JPS6019258A - 記憶装置 - Google Patents
記憶装置Info
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- JPS6019258A JPS6019258A JP12721383A JP12721383A JPS6019258A JP S6019258 A JPS6019258 A JP S6019258A JP 12721383 A JP12721383 A JP 12721383A JP 12721383 A JP12721383 A JP 12721383A JP S6019258 A JPS6019258 A JP S6019258A
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- Japan
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- bit
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- word
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-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/06—Addressing a physical block of locations, e.g. base addressing, module addressing, memory dedication
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Image Input (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、アドレス・バスとデータ・バスに接続された
記憶装置に関する。
記憶装置に関する。
一般に、画像処理分野に於ける記憶装置は、m×nドツ
トの画素に対してmXnビットを1プレーンとし、複数
のプV−ンを対応させている。複数のプレーンを用いる
のは画素の色や濃W k fi現するためであることが
多い。各プレーン内の全ビットはアドレッシングの単位
であるワードに分割されている。
トの画素に対してmXnビットを1プレーンとし、複数
のプV−ンを対応させている。複数のプレーンを用いる
のは画素の色や濃W k fi現するためであることが
多い。各プレーン内の全ビットはアドレッシングの単位
であるワードに分割されている。
第1図(a)、 (b)はそれぞれY方向アドレッシン
グ、Y方向アドレッシングを示す図である。
グ、Y方向アドレッシングを示す図である。
この例ではプレーンは512X512ドツトで構成され
、lワード′t−8ビツトとしている。図の枠内の数字
はアドレス金示す。図示するように、アドレスはX方向
に1づつ増大していき、Y方向にはX方向のワード数分
だけ増大していくように割当てる。
、lワード′t−8ビツトとしている。図の枠内の数字
はアドレス金示す。図示するように、アドレスはX方向
に1づつ増大していき、Y方向にはX方向のワード数分
だけ増大していくように割当てる。
最近では、画像処理分野の発展に伴い、X方向、Y方向
共に、自由にメモリ全アクセスしたいという要求が多く
なってきている。ところが、従来のように、X方向に一
次元的なアドレス割付けのメモリ構成では、X方向につ
いてはワード単位でのドツト・シーケンシャルなアクセ
スが可能であるが、X方向についてのそれは、不可能で
ラシ、第1図(a)のメモリに於いてY方向に連続した
8ビツトのデータを読みたい場合は、以下に示すような
ソフトウェア手法が用いられてきた。すなわち、まず、
所望のビットに含むワード=iY方向に8ワード連続し
て読出し、次に読出した各ワードの所望の1ビツトのデ
ニタ全抽出し、さらにこれらを8ビツトのデータにパッ
クし直すという手法である。
共に、自由にメモリ全アクセスしたいという要求が多く
なってきている。ところが、従来のように、X方向に一
次元的なアドレス割付けのメモリ構成では、X方向につ
いてはワード単位でのドツト・シーケンシャルなアクセ
スが可能であるが、X方向についてのそれは、不可能で
ラシ、第1図(a)のメモリに於いてY方向に連続した
8ビツトのデータを読みたい場合は、以下に示すような
ソフトウェア手法が用いられてきた。すなわち、まず、
所望のビットに含むワード=iY方向に8ワード連続し
て読出し、次に読出した各ワードの所望の1ビツトのデ
ニタ全抽出し、さらにこれらを8ビツトのデータにパッ
クし直すという手法である。
縞2図は従来のソフトウェア手法に用いた変数のっけ方
を示した図である。
を示した図である。
第2図に於いて、所望のビットのビット位置全NB(N
B=0〜7)、Y方向に何ワード目かを示す値をNw(
NW=O〜7)とし、Y方向に連続した8ビツトのデー
タを得るレジスタをYデータとすると前記手法は以下の
手順で実現できる;(il Yデータ全クリアする。N
WK(l入れる。
B=0〜7)、Y方向に何ワード目かを示す値をNw(
NW=O〜7)とし、Y方向に連続した8ビツトのデー
タを得るレジスタをYデータとすると前記手法は以下の
手順で実現できる;(il Yデータ全クリアする。N
WK(l入れる。
(旬 Nwのデータ全ロードする。
(Il+) 所望のビット位置に応じてマスクを選ぶ。
Qv) (ii)のデータに(il+) で選んだマス
クをかけ、所望の1ビツトに一抽出する。
クをかけ、所望の1ビツトに一抽出する。
(vJ シフト数を計算する。シフト数= l NB−
NWI(ただし、11は絶対値を示す) (vl)NB〉Nwならば左へ、NB<NWならば右へ
、(V)で得られたシフト数だけシフトする。
NWI(ただし、11は絶対値を示す) (vl)NB〉Nwならば左へ、NB<NWならば右へ
、(V)で得られたシフト数だけシフトする。
(vl9 (iv)で得た値とYデータとの論理和をと
シ、その結果iYデデーに入れる。
シ、その結果iYデデーに入れる。
(viil 上i己(ii)〜(vlpをNH−4まで
、Nwを1ずつインクリメントして実行する。
、Nwを1ずつインクリメントして実行する。
このように、従来のソフトウェア手法では、Y方向に連
続した8ビツトのデータを読むのに、プログラムにして
数十ステップという多大な時間が必要であった。また、
複数のプレーン、例えば8枚のプレーンの場合、1画素
に対して8ビツトの色または濃度情報を表現できるが、
この際、X方向、Y方向に対していわば2方向の色また
は濃度情報を読出すためには、プレーン内のメモリ・ア
ドレスは同一で、プレーンの切換えを行なって8ワード
読出し、前述したY方向の読出しと同様に8ビツトのバ
ック処理が必要であった。
続した8ビツトのデータを読むのに、プログラムにして
数十ステップという多大な時間が必要であった。また、
複数のプレーン、例えば8枚のプレーンの場合、1画素
に対して8ビツトの色または濃度情報を表現できるが、
この際、X方向、Y方向に対していわば2方向の色また
は濃度情報を読出すためには、プレーン内のメモリ・ア
ドレスは同一で、プレーンの切換えを行なって8ワード
読出し、前述したY方向の読出しと同様に8ビツトのバ
ック処理が必要であった。
以上のように、従来のようなX方向への一次元的なアド
レス割付けでは、X方向あるいはZ方向の読出しの際、
複数回のメモリ・リードと、さらにビットのバンク処理
ケ必要とし、X方向の読出しに比べて処理時間が大幅に
増大するという欠点金石していた。
レス割付けでは、X方向あるいはZ方向の読出しの際、
複数回のメモリ・リードと、さらにビットのバンク処理
ケ必要とし、X方向の読出しに比べて処理時間が大幅に
増大するという欠点金石していた。
本発明の目的は、上記欠点全除去し、ビット・シーケン
シャルにアドレッシングされていない方向への1ワード
・リード・ライトに要する時間が短縮され、データのバ
ッキング処理を不要とし、全体で処理時間を大幅に削減
することのできる記憶装置を提供することにある。
シャルにアドレッシングされていない方向への1ワード
・リード・ライトに要する時間が短縮され、データのバ
ッキング処理を不要とし、全体で処理時間を大幅に削減
することのできる記憶装置を提供することにある。
本発明の記憶装置は、1ビット単位のリード・ライトが
可能なメモリ・モジュールfn個並べて構成される記憶
部と、該記憶部の各メモリ・モジュールの同一アドレス
