WO2004060028A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ Download PDF

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WO2004060028A1
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carrier transport
light emitting
carrier
layer
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Yuichiro Itai
Masaya Nakayama
Masaru Kinoshita
Jun Kodama
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Fujitsu Limited
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    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
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    • H10K85/633Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom

Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescent device and an organic electroluminescent display, and more particularly to an organic electroluminescent device and an organic electroluminescent display having a plurality of carrier transport layers between an anode and a cathode.
  • Organic electroluminescent devices (hereinafter, organic electroluminescent devices are referred to as “organic EL devices”) are easy to reduce in size, consume less power, can emit surface light, and can be compared with liquid crystal devices. Since the applied voltage can be greatly reduced by using this technology, its use in various display devices such as a flat display is attracting attention, and research and development are being carried out as next-generation light emitting devices.
  • FIG. 1 shows a cross-sectional view of a conventional organic EL device.
  • a conventional organic EL element 10 is composed of a transparent glass substrate 11, a transparent anode 12 made of ITO (indiurn tin oxide) and a hole transport layer. 13, a light-emitting layer 14, an electron transport layer 15, and a cathode 16 are sequentially laminated.
  • the hole transport layer 13 transports holes efficiently to the light-emitting layer 14 and increases the hole density, while the electron transport layer 15 transports electrons efficiently to the light-emitting layer 14 to improve the space.
  • a technique has been proposed in which a layer for blocking electrons is provided between the light emitting layers to improve the light emitting efficiency in the light emitting layer.
  • FIG. 2 is a diagram showing an energy diagram of the organic EL device shown in FIG.
  • the holes 22 move from the anode 12 to the light-emitting layer 14, and the movement of the holes 22 generates a hole current amount. Moves from the cathode 16 toward the light-emitting layer 14, and the movement of the electrons 21 generates an electron current. You.
  • the electrons 21 and the holes 22 reach the light-emitting layer 14, the energy emitted by the recombination of the electrons 21 and the holes 22 causes the organic phosphor contained in the light-emitting layer 14 to be excited by S. ⁇ It shines.
  • the luminous efficiency is represented by the luminous luminance per unit current. Therefore, the luminous efficiency of the light emitting layer 14 is determined by the amount of the hole current and the amount of the electron current flowing through the organic EL element 10, and the light emitting layer 14 emits light when any of the current amounts is large. Efficiency decreases.
  • the magnitude of the hole current amount and the electron current amount vary depending on the type of film constituting the organic EL device and the lamination.For example, when the hole current amount is excessively large compared to the electron current amount, it contributes to light emission. If the amount of hole current consumed without being increased increases, the luminous efficiency in the light emitting layer 14 decreases, and the power consumption increases, there is a problem. Disclosure of the invention
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and has been made in consideration of the above-mentioned problems. It is a general task to provide an organic electroluminescent device and an organic electroluminescent display having excellent characteristics.
  • a more specific object of the present invention is to provide a light emitting layer formed between an anode and a cathode facing each other, a first carrier transport layer formed on the anode side of the light emitting layer, An organic electroluminescence device comprising a second carrier transport layer formed on the cathode side of the carrier transport layer so as to be in contact with the first carrier transport layer, wherein the ion transport potential of the first carrier transport layer is and I [rho [rho 1, the relationship between the ionization potential I [rho [rho 2 of the second Kiyari ⁇ transport layer is to provide an organic electroluminescent device is IP P 1 ⁇ I ⁇ ⁇ 2 .
  • the ionization potential is the difference between the valence level of the light emitting layer and the carrier transport layer and the energy of the vacuum level, and is indicated by a positive value.
  • the first carrier transporting layer on the anode side of the light-emitting layer, the first Ioni spoon potential I [rho [rho 1 than small ionization potential of Kiyaria transport layer on the cathode side of the first carrier transporting layer a second Kiyaria transport layer having a I [rho [rho 2 are formed. Therefore, the first carrier transport before the holes move from the anode to the light emitting layer An energy barrier is formed at the interface between the layer and the second carrier transport layer, holes are accumulated in the first carrier transport layer, and the amount of hole current flowing through the light emitting layer decreases. As a result, the amount of hole current is adjusted, and luminous efficiency can be improved.
  • Another object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device in which the relationship between the energy gap Eg EML of the self-luminous layer and the energy gap E g P2 of the second carrier transport layer is E g EML ⁇ E g P2. Is to do.
  • the energy gap is the energy difference between the conduction level and the valence level (the energy at the top of the valence band), and is indicated by a positive value.
  • the second carrier transport layer having the energy gap E g P2 larger than the energy gap E g EML of the light emitting layer is formed on the anode side of the light emitting layer, the second carrier transport layer The recombination of electrons and holes in the light emitting layer is suppressed, and the light emitting efficiency in the light emitting layer can be improved.
  • Another object of the present invention is to provide a light-emitting layer formed between an anode and a cathode facing each other, a first carrier transport layer formed on the anode side of the IB light-emitting layer, and the first carrier transport.
  • a second carrier transport layer formed on the cathode side of the layer so as to be in contact with the first carrier transport layer; a third carrier transport layer formed on the cathode side of the tiffS light emitting layer; and the third carrier layer.
  • a fourth carrier transport layer formed on the cathode side of the transport layer so as to be in contact with the third carrier transport layer, wherein the ionization potential of the first carrier transport layer is provided.
  • the relationship between the ionization potential I p P2 before Symbol 2nd carrier transportation layer is a I p P1 ⁇ I p P2, the electron affinity E a P3 of Chikaratsu the third carrier transporting layer , The electron affinity of the fourth carrier transport layer E a P Relationship strength between 4 S, to provide an organic Jer click Toro EL device is Ea P3 ⁇ Ea P4.
  • the electron affinity is the difference between the conduction level (the energy at the bottom of the conduction band) of the light-emitting layer and the carrier transport layer and the energy of the vacuum, and is indicated by a positive value.
  • the second carrier transport layer having an ionization potential I p P2 larger than the ionization potential I p P1 of the first carrier transport layer is a cathode of the first carrier transport layer.
  • the first carrier transport layer and the second carrier transport before the holes are directed from the anode to the light-emitting layer because they are formed so as to contact the side.
  • An energy barrier is formed at the interface with the layer.
  • the cathode side of the light-emitting layer, the cathode side of the fourth Kiyaria transport layer having a third Kiyaria electron affinity of the transport layer E a P 3 greater electron affinity than E a P 4 is a third Kiyaria transport layer Because they are formed so as to be in contact with each other, an energy barrier is formed between the fourth carrier transport layer and the third carrier transport layer before the electrons travel from the cathode to the light-emitting layer. By adjusting the amount of current, the luminous efficiency can be improved.
  • the energy formic Yap E g EML of the luminescent layer an energy formic Yap E g P 2 of the second Kiyaria transport layer, IiiIB third wire carrier.
  • Energy gap E g of the Ria transport layer ⁇ 3 relationship strength between E g EML ⁇ E g P 2 , in E g EML ⁇ to provide an organic electroluminescent device is an E g P 3.
  • the second carrier transport layer having an energy gap larger than the energy gap E g EML of the light emitting layer is formed on the anode side of the light emitting layer, and the energy of the light emitting layer is formed on the cathode side of the light emitting layer.
  • a third carrier transport layer having an energy gap larger than that of the Eg EML is formed. # ⁇ Indicates that electrons and holes in the second carrier transport layer and the third carrier transport layer. Recombination is suppressed, and the luminous efficiency of the light emitting layer can be improved.
  • Another object of the present invention is to provide a light emitting layer formed between an anode and a cathode facing each other, a first carrier transport layer formed on the anode side of the light emitting layer,
  • An electroluminescent display comprising: an organic electroluminescent element having a second carrier transport layer formed so as to be in contact with the first carrier transport layer on the cathode side of the carrier transport layer.
  • the organic electroluminescence according to the ionization potential IP P 1 of the carrier transport layer, the relationship between the ionization potentiometer catcher Le I p P 2 of the second carrier transport layer, characterized in that the IP P 1 rather I p P 2
  • the luminescence display is in ⁇ .
  • the first carrier transport layer is provided on the anode side of the light emitting layer, and the ionization potential IPP smaller than the ionization potential I p P 1 of the first carrier transport layer is provided on the cathode side of the first carrier transport layer.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a conventional organic EL device.
  • FIG. 2 is a diagram showing an energy diagram of the organic EL device shown in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the organic EL device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing an energy diagram of the organic EL device according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram showing the wavelength dependence of the light absorption spectrum.
  • Figure 6 shows the relationship between the energy of ultraviolet light and the square root of the number of emitted photoelectrons.
  • FIG. 7 is a diagram showing the electron affinity Ea, the ionization potential I p, and the energy gap E g of the layer used in the first example.
  • FIG. 8 is a diagram showing a layer configuration of the organic EL device of the second embodiment.
  • FIG. 9 is a diagram showing the film configuration of the organic EL devices of Comparative Examples 2 and 3.
  • FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the amount of hole current and the voltage of the organic EL device of the first embodiment.
  • FIG. 11 is a diagram showing the relationship between the amount of hole current and the voltage of the organic EL device of the second embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram showing the relationship between the amount of hole current and the voltage of the organic EL device of Comparative Example 1.
  • FIG. 13 is a diagram showing the voltage dependence of the amount of electron current of the organic EL device of the first embodiment.
  • FIG. 14 is a diagram showing the voltage dependence of the luminous efficiency of the organic EL device.
  • FIG. 15 is a schematic diagram showing an organic electorifice luminescence detector according to a second embodiment of the present invention. It is the perspective view which showed the outline
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the organic EL device according to the first embodiment of the present invention.
  • the organic EL element 30 includes an anode 34, a first carrier transport layer 35A, a second carrier transport layer 35B, a light emitting layer 36, The third carrier transport layer 37A, the fourth carrier transport layer 37B, the electron transport layer 38, and the cathode 39 are sequentially formed.
  • the first carrier transport layer 35A has a smaller ionization potential Ip than the second carrier transport layer 35B
  • the third carrier transport layer 37A has a lower ionization potential Ip than the fourth carrier transport layer 37B.
  • Materials with low electron affinity E a are used.
  • Organic EL element 30 has 10 ⁇ ! It has a thickness of about 1000 nm. If the thickness is larger than 100 nm, the resistance increases and the current hardly flows. If the thickness is smaller than 10 nm, the thickness of the light emitting layer 36 itself becomes excessively thin, resulting in insufficient light emission luminance.
  • the anode 34 and the cathode 39 are electrodes for applying «] to a desired position of the organic EL element 30.
  • the anode 34 is, for example, an ITO or an IZO (Indium Zinc Oxide).
  • As the cathode 39 for example, an A1 / LiF electrode, an Ag / Mg electrode, or the like can be used. ,
  • the first and second carrier transport layers 35A and 35B are made of a material having a high electron and hole transport ability, and the first carrier transport layer 35A has the following formula (1).
  • TNATA Toyo Ink Nine Ring
  • the second carrier transport layer 35B includes a—NPD (Toyo Ink Nine: fc3 ⁇ 4) and EL 00 2 (Hodogaya Chemical Co., Ltd.) represented by the following formula (2).
  • NPD Toyo Ink Nine: fc3 ⁇ 4
  • EL 00 2 Hodogaya Chemical Co., Ltd.
  • the thickness of the first and second carrier transport layers 35A and 35B is set in a range of 10 nm to 50 nm, and depends on the number of layers constituting the organic EL element and the thickness of the entire organic EL element. It is appropriately selected.
  • the third and fourth carrier transport layers 37A and 37B are made of a material having a high electron and hole transport ability, and the third carrier transport layer 37A has TYE-704 (Toyo Inkine ⁇ 3 ⁇ 4) can be used, and TYG-201 (Toyo Inkune: fc), CBP (Dojindo Research Laboratories), or the like can be used for the fourth carrier transport layer 37B.
  • ⁇ ) ⁇ of the third and fourth carrier transport layers 37A and 378 is set in the range of 10 nm to 50 nm, and is appropriately determined according to the number of layers constituting the organic EL element and the thickness of the entire organic EL element. Selected.
  • the light-emitting layer 36 includes a material for emitting a desired emission color, for example, an organic phosphor, and is made of a material such as a metal complex.
  • a material for emitting a desired emission color for example, an organic phosphor
  • is made of a material such as a metal complex for example, TYG-201 (Toyo Inkine ⁇ 3 ⁇ 4) or the following formula: A 1 q 3 (tris (8-hydroxy quino 1 io) a 1 urn ini urn) (Toyo Inkine ⁇ 3 ⁇ 4) shown in (3) can be used. You.
  • the thickness of the light-emitting layer 36 is set in the range of 10 nm to 50 nm, and the same as the carrier transport layer, 13: is selected.
  • the electron transporting layer 38 is made of a material having a high electron transporting ability.
  • TYE-704 manufactured by Toyo Ink Co.
  • TYE-703 manufactured by Toyo Inkine Earth
  • TYE-704 manufactured by Toyo Ink Co.
  • TYE-703 manufactured by Toyo Inkine Earth
  • Each layer of the organic EL element 3 0 is, for example, 1 pressure by a vacuum deposition method.
  • 3 3 X 1 0 _ 4 P a, is formed in the room temperature glass substrate 3 3 The.
  • FIG. 4 is a diagram showing an energy diagram of the organic EL device according to the first embodiment.
  • E a, E g, and I p represent the electron affinity E a, the energy gap E g, and the ionization potential I p of each layer of the organic EL device, respectively.
  • the energy gap E g is the difference between the energy at the conduction level 41 and the valence level 4 2 (the energy at the top of the valence band), which is the difference between 1 (the energy at the bottom of the conduction band) and the energy of the vacuum level.
  • the ionization potential I is the difference in energy between the valence level 42 and vacuum. As shown in FIG.
  • a second carrier transport layer 35 B is formed on the anode 34 side of the light emitting layer 36, and a first carrier is formed on the anode 34 side of the second carrier transport layer 35 B.
