JP2000030868A - 発光デバイス - Google Patents
発光デバイスInfo
- Publication number
- JP2000030868A JP2000030868A JP14075899A JP14075899A JP2000030868A JP 2000030868 A JP2000030868 A JP 2000030868A JP 14075899 A JP14075899 A JP 14075899A JP 14075899 A JP14075899 A JP 14075899A JP 2000030868 A JP2000030868 A JP 2000030868A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- transport layer
- light emitting
- emitting device
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 title abstract 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 33
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 17
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 17
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 107
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- IBTAKSXRZTUBLU-UHFFFAOYSA-N 3-n-(3-methylphenyl)benzene-1,3-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(NC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 IBTAKSXRZTUBLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical group [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
- H10K50/181—Electron blocking layers
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機ＥＬデバイスにおける逆バイアス特性を
向上させ、それによりクロストークの問題を解決する。 【解決手段】 発光デバイスは、電子輸送層、正孔輸送
層、アノード、およびカソードを含み、（ａ）カソード
と電子輸送層との間に配置され、電子輸送層のイオン化
ポテンシャルよりも大きな規模のイオン化ポテンシャル
を有する正孔ブロック層と、（ｂ）アノードと正孔輸送
層との間に配置され、正孔輸送層の電子親和力よりも大
きな規模の電子親和力を有する電子ブロック層とのいず
れかまたは両方を更に含む。
向上させ、それによりクロストークの問題を解決する。 【解決手段】 発光デバイスは、電子輸送層、正孔輸送
層、アノード、およびカソードを含み、（ａ）カソード
と電子輸送層との間に配置され、電子輸送層のイオン化
ポテンシャルよりも大きな規模のイオン化ポテンシャル
を有する正孔ブロック層と、（ｂ）アノードと正孔輸送
層との間に配置され、正孔輸送層の電子親和力よりも大
きな規模の電子親和力を有する電子ブロック層とのいず
れかまたは両方を更に含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光デバイスに関す
る。詳細には、有機材料、例えば、低分子量有機分子、
オリゴマーおよびポリマーを使用する有機エレクトロル
ミネセント（ＥＬ）ディスプレイ等の有機エレクトロル
ミネセントデバイスに関する。
る。詳細には、有機材料、例えば、低分子量有機分子、
オリゴマーおよびポリマーを使用する有機エレクトロル
ミネセント（ＥＬ）ディスプレイ等の有機エレクトロル
ミネセントデバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】２層有機ＥＬセルは、通常、アノード、
正孔輸送層、電子輸送層（エミッタ層）、およびカソー
ドを含み、例えば、C. W. Tangらの Appl. Phys. Let
t., 49(2), 183-185 (1986) に記載されている。この構
造において、正孔輸送層はｐ型半導体として振る舞い、
電子輸送層はｎ型半導体として振る舞う。有機ＥＬセル
は発光ダイオード（ＬＥＤ）として振る舞う。
正孔輸送層、電子輸送層（エミッタ層）、およびカソー
ドを含み、例えば、C. W. Tangらの Appl. Phys. Let
t., 49(2), 183-185 (1986) に記載されている。この構
造において、正孔輸送層はｐ型半導体として振る舞い、
電子輸送層はｎ型半導体として振る舞う。有機ＥＬセル
は発光ダイオード（ＬＥＤ）として振る舞う。
【０００３】３層有機ＥＬセルは、通常、アノード、正
孔輸送層、エミッタ層、電子輸送層、およびカソードを
含み、例えば、C. Adachi らの Jpn J. Appl. Phys. 2
7, L713-L715 (1988) に記載されており、改良された発
光効率を提供する。あるいは、有機ＥＬセルは、通常、
S. Miyata らの Organic Electroluminescent Material
s and Devices. Gordon and Breach Science Publisher
s.に記載されているように、アノード、正孔注入層、正
孔輸送層、電子輸送層（エミッタ層）、およびカソード
を含む。有機エレクトロルミネセントダイオードの更な
る説明が、C. W. Tangらの Appl. Phys. Lett. 51 (1
2),第913-915頁 (1997) に記載されている。
孔輸送層、エミッタ層、電子輸送層、およびカソードを
含み、例えば、C. Adachi らの Jpn J. Appl. Phys. 2
7, L713-L715 (1988) に記載されており、改良された発
光効率を提供する。あるいは、有機ＥＬセルは、通常、
S. Miyata らの Organic Electroluminescent Material
s and Devices. Gordon and Breach Science Publisher
s.に記載されているように、アノード、正孔注入層、正
孔輸送層、電子輸送層（エミッタ層）、およびカソード
を含む。有機エレクトロルミネセントダイオードの更な
る説明が、C. W. Tangらの Appl. Phys. Lett. 51 (1
2),第913-915頁 (1997) に記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、逆方向バイア
スでの有機ＥＬセルの整流特性は、マトリクスセルにと
っては乏しい。シンプルマトリクスアドレシングされた
ディスプレイにおける有機ＬＥＤの乏しい逆方向バイア
ス特性とは、特定のマトリクスセルがアドレシングされ
る場合に、他のセルが、逆方向バイアスされたＬＥＤを
介して電流がリークした結果として影響を受けることを
意味する。この問題は、マトリクスセル間のクロストー
クと呼ばれる。
スでの有機ＥＬセルの整流特性は、マトリクスセルにと
っては乏しい。シンプルマトリクスアドレシングされた
ディスプレイにおける有機ＬＥＤの乏しい逆方向バイア
ス特性とは、特定のマトリクスセルがアドレシングされ
る場合に、他のセルが、逆方向バイアスされたＬＥＤを
介して電流がリークした結果として影響を受けることを
意味する。この問題は、マトリクスセル間のクロストー
クと呼ばれる。
【０００５】ＬＥＤの逆方向バイアス特性は、シンプル
マトリクスアドレシングを用いる場合に考えるべき非常
に重要な要因である。クロストークの問題に対するある
解決方法は、仕事関数の低い金属（S. Miyata らの Org
anic Electroluminescent Materials and Devices. Gor
don and Breach Science Publishers. 参照）、または
合金（D. Braunらの Appl. Phys. Lett., 58 (18), 19
82-1984 (1991)参照）をカソードとして用いることであ
る。逆方向バイアスの下で、正孔はカソードからＬＥＤ
の電子輸送層（ＥＴＬ）へと注入されるので、正孔をカ
ソードからＥＴＬへと注入するためにエネルギー（＝Ｉ
ｐ(ETL)−Ｗｆｃ）が必要とされる。ここで、Ｉｐ(ETL)
はＥＴＬのイオン化ポテンシャルであり、Ｗｆｃはカソ
ードの仕事関数である。エネルギー障壁の高さ（＝Ｉｐ
(ETL)−Ｗｆｃ）は逆方向バイアスでのＬＥＤの電流−
電圧（Ｉ−Ｖ）特性に関係する。仕事関数の低い金属ま
たは合金が使用される場合、エネルギー障壁の高さはよ
り高くなる。この場合、通常、逆方向バイアス特性は非
常に優れている。しかし通常、このような材料の安定性
は劣っている。別の解決方法は、マトリクスのアドレシ
ングされていないライン／列を全て接地することである
が、これは定電流駆動スキーム(constantcurrent drive
scheme)にとっては簡単ではない。
マトリクスアドレシングを用いる場合に考えるべき非常
に重要な要因である。クロストークの問題に対するある
解決方法は、仕事関数の低い金属（S. Miyata らの Org
anic Electroluminescent Materials and Devices. Gor
don and Breach Science Publishers. 参照）、または
合金（D. Braunらの Appl. Phys. Lett., 58 (18), 19
82-1984 (1991)参照）をカソードとして用いることであ
る。逆方向バイアスの下で、正孔はカソードからＬＥＤ
の電子輸送層（ＥＴＬ）へと注入されるので、正孔をカ
ソードからＥＴＬへと注入するためにエネルギー（＝Ｉ
ｐ(ETL)−Ｗｆｃ）が必要とされる。ここで、Ｉｐ(ETL)
はＥＴＬのイオン化ポテンシャルであり、Ｗｆｃはカソ
ードの仕事関数である。エネルギー障壁の高さ（＝Ｉｐ
(ETL)−Ｗｆｃ）は逆方向バイアスでのＬＥＤの電流−
電圧（Ｉ−Ｖ）特性に関係する。仕事関数の低い金属ま
たは合金が使用される場合、エネルギー障壁の高さはよ
り高くなる。この場合、通常、逆方向バイアス特性は非
常に優れている。しかし通常、このような材料の安定性
は劣っている。別の解決方法は、マトリクスのアドレシ
ングされていないライン／列を全て接地することである
が、これは定電流駆動スキーム(constantcurrent drive
scheme)にとっては簡単ではない。
【０００６】Pioneer Electron Corp 出願の特願平第04
006823号（特開平第05198380号）は、インジウムおよび
リチウムの合金からなる負電極と有機層との間の臨界表
面(critical surface)からの決められた膜厚の合金領域
におけるリチウム濃度を特定することによって、高い発
光効率および高い輝度を有する有機ＥＬ素子を提供する
ことを目的としている。
006823号（特開平第05198380号）は、インジウムおよび
リチウムの合金からなる負電極と有機層との間の臨界表
面(critical surface)からの決められた膜厚の合金領域
におけるリチウム濃度を特定することによって、高い発
光効率および高い輝度を有する有機ＥＬ素子を提供する
ことを目的としている。
【０００７】本明細書中では、以下の略語を用いる。Ｎ
ＰＢは４，４’ビス[Ｎ−(１−ナフチル)−N−フェニル
アミノ]−ビフェニル、Ａｌｑは８−ヒドロキシキノリ
ンアルミニウムを、ＢＡｌｑは（１，１’−ビスフェニ
ル）−４−オラート）ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラート−Ｎ１，０８）アルミニウムを、ｔＢｕ−ＰＢＤ
は２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェ
ニル）−１，３，４−オキサジアゾールを、ＰＤＡはテ
トラ−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（３−トリル）−１，３−
ジアミノベンゼンを、Ａｌはアルミニウムを、そしてＩ
ＴＯはインジウム錫酸化物を示す。
ＰＢは４，４’ビス[Ｎ−(１−ナフチル)−N−フェニル
アミノ]−ビフェニル、Ａｌｑは８−ヒドロキシキノリ
ンアルミニウムを、ＢＡｌｑは（１，１’−ビスフェニ
ル）−４−オラート）ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラート−Ｎ１，０８）アルミニウムを、ｔＢｕ−ＰＢＤ
は２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェ
ニル）−１，３，４−オキサジアゾールを、ＰＤＡはテ
トラ−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（３−トリル）−１，３−
ジアミノベンゼンを、Ａｌはアルミニウムを、そしてＩ
ＴＯはインジウム錫酸化物を示す。
【０００８】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は上記のような問題点を克服して、有
機ＥＬデバイスにおける逆バイアス特性を向上させ、そ
れによりクロストークの問題を解決することである。
であり、その目的は上記のような問題点を克服して、有
機ＥＬデバイスにおける逆バイアス特性を向上させ、そ
れによりクロストークの問題を解決することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による発光デバイ
スは、電子輸送層、正孔輸送層、アノード、およびカソ
ードを含み、（ａ）カソードと電子輸送層との間に配置
され、電子輸送層のイオン化ポテンシャルよりも大きな
規模のイオン化ポテンシャルを有する正孔ブロック層
と、（ｂ）アノードと正孔輸送層との間に配置され、正
孔輸送層の電子親和力よりも大きな規模の電子親和力を
有する電子ブロック層とのいずれかまたは両方を更に含
み、そのことにより上記目的が達成される。
スは、電子輸送層、正孔輸送層、アノード、およびカソ
ードを含み、（ａ）カソードと電子輸送層との間に配置
され、電子輸送層のイオン化ポテンシャルよりも大きな
規模のイオン化ポテンシャルを有する正孔ブロック層
と、（ｂ）アノードと正孔輸送層との間に配置され、正
孔輸送層の電子親和力よりも大きな規模の電子親和力を
有する電子ブロック層とのいずれかまたは両方を更に含
み、そのことにより上記目的が達成される。
【００１０】エミッタ層が電子輸送層と正孔輸送層との
間に配置されてもよい。
間に配置されてもよい。
【００１１】エミッタ層が低分子量有機分子、オリゴマ
ーまたはポリマーから形成されてもよい。
ーまたはポリマーから形成されてもよい。
【００１２】電子輸送層が低分子量有機分子、オリゴマ
ーまたはポリマーから形成されてもよい。
ーまたはポリマーから形成されてもよい。
【００１３】正孔輸送層が低分子量有機分子、オリゴマ
ーまたはポリマーから形成されてもよい。
ーまたはポリマーから形成されてもよい。
【００１４】正孔ブロック層が低分子量有機分子、オリ
ゴマーまたはポリマーから形成されてもよい。
ゴマーまたはポリマーから形成されてもよい。
【００１５】電子ブロック層が低分子量有機分子、オリ
ゴマーまたはポリマーから形成されてもよい。
ゴマーまたはポリマーから形成されてもよい。
【００１６】正孔ブロック層および／または電子ブロッ
ク層が、スピンコーティング、ドクターブレード技術、
化学蒸着法、表面吸着、またはプラズマ重合等の均一な
薄膜を提供する技術によって形成されてもよい。
ク層が、スピンコーティング、ドクターブレード技術、
化学蒸着法、表面吸着、またはプラズマ重合等の均一な
薄膜を提供する技術によって形成されてもよい。
【００１７】電子輸送層はｎ型半導体のように振る舞う
有機材料から形成された、正孔輸送層はｐ型半導体のよ
うに振る舞う有機材料から形成されてもよい。
有機材料から形成された、正孔輸送層はｐ型半導体のよ
うに振る舞う有機材料から形成されてもよい。
【００１８】発光デバイスが発光ダイオードであっても
よい。
よい。
【００１９】マトリクスディスプレイはいずれかの複数
の発光デバイスを含んでもよい。
の発光デバイスを含んでもよい。
【００２０】各発光デバイスが２つの電極によってアド
レシングされ、アドレシングされない電極がフローティ
ング状態にあってもよい。
レシングされ、アドレシングされない電極がフローティ
ング状態にあってもよい。
【００２１】本発明によると、電子輸送層、正孔輸送
層、アノード、カソード、ならびに、（ａ）カソードと
電子輸送層との間に配置され、電子輸送層のイオン化ポ
テンシャルよりも大きなイオン化ポテンシャルを有する
正孔ブロック層と、（ｂ）アノードと正孔輸送層との間
に配置され、正孔輸送層の電子親和力よりも小さな電子
親和力を有する電子ブロック層と、のいずれかまたは両
方を含む発光デバイスが提供される。
層、アノード、カソード、ならびに、（ａ）カソードと
電子輸送層との間に配置され、電子輸送層のイオン化ポ
テンシャルよりも大きなイオン化ポテンシャルを有する
正孔ブロック層と、（ｂ）アノードと正孔輸送層との間
に配置され、正孔輸送層の電子親和力よりも小さな電子
親和力を有する電子ブロック層と、のいずれかまたは両
方を含む発光デバイスが提供される。
【００２２】単数または複数のブロック層のより大きな
イオン化ポテンシャルおよび／またはより低い電子親和
力が、より大きなエネルギー障壁を逆方向バイアス下で
の電子からの電荷の注入に提供するので、このような発
光デバイスは、改良された逆方向バイアス特性を提供す
る。
イオン化ポテンシャルおよび／またはより低い電子親和
力が、より大きなエネルギー障壁を逆方向バイアス下で
の電子からの電荷の注入に提供するので、このような発
光デバイスは、改良された逆方向バイアス特性を提供す
る。
【００２３】エミッタ層は電子輸送層と正孔輸送層との
間に配置され得る。
間に配置され得る。
【００２４】このようなエミッタ層は、順方向バイアス
下でのデバイスによって放出される光の量を増加させ
る。
下でのデバイスによって放出される光の量を増加させ
る。
【００２５】エミッタ層は、低分子量有機分子、オリゴ
マーまたはポリマーから形成され得る。
マーまたはポリマーから形成され得る。
【００２６】電子輸送層は、低分子量有機分子、オリゴ
マーまたはポリマーから形成され得る。
マーまたはポリマーから形成され得る。
【００２７】正孔輸送層は、低分子量有機分子、オリゴ
マーまたはポリマーから形成され得る。
マーまたはポリマーから形成され得る。
【００２８】正孔ブロック層は、低分子量有機分子、オ
リゴマーまたはポリマーから形成され得る。
リゴマーまたはポリマーから形成され得る。
【００２９】電子ブロック層は、低分子量有機分子、オ
リゴマーまたはポリマーから形成され得る。
リゴマーまたはポリマーから形成され得る。
【００３０】正孔ブロック層および／または電子ブロッ
ク層は、スピンコーティング、ドクターブレード技術、
化学蒸着法、表面吸着、またはプラズマ重合等の均一な
薄膜を提供する技術によって形成され得る。
ク層は、スピンコーティング、ドクターブレード技術、
化学蒸着法、表面吸着、またはプラズマ重合等の均一な
薄膜を提供する技術によって形成され得る。
【００３１】電子輸送層は、ｎ型半導体のように振る舞
う有機材料であり得、正孔輸送層は、ｐ型半導体のよう
に振る舞う有機材料であり得る。
う有機材料であり得、正孔輸送層は、ｐ型半導体のよう
に振る舞う有機材料であり得る。
【００３２】発光デバイスは発光ダイオードであり得
る。
る。
【００３３】本発明はまた、上述のように、複数の発光
デバイスを含むマトリクスディスプレイを提供する。
デバイスを含むマトリクスディスプレイを提供する。
【００３４】各発光デバイスは２つの電極によってアド
レシングされ得、アドレシングされない電極はある電位
に固定されずに電気的にフローティング状態にあっても
よい。
レシングされ得、アドレシングされない電極はある電位
に固定されずに電気的にフローティング状態にあっても
よい。
【００３５】本発明は、１つ以上の電子輸送層、１つ以
上の正孔輸送層、および／または１つ以上のエミッタ層
を含み得る。
上の正孔輸送層、および／または１つ以上のエミッタ層
を含み得る。
【００３６】発光デバイスは、電子輸送層４０、正孔輸
送層３６、アノード３４、およびカソード３８を含み、
（ａ）カソード３８と電子輸送層４０との間に配置さ
れ、電子輸送層４０のイオン化ポテンシャルよりも大き
な規模のイオン化ポテンシャルを有する正孔ブロック層
５０と、（ｂ）アノード３４と正孔輸送層３６との間に
配置され、正孔輸送層３６の電子親和力よりも大きな規
模の電子親和力を有する電子ブロック層６０とのいずれ
かまたは両方を更に含む。
送層３６、アノード３４、およびカソード３８を含み、
（ａ）カソード３８と電子輸送層４０との間に配置さ
れ、電子輸送層４０のイオン化ポテンシャルよりも大き
な規模のイオン化ポテンシャルを有する正孔ブロック層
５０と、（ｂ）アノード３４と正孔輸送層３６との間に
配置され、正孔輸送層３６の電子親和力よりも大きな規
模の電子親和力を有する電子ブロック層６０とのいずれ
かまたは両方を更に含む。
【００３７】
【発明の実施の形態】図１は、アドレシングされない電
極がフローティング状態にある従来技術の５×４シンプ
ルマトリクス１０を示す。マトリクス１０は、５個の列
電極１４（図１において１から５で表示されている）お
よび４個の行電極１６（図１において１から４で表示さ
れている）によってアドレシングされた有機ＬＥＤ１２
のマトリクスを含む。図１において、列電極１４および
行電極１６は、その交差部において電気的に接続するこ
となく直角に交差する。位置（１,１）の有機ＬＥＤ１
２から発光を行うために、バッテリー１８で示すよう
に、第１の列電極１４と第１の行電極１６との間に電圧
を印加する。しかし、逆方向バイアスＬＥＤ１２を介し
て電流がリークした結果、電流は位置（１,１）の有機
ＬＥＤ１２を通過するだけでなく、他のＬＥＤ１２も通
過する。例えば、位置（１,１）のＬＥＤを介して第１
の列電極１４から第１の行電極１６へと流れる電流に加
えて、初めに位置（１,２）のＬＥＤ（順方向にバイア
スされている）を通過し、次に、位置（２,２）のＬＥ
Ｄ（逆方向にバイアスされている）を通過し、最後に位
置（２,１）のＬＥＤ（順方向にバイアスされている）
を通過して流れることによってもこれら２つの電極の間
に電流が流れ得る。このことは、位置（２,２）のＬＥ
Ｄが逆方向バイアスに一定の電流を流す場合にのみ起こ
り得ることは明らかである。
極がフローティング状態にある従来技術の５×４シンプ
ルマトリクス１０を示す。マトリクス１０は、５個の列
電極１４（図１において１から５で表示されている）お
よび４個の行電極１６（図１において１から４で表示さ
れている）によってアドレシングされた有機ＬＥＤ１２
のマトリクスを含む。図１において、列電極１４および
行電極１６は、その交差部において電気的に接続するこ
となく直角に交差する。位置（１,１）の有機ＬＥＤ１
２から発光を行うために、バッテリー１８で示すよう
に、第１の列電極１４と第１の行電極１６との間に電圧
を印加する。しかし、逆方向バイアスＬＥＤ１２を介し
て電流がリークした結果、電流は位置（１,１）の有機
ＬＥＤ１２を通過するだけでなく、他のＬＥＤ１２も通
過する。例えば、位置（１,１）のＬＥＤを介して第１
の列電極１４から第１の行電極１６へと流れる電流に加
えて、初めに位置（１,２）のＬＥＤ（順方向にバイア
スされている）を通過し、次に、位置（２,２）のＬＥ
Ｄ（逆方向にバイアスされている）を通過し、最後に位
置（２,１）のＬＥＤ（順方向にバイアスされている）
を通過して流れることによってもこれら２つの電極の間
に電流が流れ得る。このことは、位置（２,２）のＬＥ
Ｄが逆方向バイアスに一定の電流を流す場合にのみ起こ
り得ることは明らかである。
【００３８】図２は、位置（１,１）のＬＥＤ１２がア
ドレシングされる場合の、図１の回路の別の図を示す。
図２は、どのＬＥＤ１２が順方向にバイアスされ、どの
ＬＥＤ１２が逆方向にバイアスされるかを示す。点線で
示す箱２０内のＬＥＤは全て逆方向にバイアスされ、他
のＬＥＤは全て順方向にバイアスされる。第１の列およ
び第１の行内の全てのＬＥＤが順方向にバイアスされ、
それに対して他のＬＥＤ全てが逆方向にバイアスされ
る。通常、どのＬＥＤ１２がアドレシングされても、同
じ列内の他のＬＥＤおよび同じ行内の他のＬＥＤは順方
向にバイアスされ、残りのＬＥＤは逆方向にバイアスさ
れる。ＬＥＤ１２の逆方向バイアス特性が良好である場
合（つまり、逆方向バイアス電流が非常に小さく、ダイ
オード特性が非常に非対称である場合）、電流はアドレ
シングされたＬＥＤ１２のみを通過して流れる。図１に
おいて、マトリクスは位置（１,１）のＬＥＤ１２から
のみ発光する。しかし、ダイオードの逆方向バイアス整
流特性が乏しい場合（つまり、逆方向バイアス電流を無
視できない場合）、マトリクス内の他のセルからの発光
が起こり得る。１つの画素を示すＬＥＤについて、逆方
向バイアスの電流が非常に低い場合でさえ、複数の画素
からの電流が並列に結合するという事実から、クロスト
ークの問題が起こり得る。例えば、ＶＧＡパネルは６４
０個の列を含み得る。
ドレシングされる場合の、図１の回路の別の図を示す。
図２は、どのＬＥＤ１２が順方向にバイアスされ、どの
ＬＥＤ１２が逆方向にバイアスされるかを示す。点線で
示す箱２０内のＬＥＤは全て逆方向にバイアスされ、他
のＬＥＤは全て順方向にバイアスされる。第１の列およ
び第１の行内の全てのＬＥＤが順方向にバイアスされ、
それに対して他のＬＥＤ全てが逆方向にバイアスされ
る。通常、どのＬＥＤ１２がアドレシングされても、同
じ列内の他のＬＥＤおよび同じ行内の他のＬＥＤは順方
向にバイアスされ、残りのＬＥＤは逆方向にバイアスさ
れる。ＬＥＤ１２の逆方向バイアス特性が良好である場
合（つまり、逆方向バイアス電流が非常に小さく、ダイ
オード特性が非常に非対称である場合）、電流はアドレ
シングされたＬＥＤ１２のみを通過して流れる。図１に
おいて、マトリクスは位置（１,１）のＬＥＤ１２から
のみ発光する。しかし、ダイオードの逆方向バイアス整
流特性が乏しい場合（つまり、逆方向バイアス電流を無
視できない場合）、マトリクス内の他のセルからの発光
が起こり得る。１つの画素を示すＬＥＤについて、逆方
向バイアスの電流が非常に低い場合でさえ、複数の画素
からの電流が並列に結合するという事実から、クロスト
ークの問題が起こり得る。例えば、ＶＧＡパネルは６４
０個の列を含み得る。
【００３９】図３は従来の２層有機ＬＥＤ３０について
の模式的なエネルギー図を示し、図６は従来の３層有機
ＬＥＤ３２についての模式的なエネルギー図を示す。図
中、対応する部分には同じ参照符号を与える。図３およ
び図６において、アノード３４は正孔輸送層（ＨＴＬ）
３６に接続される。正孔輸送層（ＨＴＬ）３６はｐ型半
導体のように振る舞う有機材料から形成される。カソー
ド３８は電子輸送層（ＥＴＬ）４０に接続される。電子
輸送層（ＥＴＬ）４０はｎ型半導体のように振る舞う有
機材料から形成される。図３および図６は模式的なエネ
ルギーレベル図を示す。この図において、ＨＴＬ３６の
上端４２の高さはＨＴＬ３６の電子親和力（Ｅ
ａ(HTL)）を示し、ＥＴＬ４０の下端４４の高さはＥＴ
Ｌ４０のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ(ETL)）を示す。
同様に、アノード３４を示す線の高さはアノード３４の
仕事関数（Ｗｆａ）を示し、カソード３８を示す線の高
さはカソード３８のの仕事関数（Ｗｆｃ）を示す。図３
において、ＨＴＬ３６はＥＴＬ４０に隣接して配置さ
れ、それに対して図６において、エミッタ４６はＨＴＬ
３６とＥＴＬ４０との間に配置される。
の模式的なエネルギー図を示し、図６は従来の３層有機
ＬＥＤ３２についての模式的なエネルギー図を示す。図
中、対応する部分には同じ参照符号を与える。図３およ
び図６において、アノード３４は正孔輸送層（ＨＴＬ）
３６に接続される。正孔輸送層（ＨＴＬ）３６はｐ型半
導体のように振る舞う有機材料から形成される。カソー
ド３８は電子輸送層（ＥＴＬ）４０に接続される。電子
輸送層（ＥＴＬ）４０はｎ型半導体のように振る舞う有
機材料から形成される。図３および図６は模式的なエネ
ルギーレベル図を示す。この図において、ＨＴＬ３６の
上端４２の高さはＨＴＬ３６の電子親和力（Ｅ
ａ(HTL)）を示し、ＥＴＬ４０の下端４４の高さはＥＴ
Ｌ４０のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ(ETL)）を示す。
同様に、アノード３４を示す線の高さはアノード３４の
仕事関数（Ｗｆａ）を示し、カソード３８を示す線の高
さはカソード３８のの仕事関数（Ｗｆｃ）を示す。図３
において、ＨＴＬ３６はＥＴＬ４０に隣接して配置さ
れ、それに対して図６において、エミッタ４６はＨＴＬ
３６とＥＴＬ４０との間に配置される。
【００４０】本明細書中で説明する有機材料において、
電子親和力は真空準位（０ｅＶの基準エネルギー準位と
みなし得る）から最低空軌道のエネルギー準位（ＬＵＭ
Ｏ準位）へと下方向に測定した（負の）エネルギーとみ
なし得る。イオン化ポテンシャルは真空準位から最高被
占軌道のエネルギー準位（ＨＯＭＯ準位）へと下方向に
測定した（負の）エネルギーとみなし得る。本明細書中
で説明する金属および金属材料（つまりＩＴＯおよびＡ
ｌ）について、仕事関数は真空準位（０ｅＶ）からフェ
ルミ準位へと下方に測定した（負の）エネルギーであ
る。
電子親和力は真空準位（０ｅＶの基準エネルギー準位と
みなし得る）から最低空軌道のエネルギー準位（ＬＵＭ
Ｏ準位）へと下方向に測定した（負の）エネルギーとみ
なし得る。イオン化ポテンシャルは真空準位から最高被
占軌道のエネルギー準位（ＨＯＭＯ準位）へと下方向に
測定した（負の）エネルギーとみなし得る。本明細書中
で説明する金属および金属材料（つまりＩＴＯおよびＡ
ｌ）について、仕事関数は真空準位（０ｅＶ）からフェ
ルミ準位へと下方に測定した（負の）エネルギーであ
る。
【００４１】初めに、図３および図６の従来の有機ＬＥ
Ｄ３０および３２における、逆方向バイアス下での正孔
および電子の動きを説明する。アノード３４からＨＴＬ
３６に電子が注入され、そこで電子をアノード３４から
ＨＴＬ３６に注入するために｜Ｗｆａ−Ｅａ(HTL)｜の
エネルギーが必要とされる。カソード３８からＥＴＬ４
０に正孔が注入され、そこで正孔をカソード３８からＥ
ＴＬ４０に注入するために｜Ｉｐ(ETL)−Ｗｆｃ｜のエ
ネルギーが必要とされる。電荷注入に対するエネルギー
障壁の高さ｜Ｗｆａ−Ｅａ(HTL)｜および｜Ｉｐ(ETL)−
Ｗｆｃ｜は、逆方向にバイアスされた有機ＬＥＤ３０お
よび３２の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性に関連する。
Ｄ３０および３２における、逆方向バイアス下での正孔
および電子の動きを説明する。アノード３４からＨＴＬ
３６に電子が注入され、そこで電子をアノード３４から
ＨＴＬ３６に注入するために｜Ｗｆａ−Ｅａ(HTL)｜の
エネルギーが必要とされる。カソード３８からＥＴＬ４
０に正孔が注入され、そこで正孔をカソード３８からＥ
ＴＬ４０に注入するために｜Ｉｐ(ETL)−Ｗｆｃ｜のエ
ネルギーが必要とされる。電荷注入に対するエネルギー
障壁の高さ｜Ｗｆａ−Ｅａ(HTL)｜および｜Ｉｐ(ETL)−
Ｗｆｃ｜は、逆方向にバイアスされた有機ＬＥＤ３０お
よび３２の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性に関連する。
【００４２】図４および図７はそれぞれ、本発明による
２つの有機ＬＥＤ４８および４９を示す。本発明の有機
ＬＥＤ４８および４９において、正孔ブロック層（ＨＢ
Ｌ）５０はカソード３８とＥＴＬ４０との間に構成され
る。ＨＢＬ５０の下端５２の高さはＨＢＬ５０のイオン
化ポテンシャル（Ｉｐ(HBL)）を示す。ＨＢＬ５０は、
有機ＬＥＤ４８および４９の逆方向バイアス特性を向上
させるために、ＥＴＬ４０のイオン化ポテンシャルＩｐ
(ETL)よりも大きいイオン化ポテンシャルＩｐ( HBL)を有
する。その結果、図４および図７の有機ＬＥＤ４８およ
び４９における、カソード３８からＨＢＬ５０に正孔を
注入するために必要なエネルギー、つまり｜Ｉｐ(HBL)
−Ｗｆｃ｜は、図３および図６の有機ＬＥＤ３０および
３２における、カソード３８からＥＴＬ４０に正孔を注
入するために必要なエネルギー、つまり｜Ｉｐ(ETL)−
Ｗｆｃ｜よりも大きい。つまり、｜Ｉｐ(HBL)−Ｗｆｃ
｜＞｜Ｉｐ(ETL)−Ｗｆｃ｜となる。
２つの有機ＬＥＤ４８および４９を示す。本発明の有機
ＬＥＤ４８および４９において、正孔ブロック層（ＨＢ
Ｌ）５０はカソード３８とＥＴＬ４０との間に構成され
る。ＨＢＬ５０の下端５２の高さはＨＢＬ５０のイオン
化ポテンシャル（Ｉｐ(HBL)）を示す。ＨＢＬ５０は、
有機ＬＥＤ４８および４９の逆方向バイアス特性を向上
させるために、ＥＴＬ４０のイオン化ポテンシャルＩｐ
(ETL)よりも大きいイオン化ポテンシャルＩｐ( HBL)を有
する。その結果、図４および図７の有機ＬＥＤ４８およ
び４９における、カソード３８からＨＢＬ５０に正孔を
注入するために必要なエネルギー、つまり｜Ｉｐ(HBL)
−Ｗｆｃ｜は、図３および図６の有機ＬＥＤ３０および
３２における、カソード３８からＥＴＬ４０に正孔を注
入するために必要なエネルギー、つまり｜Ｉｐ(ETL)−
Ｗｆｃ｜よりも大きい。つまり、｜Ｉｐ(HBL)−Ｗｆｃ
｜＞｜Ｉｐ(ETL)−Ｗｆｃ｜となる。
【００４３】ＬＥＤ４８および４９はそれぞれ独立した
ＨＢＬ５０およびＥＴＬ４０を有する。従って順方向バ
イアスにおいて電子をカソード３８から離れるように輸
送し、逆方向バイアスにおいて正孔をブロックする能力
は、２つの異なる層内で個別に最適化され得る。２つの
層の相対的な厚さも制御され得る。ＨＢＬ５０は、ＥＴ
Ｌ４０のイオン化ポテンシャルよりも規模の大きなイオ
ン化ポテンシャルを必要とするが、順方向バイアスでの
高い電子輸送能力を必要としない。ＥＴＬ４０は順方向
バイアスでの高い電子輸送能力を必要とするが、高いイ
オン化ポテンシャル値を必要としない。
ＨＢＬ５０およびＥＴＬ４０を有する。従って順方向バ
イアスにおいて電子をカソード３８から離れるように輸
送し、逆方向バイアスにおいて正孔をブロックする能力
は、２つの異なる層内で個別に最適化され得る。２つの
層の相対的な厚さも制御され得る。ＨＢＬ５０は、ＥＴ
Ｌ４０のイオン化ポテンシャルよりも規模の大きなイオ
ン化ポテンシャルを必要とするが、順方向バイアスでの
高い電子輸送能力を必要としない。ＥＴＬ４０は順方向
バイアスでの高い電子輸送能力を必要とするが、高いイ
オン化ポテンシャル値を必要としない。
【００４４】図５および図８は、アノード３４とＨＴＬ
３６との間に配置された電子ブロック層（ＥＢＬ）６０
を備えた、更に２つの有機ＬＥＤ５４および５６を示
す。ＥＢＬ６０の上端６２の高さはＥＢＬ６０の電子親
和力Ｅａ(EBL)を示す。ＥＢＬ６０の電子親和力の規模
は、ＨＴＬ３６の電子親和力の規模よりも小さくなるよ
うに調節されるので、｜Ｗｆａ−Ｅａ（ＥＢＬ）｜＞｜
Ｗｆａ−Ｅａ（ＨＴＬ）｜となる。つまり、アノード３
４からＥＢＬ６０に電子を注入するために必要とされる
エネルギー｜Ｗｆａ−Ｅａ（ＥＢＬ）｜は、（図３およ
び図６の従来のＬＥＤ３０および３２において）アノー
ド３４からＨＴＬ３６に電子を注入するために必要とさ
れるエネルギーよりも大きい。
３６との間に配置された電子ブロック層（ＥＢＬ）６０
を備えた、更に２つの有機ＬＥＤ５４および５６を示
す。ＥＢＬ６０の上端６２の高さはＥＢＬ６０の電子親
和力Ｅａ(EBL)を示す。ＥＢＬ６０の電子親和力の規模
は、ＨＴＬ３６の電子親和力の規模よりも小さくなるよ
うに調節されるので、｜Ｗｆａ−Ｅａ（ＥＢＬ）｜＞｜
Ｗｆａ−Ｅａ（ＨＴＬ）｜となる。つまり、アノード３
４からＥＢＬ６０に電子を注入するために必要とされる
エネルギー｜Ｗｆａ−Ｅａ（ＥＢＬ）｜は、（図３およ
び図６の従来のＬＥＤ３０および３２において）アノー
ド３４からＨＴＬ３６に電子を注入するために必要とさ
れるエネルギーよりも大きい。
【００４５】ＬＥＤ５４および５６は、別個のＥＢＬ６
０およびＨＴＬ３６を有する。従って、順方向バイアス
において正孔をアノード３４から離れるように輸送し、
逆方向バイアスにおいて電子をブロックする能力は、２
つの異なる層（３６および６０）内で個別に最適化され
得る。２つの層（３６および６０）の相対的な厚さも制
御され得る。ＥＢＬ６０はＨＴＬ３６の電子親和力より
も規模の小さな電子親和力を必要とするが、順方向バイ
アスでの高い正孔輸送能力を必要としない。ＨＴＬ３６
は順方向バイアスでの高い正孔輸送能力を必要とする
が、低い電子親和力値を必要としない。
０およびＨＴＬ３６を有する。従って、順方向バイアス
において正孔をアノード３４から離れるように輸送し、
逆方向バイアスにおいて電子をブロックする能力は、２
つの異なる層（３６および６０）内で個別に最適化され
得る。２つの層（３６および６０）の相対的な厚さも制
御され得る。ＥＢＬ６０はＨＴＬ３６の電子親和力より
も規模の小さな電子親和力を必要とするが、順方向バイ
アスでの高い正孔輸送能力を必要としない。ＨＴＬ３６
は順方向バイアスでの高い正孔輸送能力を必要とする
が、低い電子親和力値を必要としない。
【００４６】注入された電荷は、逆方向バイアスにおい
て電極３４および３８から有機層５０および６０に注入
されるためにより高いエネルギーを必要とする。従っ
て、図３および図６に示す従来のＬＥＤ３０および３２
と比べて整流特性が向上する。逆方向バイアスでの電流
は従来のＬＥＤの電流よりも小さい。そのために、クロ
ストークの問題は排除される。ＨＢＬ５０の使用によ
り、従来のデバイスで使用される、反応性がより高く、
仕事関数の低い金属または合金の代わりに、安定した金
属（例えばアルミニウム）をカソード３８として用いる
ことができる。このことは、ＬＥＤの寿命を向上させる
のに有利である。
て電極３４および３８から有機層５０および６０に注入
されるためにより高いエネルギーを必要とする。従っ
て、図３および図６に示す従来のＬＥＤ３０および３２
と比べて整流特性が向上する。逆方向バイアスでの電流
は従来のＬＥＤの電流よりも小さい。そのために、クロ
ストークの問題は排除される。ＨＢＬ５０の使用によ
り、従来のデバイスで使用される、反応性がより高く、
仕事関数の低い金属または合金の代わりに、安定した金
属（例えばアルミニウム）をカソード３８として用いる
ことができる。このことは、ＬＥＤの寿命を向上させる
のに有利である。
【００４７】図９は図８のＬＥＤ５６の別の図であり、
それぞれ電極３４および３８からＥＢＬ６０およびＨＢ
Ｌ５０に電子および正孔を注入するために必要なエネル
ギーを示す。これらのエネルギーをそれぞれ箱６４およ
び６６の中に表示する。点線で囲んだ箱６８および７０
はそれぞれ、図６の従来の３層有機ＬＥＤ３２のアノー
ド３４およびカソード３８から電子および正孔を注入す
るのに必要なエネルギーを表示する。図９から理解でき
るように、これらのエネルギーは実線の箱６４および６
６に表示されたエネルギーよりも低い。
それぞれ電極３４および３８からＥＢＬ６０およびＨＢ
Ｌ５０に電子および正孔を注入するために必要なエネル
ギーを示す。これらのエネルギーをそれぞれ箱６４およ
び６６の中に表示する。点線で囲んだ箱６８および７０
はそれぞれ、図６の従来の３層有機ＬＥＤ３２のアノー
ド３４およびカソード３８から電子および正孔を注入す
るのに必要なエネルギーを表示する。図９から理解でき
るように、これらのエネルギーは実線の箱６４および６
６に表示されたエネルギーよりも低い。
【００４８】図１０は、図６の従来のＬＥＤ３２と比較
した、図４、図５、図７および図８に示す有機ＬＥＤの
逆方向バイアスにおける電流−電圧特性の向上を示す概
略的なグラフである。（「有機ＬＥＤ」と表示した曲線
によって概略的に示す。） 図１１は、従来のＩＴＯ/ＮＰＢ/ＢＡｌｑ/Ａｌｑ/Ａｌ
というＬＥＤ構造での模式的なエネルギー図を示す。こ
れは従来の３層有機ＬＥＤである。ＮＰＢは典型的な正
孔輸送材料であり、ＢＡｌｑは典型的な発光材料であ
り、Ａｌｑは典型的な電子輸送材料である。有機層ＮＰ
Ｂ、ＢＡｌｑおよびＡｌｑ（ＮＰＢの厚さは通常約６０
ｎｍ、ＢＡｌｑおよびＡｌｑの厚さはそれぞれ通常約３
０ｎｍ）およびアルミニウムカソード（通常厚さ２００
ｎｍ）は、真空下での熱蒸発(thermal evaporation)に
よってインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）ガラスアノード上
に堆積される。このＬＥＤセルにおいて、青緑色の光が
ＢＡｌｑ層から放出される。ＮＰＢ、ＡｌｑおよびＢＡ
ｌｑの化学構造を図１１の右手側に示す。ＩＴＯの仕事
関数（ＷｆITO＝Ｗｆａ）とＮＰＢの電子親和力（Ｅａ
(NPB)＝Ｅａ（ＨＴＬ））との間のエネルギーギャップ
は２．２ｅＶであり、Ａｌの仕事関数（ＷｆAl＝Ｗｆ
ｃ）とＡｌｑのイオン化ポテンシャル（Ｉｐ(Alq)＝Ｉ
ｐ(ETL)）との間のエネルギーギャップは１．３ｅＶで
ある。つまり、｜Ｗｆａ−Ｅａ(HTL)｜＝２．２ｅＶ、
且つ、｜Ｉｐ(ETL)−Ｗｆｃ｜＝１．３ｅＶである。
した、図４、図５、図７および図８に示す有機ＬＥＤの
逆方向バイアスにおける電流−電圧特性の向上を示す概
略的なグラフである。（「有機ＬＥＤ」と表示した曲線
によって概略的に示す。） 図１１は、従来のＩＴＯ/ＮＰＢ/ＢＡｌｑ/Ａｌｑ/Ａｌ
というＬＥＤ構造での模式的なエネルギー図を示す。こ
れは従来の３層有機ＬＥＤである。ＮＰＢは典型的な正
孔輸送材料であり、ＢＡｌｑは典型的な発光材料であ
り、Ａｌｑは典型的な電子輸送材料である。有機層ＮＰ
Ｂ、ＢＡｌｑおよびＡｌｑ（ＮＰＢの厚さは通常約６０
ｎｍ、ＢＡｌｑおよびＡｌｑの厚さはそれぞれ通常約３
０ｎｍ）およびアルミニウムカソード（通常厚さ２００
ｎｍ）は、真空下での熱蒸発(thermal evaporation)に
よってインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）ガラスアノード上
に堆積される。このＬＥＤセルにおいて、青緑色の光が
ＢＡｌｑ層から放出される。ＮＰＢ、ＡｌｑおよびＢＡ
ｌｑの化学構造を図１１の右手側に示す。ＩＴＯの仕事
関数（ＷｆITO＝Ｗｆａ）とＮＰＢの電子親和力（Ｅａ
(NPB)＝Ｅａ（ＨＴＬ））との間のエネルギーギャップ
は２．２ｅＶであり、Ａｌの仕事関数（ＷｆAl＝Ｗｆ
ｃ）とＡｌｑのイオン化ポテンシャル（Ｉｐ(Alq)＝Ｉ
ｐ(ETL)）との間のエネルギーギャップは１．３ｅＶで
ある。つまり、｜Ｗｆａ−Ｅａ(HTL)｜＝２．２ｅＶ、
且つ、｜Ｉｐ(ETL)−Ｗｆｃ｜＝１．３ｅＶである。
【００４９】図１２は、ＩＴＯ/ＮＰＢ/ＢＡｌｑ/Ａｌ
ｑ/ｔＢｕ−ＰＢＤ/ＡｌというＬＥＤ構造での模式的な
エネルギー図を示す。この図は、本発明による有機ＬＥ
Ｄを示す。この図において、ｔＢｕ−ＰＢＤの層はＡｌ
層とＡｌｑ層との間に堆積される。ｔＢｕ−ＰＢＤの化
学構造を図１２の右手側に示す。ｔＢｕ−ＰＢＤ層の厚
さは、１５ｎｍである。この場合、Ａｌの仕事関数とｔ
Ｂｕ−ＰＢＤのイオン化ポテンシャル（Ｉｐ(tBu-PBD)
＝Ｉｐ(HBL)）との間エネルギーギャップの値は１．８
ｅＶである。従って、 ｜Ｉｐ(HBL)−Ｗｆｃ｜＝１．８ｅＶ ＞ ｜Ｉｐ(ETL)
−Ｗｆｃ｜＝１．３ｅＶ となる。
ｑ/ｔＢｕ−ＰＢＤ/ＡｌというＬＥＤ構造での模式的な
エネルギー図を示す。この図は、本発明による有機ＬＥ
Ｄを示す。この図において、ｔＢｕ−ＰＢＤの層はＡｌ
層とＡｌｑ層との間に堆積される。ｔＢｕ−ＰＢＤの化
学構造を図１２の右手側に示す。ｔＢｕ−ＰＢＤ層の厚
さは、１５ｎｍである。この場合、Ａｌの仕事関数とｔ
Ｂｕ−ＰＢＤのイオン化ポテンシャル（Ｉｐ(tBu-PBD)
＝Ｉｐ(HBL)）との間エネルギーギャップの値は１．８
ｅＶである。従って、 ｜Ｉｐ(HBL)−Ｗｆｃ｜＝１．８ｅＶ ＞ ｜Ｉｐ(ETL)
−Ｗｆｃ｜＝１．３ｅＶ となる。
【００５０】図１３は、ＩＴＯ/ＰＤＡ/ＮＰＢ/ＢＡｌ
ｑ/Ａｌｑ/ｔＢｕ−ＰＢＤ/ＡｌというＬＥＤ構造での
模式的なエネルギー図を示す。この図は本発明による有
機ＬＥＤを示す。この図において、ＰＤＡがＩＴＯとＮ
ＰＢとの間に堆積される。ＰＤＡの化学構造を図１３の
右手側に示す。ＰＤＡの厚さは１５ｎｍである。この場
合、ＩＴＯの仕事関数とＰＤＡの電子親和力（Ｅａ
(PDA)＝Ｅａ(EBL)）との間のエネルギーギャップは２．
６ｅＶである。従って、 ｜Ｗｆａ−Ｅａ(EBL)｜＝２．６ｅＶ ＞ ｜Ｗｆａ−
Ｅａ(HTL)｜＝２．２ｅＶ となる。
ｑ/Ａｌｑ/ｔＢｕ−ＰＢＤ/ＡｌというＬＥＤ構造での
模式的なエネルギー図を示す。この図は本発明による有
機ＬＥＤを示す。この図において、ＰＤＡがＩＴＯとＮ
ＰＢとの間に堆積される。ＰＤＡの化学構造を図１３の
右手側に示す。ＰＤＡの厚さは１５ｎｍである。この場
合、ＩＴＯの仕事関数とＰＤＡの電子親和力（Ｅａ
(PDA)＝Ｅａ(EBL)）との間のエネルギーギャップは２．
６ｅＶである。従って、 ｜Ｗｆａ−Ｅａ(EBL)｜＝２．６ｅＶ ＞ ｜Ｗｆａ−
Ｅａ(HTL)｜＝２．２ｅＶ となる。
【００５１】図１４は、有機ＬＥＤの３つの構造を比較
した、逆方向バイアスでのＩ−Ｖ特性を示す。有機ＬＥ
Ｄの１つは、典型的な有機ＬＥＤ（ＩＴＯ/ＮＰＢ/ＢＡ
ｌｑ/Ａｌｑ/Ａｌ）である。第２のＬＥＤは、ＡｌとＡ
ｌｑとの間にＨＢＬ層（この場合はｔＢｕ−ＰＢＤ）を
有する有機ＬＥＤ（ＩＴＯ/ＮＰＢ/ＢＡｌｑ/Ａｌｑ/ｔ
Ｂｕ−ＰＢＤ/Ａｌ）である。第３のＬＥＤは、ＩＴＯ
層およびＮＰＢ層とＨＢＬ層との間にＥＢＬ層を有する
有機ＬＥＤ（ＩＴＯ/ＰＤＡ/ＮＰＢ/ＢＡｌｑ/Ａｌｑ/
ｔＢｕ−ＰＢＤ/Ａｌ）である。
した、逆方向バイアスでのＩ−Ｖ特性を示す。有機ＬＥ
Ｄの１つは、典型的な有機ＬＥＤ（ＩＴＯ/ＮＰＢ/ＢＡ
ｌｑ/Ａｌｑ/Ａｌ）である。第２のＬＥＤは、ＡｌとＡ
ｌｑとの間にＨＢＬ層（この場合はｔＢｕ−ＰＢＤ）を
有する有機ＬＥＤ（ＩＴＯ/ＮＰＢ/ＢＡｌｑ/Ａｌｑ/ｔ
Ｂｕ−ＰＢＤ/Ａｌ）である。第３のＬＥＤは、ＩＴＯ
層およびＮＰＢ層とＨＢＬ層との間にＥＢＬ層を有する
有機ＬＥＤ（ＩＴＯ/ＰＤＡ/ＮＰＢ/ＢＡｌｑ/Ａｌｑ/
ｔＢｕ−ＰＢＤ/Ａｌ）である。
【００５２】本発明は、バンドベンディングを制御する
手段、つまり結果的に、電極／有機界面を介した注入を
制御する手段として使用され得、このことにより、逆方
向バイアスデバイスの性能を向上させる。低分子量有機
分子、オリゴマーおよびポリマーの使用に加えて、電子
ブロック層および正孔ブロック層が均一な薄膜を提供す
る様々な技術によって形成され得る。この技術の例とし
て、スピンコーティング、ドクターブレード技術、化学
蒸着法、表面吸着、プラズマ重合等が挙げられる。
手段、つまり結果的に、電極／有機界面を介した注入を
制御する手段として使用され得、このことにより、逆方
向バイアスデバイスの性能を向上させる。低分子量有機
分子、オリゴマーおよびポリマーの使用に加えて、電子
ブロック層および正孔ブロック層が均一な薄膜を提供す
る様々な技術によって形成され得る。この技術の例とし
て、スピンコーティング、ドクターブレード技術、化学
蒸着法、表面吸着、プラズマ重合等が挙げられる。
【００５３】
【発明の効果】本発明によると電子輸送層、正孔輸送
層、アノード、およびカソードを備える発光デバイスが
提供される。さらに本発明の発光デバイスは、正孔ブロ
ック層と電子ブロック層のいずれかまたは両方をさらに
備える。正孔ブロック層は、カソードと電子輸送層との
間に配置され、電子輸送層のイオン化ポテンシャルより
も大きなイオン化ポテンシャルを有し、電子ブロック層
は、アノードと正孔輸送層との間に配置され、正孔輸送
層の電子親和力よりも小さな電子親和力を有する。これ
により、有機ＥＬデバイスにおける逆バイアス特性が向
上され、クロストークの問題を解決することができる。
層、アノード、およびカソードを備える発光デバイスが
提供される。さらに本発明の発光デバイスは、正孔ブロ
ック層と電子ブロック層のいずれかまたは両方をさらに
備える。正孔ブロック層は、カソードと電子輸送層との
間に配置され、電子輸送層のイオン化ポテンシャルより
も大きなイオン化ポテンシャルを有し、電子ブロック層
は、アノードと正孔輸送層との間に配置され、正孔輸送
層の電子親和力よりも小さな電子親和力を有する。これ
により、有機ＥＬデバイスにおける逆バイアス特性が向
上され、クロストークの問題を解決することができる。
【図１】有機ＬＥＤを用いるシンプルマトリクスディス
プレイである。
プレイである。
【図２】位置（１，１）のＬＥＤがアドレシングされる
場合の、図１についての等価回路である。
場合の、図１についての等価回路である。
【図３】従来の２層有機ＬＥＤの模式的なエネルギー図
である。
である。
【図４】本発明による改良された有機ＬＥＤについての
模式的なエネルギー図である。
模式的なエネルギー図である。
【図５】本発明による改良された有機ＬＥＤについての
模式的なエネルギー図である。
模式的なエネルギー図である。
【図６】従来の３層有機ＬＥＤの模式的なエネルギー図
である。
である。
【図７】本発明による改良された有機ＬＥＤについての
模式的なエネルギー図である。
模式的なエネルギー図である。
【図８】本発明による改良された有機ＬＥＤについての
模式的なエネルギー図である。
模式的なエネルギー図である。
【図９】アノードおよびカソードからそれぞれ電子およ
び正孔を注入するために必要とされるエネルギーを示
す、図８のＬＥＤの更なるエネルギー図である。
び正孔を注入するために必要とされるエネルギーを示
す、図８のＬＥＤの更なるエネルギー図である。
【図１０】図６の従来の有機ＬＥＤならびに図４、図
５、図７および図８の改良された有機ＬＥＤについて
の、概略的な逆方向バイアス電流−電圧（Ｉ−Ｖ）曲線
である。
５、図７および図８の改良された有機ＬＥＤについて
の、概略的な逆方向バイアス電流−電圧（Ｉ−Ｖ）曲線
である。
【図１１】従来のＩＴＯ/ＮＰＢ/ＢＡｌｑ/Ａｌｑ/Ａｌ
というＬＥＤ構造での模式的なエネルギー図である。
というＬＥＤ構造での模式的なエネルギー図である。
【図１２】本発明によるＩＴＯ/ＮＰＢ/ＢＡｌｑ/Ａｌ
ｑ/ｔＢｕ−ＰＢＤ/ＡｌというＬＥＤ構造での模式的な
エネルギー図である。
ｑ/ｔＢｕ−ＰＢＤ/ＡｌというＬＥＤ構造での模式的な
エネルギー図である。
【図１３】本発明によるＩＴＯ/ＰＤＡ/ＮＰＢ/ＢＡｌ
ｑ/Ａｌｑ/ｔＢｕ−ＰＢＤ/ＡｌというＬＥＤ構造での
模式的なエネルギー図である。
ｑ/Ａｌｑ/ｔＢｕ−ＰＢＤ/ＡｌというＬＥＤ構造での
模式的なエネルギー図である。
【図１４】図１１、図１２および図１３に示す有機ＬＥ
Ｄの３つの構造を比較した、逆方向バイアスにおけるＩ
−Ｖ特性である。
Ｄの３つの構造を比較した、逆方向バイアスにおけるＩ
−Ｖ特性である。
１０ マトリクス １２、４８、４９、５４、５６ 有機ＬＥＤ １４ 列電極 １６ 行電極 １８ バッテリー ３４ アノード ３６ 正孔輸送層（ＨＴＬ） ３８ カソード ４０ 電子輸送層（ＥＴＬ） ４６ エミッタ ５０ 正孔ブロック層（ＨＢＬ） ６０ 電子ブロック層（ＥＢＬ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ 33/26 33/26 Ｚ (72)発明者 アンドリュー ジェームズ ハドソン イギリス国 オーエックス14 １ディーダ ブリュー オックスフォードシャー， ア ビンドン， ボストック ロード 41
Claims (12)
- 【請求項１】 電子輸送層、正孔輸送層、アノード、お
よびカソードを含む発光デバイスであって、該デバイス
は、 （ａ）該カソードと該電子輸送層との間に配置され、該
電子輸送層のイオン化ポテンシャルよりも大きな規模の
イオン化ポテンシャルを有する正孔ブロック層と、 （ｂ）該アノードと該正孔輸送層との間に配置され、該
正孔輸送層の電子親和力よりも小さな規模の電子親和力
を有する電子ブロック層と、のいずれかまたは両方を更
に含む発光デバイス。 - 【請求項２】 エミッタ層が前記電子輸送層と前記正孔
輸送層との間に配置される、請求項１に記載の発光デバ
イス。 - 【請求項３】 前記エミッタ層が低分子量有機分子、オ
リゴマーまたはポリマーから形成される、請求項２に記
載の発光デバイス。 - 【請求項４】 前記電子輸送層が低分子量有機分子、オ
リゴマーまたはポリマーから形成される、請求項１〜３
のいずれかに記載の発光デバイス。 - 【請求項５】 前記正孔輸送層が低分子量有機分子、オ
リゴマーまたはポリマーから形成される、請求項１〜４
のいずれかに記載の発光デバイス。 - 【請求項６】 前記正孔ブロック層が低分子量有機分
子、オリゴマーまたはポリマーから形成される、請求項
１〜５のいずれかに記載の発光デバイス。 - 【請求項７】 前記電子ブロック層が低分子量有機分
子、オリゴマーまたはポリマーから形成される、請求項
１〜６のいずれかに記載の発光デバイス。 - 【請求項８】 前記正孔ブロック層および／または前記
電子ブロック層が、スピンコーティング、ドクターブレ
ード技術、化学蒸着法、表面吸着、またはプラズマ重合
等の均一な薄膜を提供する技術によって形成される、請
求項１〜７のいずれかに記載の発光デバイス。 - 【請求項９】 前記電子輸送層はｎ型半導体のように振
る舞う有機材料から形成されており、前記正孔輸送層は
ｐ型半導体のように振る舞う有機材料から形成されてい
る、請求項１〜８のいずれかに記載の発光デバイス。 - 【請求項１０】 前記発光デバイスが発光ダイオードで
ある、請求項１〜９のいずれかに記載の発光デバイス。 - 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれかに記載の複
数の前記発光デバイスを含むマトリクスディスプレイ。 - 【請求項１２】 各発光デバイスが２つの電極によって
アドレシングされ、アドレシングされない電極がフロー
ティング状態にある、請求項１１に記載のマトリクスデ
ィスプレイ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9810798.0 | 1998-05-20 | ||
| GBGB9810798.0A GB9810798D0 (en) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | Light emitting devices |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000030868A true JP2000030868A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=10832363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14075899A Withdrawn JP2000030868A (ja) | 1998-05-20 | 1999-05-20 | 発光デバイス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000030868A (ja) |
| GB (1) | GB9810798D0 (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004060028A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Fujitsu Limited | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ |
| WO2004060027A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Fujitsu Limited | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ |
| JP2004327443A (ja) * | 2003-04-29 | 2004-11-18 | General Electric Co <Ge> | 有機層及びホトルミネセント層を有する光源 |
| JP2005093425A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-04-07 | Toray Ind Inc | 発光素子 |
| JP2005510025A (ja) * | 2001-11-12 | 2005-04-14 | ネオビューコロン カンパニー リミテッド | 高発光効率を有する有機発光装置 |
| JP2006049438A (ja) * | 2004-08-02 | 2006-02-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| JP2006114754A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
| JP2006114730A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置、その製造方法ならびにこれを用いた画像形成装置 |
| JP2006114750A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
| JP2006114743A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
| JP2006114830A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置、その製造方法ならびにこれを用いた画像形成装置 |
| KR100699966B1 (ko) * | 2005-03-16 | 2007-03-28 | 후지필름 가부시키가이샤 | 유기 일렉트로루미네선스 소자 및 유기 일렉트로루미네선스디스플레이 |
| KR100752887B1 (ko) * | 2005-02-17 | 2007-08-28 | 후지필름 가부시키가이샤 | 유기 전계발광 소자 및 유기 전계발광 디스플레이 |
| EP1353388A3 (en) * | 2002-04-12 | 2007-11-28 | Konica Corporation | Organic electroluminescence element |
| JP2008172271A (ja) * | 2008-03-19 | 2008-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| US8530060B2 (en) | 2008-05-16 | 2013-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including first layer, second layer, third layer and fourth layer |
| US8803853B2 (en) * | 2004-12-16 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using the same |
| US9412964B2 (en) | 2012-06-12 | 2016-08-09 | Udc Ireland Limited | Organic electroluminescent element |
-
1998
- 1998-05-20 GB GBGB9810798.0A patent/GB9810798D0/en not_active Ceased
-
1999
- 1999-05-20 JP JP14075899A patent/JP2000030868A/ja not_active Withdrawn
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005510025A (ja) * | 2001-11-12 | 2005-04-14 | ネオビューコロン カンパニー リミテッド | 高発光効率を有する有機発光装置 |
| US7592075B2 (en) | 2002-04-12 | 2009-09-22 | Konica Corporation | Organic electroluminescence element |
| EP1353388A3 (en) * | 2002-04-12 | 2007-11-28 | Konica Corporation | Organic electroluminescence element |
| US7193361B2 (en) | 2002-12-25 | 2007-03-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and organic electroluminescence display |
| WO2004060027A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Fujitsu Limited | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ |
| WO2004060028A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Fujitsu Limited | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ |
| US7233105B2 (en) | 2002-12-25 | 2007-06-19 | Fuji Film Corporation | Organic electroluminescent display device having plural carrier transportation layers |
| JP2004327443A (ja) * | 2003-04-29 | 2004-11-18 | General Electric Co <Ge> | 有機層及びホトルミネセント層を有する光源 |
| JP2011029210A (ja) * | 2003-04-29 | 2011-02-10 | General Electric Co <Ge> | 有機層及びホトルミネセント層を有する光源 |
| JP2005093425A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-04-07 | Toray Ind Inc | 発光素子 |
| JP2006049438A (ja) * | 2004-08-02 | 2006-02-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| JP2006114754A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
| JP2006114743A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
| JP2006114750A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
| JP2006114730A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置、その製造方法ならびにこれを用いた画像形成装置 |
| JP2006114830A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置、その製造方法ならびにこれを用いた画像形成装置 |
| US8803853B2 (en) * | 2004-12-16 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using the same |
| US9461258B2 (en) | 2004-12-16 | 2016-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using the same |
| US10475856B2 (en) | 2004-12-16 | 2019-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using the same |
| KR100752887B1 (ko) * | 2005-02-17 | 2007-08-28 | 후지필름 가부시키가이샤 | 유기 전계발광 소자 및 유기 전계발광 디스플레이 |
| KR100699966B1 (ko) * | 2005-03-16 | 2007-03-28 | 후지필름 가부시키가이샤 | 유기 일렉트로루미네선스 소자 및 유기 일렉트로루미네선스디스플레이 |
| JP2008172271A (ja) * | 2008-03-19 | 2008-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| US8530060B2 (en) | 2008-05-16 | 2013-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including first layer, second layer, third layer and fourth layer |
| US9412964B2 (en) | 2012-06-12 | 2016-08-09 | Udc Ireland Limited | Organic electroluminescent element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB9810798D0 (en) | 1998-07-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3249297B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| KR101328767B1 (ko) | 적층 ｏｌｅｄ 구조 | |
| US6614175B2 (en) | Organic light emitting devices | |
| US7183707B2 (en) | OLED device with short reduction | |
| JP2000030868A (ja) | 発光デバイス | |
| TWI445445B (zh) | 有機發光裝置及其製造方法 | |
| JP3695714B2 (ja) | 有機層を持つ発光素子 | |
| US20090009072A1 (en) | Organic Light Emitting Device With a Plurality of Organic Electroluminescent Units Stacked Upon Each Other | |
| KR100478525B1 (ko) | 광 누출이 없고 개선된 광 추출 효율을 갖는 전기발광체를이용한 발광 소자 및 표시 장치 | |
| JPH0765958A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| US6525466B1 (en) | Cathode including a mixture of a metal and an insulator for organic devices and method of making the same | |
| JP2004515895A5 (ja) | ||
| JP2011522391A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| EP0817538A1 (en) | Organic EL device with dual doping layers | |
| JP3861743B2 (ja) | 電界発光素子の駆動方法 | |
| US7061175B2 (en) | Efficiency transparent cathode | |
| JP2007067361A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子および正孔輸送層の材料 | |
| JP2004273163A (ja) | 有機ｅｌ素子とその製造方法および有機ｅｌパネル | |
| JP3852518B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP3820752B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| Kanno et al. | High efficiency stacked organic light-emitting diodes employing Li2O as a connecting layer | |
| JPH07106066A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP3852517B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP2002289360A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| KR100572654B1 (ko) | 유기 전계발광 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060801 |