を持つ部分に対してリード・ライトするnビットのデー
タを格納する第1手段と、外部アドレス・バスに接続し
外部アドレスの情報によって任意の一つのメモリ・モジ
ュールを活性化し外部アドレスと定数値とを演算し毎回
異なる内部アドレス全m回生成して前記内部アドレスを
前記活性化されたメモリ・モジュールに入力するメモリ
制御部と、アドレス発生に同期して前記活性化されたメ
モリ・モジュールから1ビツトずつm回にわたって読出
したmビットデータあるいは前記活性化されたメモリ・
モジュールに1ビツトずつm回にわたって書込むmビッ
トデータを順次格納または送シ出していく第2手段と全
含んで構成される。
可能なメモリ・モジュールfn個並べて構成される記憶
部と、該記憶部の各メモリ・モジュールの同一アドレス
を持つ部分に対してリード・ライトするnビットのデー
タを格納する第1手段と、外部アドレス・バスに接続し
外部アドレスの情報によって任意の一つのメモリ・モジ
ュールを活性化し外部アドレスと定数値とを演算し毎回
異なる内部アドレス全m回生成して前記内部アドレスを
前記活性化されたメモリ・モジュールに入力するメモリ
制御部と、アドレス発生に同期して前記活性化されたメ
モリ・モジュールから1ビツトずつm回にわたって読出
したmビットデータあるいは前記活性化されたメモリ・
モジュールに1ビツトずつm回にわたって書込むmビッ
トデータを順次格納または送シ出していく第2手段と全
含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第3図は本発明の一実施例のブロック図である。
この実施例は、1ピット単位のリード・ライトが可能な
8個のメモリ・モジュール20〜27を並べて構成され
る記憶部と、この記憶部の各メモリ・モジュールの同一
アドレスを持つ部分に対してリード・ライトするnビッ
トのデータを格納する第1手段としてのX−データレジ
スタ2と、外部アドレス・バス17に接続し外部アドレ
スの情報によって任怠の一つのメモリ・モジュールを選
択回路30〜37を介して活性化し、外部アドレスと定
数値と全演算し毎回異なる内部アドレスをm回生成して
前記内部アドレスを前記活性化されたメモリ・モジュー
ルに入力するメモリ制御部1と、アドレス発生に同期し
て前記活性化されたメモリ・モジュールから1ビツトず
つm回にわたって読出したmビットデータあるいは前記
活性化されたメモリ・モジュールVC1ピットスつm回
にわたって書込むmビットデータを順次格納または送シ
出していく第2手段としてのシフトレジスタ4と、外部
データ・バス18に接続し、シフトレジスタ4と信号の
やジとシを行うXデータレジスタ3とを含んで構成され
る。外部データは8ビツトである。
8個のメモリ・モジュール20〜27を並べて構成され
る記憶部と、この記憶部の各メモリ・モジュールの同一
アドレスを持つ部分に対してリード・ライトするnビッ
トのデータを格納する第1手段としてのX−データレジ
スタ2と、外部アドレス・バス17に接続し外部アドレ
スの情報によって任怠の一つのメモリ・モジュールを選
択回路30〜37を介して活性化し、外部アドレスと定
数値と全演算し毎回異なる内部アドレスをm回生成して
前記内部アドレスを前記活性化されたメモリ・モジュー
ルに入力するメモリ制御部1と、アドレス発生に同期し
て前記活性化されたメモリ・モジュールから1ビツトず
つm回にわたって読出したmビットデータあるいは前記
活性化されたメモリ・モジュールVC1ピットスつm回
にわたって書込むmビットデータを順次格納または送シ
出していく第2手段としてのシフトレジスタ4と、外部
データ・バス18に接続し、シフトレジスタ4と信号の
やジとシを行うXデータレジスタ3とを含んで構成され
る。外部データは8ビツトである。
次に、この実施例の動作について説明する。
外部からのアクセス要求(リード14.またはライト1
5)によJ)、isビット外部アドレスおよびオフセッ
ト値がメモリ制御部lに取り込まれる。外部アドレス1
6ビツトのうち、MSBはX方向のアクセスを示すモー
ド(以下Xモードという)かY方向のアクセスを示すモ
ード(以下Xモードという)かを示すモード信号であシ
、モード信号7として用いる。この実施例では、モート
イぎ号7がIlo″のときXモード、+ll+のときX
