JPH0765958A - 有機el素子 - Google Patents

有機el素子

Info

Publication number
JPH0765958A
JPH0765958A JP21316893A JP21316893A JPH0765958A JP H0765958 A JPH0765958 A JP H0765958A JP 21316893 A JP21316893 A JP 21316893A JP 21316893 A JP21316893 A JP 21316893A JP H0765958 A JPH0765958 A JP H0765958A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
layer
light emitting
level
emitting layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP21316893A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3332491B2 (ja
Inventor
Takanori Fujii
孝則 藤井
Kenji Sano
健志 佐野
Masayuki Fujita
政行 藤田
Yuji Hamada
祐次 浜田
Kenichi Shibata
賢一 柴田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP21316893A priority Critical patent/JP3332491B2/ja
Priority to US08/295,548 priority patent/US5601903A/en
Publication of JPH0765958A publication Critical patent/JPH0765958A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3332491B2 publication Critical patent/JP3332491B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • H10K50/155Hole transporting layers comprising dopants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • H10K50/165Electron transporting layers comprising dopants
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917Electroluminescent
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678Of metal

Abstract

(57)【要約】 【目的】 素子駆動時に発生する電荷の蓄積や熱による
素子の劣化が少ない有機EL素子、すなわち輝度半減期
が長く耐久性のある有機EL素子を提供することを目的
とする。 【構成】 ホール注入電極2と電子注入電極5との間
に、互いに接して界面を形成する有機発光層4と有機キ
ャリア輸送層3とが、少なくとも挟持されてなる有機E
L素子において、有機発光層4と有機キャリア輸送層3
中のホール注入電極側の層3に、この層3を形成する材
料の伝導帯最低準位よりも低い伝導帯最低準位を有する
有機物質7をドーピングする、及び/または有機発光層
と有機キャリア輸送層の中で電子注入電極側の層に、こ
の層を形成する材料の価電子帯最高準位よりも高い価電
子帯最高準位を有する有機物質をドーピングすることを
特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、有機EL(エレクトロ
ルミネッセンス)素子に関し、特にその有機キャリア輸
送層及び有機発光層の素材の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、情報機器の多様化にともなって、
CRTより低消費電力で空間占有面積の少ない平面表示
素子のニーズが高まる中、”EL素子”が注目されてい
る。EL素子としては、素子を構成する材料により無機
EL素子と有機EL素子が知られているが、無機EL素
子は衝突型ELであって加速電子と発光中心との衝突に
よる励起発光型であるのに対し、有機EL素子は注入型
であって、電子注入電極(陰極)から注入された電子と
ホール注入電極(陽極)から注入されたホールが発光層
中で再結合することにより発光する。このような両者の
発光原理の相違により、無機EL素子の駆動電圧が10
0〜200Vであるのに対して、有機EL素子は5〜2
0V程度の低電圧で駆動することができるという点で優
れている。また、有機EL素子にあっては、蛍光物質を
選択することにより三原色の発光素子を作成することが
できるので、フルカラー表示装置の実現が期待できる。
【0003】有機発光層と有機キャリア輸送層を有する
有機EL素子としては、3層構造と2層構造があり、典
型的な3層構造(DH構造)は、ガラス基板上にホール
注入電極(陽極)、有機ホール輸送層、有機発光層、有
機電子輸送層及び電子注入電極(陰極)を順次積層した
ものであり、有機ホール輸送層、有機発光層、有機電子
輸送層の3層接合を有するために3層構造と称される。
【0004】また、典型的な2層構造(SH−B構造)
は、図3に示すようにガラス基板1上にホール注入電極
2、有機ホール輸送層13、有機発光層4、電子注入電
極5を順次積層したものであり、有機ホール輸送層と有
機発光層の2層接合を有し、有機電子輸送層を欠いてい
る。一方、2層構造のSH−A構造は、ホール注入電
極、有機発光層、有機電子輸送層、電子注入電極を順次
積層したものであり、有機発光層と有機電子輸送層の2
層接合を有し、有機ホール輸送層を欠いている。
【0005】上記ホール注入電極としては、金やITO
(インジウムースズ酸化物)のような仕事関数の大きな
電極材料を用い、電子注入電極としてはMgのような仕
事関数の小さな電極材料を用いる。また,上記有機ホー
ル輸送層、有機発光層、有機電子輸送層には有機材料が
用いられ、有機ホール輸送層はp型半導体の性質、有機
電子輸送層はn型半導体の性質を有する材料が用いられ
る。また有機発光層は、SH−A構造ではn型半導体の
性質、SH−B構造ではp型半導体の性質、3層構造
(DH構造)では中性に近い性質を有する材料が用いら
れる。
【0006】何れにしてもホール注入電極から注入され
たホールと、電子注入電極から注入された電子が、発光
層とキャリア輸送層(ホール輸送層または電子輸送層)
の界面に近いところの発光層内で再結合して発光すると
いう原理である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、有機EL素
子は、上記のような利点を有する反面、解決すべき種々
の技術的課題を抱えている。そのうち有機EL素子を実
用化する上での最大の課題としてあげられているのが耐
久性である。すなわち、従来の有機EL素子では、輝度
の低下が速く、通常定電流駆動時の輝度半減期は数十時
間程度と短かった。この劣化の原因は現在未解明である
が、一応の推測として有機発光層とキャリア輸送層との
境界付近に、キャリアすなわち電子やホールの電荷が蓄
積するためであると考えられる。
【0008】あるいは、劣化の原因として素子の駆動時
に発生する熱によって、各層の結晶が成長するなど分子
間の構造が変化し、劣化がおこるという推測もある。本
発明は以上の推測の下、素子駆動時に発生する電荷の蓄
積や熱による素子の劣化が少なくなる工夫を施して、輝
度半減期が長く耐久性のある有機EL素子を現出させた
ものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、ホー
ル注入電極と電子注入電極との間に、互いに接して界面
を形成する有機発光層と有機キャリア輸送層とが、少な
くとも挟持されてなる有機EL素子において、有機発光
層と有機キャリア輸送層中のホール注入電極側の層に、
この層を形成する材料の伝導帯最低準位よりも低い伝導
帯最低準位を有する有機物質をドーピングする、及び/
または有機発光層と有機キャリア輸送層の中で電子注入
電極側の層に、この層を形成する材料の価電子帯最高準
位よりも高い価電子帯最高準位を有する有機物質をドー
ピングすることを特徴とする。
【0010】請求項2の発明は、請求項1の発明に対し
て、前記有機キャリア輸送層が有機ホール輸送層であっ
て、この有機ホール輸送層に、前記有機ホール輸送層材
料の伝導帯最低準位よりも低い伝導帯最低準位を有する
有機物質をドーピングする、及び/または前記有機発光
層に、前記有機発光層材料の価電子帯最高準位よりも高
い価電子帯最高準位を持つ有機物質をドーピングするこ
とを特徴とする。
【0011】請求項3の発明は、請求項2の発明に対し
て、有機ホール輸送層材料の伝導帯最低準位よりも低い
伝導帯最低準位を有する有機物質、及び/または有機発
光層材料の価電子帯最高準位よりも高い価電子帯最高準
位を持つ有機物質が、蛍光物質であることを特徴とす
る。請求項4の発明は、請求項3の発明に対して、有機
ホール輸送層材料の伝導帯最低準位よりも低い伝導帯最
低準位を有する有機物質が、有機ホール輸送層材料の価
電子帯最高準位と同じか、またはより高い価電子帯最高
準位を有し発光する、及び/または有機発光層材料の価
電子帯最高準位よりも高い価電子帯最高準位を持つ有機
物質が、有機発光層材料の伝導帯最低準位と同じか、ま
たはより低い伝導帯最低準位を有し発光することを特徴
とする。
【0012】
【作用】ホール注入電極と電子注入電極との間に有機発
光層と有機キャリア輸送層が挟持された有機EL素子に
おいて、この有機EL素子の発光原理は、ホール注入電
極から注入されたホールと、電子注入電極から注入され
た電子が、有機発光層と有機ホール輸送層の界面近傍の
有機発光層内で再結合する際に、有機発光層が蛍光を発
光するということができる。このような発光の機構にし
たがって、本発明の構成による有機EL素子の作用を図
を用いて説明する。
【0013】図4は、このEL発光素子の作用を説明す
るための概念図であり、左右方向はEL発光素子の積層
方向の位置を示し、上下方向は各層材料の伝導帯および
価電子帯のエネルギー準位を示している。また、図4
(A)は有機ホール輸送層と有機発光層を有する2層構
造の有機EL素子30を、図4(B)は有機発光層と有
機電子輸送層を有する2層構造の有機EL素子40をあ
らわしている。
【0014】有機EL素子30は、図4(A)において
は、左から右にホール注入電極31、有機ホール輸送層
32、有機発光層33、電子注入電極34が順に形成さ
れており、有機ホール輸送層32と有機発光層33の間
には界面35が形成されている。また図中、31aはホ
ール注入電極31のフェルミ準位を、32a・32bは
ホール輸送層32の伝導帯最低準位と価電子帯最高準位
を、33a・33bは有機発光層33の伝導帯最低準位
と価電子帯最高準位を、34aは電子注入電極34のフ
ェルミ準位をそれぞれ示している。
【0015】有機ホール輸送層32の伝導帯最低準位3
2aは、有機発光層33の伝導帯最低準位33aよりも
高いため、電子注入電極34から注入されて有機発光層
33内を有機ホール輸送層32の方向(図中左方向)へ
進んだ電子がさらに界面35を乗り越えて有機ホール輸
送層32に入り込むためには、エネルギー準位の障壁3
5aを越えなければならず、そのため有機発光層33内
の界面35付近にはこの電子が蓄積されると考えられ
る。
【0016】また、有機発光層33の価電子帯最高準位
33bは、有機ホール輸送層32の価電子帯最高準位3
2bよりも低いため、ホール注入電極31から注入され
て有機ホール輸送層32内を有機発光層33の方向(図
中右方向)へ進んだホールがさらに界面35を乗り越え
て有機発光層33に入り込むためには、エネルギー準位
の障壁35bを越えなければならず、そのため有機ホー
ル輸送層32内の界面35付近にはこのホールが蓄積さ
れると考えられる。ここで、有機発光層33を効率的に
発光させるために、上記電子とホールの結合の大部分が
有機発光層33内で起こるように、上記電子が障壁35
aを越えるよりも、上記ホールが障壁35bを越える方
が越えやすいように構成されている。したがって、有機
ホール輸送層32内の界面35付近でのホールの蓄積は
比較的少ない。
【0017】一方、有機EL素子40は図4(B)にお
いては、左から右にホール注入電極41、有機発光層4
2、有機電子輸送層43、電子注入電極44が順に形成
されており、有機発光層42と有機電子輸送層43との
間には界面45が形成されている。また図中、41aは
ホール注入電極41のフェルミ準位を、42a・42b
は有機発光層42の伝導帯最低準位と価電子帯最高準位
を、43a・43bは有機電子輸送層43の伝導帯最低
準位と価電子帯最高準位を、44aは電子注入電極44
のフェルミ準位をそれぞれ示している。
【0018】有機発光層42の伝導帯最低準位42a
は、有機電子輸送層43の伝導帯最低準位43aよりも
高いため、電子注入電極44から注入されて有機電子輸
送層43内を有機発光層42の方向(図中左方向)へ進
んだ電子がさらに界面45を乗り越えて有機発光層42
に入り込むためには、エネルギー準位の障壁45aを越
えなければならず、そのため有機電子輸送層43の界面
45付近にはこの電子が蓄積されると考えられる。
【0019】また、有機電子輸送層43の価電子帯最高
準位43bは、有機発光層42の価電子帯最高準位42
bよりも低いため、ホール注入電極41から注入されて
有機発光層42内を有機電子輸送層43の方向(図中右
方向)へ進んだホールがさらに界面45を乗り越えて有
機電子輸送層43に入り込むためには、エネルギー準位
の障壁45bを越えなければならず、そのため有機発光
層42の界面45付近にはこのホールが蓄積されると考
えられる。ここで、有機発光層42を効率的に発光させ
るために、上記電子とホールの結合の大部分が有機発光
層42内で起こるように、有機EL素子40において、
上記ホールが障壁45bを越えるよりも、上記電子が障
壁45aを越える方が越えやすいように構成されてい
る。したがって、有機電子輸送層43内の界面45付近
での電子の蓄積は比較的少ない。
【0020】このように、ホール注入電極と電子注入電
極との間に有機発光層と有機キャリア輸送層を挟持した
有機EL素子においては、駆動時に有機発光層と有機キ
ャリア輸送層の界面付近にキャリアの蓄積がなされる。
すなわち、電子注入電極側の層内の界面付近には電子
が、ホール注入電極側の層内の界面付近にはホールが蓄
積し、これが有機EL素子の劣化を引き起こす一つの要
因になっていると考えられる。
【0021】このような電荷の蓄積がなぜ輝度を低下さ
せるかという理由は分かっていないが、有機発光素子の
連続発光における輝度の低下が、逆バイアスの印加によ
り、ある程度回復することが学会(名古屋大 森他、第
50回応用物理学会学術講演会(1989秋)29P −
ZP−7)で報告されており、このことからも、キャリ
ア輸送層と有機発光層を含む有機EL素子では、両層の
界面付近における電荷蓄積が、輝度の低下にかなり寄与
していると考えられる。
【0022】請求項1の発明による、有機発光層と有機
キャリア輸送層中のホール注入電極側の層に、この層を
形成する材料の伝導帯最低準位よりも低い伝導帯最低準
位を有する有機物質をドーピングすることは、この有機
物質が界面付近に蓄積された電子をトラップする作用を
なす。すなわち、電子が界面を越えてこの層に入り込む
ために乗り越えなければならなかった障壁を部分的に崩
す作用ということができる。
【0023】これを図4の(A)および(B)を使って
説明すると、有機ホール輸送層32または有機発光層4
2に、有機物質36または有機物質46をドーピングす
ることによって、電子が界面35または界面45を越え
て、有機物質36または有機物質46にトラップされ
る。すなわち界面35または界面45を電子が越えるた
めに、乗り越えなければならなかった障壁35aまたは
障壁45aが、部分的に崩されたということになる。
【0024】また同様に有機発光層と有機キャリア輸送
層中の電子注入電極側の層に、この層を形成する材料の
価電子帯最高準位よりも高い価電子帯最高準位を有する
有機物質をドーピングすることにより、この有機物質が
ホールをトラップする作用をなす。すなわちホールが界
面を越えてこの層に入り込むために乗り越えなければな
らなかった障壁を部分的に低くするという作用をなす。
【0025】これを図4の(A)および(B)を使って
説明すると、有機発光層33または有機電子輸送層43
に、有機物質37または有機物質47をドーピングする
ことによって、ホールが界面35または界面45を越え
て、有機物質37または有機物質47にトラップされ
る。すなわち界面35または界面45をホールが越える
ために、乗り越えなければならなかった障壁35bまた
は障壁45bが、部分的に崩されたということになる。
【0026】以上のようなドーパントの作用は、いずれ
も界面付近に電荷が蓄積することを抑制する。請求項2
の発明による、ホール注入電極と電子注入電極との間
に、有機発光層と有機ホール輸送層が挟持された有機E
L素子において、有機ホール輸送層材料の伝導帯最低準
位よりも低い伝導帯最低準位を持つ有機物質が有機ホー
ル輸送層にドーピングされることは、この有機物質が電
子をトラップし、電子が有機発光層の界面付近に蓄積す
るのを抑制する。また、有機発光層材料の価電子帯最高
準位よりも高い価電子帯最高準位を有する有機物質をド
ーピングすることにより、この有機物質がホールをトラ
ップし、ホールが有機ホール輸送層の界面付近に蓄積す
るのを抑制する。
【0027】請求項3の発明による、前記有機ホール輸
送層材料の伝導帯最低準位よりも低い伝導帯最低準位を
有する有機物質、及び/または前記有機発光層材料の価
電子帯最高準位よりも高い価電子帯最高準位を持つ有機
物質が蛍光物質であることは、請求項2の発明に対して
さらに、この有機物質が電子とホールをトラップする際
に蛍光を発する作用を有する可能性がある。
【0028】そして、この有機物質が発光する場合は、
駆動時にキャリアの持つエネルギーが、熱エネルギーと
して放出されていたものの内、その一部が光エネルギー
に変換されることにもなるので、有機EL素子駆動時に
おいて発生する熱を低減するとともに、発光効率を向上
させるという作用も有することになる。請求項4の発明
による、前記有機ホール輸送層材料の伝導帯最低準位よ
りも低い伝導帯最低準位を有する有機物質が、前記有機
ホール輸送層材料の価電子帯最高準位よりも高い価電子
帯最高準位を有する、及び/または前記有機発光層材料
の価電子帯最高準位よりも高い価電子帯最高準位を持つ
有機物質が、前記有機発光層材料の伝導帯最低準位より
も低い伝導帯最低準位を有することは、請求項3の発明
に対して、これらの有機物質が発光するために必要な条
件の一つを満たすということになる。ただし、これは発
光するための十分な条件ではないので、これらの有機物
質がこの条件を満たしているからといって、必ずしも発
光するということではない。
【0029】これを図4(A)においてみると、有機物
質36の価電子帯最高準位36bが、有機ホール輸送層
32の価電子帯最高準位32bと同じか、またはより高
くなければ有機物質36は発光せず、有機物質37の伝
導帯最低準位37aが、有機発光層33の伝導帯最低準
位33aと同じか、またはより低くなければ有機物質3
7は発光しないということになる。
【0030】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。 (実施例1) 有機ホール輸送層に有機物質をドーピン
グする例。図1は、本発明の実施例1に係わる有機EL
素子A1 の断面模式図である。この有機EL素子A
1 は、ガラス基板1上に、陽極2と、有機ホール輸送層
3と、有機発光層4と、陰極5とが、ガラス基板1側か
ら順に形成されてなるものであり、陽極2と陰極5に
は、それぞれリード線6が接続されており、電圧を印加
できるようになっている。
【0031】陽極2はインジウムースズ酸化物(IT
O)膜であってガラス基板1に被着されている。有機ホ
ール輸送層3は、主材料がN,N’−ジフェニル−N,
N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェ
ニル−4,4’−ジアミン(以下MTPDと称する)で
あって、これにドーパント7としてルブレン(単層蒸着
膜の蛍光ピーク波長570nm)が2wt%の濃度で含有
されており、共蒸着によって陽極2上に500Åの厚さ
で形成されている。有機発光層4はトリス(8−キノリ
ノール)アルミニウム(単層蒸着膜の蛍光ピーク波長5
30nm、以下Alq3 と称する)が真空蒸着によって
500Åの厚さに形成され、陰極5はマグネシウム・イ
ンジウム合金が真空蒸着によって2000Åの厚さに形
成されている。なお、この有機EL素子A1 の各層を製
作するとき、蒸着時の真空度は約10-5Torrであ
る。
【0032】ドーパント以外の構成は上記有機EL素子
1 と同一で、表1に示すドーパントを用いて有機EL
素子A2 〜A7 を作製した。表1中、MTPD、Alq
3 および各ドーパントの構造は下記化1〜化8に示す。
【0033】
【化1】
【0034】
【化2】
【0035】
【化3】
【0036】
【化4】
【0037】
【化5】
【0038】
【化6】
【0039】
【化7】
【0040】
【化8】
【0041】(実施例2) 有機発光層に有機物質を
ドーピングする例 図2は、実施例2に係わる有機EL素子A8 の断面模式
図である。実施例1と同じ機能を有する構成部分につい
ては同一の番号を付して説明を省力する。有機ホール輸
送層13は、MTPDだけで形成されており、ドーパン
トは含まれない。有機発光層14は主材料がAlq
3 で、これにドーパント17としてデカシクレン(上記
化5に示される)が1wt%の濃度でドーピングされてい
る。それ以外の構成は、実施例1の有機EL素子A1
7 と同様である。
【0042】(比較例) ドーピングしない従来例 図3は、比較例に係わる有機EL素子X1 の断面模式図
である。実施例1と同じ機能を有する構成部分について
は同一の番号を付して説明を省力する。有機EL素子X
1 は、有機ホール輸送層13がMTPDのみで形成され
ている以外は実施例1の有機EL素子A1 〜A7 と同様
に形成されている。
【0043】〔実験〕上記実施例1と実施例2の有機E
L素子A1 〜A8 、および比較例1の有機EL素子X1
について、10mA/cm2 で定電流連続駆動させ、輝
度の経時変化、輝度半減期、発光ピーク波長を調べた。
表1の左半分はこの有機EL素子A1 〜A8 および有機
EL素子X1 の、有機ホール輸送層と有機発光層に使わ
れた、主材料と各ドーパントについて、価電子帯最高準
位と伝導帯最低準位を示し、表1の右半分は上記実験の
結果を示すものである。
【0044】
【表1】
【0045】ここにおいて、価電子帯最高準位と伝導帯
最低準位の数値は、両者とも真空準位をゼロとし、次の
測定方法によって求めた値である。 価電子帯最高準位の数値:イオン化ポテンシャルにマイ
ナス記号を付けたもので、単層蒸着膜について光電子分
光法により求めた。 伝導帯最低準位の数値:価電子帯最高準位にバンドギャ
ップを加えたもので、バンドギャップはOno等の方法
(J.Phys.Soc.Jpn.58(1989)1
895)に従い、単層蒸着膜の光吸収により求めた。
【0046】表1に示されるように、有機EL素子A1
〜A8 はいずれも有機EL素子X1よりも連続駆動時の
輝度半減期が長くなっており、耐久性が向上したことを
示している。また、有機EL素子A1 〜A5 は、有機ホ
ール輸送層に使われたドーパントの価電子帯最高準位が
有機ホール輸送層主材料のMTPDの価電子帯最高準位
よりも高く、この中で有機EL素子A1 〜A4 はドーパ
ントが発光するが、有機EL素子A5 のようにドーパン
トが発光しない場合もあることがわかる。
【0047】一方、有機EL素子A6 ・A7 は、有機ホ
ール輸送層に使われたドーパントの価電子帯最高準位が
有機ホール輸送層主材料のMTPDの価電子帯最高準位
よりも低いので、ドーパントが発光しない。なお上記実
施例1・2の有機EL素子A1 〜A8 にドーパントとし
て使われた有機物質は、すべて蛍光物質であるが、本発
明の請求項1記載の有機物質は、蛍光物質には限らな
い。
【0048】(実施例3) ドーパントの濃度を変える
例。実施例1の有機EL素子A1 において、有機ホール
輸送層にドーピングするドーパント(ルブレン)の濃度
だけを0wt%、1wt%、2wt%、5wt%、10wt%と変
化させて有機EL素子を構成し、その各有機EL素子に
ついて、上記実験と同様に連続駆動時の輝度半減期を測
定した。
【0049】その結果、表2に示されるように、ドーパ
ントの濃度が1wt%、2wt%、5wt%となるに従って輝
度半減期は長くなっているが、10wt%では短くなって
いる。この実施例の場合、ドーパントの濃度は10wt%
以下が望ましく、5wt%が最も良好であることがわか
る。
【0050】
【表2】
【0051】(実施例4) ドーピングする位置を変え
る例。実施例1の有機EL素子A6 において、有機ホー
ル輸送層(MTPD層)にドーパント(Alq3 )をド
ーピングする位置だけを変え、その他は実施例1と同様
に次の有機EL素子A6 (a)・A6 (b)を構成し
た。有機EL素子A6 は、有機ホール輸送層全体にドー
ピングした(厚さ500Å)。
【0052】有機EL素子A6 (a)は、有機ホール輸
送層の陽極側半分だけにドーピングした(厚さ250
Å)。有機EL素子A6 (b)は、有機ホール輸送層の
有機発光層側半分にドーピングした(厚さ250Å)。
また、実施例1の有機EL素子A1 において、有機ホー
ル輸送層(MTPD層)に対してドーパント(ルブレ
ン)濃度を10wt%とし、ドーピングする位置を変え、
その他は実施例1と同様に次の有機EL素子A1 (a)
・A1 (b)を構成した。
【0053】有機EL素子A1 (a)は、有機ホール輸
送層全体にドーピングした(厚さ500Å)。有機EL
素子A1 (b)は、有機ホール輸送層の有機発光層側半
分にドーピングした(厚さ250Å)。この有機EL素
子A6 (a)・A6 (b)とA1 (a)・A1 (b)に
ついて、上記実験と同様に連続駆動時の輝度半減期を測
定した。その結果、表3に示すように、ホール輸送層へ
ドーピングする場合、ドーピング位置が有機発光層(A
lq3 層)に接していることが輝度半減期向上に有効で
あるための条件であることがわかる。
【0054】
【表3】
【0055】(実施例5) 有機ホール輸送層と有機発
光層の両方にドーピングする例。有機EL素子A9 ・A
10・A11は次のように構成されている。有機EL素子A
9 ・A10・A11の有機ホール輸送層は、主材料MTPD
にルブレンがドーピングされて形成されており、このル
ブレンの濃度は有機ホール輸送層に対してそれぞれ2wt
%・5wt%・10wt%である。また、有機発光層は主材
料Alq3 にルブレンが1wt%の濃度でドーピングされ
形成されている。それ以外は実施例1の有機EL素子A
1 と同様に、有機EL素子A9 ・A10・A11は構成され
ている。
【0056】この各有機EL素子A9 ・A10・A11につ
いて、上記実験と同様に連続駆動時の輝度半減期を測定
した結果を表4に示す。この結果、有機ホール輸送層へ
のドーピングに、有機発光層へのドーピングを併用する
ことが、輝度半減期の向上にさらに有効であることがわ
かる。
【0057】
【表4】
【0058】(その他の例)なお、上記実施例において
は、有機ホール輸送層と有機発光層を有する2層構造の
有機EL素子について示したが、有機発光層と有機電子
輸送層を有する2層構造の有機EL素子についても同様
に実施可能である。この場合、有機発光層の材料として
は、下記化9に示されるNSDおよび化10〜化23に
示されるPYR−1〜PYR−14などのホール輸送性
材料を用いることができ、有機電子輸送層の材料として
は下記化24に示されるOXD−1、化25に示される
OXD−7、化26に示されるPBDなどを用いること
ができる。
【0059】
【化9】
【0060】
【化10】
【0061】
【化11】
【0062】
【化12】
【0063】
【化13】
【0064】
【化14】
【0065】
【化15】
【0066】
【化16】
【0067】
【化17】
【0068】
【化18】
【0069】
【化19】
【0070】
【化20】
【0071】
【化21】
【0072】
【化22】
【0073】
【化23】
【0074】
【化24】
【0075】
【化25】
【0076】
【化26】
【0077】有機発光層および有機電子輸送層にドーピ
ングするドーパントは、有機発光層および有機電子輸送
層の材料に応じて、上記実施例において使用したドーパ
ントなどの中から選択することにより実施することがで
きる。また、上記実施例では有機EL素子の構造が2層
構造であるが、3層構造の有機EL素子についても同様
にして実施は可能である。
【0078】
【発明の効果】以上の本発明によれば、発光特性が優れ
ていて、且つ耐久性の優れた有機EL素子を提供するこ
とができる。また、このように有機EL素子の発光特性
が優れ、耐久性が向上することにより、有機EL素子を
フラットディスプレイ、液晶用バックライトなどにおい
ても、従来よりさらに幅広い用途に使用することが可能
となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1に係わる有機EL素子の断面
模式図である。
【図2】実施例2に係わる有機EL素子A8 の断面模式
図である。
【図3】比較例に係わる有機EL素子X1 の断面模式図
である。
【図4】本発明の有機EL素子の作用を説明するための
概念図である。
【符号の説明】
2 ホール注入電極 3 有機ホール輸送層 4 有機発光層 5 電子注入電極 7 ドーパント
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浜田 祐次 守口市京阪本通2丁目18番地 三洋電機株 式会社内 (72)発明者 柴田 賢一 守口市京阪本通2丁目18番地 三洋電機株 式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ホール注入電極と電子注入電極との間
    に、互いに接して界面を形成する有機発光層と有機キャ
    リア輸送層とが、少なくとも挟持されてなる有機EL素
    子において、 前記有機発光層と前記有機キャリア輸送層中のホール注
    入電極側の層に、この層を形成する材料の伝導帯最低準
    位よりも低い伝導帯最低準位を有する有機物質をドーピ
    ングする、 及び/または前記有機発光層と前記有機キャリア輸送層
    の中で前記電子注入電極側の層に、この層を形成する材
    料の価電子帯最高準位よりも高い価電子帯最高準位を有
    する有機物質をドーピングすることを特徴とする有機E
    L素子。
  2. 【請求項2】 前記有機キャリア輸送層が有機ホール輸
    送層であって、 この有機ホール輸送層に、前記有機ホール輸送層材料の
    伝導帯最低準位よりも低い伝導帯最低準位を有する有機
    物質をドーピングする、 及び/または前記有機発光層に、前記有機発光層材料の
    価電子帯最高準位よりも高い価電子帯最高準位を持つ有
    機物質をドーピングすることを特徴とする請求項1記載
    の有機EL素子。
  3. 【請求項3】 前記有機ホール輸送層材料の伝導帯最低
    準位よりも低い伝導帯最低準位を有する有機物質、 及び/または前記有機発光層材料の価電子帯最高準位よ
    りも高い価電子帯最高準位を持つ有機物質が、蛍光物質
    であることを特徴とする請求項2記載の有機EL素子。
  4. 【請求項4】 前記有機ホール輸送層材料の伝導帯最低
    準位よりも低い伝導帯最低準位を有する有機物質が、前
    記有機ホール輸送層材料の価電子帯最高準位と同じか、
    またはより高い価電子帯最高準位を有し発光する、 及び/または前記有機発光層材料の価電子帯最高準位よ
    りも高い価電子帯最高準位を持つ有機物質が、前記有機
    発光層材料の伝導帯最低準位と同じか、またはより低い
    伝導帯最低準位を有し発光することを特徴とする請求項
    3記載の有機EL素子。
JP21316893A 1993-08-27 1993-08-27 有機el素子 Expired - Lifetime JP3332491B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21316893A JP3332491B2 (ja) 1993-08-27 1993-08-27 有機el素子
US08/295,548 US5601903A (en) 1993-08-27 1994-08-25 Organic electroluminescent elements

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21316893A JP3332491B2 (ja) 1993-08-27 1993-08-27 有機el素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0765958A true JPH0765958A (ja) 1995-03-10
JP3332491B2 JP3332491B2 (ja) 2002-10-07

Family

ID=16634691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21316893A Expired - Lifetime JP3332491B2 (ja) 1993-08-27 1993-08-27 有機el素子

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5601903A (ja)
JP (1) JP3332491B2 (ja)

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10255985A (ja) * 1997-02-27 1998-09-25 Xerox Corp 有機elデバイス
WO1998051757A1 (fr) * 1997-05-15 1998-11-19 Sanyo Electric Co., Ltd. Element electroluminescent organique
WO1999012396A1 (fr) * 1997-09-01 1999-03-11 Seiko Epson Corporation Element electroluminescent et procede de production
JP2000164362A (ja) * 1998-05-19 2000-06-16 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6387547B1 (en) 1998-05-01 2002-05-14 Tdk Corporation Compound for use in organic EL device and organic EL device
JP2003077676A (ja) * 1998-05-19 2003-03-14 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100392707B1 (ko) * 2001-01-29 2003-07-28 주식회사모나미 유기 전기 발광소자 및 그 제조방법
US6613454B2 (en) * 2000-04-21 2003-09-02 Tdk Corporation Organic EL device
EP1424381A2 (en) 2002-11-26 2004-06-02 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, and display and illuminator
WO2004047499A1 (ja) * 2002-11-18 2004-06-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6849346B2 (en) 2000-01-13 2005-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrode and thin film EL device including the same and methods of fabricating the same and display device and lighting system including the thin film EL device
US6899961B2 (en) 1999-12-15 2005-05-31 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic electroluminescence device
US7244516B1 (en) 2003-05-29 2007-07-17 Sony Corporation Organic electroluminescence device
JP2008053558A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Matsushita Electric Works Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2008166687A (ja) * 2006-07-04 2008-07-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置並びに電子機器
JP2008543102A (ja) * 2005-06-10 2008-11-27 トムソン ライセンシング 異なる有機材料の2つ以下の層を備える有機発光ダイオード
US7473575B2 (en) 2001-11-27 2009-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2009218581A (ja) * 2008-02-13 2009-09-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置および電子機器
US7915807B2 (en) 2000-12-28 2011-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2012015097A (ja) * 2010-06-03 2012-01-19 Canon Inc 表示装置
JP2012069857A (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 Seiko Epson Corp 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器
JP2012199588A (ja) * 2006-06-02 2012-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子
US8410688B2 (en) 2006-07-04 2013-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP2014508394A (ja) * 2010-10-19 2014-04-03 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 有機発光素子および方法
US8835943B2 (en) 2010-09-06 2014-09-16 Seiko Epson Corporation Light-emitting element, light-emitting device, display device, and electronic apparatus
JP2018133595A (ja) * 2008-12-12 2018-08-23 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション ドープ正孔輸送層を介して改善されたoled安定性

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US6548956B2 (en) 1994-12-13 2003-04-15 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US6358631B1 (en) 1994-12-13 2002-03-19 The Trustees Of Princeton University Mixed vapor deposited films for electroluminescent devices
JP3505257B2 (ja) * 1995-02-24 2004-03-08 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6623870B1 (en) * 1996-08-02 2003-09-23 The Ohio State University Electroluminescence in light emitting polymers featuring deaggregated polymers
JP3228502B2 (ja) * 1996-10-08 2001-11-12 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3526877B2 (ja) 1997-03-11 2004-05-17 ジィ、オハイオ、ステイト、ユニバーシティー、リサーチ、ファンデーション 色可変バイポーラ/ac発光素子
CA2307035A1 (en) * 1997-03-12 1998-09-17 Yunzhang Wang Bilayer polymer electroluminescent device featuring interface electroluminescence
JP3949214B2 (ja) * 1997-03-18 2007-07-25 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6303238B1 (en) * 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
GB9805476D0 (en) * 1998-03-13 1998-05-13 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
EP1062844B1 (en) 1998-03-13 2003-10-01 Cambridge Display Technology Limited Electroluminescent devices
EP0992564A4 (en) 1998-04-09 2006-09-27 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE
JP3847483B2 (ja) * 1998-04-30 2006-11-22 富士写真フイルム株式会社 特定のビニルシラン化合物およびそれを含有する有機発光素子、および、ビニルシラン化合物の製造方法。
US6830828B2 (en) 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
JP3287344B2 (ja) 1998-10-09 2002-06-04 株式会社デンソー 有機el素子
US6465115B2 (en) * 1998-12-09 2002-10-15 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with anthracene derivatives hole transport layer
US6391482B1 (en) 1999-02-04 2002-05-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic material for electroluminescent device and electroluminescent device using the same
CN100382354C (zh) * 1999-02-15 2008-04-16 出光兴产株式会社 有机场致发光元件及其制造方法
US7001536B2 (en) * 1999-03-23 2006-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
JP3865996B2 (ja) * 1999-04-07 2007-01-10 富士フイルムホールディングス株式会社 特定のシラン化合物及びそれらからなる発光素子材料、及び、それを含有する発光素子。
JP2000290284A (ja) * 1999-04-07 2000-10-17 Fuji Photo Film Co Ltd 特定のシラン化合物、合成法、及びそれらからなる発光素子材料、及び、それを含有する発光素子。
US6521360B2 (en) * 1999-06-08 2003-02-18 City University Of Hong Kong White and colored organic electroluminescent devices using single emitting material by novel color change technique
JP3589960B2 (ja) 1999-09-16 2004-11-17 株式会社デンソー 有機el素子
EP3379591A1 (en) 1999-12-01 2018-09-26 The Trustees of Princeton University Complexes of form l2mx
JP4255610B2 (ja) * 1999-12-28 2009-04-15 出光興産株式会社 白色系有機エレクトロルミネッセンス素子
US6475648B1 (en) * 2000-06-08 2002-11-05 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with improved stability and efficiency
US20030143427A1 (en) * 2000-06-13 2003-07-31 Mikiko Matsuo Exciton forming substance, luminescent material using the substance, method for light emission and luminescent element, and device using the element
US6734623B1 (en) 2000-07-31 2004-05-11 Xerox Corporation Annealed organic light emitting devices and method of annealing organic light emitting devices
DE10058578C2 (de) * 2000-11-20 2002-11-28 Univ Dresden Tech Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
TW518909B (en) * 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
US6765348B2 (en) 2001-01-26 2004-07-20 Xerox Corporation Electroluminescent devices containing thermal protective layers
US6614175B2 (en) 2001-01-26 2003-09-02 Xerox Corporation Organic light emitting devices
US6841932B2 (en) 2001-03-08 2005-01-11 Xerox Corporation Display devices with organic-metal mixed layer
US7288887B2 (en) * 2001-03-08 2007-10-30 Lg.Philips Lcd Co. Ltd. Devices with multiple organic-metal mixed layers
JP4036682B2 (ja) * 2001-06-06 2008-01-23 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および発光材料
WO2002102118A1 (fr) * 2001-06-06 2002-12-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Dispositif a electroluminescence organique
ITTO20010692A1 (it) * 2001-07-13 2003-01-13 Consiglio Nazionale Ricerche Dispositivo elettroluminescente organico basato sull'emissione di ecciplessi od elettroplessi e sua realizzazione.
US6727644B2 (en) * 2001-08-06 2004-04-27 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device having a color-neutral dopant in an emission layer and in a hole and/or electron transport sublayer
EP1421827B1 (en) * 2001-08-29 2012-02-22 The Trustees Of Princeton University Organic light emitting devices having carrier blocking layers comprising metal complexes
US7078113B2 (en) 2001-08-29 2006-07-18 The University Of Southern California Organic light emitting devices having carrier transporting layers comprising metal complexes
US6759146B2 (en) 2001-11-08 2004-07-06 Xerox Corporation Organic devices
US6740429B2 (en) 2001-11-08 2004-05-25 Xerox Corporation Organic light emitting devices
US6773830B2 (en) 2001-11-08 2004-08-10 Xerox Corporation Green organic light emitting devices
US6753098B2 (en) 2001-11-08 2004-06-22 Xerox Corporation Organic light emitting devices
US6737177B2 (en) 2001-11-08 2004-05-18 Xerox Corporation Red organic light emitting devices
US7254331B2 (en) * 2002-08-09 2007-08-07 Micron Technology, Inc. System and method for multiple bit optical data transmission in memory systems
JP2004207102A (ja) * 2002-12-26 2004-07-22 Optrex Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20040126617A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-01 Eastman Kodak Company Efficient electroluminescent device
KR100560785B1 (ko) * 2003-02-03 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 저전압에서 구동되는 유기 전계 발광 소자
KR100527194B1 (ko) * 2003-06-24 2005-11-08 삼성에스디아이 주식회사 도핑된 정공수송층 및/또는 정공주입층을 갖는유기전계발광소자
US6852429B1 (en) 2003-08-06 2005-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent device based on pyrene derivatives
US20050069727A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Rahul Gupta Oled emissive polymer layer
US7629695B2 (en) * 2004-05-20 2009-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Stacked electronic component and manufacturing method thereof
US7449831B2 (en) * 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having inorganic material containing anode capping layer
US20060088730A1 (en) * 2004-10-25 2006-04-27 Eastman Kodak Company Organic light-emitting devices with improved performance
US7776456B2 (en) * 2004-12-03 2010-08-17 Universal Display Corporation Organic light emitting devices with an emissive region having emissive and non-emissive layers and method of making
US7402346B2 (en) * 2004-12-07 2008-07-22 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent devices
US7517595B2 (en) 2005-03-10 2009-04-14 Eastman Kodak Company Electroluminescent devices with mixed electron transport materials
US7777407B2 (en) * 2005-05-04 2010-08-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer
US8487527B2 (en) * 2005-05-04 2013-07-16 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
US7795806B2 (en) * 2005-05-20 2010-09-14 Lg Display Co., Ltd. Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (MOML)
US7943244B2 (en) * 2005-05-20 2011-05-17 Lg Display Co., Ltd. Display device with metal-organic mixed layer anodes
US7811679B2 (en) * 2005-05-20 2010-10-12 Lg Display Co., Ltd. Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers
US7750561B2 (en) 2005-05-20 2010-07-06 Lg Display Co., Ltd. Stacked OLED structure
US7728517B2 (en) * 2005-05-20 2010-06-01 Lg Display Co., Ltd. Intermediate electrodes for stacked OLEDs
JP2007115465A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7977862B2 (en) * 2005-12-21 2011-07-12 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
US7352125B2 (en) * 2005-12-21 2008-04-01 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Organic light emitting devices with hole impeding materials
US7645525B2 (en) * 2005-12-27 2010-01-12 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
US7928537B2 (en) * 2006-03-31 2011-04-19 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent device
US20070275265A1 (en) * 2006-05-25 2007-11-29 Au Optronics Corporation Organic light emitting layer with a reduced phosphorescent dopant concentration and applications of same
US20090078933A1 (en) * 2007-09-21 2009-03-26 Lg Electronics Inc. Organic light emitting device
WO2009051248A1 (en) * 2007-10-19 2009-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
WO2020122889A1 (en) 2018-12-12 2020-06-18 Fmc Technologies, Inc. Rotating indexing coupling (ric) assembly for installation and orientation of a subsea production tree

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769292A (en) * 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
JP3069139B2 (ja) * 1990-03-16 2000-07-24 旭化成工業株式会社 分散型電界発光素子
US5093698A (en) * 1991-02-12 1992-03-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescent device
US5343050A (en) * 1992-01-07 1994-08-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescent device with low barrier height
US5405709A (en) * 1993-09-13 1995-04-11 Eastman Kodak Company White light emitting internal junction organic electroluminescent device

Cited By (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10255985A (ja) * 1997-02-27 1998-09-25 Xerox Corp 有機elデバイス
WO1998051757A1 (fr) * 1997-05-15 1998-11-19 Sanyo Electric Co., Ltd. Element electroluminescent organique
US6825611B2 (en) 1997-09-01 2004-11-30 Seiko Epson Corporation Electroluminescent elements with light-emitting layer containing first and second compounds
WO1999012396A1 (fr) * 1997-09-01 1999-03-11 Seiko Epson Corporation Element electroluminescent et procede de production
US6575800B1 (en) 1997-09-01 2003-06-10 Seiko Epson Corporation Electroluminescent element and method of producing the same
US6387547B1 (en) 1998-05-01 2002-05-14 Tdk Corporation Compound for use in organic EL device and organic EL device
US6399223B1 (en) 1998-05-01 2002-06-04 Tdk Corporation Compound for use in organic EL device and organic EL device
JP2000164362A (ja) * 1998-05-19 2000-06-16 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003077676A (ja) * 1998-05-19 2003-03-14 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100626975B1 (ko) * 1998-05-19 2006-09-22 산요덴키가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네선스 소자
US6899961B2 (en) 1999-12-15 2005-05-31 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic electroluminescence device
US8349472B2 (en) 1999-12-15 2013-01-08 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device
US6849346B2 (en) 2000-01-13 2005-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrode and thin film EL device including the same and methods of fabricating the same and display device and lighting system including the thin film EL device
US6613454B2 (en) * 2000-04-21 2003-09-02 Tdk Corporation Organic EL device
US8878431B2 (en) 2000-12-28 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US9362518B2 (en) 2000-12-28 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US8432094B2 (en) 2000-12-28 2013-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US9209418B2 (en) 2000-12-28 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7915807B2 (en) 2000-12-28 2011-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
KR100392707B1 (ko) * 2001-01-29 2003-07-28 주식회사모나미 유기 전기 발광소자 및 그 제조방법
US7482626B2 (en) 2001-11-27 2009-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7473575B2 (en) 2001-11-27 2009-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7737437B2 (en) 2001-11-27 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Light emitting device
US8994017B2 (en) 2001-11-27 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device containing iridium complex
US8610109B2 (en) 2001-11-27 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US9263691B2 (en) 2001-11-27 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device containing iridium complex
WO2004047499A1 (ja) * 2002-11-18 2004-06-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8766534B2 (en) 2002-11-18 2014-07-01 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element
EP2762546A1 (en) 2002-11-26 2014-08-06 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, and display and illuminator
EP2248870A2 (en) 2002-11-26 2010-11-10 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminscent element and display and illuminator
EP1424381A2 (en) 2002-11-26 2004-06-02 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, and display and illuminator
EP2765174A1 (en) 2002-11-26 2014-08-13 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, and display and illuminator
EP2759585A1 (en) 2002-11-26 2014-07-30 Konica Minolta Business Technologies, Inc. Organic electroluminescent element, and display and illuminator
US7244516B1 (en) 2003-05-29 2007-07-17 Sony Corporation Organic electroluminescence device
JP2008543102A (ja) * 2005-06-10 2008-11-27 トムソン ライセンシング 異なる有機材料の2つ以下の層を備える有機発光ダイオード
US8395313B2 (en) 2005-06-10 2013-03-12 Thomson Licensing Light-emitting organic diode comprising not more than two layers of different organic materials
US11631826B2 (en) 2006-06-02 2023-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US10937981B2 (en) 2006-06-02 2021-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US9608222B2 (en) 2006-06-02 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element having electron-trapping layer
JP2012199588A (ja) * 2006-06-02 2012-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子
US8471465B2 (en) 2006-07-04 2013-06-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US8786183B2 (en) 2006-07-04 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
KR101424694B1 (ko) * 2006-07-04 2014-08-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자 및 전자기기
US8314548B2 (en) 2006-07-04 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US8410688B2 (en) 2006-07-04 2013-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
KR101434283B1 (ko) * 2006-07-04 2014-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자, 발광 장치 및 전자기기
TWI548306B (zh) * 2006-07-04 2016-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件,發光裝置,和電子裝置
US8587193B2 (en) 2006-07-04 2013-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device and electronic device
JP2008166687A (ja) * 2006-07-04 2008-07-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置並びに電子機器
TWI484862B (zh) * 2006-07-04 2015-05-11 Semiconductor Energy Lab 發光元件,發光裝置,和電子裝置
US9041282B2 (en) 2006-07-04 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device including first and second light-emitting units
KR101408264B1 (ko) * 2006-07-04 2014-06-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자, 발광 장치 및 전자기기
JP2008053558A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Matsushita Electric Works Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2009218581A (ja) * 2008-02-13 2009-09-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置および電子機器
JP2018133595A (ja) * 2008-12-12 2018-08-23 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション ドープ正孔輸送層を介して改善されたoled安定性
JP2012015097A (ja) * 2010-06-03 2012-01-19 Canon Inc 表示装置
US8835943B2 (en) 2010-09-06 2014-09-16 Seiko Epson Corporation Light-emitting element, light-emitting device, display device, and electronic apparatus
JP2012069857A (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 Seiko Epson Corp 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器
JP2014508394A (ja) * 2010-10-19 2014-04-03 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 有機発光素子および方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5601903A (en) 1997-02-11
JP3332491B2 (ja) 2002-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0765958A (ja) 有機el素子
JP3249297B2 (ja) 有機電界発光素子
US6406801B1 (en) Optical resonator type organic electroluminescent element
US5093698A (en) Organic electroluminescent device
Liao et al. High-efficiency tandem organic light-emitting diodes
US6885147B2 (en) Organic light emitting diode devices with improved anode stability
US5773929A (en) Organic EL device with dual doping layers
JP5473924B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子
JPH04297076A (ja) 有機el素子
JP3237905B2 (ja) 有機el素子
JP3953404B2 (ja) 有機エレクトロ・ルミネッセンス素子、該有機エレクトロ・ルミネッセンス素子の製造方法、および有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置
US7061175B2 (en) Efficiency transparent cathode
JP2000030868A (ja) 発光デバイス
JP2004273163A (ja) 有機el素子とその製造方法および有機elパネル
JP2003187977A (ja) 有機el素子
JP2772019B2 (ja) 電界発光素子
JP2991450B2 (ja) 有機膜発光素子
JP3852518B2 (ja) 有機電界発光素子
JP3820752B2 (ja) 有機電界発光素子
JPH07106066A (ja) 有機電界発光素子
KR100572654B1 (ko) 유기 전계발광 소자
KR100547055B1 (ko) 유기 전계발광 소자
JP3152506B2 (ja) 有機電界発光素子
KR100581639B1 (ko) 유기 전계발광 소자
JP3852520B2 (ja) 有機電界発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080726

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080726

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090726

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090726

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100726

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100726

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110726

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120726

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130726

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term