JPH01259506A - 電子部品のニッケルメッキ方法 - Google Patents
電子部品のニッケルメッキ方法Info
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- JPH01259506A JPH01259506A JP63088515A JP8851588A JPH01259506A JP H01259506 A JPH01259506 A JP H01259506A JP 63088515 A JP63088515 A JP 63088515A JP 8851588 A JP8851588 A JP 8851588A JP H01259506 A JPH01259506 A JP H01259506A
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、チップ型抵抗器又はチップ型コンデンサー等
の電子部品において、その絶縁基板に対して、電極端子
を形成する場合におけるニッケルメッキ方法に関するも
のである。
の電子部品において、その絶縁基板に対して、電極端子
を形成する場合におけるニッケルメッキ方法に関するも
のである。
一般に、第１図に示すようなチップ型抵抗器１における
画電極端子２は、第２図に示すように、当該チップ型抵
抗器１における絶縁基板３に、銀・パラジウムのペース
ト等の導電性膜４を塗着し、この導電性膜の表面にニッ
ケルメッキ層５をメッキにて形成し、次いで、このニッ
ケル層５の表面に、半田層６をメッキ等の手段によって
施すことによって形成されるものである。なお、前記図
中、符号７は抵抗膜、符号８は該抵抗膜７を被覆するガ
ラス膜である。
画電極端子２は、第２図に示すように、当該チップ型抵
抗器１における絶縁基板３に、銀・パラジウムのペース
ト等の導電性膜４を塗着し、この導電性膜の表面にニッ
ケルメッキ層５をメッキにて形成し、次いで、このニッ
ケル層５の表面に、半田層６をメッキ等の手段によって
施すことによって形成されるものである。なお、前記図
中、符号７は抵抗膜、符号８は該抵抗膜７を被覆するガ
ラス膜である。
そして、前記導電性膜４の表面にニッケルメッキ層５を
形成するには、いわゆるバレルメッキ法（メッキ浴中に
浸漬した籠体内に、絶縁基板に導電性膜を塗着した電子
部品の多数個を、金属の粒状体と一緒に入れ、箱体を回
転しながらメッキすること）が採用されており、このニ
ッケルのバレルメッキに際して、従来は、第１表のよう
に調整したメッキ浴を使用していた。
形成するには、いわゆるバレルメッキ法（メッキ浴中に
浸漬した籠体内に、絶縁基板に導電性膜を塗着した電子
部品の多数個を、金属の粒状体と一緒に入れ、箱体を回
転しながらメッキすること）が採用されており、このニ
ッケルのバレルメッキに際して、従来は、第１表のよう
に調整したメッキ浴を使用していた。
第１表
硫酸ニッケル・６水和物・・・２００ ｇ／ｌ塩化ニッ
ケル・６水和物・・・４０ｇ／βホウ酸・・・・・・・
・・・３５ ｇ ／ ＩＰＨ値・・・・・・・・・・４
．０ 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、本発明者が、前記した従来のメッキ浴中におい
てバレルメッキしたチップ型抵抗器の多数個を、切断し
てその切断面を顕微鏡で検査したところ、ニッケルメッ
キ層５中に、第２図に符号Ａで示すように、層状に剥離
亀裂が生じていたものが多数個あり、従来のバレルメッ
キ法では、そのニッケルメッキ層５中に、可成り高い率
で剥離亀裂が発生するのであった。
ケル・６水和物・・・４０ｇ／βホウ酸・・・・・・・
・・・３５ ｇ ／ ＩＰＨ値・・・・・・・・・・４
．０ 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、本発明者が、前記した従来のメッキ浴中におい
てバレルメッキしたチップ型抵抗器の多数個を、切断し
てその切断面を顕微鏡で検査したところ、ニッケルメッ
キ層５中に、第２図に符号Ａで示すように、層状に剥離
亀裂が生じていたものが多数個あり、従来のバレルメッ
キ法では、そのニッケルメッキ層５中に、可成り高い率
で剥離亀裂が発生するのであった。
本発明者は、このようにニッケルメッキＮ５内に剥離亀
裂が発生する原因について考察した′ｒ−二ろ、ニッケ
ルのバレルメッキに際して、箱体内における電子部品の
分布密度は、箱体内に全域にわたって同じでなく、電子
部品の数が多い分布密度の高い領域と、電子部品の数が
少ない分布密度の低い領域とが存在し、分布密度が高い
領域では、電子部品に対する電流密度が低くてメッキの
速度が遅くなり、分布密度が低い領域では、電子部品に
対する電流密度が高くてメッキの速度が早くなるもので
ある。一方、箱体における電子部品は、分布密度が高い
領域と、分布密度が低い領域との間を往復移動するもの
で、メッキの速度が早くなったり、遅くなったりするこ
とを頻繁に繰り返すことに起因するものであることが判
った。
裂が発生する原因について考察した′ｒ−二ろ、ニッケ
ルのバレルメッキに際して、箱体内における電子部品の
分布密度は、箱体内に全域にわたって同じでなく、電子
部品の数が多い分布密度の高い領域と、電子部品の数が
少ない分布密度の低い領域とが存在し、分布密度が高い
領域では、電子部品に対する電流密度が低くてメッキの
速度が遅くなり、分布密度が低い領域では、電子部品に
対する電流密度が高くてメッキの速度が早くなるもので
ある。一方、箱体における電子部品は、分布密度が高い
領域と、分布密度が低い領域との間を往復移動するもの
で、メッキの速度が早くなったり、遅くなったりするこ
とを頻繁に繰り返すことに起因するものであることが判
った。
そこで、本発明者は、バレルメッキに際してニッケルメ
ッキ層５中に剥離亀裂が発生する率は、バレルメッキに
使用するメッキ浴におけるＰ Ｈ値、又は塩化ニッケル
・６水和物の濃度に関連があることを見出し、本発明を
完成するに至った。
ッキ層５中に剥離亀裂が発生する率は、バレルメッキに
使用するメッキ浴におけるＰ Ｈ値、又は塩化ニッケル
・６水和物の濃度に関連があることを見出し、本発明を
完成するに至った。
本発明における請求項１は、電子部品における絶縁基板
に塗着した導電性膜の表面に、ニッケルメッキ層を、Ｐ
Ｈ値を３．６〜２．２に調整したメッキ浴中においてバ
レルメッキ法にて形成することである。
に塗着した導電性膜の表面に、ニッケルメッキ層を、Ｐ
Ｈ値を３．６〜２．２に調整したメッキ浴中においてバ
レルメッキ法にて形成することである。
また、本発明における請求項２は、電子部品における絶
縁基板に塗着した導電性膜の表面に、ニッケルメッキ層
を、塩化ニッケル・６水和物の濃度を４６〜９０ｇ／＃
に調整したメッキ浴中においてバレルメッキ法にて形成
することである。
縁基板に塗着した導電性膜の表面に、ニッケルメッキ層
を、塩化ニッケル・６水和物の濃度を４６〜９０ｇ／＃
に調整したメッキ浴中においてバレルメッキ法にて形成
することである。
更にまた、前記した請求項１と前記した請求項２とを併
用した構成にしても良い（請求項３）。
用した構成にしても良い（請求項３）。
〔実施例１〕
本発明者は、液組成を前記した第１表と同様に、硫酸ニ
ケル・６水和物・・・２００ｇ／ｌ塩化ニッケル・６水
和物・・・４０ ｇ／１２ホウ酸・・・・・・・・・・
３５ｇ／βにしたメッキ浴を使用して、チップ型抵抗器
１の絶縁器板２における導電性１５ｆ４の表面に、バレ
ルメッキ法にてニッケルメッキを施し、ニッケルメンキ
層５における剥離亀裂の発生率を測定することを２３日
間について行う場合において、第１８目から第８日日ま
での間を、ＰＨ値を従来と同じの４．０に調整したメッ
キ浴で行い、第９日日から第１７日日までの間を、ＰＨ
値を３．６に調整したメッキ浴で行い、そして、第１８
日日から第２３日日までの間を、ＰＨ値を３．４に調整
したメッキ浴で行った。
ケル・６水和物・・・２００ｇ／ｌ塩化ニッケル・６水
和物・・・４０ ｇ／１２ホウ酸・・・・・・・・・・
３５ｇ／βにしたメッキ浴を使用して、チップ型抵抗器
１の絶縁器板２における導電性１５ｆ４の表面に、バレ
ルメッキ法にてニッケルメッキを施し、ニッケルメンキ
層５における剥離亀裂の発生率を測定することを２３日
間について行う場合において、第１８目から第８日日ま
での間を、ＰＨ値を従来と同じの４．０に調整したメッ
キ浴で行い、第９日日から第１７日日までの間を、ＰＨ
値を３．６に調整したメッキ浴で行い、そして、第１８
日日から第２３日日までの間を、ＰＨ値を３．４に調整
したメッキ浴で行った。
その結果は、第３図に示す通り、ＰＨ値を３゜６以下に
することによって、剥離亀裂の発生率を著しく下げるこ
とができるのであった。
することによって、剥離亀裂の発生率を著しく下げるこ
とができるのであった。
また、本発明者は、前記した第１表と同じ液組成にした
メッキ浴において、そのＰＨ値を種々変えた場合におけ
る剥離亀裂の発生率を測定する実験を行ったところ、そ
の結果は、第４図に示す通りで、メッキ浴におけるＰＨ
値を、３．６以下に下げることにより、剥離亀裂の発生
率を大幅に低減できるのであった。
メッキ浴において、そのＰＨ値を種々変えた場合におけ
る剥離亀裂の発生率を測定する実験を行ったところ、そ
の結果は、第４図に示す通りで、メッキ浴におけるＰＨ
値を、３．６以下に下げることにより、剥離亀裂の発生
率を大幅に低減できるのであった。
しかし、メッキ浴におけるＰＨ値を、２．２未満に下げ
ると、ニッケルメッキ層が硬くなると共に、ニッケルメ
ッキ層にビット（ピンホール）が発生する率が急激に増
加する現象が認められたことから、チップ型抵抗器１の
絶縁器板２における導電性膜５の表面にバレルメッキ法
にてニッケルメッキを施行する場合におけるメッキ浴と
しては、そのＰＨ値を３．６〜２．２に調整すべきある
ことが判った。
ると、ニッケルメッキ層が硬くなると共に、ニッケルメ
ッキ層にビット（ピンホール）が発生する率が急激に増
加する現象が認められたことから、チップ型抵抗器１の
絶縁器板２における導電性膜５の表面にバレルメッキ法
にてニッケルメッキを施行する場合におけるメッキ浴と
しては、そのＰＨ値を３．６〜２．２に調整すべきある
ことが判った。
なお、Ｐ Ｈ値を下げることで剥離亀裂の発生率を低減
できた理由としては、メッキ浴における導電性が、その
ＰＨ値を下げることで良くなることにより、前記のよう
に分布密度が高い領域におけるチップ型抵抗器に対する
電流密度と、分布密度が低い領域におけるチップ型抵抗
器に対する電流密度との差を、小さくできたものである
と考えられる。
できた理由としては、メッキ浴における導電性が、その
ＰＨ値を下げることで良くなることにより、前記のよう
に分布密度が高い領域におけるチップ型抵抗器に対する
電流密度と、分布密度が低い領域におけるチップ型抵抗
器に対する電流密度との差を、小さくできたものである
と考えられる。
〔実施例２〕
また、本発明者は、硫酸ニッケル・６水和物のｚ１度を
２００ｇ／！！に、ホウ酸の濃度を３５ｇ／ｌに、そし
て、ＰＨ値を４．０にしたメ・・キ浴において、その塩
化ニッケル・６水和物の濃度を変えた場合において、ヱ
１団ｕ亀裂の発生率を測定する実験を行ったところ、そ
の結果は、第５図に示す通りで、塩化ニッケル６水和物
の濃度を、４６ｇ／１以上にすることにより、剥離亀裂
の発生率を大幅に低減できるのであった。
２００ｇ／！！に、ホウ酸の濃度を３５ｇ／ｌに、そし
て、ＰＨ値を４．０にしたメ・・キ浴において、その塩
化ニッケル・６水和物の濃度を変えた場合において、ヱ
１団ｕ亀裂の発生率を測定する実験を行ったところ、そ
の結果は、第５図に示す通りで、塩化ニッケル６水和物
の濃度を、４６ｇ／１以上にすることにより、剥離亀裂
の発生率を大幅に低減できるのであった。
しかし、塩化ニッケル・６水和物の濃度が、９０ｇ／ｌ
を越えると、ニッケルメッキ層が硬くなると共に、ニッ
ケルメッキ層中への金属不純物の混入が急速に増大する
ので、好ましくなかった。
を越えると、ニッケルメッキ層が硬くなると共に、ニッ
ケルメッキ層中への金属不純物の混入が急速に増大する
ので、好ましくなかった。
なお、塩化ニッケル・６水和物の濃度を高くすることで
剥離亀裂の発生率を低減できた理由としては、前記Ｐ
Ｈ値の場合と同様に、メッキ浴における導電性が、塩化
ニッケル・６水和物の濃度を高（することで良くなるこ
とにより、分布密度が高い領域におけるチップ型抵抗器
に対する電流密度と、分布密度が低い領域におけるチッ
プ型抵抗器に対する電流密度との差を、小さくできたも
のであると考えられる。
剥離亀裂の発生率を低減できた理由としては、前記Ｐ
Ｈ値の場合と同様に、メッキ浴における導電性が、塩化
ニッケル・６水和物の濃度を高（することで良くなるこ
とにより、分布密度が高い領域におけるチップ型抵抗器
に対する電流密度と、分布密度が低い領域におけるチッ
プ型抵抗器に対する電流密度との差を、小さくできたも
のであると考えられる。
〔実施例３〕
更にまた、本発明者は、硫酸ニッケル・６水和物の濃度
を２００ ｇ／ ｌに、塩化ニッケル・６水和物の濃度
を５０ ｇ ／ １に、ホウ酸の濃度を３５ｇ／ｌにし
、そして、ＰＨ値を３．０に調整したメッキ浴（前記実
施例１と、実施例２とを併用した場合）を使用してバレ
ルメッキすることを、２０日間について行い、各日ごと
における剥離亀裂の発生率を測定した結果は、第６図に
示す通りで、剥離亀裂の発生率を、前記実施例１及び実
施例２の場合よりも更に低減できるのであった。
を２００ ｇ／ ｌに、塩化ニッケル・６水和物の濃度
を５０ ｇ ／ １に、ホウ酸の濃度を３５ｇ／ｌにし
、そして、ＰＨ値を３．０に調整したメッキ浴（前記実
施例１と、実施例２とを併用した場合）を使用してバレ
ルメッキすることを、２０日間について行い、各日ごと
における剥離亀裂の発生率を測定した結果は、第６図に
示す通りで、剥離亀裂の発生率を、前記実施例１及び実
施例２の場合よりも更に低減できるのであった。
以上の通り本発明における請求項１及び請求項２による
と、電子部品の絶縁基板に塗着した導電性膜の表面に、
ニッケルメッキ層を、バレルメッキ法によって形成する
場合において、前記ニッケルメッキ層中に剥離亀裂が発
生することを低減できるから、電子部品の品質の向上を
図ることができる。
と、電子部品の絶縁基板に塗着した導電性膜の表面に、
ニッケルメッキ層を、バレルメッキ法によって形成する
場合において、前記ニッケルメッキ層中に剥離亀裂が発
生することを低減できるから、電子部品の品質の向上を
図ることができる。
また、本発明における請求項３によると、前記した請求
項１及び請求項２の効果を更に助長することができる。
項１及び請求項２の効果を更に助長することができる。
第１図はチップ型抵抗器の斜視図、第２図は第１図のｎ
−ｎ視拡大断面図、第３図及び第４図は実施例１の結果
を示す図、第５図は実施例２の結果を示す図、第６図は
実施例３の結果を示す図である。 ■・・・・チップ型抵抗器、２・・・・電極端子、３・
・・・絶縁基板、４・・・・導電性膜、５・・・・ニッ
ケルメッキ層。
−ｎ視拡大断面図、第３図及び第４図は実施例１の結果
を示す図、第５図は実施例２の結果を示す図、第６図は
実施例３の結果を示す図である。 ■・・・・チップ型抵抗器、２・・・・電極端子、３・
・・・絶縁基板、４・・・・導電性膜、５・・・・ニッ
ケルメッキ層。
Claims (3)
- （１）．電子部品における絶縁基板に塗着した導電性膜
の表面に、ニッケルメッキ層を、ＰＨ値を３．６〜２．
２に調整したメッキ浴中においてバレルメッキ法にて形
成することを特徴とする電子部品のニッケルメッキ方法
。 - （２）．電子部品における絶縁基板に塗着した導電性膜
の表面に、ニッケルメッキ層を、塩化ニケッル・６水和
物の濃度を４６〜９０ｇ／ｌに調整したメッキ浴中にお
いてバレルメッキ法にて形成することを特徴とする電子
部品のニッケルメッキ方法。 - （３）．電子部品における絶縁基板に塗着した導電性膜
の表面に、ニッケルメッキ層を、ＰＨ値を３．６〜２．
２に調整すると共に塩化ニッケル・６水和物の濃度を４
６〜９０ｇ／ｌに調整したメッキ浴中においてバレルメ
ッキ法にて形成することを特徴とする電子部品のニッケ
ルメッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63088515A JPH0770380B2 (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 電子部品のニッケルメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63088515A JPH0770380B2 (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 電子部品のニッケルメッキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01259506A true JPH01259506A (ja) | 1989-10-17 |
| JPH0770380B2 JPH0770380B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=13944964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63088515A Expired - Fee Related JPH0770380B2 (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 電子部品のニッケルメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770380B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0716429A3 (en) * | 1994-12-09 | 1997-01-22 | Harris Corp | Zinc phosphate coating for varistor and manufacturing method |
| EP0806780A1 (en) * | 1996-05-09 | 1997-11-12 | Harris Corporation | Zinc phosphate coating for varistor and method |
| JP2006093271A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Toppan Printing Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-11 JP JP63088515A patent/JPH0770380B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0716429A3 (en) * | 1994-12-09 | 1997-01-22 | Harris Corp | Zinc phosphate coating for varistor and manufacturing method |
| US5757263A (en) * | 1994-12-09 | 1998-05-26 | Harris Corporation | Zinc phosphate coating for varistor |
| EP0806780A1 (en) * | 1996-05-09 | 1997-11-12 | Harris Corporation | Zinc phosphate coating for varistor and method |
| JP2006093271A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Toppan Printing Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
| JP4645114B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2011-03-09 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770380B2 (ja) | 1995-07-31 |
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