モードとする。外部アドレス16ビツトには、Xモード
の場合は第1図(a)、 Xモードの場合は第1図(b
)のようにアドレッシングされたアドレスを入れる。オ
フセット値とは、X−Yメモリ平面におけるX方向のワ
ード数で、この実施例では64である。メモリ制御部l
では、16ビツトの外部アドレスとオフセット値入力し
7とから内部アドレス全生成し、内部アドレス・バス1
oに出方する。
5)によJ)、isビット外部アドレスおよびオフセッ
ト値がメモリ制御部lに取り込まれる。外部アドレス1
6ビツトのうち、MSBはX方向のアクセスを示すモー
ド(以下Xモードという)かY方向のアクセスを示すモ
ード(以下Xモードという)かを示すモード信号であシ
、モード信号7として用いる。この実施例では、モート
イぎ号7がIlo″のときXモード、+ll+のときX
モードとする。外部アドレス16ビツトには、Xモード
の場合は第1図(a)、 Xモードの場合は第1図(b
)のようにアドレッシングされたアドレスを入れる。オ
フセット値とは、X−Yメモリ平面におけるX方向のワ
ード数で、この実施例では64である。メモリ制御部l
では、16ビツトの外部アドレスとオフセット値入力し
7とから内部アドレス全生成し、内部アドレス・バス1
oに出方する。
内部アドレス・バス1oに出力される内部アドレスは、
第1図(a)のX方向にアドレッシングされたアドレス
からMSB1SB1ピットた。15ビツトである。また
、メモリ制御部1では、内部リード・−iイz=号5.
6.モード1百号7.チップセレクト信号40〜47
が発生する。Xモードの場合には、シフトレジスタ4へ
の同期信号8も発生する。
第1図(a)のX方向にアドレッシングされたアドレス
からMSB1SB1ピットた。15ビツトである。また
、メモリ制御部1では、内部リード・−iイz=号5.
6.モード1百号7.チップセレクト信号40〜47
が発生する。Xモードの場合には、シフトレジスタ4へ
の同期信号8も発生する。
以下、Xモード、Xモードのリード・ライト動作につい
てそれぞれ説明する。
てそれぞれ説明する。
X方向に1ワード金リードする場合、チップセレクXi
号40〜47はすべてアクティブ、内部リード11号5
がアクティブ、モード信号7はIlo″で、Xモード’
ThnJ択する。内部アドレスによって指されたメモリ
・モジュール20〜27の内容8ビツトが、内部リード
信号5によって読出され、それぞれ選択回路30〜37
に送られる。選択回路30〜37では、モード信号7と
内部リード信号5とを受けて、メモリ・モジュール20
〜27から読出されたそれぞれの信金Xデータレジスタ
2へ出力する。Xデータレジスタ2は内mテトバス11
に読出したデータをのせ、外部データ・バス18へ送る
。
号40〜47はすべてアクティブ、内部リード11号5
がアクティブ、モード信号7はIlo″で、Xモード’
ThnJ択する。内部アドレスによって指されたメモリ
・モジュール20〜27の内容8ビツトが、内部リード
信号5によって読出され、それぞれ選択回路30〜37
に送られる。選択回路30〜37では、モード信号7と
内部リード信号5とを受けて、メモリ・モジュール20
〜27から読出されたそれぞれの信金Xデータレジスタ
2へ出力する。Xデータレジスタ2は内mテトバス11
に読出したデータをのせ、外部データ・バス18へ送る
。
X方向に1ワード・ライトする場合、チップ・セレクト
信号40〜47は8本全てがアクティブ、内部ライト信
号6がアクティブとなる。外部データ・バス18から内
部データ・バス11に入った8ビツト・データは、Xデ
ータレジスタ2にラッチされる。8つの選択回路30〜
37は、モード信号7(この実施例では、この場合はI
I OI+ )と、内部ライト信号6によってXデータ
レジスタ2内のデータを取込み、それぞれのメモリ・モ
ジュール20〜27の指定されたアドレスに書込む。
信号40〜47は8本全てがアクティブ、内部ライト信
号6がアクティブとなる。外部データ・バス18から内
部データ・バス11に入った8ビツト・データは、Xデ
ータレジスタ2にラッチされる。8つの選択回路30〜
37は、モード信号7(この実施例では、この場合はI
I OI+ )と、内部ライト信号6によってXデータ
レジスタ2内のデータを取込み、それぞれのメモリ・モ
ジュール20〜27の指定されたアドレスに書込む。
Y方向の1ワード・リードの場合には、チップセレクト
イバ号40〜47のいずれか1本だけがアクチイブにな
る。内部アドレスは、内部アドレス・バスlO全通して
すべてのメモリ・モジ瓢−ル20〜27に送られるが、
アクセスされるメモリ・モジュールは1つだけである。
イバ号40〜47のいずれか1本だけがアクチイブにな
る。内部アドレスは、内部アドレス・バスlO全通して
すべてのメモリ・モジ瓢−ル20〜27に送られるが、
アクセスされるメモリ・モジュールは1つだけである。
この状態で、メモリ制御部1は、内部アドレス全オフセ
ット値17により更新しつつ8回出力し、それぞれの内
部アドレス出力に対して同期1ぎ号8と内部リード信号
5とを出力する。8回の内部リード1g号5で1ビツト
ずつ読出されたデータは、同期1に号8でタイミングを
とシながら、シフト・レジスタ4へ入れられていく。例
えば、チップ・セレクト信号42がアクティブの場会1
.1回目の内部アドレスで指されたデータがメモリ・モ
ジュール22から読出され、選択回路32に送られる。
ット値17により更新しつつ8回出力し、それぞれの内
部アドレス出力に対して同期1ぎ号8と内部リード信号
5とを出力する。8回の内部リード1g号5で1ビツト
ずつ読出されたデータは、同期1に号8でタイミングを
とシながら、シフト・レジスタ4へ入れられていく。例
えば、チップ・セレクト信号42がアクティブの場会1
.1回目の内部アドレスで指されたデータがメモリ・モ
ジュール22から読出され、選択回路32に送られる。
選択回路32では、モード1ば号7(=”1”)と、内
部リード1汀号5によシ、読出されたデータを内部デー
タ・バス12に出力する。シフトレジスタ4では同期信
号8で内部アドレス発生と同期音とって内部データ・バ
ス12上の1ビツトデータを格納する。次にメモ1月1
;旧卸部lは、2回目の内部アドレスを生成し、内部ア
ドレス・バス1oに出力する。
部リード1汀号5によシ、読出されたデータを内部デー
タ・バス12に出力する。シフトレジスタ4では同期信
号8で内部アドレス発生と同期音とって内部データ・バ
ス12上の1ビツトデータを格納する。次にメモ1月1
;旧卸部lは、2回目の内部アドレスを生成し、内部ア
ドレス・バス1oに出力する。
各構成要素は、1回目と同じ動作を行なう。シフトレジ
スタ4は、同期信号8で同期音とシ、最初のデータをシ
フトしながら、次のデータを取込む。
スタ4は、同期信号8で同期音とシ、最初のデータをシ
フトしながら、次のデータを取込む。
シフトレジスタ4には、1回目のデータと合せて、2ビ
ツトが格納される。以下、同様にこの一連の動作が合計
8回行なわれ、シフトレジスタ4には、8ビツト(=1
ワード)のデータが格納される。
ツトが格納される。以下、同様にこの一連の動作が合計
8回行なわれ、シフトレジスタ4には、8ビツト(=1
ワード)のデータが格納される。
このデータが、Yデータレジスタ3に出力され、ここか
ら内部データ・バス13を通して、外部データ・バス1
8に出力される。
ら内部データ・バス13を通して、外部データ・バス1
8に出力される。
Y方向の1ワード・ライトの場合も、メモリ制御部1は
一チップ°セレクト慴号40〜47をいずれか1本だけ
アクティブにする。この場合も、メモリ制御部lは内部
アドレス全オフセット値によシ更新しつつ8回出力し、
データは1ビツトずツメモリ・モジュールに書込まれる
。外部データ・バス18から内部データ・バス13を通
り、Yf−pvレジスタに入ったデータはシフトレジス
タ4に入る。メモリ制御回路lが、1回目の内部アドレ
スを出力するのと同期して同期信号8を出力すると、シ
フトレジスタ4はこれに同期して1ビツトシフトし、う
、ツチ回路9に入れ、内部データ・バス12に出力する
。次に、例えば、チップセレクト信号43がアクティブ
の場合1、これによって選ばれた選択回路33は、内部
ライHN号6とモートイg号7(=”l”)によシ内部
データ・バス12上のデータ金取込む。メモリ・モジュ
ール23では、選択回路33からのデータ全内部ライト
1百号6によって1回目の内部アドレスが指す部分に書
込むこと7′lZできる。次に、メキーり制御部lは、
2回目にデータ全書込むべきメモリ・モジュールの内部
アドレス金内部アドレス・バス10に出力する。シフト
レジスタ4は、再び1ビットシフト?行ない、選択回路
33.メモリ・モジュール23も、1回目と同様の動作
を行なう。以上の動作を合計8同行なうことによシ、Y
方向の1ワード・ライトができる。
一チップ°セレクト慴号40〜47をいずれか1本だけ
アクティブにする。この場合も、メモリ制御部lは内部
アドレス全オフセット値によシ更新しつつ8回出力し、
データは1ビツトずツメモリ・モジュールに書込まれる
。外部データ・バス18から内部データ・バス13を通
り、Yf−pvレジスタに入ったデータはシフトレジス
タ4に入る。メモリ制御回路lが、1回目の内部アドレ
スを出力するのと同期して同期信号8を出力すると、シ
フトレジスタ4はこれに同期して1ビツトシフトし、う
、ツチ回路9に入れ、内部データ・バス12に出力する
。次に、例えば、チップセレクト信号43がアクティブ
の場合1、これによって選ばれた選択回路33は、内部
ライHN号6とモートイg号7(=”l”)によシ内部
データ・バス12上のデータ金取込む。メモリ・モジュ
ール23では、選択回路33からのデータ全内部ライト
1百号6によって1回目の内部アドレスが指す部分に書
込むこと7′lZできる。次に、メキーり制御部lは、
2回目にデータ全書込むべきメモリ・モジュールの内部
アドレス金内部アドレス・バス10に出力する。シフト
レジスタ4は、再び1ビットシフト?行ない、選択回路
33.メモリ・モジュール23も、1回目と同様の動作
を行なう。以上の動作を合計8同行なうことによシ、Y
方向の1ワード・ライトができる。
以上詳細に説明したように、本発明はメモリ・モジュー
ルを各ワードの同じビット位置にあるピットごとに構成
することにょシ、ビット・シーケンシャルにアドレッシ
ングされていない方向への1ワードリード・ライトがデ
ータのリード、ライトラハードウェアで8回行なうだけ
でよく、従来のン7トウエア手法に比べ所要時間が短縮
される上に、さらにデータのバッキングに要する時間が
無くなり、全体で処理時間全大幅に削減することができ
るという効果を有する。また、本発明は、“Y方向に1
ワードリード(あるいはライト)せよ”という単一コマ
ンドで処理2行なうことができ、ソフトウェアの簡単化
を図ることもできるという効果も有する。
ルを各ワードの同じビット位置にあるピットごとに構成
することにょシ、ビット・シーケンシャルにアドレッシ
ングされていない方向への1ワードリード・ライトがデ
ータのリード、ライトラハードウェアで8回行なうだけ
でよく、従来のン7トウエア手法に比べ所要時間が短縮
される上に、さらにデータのバッキングに要する時間が
無くなり、全体で処理時間全大幅に削減することができ
るという効果を有する。また、本発明は、“Y方向に1
ワードリード(あるいはライト)せよ”という単一コマ
ンドで処理2行なうことができ、ソフトウェアの簡単化
を図ることもできるという効果も有する。
第1図(a)、 (b)はそれぞれX方向アドレッシン
グ。 Y方向アドレッシングを示す図、第2図は従来のソフト
ウェア手法に用いた変数のっけ方金示した図、第3図は
、本発明の一実施例のブロック図で・ある。 ′ 1・・・・・・メモリ制御部、2・・・・・・Xデータ
レジスタ、3・・・・・・Yデータレジスタ、4・・・
・・・シフトレジスタ、5・・・・・・内部リード信号
、6・・・・・・内部ライト信号。 7・・・・・・モー悟号号、8・・・・・・同期信号、
9・・・・・・ラッチ回路、10・・・・・・内部アド
レス・バス、11〜13・・・・・・内0部データ・バ
ス、14・・・・・・リード↑可号、15・・・・・・
ライト悟号、16・・・・・・外部アドレス・バス、1
7・・・・・・オフセット値入力、18・・・・・・外
部データ・バス、20〜27・・・・・・メモリ・モジ
ュール、30〜37・・・・・・選択回路、40〜47
・・・・・・チップセレクト信号。 第1図 第 2′ 図
グ。 Y方向アドレッシングを示す図、第2図は従来のソフト
ウェア手法に用いた変数のっけ方金示した図、第3図は
、本発明の一実施例のブロック図で・ある。 ′ 1・・・・・・メモリ制御部、2・・・・・・Xデータ
レジスタ、3・・・・・・Yデータレジスタ、4・・・
・・・シフトレジスタ、5・・・・・・内部リード信号
、6・・・・・・内部ライト信号。 7・・・・・・モー悟号号、8・・・・・・同期信号、
9・・・・・・ラッチ回路、10・・・・・・内部アド
レス・バス、11〜13・・・・・・内0部データ・バ
ス、14・・・・・・リード↑可号、15・・・・・・
ライト悟号、16・・・・・・外部アドレス・バス、1
7・・・・・・オフセット値入力、18・・・・・・外
部データ・バス、20〜27・・・・・・メモリ・モジ
ュール、30〜37・・・・・・選択回路、40〜47
・・・・・・チップセレクト信号。 第1図 第 2′ 図
Claims (1)
- 1ビット単位のリード・ライトが可能なメモリ・モジュ
ールfn個並べて構成される記憶部と、該記憶部の各メ
モリ・モジュールの同一アドレス分持つ部分に対してリ
ード・ライトするnビットのデータを格納する第1手段
と、外部アドレス・バスに接続し外部アドレスの情報に
よって任意の一つのメモリ・モジュールを活性化し、外
部アドレスと定数値とを演算し毎回具なる内部アドレス
発生回生成して前記内部アドレス會前記活性化されたメ
モリ・モジュールに入力するメモリ制御部と、アドレス
発生に同期して前記活性化されたメモリ・モジュールか
ら1ビツトずつm回にわたって読出したmビットデータ
あるいは前記活性化されたメモリ・モジュールに1ビツ
トずつm回にわたって書込むmビットデータ金順次格納
または送シ出していく第2手段とを含むこと全特徴とす
る記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12721383A JPS6019258A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12721383A JPS6019258A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6019258A true JPS6019258A (ja) | 1985-01-31 |
Family
ID=14954521
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12721383A Pending JPS6019258A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6019258A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6297068A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-06 | Amada Co Ltd | 画像メモリの読み出し制御回路 |
JPH07151267A (ja) * | 1994-09-02 | 1995-06-13 | Nifco Inc | 棒状物保持具 |
US11384581B2 (en) | 2018-10-23 | 2022-07-12 | Sugatsune Kogyo Co., Ltd. | Door opening/closing apparatus and hinge |
-
1983
- 1983-07-13 JP JP12721383A patent/JPS6019258A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6297068A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-06 | Amada Co Ltd | 画像メモリの読み出し制御回路 |
JPH07151267A (ja) * | 1994-09-02 | 1995-06-13 | Nifco Inc | 棒状物保持具 |
US11384581B2 (en) | 2018-10-23 | 2022-07-12 | Sugatsune Kogyo Co., Ltd. | Door opening/closing apparatus and hinge |
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