JPH0784861A - 記憶回路及び1チップメモリデバイス - Google Patents

記憶回路及び1チップメモリデバイス

Info

Publication number
JPH0784861A
JPH0784861A JP6185656A JP18565694A JPH0784861A JP H0784861 A JPH0784861 A JP H0784861A JP 6185656 A JP6185656 A JP 6185656A JP 18565694 A JP18565694 A JP 18565694A JP H0784861 A JPH0784861 A JP H0784861A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
data
operation mode
address
memory element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6185656A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiko Ogura
敏彦 小倉
Hiroaki Aotsu
広明 青津
Koichi Kimura
光一 木村
Hiromichi Enomoto
博道 榎本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP6185656A priority Critical patent/JPH0784861A/ja
Publication of JPH0784861A publication Critical patent/JPH0784861A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Memory System (AREA)
  • Controls And Circuits For Display Device (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】ライト/リード動作を抑止して動作モードを設
定する特殊なタイミング信号を作る。 【構成】メモリ素子2に対するアドレス信号A23〜A1
および動作モード選択信号A4〜A1を入力するアドレス
入力端子と、少なくともライトイネーブル信号WEとロ
スアドレス選択信号とからなる制御信号を入力する制御
信号入力端子と、アドレス入力端子から入力される動作
モード選択信号を格納して動作モードを設定する動作モ
ード選択信号格納手段3と、制御信号入力端子から入力
される制御信号においてライトイネーブル信号WEがイ
ネーブルになった後ロウアドレス選択信号が入力された
際、データ端子から入力させるデータDj についてのメ
モリ素子へのライト動作およびメモリ素子からのデータ
のリード動作を抑止して動作モード選択信号格納手段3
に動作モードを設定する制御手段とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、高速動作に好適なメモ
リ素子を用いた記憶回路及び1チップメモリデバイスに
関する。 【0002】 【従来の技術】近年、半導体技術の進歩により、メモリ
の高速化や大容量化が行なわれている。大容量化を実現
する手法としてはダイナミックRAMがよく用いられて
いるが、アドレス信号を時分割で与えるため、アクセス
時間が多くかかり、高速化が困難となっていた。この課
題を解決するため、ニブルモ−ドアクセスが考案されて
いる。ニブルモ−ドは、1回のアドレス指定で4回のデ
−タアクセスを行なう方法で、アドレス指定時間の減少
で高速化が図るものである。この方法を用いた例として
は、特開昭59−75490号公報(「半導体記憶装
置」)が挙げられる。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】上述したニブルモ−ド
アクセスの設定は、ダイナミックRAMの高速アクセス
を実現する上では有効であるが、図2に示すグラフィッ
クディスプレイ装置のフレ−ムバッファのラスタ演算機
能をメモリ内部に取り込む等の用途には必ずしも有効で
はない。すなわち、ニブルアクセスモ−ドの設定は、現
在のアクセスサイクル(1回のアドレス指定で4回のデ
−タアクセス)にのみ有効である。それに対し、ラスタ
演算では、演算指定を1回行なうとしばらく同じ演算モ
−ドで動作することで指定のオ−バ−ヘッドを少なくし
ており、設定したモ−ドがその後のアクセスサイクルで
も有効になっている必要がある。従って、メモリに演算
器を内蔵し、外部から演算モ−ド等の指定を行なう方法
としては、このニブルモ−ドの設定方法には課題があ
る。 【0004】本発明の目的は、この課題を解決すべく、
動作モード設定用の特殊な端子を増やすことなく既存の
制御信号入力端子から入力される制御信号の組合せでメ
モリ素子へのライト/リード動作を抑止して動作モード
を設定する特殊なタイミング信号を作れるようにした記
憶回路及び1チップメモリデバイスを提供することにあ
る。 【0005】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、メモリ素子と、該メモリ素子にライトす
るデータ信号を入力するデータ入力端子と、前記メモリ
素子に対するアドレス信号および動作モード選択信号を
入力するアドレス入力端子と、少なくともライトイネー
ブル信号とロスアドレス選択信号とからなる制御信号を
入力する制御信号入力端子と、前記アドレス入力端子か
ら入力される動作モード選択信号を格納して動作モード
を設定する動作モード選択信号格納手段と、前記制御信
号入力端子から入力される制御信号において前記ライト
イネーブル信号をイネーブルになった後前記ロウアドレ
ス選択信号が入力された際、前記データ端子から入力さ
せるデータについて前記メモリ素子へのライト動作およ
び前記メモリ素子からのデータのリード動作を抑止して
前記動作モード選択信号格納手段に動作モードを設定す
る制御手段とを備えたことを特徴とする記憶回路であ
る。 【0006】また本発明は、メモリ素子と、該メモリ素
子にライトするデータ信号を入力するデータ入力端子
と、前記メモリ素子に対するアドレス信号を入力するア
ドレス入力端子と、少なくともライトイネーブル信号と
ロスアドレス選択信号とからなる制御信号を入力する制
御信号入力端子と、前記アドレス入力端子から入力され
る動作モード選択信号を格納して動作モードを設定する
動作モード選択信号格納手段と、前記制御信号入力端子
から入力される制御信号において前記ライトイネーブル
信号をイネーブルになった後前記ロウアドレス選択信号
が入力された際、前記データ端子から入力させるデータ
について前記メモリ素子へのライト動作および前記メモ
リ素子からのデータのリード動作を抑止して前記動作モ
ード選択信号格納手段に動作モードを設定する制御手段
とを1チップメモリデバイスで構成したことを特徴とす
る1チップメモリデバイスである。 【0007】 【作用】前記構成により、動作モード設定用の特殊な端
子を増やすことなく既存の制御信号入力端子から入力さ
れる制御信号の組合せでメモリ素子へのライト/リード
動作を抑止して動作モードを設定する特殊なタイミング
信号を作ることができる。 【0008】 【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を用いて詳細
に説明する。 【0009】まず、本発明の概念を説明する。 【0010】図2で示すフレームバッファ用メモリの周
辺回路を減らすためには、メモリ素子2、演算器1、演
算機能指定レジスタ3、書き込みマクス回路4を一体化
したIC(Integrated Circuit)を
作ることが考えられる。現状のグラフィックディスプレ
イでは、演算機能として要求されるものは論理演算が主
体であるため、演算器は演算データのビット単位に分割
することが可能である。算術演算を使う場合も桁上げ信
号を扱う回路を付加することで、原則的にはビット単位
の分割は可能である。書き込みマスク回路4はビット単
位の書き込み制御を行う回路であるから、ビット単位に
分割できることは明らかである。しかしながら演算機能
指定レジスタ3は、演算器1の演算機能の数で決まるビ
ット長であり、演算データのビット長(ここでは16)
とは無関係であるため、演算データのビット単位に分割
することはできない。したがって演算機能指定レジスタ
3は、分割した単位毎に持つ必要がある。このように、
分割した単位毎に同一の機能のものを持つことは無駄で
あるがICの集積度は年毎に高くなり、一体化した場合
のメモリ素子の数に対する周辺回路として使われる素子
の数の比率は1%にもならないわずかのものであるため
問題とはならない。一体化をした場合に、演算機能指定
レジスタ3を分割単位毎に持つことは、以上に示したよ
うにそれほど問題ではないが、図2に示したフレームバ
ッファをデータのビット単位に分割することには問題が
ある。図2のフレームバッファを使うためには、実際の
メモリアクセスを行う前に、演算機能指定レジスタ3に
演算機能データを書き込みマスク回路4に書き込みマス
クデータを設定する必要がある。図2のフレームバッフ
ァでは、どちらのデータもデータ処理装置からのデータ
信号D15〜D0を入力信号としているため、ビット単位
に分割すると1ビットの信号となってしまうので、書き
込みマスク回路4では問題がないが、演算機能指定レジ
スタ3では2種類の演算しか指定できなくなってしま
う。このように、メモリのビット構成の違いで演算機能
の数が変わることは問題である。本発明は、演算機能指
定をデータバスで行うため、データのビット分割に依存
することになり発生しているのに着目し、データバスと
違いビット分割に依存しないアドレス信号を用いて指定
するものである。 【0011】次に、本発明の一実施例を説明する。 【0012】図1は、実施例のフレームバッファ用メモ
リ回路の構成である。1は演算器、2はメモリ素子、3
は演算機能指定レジスタ、4は書き込みマスク回路、D
jはグラフィック描画用データ処理装置のデータ信号1
6ビットの中の1ビット信号、A23〜A1はデータ処理
装置のアドレス信号、WEはデータ処理装置のライト制
御信号、FSは演算機能指定レジスタ3及び書き込みマ
スク回路4に対するデータセット制御信号、DOjはメ
モリ素子2の読み出しデータ、DIjは演算器1の演算
結果データ、Wjはメモリ素子2に対する書き込み制御
信号である。 【0013】図3は書き込みマスク回路の構成である。
41は書き込みマスクデータ格納レジスタ、42はライ
ト制御信号WEを抑止するためのゲートである。 【0014】図4は図1のメモリ回路によるフレームバ
ッファの構成例である。図4では接続関係を明確にする
ため、4ビットの構成を示してある。 【0015】図5はグラフィックディスプレイシステム
に実施例のメモリ回路を適用した例である。6はデータ
処理装置、7はセット信号FSを発生するデコード回路
である。 【0016】以下、実施例のメモリ回路の動作を説明す
る。 【0017】実施例では、メモリ回路5は800000
H〜8FFFFFH番地に割当てられている。ここでH
は16進数であることを示しバイトを単位とする番地で
ある。デコード回路7は900000H〜90001F
H番地でセット信号FSを出力する。演算器1の演算機
能は図6に示す16種である。データ処理装置6が例え
ば900014H番地にFOFFHを書き込むと、デコ
ード回路7はセット信号FSを出力し、演算機能指定レ
ジスタ3に動作モード選択信号であるアドレス信号A4
〜A1すなわち1010(Bはビットデータ)をセット
する。この結果、演算器1は図6の演算機能表に示すよ
うに、論理和を演算機能として選択する。また書き込み
マスク回路4では、書き込みマスクデータ格納レジスタ
41にデータ処理装置6からのデータ0F0FFの16
ビットのデータの中の1ビットをセットする。セットさ
れる1ビットは、メモリ素子のビット位置と同一の位置
である。この結果、書き込みマスクデータとしてF0F
FHがセットされたことになる。 【0018】次にデータ処理装置6が800000H番
地にF3FFHを書く場合について説明する。8000
00H番地には、0512Hが格納してあるとする。デ
ータ処理装置6のメモリアクセスタイミングを図7に示
す。データ処理装置6のメモリ回路5に対するライトア
クセスは、図7に示すようにリード・モディファイ・ラ
イト動作となる。リード・モディファイ・ライトのリー
ドのタイミングでDOバスには0512Hが読み出さ
れ、DバスにはF3FFHが入力されている。次のモデ
ィファイのタイミングで、演算器1はDバスとDOバス
のデータを演算し、DIバスに演算結果を出力する。こ
の場合はDバスの値がF3FFHであり、DOバスが0
512Hであるため、DIバスのデータはF7FFHと
なる。これは、前述した動作で演算器1は論理和を演算
機能として選択しているためである。最後にリード・モ
ディファイ・ライトのライトのタイミングでDIバスの
データF7FFHをライトするが前述のセット動作で、
書き込みマスクデータはF0FFHがセットされてお
り、図3に示すようにマスクデータが0のビットはゲー
ト42がONとなり、1のビットはゲート42がOFF
となるため、D11〜Dの4ビットのみが実際のライト
動作を実行し、残りの12ビットではライト動作は起こ
らない。この結果、800000H番地のデータは07
12Hになる。 【0019】以上述べたように、本実施例ではアドレス
信号の一部を制御信号として用いるため、データの分割
方法によらず演算機能の指定が可能なリード・モディフ
ァイ・ライトを行うメモリ回路が実現することができ
る。実施例のメモリ回路で通常のメモリICと異なるの
は、演算機能及び書き込みマクスデータをセットするた
めのセット信号FSのみであり、ICのピンは1ピン増
加するだけなので、この相異は図1の回路のままIC化
する上で問題にならない。例えば、64K×1ビット構
成の Dynamic RAMでは1ピンは使用してい
ないものもあるため、この空ピンにFSを使うことが可
能である。 【0020】また、このセット信号を通常のメモリアク
セスと異なるタイミングシーケンスで実現してもよいこ
とは明らかである。例えば図8に示すような、 Dyn
amic RAMの通常シーケンスではでてこない。R
AS信号の立下がりとWE信号でセット信号を作ること
が可能である。なおRAS信号およびWE信号からなる
制御信号を入力する制御信号入力端子が存在することは
明らかである。また、WE信号(ライトイネーブル信
号)がイネーブルになった後RAS信号(ロウアドレス
選択信号)が入力されたときFS信号が生成して演算機
能指定レジスタ3に印加されてアドレス端子から入力さ
れる動作モード選択信号が格納され、メモリ素子へのラ
イト/リード動作を抑止する制御手段(FS信号生成手
段)を有することは明らかである。 【0021】なお、本実施例ではデータ幅を16ビット
とし、分割の単位を1ビットとしたが、どちらの値も本
実施例で説明した値以外の値でもよいことは明らかであ
る。また実施例では、演算機能の指定と書き込みマスク
の指定を同時に行っているが、別々に指定するようにし
てもよいことも明らかである。 【0022】さらに、演算器の機能指定のデータ幅も4
ビット以外でも良いことも明らかである。 【0023】また、シフトレジスタを内蔵して、シリア
ル出力を持つ構成のメモリに対して、本実施例を適用し
てもよいことも明らかである。 【0024】 【発明の効果】本発明によれば、動作モード設定用の特
殊な端子を増やすことなく既存の制御信号入力端子から
入力される制御信号の組合せでメモリ素子へのライト/
リード動作を抑止して動作モードを設定する特殊なタイ
ミング信号を作ることができる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】 【図1】実施例のメモリ回路を示すブロック図である。 【図2】従来例のフレームバッファ用メモリを示すブロ
ック図である。 【図3】書き込みマスク回路を示す図である。 【図4】実施例のフレームバッファ構成を説明するため
の図である。 【図5】グラフィックディスプレイシステムの構成例を
示すブロック図である。 【図6】演算機能を説明するための図である。 【図7】メモリアクセスタイミングを示すタイミングチ
ャートである。 【図8】セット信号作成タイミングを示すタイミングチ
ャートである。 【符号の説明】 1…演算器、 2…メモリ素子、 3…演算機能指
定レジスタ、4…書き込みマスク回路、 D15〜D
0…入力データ、A23〜A1…アドレス信号、 WE…
書き込み制御信号、FS…セット信号。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 光一 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所マイクロエレクトロニクス 機器開発研究所内 (72)発明者 榎本 博道 神奈川県奏野市堀山下1番地株式会社日立 製作所神奈川工場内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.メモリ素子と、該メモリ素子にライトするデータ信
    号を入力するデータ入力端子と、前記メモリ素子に対す
    るアドレス信号および動作モード選択信号を入力するア
    ドレス入力端子と、少なくともライトイネーブル信号と
    ロスアドレス選択信号とからなる制御信号を入力する制
    御信号入力端子と、前記アドレス入力端子から入力され
    る動作モード選択信号を格納して動作モードを設定する
    動作モード選択信号格納手段と、前記制御信号入力端子
    から入力される制御信号において前記ライトイネーブル
    信号がイネーブルになった後前記ロウアドレス選択信号
    が入力された際、前記データ端子から入力させるデータ
    について前記メモリ素子へのライト動作および前記メモ
    リ素子からのデータのリード動作を抑止して前記動作モ
    ード選択信号格納手段に動作モードを設定する制御手段
    とを備えたことを特徴とする記憶回路。 2.メモリ素子と、該メモリ素子にライトするデータ信
    号を入力するデータ入力端子と、前記メモリ素子に対す
    るアドレス信号を入力するアドレス入力端子と、少なく
    ともライトイネーブル信号とロスアドレス選択信号とか
    らなる制御信号を入力する制御信号入力端子と、前記ア
    ドレス入力端子から入力される動作モード選択信号を格
    納して動作モードを設定する動作モード選択信号格納手
    段と、前記制御信号入力端子から入力される制御信号に
    おいて前記ライトイネーブル信号がイネーブルになった
    後前記ロウアドレス選択信号が入力された際、前記デー
    タ端子から入力させるデータについて前記メモリ素子へ
    のライト動作および前記メモリ素子からのデータのリー
    ド動作を抑止して前記動作モード選択信号格納手段に動
    作モードを設定する制御手段とを1チップメモリデバイ
    スで構成したことを特徴とする1チップメモリデバイ
    ス。
JP6185656A 1994-08-08 1994-08-08 記憶回路及び1チップメモリデバイス Pending JPH0784861A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6185656A JPH0784861A (ja) 1994-08-08 1994-08-08 記憶回路及び1チップメモリデバイス

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6185656A JPH0784861A (ja) 1994-08-08 1994-08-08 記憶回路及び1チップメモリデバイス

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4127132A Division JPH05216741A (ja) 1992-05-20 1992-05-20 記憶回路及びその動作モード設定方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0784861A true JPH0784861A (ja) 1995-03-31

Family

ID=16174582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6185656A Pending JPH0784861A (ja) 1994-08-08 1994-08-08 記憶回路及び1チップメモリデバイス

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0784861A (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58196671A (ja) * 1982-05-10 1983-11-16 Hitachi Ltd 半導体記憶素子
JPS60554A (ja) * 1983-06-16 1985-01-05 Toshiba Corp メモリ制御装置
JPH07149986A (ja) * 1993-12-01 1995-06-13 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 塩化ビニル系樹脂プラスチゲル組成物及びそれを用いたガスケット付き窓ガラス

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58196671A (ja) * 1982-05-10 1983-11-16 Hitachi Ltd 半導体記憶素子
JPS60554A (ja) * 1983-06-16 1985-01-05 Toshiba Corp メモリ制御装置
JPH07149986A (ja) * 1993-12-01 1995-06-13 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 塩化ビニル系樹脂プラスチゲル組成物及びそれを用いたガスケット付き窓ガラス

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5175835A (en) Multi-mode DRAM controller
JPH077260B2 (ja) 画像データ回転処理装置及びその方法
JPS61264379A (ja) 記憶回路
JPH0784861A (ja) 記憶回路及び1チップメモリデバイス
JP2811929B2 (ja) 半導体記憶装置
JPH0697394B2 (ja) 記憶回路
JPH08129376A (ja) 1チップメモリデバイス
JPH0784860A (ja) 情報処理システム
JPS59206878A (ja) グラフイツクメモリのアクセス制御方式
JPH08123402A (ja) 1チップメモリデバイス
JPH05216741A (ja) 記憶回路及びその動作モード設定方法
JP2591515B2 (ja) 1チップメモリデバイス
JPH08123716A (ja) メモリシステム
JPH08152873A (ja) データ処理システム
JP2769384B2 (ja) 演算制御icおよび情報処理装置
JPS6019258A (ja) 記憶装置
JPH04153984A (ja) ダイナミックメモリの制御方法
JP2719589B2 (ja) 1チップ半導体記憶装置
JPH06208539A (ja) 高速データ転送方式
JPH01188962A (ja) 電子機器
JPS59219780A (ja) グラフイツクメモリ・アクセス回路
JPS6325717A (ja) デ−タ転送回路
JPH022236B2 (ja)
JPH07101552B2 (ja) メモリ集積回路
JP2000003588A (ja) 半導体メモリ