JPH01259506A - 電子部品のニッケルメッキ方法 - Google Patents
電子部品のニッケルメッキ方法Info
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- JPH01259506A JPH01259506A JP63088515A JP8851588A JPH01259506A JP H01259506 A JPH01259506 A JP H01259506A JP 63088515 A JP63088515 A JP 63088515A JP 8851588 A JP8851588 A JP 8851588A JP H01259506 A JPH01259506 A JP H01259506A
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、チップ型抵抗器又はチップ型コンデンサー等
の電子部品において、その絶縁基板に対して、電極端子
を形成する場合におけるニッケルメッキ方法に関するも
のである。
の電子部品において、その絶縁基板に対して、電極端子
を形成する場合におけるニッケルメッキ方法に関するも
のである。
一般に、第1図に示すようなチップ型抵抗器1における
画電極端子2は、第2図に示すように、当該チップ型抵
抗器1における絶縁基板3に、銀・パラジウムのペース
ト等の導電性膜4を塗着し、この導電性膜の表面にニッ
ケルメッキ層5をメッキにて形成し、次いで、このニッ
ケル層5の表面に、半田層6をメッキ等の手段によって
施すことによって形成されるものである。なお、前記図
中、符号7は抵抗膜、符号8は該抵抗膜7を被覆するガ
ラス膜である。
画電極端子2は、第2図に示すように、当該チップ型抵
抗器1における絶縁基板3に、銀・パラジウムのペース
ト等の導電性膜4を塗着し、この導電性膜の表面にニッ
ケルメッキ層5をメッキにて形成し、次いで、このニッ
ケル層5の表面に、半田層6をメッキ等の手段によって
施すことによって形成されるものである。なお、前記図
中、符号7は抵抗膜、符号8は該抵抗膜7を被覆するガ
ラス膜である。
そして、前記導電性膜4の表面にニッケルメッキ層5を
形成するには、いわゆるバレルメッキ法(メッキ浴中に
浸漬した籠体内に、絶縁基板に導電性膜を塗着した電子
部品の多数個を、金属の粒状体と一緒に入れ、箱体を回
転しながらメッキすること)が採用されており、このニ
ッケルのバレルメッキに際して、従来は、第1表のよう
に調整したメッキ浴を使用していた。
形成するには、いわゆるバレルメッキ法(メッキ浴中に
浸漬した籠体内に、絶縁基板に導電性膜を塗着した電子
部品の多数個を、金属の粒状体と一緒に入れ、箱体を回
転しながらメッキすること)が採用されており、このニ
ッケルのバレルメッキに際して、従来は、第1表のよう
に調整したメッキ浴を使用していた。
第1表
硫酸ニッケル・6水和物・・・200 g/l塩化ニッ
ケル・6水和物・・・40g/βホウ酸・・・・・・・
・・・35 g / IPH値・・・・・・・・・・4
.0 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、本発明者が、前記した従来のメッキ浴中におい
てバレルメッキしたチップ型抵抗器の多数個を、切断し
てその切断面を顕微鏡で検査したところ、ニッケルメッ
キ層5中に、第2図に符号Aで示すように、層状に剥離
亀裂が生じていたものが多数個あり、従来のバレルメッ
キ法では、そのニッケルメッキ層5中に、可成り高い率
で剥離亀裂が発生するのであった。
ケル・6水和物・・・40g/βホウ酸・・・・・・・
・・・35 g / IPH値・・・・・・・・・・4
.0 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、本発明者が、前記した従来のメッキ浴中におい
てバレルメッキしたチップ型抵抗器の多数個を、切断し
てその切断面を顕微鏡で検査したところ、ニッケルメッ
キ層5中に、第2図に符号Aで示すように、層状に剥離
亀裂が生じていたものが多数個あり、従来のバレルメッ
キ法では、そのニッケルメッキ層5中に、可成り高い率
で剥離亀裂が発生するのであった。
本発明者は、このようにニッケルメッキN5内に剥離亀
裂が発生する原因について考察した′r−二ろ、ニッケ
ルのバレルメッキに際して、箱体内における電子部品の
分布密度は、箱体内に全域にわたって同じでなく、電子
部品の数が多い分布密度の高い領域と、電子部品の数が
少ない分布密度の低い領域とが存在し、分布密度が高い
領域では、電子部品に対する電流密度が低くてメッキの
速度が遅くなり、分布密度が低い領域では、電子部品に
対する電流密度が高くてメッキの速度が早くなるもので
ある。一方、箱体における電子部品は、分布密度が高い
領域と、分布密度が低い領域との間を往復移動するもの
で、メッキの速度が早くなったり、遅くなったりするこ
とを頻繁に繰り返すことに起因するものであることが判
った。
裂が発生する原因について考察した′r−二ろ、ニッケ
ルのバレルメッキに際して、箱体内における電子部品の
