JPH0765958A - 有機el素子 - Google Patents
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- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 82
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 47
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 50
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 22
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 22
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 8
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 208
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 23
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 14
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100246550 Caenorhabditis elegans pyr-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N decacyclene Chemical compound C12=C([C]34)C=CC=C4C=CC=C3C2=C2C(=C34)C=C[CH]C4=CC=CC3=C2C2=C1C1=CC=CC3=CC=CC2=C31 CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- -1 tris (8-quinolinol) aluminum Chemical compound 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Abstract
素子の劣化が少ない有機EL素子、すなわち輝度半減期
が長く耐久性のある有機EL素子を提供することを目的
とする。 【構成】 ホール注入電極2と電子注入電極5との間
に、互いに接して界面を形成する有機発光層4と有機キ
ャリア輸送層3とが、少なくとも挟持されてなる有機E
L素子において、有機発光層4と有機キャリア輸送層3
中のホール注入電極側の層3に、この層3を形成する材
料の伝導帯最低準位よりも低い伝導帯最低準位を有する
有機物質7をドーピングする、及び/または有機発光層
と有機キャリア輸送層の中で電子注入電極側の層に、こ
の層を形成する材料の価電子帯最高準位よりも高い価電
子帯最高準位を有する有機物質をドーピングすることを
特徴とする。
Description
ルミネッセンス)素子に関し、特にその有機キャリア輸
送層及び有機発光層の素材の改良に関する。
CRTより低消費電力で空間占有面積の少ない平面表示
素子のニーズが高まる中、”EL素子”が注目されてい
る。EL素子としては、素子を構成する材料により無機
EL素子と有機EL素子が知られているが、無機EL素
子は衝突型ELであって加速電子と発光中心との衝突に
よる励起発光型であるのに対し、有機EL素子は注入型
であって、電子注入電極(陰極)から注入された電子と
ホール注入電極(陽極)から注入されたホールが発光層
中で再結合することにより発光する。このような両者の
発光原理の相違により、無機EL素子の駆動電圧が10
0〜200Vであるのに対して、有機EL素子は5〜2
0V程度の低電圧で駆動することができるという点で優
れている。また、有機EL素子にあっては、蛍光物質を
選択することにより三原色の発光素子を作成することが
できるので、フルカラー表示装置の実現が期待できる。
有機EL素子としては、3層構造と2層構造があり、典
型的な3層構造(DH構造)は、ガラス基板上にホール
注入電極(陽極)、有機ホール輸送層、有機発光層、有
機電子輸送層及び電子注入電極(陰極)を順次積層した
ものであり、有機ホール輸送層、有機発光層、有機電子
輸送層の3層接合を有するために3層構造と称される。
は、図3に示すようにガラス基板1上にホール注入電極
2、有機ホール輸送層13、有機発光層4、電子注入電
極5を順次積層したものであり、有機ホール輸送層と有
機発光層の2層接合を有し、有機電子輸送層を欠いてい
る。一方、2層構造のSH−A構造は、ホール注入電
極、有機発光層、有機電子輸送層、電子注入電極を順次
積層したものであり、有機発光層と有機電子輸送層の2
層接合を有し、有機ホール輸送層を欠いている。
(インジウムースズ酸化物)のような仕事関数の大きな
電極材料を用い、電子注入電極としてはMgのような仕
事関数の小さな電極材料を用いる。また,上記有機ホー
ル輸送層、有機発光層、有機電子輸送層には有機材料が
用いられ、有機ホール輸送層はp型半導体の性質、有機
電子輸送層はn型半導体の性質を有する材料が用いられ
る。また有機発光層は、SH−A構造ではn型半導体の
性質、SH−B構造ではp型半導体の性質、3層構造
(DH構造)では中性に近い性質を有する材料が用いら
れる。
たホールと、電子注入電極から注入された電子が、発光
層とキャリア輸送層(ホール輸送層または電子輸送層)
の界面に近いところの発光層内で再結合して発光すると
いう原理である。
子は、上記のような利点を有する反面、解決すべき種々
の技術的課題を抱えている。そのうち有機EL素子を実
用化する上での最大の課題としてあげられているのが耐
久性である。すなわち、従来の有機EL素子では、輝度
の低下が速く、通常定電流駆動時の輝度半減期は数十時
間程度と短かった。この劣化の原因は現在未解明である
が、一応の推測として有機発光層とキャリア輸送層との
境界付近に、キャリアすなわち電子やホールの電荷が蓄
積するためであると考えられる。
に発生する熱によって、各層の結晶が成長するなど分子
間の構造が変化し、劣化がおこるという推測もある。本
発明は以上の推測の下、素子駆動時に発生する電荷の蓄
積や熱による素子の劣化が少なくなる工夫を施して、輝
度半減期が長く耐久性のある有機EL素子を現出させた
ものである。
ル注入電極と電子注入電極との間に、互いに接して界面
を形成する有機発光層と有機キャリア輸送層とが、少な
くとも挟持されてなる有機EL素子において、有機発光
層と有機キャリア輸送層中のホール注入電極側の層に、
この層を形成する材料の伝導帯最低準位よりも低い伝導
帯最低準位を有する有機物質をドーピングする、及び/
または有機発光層と有機キャリア輸送層の中で電子注入
電極側の層に、この層を形成する材料の価電子帯最高準
位よりも高い価電子帯最高準位を有する有機物質をドー
ピングすることを特徴とする。
て、前記有機キャリア輸送層が有機ホール輸送層であっ
て、この有機ホール輸送層に、前記有機ホール輸送層材
料の伝導帯最低準位よりも低い伝導帯最低準位を有する
有機物質をドーピングする、及び/または前記有機発光
層に、前記有機発光層材料の価電子帯最高準位よりも高
い価電子帯最高準位を持つ有機物質をドーピングするこ
とを特徴とする。
て、有機ホール輸送層材料の伝導帯最低準位よりも低い
伝導帯最低準位を有する有機物質、及び/または有機発
光層材料の価電子帯最高準位よりも高い価電子帯最高準
位を持つ有機物質が、蛍光物質であることを特徴とす
る。請求項4の発明は、請求項3の発明に対して、有機
ホール輸送層材料の伝導帯最低準位よりも低い伝導帯最
低準位を有する有機物質が、有機ホール輸送層材料の価
電子帯最高準位と同じか、またはより高い価電子帯最高
準位を有し発光する、及び/または有機発光層材料の価
電子帯最高準位よりも高い価電子帯最高準位を持つ有機
物質が、有機発光層材料の伝導帯最低準位と同じか、ま
たはより低い伝導帯最低準位を有し発光することを特徴
とする。
光層と有機キャリア輸送層が挟持された有機EL素子に
おいて、この有機EL素子の発光原理は、ホール注入電
極から注入されたホールと、電子注入電極から注入され
た電子が、有機発光層と有機ホール輸送層の界面近傍の
有機発光層内で再結合する際に、有機発光層が蛍光を発
光するということができる。このような発光の機構にし
たがって、本発明の構成による有機EL素子の作用を図
を用いて説明する。
るための概念図であり、左右方向はEL発光素子の積層
方向の位置を示し、上下方向は各層材料の伝導帯および
価電子帯のエネルギー準位を示している。また、図4
(A)は有機ホール輸送層と有機発光層を有する2層構
造の有機EL素子30を、図4(B)は有機発光層と有
機電子輸送層を有する2層構造の有機EL素子40をあ
らわしている。
は、左から右にホール注入電極31、有機ホール輸送層
32、有機発光層33、電子注入電極34が順に形成さ
れており、有機ホール輸送層32と有機発光層33の間
には界面35が形成されている。また図中、31aはホ
ール注入電極31のフェルミ準位を、32a・32bは
ホール輸送層32の伝導帯最低準位と価電子帯最高準位
を、33a・33bは有機発光層33の伝導帯最低準位
と価電子帯最高準位を、34aは電子注入電極34のフ
ェルミ準位をそれぞれ示している。
2aは、有機発光層33の伝導帯最低準位33aよりも
高いため、電子注入電極34から注入されて有機発光層
33内を有機ホール輸送層32の方向(図中左方向)へ
進んだ電子がさらに界面35を乗り越えて有機ホール輸
送層32に入り込むためには、エネルギー準位の障壁3
5aを越えなければならず、そのため有機発光層33内
の界面35付近にはこの電子が蓄積されると考えられ
る。
33bは、有機ホール輸送層32の価電子帯最高準位3
2bよりも低いため、ホール注入電極31から注入され
て有機ホール輸送層32内を有機発光層33の方向(図
中右方向)へ進んだホールがさらに界面35を乗り越え
て有機発光層33に入り込むためには、エネルギー準位
の障壁35bを越えなければならず、そのため有機ホー
ル輸送層32内の界面35付近にはこのホールが蓄積さ
れると考えられる。ここで、有機発光層33を効率的に
発光させるために、上記電子とホールの結合の大部分が
有機発光層33内で起こるように、上記電子が障壁35
aを越えるよりも、上記ホールが障壁35bを越える方
が越えやすいように構成されている。したがって、有機
ホール輸送層32内の界面35付近でのホールの蓄積は
比較的少ない。
いては、左から右にホール注入電極41、有機発光層4
2、有機電子輸送層43、電子注入電極44が順に形成
されており、有機発光層42と有機電子輸送層43との
間には界面45が形成されている。また図中、41aは
ホール注入電極41のフェルミ準位を、42a・42b
は有機発光層42の伝導帯最低準位と価電子帯最高準位
を、43a・43bは有機電子輸送層43の伝導帯最低
準位と価電子帯最高準位を、44aは電子注入電極44
のフェルミ準位をそれぞれ示している。
は、有機電子輸送層43の伝導帯最低準位43aよりも
高いため、電子注入電極44から注入されて有機電子輸
送層43内を有機発光層42の方向(図中左方向)へ進
んだ電子がさらに界面45を乗り越えて有機発光層42
に入り込むためには、エネルギー準位の障壁45aを越
えなければならず、そのため有機電子輸送層43の界面
45付近にはこの電子が蓄積されると考えられる。
準位43bは、有機発光層42の価電子帯最高準位42
bよりも低いため、ホール注入電極41から注入されて
有機発光層42内を有機電子輸送層43の方向(図中右
方向)へ進んだホールがさらに界面45を乗り越えて有
機電子輸送層43に入り込むためには、エネルギー準位
の障壁45bを越えなければならず、そのため有機発光
層42の界面45付近にはこのホールが蓄積されると考
えられる。ここで、有機発光層42を効率的に発光させ
るために、上記電子とホールの結合の大部分が有機発光
層42内で起こるように、有機EL素子40において、
上記ホールが障壁45bを越えるよりも、上記電子が障
壁45aを越える方が越えやすいように構成されてい
る。したがって、有機電子輸送層43内の界面45付近
での電子の蓄積は比較的少ない。
極との間に有機発光層と有機キャリア輸送層を挟持した
有機EL素子においては、駆動時に有機発光層と有機キ
ャリア輸送層の界面付近にキャリアの蓄積がなされる。
すなわち、電子注入電極側の層内の界面付近には電子
が、ホール注入電極側の層内の界面付近にはホールが蓄
積し、これが有機EL素子の劣化を引き起こす一つの要
因になっていると考えられる。
せるかという理由は分かっていないが、有機発光素子の
連続発光における輝度の低下が、逆バイアスの印加によ
り、ある程度回復することが学会(名古屋大 森他、第
50回応用物理学会学術講演会(1989秋)29P −
ZP−7)で報告されており、このことからも、キャリ
ア輸送層と有機発光層を含む有機EL素子では、両層の
界面付近における電荷蓄積が、輝度の低下にかなり寄与
していると考えられる。
キャリア輸送層中のホール注入電極側の層に、この層を
形成する材料の伝導帯最低準位よりも低い伝導帯最低準
位を有する有機物質をドーピングすることは、この有機
物質が界面付近に蓄積された電子をトラップする作用を
なす。すなわち、電子が界面を越えてこの層に入り込む
ために乗り越えなければならなかった障壁を部分的に崩
す作用ということができる。
説明すると、有機ホール輸送層32または有機発光層4
2に、有機物質36または有機物質46をドーピングす
ることによって、電子が界面35または界面45を越え
て、有機物質36または有機物質46にトラップされ
る。すなわち界面35または界面45を電子が越えるた
めに、乗り越えなければならなかった障壁35aまたは
障壁45aが、部分的に崩されたということになる。
層中の電子注入電極側の層に、この層を形成する材料の
価電子帯最高準位よりも高い価電子帯最高準位を有する
有機物質をドーピングすることにより、この有機物質が
ホールをトラップする作用をなす。すなわちホールが界
面を越えてこの層に入り込むために乗り越えなければな
らなかった障壁を部分的に低くするという作用をなす。
説明すると、有機発光層33または有機電子輸送層43
に、有機物質37または有機物質47をドーピングする
ことによって、ホールが界面35または界面45を越え
て、有機物質37または有機物質47にトラップされ
る。すなわち界面35または界面45をホールが越える
ために、乗り越えなければならなかった障壁35bまた
は障壁45bが、部分的に崩されたということになる。
も界面付近に電荷が蓄積することを抑制する。請求項2
の発明による、ホール注入電極と電子注入電極との間
に、有機発光層と有機ホール輸送層が挟持された有機E
L素子において、有機ホール輸送層材料の伝導帯最低準
位よりも低い伝導帯最低準位を持つ有機物質が有機ホー
ル輸送層にドーピングされることは、この有機物質が電
子をトラップし、電子が有機発光層の界面付近に蓄積す
るのを抑制する。また、有機発光層材料の価電子帯最高
準位よりも高い価電子帯最高準位を有する有機物質をド
ーピングすることにより、この有機物質がホールをトラ
ップし、ホールが有機ホール輸送層の界面付近に蓄積す
るのを抑制する。
送層材料の伝導帯最低準位よりも低い伝導帯最低準位を
有する有機物質、及び/または前記有機発光層材料の価
電子帯最高準位よりも高い価電子帯最高準位を持つ有機
物質が蛍光物質であることは、請求項2の発明に対して
さらに、この有機物質が電子とホールをトラップする際
に蛍光を発する作用を有する可能性がある。
駆動時にキャリアの持つエネルギーが、熱エネルギーと
して放出されていたものの内、その一部が光エネルギー
に変換されることにもなるので、有機EL素子駆動時に
おいて発生する熱を低減するとともに、発光効率を向上
させるという作用も有することになる。請求項4の発明
による、前記有機ホール輸送層材料の伝導帯最低準位よ
りも低い伝導帯最低準位を有する有機物質が、前記有機
ホール輸送層材料の価電子帯最高準位よりも高い価電子
帯最高準位を有する、及び/または前記有機発光層材料
の価電子帯最高準位よりも高い価電子帯最高準位を持つ
有機物質が、前記有機発光層材料の伝導帯最低準位より
も低い伝導帯最低準位を有することは、請求項3の発明
に対して、これらの有機物質が発光するために必要な条
件の一つを満たすということになる。ただし、これは発
光するための十分な条件ではないので、これらの有機物
質がこの条件を満たしているからといって、必ずしも発
光するということではない。
質36の価電子帯最高準位36bが、有機ホール輸送層
32の価電子帯最高準位32bと同じか、またはより高
くなければ有機物質36は発光せず、有機物質37の伝
導帯最低準位37aが、有機発光層33の伝導帯最低準
位33aと同じか、またはより低くなければ有機物質3
7は発光しないということになる。
る。 (実施例1) 有機ホール輸送層に有機物質をドーピン
グする例。図1は、本発明の実施例1に係わる有機EL
素子A1 の断面模式図である。この有機EL素子A
1 は、ガラス基板1上に、陽極2と、有機ホール輸送層
3と、有機発光層4と、陰極5とが、ガラス基板1側か
ら順に形成されてなるものであり、陽極2と陰極5に
は、それぞれリード線6が接続されており、電圧を印加
できるようになっている。
O)膜であってガラス基板1に被着されている。有機ホ
ール輸送層3は、主材料がN,N’−ジフェニル−N,
N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェ
ニル−4,4’−ジアミン(以下MTPDと称する)で
あって、これにドーパント7としてルブレン(単層蒸着
膜の蛍光ピーク波長570nm)が2wt%の濃度で含有
されており、共蒸着によって陽極2上に500Åの厚さ
で形成されている。有機発光層4はトリス(8−キノリ
ノール)アルミニウム(単層蒸着膜の蛍光ピーク波長5
30nm、以下Alq3 と称する)が真空蒸着によって
500Åの厚さに形成され、陰極5はマグネシウム・イ
ンジウム合金が真空蒸着によって2000Åの厚さに形
成されている。なお、この有機EL素子A1 の各層を製
作するとき、蒸着時の真空度は約10-5Torrであ
る。
A1 と同一で、表1に示すドーパントを用いて有機EL
素子A2 〜A7 を作製した。表1中、MTPD、Alq
3 および各ドーパントの構造は下記化1〜化8に示す。
ドーピングする例 図2は、実施例2に係わる有機EL素子A8 の断面模式
図である。実施例1と同じ機能を有する構成部分につい
ては同一の番号を付して説明を省力する。有機ホール輸
送層13は、MTPDだけで形成されており、ドーパン
トは含まれない。有機発光層14は主材料がAlq
3 で、これにドーパント17としてデカシクレン(上記
化5に示される)が1wt%の濃度でドーピングされてい
る。それ以外の構成は、実施例1の有機EL素子A1 〜
A7 と同様である。
である。実施例1と同じ機能を有する構成部分について
は同一の番号を付して説明を省力する。有機EL素子X
1 は、有機ホール輸送層13がMTPDのみで形成され
ている以外は実施例1の有機EL素子A1 〜A7 と同様
に形成されている。
L素子A1 〜A8 、および比較例1の有機EL素子X1
について、10mA/cm2 で定電流連続駆動させ、輝
度の経時変化、輝度半減期、発光ピーク波長を調べた。
表1の左半分はこの有機EL素子A1 〜A8 および有機
EL素子X1 の、有機ホール輸送層と有機発光層に使わ
れた、主材料と各ドーパントについて、価電子帯最高準
位と伝導帯最低準位を示し、表1の右半分は上記実験の
結果を示すものである。
最低準位の数値は、両者とも真空準位をゼロとし、次の
測定方法によって求めた値である。 価電子帯最高準位の数値:イオン化ポテンシャルにマイ
ナス記号を付けたもので、単層蒸着膜について光電子分
光法により求めた。 伝導帯最低準位の数値:価電子帯最高準位にバンドギャ
ップを加えたもので、バンドギャップはOno等の方法
(J.Phys.Soc.Jpn.58(1989)1
895)に従い、単層蒸着膜の光吸収により求めた。
〜A8 はいずれも有機EL素子X1よりも連続駆動時の
輝度半減期が長くなっており、耐久性が向上したことを
示している。また、有機EL素子A1 〜A5 は、有機ホ
ール輸送層に使われたドーパントの価電子帯最高準位が
有機ホール輸送層主材料のMTPDの価電子帯最高準位
よりも高く、この中で有機EL素子A1 〜A4 はドーパ
ントが発光するが、有機EL素子A5 のようにドーパン
トが発光しない場合もあることがわかる。
ール輸送層に使われたドーパントの価電子帯最高準位が
有機ホール輸送層主材料のMTPDの価電子帯最高準位
よりも低いので、ドーパントが発光しない。なお上記実
施例1・2の有機EL素子A1 〜A8 にドーパントとし
て使われた有機物質は、すべて蛍光物質であるが、本発
明の請求項1記載の有機物質は、蛍光物質には限らな
い。
例。実施例1の有機EL素子A1 において、有機ホール
輸送層にドーピングするドーパント(ルブレン)の濃度
だけを0wt%、1wt%、2wt%、5wt%、10wt%と変
化させて有機EL素子を構成し、その各有機EL素子に
ついて、上記実験と同様に連続駆動時の輝度半減期を測
定した。
ントの濃度が1wt%、2wt%、5wt%となるに従って輝
度半減期は長くなっているが、10wt%では短くなって
いる。この実施例の場合、ドーパントの濃度は10wt%
以下が望ましく、5wt%が最も良好であることがわか
る。
る例。実施例1の有機EL素子A6 において、有機ホー
ル輸送層(MTPD層)にドーパント(Alq3 )をド
ーピングする位置だけを変え、その他は実施例1と同様
に次の有機EL素子A6 (a)・A6 (b)を構成し
た。有機EL素子A6 は、有機ホール輸送層全体にドー
ピングした(厚さ500Å)。
送層の陽極側半分だけにドーピングした(厚さ250
Å)。有機EL素子A6 (b)は、有機ホール輸送層の
有機発光層側半分にドーピングした(厚さ250Å)。
また、実施例1の有機EL素子A1 において、有機ホー
ル輸送層(MTPD層)に対してドーパント(ルブレ
ン)濃度を10wt%とし、ドーピングする位置を変え、
その他は実施例1と同様に次の有機EL素子A1 (a)
・A1 (b)を構成した。
送層全体にドーピングした(厚さ500Å)。有機EL
素子A1 (b)は、有機ホール輸送層の有機発光層側半
分にドーピングした(厚さ250Å)。この有機EL素
子A6 (a)・A6 (b)とA1 (a)・A1 (b)に
ついて、上記実験と同様に連続駆動時の輝度半減期を測
定した。その結果、表3に示すように、ホール輸送層へ
ドーピングする場合、ドーピング位置が有機発光層(A
lq3 層)に接していることが輝度半減期向上に有効で
あるための条件であることがわかる。
光層の両方にドーピングする例。有機EL素子A9 ・A
10・A11は次のように構成されている。有機EL素子A
9 ・A10・A11の有機ホール輸送層は、主材料MTPD
にルブレンがドーピングされて形成されており、このル
ブレンの濃度は有機ホール輸送層に対してそれぞれ2wt
%・5wt%・10wt%である。また、有機発光層は主材
料Alq3 にルブレンが1wt%の濃度でドーピングされ
形成されている。それ以外は実施例1の有機EL素子A
1 と同様に、有機EL素子A9 ・A10・A11は構成され
ている。
いて、上記実験と同様に連続駆動時の輝度半減期を測定
した結果を表4に示す。この結果、有機ホール輸送層へ
のドーピングに、有機発光層へのドーピングを併用する
ことが、輝度半減期の向上にさらに有効であることがわ
かる。
は、有機ホール輸送層と有機発光層を有する2層構造の
有機EL素子について示したが、有機発光層と有機電子
輸送層を有する2層構造の有機EL素子についても同様
に実施可能である。この場合、有機発光層の材料として
は、下記化9に示されるNSDおよび化10〜化23に
示されるPYR−1〜PYR−14などのホール輸送性
材料を用いることができ、有機電子輸送層の材料として
は下記化24に示されるOXD−1、化25に示される
OXD−7、化26に示されるPBDなどを用いること
ができる。
ングするドーパントは、有機発光層および有機電子輸送
層の材料に応じて、上記実施例において使用したドーパ
ントなどの中から選択することにより実施することがで
きる。また、上記実施例では有機EL素子の構造が2層
構造であるが、3層構造の有機EL素子についても同様
にして実施は可能である。
ていて、且つ耐久性の優れた有機EL素子を提供するこ
とができる。また、このように有機EL素子の発光特性
が優れ、耐久性が向上することにより、有機EL素子を
フラットディスプレイ、液晶用バックライトなどにおい
ても、従来よりさらに幅広い用途に使用することが可能
となる。
模式図である。
図である。
である。
概念図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 ホール注入電極と電子注入電極との間
に、互いに接して界面を形成する有機発光層と有機キャ
リア輸送層とが、少なくとも挟持されてなる有機EL素
子において、 前記有機発光層と前記有機キャリア輸送層中のホール注
入電極側の層に、この層を形成する材料の伝導帯最低準
位よりも低い伝導帯最低準位を有する有機物質をドーピ
ングする、 及び/または前記有機発光層と前記有機キャリア輸送層
の中で前記電子注入電極側の層に、この層を形成する材
料の価電子帯最高準位よりも高い価電子帯最高準位を有
する有機物質をドーピングすることを特徴とする有機E
L素子。 - 【請求項2】 前記有機キャリア輸送層が有機ホール輸
送層であって、 この有機ホール輸送層に、前記有機ホール輸送層材料の
伝導帯最低準位よりも低い伝導帯最低準位を有する有機
物質をドーピングする、 及び/または前記有機発光層に、前記有機発光層材料の
価電子帯最高準位よりも高い価電子帯最高準位を持つ有
機物質をドーピングすることを特徴とする請求項1記載
の有機EL素子。 - 【請求項3】 前記有機ホール輸送層材料の伝導帯最低
準位よりも低い伝導帯最低準位を有する有機物質、 及び/または前記有機発光層材料の価電子帯最高準位よ
りも高い価電子帯最高準位を持つ有機物質が、蛍光物質
であることを特徴とする請求項2記載の有機EL素子。 - 【請求項4】 前記有機ホール輸送層材料の伝導帯最低
準位よりも低い伝導帯最低準位を有する有機物質が、前
記有機ホール輸送層材料の価電子帯最高準位と同じか、
またはより高い価電子帯最高準位を有し発光する、 及び/または前記有機発光層材料の価電子帯最高準位よ
りも高い価電子帯最高準位を持つ有機物質が、前記有機
発光層材料の伝導帯最低準位と同じか、またはより低い
伝導帯最低準位を有し発光することを特徴とする請求項
3記載の有機EL素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21316893A JP3332491B2 (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 有機el素子 |
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Publications (2)
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JPH0765958A true JPH0765958A (ja) | 1995-03-10 |
JP3332491B2 JP3332491B2 (ja) | 2002-10-07 |
Family
ID=16634691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP21316893A Expired - Lifetime JP3332491B2 (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 有機el素子 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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