  • a transport layer 35 A is formed, a third carrier transport layer 37 A is formed on the cathode 39 side of the light emitting layer 36, and a third carrier transport layer 37 A is formed on the cathode 39 side of the third carrier transport layer 37 A.
  • the fourth carrier transport layer 37B is formed.
  • Ionization potential of the first carrier transport layer 35 A and the second carrier transport layer 35 B Assuming that the chars are I p 35A and I p 35B , respectively, the relationship between the first carrier transport layer 35A and the second carrier transport layer 35B is set as I p 35A ⁇ I p 35B .
  • the third carrier transporting layer 37 A respectively electron affinity of the fourth carrier transporting layer 37 B, Ea 37A, Ea When 37B, the third carrier transporting layer 37 A and the fourth carrier transporting layer 37 of the B Is set to Ea 37A ⁇ Ea 37B .
  • the light-emitting layer 36, the second carrier transporting layer 35 B respectively energy Rugigiyappu the third carrier transporting layer 37 A, Eg 36, Eg 35B, when the Eg 37A, the light-emitting layer 36, the second carrier transport layer 35 B, the relationship between the third carrier transporting layer 37A is, Eg 36 rather Eg 35B, is set to Eg 36 ⁇ Eg 37A.
  • the flow of holes will be described.
  • the holes pass from the anode 34 to the cathode 39 and pass through the first carrier transport layer 35A and the second carrier transport layer 35B to the light emitting layer 36.
  • the energy carrier barrier BH-A is formed on the interface between the first carrier transport layer 35A and the second carrier transport layer 35B.
  • the height E BH _A of the energy barrier BH— A is the difference between the ionization potential I p 35A of the first carrier transport layer 35A and the ionization potential I p 35B of the second carrier transport layer 35B , that is,
  • the energy gap E g 35B of the second carrier transport layer 35B is larger than the energy gap Eg 36 of the light emitting layer 36, recombination in the second carrier transport layer 35B is suppressed, and the light emitting layer 36 The luminous efficiency of the device can be improved.
  • the flow of electrons will be described. The electrons pass from the cathode 39 to the anode 34, pass through the electron transport layer 38, the fourth carrier transport layer 37B and the third carrier transport layer 37A, and enter the light emitting layer 36. However, an energy barrier B EB is formed at the interface between the fourth carrier transport layer 37 ⁇ and the third carrier transport layer 37 37.
  • E a 37B> because it is set to E a 37A is an E BE _ B> 0. Therefore, the electrons are accumulated in the fourth carrier transport layer 37B and the amount of electron current is reduced, so that the amount of electron current flowing into the light emitting layer 36 can be adjusted. Therefore, by forming a plurality of energy barriers BH-A for holes and providing an energy barrier BE-A for power electrons, the amount of hole current and the amount of electron current are adjusted. Luminous efficiency can be improved.
  • the energy gap E g 37A of the third carrier transport layer 37A is larger than the energy gap Eg 36 of the light emitting layer 36, recombination in the third carrier transport layer 37A is suppressed, and the light emitting layer 36 The luminous efficiency of the device can be improved.
  • the second carrier transport layer 35B formed on the anode side of the light emitting layer 36 and the third carrier transport layer 37A formed on the cathode side of the light emitting layer 36 In addition to preventing the emission of light at the same time, the amount of hole current and the amount of electron current can be adjusted to improve the luminous efficiency of the light emitting layer.
  • the organic EL device of the first example was formed as follows. On a glass substrate 33, a vacuum evaporation method is used to form an ITO electrode on the anode 34, a 2-TNATA layer (J? 30 ⁇ ⁇ ⁇ -NPD layer) on the first carrier transport layer 35AZ and the second carrier transport layer 35B.
  • the non-doped TYG-201 layer that emits green light has a thickness of 20 nm
  • the third carrier transport layer 37 AZ and the fourth carrier transport layer 378 have a thickness of about 704 layers (10 nm thick) / TYG-201 layer (D ⁇ 1 Onm) and TYE- 704 layer (film thickness 10nm) ZTYG-201 layer (rich 10nm), TYE-704 layer for electron transport layer 38 with thickness 2 Onm, lithium fluoride film for cathode 39
  • first carrier transport layer 35A / second carrier transport layer 35B is formed on the anode side of the light emitting layer, but three layers are formed in the first example. did. Also, in the first embodiment, only one layered structure including the third carrier transport layer 37AZ and the fourth carrier transport layer 37B is formed on the anode side of the light emitting layer. However, in the first example, two layers were formed.
  • the energy gap E g can be measured by a spectrophotometer capable of measuring a light absorption spectrum of a thin film formed on each layer of the organic EL element 30 using the same method as that for forming the organic EL element 30 described above. The measurement was performed by irradiating the thin film with light in the ultraviolet to visible region in the air using an apparatus, for example, Hitachi Spectrophotometer U-410.
  • FIG. 5 is a diagram showing the wavelength dependence of the light absorption spectrum. Curve J in FIG. 5 shows a light absorption spectrum as a measurement result. Note that the range T indicates a portion where the curve J is a straight line in the rising portion of the intensity of the light absorption spectrum.
  • the range U indicates a portion where the curve J is a straight line in the unabsorbed wavelength region of the light absorption spectrum.
  • ⁇ / ⁇ K is a straight line drawn so as to overlap the curve J shown in the range ⁇ .
  • the straight line L is ⁇ drawn so as to overlap the curve J shown in the range U.
  • the energy gap E g is obtained from the intersection M of the straight line K and the straight line L.
  • the ionization potential I p is determined by measuring the energy gap E g using a thin film formed in the same way as the thin film used in the measurement, and using an air atmosphere type ultraviolet photoelectron analyzer such as AC-1 manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.
  • the number of emitted photoelectrons is measured by irradiating the thin film with, and it can be obtained from the relationship between the energy of ultraviolet rays and the square root of the number of emitted photoelectrons.
  • the measurement conditions for AC-1 manufactured by Riken Keiki are an ultraviolet energy range of 3.8 to 6.2 eV and an ultraviolet intensity of 20 nW. For the thin film, 50 ⁇ m was used.
  • Figure 6 shows the relationship between the energy of ultraviolet light and the square root of the number of emitted photoelectrons.
  • the number of emitted photoelectrons depends on the magnitude of the energy of the ultraviolet light. In the range N shown in FIG. 6, no photoelectrons are emitted because the energy of the ultraviolet light is small, but in the range O, Since the energy of the ultraviolet light is sufficiently large, the photoelectrons are excited to have a higher energy than vacuum ( ⁇ (right), and photoelectrons are emitted.
  • the intersection R of and Q indicates the threshold energy of photoemission, and the threshold and value energy of this photoemission is the ionization potential I ⁇ .
  • FIG. 7 is a diagram showing the electron affinity Ea, the ionization potential Ip, and the energy gap Eg of the layer used in the first example.
  • the ionization potential I p of the 2-—TN AT A layer used for the first carrier transport layer 35 A was 5.19 eV, which was used for the second carrier transport layer 35 B.
  • Q: The ionization potential Ip of the NPD layer is 5.46 eV. Therefore, due to the difference between the ionization potentials I ⁇ of the 2-—TNAT A layer and the ⁇ —NPD layer, a magnitude of 0, 27 eV is produced at the interface between the first carrier transport layer 35 ⁇ and the second carrier transport layer 35 B.
  • Three energy barriers are formed.
  • the electron affinity Ea of the TYG-201 layer used for the fourth carrier transport layer 37B is 3.20 eV
  • the electron affinity Ea of the TYE-704 layer used for the third carrier transport layer 37A is 2. 97 eV.
  • the energy gap Eg of the ⁇ -NPD layer used for the second carrier transport layer 35 B is 3.04 eV
  • the energy gap Eg of the TYE-704 layer used for the third carrier transport layer 37 A is 3.04 eV.
  • E g is 2.76 eV
  • the energy of the light emitting layer 36 is One gap E g is 2.40 eV. Therefore, the energy gap E g of the second carrier transport layer 35 B is 0.64 eV larger than the energy gap E g of the light emitting layer 36, and the energy gap E g of the third carrier transport layer 37 A is larger.
  • the luminous efficiency of the 201 layer can be improved.
  • FIG. 8 is a diagram showing a layer configuration of the organic EL device of the second embodiment.
  • the second embodiment is different from the first embodiment in that a laminated structure composed of the first carrier transport layer 35 A / the second carrier transport layer 35 B is provided between the light emitting layer 36 and the anode. It is formed with fewer groups. The thickness of each layer is determined by the overall thickness of the organic EL device.
  • the number of the first carrier transport layer 35 A / the second carrier transport layer 35 B is one less than that of the first embodiment.
  • the above invention is to solve the problem! As described in 3 ⁇ 4, the magnitudes of the hole current amount and the electron current amount vary depending on the type of film constituting the organic EL device and the lamination. Therefore, if the hole current of the organic EL element is not so large as compared with the amount of electron current, the formation of three energy barriers as in the first embodiment will result in the hole current being too small and the luminous efficiency. Will drop. Accordingly, by forming one less energy barrier for holes and suppressing a decrease in the amount of hole current than in the first embodiment, more electrons contribute to recombination with holes. The luminous efficiency of the entire organic EL device can be improved.
  • the emission luminance of the organic EL devices of the first and second examples was evaluated.
  • the organic EL devices of Comparative Examples 1 to 3 not based on the present invention were prepared and evaluated.
  • the organic EL device of Comparative Example 1 was formed on a glass substrate by vacuum evaporation using an ITO electrode as the anode, a 2-TNATA layer as the hole injection layer, a 30 nm enzyme, and a hole transport layer as the hole transport layer.
  • the structure was such that the F laminated films were sequentially formed.
  • FIG. 9 is a diagram showing the film configuration of the organic EL devices of Comparative Examples 2 and 3.
  • a voltage was applied to the organic EL devices of the first and second embodiments, the amount of current flowing from the anode to the second carrier transport layer in contact with the anode side of the light emitting layer, and the amount of light emitted from the cathode.
  • the amount of current flowing between the third carrier transport layer in contact with the cathode side of the layer was separately measured.
  • a voltage was applied to the organic EL device of Comparative Example 1, and the amount of current between the anode and the hole transport layer and the amount of current between the cathode and the electron transport layer were separately measured.
  • the amount of current flowing between the second carrier transport layer and the anode in contact with the light emitting layer of the first and second examples on the anode side and the amount of current flowing between the anode and the hole transport layer of Comparative Example 1
  • the amount of current can be considered as the amount of current generated when holes move from the anode to the cathode, and this current is defined as the amount of hole current in this evaluation.
  • the amount of current flowing between the cathode and the third carrier transport layer in contact with the cathode side of the light emitting layer in the first and second examples and the amount of current between the cathode and the electron transport layer in Comparative Example 1 were: However, it can be considered as the amount of current generated by the movement of electrons from the cathode to the anode. In this evaluation, this amount of current is defined as the amount of electron current.
  • FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the hole current amount and the voltage of the organic EL device of the first embodiment.
  • FIG. 11 is a diagram showing the relationship between the hole current amount and the ME of the organic EL device of the second embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram showing the relationship between the amount of hole current and the voltage of the organic EL element of Comparative Example 1.
  • the organic EL device of the first embodiment shown in FIG. 10 has three energy barriers formed on the anode side of the light emitting layer, and the organic EL device of the second embodiment shown in FIG. Two energy P chapter walls are formed on the anode side of the light emitting layer. In Comparative Example 1 shown in FIG. 12, one energy barrier is formed. As shown in FIGS. 10 to 12, when a large energy barrier is formed on the anode side of the light-emitting layer, the amount of hole current decreases.
  • FIG. 13 is a diagram showing the relationship between the amount of electron current and flff of the organic EL device of the first embodiment.
  • the organic EL device shown in Fig. 13 has two energy barriers on the cathode side of the light-emitting layer. Is formed. Comparing the amount of electron current in Fig. 13 with the amount of hole current in Fig. 11 where two energy barriers are formed on the anode side of the light-emitting layer, the amount of hole current is larger than the amount of electron current. I understand. This shows that the hole current is larger than the electron current when the energy chapter P wall is not formed.
  • FIG. 14 is a diagram showing the voltage dependence of the luminous efficiency of the organic EL device. As shown in FIG. 14, it can be seen that the luminous efficiency of the organic EL device of the second embodiment is the highest. Here, the reason why the luminous efficiency of the organic EL device of the second embodiment is higher than that of the first embodiment in which more energy barriers are provided for holes will be discussed.
  • it is necessary to reduce the amount of hole current and to reduce the difference between the number of electrons contributing to recombination and the number of holes in the light emitting layer 36. is necessary.
  • the amount of electron current is determined by the number of electrons and the mobility of electrons
  • the amount of hole current is determined by the number of holes and the mobility of holes.
  • Example 1 since the mobility of electrons is generally smaller than the mobility of holes, even when the number of electrons and the number of holes are the same, the amount of electron current and the amount of hole current are not the same. Energy If the chapter P wall is not formed, the amount of hole current is larger than the amount of electron current, and by providing an energy barrier for holes, the amount of hole current decreases and the number of holes decreases. .
  • Example 1 three energy barriers for holes were formed, and it is considered that the number of holes that recombine with electrons was reduced more than necessary.
  • Example 2 two energy energies, which are smaller than those in Example 1, were provided. The difference between the number of electrons and the number of holes was reduced because the wall was provided. It is thought that it became.
  • FIG. 15 is a perspective view showing a schematic configuration of an organic electroluminescence display (organic EL display) according to the second embodiment of the present invention.
  • the organic EL display 50 is formed on a glass substrate 33 so that an Al ZL iF electrode serving as a cathode 39 and an ITO electrode serving as an anode 34 are orthogonal to each other.
  • the laminated body 45 constituting the organic EL device of the first embodiment is formed.
  • Light emission of the organic EL display 50 is performed by designating the ITO electrode and the A1 / LiF electrode in the region of the light emitting layer to be made to emit light, and applying 3 ⁇ 4j £. Yes With the EL display 50 having the above configuration, the luminous efficiency can be improved.
  • the energy barrier of holes and the energy of electrons provided in the organic EL device shown in the first embodiment may be appropriately selected according to each organic EL device.
  • the ionization potential I p P 1 of the first carrier transport layer on the anode side of the light-emitting layer and the first carrier transport layer on the cathode side of the first carrier transport layer is smaller than I p P 1.

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Abstract

本発明は、ガラス基板上に、陽極と、第1のキャリア輸送層と、第2のキャリア輸送層と、発光層と、第3のキャリア輸送層と、第4のキャリア輸送層と、電子輸送層と、陰極とを順次形成し、第1のキャリア輸送層には、第2のキャリア輸送層よりもイオン化ポテンシャルIpが小さい層を用い、第3のキャリア輸送層には、第4のキャリア輸送層よりも電子親和力Eaが小さい層を用いて、発光層の発光効率を向上させる。

Description

明細書 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンスデイス プレイ 技術分野
本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子及ぴ有機エレクトロルミネッセン スディスプレイに係り、 特に陽極と陰極の間に複数のキヤリァ輸送層を形成した 有機エレクトロルミネッセンス素子及ぴ有機エレクトロルミネッセンスディスプ レイに関する。 背景技術
有機エレクト口ルミネッセンス素子 (以下、 有機エレクト口ルミネッセンス素 子を 「有機 E L素子」 と称する。) は、小型化が容易であって、消費電力が小さく、 面発光が可能であり、 液晶素子と比較して印加電圧を大幅に低減できるためブラ ットディスプレイ等の各種表示装置での利用が注目されており、 次世代の発光素 子として研究開発が行われている。
図 1は、従来の有機 E L素子の断面図を示したものである。図 1に示すように、 従来の有機 E L素子 1 0は、 透明なガラス基板 1 1上に、 透明な I TO ( I n d i urn T i n O x i d e ) 等からなる陽極 1 2と、 正孔輸送層 1 3と、 発光 層 1 4と、.電子輸送層 1 5と、 陰極 1 6が順次積層された構成となっている。 正 孔輸送層 1 3は、 発光層 1 4に正孔を効率良く輸送し、 正孔密度を増加させ、一 方電子輸送層 1 5は、 発光層 1 4に電子を効率良く輸送し、 空間電子密度を増加 させ、 発光効率を高めている。 また、 発光層と発光層の間に電子をせき止めるた めの層を設けて、 発光層での発光効率の向上を図る技術が提案されている。
図 2は、図 1に示す有機 E L素子のエネルギーダイアグラムを示した図である。 有機 E L素子 1 0に電圧が印加されると、 正孔 2 2は陽極 1 2から発光層 1 4へ 向かつて移動し、 正孔 2 2の移動により正孔電流量が発生し、 電子 2 1は陰極 1 6から発光層 1 4へ向かって移動し、 電子 2 1の移動により電子電流量が発生す る。 電子 2 1と正孔 2 2が発光層 1 4に到 ると、 電子 2 1と正孔 2 2が再結 合して放出されたエネルギーによって、 発光層 1 4に含まれる有機蛍光体力 S励起 さ;^光する。
ところで、 発光効率は、 単位電流当りの発光輝度で表される。 したがって、 発 光層 1 4での発光効率は有機 E L素子 1 0に流れる正孔電流量及ぴ電子電流量の 大きさで決まり、 いずれかの電流量が大きい場合には発光層 1 4の発光効率は低 下する。 正孔電流量と電子電流量の大きさは、 有機 E L素子を構成する膜の種類 や積層する により変わるが、 例えば正孔電流量が電子電流量と比較して過度 に大きい場合、 発光に寄与せずに消費されてしまう正孔電流量が増加し、 発光層 1 4での発光効率は低下し、 消費電力が增大してしまうとレ、う問題がある。 発明の開示
そこで本発明は、 上記問題点に鑑みなされたもので、 発光層に流れ込む正孔電 流量及び電子電流量を調整し、 発光層での電子と正孔の再結合を効率良く行レヽ、 発光効率に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子及ぴ有機エレクトロルミネ ッセンスディスプレイを^することを概括的課題とする。
本発明のより具体的な課題は、 互いに対向する陽極と陰極との間に形成された 発光層と、 ΙϋΐΕ発光層の陽極側に形成された第 1のキャリア輸送層と、 藤己第 1 のキヤリァ輸送層の陰極側に前記第 1のキヤリァ輸送層と接するように形成され た第 2のキャリア輸送層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、 前記第 1のキャリア輸送層のイオンィ匕ポテンシャル I ρ Ρ 1と、前記第 2のキヤリ ァ輸送層のイオン化ポテンシャル I ρ Ρ 2との関係が、 I P P 1 < I ρ Ρ 2である有機 エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。
