JPH0783109B2 - 高速半導体装置 - Google Patents
高速半導体装置Info
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- JPH0783109B2 JPH0783109B2 JP61202110A JP20211086A JPH0783109B2 JP H0783109 B2 JPH0783109 B2 JP H0783109B2 JP 61202110 A JP61202110 A JP 61202110A JP 20211086 A JP20211086 A JP 20211086A JP H0783109 B2 JPH0783109 B2 JP H0783109B2
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
-
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- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
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- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高速半導体装置、特にIII−Ｖ族化合物半導体
による例えばHEMT,2DEG−FET,TEG−FET等と呼称される
高電子移動度トランジスタもしくは２次元電子ガスチャ
ンネル型電界効果トランジスタ、あるいはMES−FETいわ
ゆるショットキゲート型電界効果トランジスタ等の高速
半導体装置に関わる。
による例えばHEMT,2DEG−FET,TEG−FET等と呼称される
高電子移動度トランジスタもしくは２次元電子ガスチャ
ンネル型電界効果トランジスタ、あるいはMES−FETいわ
ゆるショットキゲート型電界効果トランジスタ等の高速
半導体装置に関わる。
本発明は特定された結晶面特に｛311｝Ｂ結晶面に切り
出された基板上に、有機金属気相成長いわゆるMOCVD（M
etalorganic Chemical Vapor Deposition）によるIII−
Ｖ族化合物半導体層による不純物混入が小さく高純度化
された動作領域を形成し、高速性や低雑音性等の向上を
図る。
出された基板上に、有機金属気相成長いわゆるMOCVD（M
etalorganic Chemical Vapor Deposition）によるIII−
Ｖ族化合物半導体層による不純物混入が小さく高純度化
された動作領域を形成し、高速性や低雑音性等の向上を
図る。
従来、高速半導体装置例えばHEMT,2DEG−FET,TEG−FET
あるいはMES−FET等において、AlxGa1−xAs（０ｘ＜
１）あるいはInyGa1−yAs（０ｙ＜１）なるIII−Ｖ族
化合物が電子移動度の高いこと比較的結晶性に優れた半
導体層を形成しやすいなどの理由によって広く用いられ
ている。この場合、このIII−Ｖ族化合物半導体を気相
成長する基板いわゆるサブストレイトとしては、｛10
0｝結晶面を主面とするGaAs単結晶基板及びInP単結晶基
板が用いられ、これの上に上述のAlGaAs系あるいはInGa
As系III−Ｖ族化合物半導体層を例えばMOCVDによってエ
ピタキシャル成長する構成が採られている。
あるいはMES−FET等において、AlxGa1−xAs（０ｘ＜
１）あるいはInyGa1−yAs（０ｙ＜１）なるIII−Ｖ族
化合物が電子移動度の高いこと比較的結晶性に優れた半
導体層を形成しやすいなどの理由によって広く用いられ
ている。この場合、このIII−Ｖ族化合物半導体を気相
成長する基板いわゆるサブストレイトとしては、｛10
0｝結晶面を主面とするGaAs単結晶基板及びInP単結晶基
板が用いられ、これの上に上述のAlGaAs系あるいはInGa
As系III−Ｖ族化合物半導体層を例えばMOCVDによってエ
ピタキシャル成長する構成が採られている。
ところで、上述した高速半導体装置において、その動作
領域となるIII−Ｖ族化合物半導体層においては炭素Ｃ
やシリコンSi等の残留不純物の混入が極力回避され、結
晶性に優れた半導体層であることが、その高速性及び低
雑音化に必要とされる。ところが、上述したように｛10
0｝基板上に、例えばトリメチルアルミニウム（CH3）3A
lを原料としてAlGaAs系化合物半導体層をMOCVDによって
形成する場合等において最大の欠点が炭素Ｃの汚染で、
これが高速半導体装置における、より高速性及び低雑音
化等の特性向上の妨げになっている。
領域となるIII−Ｖ族化合物半導体層においては炭素Ｃ
やシリコンSi等の残留不純物の混入が極力回避され、結
晶性に優れた半導体層であることが、その高速性及び低
雑音化に必要とされる。ところが、上述したように｛10
0｝基板上に、例えばトリメチルアルミニウム（CH3）3A
lを原料としてAlGaAs系化合物半導体層をMOCVDによって
形成する場合等において最大の欠点が炭素Ｃの汚染で、
これが高速半導体装置における、より高速性及び低雑音
化等の特性向上の妨げになっている。
本発明は前述したようにIII−Ｖ族化合物半導体による
高速半導体装置における残留不純物による特性の低下を
効果的に回避し、高純度のIII−Ｖ族半導体のMOCVD気相
成長半導体層による高速半導体装置を構成し、高移動度
にしたがって高速性に優れ、低雑音にしたがって良好な
特性を有する高速半導体装置を構成する。
高速半導体装置における残留不純物による特性の低下を
効果的に回避し、高純度のIII−Ｖ族半導体のMOCVD気相
成長半導体層による高速半導体装置を構成し、高移動度
にしたがって高速性に優れ、低雑音にしたがって良好な
特性を有する高速半導体装置を構成する。
すなわち、本発明においてはMOCVDによるIII−Ｖ族気相
成長半導体における不純物の混入、したがって結晶性が
基板の結晶面に強い依存性を有することを見出し、基板
の結晶面方位を選定することによって上述した諸問題の
解決を図る。
成長半導体における不純物の混入、したがって結晶性が
基板の結晶面に強い依存性を有することを見出し、基板
の結晶面方位を選定することによって上述した諸問題の
解決を図る。
因みに、ジャーナル・オブ・クリスタル・グロウス（Jo
urnal of Crystal Growth）68,（1984）148−156等にも
（100）結晶基板についての報告がなされていて（111）
Ａ面の特定について論ぜられているが、本発明はこれと
は異なる結果を得たものであり、この異なる結果に基づ
いて特性に優れた高速半導体装置を提供するものであ
る。
urnal of Crystal Growth）68,（1984）148−156等にも
（100）結晶基板についての報告がなされていて（111）
Ａ面の特定について論ぜられているが、本発明はこれと
は異なる結果を得たものであり、この異なる結果に基づ
いて特性に優れた高速半導体装置を提供するものであ
る。
本発明においては主面を｛311｝Ｂ（すなわち｛311｝の
As面）、とする｛311｝Ｂ基板上に形成されたIII−Ｖ族
化合物の有機金属気相成長による半導体層を動作領域と
する。
As面）、とする｛311｝Ｂ基板上に形成されたIII−Ｖ族
化合物の有機金属気相成長による半導体層を動作領域と
する。
MOCVDは良く知られているように、III族元素、Al,Ga,In
については、その有機物金属ガスのトリメチルアルミニ
ウム（TMA），トリメチルガリウム（TMG），トリメチル
インジウム（TMI）、或いはトリエチルアルミニウム（T
EA），トリエチルガリウム（TEG），トリエチルインジ
ウム（TEI）等を用い、Ｖ族元素As,Pについてはその水
素化物のアルシンAsH3,フォスフィンPH3を用いるもので
ある。そして、これらをIII族原料に対するＶ族原料の
比（以下V/III比という）をもって反応容器中に送り込
む。反応容器中には、上述した｛311｝Ｂ基板を所要の
基板温度Tsをもって配置しておくものであり、これの表
面で、上述した原料ガスの熱分解によって基板表面にII
I−Ｖ族化合物半導体層をエピタキシャル成長する。
については、その有機物金属ガスのトリメチルアルミニ
ウム（TMA），トリメチルガリウム（TMG），トリメチル
インジウム（TMI）、或いはトリエチルアルミニウム（T
EA），トリエチルガリウム（TEG），トリエチルインジ
ウム（TEI）等を用い、Ｖ族元素As,Pについてはその水
素化物のアルシンAsH3,フォスフィンPH3を用いるもので
ある。そして、これらをIII族原料に対するＶ族原料の
比（以下V/III比という）をもって反応容器中に送り込
む。反応容器中には、上述した｛311｝Ｂ基板を所要の
基板温度Tsをもって配置しておくものであり、これの表
面で、上述した原料ガスの熱分解によって基板表面にII
I−Ｖ族化合物半導体層をエピタキシャル成長する。
上述の本発明による高速半導体装置によれば、その動作
領域における不純物すなわちアクセプタとなる炭素
（Ｃ）の混入が効果的に回避され、またV/III比を小に
選定することによってドナー不純物すなわちシリコン
（Si）の減少を図ることができ、これによって高いキャ
リアの移動度と良好な結晶性を有し、高速性及び低雑音
性の優れた特性を有する高速半導体装置を得ることがで
きた。
領域における不純物すなわちアクセプタとなる炭素
（Ｃ）の混入が効果的に回避され、またV/III比を小に
選定することによってドナー不純物すなわちシリコン
（Si）の減少を図ることができ、これによって高いキャ
リアの移動度と良好な結晶性を有し、高速性及び低雑音
性の優れた特性を有する高速半導体装置を得ることがで
きた。
第２図はそのV/III比を変化させた場合のキャリア濃度
すなわちアクセプタとしての炭素Ｃの濃度、及びドナー
としてのSiの混入濃度の測定結果を示すもので、この場
合基板温度Ts＝800℃としたGaAs基板上に原料ガスとし
てトリメチルアルミニウム，トリメチルガリウム，アル
シンを用いてMOCVDによって形成したAl0.33Ga0.67As化
合物半導体層についての測定を行った場合である。同図
において▲印は本発明による（311）BGaAs単結晶基板上
に前述したAlGaAs系MOCVD半導体層を形成した場合の測
定結果をプロットした点で何れもｎ型特性を示したもの
であり、この場合V/III比を減少させていった場合にお
いてもｐ型を呈することがなかった。また、同図におい
て○印及び●印はそれぞれ従来の（100）GaAs基板上に
同様のMOCVDによる半導体層を形成した場合のV/III比に
対するキャリア濃度を示し、○印はｐ型、●印はｎ型特
性を示したものである。また、同図において□印及び■
印はそれぞれ（311）ＡのGaAs基板上に同様のMOCVDによ
る半導体層を形成した場合のそれぞれのV/III比に対す
るキャリア濃度の測定結果をプロットしたもので□印は
ｐ型を呈したもの、■印はｎ型を呈したものであり、従
来の（100）基板及び（311）Ａ基板上にIII−Ｖ族半導
体をMOCVDによって形成した場合、V/III比を小とすると
きはｐ型を呈してくる。これは、Gaサイトに炭素Ｃが入
り込み、これがアクセプタとして作用することに因る。
またV/III比を大とすればシリコンSi等のドナーの混入
が大となってそれぞれキャリア濃度が増大してしまう。
すなわち、第２図によって明らかなように、従来の例の
ように、（100）基板上に形成したMOCVD半導体層の場
合、V/III比が80〜120付近でｐ型ｎ型の反転が生じてい
るに比し、本発明による（311）Ｂ基板上にMOCVD半導体
層を形成した場合V/III比を充分低くしていってその面
が白濁するに至ってもｐ型−ｎ型間の反転が観測され
ず、充分高抵抗化された。したがってV/III比を充分小
さい値例えば100以下に選定すれば、ドナー及びアクセ
プタの両不純物についてその混入量を低減化し、キャリ
ア濃度の低い高抵抗半導体層をその動作領域として構成
することができることになる。
すなわちアクセプタとしての炭素Ｃの濃度、及びドナー
としてのSiの混入濃度の測定結果を示すもので、この場
合基板温度Ts＝800℃としたGaAs基板上に原料ガスとし
てトリメチルアルミニウム，トリメチルガリウム，アル
シンを用いてMOCVDによって形成したAl0.33Ga0.67As化
合物半導体層についての測定を行った場合である。同図
において▲印は本発明による（311）BGaAs単結晶基板上
に前述したAlGaAs系MOCVD半導体層を形成した場合の測
定結果をプロットした点で何れもｎ型特性を示したもの
であり、この場合V/III比を減少させていった場合にお
いてもｐ型を呈することがなかった。また、同図におい
て○印及び●印はそれぞれ従来の（100）GaAs基板上に
同様のMOCVDによる半導体層を形成した場合のV/III比に
対するキャリア濃度を示し、○印はｐ型、●印はｎ型特
性を示したものである。また、同図において□印及び■
印はそれぞれ（311）ＡのGaAs基板上に同様のMOCVDによ
る半導体層を形成した場合のそれぞれのV/III比に対す
るキャリア濃度の測定結果をプロットしたもので□印は
ｐ型を呈したもの、■印はｎ型を呈したものであり、従
来の（100）基板及び（311）Ａ基板上にIII−Ｖ族半導
体をMOCVDによって形成した場合、V/III比を小とすると
きはｐ型を呈してくる。これは、Gaサイトに炭素Ｃが入
り込み、これがアクセプタとして作用することに因る。
またV/III比を大とすればシリコンSi等のドナーの混入
が大となってそれぞれキャリア濃度が増大してしまう。
すなわち、第２図によって明らかなように、従来の例の
ように、（100）基板上に形成したMOCVD半導体層の場
合、V/III比が80〜120付近でｐ型ｎ型の反転が生じてい
るに比し、本発明による（311）Ｂ基板上にMOCVD半導体
層を形成した場合V/III比を充分低くしていってその面
が白濁するに至ってもｐ型−ｎ型間の反転が観測され
ず、充分高抵抗化された。したがってV/III比を充分小
さい値例えば100以下に選定すれば、ドナー及びアクセ
プタの両不純物についてその混入量を低減化し、キャリ
ア濃度の低い高抵抗半導体層をその動作領域として構成
することができることになる。
また本発明による（311）Ｂ基板上にAlxGa1−xAs（ｘ＝
0.33）のノンドープのMOCVD半導体層を形成した場合
と、従来の（100）基板上にノンドープの同様のAlxGa1
−xAs（ｘ＝0.33）のMOCVD半導体層を形成した場合のそ
れぞれの4Kにおけるフォトルミネッセンススペクトルを
第３図及び第４図に示す。これらにおいてはV/III＝135
とした場合である。
0.33）のノンドープのMOCVD半導体層を形成した場合
と、従来の（100）基板上にノンドープの同様のAlxGa1
−xAs（ｘ＝0.33）のMOCVD半導体層を形成した場合のそ
れぞれの4Kにおけるフォトルミネッセンススペクトルを
第３図及び第４図に示す。これらにおいてはV/III＝135
とした場合である。
第３図及び第４図において右側すなわち長波長測のピー
クｂは残留ドナー−炭素アクセプタ遷移によるものであ
り、左側、すなわち短波長側のピークａは炭素アクセプ
タが残留ドナーに束縛された半値幅6.516meVのエキシト
ンピークである。第３図及び第４図において左右のピー
クａ及びｂ、すなわちエキシトンピークと残留不純物に
起因したドナー−アクセプタペア発光のピークの相対的
な強さの差をみて明らかなように第３図の本発明による
（311）Ｂ基板上に形成されたMOCVD半導体層は従来の
（100）基板上に形成された半導体層に比し残留炭素に
よる影響が少なく結晶性に優れたものであることがわか
る。
クｂは残留ドナー−炭素アクセプタ遷移によるものであ
り、左側、すなわち短波長側のピークａは炭素アクセプ
タが残留ドナーに束縛された半値幅6.516meVのエキシト
ンピークである。第３図及び第４図において左右のピー
クａ及びｂ、すなわちエキシトンピークと残留不純物に
起因したドナー−アクセプタペア発光のピークの相対的
な強さの差をみて明らかなように第３図の本発明による
（311）Ｂ基板上に形成されたMOCVD半導体層は従来の
（100）基板上に形成された半導体層に比し残留炭素に
よる影響が少なく結晶性に優れたものであることがわか
る。
尚、本発明者等の研究考察によれば、炭素汚染は、（31
1）Ｂ面が最も小さく、次いで（111）B,（100），（11
1）A,（311）Ａへと順次その汚染が大となって行くこと
が確認された。
1）Ｂ面が最も小さく、次いで（111）B,（100），（11
1）A,（311）Ａへと順次その汚染が大となって行くこと
が確認された。
本発明装置は各種の高速半導体装置例えば２次元キャリ
ア（電子，ホール）ガスチャンネルによるFETすなわち
例えばHEMT,2DEG−FET,TEG−FETへの適用、あるいはMES
−FET等各種の高速半導体装置に適用できるものである
が、第１図を参照して本発明を２次元電子ガスチャンネ
ル型のFETに適用する場合の一例を説明する。
ア（電子，ホール）ガスチャンネルによるFETすなわち
例えばHEMT,2DEG−FET,TEG−FETへの適用、あるいはMES
−FET等各種の高速半導体装置に適用できるものである
が、第１図を参照して本発明を２次元電子ガスチャンネ
ル型のFETに適用する場合の一例を説明する。
図において、（１）はその一主面（1a）が｛311｝Ｂす
なわち｛311｝Asの半絶縁性単結晶GaAs基板で、その主
面（1a）上に、順次例えば5000Åの厚さにアンドープの
GaAsよりなる第１の半導体層（２）と、例えば厚さ100
ÅのアンドープのAlxGa1−xAs（ｘ＝0.33）より成る第
２の半導体層（３）と、ｎ型の不純物のSiがドープされ
たAlxGa1−xAs（ｘ＝0.33）より成る第３の半導体層
（４）と、同様のｎ型のGaAsより成る第４の半導体層
（５）とが原料ガスの供給を制御することによって連続
MOCVDによって形成する。この場合原料ガスとしては、
例えばTMA,TMG,及びアルシンAsH3を用いる。そして第４
の半導体層（５）の一部をエッチング除去して第３の半
導体層（４）の一部を外部に露呈しここにゲート例えば
ショットキゲート電極（６）を被着し、その両側に残さ
れた第４の半導体層（５）に夫々ソース電極（７）及び
ドレイン電極（８）を形成する。このような構成によ
れ、第１の半導体層（２）の第２半導体層（３）との界
面に２次元電子ガス層（９）によるチャンネルが形成さ
れたFETが構成される。
なわち｛311｝Asの半絶縁性単結晶GaAs基板で、その主
面（1a）上に、順次例えば5000Åの厚さにアンドープの
GaAsよりなる第１の半導体層（２）と、例えば厚さ100
ÅのアンドープのAlxGa1−xAs（ｘ＝0.33）より成る第
２の半導体層（３）と、ｎ型の不純物のSiがドープされ
たAlxGa1−xAs（ｘ＝0.33）より成る第３の半導体層
（４）と、同様のｎ型のGaAsより成る第４の半導体層
（５）とが原料ガスの供給を制御することによって連続
MOCVDによって形成する。この場合原料ガスとしては、
例えばTMA,TMG,及びアルシンAsH3を用いる。そして第４
の半導体層（５）の一部をエッチング除去して第３の半
導体層（４）の一部を外部に露呈しここにゲート例えば
ショットキゲート電極（６）を被着し、その両側に残さ
れた第４の半導体層（５）に夫々ソース電極（７）及び
ドレイン電極（８）を形成する。このような構成によ
れ、第１の半導体層（２）の第２半導体層（３）との界
面に２次元電子ガス層（９）によるチャンネルが形成さ
れたFETが構成される。
このような構成によるFETは、その動作領域すなわち２
次元電子ガス層（９）が形成されるアンドープの第１及
び第２の半導体層（２）及び（３）を、前述したように
そのV/IIIが例えば30程度に近い小なる値でMOCVD成長し
た半導体層とすることによって、第２図で説明したよう
にキャリア濃度が充分低い半導体層として構成できるの
で、残留不純物さらにはこの残留不純物による結晶性の
低下が回避されることによって高い電子移動度と低雑音
化が得られ特性のよい高速半導体装置が構成される。
次元電子ガス層（９）が形成されるアンドープの第１及
び第２の半導体層（２）及び（３）を、前述したように
そのV/IIIが例えば30程度に近い小なる値でMOCVD成長し
た半導体層とすることによって、第２図で説明したよう
にキャリア濃度が充分低い半導体層として構成できるの
で、残留不純物さらにはこの残留不純物による結晶性の
低下が回避されることによって高い電子移動度と低雑音
化が得られ特性のよい高速半導体装置が構成される。
さらにまた上述した例においてはIII−Ｖ族化合物とし
てAlxGa1−xAs系について主として説明したが、InyGa1
−yAs系MOCVD半導体層による高速半導体装置に適用する
こともできる。
てAlxGa1−xAs系について主として説明したが、InyGa1
−yAs系MOCVD半導体層による高速半導体装置に適用する
こともできる。
また、本発明は上述した例に限らず各種高速半導体装置
に本発明を適用できるものであり、例えばAlGaAs上にGa
As層が形成されたいわゆる逆HEMTに適用することもで
き、この場合において下層のAlを含むAlGaAs層の結晶性
の問題が解消されたことによって、これの上に形成する
GaAsの特性も向上することから、より移動度の高い２電
子ガス層によるチャンネル形成が可能となる。
に本発明を適用できるものであり、例えばAlGaAs上にGa
As層が形成されたいわゆる逆HEMTに適用することもで
き、この場合において下層のAlを含むAlGaAs層の結晶性
の問題が解消されたことによって、これの上に形成する
GaAsの特性も向上することから、より移動度の高い２電
子ガス層によるチャンネル形成が可能となる。
また、２次元電子ガス層によるFETに限らず２次元ホー
ルガス層によるFETにおいても同様に特性向上を図るこ
とができる。
ルガス層によるFETにおいても同様に特性向上を図るこ
とができる。
上述したように本発明による高速半導体装置によれば、
キャリアの移動度すなわち高速性を高めることができ、
また優れた結晶性を有する動作領域による高速半導体装
置を構成するので高速性に優れ低雑音の特性の良い優れ
た高速半導体装置を得ることができ、その実用上の利益
は極めて大きい。
キャリアの移動度すなわち高速性を高めることができ、
また優れた結晶性を有する動作領域による高速半導体装
置を構成するので高速性に優れ低雑音の特性の良い優れ
た高速半導体装置を得ることができ、その実用上の利益
は極めて大きい。
第１図は本発明装置の一例の略線的断面図、第２図は本
発明の説明に供するV/III比とキャリア濃度の関係の測
定結果を示す曲線図、第３図及び第４図はそれぞれ（31
1）Ｂ基板及び（100）基板上にMOCVDによる半導体層を
形成したもののフォトルミネッセンススペクトル図であ
る。 （１）は基板、（２）〜（５）は第１〜第４の半導体層
である。
発明の説明に供するV/III比とキャリア濃度の関係の測
定結果を示す曲線図、第３図及び第４図はそれぞれ（31
1）Ｂ基板及び（100）基板上にMOCVDによる半導体層を
形成したもののフォトルミネッセンススペクトル図であ
る。 （１）は基板、（２）〜（５）は第１〜第４の半導体層
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/812
Claims (1)
- 【請求項１】｛311｝Ｂ基板上に形成されたIII−Ｖ族化
合物の有機金属気相成長半導体層より成る動作領域を具
備することを特徴とする高速半導体装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61202110A JPH0783109B2 (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | 高速半導体装置 |
| GB8719817A GB2195050B (en) | 1986-08-28 | 1987-08-21 | Semiconductor devices and methods of manufacture |
| KR1019870009226A KR950014278B1 (ko) | 1986-08-28 | 1987-08-24 | 고속 반도체장치 및 그 제조 방법 |
| DE3728524A DE3728524C2 (de) | 1986-08-28 | 1987-08-26 | Hochgeschwindigkeits-Halbleiterbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
| FR8711943A FR2611313A1 (fr) | 1986-08-28 | 1987-08-26 | Semi-conducteur tres rapide a compose du groupe iii/v et son procede de fabrication |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61202110A JPH0783109B2 (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | 高速半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6356960A JPS6356960A (ja) | 1988-03-11 |
| JPH0783109B2 true JPH0783109B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=16452126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61202110A Expired - Lifetime JPH0783109B2 (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | 高速半導体装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0783109B2 (ja) |
| KR (1) | KR950014278B1 (ja) |
| DE (1) | DE3728524C2 (ja) |
| FR (1) | FR2611313A1 (ja) |
| GB (1) | GB2195050B (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR910007414B1 (ko) * | 1989-03-18 | 1991-09-25 | 재단법인 한국전자통신연구소 | 도핑 효과를 개선한 이질구조 화합물 반도체 소자의 제조방법 |
| JPH03278542A (ja) * | 1990-03-28 | 1991-12-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| EP0535293A1 (en) * | 1991-01-29 | 1993-04-07 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | A method of fabricating a compositional semiconductor device |
| JP3360105B2 (ja) * | 1994-03-04 | 2002-12-24 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US8829336B2 (en) | 2006-05-03 | 2014-09-09 | Rochester Institute Of Technology | Nanostructured quantum dots or dashes in photovoltaic devices and methods thereof |
| JP2010225981A (ja) | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Fujitsu Ltd | 光半導体素子、集積素子、光半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4830787B1 (ja) * | 1967-12-28 | 1973-09-22 | ||
| US3721583A (en) * | 1970-12-08 | 1973-03-20 | Ibm | Vapor phase epitaxial deposition process for forming superlattice structure |
| JPS52101698A (en) * | 1976-02-23 | 1977-08-25 | Toshiba Corp | Vapor phase growth of gallium arsenide |
| US4122407A (en) * | 1976-04-06 | 1978-10-24 | International Business Machines Corporation | Heterostructure junction light emitting or responding or modulating devices |
-
1986
- 1986-08-28 JP JP61202110A patent/JPH0783109B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-08-21 GB GB8719817A patent/GB2195050B/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-08-24 KR KR1019870009226A patent/KR950014278B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1987-08-26 FR FR8711943A patent/FR2611313A1/fr active Pending
- 1987-08-26 DE DE3728524A patent/DE3728524C2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3728524C2 (de) | 1996-05-09 |
| KR880003401A (ko) | 1988-05-16 |
| JPS6356960A (ja) | 1988-03-11 |
| GB2195050B (en) | 1990-05-30 |
| GB2195050A (en) | 1988-03-23 |
| GB8719817D0 (en) | 1987-09-30 |
| DE3728524A1 (de) | 1988-03-10 |
| KR950014278B1 (ko) | 1995-11-24 |
| FR2611313A1 (fr) | 1988-08-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |