JPH0781932A - 酸化第二セリウムの製造方法 - Google Patents
酸化第二セリウムの製造方法Info
- Publication number
- JPH0781932A JPH0781932A JP5229072A JP22907293A JPH0781932A JP H0781932 A JPH0781932 A JP H0781932A JP 5229072 A JP5229072 A JP 5229072A JP 22907293 A JP22907293 A JP 22907293A JP H0781932 A JPH0781932 A JP H0781932A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cerium
- cerium carbonate
- surface area
- specific surface
- hours
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い比表面積であり、高温での比表面積の低
下が少なく安定しているもので、更に色調を白色に近づ
けた酸化第二セリウムを提供する。 【構成】 炭酸セリウムを特殊な条件にて加湿加熱処理
し、モノオキシ炭酸セリウムを得た後、それを焼成し酸
化第二セリウムを製造する方法。
下が少なく安定しているもので、更に色調を白色に近づ
けた酸化第二セリウムを提供する。 【構成】 炭酸セリウムを特殊な条件にて加湿加熱処理
し、モノオキシ炭酸セリウムを得た後、それを焼成し酸
化第二セリウムを製造する方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化第二セリウムの製
造方法に関し、詳しくは、高温度領域でも比表面積の低
下が少なく安定した酸化第二セリウムおよび色調として
白色に近い酸化第二セリウムを提供することに関する。
造方法に関し、詳しくは、高温度領域でも比表面積の低
下が少なく安定した酸化第二セリウムおよび色調として
白色に近い酸化第二セリウムを提供することに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、酸化第二セリウムは、排ガス清浄
用触媒、シリコーンゴムフィラー、研磨材等として大量
に使用されており、例えば触媒分野においては、酸化雰
囲気で酸素を吸収し、還元雰囲気で酸素を放出するとい
う酸化第二セリウムの特性を利用して、ＨＣ，ＣＯ，Ｎ
Ｏx に対する浄化率の向上等が行なわれており、またシ
リコーンゴムフィラーにおいてはゴム強度を低下させる
ことなく耐熱性を向上させる添加剤として利用されてい
る。このような従来の酸化第二セリウムは、通常、例え
ばセリウムの硝酸塩溶液または塩酸塩溶液に、蓚酸若し
くは重炭酸アンモニウムを添加し、得られる沈殿物をロ
別、洗浄、乾燥および焼成する方法等により製造されて
いる。しかしながら、前記方法等により製造された従来
の酸化第二セリウムは、１００ｍ2 ／ｇ程度の比表面積
を有するものの、８００℃焼成で比表面積が１０ｍ2 ／
ｇ以下に低下する、更にシリコーンゴムに添加して使用
する際、酸化第二セリウムの黄色度が高いため、ゴムの
色が黄色っぽくなるという欠点を有していた。また、研
磨材に用いられている酸化第二セリウムの研磨能力はメ
カノケミカルな部分（表面活性）に大きく左右されるた
め、通常の８００〜１０００℃程度の焼成温度域での高
比表面積化が望まれている。
用触媒、シリコーンゴムフィラー、研磨材等として大量
に使用されており、例えば触媒分野においては、酸化雰
囲気で酸素を吸収し、還元雰囲気で酸素を放出するとい
う酸化第二セリウムの特性を利用して、ＨＣ，ＣＯ，Ｎ
Ｏx に対する浄化率の向上等が行なわれており、またシ
リコーンゴムフィラーにおいてはゴム強度を低下させる
ことなく耐熱性を向上させる添加剤として利用されてい
る。このような従来の酸化第二セリウムは、通常、例え
ばセリウムの硝酸塩溶液または塩酸塩溶液に、蓚酸若し
くは重炭酸アンモニウムを添加し、得られる沈殿物をロ
別、洗浄、乾燥および焼成する方法等により製造されて
いる。しかしながら、前記方法等により製造された従来
の酸化第二セリウムは、１００ｍ2 ／ｇ程度の比表面積
を有するものの、８００℃焼成で比表面積が１０ｍ2 ／
ｇ以下に低下する、更にシリコーンゴムに添加して使用
する際、酸化第二セリウムの黄色度が高いため、ゴムの
色が黄色っぽくなるという欠点を有していた。また、研
磨材に用いられている酸化第二セリウムの研磨能力はメ
カノケミカルな部分（表面活性）に大きく左右されるた
め、通常の８００〜１０００℃程度の焼成温度域での高
比表面積化が望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような用途に用
い、更に性能等を向上させるため、酸化第二セリウムの
特性として、更に高い比表面積、高温での比表面積の低
下が少なく安定しているもの並びに色調を白色に近づけ
ることが要求されている。
い、更に性能等を向上させるため、酸化第二セリウムの
特性として、更に高い比表面積、高温での比表面積の低
下が少なく安定しているもの並びに色調を白色に近づけ
ることが要求されている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記の課題を
解決すべく種々検討した結果、炭酸セリウムを相対湿度
８０％以上の高湿度下で、６０〜１００℃の温度範囲に
て加湿加熱処理を行ないモノオキシ炭酸セリウムにした
後、焼成することを特徴とする酸化第二セリウムの製造
方法を見出した。
解決すべく種々検討した結果、炭酸セリウムを相対湿度
８０％以上の高湿度下で、６０〜１００℃の温度範囲に
て加湿加熱処理を行ないモノオキシ炭酸セリウムにした
後、焼成することを特徴とする酸化第二セリウムの製造
方法を見出した。
【０００５】まず、原料である炭酸セリウムについて記
す。炭酸セリウムは市販されており、それを使用するこ
とも本発明ではできる。炭酸セリウムを製造する一例を
示すとすると以下のようになる。即ち、まず硝酸セリウ
ム水溶液と、重炭酸アンモニウム水溶液とを混合し、炭
酸セリウム沈殿物を得る。この際混合順序は、硝酸セリ
ウム水溶液に、重炭酸アンモニウム水溶液を添加して
も、また重炭酸アンモニウム水溶液に硝酸セリウム水溶
液を添加混合しても良い。該硝酸セリウム水溶液の濃度
は、好ましくは３０〜２００g/リットル、特に好ましく
は１００〜１５０g/リットルの範囲である。また硝酸セ
リウム水溶液と重炭酸アンモニウム水溶液との混合割合
は、各水溶液中に含有される硝酸セリウムおよび重炭酸
アンモニウムの重量比で１:１.４〜３の範囲であるのが
好ましい。この際得られる炭酸セリウムは、３価のセリ
ウムでＣｅ2 （ＣＯ3）3 ・ｘＨ2 Ｏ（ｘ＝１〜８）で
ある。
す。炭酸セリウムは市販されており、それを使用するこ
とも本発明ではできる。炭酸セリウムを製造する一例を
示すとすると以下のようになる。即ち、まず硝酸セリウ
ム水溶液と、重炭酸アンモニウム水溶液とを混合し、炭
酸セリウム沈殿物を得る。この際混合順序は、硝酸セリ
ウム水溶液に、重炭酸アンモニウム水溶液を添加して
も、また重炭酸アンモニウム水溶液に硝酸セリウム水溶
液を添加混合しても良い。該硝酸セリウム水溶液の濃度
は、好ましくは３０〜２００g/リットル、特に好ましく
は１００〜１５０g/リットルの範囲である。また硝酸セ
リウム水溶液と重炭酸アンモニウム水溶液との混合割合
は、各水溶液中に含有される硝酸セリウムおよび重炭酸
アンモニウムの重量比で１:１.４〜３の範囲であるのが
好ましい。この際得られる炭酸セリウムは、３価のセリ
ウムでＣｅ2 （ＣＯ3）3 ・ｘＨ2 Ｏ（ｘ＝１〜８）で
ある。
【０００６】本発明では次に、上記のようにして得られ
た炭酸セリウムや市販のものを６０〜１００℃の温度範
囲にて相対湿度８０％以上の高湿度下にて加湿加熱処理
を行なう。この処理により、六角板状の炭酸セリウムか
ら針状ないしは球状のモノオキシ炭酸セリウム〔Ｃｅ2
Ｏ(ＣＯ3 )2 ・ｘＨ2 Ｏ（ｘ＝１〜６）〕が生成する。
た炭酸セリウムや市販のものを６０〜１００℃の温度範
囲にて相対湿度８０％以上の高湿度下にて加湿加熱処理
を行なう。この処理により、六角板状の炭酸セリウムか
ら針状ないしは球状のモノオキシ炭酸セリウム〔Ｃｅ2
Ｏ(ＣＯ3 )2 ・ｘＨ2 Ｏ（ｘ＝１〜６）〕が生成する。
【０００７】上記加湿加熱処理は、恒温恒湿器やスチー
ムを導入した乾燥器等により行なうことができ、その処
理時間は、１時間以上が望ましい。加湿乾燥処理の温度
が６０℃未満の場合には、結晶水が脱離し難いためか、
モノオキシ炭酸セリウムが生成せず、１００℃を越える
と結晶水の脱離前に、表面水分の脱離が生じるためか、
モノオキシ炭酸セリウムの生成割合が低下し、大半がＣ
ｅ(ＯＨ)（ＣＯ3 ）・ｘＨ2 Ｏ等の塩基性炭酸塩となる
ため、上記温度範囲とする必要がある。また、相対湿度
が８０％未満だと、結晶水の脱離前に表面水分が脱離す
るためか、通常の乾燥処理と同様に炭酸セリウムから非
晶質部分が現われてきてしまうため好ましくない。
ムを導入した乾燥器等により行なうことができ、その処
理時間は、１時間以上が望ましい。加湿乾燥処理の温度
が６０℃未満の場合には、結晶水が脱離し難いためか、
モノオキシ炭酸セリウムが生成せず、１００℃を越える
と結晶水の脱離前に、表面水分の脱離が生じるためか、
モノオキシ炭酸セリウムの生成割合が低下し、大半がＣ
ｅ(ＯＨ)（ＣＯ3 ）・ｘＨ2 Ｏ等の塩基性炭酸塩となる
ため、上記温度範囲とする必要がある。また、相対湿度
が８０％未満だと、結晶水の脱離前に表面水分が脱離す
るためか、通常の乾燥処理と同様に炭酸セリウムから非
晶質部分が現われてきてしまうため好ましくない。
【０００８】次に、生成させたモノオキシ炭酸セリウム
を焼成することにより酸化第二セリウムが得られるが、
この焼成温度は３００〜６５０℃が好ましく、より好ま
しくは３００〜５５０℃で、焼成時間は１〜４時間が好
ましい。焼成温度が３００℃未満の場合には焼成時間を
長くしても完全にＣｅＯ2 に変化し難く、５５０℃を越
えると得られたＣｅＯ2 の比表面積が比較的に小さいの
で望ましくない。
を焼成することにより酸化第二セリウムが得られるが、
この焼成温度は３００〜６５０℃が好ましく、より好ま
しくは３００〜５５０℃で、焼成時間は１〜４時間が好
ましい。焼成温度が３００℃未満の場合には焼成時間を
長くしても完全にＣｅＯ2 に変化し難く、５５０℃を越
えると得られたＣｅＯ2 の比表面積が比較的に小さいの
で望ましくない。
【０００９】本発明にて得られる酸化第二セリウムは、
１４０ｍ2 ／ｇ以上と比表面積が大きく、また高温、特
に７００℃以上でも比表面積の低下が少ない特性を有
し、白色度の高い色調のものである。また、その形状も
針状、球状、立方体等であり、球状、立方体の場合、そ
れぞれ径、一辺が２０μｍ以下であり、針状の場合太さ
が１０μｍ以下、長さが６０μｍ、アスペクト比が３以
上が普通であるが、この値に限定されるものではない。
本発明の製造法により得られる酸化第二セリウムは、そ
のままでも使用することもできるが、排ガス清浄用触媒
に用いる場合には酸化ジルコニウム、酸化アルミニウ
ム、アルカリ土類金属酸化物と混合したり、シリコーン
ゴムフィラーに用いる場合には二酸化チタン、酸化アル
ミニウム等と混合し、研磨材に用いる場合には、希土類
金属酸化物およびフッ化物や酸化アルミニウム、酸化ジ
ルコニウムといった通常の研磨材と混合して用いること
もできる。
１４０ｍ2 ／ｇ以上と比表面積が大きく、また高温、特
に７００℃以上でも比表面積の低下が少ない特性を有
し、白色度の高い色調のものである。また、その形状も
針状、球状、立方体等であり、球状、立方体の場合、そ
れぞれ径、一辺が２０μｍ以下であり、針状の場合太さ
が１０μｍ以下、長さが６０μｍ、アスペクト比が３以
上が普通であるが、この値に限定されるものではない。
本発明の製造法により得られる酸化第二セリウムは、そ
のままでも使用することもできるが、排ガス清浄用触媒
に用いる場合には酸化ジルコニウム、酸化アルミニウ
ム、アルカリ土類金属酸化物と混合したり、シリコーン
ゴムフィラーに用いる場合には二酸化チタン、酸化アル
ミニウム等と混合し、研磨材に用いる場合には、希土類
金属酸化物およびフッ化物や酸化アルミニウム、酸化ジ
ルコニウムといった通常の研磨材と混合して用いること
もできる。
【００１０】
【実施例】以下に実施例および比較例にて詳説する。 実施例１ 高純度硝酸セリウム溶液(東北金属化学株式会社製、純
度９９．９５％)を水に溶解し、３５℃にて、酸化第二
セリウムＣｅＯ2 換算で５０g/リットルの硝酸セリウム
水溶液１リットルに、濃度１５０g/リットルの重炭酸ア
ンモニウム水溶液１リットルを添加混合し、六角板状の
炭酸セリウムの沈殿物として２３００ｇ得た。得られた
沈殿物を恒温恒湿器に入れ、８５℃にて、相対湿度９５
％下で８時間加湿乾燥処理をし、針状のモノオキシ炭酸
セリウムＣｅ2 Ｏ(ＣＯ3 )2 ・Ｈ2Ｏ１７００ｇを得
た。これを４００℃で２時間焼成し酸化第二セリウムを
得た。得られた酸化第二セリウムの特性および該酸化第
二セリウムを８００℃で５時間再焼成し比表面積の変化
した値を表１に示す。
度９９．９５％)を水に溶解し、３５℃にて、酸化第二
セリウムＣｅＯ2 換算で５０g/リットルの硝酸セリウム
水溶液１リットルに、濃度１５０g/リットルの重炭酸ア
ンモニウム水溶液１リットルを添加混合し、六角板状の
炭酸セリウムの沈殿物として２３００ｇ得た。得られた
沈殿物を恒温恒湿器に入れ、８５℃にて、相対湿度９５
％下で８時間加湿乾燥処理をし、針状のモノオキシ炭酸
セリウムＣｅ2 Ｏ(ＣＯ3 )2 ・Ｈ2Ｏ１７００ｇを得
た。これを４００℃で２時間焼成し酸化第二セリウムを
得た。得られた酸化第二セリウムの特性および該酸化第
二セリウムを８００℃で５時間再焼成し比表面積の変化
した値を表１に示す。
【００１１】なお、表１中に示した黄色度(ＹＩ値)は以
下のようにして測定した値である。黄色度とは白色から
黄方向に離れる度合いを示すもので、理想的な白色は黄
色度がほぼ０となる。黄色さが増して、理想的な白色か
ら遠ざかるに従って、黄色度の数値が大きくなる。黄色
度の測定に際し、得られた焼成物をナイロンポット(ナ
イロンボール)で約２時間解砕し、平均粒径ｄ50＝２.０
±０.２μｍで２２μｍ以下の粉末にする。この解砕粉
約５ｇを東京電色(株)製、色差計にて丸セル（３０mmφ
×１５ｔ）に無加圧にて詰め測定し、ＸＹＺの各値を測
り、ＡＳＴＭ Ｅ ３１３に準じＹＩ値（黄色度）を求
めた。表１に示したＹＩ値は一サンプルにつき３回、上
記操作を繰り返し、各３回測定し計９回の平均値にて表
示した。
下のようにして測定した値である。黄色度とは白色から
黄方向に離れる度合いを示すもので、理想的な白色は黄
色度がほぼ０となる。黄色さが増して、理想的な白色か
ら遠ざかるに従って、黄色度の数値が大きくなる。黄色
度の測定に際し、得られた焼成物をナイロンポット(ナ
イロンボール)で約２時間解砕し、平均粒径ｄ50＝２.０
±０.２μｍで２２μｍ以下の粉末にする。この解砕粉
約５ｇを東京電色(株)製、色差計にて丸セル（３０mmφ
×１５ｔ）に無加圧にて詰め測定し、ＸＹＺの各値を測
り、ＡＳＴＭ Ｅ ３１３に準じＹＩ値（黄色度）を求
めた。表１に示したＹＩ値は一サンプルにつき３回、上
記操作を繰り返し、各３回測定し計９回の平均値にて表
示した。
【００１２】比較例１ 実施例１において炭酸セリウムの沈殿物を加湿乾燥処理
せず、直接４００℃で２時間焼成し酸化第二セリウムを
得た。それ以外の条件は実施例１と同一である。得られ
た酸化第二セリウムの特性および８００℃、５時間再焼
成での比表面積値を表１に示す。
せず、直接４００℃で２時間焼成し酸化第二セリウムを
得た。それ以外の条件は実施例１と同一である。得られ
た酸化第二セリウムの特性および８００℃、５時間再焼
成での比表面積値を表１に示す。
【００１３】比較例２ 実施例１で得られた六角板状の炭酸セリウムの沈殿物を
オートクレーブに入れ、１２０℃にて８時間水熱処理を
行なった。得られた生成物の主なものは、六角板状と球
状の塩基性炭酸セリウム（Ｃｅ(ＯＨ)（ＣＯ3 ）・２Ｈ
2 Ｏ）で、モノオキシ炭酸セリウムの生成量は全体の５
％程度であった。この混合物を４００℃で２時間焼成
し、表１に示す酸化第二セリウムを得た。また、この８
００℃で５時間再焼成した後の比表面積値も表１に示
す。
オートクレーブに入れ、１２０℃にて８時間水熱処理を
行なった。得られた生成物の主なものは、六角板状と球
状の塩基性炭酸セリウム（Ｃｅ(ＯＨ)（ＣＯ3 ）・２Ｈ
2 Ｏ）で、モノオキシ炭酸セリウムの生成量は全体の５
％程度であった。この混合物を４００℃で２時間焼成
し、表１に示す酸化第二セリウムを得た。また、この８
００℃で５時間再焼成した後の比表面積値も表１に示
す。
【００１４】比較例３ 実施例１で得られた六角板状の炭酸セリウムの沈殿物を
スチームを導入の恒温恒湿器に入れ、５０℃で相対湿度
９５％にて８時間加湿加熱処理を行なった。その結果、
モノオキシ炭酸セリウムは得られず、六角板状の炭酸セ
リウムのままであった。これを４００℃で２時間焼成
し、表１に示す酸化第二セリウムを得て、更に８００℃
で５時間再焼成し比表面積の変化を求めた。
スチームを導入の恒温恒湿器に入れ、５０℃で相対湿度
９５％にて８時間加湿加熱処理を行なった。その結果、
モノオキシ炭酸セリウムは得られず、六角板状の炭酸セ
リウムのままであった。これを４００℃で２時間焼成
し、表１に示す酸化第二セリウムを得て、更に８００℃
で５時間再焼成し比表面積の変化を求めた。
【００１５】
【表１】
【００１６】実施例２ 重炭酸アンモニウム水溶液に、硝酸セリウム水溶液を添
加混合した以外は、実施例１と同一条件にて六角板状の
炭酸セリウムを得た。この沈殿物２３００ｇをスチーム
導入乾燥器にて、９５℃で相対湿度９５％にて８時間加
湿加熱処理を行ない、針状のモノオキシ炭酸セリウムＣ
e2 Ｏ(ＣＯ3）2 ・Ｈ2 Ｏ１７００ｇを得た。これを３
００℃で４時間焼成し、表２に示す特性の酸化第二セリ
ウムを得た。更にこれを８００℃で５時間再焼成し比表
面積の変化を求め、その値を表２に示す。
加混合した以外は、実施例１と同一条件にて六角板状の
炭酸セリウムを得た。この沈殿物２３００ｇをスチーム
導入乾燥器にて、９５℃で相対湿度９５％にて８時間加
湿加熱処理を行ない、針状のモノオキシ炭酸セリウムＣ
e2 Ｏ(ＣＯ3）2 ・Ｈ2 Ｏ１７００ｇを得た。これを３
００℃で４時間焼成し、表２に示す特性の酸化第二セリ
ウムを得た。更にこれを８００℃で５時間再焼成し比表
面積の変化を求め、その値を表２に示す。
【００１７】比較例４ 実施例２で得た六角板状の炭酸セリウムの沈殿物を、加
湿加熱処理をせず、直接３００℃で４時間焼成し、表２
に示す特性の酸化第二セリウムを得て、実施例２と同様
の再焼成処理を行ない、表２の値に変化することが分っ
た。
湿加熱処理をせず、直接３００℃で４時間焼成し、表２
に示す特性の酸化第二セリウムを得て、実施例２と同様
の再焼成処理を行ない、表２の値に変化することが分っ
た。
【００１８】
【表２】
【００１９】実施例３ 実施例１と同様にして調製した六角板状の炭酸セリウム
の沈殿物を恒温恒湿器に入れ、６０℃、相対湿度９０％
において１２時間加湿乾燥処理を行ない、針状のモノオ
キシ炭酸セリウムＣｅ2 Ｏ(ＣＯ3 )2 ・３Ｈ2 Ｏ１８０
０ｇを得た。得られたモノオキシ炭酸セリウムを５００
℃で２時間焼成して得られた酸化第二セリウムの特性お
よび該酸化第二セリウムを８００℃で５時間再焼成した
際の比表面積を表３に示す。
の沈殿物を恒温恒湿器に入れ、６０℃、相対湿度９０％
において１２時間加湿乾燥処理を行ない、針状のモノオ
キシ炭酸セリウムＣｅ2 Ｏ(ＣＯ3 )2 ・３Ｈ2 Ｏ１８０
０ｇを得た。得られたモノオキシ炭酸セリウムを５００
℃で２時間焼成して得られた酸化第二セリウムの特性お
よび該酸化第二セリウムを８００℃で５時間再焼成した
際の比表面積を表３に示す。
【００２０】比較例５ 実施例１と同様にして調製した六角板状の炭酸セリウム
の沈殿物を恒温恒湿器に入れ、６０℃、相対湿度７０％
において１２時間加湿乾燥処理を行なったが、モノオキ
シ炭酸セリウムは得られず、六角板状の炭酸セリウムの
ままであった。この炭酸セリウムを５００℃で２時間焼
成して得られた酸化第二セリウムの特性および該酸化第
二セリウムを８００℃で５時間再焼成した際の比表面積
を表３に示す。
の沈殿物を恒温恒湿器に入れ、６０℃、相対湿度７０％
において１２時間加湿乾燥処理を行なったが、モノオキ
シ炭酸セリウムは得られず、六角板状の炭酸セリウムの
ままであった。この炭酸セリウムを５００℃で２時間焼
成して得られた酸化第二セリウムの特性および該酸化第
二セリウムを８００℃で５時間再焼成した際の比表面積
を表３に示す。
【００２１】
【表３】
【００２２】実施例４ 実施例２と同様にして調製した六角板状の炭酸セリウム
の沈殿物をスチームを導入した乾燥器に入れ、８５℃、
相対湿度８０％において８時間加湿乾燥処理を行ない、
針状のモノオキシ炭酸セリウム１７００ｇを得た。得ら
れたモノオキシ炭酸セリウムＣｅ2 Ｏ（ＣＯ3 ）2 ・Ｈ
2 Ｏを５００℃で２時間焼成して得られた酸化第二セリ
ウムの特性および酸化第二セリウムを８００℃で５時間
再焼成した際の比表面積を表４に示す。
の沈殿物をスチームを導入した乾燥器に入れ、８５℃、
相対湿度８０％において８時間加湿乾燥処理を行ない、
針状のモノオキシ炭酸セリウム１７００ｇを得た。得ら
れたモノオキシ炭酸セリウムＣｅ2 Ｏ（ＣＯ3 ）2 ・Ｈ
2 Ｏを５００℃で２時間焼成して得られた酸化第二セリ
ウムの特性および酸化第二セリウムを８００℃で５時間
再焼成した際の比表面積を表４に示す。
【００２３】比較例６ 実施例２と同様にして調製した六角板状の炭酸セリウム
の沈殿物をスチームを導入した乾燥器に入れ、８５℃、
相対湿度７０％において８時間加湿乾燥処理を行なった
が、モノオキシ炭酸セリウムは得られず、六角板状の炭
酸セリウムのままであった。この炭酸セリウムを５００
℃で２時間焼成して得られた酸化第二セリウムの特性お
よび該酸化第二セリウムを８００℃で５時間再焼成した
際の比表面積を表４に示す。
の沈殿物をスチームを導入した乾燥器に入れ、８５℃、
相対湿度７０％において８時間加湿乾燥処理を行なった
が、モノオキシ炭酸セリウムは得られず、六角板状の炭
酸セリウムのままであった。この炭酸セリウムを５００
℃で２時間焼成して得られた酸化第二セリウムの特性お
よび該酸化第二セリウムを８００℃で５時間再焼成した
際の比表面積を表４に示す。
【００２４】比較例７ 実施例２と同様にして調製した六角板状の炭酸セリウム
の沈殿物を底部に水を張ったバットを置いた乾燥器に入
れ、１１０℃、相対湿度８５％相当の水蒸気圧におい
て、８時間加湿乾燥処理を行なった。この際の主生成物
は六角板状と球状の塩基性炭酸セリウム塩で、この他に
２０％程度の未反応の六角板状を保った炭酸セリウムが
認められ、目的とするモノオキシ炭酸セリウムの生成量
は全体の５％程度であった。得られた混合物を５００℃
で２時間焼成して得られた酸化第二セリウムの特性およ
び該酸化第二セリウムを８００℃で５時間再焼成した際
の比表面積を表４に示す。
の沈殿物を底部に水を張ったバットを置いた乾燥器に入
れ、１１０℃、相対湿度８５％相当の水蒸気圧におい
て、８時間加湿乾燥処理を行なった。この際の主生成物
は六角板状と球状の塩基性炭酸セリウム塩で、この他に
２０％程度の未反応の六角板状を保った炭酸セリウムが
認められ、目的とするモノオキシ炭酸セリウムの生成量
は全体の５％程度であった。得られた混合物を５００℃
で２時間焼成して得られた酸化第二セリウムの特性およ
び該酸化第二セリウムを８００℃で５時間再焼成した際
の比表面積を表４に示す。
【００２５】
【表４】
【００２６】
【発明の効果】本発明にて得られる酸化第二セリウム
は、従来の酸化第二セリウムに比較して イ）大きな比表面積を有する ロ）高温度での比表面積の低下が少ない。 ハ）白色に近い色調を呈する。 等多くの効果がある。また、本発明の製造方法では、前
記の特性を有する本発明の酸化第二セリウムを再現性良
く、かつ容易に製造することができる。そのため、本発
明で得られる酸化第二セリウムは、排ガス清浄用触媒、
シリコーンゴムフィラー等のように耐熱安定性が要求さ
れる酸化第二セリウムに特に適する。
は、従来の酸化第二セリウムに比較して イ）大きな比表面積を有する ロ）高温度での比表面積の低下が少ない。 ハ）白色に近い色調を呈する。 等多くの効果がある。また、本発明の製造方法では、前
記の特性を有する本発明の酸化第二セリウムを再現性良
く、かつ容易に製造することができる。そのため、本発
明で得られる酸化第二セリウムは、排ガス清浄用触媒、
シリコーンゴムフィラー等のように耐熱安定性が要求さ
れる酸化第二セリウムに特に適する。
Claims (1)
- 【請求項１】 炭酸セリウムを相対湿度８０％以上の高
湿度下で、６０〜１００℃の温度範囲にて加湿加熱処理
を行ないモノオキシ炭酸セリウムにした後、焼成するこ
とを特徴とする酸化第二セリウムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22907293A JP3440505B2 (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 酸化第二セリウムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22907293A JP3440505B2 (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 酸化第二セリウムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0781932A true JPH0781932A (ja) | 1995-03-28 |
| JP3440505B2 JP3440505B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=16886305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22907293A Expired - Lifetime JP3440505B2 (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 酸化第二セリウムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3440505B2 (ja) |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1024164A1 (en) * | 1999-01-28 | 2000-08-02 | Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. | Silicone rubber composition |
| US6343976B1 (en) | 1997-12-18 | 2002-02-05 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing wafer, and method of producing semiconductor device |
| US6372003B1 (en) * | 1996-07-30 | 2002-04-16 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Polishing abrasive of crystalline ceric oxide particles having surfaces modified with hydroxyl groups |
| WO2002062917A1 (fr) * | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Mitsui Mining & Smelting Co.,Ltd. | Matiere abrasive a base de cerium et procede de preparation de celle-ci |
| WO2004037722A1 (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-06 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 酸化セリウム粒子及びその製造方法 |
| JP2006206870A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-08-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | セリウム系研摩材用原料及びセリウム系研摩材用原料の製造方法、並びに、セリウム系研摩材及びセリウム系研摩材の製造方法 |
| JP2007123921A (ja) * | 1997-12-18 | 2007-05-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤及びスラリー |
| JP2007129248A (ja) * | 1997-12-18 | 2007-05-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤及びスラリー |
| CN100337926C (zh) * | 2002-10-28 | 2007-09-19 | 日产化学工业株式会社 | 氧化铈粒子及其制造方法 |
| JP2008013689A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | セリウム系研摩材用原料およびセリウム系研摩材の製造方法並びにセリウム系研摩材 |
| JP2008515764A (ja) * | 2005-10-14 | 2008-05-15 | エルジー・ケム・リミテッド | Ｃｍｐスラリー用酸化セリウム粉末の製造方法及びこれを用いたｃｍｐ用スラリー組成物の製造方法 |
| JP2008260686A (ja) * | 2008-06-13 | 2008-10-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 塩基性炭酸セリウム |
| JP2009508795A (ja) * | 2005-09-20 | 2009-03-05 | エルジー・ケム・リミテッド | 炭酸セリウム粉末及び製法、これから製造された酸化セリウム粉末及び製法、これを含むｃｍｐスラリー |
| JP2009544559A (ja) * | 2006-07-28 | 2009-12-17 | エルジー・ケム・リミテッド | 酸化セリウム粉末、その製造方法及びこれを含むｃｍｐスラリー |
| JP2010030041A (ja) * | 2009-11-04 | 2010-02-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
| JP2010521405A (ja) * | 2007-03-16 | 2010-06-24 | エルジー・ケム・リミテッド | ウレアを用いた炭酸セリウム粉末の製造方法 |
| JP2010521406A (ja) * | 2007-03-16 | 2010-06-24 | エルジー・ケム・リミテッド | 炭酸セリウム粉末の製造方法 |
| JP2010526433A (ja) * | 2007-05-03 | 2010-07-29 | エルジー・ケム・リミテッド | 研磨材用酸化セリウム粉末及びこれを含むｃｍｐスラリー |
| JP2010195599A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Tohoku Univ | 板状セリア粒子の製造方法 |
| US8062547B2 (en) | 2005-06-03 | 2011-11-22 | K.C. Tech Co., Ltd. | CMP slurry, preparation method thereof and method of polishing substrate using the same |
| US8361419B2 (en) | 2005-09-20 | 2013-01-29 | Lg Chem, Ltd. | Cerium carbonate powder, method for preparing the same, cerium oxide powder made therefrom, method for preparing the same, and CMP slurry comprising the same |
| US8388710B2 (en) | 2005-01-26 | 2013-03-05 | Lg Chem, Ltd. | Cerium oxide powder, method for preparing the same, and CMP slurry comprising the same |
| WO2017199917A1 (ja) * | 2016-05-16 | 2017-11-23 | 日立化成株式会社 | 吸着剤及びその製造方法、二酸化炭素の除去方法、二酸化炭素除去器、並びに、空調装置 |
| US9975787B2 (en) | 2014-03-07 | 2018-05-22 | Secure Natural Resources Llc | Removal of arsenic from aqueous streams with cerium (IV) oxide compositions |
-
1993
- 1993-09-14 JP JP22907293A patent/JP3440505B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6372003B1 (en) * | 1996-07-30 | 2002-04-16 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Polishing abrasive of crystalline ceric oxide particles having surfaces modified with hydroxyl groups |
| US8137159B2 (en) | 1997-12-18 | 2012-03-20 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing target member and process for producing semiconductor device |
| US8162725B2 (en) | 1997-12-18 | 2012-04-24 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing target member and process for producing semiconductor device |
| US8616936B2 (en) | 1997-12-18 | 2013-12-31 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing target member and process for producing semiconductor device |
| US6343976B1 (en) | 1997-12-18 | 2002-02-05 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing wafer, and method of producing semiconductor device |
| US7963825B2 (en) | 1997-12-18 | 2011-06-21 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing target member and process for producing semiconductor device |
| JP2004153286A (ja) * | 1997-12-18 | 2004-05-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤 |
| US7871308B2 (en) | 1997-12-18 | 2011-01-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing target member and process for producing semiconductor device |
| JP2007129248A (ja) * | 1997-12-18 | 2007-05-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤及びスラリー |
| US7115021B2 (en) | 1997-12-18 | 2006-10-03 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing target member and process for producing semiconductor device |
| JP2007123921A (ja) * | 1997-12-18 | 2007-05-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤及びスラリー |
| EP1024164A1 (en) * | 1999-01-28 | 2000-08-02 | Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. | Silicone rubber composition |
| US6239205B1 (en) | 1999-01-28 | 2001-05-29 | Dow Corning Toray Silicone Co. | Silicone rubber composition |
| WO2002062917A1 (fr) * | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Mitsui Mining & Smelting Co.,Ltd. | Matiere abrasive a base de cerium et procede de preparation de celle-ci |
| US6843816B2 (en) | 2001-02-07 | 2005-01-18 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Cerium-based abrasive material and method for preparation thereof |
| US7431758B2 (en) | 2002-10-28 | 2008-10-07 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Cerium oxide particles and production method therefor |
| WO2004037722A1 (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-06 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 酸化セリウム粒子及びその製造方法 |
| CN100337926C (zh) * | 2002-10-28 | 2007-09-19 | 日产化学工业株式会社 | 氧化铈粒子及其制造方法 |
| JP2006206870A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-08-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | セリウム系研摩材用原料及びセリウム系研摩材用原料の製造方法、並びに、セリウム系研摩材及びセリウム系研摩材の製造方法 |
| US8388710B2 (en) | 2005-01-26 | 2013-03-05 | Lg Chem, Ltd. | Cerium oxide powder, method for preparing the same, and CMP slurry comprising the same |
| US8062547B2 (en) | 2005-06-03 | 2011-11-22 | K.C. Tech Co., Ltd. | CMP slurry, preparation method thereof and method of polishing substrate using the same |
| US8361419B2 (en) | 2005-09-20 | 2013-01-29 | Lg Chem, Ltd. | Cerium carbonate powder, method for preparing the same, cerium oxide powder made therefrom, method for preparing the same, and CMP slurry comprising the same |
| JP4917098B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2012-04-18 | エルジー・ケム・リミテッド | 炭酸セリウム粉末及び製法、これから製造された酸化セリウム粉末及び製法、これを含むｃｍｐスラリー |
| JP2009508795A (ja) * | 2005-09-20 | 2009-03-05 | エルジー・ケム・リミテッド | 炭酸セリウム粉末及び製法、これから製造された酸化セリウム粉末及び製法、これを含むｃｍｐスラリー |
| JP2008515764A (ja) * | 2005-10-14 | 2008-05-15 | エルジー・ケム・リミテッド | Ｃｍｐスラリー用酸化セリウム粉末の製造方法及びこれを用いたｃｍｐ用スラリー組成物の製造方法 |
| JP2008013689A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | セリウム系研摩材用原料およびセリウム系研摩材の製造方法並びにセリウム系研摩材 |
| US8372303B2 (en) | 2006-07-28 | 2013-02-12 | Lg Chem, Ltd. | Cerium oxide powder, method for preparing the same, and CMP slurry comprising the same |
| JP2009544559A (ja) * | 2006-07-28 | 2009-12-17 | エルジー・ケム・リミテッド | 酸化セリウム粉末、その製造方法及びこれを含むｃｍｐスラリー |
| JP2010521405A (ja) * | 2007-03-16 | 2010-06-24 | エルジー・ケム・リミテッド | ウレアを用いた炭酸セリウム粉末の製造方法 |
| JP2010521406A (ja) * | 2007-03-16 | 2010-06-24 | エルジー・ケム・リミテッド | 炭酸セリウム粉末の製造方法 |
| JP2010526433A (ja) * | 2007-05-03 | 2010-07-29 | エルジー・ケム・リミテッド | 研磨材用酸化セリウム粉末及びこれを含むｃｍｐスラリー |
| JP2008260686A (ja) * | 2008-06-13 | 2008-10-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 塩基性炭酸セリウム |
| JP2010195599A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Tohoku Univ | 板状セリア粒子の製造方法 |
| JP2010030041A (ja) * | 2009-11-04 | 2010-02-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
| US9975787B2 (en) | 2014-03-07 | 2018-05-22 | Secure Natural Resources Llc | Removal of arsenic from aqueous streams with cerium (IV) oxide compositions |
| US10577259B2 (en) | 2014-03-07 | 2020-03-03 | Secure Natural Resources Llc | Removal of arsenic from aqueous streams with cerium (IV) oxide compositions |
| WO2017199917A1 (ja) * | 2016-05-16 | 2017-11-23 | 日立化成株式会社 | 吸着剤及びその製造方法、二酸化炭素の除去方法、二酸化炭素除去器、並びに、空調装置 |
| CN109153004A (zh) * | 2016-05-16 | 2019-01-04 | 日立化成株式会社 | 吸附剂及其制造方法、二氧化碳的除去方法、二氧化碳除去器、以及空调装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3440505B2 (ja) | 2003-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0781932A (ja) | 酸化第二セリウムの製造方法 | |
| KR920000782B1 (ko) | 새로운 형태학적 특성을 갖는 산화세륨 및 이의 제조방법 | |
| EP1621251B1 (en) | Zirconia porous body and manufacturing method thereof | |
| US6030914A (en) | Zirconia fine powder and method for its production | |
| US5011673A (en) | Zirconium oxide powder | |
| JPS5913446B2 (ja) | 少なくとも部分的に超微細ベ−マイト形態にあるアルミナの製造法 | |
| DE3813731A1 (de) | Stabilisierte metalloxide | |
| JPH0672711A (ja) | 新規な形態的特徴を持つ酸化第二セリウムの製造方法 | |
| JPS62275022A (ja) | 新規な形態学的特徴を有する酸化第二セリウム | |
| KR19990071665A (ko) | 탄산칼슘 이산 입자의 제조방법 | |
| JP3381948B2 (ja) | 高活性酸化カルシウム多孔質体の製造方法 | |
| JP2794645B2 (ja) | 酸素吸収・放出能を有する酸化セリウム及びその製造法 | |
| JP3417490B2 (ja) | 酸化カルシウム多孔質粒状複合体及びその製造方法 | |
| US3948807A (en) | Oxide catalysts and process for preparation thereof | |
| Kaneko et al. | Synthesis of titania pillared mica in aqueous solution of acetic acid | |
| JPH08268716A (ja) | 擬ベ−マイト粉の粒径制御方法 | |
| CN109046439B (zh) | 一种高掺杂量高酸性位介孔氧化硅固体酸催化剂的合成方法 | |
| US5089247A (en) | Process for producing zirconium-doped pseudoboehmite | |
| US5252316A (en) | Zirconium oxide powder, process for its preparation and its use | |
| JP4061679B2 (ja) | ジルコニア微粉末及びその製造方法 | |
| EP0981498B1 (en) | Low temperature production of metal oxides | |
| EP0451958A1 (en) | Method for preparing zircon powder | |
| CN113000045A (zh) | 一种锰基催化剂及其制备方法和应用 | |
| JP3146578B2 (ja) | ジルコニア微粉末の製造法 | |
| Kobayashi et al. | Preparation and thermal stability of La 2 O 3–Al 2 O 3 aerogels from chemically modified Al-alkoxide |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120620 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120620 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130620 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140620 Year of fee payment: 11 |