分布密度は、箱体内に全域にわたって同じでなく、電子
部品の数が多い分布密度の高い領域と、電子部品の数が
少ない分布密度の低い領域とが存在し、分布密度が高い
領域では、電子部品に対する電流密度が低くてメッキの
速度が遅くなり、分布密度が低い領域では、電子部品に
対する電流密度が高くてメッキの速度が早くなるもので
ある。一方、箱体における電子部品は、分布密度が高い
領域と、分布密度が低い領域との間を往復移動するもの
で、メッキの速度が早くなったり、遅くなったりするこ
とを頻繁に繰り返すことに起因するものであることが判
った。
そこで、本発明者は、バレルメッキに際してニッケルメ
ッキ層5中に剥離亀裂が発生する率は、バレルメッキに
使用するメッキ浴におけるP H値、又は塩化ニッケル
・6水和物の濃度に関連があることを見出し、本発明を
完成するに至った。
ッキ層5中に剥離亀裂が発生する率は、バレルメッキに
使用するメッキ浴におけるP H値、又は塩化ニッケル
・6水和物の濃度に関連があることを見出し、本発明を
完成するに至った。
本発明における請求項1は、電子部品における絶縁基板
に塗着した導電性膜の表面に、ニッケルメッキ層を、P
H値を3.6〜2.2に調整したメッキ浴中においてバ
レルメッキ法にて形成することである。
に塗着した導電性膜の表面に、ニッケルメッキ層を、P
H値を3.6〜2.2に調整したメッキ浴中においてバ
レルメッキ法にて形成することである。
また、本発明における請求項2は、電子部品における絶
縁基板に塗着した導電性膜の表面に、ニッケルメッキ層
を、塩化ニッケル・6水和物の濃度を46〜90g/#
に調整したメッキ浴中においてバレルメッキ法にて形成
することである。
縁基板に塗着した導電性膜の表面に、ニッケルメッキ層
を、塩化ニッケル・6水和物の濃度を46〜90g/#
に調整したメッキ浴中においてバレルメッキ法にて形成
することである。
更にまた、前記した請求項1と前記した請求項2とを併
用した構成にしても良い(請求項3)。
用した構成にしても良い(請求項3)。
〔実施例1〕
本発明者は、液組成を前記した第1表と同様に、硫酸ニ
ケル・6水和物・・・200g/l塩化ニッケル・6水
和物・・・40 g/12ホウ酸・・・・・・・・・・
35g/βにしたメッキ浴を使用して、チップ型抵抗器
1の絶縁器板2における導電性15f4の表面に、バレ
ルメッキ法にてニッケルメッキを施し、ニッケルメンキ
層5における剥離亀裂の発生率を測定することを23日
間について行う場合において、第18目から第8日日ま
での間を、PH値を従来と同じの4.0に調整したメッ
キ浴で行い、第9日日から第17日日までの間を、PH
値を3.6に調整したメッキ浴で行い、そして、第18
日日から第23日日までの間を、PH値を3.4に調整
したメッキ浴で行った。
ケル・6水和物・・・200g/l塩化ニッケル・6水
和物・・・40 g/12ホウ酸・・・・・・・・・・
35g/βにしたメッキ浴を使用して、チップ型抵抗器
1の絶縁器板2における導電性15f4の表面に、バレ
ルメッキ法にてニッケルメッキを施し、ニッケルメンキ
層5における剥離亀裂の発生率を測定することを23日
間について行う場合において、第18目から第8日日ま
での間を、PH値を従来と同じの4.0に調整したメッ
キ浴で行い、第9日日から第17日日までの間を、PH
値を3.6に調整したメッキ浴で行い、そして、第18
日日から第23日日までの間を、PH値を3.4に調整
したメッキ浴で行った。
その結果は、第3図に示す通り、PH値を3゜6以下に
することによって、剥離亀裂の発生率を著しく下げるこ
とができるのであった。
することによって、剥離亀裂の発生率を著しく下げるこ
とができるのであった。
また、本発明者は、前記した第1表と同じ液組成にした
メッキ浴において、そのPH値を種々変えた場合におけ
る剥離亀裂の発生率を測定する実験を行ったところ、そ
の結果は、第4図に示す通りで、メッキ浴におけるPH
値を、3.6以下に下げることにより、剥離亀裂の発生
率を大幅に低減できるのであった。
メッキ浴において、そのPH値を種々変えた場合におけ
る剥離亀裂の発生率を測定する実験を行ったところ、そ
の結果は、第4図に示す通りで、メッキ浴におけるPH
値を、3.6以下に下げることにより、剥離亀裂の発生
率を大幅に低減できるのであった。
しかし、メッキ浴におけるPH値を、2.2未満に下げ
ると、ニッケルメッキ層が硬くなると共に、ニッケルメ
ッキ層にビット(ピンホール)が発生する率が急激に増
加する現象が認められたことから、チップ型抵抗器1の
絶縁器板2における導電性膜5の表面にバレルメッキ法
にてニッケルメッキを施行する場合におけるメッキ浴と
しては、そのPH値を3.6〜2.2に調整すべきある
ことが判った。
ると、ニッケルメッキ層が硬くなると共に、ニッケルメ
ッキ層にビット(ピンホール)が発生する率が急激に増
加する現象が認められたことから、チップ型抵抗器1の
絶縁器板2における導電性膜5の表面にバレルメッキ法
にてニッケルメッキを施行する場合におけるメッキ浴と
しては、そのPH値を3.6〜2.2に調整すべきある
ことが判った。
なお、P H値を下げることで剥離亀裂の発生率を低減
できた理由としては、メッキ浴における導電性が、その
PH値を下げることで良くなることにより、前記のよう
に分布密度が高い領域におけるチップ型抵抗器に対する
電流密度と、分布密度が低い領域におけるチップ型抵抗
器に対する電流密度との差を、小さくできたものである
と考えられる。
できた理由としては、メッキ浴における導電性が、その
PH値を下げることで良くなることにより、前記のよう
に分布密度が高い領域におけるチップ型抵抗器に対する
電流密度と、分布密度が低い領域におけるチップ型抵抗
器に対する電流密度との差を、小さくできたものである
と考えられる。
〔実施例2〕
また、本発明者は、硫酸ニッケル・6水和物のz1度を
200g/!!に、ホウ酸の濃度を35g/lに、そし
て、PH値を4.0にしたメ・・キ浴において、その塩
化ニッケル・6水和物の濃度を変えた場合において、ヱ
1団u亀裂の発生率を測定する実験を行ったところ、そ
の結果は、第5図に示す通りで、塩化ニッケル6水和物
の濃度を、46g/1以上にすることにより、剥離亀裂
の発生率を大幅に低減できるのであった。
200g/!!に、ホウ酸の濃度を35g/lに、そし
て、PH値を4.0にしたメ・・キ浴において、その塩
化ニッケル・6水和物の濃度を変えた場合において、ヱ
1団u亀裂の発生率を測定する実験を行ったところ、そ
の結果は、第5図に示す通りで、塩化ニッケル6水和物
の濃度を、46g/1以上にすることにより、剥離亀裂
の発生率を大幅に低減できるのであった。
しかし、塩化ニッケル・6水和物の濃度が、90g/l
を越えると、ニッケルメッキ層が硬くなると共に、ニッ
ケルメッキ層中への金属不純物の混入が急速に増大する
ので、好ましくなかった。
を越えると、ニッケルメッキ層が硬くなると共に、ニッ
ケルメッキ層中への金属不純物の混入が急速に増大する
ので、好ましくなかった。
なお、塩化ニッケル・6水和物の濃度を高くすることで
剥離亀裂の発生率を低減できた理由としては、前記P
H値の場合と同様に、メッキ浴における導電性が、塩化
ニッケル・6水和物の濃度を高(することで良くなるこ
とにより、分布密度が高い領域におけるチップ型抵抗器
に対する電流密度と、分布密度が低い領域におけるチッ
プ型抵抗器に対する電流密度との差を、小さくできたも
のであると考えられる。
剥離亀裂の発生率を低減できた理由としては、前記P
H値の場合と同様に、メッキ浴における導電性が、塩化
ニッケル・6水和物の濃度を高(することで良くなるこ
とにより、分布密度が高い領域におけるチップ型抵抗器
に対する電流密度と、分布密度が低い領域におけるチッ
プ型抵抗器に対する電流密度との差を、小さくできたも
のであると考えられる。
〔実施例3〕
更にまた、本発明者は、硫酸ニッケル・6水和物の濃度
を200 g/ lに、塩化ニッケル・6水和物の濃度
を50 g / 1に、ホウ酸の濃度を35g/lにし
、そして、PH値を3.0に調整したメッキ浴(前記実
施例1と、実施例2とを併用した場合)を使用してバレ
ルメッキすることを、20日間について行い、各日ごと
における剥離亀裂の発生率を測定した結果は、第6図に
示す通りで、剥離亀裂の発生率を、前記実施例1及び実
施例2の場合よりも更に低減できるのであった。
を200 g/ lに、塩化ニッケル・6水和物の濃度
を50 g / 1に、ホウ酸の濃度を35g/lにし
、そして、PH値を3.0に調整したメッキ浴(前記実
施例1と、実施例2とを併用した場合)を使用してバレ
ルメッキすることを、20日間について行い、各日ごと
における剥離亀裂の発生率を測定した結果は、第6図に
示す通りで、剥離亀裂の発生率を、前記実施例1及び実
施例2の場合よりも更に低減できるのであった。
以上の通り本発明における請求項1及び請求項2による
と、電子部品の絶縁基板に塗着した導電性膜の表面に、
ニッケルメッキ層を、バレルメッキ法によって形成する
場合において、前記ニッケルメッキ層中に剥離亀裂が発
生することを低減できるから、電子部品の品質の向上を
図ることができる。
と、電子部品の絶縁基板に塗着した導電性膜の表面に、
ニッケルメッキ層を、バレルメッキ法によって形成する
場合において、前記ニッケルメッキ層中に剥離亀裂が発
生することを低減できるから、電子部品の品質の向上を
図ることができる。
また、本発明における請求項3によると、前記した請求
項1及び請求項2の効果を更に助長することができる。
項1及び請求項2の効果を更に助長することができる。
第1図はチップ型抵抗器の斜視図、第2図は第1図のn
−n視拡大断面図、第3図及び第4図は実施例1の結果
を示す図、第5図は実施例2の結果を示す図、第6図は
実施例3の結果を示す図である。 ■・・・・チップ型抵抗器、2・・・・電極端子、3・
・・・絶縁基板、4・・・・導電性膜、5・・・・ニッ
ケルメッキ層。
−n視拡大断面図、第3図及び第4図は実施例1の結果
を示す図、第5図は実施例2の結果を示す図、第6図は
実施例3の結果を示す図である。 ■・・・・チップ型抵抗器、2・・・・電極端子、3・
・・・絶縁基板、4・・・・導電性膜、5・・・・ニッ
ケルメッキ層。
Claims (3)
- (1).電子部品における絶縁基板に塗着した導電性膜
の表面に、ニッケルメッキ層を、PH値を3.6〜2.
2に調整したメッキ浴中においてバレルメッキ法にて形
成することを特徴とする電子部品のニッケルメッキ方法
。 - (2).電子部品における絶縁基板に塗着した導電性膜
の表面に、ニッケルメッキ層を、塩化ニケッル・6水和
物の濃度を46〜90g/lに調整したメッキ浴中にお
いてバレルメッキ法にて形成することを特徴とする電子
部品のニッケルメッキ方法。 - (3).電子部品における絶縁基板に塗着した導電性膜
の表面に、ニッケルメッキ層を、PH値を3.6〜2.
2に調整すると共に塩化ニッケル・6水和物の濃度を4
6〜90g/lに調整したメッキ浴中においてバレルメ
ッキ法にて形成することを特徴とする電子部品のニッケ
ルメッキ方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63088515A JPH0770380B2 (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 電子部品のニッケルメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63088515A JPH0770380B2 (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 電子部品のニッケルメッキ方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01259506A true JPH01259506A (ja) | 1989-10-17 |
JPH0770380B2 JPH0770380B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=13944964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63088515A Expired - Fee Related JPH0770380B2 (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 電子部品のニッケルメッキ方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0770380B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0716429A3 (en) * | 1994-12-09 | 1997-01-22 | Harris Corp | Zinc phosphate coating for varistor and manufacturing method |
EP0806780A1 (en) * | 1996-05-09 | 1997-11-12 | Harris Corporation | Zinc phosphate coating for varistor and method |
JP2006093271A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Toppan Printing Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-11 JP JP63088515A patent/JPH0770380B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0716429A3 (en) * | 1994-12-09 | 1997-01-22 | Harris Corp | Zinc phosphate coating for varistor and manufacturing method |
US5757263A (en) * | 1994-12-09 | 1998-05-26 | Harris Corporation | Zinc phosphate coating for varistor |
EP0806780A1 (en) * | 1996-05-09 | 1997-11-12 | Harris Corporation | Zinc phosphate coating for varistor and method |
JP2006093271A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Toppan Printing Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
JP4645114B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2011-03-09 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0770380B2 (ja) | 1995-07-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |