JPH0770380B2 - 電子部品のニッケルメッキ方法 - Google Patents
電子部品のニッケルメッキ方法Info
- Publication number
- JPH0770380B2 JPH0770380B2 JP63088515A JP8851588A JPH0770380B2 JP H0770380 B2 JPH0770380 B2 JP H0770380B2 JP 63088515 A JP63088515 A JP 63088515A JP 8851588 A JP8851588 A JP 8851588A JP H0770380 B2 JPH0770380 B2 JP H0770380B2
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- nickel
- plating
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- electronic component
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、チップ型抵抗器又はチップ型コンデンサー等
の電子部品において、その絶縁基板に対して、電極端子
を形成する場合におけるニッケルメッキ方法に関するも
のである。
の電子部品において、その絶縁基板に対して、電極端子
を形成する場合におけるニッケルメッキ方法に関するも
のである。
一般に、第１図に示すようなチップ型抵抗器１における
両電極端子２は、第２図に示すように、当該チップ型抵
抗器１における絶縁基板３に、銀・パラジウムのペース
ト等の導電性膜４を塗着し、この導電性膜の表面にニッ
ケルメッキ層５をメッキにて形成し、次いで、このニッ
ケル層５の表面に、半田層６をメッキ等の手段によって
施すことによって形成されるものである。なお、前記図
中、符号７は抵抗膜、符号８は該抵抗膜７を被覆するガ
ラス膜である。
両電極端子２は、第２図に示すように、当該チップ型抵
抗器１における絶縁基板３に、銀・パラジウムのペース
ト等の導電性膜４を塗着し、この導電性膜の表面にニッ
ケルメッキ層５をメッキにて形成し、次いで、このニッ
ケル層５の表面に、半田層６をメッキ等の手段によって
施すことによって形成されるものである。なお、前記図
中、符号７は抵抗膜、符号８は該抵抗膜７を被覆するガ
ラス膜である。
そして、前記導電性膜４の表面にニッケルメッキ層５を
形成するには、いわゆるバレルメッキ法（メッキ浴中に
浸漬した籠体内に、絶縁基板に導電性膜を塗着した電子
部品の多数個を、金属の粒状体と一緒に入れ、籠体を回
転しながらメッキすること）が採用されており、このニ
ッケルのバレルメッキに際して、従来は、第１表のよう
に調整したメッキ浴を使用していた。
形成するには、いわゆるバレルメッキ法（メッキ浴中に
浸漬した籠体内に、絶縁基板に導電性膜を塗着した電子
部品の多数個を、金属の粒状体と一緒に入れ、籠体を回
転しながらメッキすること）が採用されており、このニ
ッケルのバレルメッキに際して、従来は、第１表のよう
に調整したメッキ浴を使用していた。
第１表 硫酸ニッケル・６水和物・・・200g/ 塩化ニッケル・６水和物・・・40g/ ホウ酸・・・・・・・・・・・35g/ PH値・・・・・・・・・・・4.0 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、本発明者が、前記した従来のメッキ浴中におい
てバレルメッキしたチップ型抵抗器の多数個を、切断し
てその切断面を顕微鏡で検査したところ、ニッケルメッ
キ層５中に、第２図に符号Ａで示すように、層状に剥離
亀裂が生じていたものが多数個あり、従来のバレルメッ
キ法では、そのニッケルメッキ層５中に、可成り高い率
で剥離亀裂が発生するのであった。
てバレルメッキしたチップ型抵抗器の多数個を、切断し
てその切断面を顕微鏡で検査したところ、ニッケルメッ
キ層５中に、第２図に符号Ａで示すように、層状に剥離
亀裂が生じていたものが多数個あり、従来のバレルメッ
キ法では、そのニッケルメッキ層５中に、可成り高い率
で剥離亀裂が発生するのであった。
本発明者は、このようにニッケルメッキ層５内に剥離亀
裂が発生する原因について考察したところ、ニッケルの
バレルメッキに際して、籠体内における電子部品の分布
密度は、籠体内に全域にわたって同じでなく、電子部品
の数が多い分布密度の高い領域と、電子部品の数が少な
い分布密度の低い領域とが存在し、分布密度が高い領域
では、電子部品に対する電流密度が低くてメッキの速度
が遅くなり、分布密度が低い領域では、電子部品に対す
る電流密度が高くてメッキの速度が早くなるものであ
る。一方、籠体における電子部品は、分布密度が高い領
域と、分布密度が低い領域との間を往復移動するもの
で、メッキの速度が早くなったり、遅くなったりするこ
とを頻繁に繰り返すことに起因するものであることが判
った。
裂が発生する原因について考察したところ、ニッケルの
バレルメッキに際して、籠体内における電子部品の分布
密度は、籠体内に全域にわたって同じでなく、電子部品
の数が多い分布密度の高い領域と、電子部品の数が少な
い分布密度の低い領域とが存在し、分布密度が高い領域
では、電子部品に対する電流密度が低くてメッキの速度
が遅くなり、分布密度が低い領域では、電子部品に対す
る電流密度が高くてメッキの速度が早くなるものであ
る。一方、籠体における電子部品は、分布密度が高い領
域と、分布密度が低い領域との間を往復移動するもの
で、メッキの速度が早くなったり、遅くなったりするこ
とを頻繁に繰り返すことに起因するものであることが判
った。
そこで、本発明者は、バレルメッキに際してニッケルメ
ッキ層５中に剥離亀裂が発生する率は、バレルメッキに
使用するメッキ浴におけるPH値、又は塩化ニッケル・６
水和物の濃度に関連があることを見出し、本発明を完成
するに至った。
ッキ層５中に剥離亀裂が発生する率は、バレルメッキに
使用するメッキ浴におけるPH値、又は塩化ニッケル・６
水和物の濃度に関連があることを見出し、本発明を完成
するに至った。
本発明における請求項１は、電子部品における絶縁基板
を塗着した導電性膜の表面に、ニッケルメッキ層を、PH
値を3.6〜2.2に調整したメッキ浴中においてバレルメッ
キ法にて形成することである。
を塗着した導電性膜の表面に、ニッケルメッキ層を、PH
値を3.6〜2.2に調整したメッキ浴中においてバレルメッ
キ法にて形成することである。
また、本発明における請求項２は、電子部品における絶
縁基板を塗着した導電性膜の表面に、ニッケルメッキ層
を、塩化ニッケル・６水和物の濃度を46〜90g/に調整
したメッキ浴中においてバレルメッキ法にて形成するこ
とである。
縁基板を塗着した導電性膜の表面に、ニッケルメッキ層
を、塩化ニッケル・６水和物の濃度を46〜90g/に調整
したメッキ浴中においてバレルメッキ法にて形成するこ
とである。
更にまた、前記した請求項１と前記した請求項２とを併
用した構成にしても良い（請求項３）。
用した構成にしても良い（請求項３）。
〔実施例１〕 本発明者は、液組成を前記した第１表と同様に、 硫酸ニッケル・６水和物・・・200g/ 塩化ニッケル・６水和物・・・40g/ ホウ酸・・・・・・・・・・・35g/ にしたメッキ浴を使用して、チップ型抵抗器１の絶縁器
板２における導電性膜４の表面に、バレルメッキ法にて
ニッケルメッキを施し、ニッケルメッキ層５における剥
離亀裂の発生率を測定することを23日間について行う場
合において、第１日目から第８日目までの間を、PG値を
従来と同じの4.0に調整したメッキ浴で行い、第９日目
が第17日目までの間を、PH値を3.6に調整したメッキ浴
で行い、そして、第18日目から第23日目までの間を、PH
値を3.4に調整したメッキ浴で行った。
板２における導電性膜４の表面に、バレルメッキ法にて
ニッケルメッキを施し、ニッケルメッキ層５における剥
離亀裂の発生率を測定することを23日間について行う場
合において、第１日目から第８日目までの間を、PG値を
従来と同じの4.0に調整したメッキ浴で行い、第９日目
が第17日目までの間を、PH値を3.6に調整したメッキ浴
で行い、そして、第18日目から第23日目までの間を、PH
値を3.4に調整したメッキ浴で行った。
その結果は、第３図に示す通り、PH値を3.6以下にする
ことによって、剥離亀裂の発生率を著しく下げることが
できるのであった。
ことによって、剥離亀裂の発生率を著しく下げることが
できるのであった。
また、本発明者は、前記した第１表と同じ液組成にした
メッキ浴において、そのPH値を種々変えた場合における
剥離亀裂の発生率を測定する実験を行ったところ、その
結果は、第４図に示す通りで、メッキ浴におけるPH値
を、3.6以下に下げることにより、剥離亀裂の発生率を
大幅に低減できるのであった。
メッキ浴において、そのPH値を種々変えた場合における
剥離亀裂の発生率を測定する実験を行ったところ、その
結果は、第４図に示す通りで、メッキ浴におけるPH値
を、3.6以下に下げることにより、剥離亀裂の発生率を
大幅に低減できるのであった。
しかし、メッキ浴におけるPH値を、2.2未満に下げる
と、ニッケルメッキ層が硬くなると共に、ニッケルメッ
キ層にビット（ピンホール）が発生する率が急激に増加
する現象が認められたことから、チップ型抵抗器１の絶
縁器板２における導電性膜５の表面にバレルメッキ法に
てニッケルメッキを施行する場合におけるメッキ浴とし
ては、そのPH値を3.6〜2.2に調整すべきあることが判っ
た。
と、ニッケルメッキ層が硬くなると共に、ニッケルメッ
キ層にビット（ピンホール）が発生する率が急激に増加
する現象が認められたことから、チップ型抵抗器１の絶
縁器板２における導電性膜５の表面にバレルメッキ法に
てニッケルメッキを施行する場合におけるメッキ浴とし
ては、そのPH値を3.6〜2.2に調整すべきあることが判っ
た。
なお、PH値を下げることで剥離亀裂の発生率を低減でき
た理由としては、メッキ浴における導電性が、そのPH値
を下げることで良くなることにより、前記のように分布
密度が高い領域におけるチップ型抵抗器に対する電流密
度と、分布密度が低い領域におけるチップ型抵抗器に対
する電流密度との差を、小さくできたものであると考え
られる。
た理由としては、メッキ浴における導電性が、そのPH値
を下げることで良くなることにより、前記のように分布
密度が高い領域におけるチップ型抵抗器に対する電流密
度と、分布密度が低い領域におけるチップ型抵抗器に対
する電流密度との差を、小さくできたものであると考え
られる。
〔実施例２〕 また、本発明者は、硫酸ニッケル・６水和物の濃度を20
0g/に、ホウ酸の濃度を35g/に、そして、PH値を4.0
にしたメッキ浴において、その塩化ニッケル・６水和物
の濃度を変えた場合において、剥離亀裂の発生率を測定
する実験を行ったところ、その結果は、第５図に示す通
りで、塩化ニッケル６水和物の濃度を、46g/以上にす
ることにより、剥離亀裂の発生率を大幅に低減できるの
であった。
0g/に、ホウ酸の濃度を35g/に、そして、PH値を4.0
にしたメッキ浴において、その塩化ニッケル・６水和物
の濃度を変えた場合において、剥離亀裂の発生率を測定
する実験を行ったところ、その結果は、第５図に示す通
りで、塩化ニッケル６水和物の濃度を、46g/以上にす
ることにより、剥離亀裂の発生率を大幅に低減できるの
であった。
しかし、塩化ニッケル・６水和物の濃度が、90g/を越
えると、ニッケルメッキ層が硬くなると共に、ニッケル
メッキ層中への金属不純物の混入が急速に増大するの
で、好ましくなかった。
えると、ニッケルメッキ層が硬くなると共に、ニッケル
メッキ層中への金属不純物の混入が急速に増大するの
で、好ましくなかった。
なお、塩化ニッケル・６水和物の濃度を高くすることで
剥離亀裂の発生率を低減できた理由としては、前記PH値
の場合と同様に、メッキ浴における導電性が、塩化ニッ
ケル・６水和物の濃度を高くすることで良くなることに
より、分布密度が高い領域におけるチップ型抵抗器に対
する電流密度と、分布密度が低い領域におけるチップ型
抵抗器に対する電流密度との差を、小さくできたもので
あると考えられる。
剥離亀裂の発生率を低減できた理由としては、前記PH値
の場合と同様に、メッキ浴における導電性が、塩化ニッ
ケル・６水和物の濃度を高くすることで良くなることに
より、分布密度が高い領域におけるチップ型抵抗器に対
する電流密度と、分布密度が低い領域におけるチップ型
抵抗器に対する電流密度との差を、小さくできたもので
あると考えられる。
〔実施例３〕 更にまた、本発明者は、硫酸ニッケル・６水和物の濃度
を200g/に、塩化ニッケル・６水和物の濃度を50g/
に、ホウ酸の濃度を35g/にし、そして、PH値を3.0に
調整したメッキ浴（前記実施例１と、実施例２とを併用
した場合）を使用してバレルメッキすることを、20日間
について行い、各日ごとにおける剥離亀裂の発生率を測
定した結果は、第６図に示す通りで、剥離亀裂の発生率
を、前記実施例１及び実施例２の場合よりも更に低減で
きるのであった。
を200g/に、塩化ニッケル・６水和物の濃度を50g/
に、ホウ酸の濃度を35g/にし、そして、PH値を3.0に
調整したメッキ浴（前記実施例１と、実施例２とを併用
した場合）を使用してバレルメッキすることを、20日間
について行い、各日ごとにおける剥離亀裂の発生率を測
定した結果は、第６図に示す通りで、剥離亀裂の発生率
を、前記実施例１及び実施例２の場合よりも更に低減で
きるのであった。
以上の通り本発明における請求項１及び請求項２による
と、電子部品の絶縁基板に塗着した導電性膜の表面に、
ニッケルメッキ層を、バレルメッキ法によって形成する
場合において、前記ニッケルメッキ層中に剥離亀裂が発
生することを低減できるから、電子部品の品質の向上を
図ることができる。
と、電子部品の絶縁基板に塗着した導電性膜の表面に、
ニッケルメッキ層を、バレルメッキ法によって形成する
場合において、前記ニッケルメッキ層中に剥離亀裂が発
生することを低減できるから、電子部品の品質の向上を
図ることができる。
また、本発明における請求項３によると、前記した請求
項１及び請求項２の効果を更に助長することができる。
項１及び請求項２の効果を更に助長することができる。
第１図はチップ型抵抗器の斜視図、第２図は第１図のII
−II視拡大断面図、第３図及び第４図は実施例１の結果
を示す図、第５図は実施例２の結果を示す図、第６図は
実施例３の結果を示す図である。 １……チップ型抵抗器、２……電極端子、３……絶縁基
板、４……導電性膜、５……ニッケルメッキ層。
−II視拡大断面図、第３図及び第４図は実施例１の結果
を示す図、第５図は実施例２の結果を示す図、第６図は
実施例３の結果を示す図である。 １……チップ型抵抗器、２……電極端子、３……絶縁基
板、４……導電性膜、５……ニッケルメッキ層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｇ 13/00 ３９１ Ｂ 9174−5Ｅ Ｈ０５Ｋ 3/24 Ａ 7511−4Ｅ
Claims (3)
- 【請求項１】電子部品における絶縁基板に塗着した導電
性膜の表面に、ニッケルメッキ層を、PH値を3.6〜2.2に
調整したメッキ浴中においてバレルメッキ法にて形成す
ることを特徴とする電子部品のニッケルメッキ方法。 - 【請求項２】電子部品における絶縁基板に塗着した導電
性膜の表面に、ニッケルメッキ層を、塩化ニッケル・６
水和物の濃度を46〜90g/に調整したメッキ浴中におい
てバレルメッキ法にて形成することを特徴とする電子部
品のニッケルメッキ方法。 - 【請求項３】電子部品における絶縁基板に塗着した導電
性膜の表面に、ニッケルメッキ層を、PH値を3.6〜2.2に
調整すると共に塩化ニッケル・６水和物の濃度を46〜90
g/に調整したメッキ浴中においてバレルメッキ法にて
形成することを特徴とする電子部品のニッケルメッキ方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63088515A JPH0770380B2 (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 電子部品のニッケルメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63088515A JPH0770380B2 (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 電子部品のニッケルメッキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01259506A JPH01259506A (ja) | 1989-10-17 |
| JPH0770380B2 true JPH0770380B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=13944964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63088515A Expired - Fee Related JPH0770380B2 (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 電子部品のニッケルメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770380B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5614074A (en) * | 1994-12-09 | 1997-03-25 | Harris Corporation | Zinc phosphate coating for varistor and method |
| ATE195198T1 (de) * | 1996-05-09 | 2000-08-15 | Littlefuse Inc | Zink-phosphatbeschichtung für varistor und verfahren zur herstellung |
| JP4645114B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2011-03-09 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-11 JP JP63088515A patent/JPH0770380B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01259506A (ja) | 1989-10-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |