JPH0766198A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0766198A JPH0766198A JP16244893A JP16244893A JPH0766198A JP H0766198 A JPH0766198 A JP H0766198A JP 16244893 A JP16244893 A JP 16244893A JP 16244893 A JP16244893 A JP 16244893A JP H0766198 A JPH0766198 A JP H0766198A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】有機洗浄剤による洗浄工程における配線層の腐
食を防止することができる半導体装置の提供。 【構成】Ａｌ−Ｃｕ合金からなる配線層１，２を有する
半導体装置であって、Ａｌよりも電気化学的に卑な金属
からなり、前記配線層に接続するように配設された犠牲
防食部４を有する半導体装置。
食を防止することができる半導体装置の提供。 【構成】Ａｌ−Ｃｕ合金からなる配線層１，２を有する
半導体装置であって、Ａｌよりも電気化学的に卑な金属
からなり、前記配線層に接続するように配設された犠牲
防食部４を有する半導体装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に有機洗浄剤による洗浄工程における配線層の腐食を防
止することができる半導体装置に関する。
に有機洗浄剤による洗浄工程における配線層の腐食を防
止することができる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置の配線として、低抵
抗値を有し、絶縁層ＳｉＯ2 への密着性、パターン加工
性、ステップカバレージ等に優れ、また均一かつ均質な
層を形成することできるために、ＡｌまたはＡｌ合金か
らなる配線が多用されている。このＡｌ合金からなる配
線として、信頼性を向上させるために、Ａｌ−Ｃｕ合金
が使用されている。このＡｌ−Ｃｕ合金配線は、スパッ
タ、蒸着等のＰＶＤ法により、半導体装置の所定の部位
にＡｌ−Ｃｕ合金被膜を形成した後、フォトエッチング
法によって、所定のパターンにエッチングされて形成さ
れる。エッチング後、プラズマによる灰化処理を行なっ
た後、有機洗浄液により洗浄して、フォトレジストが除
去される。
抗値を有し、絶縁層ＳｉＯ2 への密着性、パターン加工
性、ステップカバレージ等に優れ、また均一かつ均質な
層を形成することできるために、ＡｌまたはＡｌ合金か
らなる配線が多用されている。このＡｌ合金からなる配
線として、信頼性を向上させるために、Ａｌ−Ｃｕ合金
が使用されている。このＡｌ−Ｃｕ合金配線は、スパッ
タ、蒸着等のＰＶＤ法により、半導体装置の所定の部位
にＡｌ−Ｃｕ合金被膜を形成した後、フォトエッチング
法によって、所定のパターンにエッチングされて形成さ
れる。エッチング後、プラズマによる灰化処理を行なっ
た後、有機洗浄液により洗浄して、フォトレジストが除
去される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、エッチング後
の有機洗浄工程において、Ａｌ−Ｃｕ合金配線は、有機
洗浄液中でＡｌ−Ｃｕ電池を形成する。このとき、Ａｌ
は負極となるため、有機洗浄液中にＡｌが溶出し、配線
が腐食する事態となる。そのため、Ａｌ−Ｃｕ合金配線
の信頼性が低下し、特に多層配線を有する半導体におい
ては、各層の配線間が開放となったり、歩留りの低下を
招く原因となる。
の有機洗浄工程において、Ａｌ−Ｃｕ合金配線は、有機
洗浄液中でＡｌ−Ｃｕ電池を形成する。このとき、Ａｌ
は負極となるため、有機洗浄液中にＡｌが溶出し、配線
が腐食する事態となる。そのため、Ａｌ−Ｃｕ合金配線
の信頼性が低下し、特に多層配線を有する半導体におい
ては、各層の配線間が開放となったり、歩留りの低下を
招く原因となる。
【０００４】そこで本発明の目的は、有機洗浄工程時に
発生するＡｌ−Ｃｕ合金配線層の腐食を防止することが
できるため、歩留りおよび信頼性の向上に有効な構造を
有する半導体装置を提供することにある。
発生するＡｌ−Ｃｕ合金配線層の腐食を防止することが
できるため、歩留りおよび信頼性の向上に有効な構造を
有する半導体装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、Ａｌ−Ｃｕ合金からなる配線層を有する
半導体装置であって、Ａｌよりも電気化学的に卑な金属
からなり、前記配線層に接続するように配設された犠牲
防食部を有する半導体装置を提供するものである。
に、本発明は、Ａｌ−Ｃｕ合金からなる配線層を有する
半導体装置であって、Ａｌよりも電気化学的に卑な金属
からなり、前記配線層に接続するように配設された犠牲
防食部を有する半導体装置を提供するものである。
【０００６】以下、多層配線構造の半導体装置として、
２層配線構造の半導体装置を例にとり、本発明の半導体
装置について図１〜３に基づいて、詳細に説明する。
２層配線構造の半導体装置を例にとり、本発明の半導体
装置について図１〜３に基づいて、詳細に説明する。
【０００７】この半導体装置は、図１に第２層間絶縁層
より下部の構造を示す平面図に示されるとおり、第１層
配線層１と、該第１配線層１の上部に配設された第２配
線層２と、第１配線層１と第２配線層２を接続するコン
タクトホール３と、犠牲防食部４および５を有するもの
である。また、図１のＡ−Ａ’線断面図を示す図２のよ
うに、第１配線層１と第２配線層２とは、第１層間絶縁
層６によって電気的に分離され、コンタクトホール３に
おいて電気的に接続されている。犠牲防食部４は、第２
配線層２の肩部７上に形設され、第２配線層２と接続さ
れている。第２配線層２、犠牲防食部４、および第２配
線層２を被覆するように、第２層間絶縁層８が形設され
ている。さらに、図１のＢ−Ｂ’線断面図を示す図３の
ように、第１配線層１と第２配線層２は、第１層間絶縁
層６によって電気的に分離され、コンタクトホール３に
おいて電気的に接続されている。犠牲防食部５は、第１
配線層１の肩部９上に形設され、犠牲防食部５上にコン
タクトホール１０が開口しているが、第２配線層２とは
接続されない。
より下部の構造を示す平面図に示されるとおり、第１層
配線層１と、該第１配線層１の上部に配設された第２配
線層２と、第１配線層１と第２配線層２を接続するコン
タクトホール３と、犠牲防食部４および５を有するもの
である。また、図１のＡ−Ａ’線断面図を示す図２のよ
うに、第１配線層１と第２配線層２とは、第１層間絶縁
層６によって電気的に分離され、コンタクトホール３に
おいて電気的に接続されている。犠牲防食部４は、第２
配線層２の肩部７上に形設され、第２配線層２と接続さ
れている。第２配線層２、犠牲防食部４、および第２配
線層２を被覆するように、第２層間絶縁層８が形設され
ている。さらに、図１のＢ−Ｂ’線断面図を示す図３の
ように、第１配線層１と第２配線層２は、第１層間絶縁
層６によって電気的に分離され、コンタクトホール３に
おいて電気的に接続されている。犠牲防食部５は、第１
配線層１の肩部９上に形設され、犠牲防食部５上にコン
タクトホール１０が開口しているが、第２配線層２とは
接続されない。
【０００８】この図１〜３に示すような本発明の半導体
装置において、配線層は、Ａｌ−Ｃｕ合金からなるもの
である。このＡｌ−Ｃｕ合金は、特に限定されず、常用
のものでよい。また、配線層の厚さ、幅、形態等、さら
には層間絶縁層の材質、厚さ、あるいはコンタクトホー
ルの開口径等も特に制限されず、常用の範囲でよい。
装置において、配線層は、Ａｌ−Ｃｕ合金からなるもの
である。このＡｌ−Ｃｕ合金は、特に限定されず、常用
のものでよい。また、配線層の厚さ、幅、形態等、さら
には層間絶縁層の材質、厚さ、あるいはコンタクトホー
ルの開口径等も特に制限されず、常用の範囲でよい。
【０００９】本発明の半導体装置において、犠牲防食部
は、Ａｌよりも電気化学的に卑な金属からなるものであ
る。Ａｌよりも電気化学的に卑な金属としては、例え
ば、Ｚｎ、Ｍｇ等が挙げられる。
は、Ａｌよりも電気化学的に卑な金属からなるものであ
る。Ａｌよりも電気化学的に卑な金属としては、例え
ば、Ｚｎ、Ｍｇ等が挙げられる。
【００１０】この犠牲防食部は、Ａｌ−Ｃｕ合金配線層
の隅部等の部位に配設され、特に多層配線の場合、犠牲
防食部上にダミーのコンタクトホールが開口されること
により、配線形成後の洗浄における腐食だけでなく、コ
ンタクト形成後の洗浄における配線材の腐食を防止する
ことができる。
の隅部等の部位に配設され、特に多層配線の場合、犠牲
防食部上にダミーのコンタクトホールが開口されること
により、配線形成後の洗浄における腐食だけでなく、コ
ンタクト形成後の洗浄における配線材の腐食を防止する
ことができる。
【００１１】また、この犠牲防食部の形状、形態、寸法
等も、配線層のパターン等に応じて適宜選択される。
等も、配線層のパターン等に応じて適宜選択される。
【００１２】以上、本発明の方法の一実施態様を示す図
１〜３に基づいて、本発明の半導体装置を説明したが、
本発明の半導体装置は、この図１〜３に示す構造に限定
されず、多層配線構造を有する各種の半導体装置に適用
できることは勿論である。
１〜３に基づいて、本発明の半導体装置を説明したが、
本発明の半導体装置は、この図１〜３に示す構造に限定
されず、多層配線構造を有する各種の半導体装置に適用
できることは勿論である。
【００１３】
【発明の効果】本発明の半導体装置は、有機洗浄工程時
にＡｌ−Ｃｕ合金からなる配線層中のＡｌと、犠牲防食
部を構成するＡｌよりも電気化学的に卑な金属との間で
電池が形成され、電気化学的に卑な金属が負極となり、
洗浄液中に溶出することにより、Ａｌが腐食されない。
そのため、本発明の半導体装置において、有機洗浄時に
Ａｌ−Ｃｕ合金配線層の腐食を防止することができる。
そのため、本発明の半導体装置は、配線信頼性、歩留り
の向上に有効である。
にＡｌ−Ｃｕ合金からなる配線層中のＡｌと、犠牲防食
部を構成するＡｌよりも電気化学的に卑な金属との間で
電池が形成され、電気化学的に卑な金属が負極となり、
洗浄液中に溶出することにより、Ａｌが腐食されない。
そのため、本発明の半導体装置において、有機洗浄時に
Ａｌ−Ｃｕ合金配線層の腐食を防止することができる。
そのため、本発明の半導体装置は、配線信頼性、歩留り
の向上に有効である。
【図１】 本発明の半導体装置の一実施態様を説明する
平面図。
平面図。
【図２】 本発明の半導体装置の図１に示す一実施態様
の構造を説明する断面図。
の構造を説明する断面図。
【図３】 本発明の半導体装置の図１に示す一実施態様
の構造を説明する断面図。
の構造を説明する断面図。
１ 第１層配線層 ２ 第２配線層 ３ コンタクトホール ４ 犠牲防食部 ５ 犠牲防食部 ６ 第１層間絶縁層 ７ 第２配線層２の肩部 ８ 第２層間絶縁層 ９ 第１配線層１の肩部 １０ ダミーのコンタクトホール
Claims (1)
- 【請求項１】Ａｌ−Ｃｕ合金からなる配線層を有する半
導体装置であって、Ａｌよりも電気化学的に卑な金属か
らなり、前記配線層に接続するように配設された犠牲防
食部を有する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16244893A JPH0766198A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16244893A JPH0766198A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766198A true JPH0766198A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=15754807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16244893A Withdrawn JPH0766198A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766198A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2014076817A1 (ja) * | 2012-11-16 | 2017-01-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 単電池および組電池 |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP16244893A patent/JPH0766198A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2014076817A1 (ja) * | 2012-11-16 | 2017-01-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 単電池および組電池 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |