JP3753068B2 - 電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法 - Google Patents
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【発明の属する技術分野】
本発明は、窒化ガリウム系化合物半導体を用いた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図11は、窒化ガリウム系化合物半導体を使用した電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの従来例を示すものである。図11に示した電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハは、いわゆる高電子移動度トランジスタHEMT(High Electron Mobility Transistor)構造用のものであり、サファイア基板1の上に低温堆積層2及びバッファ層3を順次積層し、その上にチャネル層4、電子供給層5を順次積層したFET構造を持つ。高電子移動度トランジスタHEMTは、2次元電子ガス(2DEG)を利用する素子であり、ヘテロ構造を有した化合物半導体素子である。
【0003】
従来、窒化ガリウム(GaN)の成長は、サファイア(α−Al2O3)やシリコンカーバイド(SiC)基板上へ、気相成長法(VPE)(MOVPE:Metal Organic Vapour Phase Epitaxyを含む)ならびに分子線エピタキシャル法(MBE:Molecular Beam Epitaxy)(各種原料によるMBEもこれに含む)により、行われる。GaN系化合物半導体を用いた電界効果型トランジスタ用エピタキシャルウェハの成長も、同様の方法により成長が行われる。その形成法の詳細を以下に示す。
【0004】
無処理または何らかの溶液処理を施されたサファイア(またはSiC)基板を成長炉の中に導入する。最初に、この基板の上に数十nm程度のGaN、AlGaN、AlN低温堆積層2を400℃〜600℃の低温で形成する。ついでGaNの厚いバッファ層3を成長し、さらにその上に電界効果トランジスタ構造(FET構造)を形成していく。図11では、チャネル層4にノンドープのInGaN(窒化インジウム・ガリウム)を、そして電子供給層5にn型AlGaN(窒化アルミニウム・ガリウム)を使用した選択ドープ構造を用いている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、従来からあるGaNエピタキシャル結晶は、GaNバルク結晶の実現が難しいために、サファイア基板やSiC基板等に作製されてきた。そして、特に、サファイア基板上でのGaNのMOVPE成長では、GaNやInGaNの低温堆積層を介し、GaN結晶が成長される。
【0006】
しかしながら、この成長において、低温堆積層中に多量のSiが混入し、これが電子を発生させ、低温堆積層が低抵抗になるという問題が生じている。これが、デバイスの良好なピンチオフ特性と素子間分離を妨げる。
【0007】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、サファイア基板上に形成する低温堆積層を高抵抗とする電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【0009】
本発明の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法は、サファイア基板の上に、低温堆積層及びバッファ層を順次設け、その上に電界効果トランジスタ構造を形成した電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法において、前記低温堆積層は、Znをドーピングし、400〜600℃の低温で成長させたものであり、前記バッファ層は、ノンドープの窒化ガリウム系化合物半導体であることを特徴とする。
【0010】
前記Znのドーピング量を1×1016cm−3〜1×1021cm−3 とすることが好ましい。
【0011】
前記低温堆積層にGaN又はInGaNを用いることができる。
【0012】
前記InGaNは、In X Ga 1-X NにおけるIn組成比が0<x<0.3、好ましくは0.1≦x<0.3、さらに好ましくは0.1とすることができる。
【0013】
前記電界効果トランジスタ構造として、ノンドープのInGaNから成るチャネル層と、n型不純物をドープしたAlGaNから成る電子供給層とを順次成長させたものとすることができる。
【0016】
<作用>
本発明においては、低温堆積層中の電子を補償し低温堆積層を高抵抗とするために、低温堆積層にZnをドーピングする。これにより、図10に示すように、低温堆積層にGaN又はInGaNを用いたいずれの構造の場合も、シート抵抗値が100倍程度に増加し、FETデバイスの良好なピンチオフ特性、高い素子間分離抵抗が得られる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【0018】
<実施形態1>
図1に、本発明の第一の実施形態に係る電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの構造を示す。
【0019】
この電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハは、従来と同様に、サファイア基板1の上にZnドープのGaN低温堆積層21及びノンドープのGaNバッファ層3を順次積層し、その上にFET構造としてノンドープのInGaNチャネル層4とn型AlGaN電子供給層5を順次積層した構造を持つ。従来と異なる点は、この図1の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの場合、400℃〜600℃の低温で成長されるGaN低温堆積層21にZnがドーピングされており、且つそのZnのドーピング量が1×1016cm-3〜1×1021cm-3の範囲に収められている点にある。
【0020】
上記Znのドーピング量を決定するに当たり、試料の作製をMOVPE法により次のようにして行った。
【0021】
まず基板としてc面研磨サファイア基板1を用意し、Ga原料としてトリメチルガリウム(TMG)、Al原料としてトリメチルアルミニウム(TMA)、In原料としてトリメチルインジウム(TMI)、N原料としてアンモニア(NH3)、Zn原料としてジメチルジンク(DMZ)を用いた。
【0022】
作製した参照サンプルは図2に示した通りである。まず、450℃の基板温度でZnドープGaN低温堆積層21を25nm成長し、ついで1020℃にてアンドープGaNバッファ層3を2μm成長する。ここでは低温堆積層21にGaNを採用している。
【0023】
このエピタキシャル成長において、GaN低温堆積層21中へのZnのドーピング量を変化させ、このサンプルのシート抵抗値を測定した。その結果を図3に示す。Znのドーピング量はSIMS測定によるものである。なおZnのドーピング量の単位は、例えば「1.E+16」で1×1016cm-3を表す。この図3に示すように、Znのドーピング量の増加とともにシート抵抗値が増加していくことが分かる。
【0024】
また、図4に結晶中の転位密度とZnのドーピング量との関係を示す。この図4から分かるように、1×1021cm-3程度までは低温堆積層21へのZnのドーピングによる結晶性の変化は見られない。そのドーピング量が混晶レベル(1×1022cm-3程度)になると、転位密度は急激に増加し始める。これは低温堆積層21成長後の熱処理による核生成過程において、Znが核密度に影響を与えたためであると考えている。
【0025】
さらに、図1に示すようなn−AlGaN/GaN選択ドープ構造を作製し、2DEG特性のZnドーピング量依存性を調べた。その結果が図5である。この結果が示すように、ある程度のZnドーピング量のところまでは電子移動度に変化が無いが、転位密度が増加するようなZnドーピング量(1×1021cm-3程度、図4参照)になると、多少の電子移動度の低下が見られる。
【0026】
以上のことから、図1の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの場合、GaN低温堆積層21にZnをドーピングし、そのZnのドーピング量を1×1016cm-3〜1×1021cm-3の範囲とすることで、シート抵抗値を増加させ、FETの良好なピンチオフ特性及び高い素子間分離抵抗が得られることが判る。
【0027】
<実施形態2>
図6に、本発明の第二の実施形態に係る電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの構造を示す。
【0028】
この電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハは、サファイア基板1の上にZnドープInGaN低温堆積層22及びアンドープGaNバッファ層3を順次積層し、その上にFET構造としてノンドープのInGaNチャネル層4とn型AlGaN電子供給層5を順次積層した構造を持つ。従来と異なる点は、この図6の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの場合、400℃〜600℃の低温で成長されるInGaN低温堆積層22にZnがドーピングされており、且つそのZnのドーピング量が1×1016cm-3〜1×1021cm-3の範囲に収められている点にある。図1の構造とは、低温堆積層2がInGaNから成る点でのみ異なる。
【0029】
このZnのドーピング量を決定する試料の作製も、MOVPE法により上記と同様にして行った。
【0030】
具体的には、In0.1Ga0.9N低温堆積層22を用いた場合の検討を行い、実施形態1で述べたのと同様のサンプル作製、および評価を行った。図7に示すように、このサンプルの場合、シート抵抗はGaN低温堆積層21(図1)のものよりも高抵抗になることが分かった。この関係を示したのが図10である。ここで□はInGaN低温堆積層22の場合であり、◆はGaN低温堆積層21の場合である。また、図8及び図9にそれぞれ示すように、転位密度の増加、移動度の低下のそれぞれが発生するポイントに関しては、GaN低温堆積層21の場合とほぼ同様で、1×1021cm-3程度である。
【0031】
以上のことから、図6の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの場合、InGaN低温堆積層22にZnをドーピングし、そのZnのドーピング量を1×1016cm-3〜1×1021cm-3の範囲に定めることで、シート抵抗値を増加させ、FETの良好なピンチオフ特性及び高い素子間分離抵抗が得られることが判る。
【0032】
図6の実施形態の場合、InxGa1-xN低温堆積層のInN組成比xが0.1であるとして説明したが、InN組成比xの値は、0<x<0.3、好ましくは0.1≦x<0.3とすることができる。余り多くなる格子不整合の問題が生じ、少なすぎると歪の緩和効果が生じないため、上記範囲が適当である。
【0033】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、低温堆積層にZnをドーピングし、400〜600℃の低温で成長させたので、低温堆積層中の電子を補償し低温堆積層を高抵抗とすることができる。
【0034】
特に、低温堆積層にGaN又はInGaNを用い、これらの低温堆積層にZnをドーピング量が1×1016cm-3〜1×1021cm-3の範囲でドーピングすると、シート抵抗値が100倍程度に増加し、良好なピンチオフ特性、高い素子間分離抵抗が得られる。
【0035】
よって、本発明はGaN系FETの特性向上に寄与し、デバイス特性の向上に大きく貢献するものと期待される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施形態に係る電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハを示す構造図である。
【図2】本発明の第一の実施形態で用いたGaN単層エピタキシャルウェハの構造図である。
【図3】本発明の第一の実施形態の前提となるGaN低温堆積層におけるをZnドーピング量とシート抵抗値との関係を示す図である。
【図4】本発明の第一の実施形態の前提となるGaN低温堆積層におけるをZnドーピング量と転位密度との関係を示す図である。
【図5】本発明の第一の実施形態の前提となるGaN低温堆積層におけるをZnドーピング量と電子移動度との関係を示す図である。
【図6】本発明の第二の実施形態に係る電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハを示す構造図である。
【図7】本発明の第二の実施形態の前提となるGaN低温堆積層におけるをZnドーピング量とシート抵抗値との関係を示す図である。
【図8】本発明の第二の実施形態の前提となるGaN低温堆積層におけるをZnドーピング量と転位密度との関係を示す図である。
【図9】本発明の第二の実施形態の前提となるGaN低温堆積層におけるをZnドーピング量と電子移動度との関係を示す図である。
【図10】本発明の第一の実施形態及び第二の実施形態の低温堆積層におけるをZnドーピング量とシート抵抗値との関係を示す図である。
【図11】従来の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハを示す構造図である。
【符号の説明】
1 サファイア基板
3 アンドープGaNバッファ層
4 チャネル層
5 電子供給層
21 ZnドープGaN低温堆積層
22 ZnドープInGaN低温堆積層
Claims (5)
- サファイア基板の上に、低温堆積層及びバッファ層を順次設け、その上に電界効果トランジスタ構造を形成した電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法において、
前記低温堆積層は、Znをドーピングし、400〜600℃の低温で成長させたものであり、
前記バッファ層は、ノンドープの窒化ガリウム系化合物半導体であることを特徴とする電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法。 - 前記Znのドーピング量が1×1016cm−3〜1×1021cm−3であることを特徴とする請求項1記載の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記低温堆積層にGaN又はInGaNを用いたことを特徴とする請求項1記載の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記InGaNは、In X Ga 1-X NにおけるIn組成比が0<x<0.3であることを特徴とする請求項3記載の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記電界効果トランジスタ構造として、ノンドープのInGaNから成るチャネル層と、n型不純物をドープしたAlGaNから成る電子供給層とを順次成長させたことを特徴とする請求項1記載の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法。
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