉＳｉx 等）ターゲット等
が代表的に使用されてきた。
【０００３】こうしたターゲットの中でも重要なものと
して注目を浴びているものの一つがＴｉ配線、Ｔｉ保護
膜等の形成用のＴｉターゲットである。
して注目を浴びているものの一つがＴｉ配線、Ｔｉ保護
膜等の形成用のＴｉターゲットである。
【０００４】近年、ウエハサイズが６インチから８イン
チと大型化し、かつ回路配線の幅が０．５μｍ以下と微
細化するにしたがってスパッタリングによりウエハ上に
形成された薄膜の均一性は、従来の膜厚分布のバラツキ
の標準偏差（σ）が５％以下という規格から、その標準
偏差の３倍値（３σ）が５％以下と、形成された微細配
線の特性を確保する上で要求される規格が厳しくなって
きている。このような背景の中、スパッタ装置、スパッ
タ条件、ターゲット等について膜厚の均一性を改善する
ことを目的として検討がなされているが、特に従来のタ
ーゲット品質では、異なったターゲット間で、また同一
ターゲット使用時においても膜厚分布のバラツキ及びそ
の変動が大きく、膜厚分布に関する上記規格（３σ＜５
％）を満足しないことが明らかになっている。
チと大型化し、かつ回路配線の幅が０．５μｍ以下と微
細化するにしたがってスパッタリングによりウエハ上に
形成された薄膜の均一性は、従来の膜厚分布のバラツキ
の標準偏差（σ）が５％以下という規格から、その標準
偏差の３倍値（３σ）が５％以下と、形成された微細配
線の特性を確保する上で要求される規格が厳しくなって
きている。このような背景の中、スパッタ装置、スパッ
タ条件、ターゲット等について膜厚の均一性を改善する
ことを目的として検討がなされているが、特に従来のタ
ーゲット品質では、異なったターゲット間で、また同一
ターゲット使用時においても膜厚分布のバラツキ及びそ
の変動が大きく、膜厚分布に関する上記規格（３σ＜５
％）を満足しないことが明らかになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記、即ち膜厚分布に
関する規格の問題については、従来、主にスパッタ装
置、スパッタ条件等の面から改善及び検討がなされてい
るだけであり、特にターゲット自体の品質については深
く考慮されていなかったのが実情である。一般に、結晶
性材料の結晶配向性がターゲットからのスパッタ原子の
放出特性に大きな影響を与えることが一般に知られてい
る。このことから、Ｔｉターゲットにおいても、その結
晶構造の差異及び不均一性がスパッタ原子の放出特性及
びその方向指向特性等に大きく影響を及ぼしていると考
えられる。
関する規格の問題については、従来、主にスパッタ装
置、スパッタ条件等の面から改善及び検討がなされてい
るだけであり、特にターゲット自体の品質については深
く考慮されていなかったのが実情である。一般に、結晶
性材料の結晶配向性がターゲットからのスパッタ原子の
放出特性に大きな影響を与えることが一般に知られてい
る。このことから、Ｔｉターゲットにおいても、その結
晶構造の差異及び不均一性がスパッタ原子の放出特性及
びその方向指向特性等に大きく影響を及ぼしていると考
えられる。
【０００６】たとえば、J. Vac. Sci. Technol. A Vol
5, No4, Jul/Aug 1967 の１７５５〜１７６８頁に掲載
された、シー・イ−・ウイッカーシャーム・ジュニアに
よる論文「Crystallographic target effects in magne
tron sputtering 」は、スパッタリング薄膜の膜厚均一
性に対する結晶方位の影響について記載している。チタ
ンではなく、アルミニウムターゲットについてはこれま
で多くの研究がなされている。特開昭６３−３１２９７
５号は、スパッタリングによりウエハ上に形成されたア
ルミニウム薄膜の膜厚が中央部が厚くそして周辺部が薄
い分布を有していることに鑑み、アルミニウムターゲッ
ト中心部の結晶方位含有比｛２２０｝／｛２００｝が外
周部のそれより大きいことを特徴とするアルミニウムス
パッタリングターゲットを記載している。特開平２−１
５１６７号は、ターゲット表面の面積の５０％以上を
（１１１）結晶面より構成したアルミニウムスパッタリ
ングターゲットを記載する。特開平３−２３６９号は、
マグネトロンスパッタリングによりアルミニウムターゲ
ットが消耗するにつれ、マグネットの回転に沿ってリン
グ状の溝が表面に形成されると共に原子の放出方向が変
化し、膜厚分布が悪くなることを解決するべく、結晶方
位強度比｛１００｝／｛１１０｝をターゲット表面から
内部に入るにつれ小さくすることを提唱している。特開
平３−１０７０９号は、アルミニウムターゲットのスパ
ッタ面の結晶方位含有比｛２２０｝／｛２００｝が０．
５以上であることを特徴とするターゲットを記載してい
る。更には、特開平４−２３４６１７０号は、２ｍｍ以
下の粒度及び〈１１０〉繊維組織を有するアルミニウム
ターゲットにおいて繊維軸をランダムの２０倍以上のＸ
線回析強度を有するものとするターゲットを記載してい
る。
5, No4, Jul/Aug 1967 の１７５５〜１７６８頁に掲載
された、シー・イ−・ウイッカーシャーム・ジュニアに
よる論文「Crystallographic target effects in magne
tron sputtering 」は、スパッタリング薄膜の膜厚均一
性に対する結晶方位の影響について記載している。チタ
ンではなく、アルミニウムターゲットについてはこれま
で多くの研究がなされている。特開昭６３−３１２９７
５号は、スパッタリングによりウエハ上に形成されたア
ルミニウム薄膜の膜厚が中央部が厚くそして周辺部が薄
い分布を有していることに鑑み、アルミニウムターゲッ
ト中心部の結晶方位含有比｛２２０｝／｛２００｝が外
周部のそれより大きいことを特徴とするアルミニウムス
パッタリングターゲットを記載している。特開平２−１
５１６７号は、ターゲット表面の面積の５０％以上を
（１１１）結晶面より構成したアルミニウムスパッタリ
ングターゲットを記載する。特開平３−２３６９号は、
マグネトロンスパッタリングによりアルミニウムターゲ
ットが消耗するにつれ、マグネットの回転に沿ってリン
グ状の溝が表面に形成されると共に原子の放出方向が変
化し、膜厚分布が悪くなることを解決するべく、結晶方
位強度比｛１００｝／｛１１０｝をターゲット表面から
内部に入るにつれ小さくすることを提唱している。特開
平３−１０７０９号は、アルミニウムターゲットのスパ
ッタ面の結晶方位含有比｛２２０｝／｛２００｝が０．
５以上であることを特徴とするターゲットを記載してい
る。更には、特開平４−２３４６１７０号は、２ｍｍ以
下の粒度及び〈１１０〉繊維組織を有するアルミニウム
ターゲットにおいて繊維軸をランダムの２０倍以上のＸ
線回析強度を有するものとするターゲットを記載してい
る。
【０００７】本発明の課題は、これまで結晶構造の差異
及び不均一性について配慮されたことのなかったＴｉタ
ーゲットにおいて、上記標準偏差の３倍値（３σ）が５
％以下という膜厚分布に関する規格の問題を軽減或いは
解決することのできるＴｉターゲットを開発することで
ある。
及び不均一性について配慮されたことのなかったＴｉタ
ーゲットにおいて、上記標準偏差の３倍値（３σ）が５
％以下という膜厚分布に関する規格の問題を軽減或いは
解決することのできるＴｉターゲットを開発することで
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、この課題の
解決に向けて、従来のＴｉターゲットでは考慮されてい
なかった結晶配向性の膜厚分布への影響を検討した結
果、ターゲットの各部位のスパッタ面においてＸ線回折
法で測定され、次の数式
解決に向けて、従来のＴｉターゲットでは考慮されてい
なかった結晶配向性の膜厚分布への影響を検討した結
果、ターゲットの各部位のスパッタ面においてＸ線回折
法で測定され、次の数式
【数２】 により算出した結晶方位含有比Ａの同ターゲットの全体
の平均化した同結晶方位含有比に対してのバラツキが±
２０％以内とするのが効果的であることを見出した。
の平均化した同結晶方位含有比に対してのバラツキが±
２０％以内とするのが効果的であることを見出した。
【０００９】この知見に基づいて、本発明は、ターゲッ
トの各部位のスパッタ面においてＸ線回折法で測定され
た上記結晶方位含有比Ａが、同ターゲットの全体の平均
化した同結晶方位含有比に対して、そのバラツキが±２
０％以内であることを特徴とする高純度チタニウムスパ
ッタリングターゲットを提供する。
トの各部位のスパッタ面においてＸ線回折法で測定され
た上記結晶方位含有比Ａが、同ターゲットの全体の平均
化した同結晶方位含有比に対して、そのバラツキが±２
０％以内であることを特徴とする高純度チタニウムスパ
ッタリングターゲットを提供する。
【００１０】
【作用】膜厚均一性についてを実現するために、ターゲ
ットのスパッタ面においてＸ線回折法で測定された各部
位の前記結晶方位含有比Ａがターゲット全体の平均結晶
方位含有比に対してそのバラツキが±２０％以内とされ
る。この理由は、純チタニウムにおいてターゲットの製
造工程の中で塑性加工を鍛造または圧延等で行なった場
合、その加工比の増加にともなってターゲットスパッタ
面に対して（００２）面が±３５°以内の傾きを有する
集合組織が形成されるからである。Ｘ線回折法により
（００２）面が±３５°以内の傾きを有するこのチタニ
ウムの代表的な集合組織の結晶配向性を評価する場合、
各回折ピークはターゲットスッパタ面に平行な結晶面に
対応したものであることから、表１に示すように、（０
０２）面から面間角が３５°以内である結晶面、すなわ
ち、３０°傾いた（１０３）面、２４°傾いた（０１
４）面、２０°傾いた（０１５）面の回折ピークが上記
集合組織とともに増大する傾向があり、これらの結晶面
も（００２）面に加えて考慮する必要があるからであ
る。なお、上記結晶方位含有比の値は、塑性加工方法及
び加工度に強く依存するが、結晶組織の状態と強い相関
関係はなく、上記結晶方位含有比を保ったまま結晶組織
を調整できることから特に規定する必要はない。しか
し、各部位の結晶方位含有比Ａがターゲット全体の平均
結晶方位含有比に対してそのバラツキが±２０％以上で
あると各部位のスパッタ速度の違いが顕著化し、膜厚分
布の不均一性が生じる。
ットのスパッタ面においてＸ線回折法で測定された各部
位の前記結晶方位含有比Ａがターゲット全体の平均結晶
方位含有比に対してそのバラツキが±２０％以内とされ
る。この理由は、純チタニウムにおいてターゲットの製
造工程の中で塑性加工を鍛造または圧延等で行なった場
合、その加工比の増加にともなってターゲットスパッタ
面に対して（００２）面が±３５°以内の傾きを有する
集合組織が形成されるからである。Ｘ線回折法により
（００２）面が±３５°以内の傾きを有するこのチタニ
ウムの代表的な集合組織の結晶配向性を評価する場合、
各回折ピークはターゲットスッパタ面に平行な結晶面に
対応したものであることから、表１に示すように、（０
０２）面から面間角が３５°以内である結晶面、すなわ
ち、３０°傾いた（１０３）面、２４°傾いた（０１
４）面、２０°傾いた（０１５）面の回折ピークが上記
集合組織とともに増大する傾向があり、これらの結晶面
も（００２）面に加えて考慮する必要があるからであ
る。なお、上記結晶方位含有比の値は、塑性加工方法及
び加工度に強く依存するが、結晶組織の状態と強い相関
関係はなく、上記結晶方位含有比を保ったまま結晶組織
を調整できることから特に規定する必要はない。しか
し、各部位の結晶方位含有比Ａがターゲット全体の平均
結晶方位含有比に対してそのバラツキが±２０％以上で
あると各部位のスパッタ速度の違いが顕著化し、膜厚分
布の不均一性が生じる。
【００１１】次に結晶方位含有比の測定方法について以
下に記述する。測定試料は試料表面の加工変質層を電解
研磨等で化学的に除去した後、Ｘ線回折計で各結晶方位
に対応する回折線の強度を測定する。得られた回折線の
強度値は各結晶方位の回折線の相対強度比｛ＪＣＰＤＳ
Ｃａｒｄを参照｝で補正し、その補正強度から結晶方
位含有比を算出する。なお、結晶方位含有比の算出方法
を表１に示す。
下に記述する。測定試料は試料表面の加工変質層を電解
研磨等で化学的に除去した後、Ｘ線回折計で各結晶方位
に対応する回折線の強度を測定する。得られた回折線の
強度値は各結晶方位の回折線の相対強度比｛ＪＣＰＤＳ
Ｃａｒｄを参照｝で補正し、その補正強度から結晶方
位含有比を算出する。なお、結晶方位含有比の算出方法
を表１に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】また、ターゲットの各部位での平均結晶粒
径を５００μｍ、特には１００μｍ以下とすることが好
ましい。平均結晶粒径が５００μｍを超えるような粗大
結晶粒では各結晶粒からの原子の放出特性の違いが顕著
化し、膜厚分布の不均一性が生じやすい。ターゲット全
体の平均結晶粒径に対する各部位の平均粒径のバラツキ
を±２０％以下とすることも好ましい。バラツキが±２
０％を超えると、同様にターゲット各部位のスパッタ速
度の違いが顕著化し膜厚分布の不均一性が生じやすいか
らである。
径を５００μｍ、特には１００μｍ以下とすることが好
ましい。平均結晶粒径が５００μｍを超えるような粗大
結晶粒では各結晶粒からの原子の放出特性の違いが顕著
化し、膜厚分布の不均一性が生じやすい。ターゲット全
体の平均結晶粒径に対する各部位の平均粒径のバラツキ
を±２０％以下とすることも好ましい。バラツキが±２
０％を超えると、同様にターゲット各部位のスパッタ速
度の違いが顕著化し膜厚分布の不均一性が生じやすいか
らである。
【００１４】本発明のスッパタリングターゲットの素材
として用いる高純度チタニウムは４Ｎ以上のチタニウム
を意味するものである。そして、本発明のターゲットの
上記品質の調整は圧延や鍛造等の塑性加工と熱処理を組
み合わせることにより行なうことができるが、具体的な
品質調整の程度はターゲット素材の純度、また鋳造組
織、塑性加工及び熱処理の方法等に強く依存して一般的
に規定できない。しかし、ターゲット素材及び鋳造組
織、塑性加工及び熱処理の方法等が特定されれば、容易
に上記所定の品質を得るための塑性及び熱処理条件を見
いだすことは可能である。
として用いる高純度チタニウムは４Ｎ以上のチタニウム
を意味するものである。そして、本発明のターゲットの
上記品質の調整は圧延や鍛造等の塑性加工と熱処理を組
み合わせることにより行なうことができるが、具体的な
品質調整の程度はターゲット素材の純度、また鋳造組
織、塑性加工及び熱処理の方法等に強く依存して一般的
に規定できない。しかし、ターゲット素材及び鋳造組
織、塑性加工及び熱処理の方法等が特定されれば、容易
に上記所定の品質を得るための塑性及び熱処理条件を見
いだすことは可能である。
【００１５】各部位の結晶方位含有比Ａがターゲット全
体の平均結晶方位含有比に対してそのバラツキが±２０
％以内の条件を実現するためには、上記加工工程の内、
加工比を０．３以上として均一に温間もしくは冷間加工
を行い、その後、素材の再結晶温度域でターゲット全体
に均一な熱処理を施し、再結晶を完了させることが必要
である。ここで、加工比が０．３未満では、熱処理後の
再結晶組織に対応する均一な結晶方位含有比を実現する
ことができない。
体の平均結晶方位含有比に対してそのバラツキが±２０
％以内の条件を実現するためには、上記加工工程の内、
加工比を０．３以上として均一に温間もしくは冷間加工
を行い、その後、素材の再結晶温度域でターゲット全体
に均一な熱処理を施し、再結晶を完了させることが必要
である。ここで、加工比が０．３未満では、熱処理後の
再結晶組織に対応する均一な結晶方位含有比を実現する
ことができない。
【００１６】例えば、ターゲットの各部位での平均結晶
粒径が５００μｍ以下であり、各部位の平均結晶粒径を
平均化したターゲット全体の平均結晶粒径に対する各部
位の平均粒径のバラツキが±２０％以内の条件を達成す
るためには、チタンインゴットを素材の再結晶温度以上
で熱間加工し、鋳造組織を破壊して結晶粒度を均一化す
ると共に、最終的な均一微細な再結晶組織を付与するた
め、再結晶温度未満で所定の最終形状に均一に温間もし
くは冷間加工を行った後、素材の再結晶温度域でターゲ
ット全体に均一な熱処理を施し、再結晶化を完了させ
る。ここで、素材の再結晶温度は素材の純度、及び熱処
理前の塑性加工状態に主に依存する。各部位での平均結
晶粒度の測定は、ＪＩＳ・Ｈ０５０１に記載される切断
法により行った。
粒径が５００μｍ以下であり、各部位の平均結晶粒径を
平均化したターゲット全体の平均結晶粒径に対する各部
位の平均粒径のバラツキが±２０％以内の条件を達成す
るためには、チタンインゴットを素材の再結晶温度以上
で熱間加工し、鋳造組織を破壊して結晶粒度を均一化す
ると共に、最終的な均一微細な再結晶組織を付与するた
め、再結晶温度未満で所定の最終形状に均一に温間もし
くは冷間加工を行った後、素材の再結晶温度域でターゲ
ット全体に均一な熱処理を施し、再結晶化を完了させ
る。ここで、素材の再結晶温度は素材の純度、及び熱処
理前の塑性加工状態に主に依存する。各部位での平均結
晶粒度の測定は、ＪＩＳ・Ｈ０５０１に記載される切断
法により行った。
【００１７】平均結晶粒径並びに結晶方位含有比の両条
件を実現するためには、上記両方の条件を満たす加工方
法を採用すればよい。
件を実現するためには、上記両方の条件を満たす加工方
法を採用すればよい。
【００１８】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示す。
【００１９】（実施例１及び比較例１）高純度チタニウ
ムのインゴットを塑性加工及び熱処理により、それぞれ
表２に示す結晶配向性を有するターゲットＡ及びターゲ
ットＢを製造した。ターゲットの形状は直径約３２０ｍ
ｍ、厚み約６ｍｍの平板状スパッタリングターゲットで
あった。ターゲットＡ及びＢの製造方法は次の通りであ
った。 （Ａ）ターゲットＡ：高純度チタニウムのインゴットを
７００℃で熱間加工し、その後、５００℃で加工比を
２．０として温間加工を行い、６００℃で１時間ターゲ
ット全体に均一な熱処理を施した。 （Ｂ）ターゲットＢ：高純度チタニウムのインゴットを
７００℃で熱間加工し、その後、５００℃で鍛造材の片
側半分を加工比２．０として、また残り半分を加工比
０．９として温間加工を行い、６００℃で１時間ターゲ
ット全体に均一な熱処理を施した。
ムのインゴットを塑性加工及び熱処理により、それぞれ
表２に示す結晶配向性を有するターゲットＡ及びターゲ
ットＢを製造した。ターゲットの形状は直径約３２０ｍ
ｍ、厚み約６ｍｍの平板状スパッタリングターゲットで
あった。ターゲットＡ及びＢの製造方法は次の通りであ
った。 （Ａ）ターゲットＡ：高純度チタニウムのインゴットを
７００℃で熱間加工し、その後、５００℃で加工比を
２．０として温間加工を行い、６００℃で１時間ターゲ
ット全体に均一な熱処理を施した。 （Ｂ）ターゲットＢ：高純度チタニウムのインゴットを
７００℃で熱間加工し、その後、５００℃で鍛造材の片
側半分を加工比２．０として、また残り半分を加工比
０．９として温間加工を行い、６００℃で１時間ターゲ
ット全体に均一な熱処理を施した。
【００２０】ターゲットをマグネトロン型スパッタ装置
に取付けて８”ウエハ基板上に成膜した。なお、膜厚分
布は四端子法によりウエハ上１２１点のシート抵抗値測
定結果から換算した。表３は各ターゲットについてのス
パッタ膜の膜厚分布の標準偏差（σ）示す。表３に示す
ように、結晶方位含有比Ａが均一であるターゲットＡは
優れた膜厚均一性を示したが、ターゲットの左右で結晶
方位含有比Ａが異なるターゲットＢは大きな膜厚不均一
性を示した。
に取付けて８”ウエハ基板上に成膜した。なお、膜厚分
布は四端子法によりウエハ上１２１点のシート抵抗値測
定結果から換算した。表３は各ターゲットについてのス
パッタ膜の膜厚分布の標準偏差（σ）示す。表３に示す
ように、結晶方位含有比Ａが均一であるターゲットＡは
優れた膜厚均一性を示したが、ターゲットの左右で結晶
方位含有比Ａが異なるターゲットＢは大きな膜厚不均一
性を示した。
【００２１】
【表２】
【００２２】
【表３】
【００２３】
【発明の効果】Ｔｉターゲットのスパッタリング時にお
いて、ターゲット間及び同一ターゲット使用時において
も膜厚分布のバラツキ及びその変動が少なく、安定して
優れた膜厚分布均一性を示す。これにより、ウエハ上に
形成されたＬＳＩ等の回路の不良率が改善される。
いて、ターゲット間及び同一ターゲット使用時において
も膜厚分布のバラツキ及びその変動が少なく、安定して
優れた膜厚分布均一性を示す。これにより、ウエハ上に
形成されたＬＳＩ等の回路の不良率が改善される。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１０月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】
【表１】
Claims (1)
- 【請求項１】 ターゲットの各部位のスパッタ面におい
てＸ線回折法で測定され、次の数式１に基づいて算出さ
れた結晶方位含有比Ａの同ターゲットの全体の平均化し
た同結晶方位含有比に対してのバラツキが±２０％以内
であることを特徴とする高純度チタニウムスパッタリン
グターゲット。 【数１】
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5260383A JP2901853B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット |
| US08/308,234 US5772860A (en) | 1993-09-27 | 1994-09-19 | High purity titanium sputtering targets |
| DE69425335T DE69425335T2 (de) | 1993-09-27 | 1994-09-20 | Hochreine Titan-Aufstäube-Targets |
| EP94114820A EP0653498B1 (en) | 1993-09-27 | 1994-09-20 | High purity titanium sputtering targets |
| EP96120376A EP0785292B1 (en) | 1993-09-27 | 1994-09-20 | High purity titanium sputtering targets |
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