ここで、 イオン化ポテンシャルは、 発光層やキャリア輸送層の価電子レベルと 真空準位のエネルギーの差であり、 正の値で示される。
本発明によれば、 発光層の陽極側に第 1のキャリア輸送層と、 第 1のキャリア 輸送層の陰極側に第 1のキヤリァ輸送層のイオンィ匕ポテンシャル I ρ Ρ 1より小 さなイオン化ポテンシャル I ρ Ρ 2を有する第 2のキヤリァ輸送層とが形成され ている。 したがって、 正孔が陽極から発光層へ向かう手前の第 1のキャリア輸送 層と第 2のキヤリァ輸送層との界面にエネルギー障壁が形成され、 第 1のキヤリ ァ輸送層に正孔が蓄積されて発光層に流れる正孔電流量が低下する。 その結果、 正孔電流量が調節されて、 発光効率を向上させることができる。
本発明の他の課題は、 編己発光層のエネルギーギャップ Eg EMLと、 前記第 2 のキヤリァ輸送層のエネルギーギヤップ E g P2との関係が、 E g EML< E g P2で ある有機エレクトロルミネッセンス素子を^することにある。
ここで、 エネルギーギャップは、 伝導レベルと価電子レベル (価電子帯の上端 のエネノレギー) のエネノレギー差であり、 正の値で示される。
本発明によれば、 発光層の陽極側に発光層のエネルギーギヤップ E g EMLより 大きなエネルギーギヤップ E g P2を有する第 2のキヤリァ輸送層が形成されて いる場合には、 第 2のキャリア輸送層での電子と正孔の再結合が抑制され、 発光 層での発光効率を向上させることができる。
本発明のその他の課題は、 互いに対向する陽極と陰極との間に形成された発光 層と、 IB発光層の陽極側に形成された第 1のキヤリァ輸送層と、 前記第 1のキ ャリァ輸送層の陰極側に前記第 1のキャリァ輸送層と接するように形成された第 2のキヤリァ輸送層と、 tiffS発光層の陰極側に形成された第 3のキヤリァ輸送層 と、 前記第 3のキヤリァ輸送層の陰極側に前記第 3のキヤリァ輸送層と接するよ うに形成された第 4のキヤリァ輸送層とを備えた有機ェレクトロルミネッセンス 素子であって、 爾己第 1のキャリア輸送層のイオン化ポテンシャル I pP1と、 前 記第 2のキャリア輸送層のイオン化ポテンシャル I pP2との関係が、 I pP1< I pP2であり、力つ前記第 3のキャリア輸送層の電子親和力 E a P3と、嫌己第 4の キヤリァ輸送層の電子親和力 E a P4との関係力 S、 EaP3<Ea P4である有機エレ クトロルミネッセンス素子を提供することにある。
ここで、 電子親和力は、 発光層やキャリア輸送層の伝導レベル (伝導帯の下端 のエネルギー) と真空 立のエネルギー差であり、 正の値で示される。
本発明によれば、 発光層の陽極側に、 第 1のキャリア輸送層のイオン化ポテン シャル I pP1より大きなイオン化ポテンシャル I pP2を有する第 2のキャリア 輸送層が第 1のキヤリァ輸送層の陰極側に接するように形成されているため、 正 孔が陽極から発光層へ向かう手前の第 1のキヤリァ輸送層と第 2のキヤリァ輸送 層との界面にエネルギー障壁が形成される。 また、 発光層の陰極側には、 第 3の キヤリァ輸送層の電子親和力 E a P 3より大きな電子親和力 E a P 4を有する第 4 のキヤリァ輸送層が第 3のキヤリァ輸送層の陰極側に接するように形成されてい るため、 電子が陰極から発光層へ向かう手前の第 4のキヤリァ輸送層と第 3のキ ャリア輸送層に対してエネルギー障壁が形成されるため、 正孔電流量と電子電流 量が調整されて、 発光効率を向上することができる。
本発明のその他の課題は、 前記発光層のエネルギーギヤップ E g EMLと、 前記 第 2のキヤリァ輸送層のエネルギーギヤップ E g P 2と、 ΙίίΙΒ第 3のキヤ.リァ輸送 層のエネルギーギャップ E g Ρ 3との関係力 E g EML < E g P 2 , E g EML < E g P 3である有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。
本発明によれば、 発光層の陽極側には発光層のエネルギーギヤップ E g EMLよ りも大きなエネルギーギャップを有する第 2のキャリア輸送層が形成され、 発光 層の陰極側には発光層のエネルギーギヤップ E g EMLよりも大きなエネルギーギ ャップを有する第 3のキヤリァ輸送層が形成されている # ^には、 第 2のキヤリ ァ輸送層及ぴ第 3のキヤリァ輸送層での電子と正孔の再結合が抑制され、 発光層 の発光効率を向上させることができる。
本発明のその他の課題は、 互い〖こ対向する陽極と陰極との間に形成された発光 層と、 前記発光層の陽極側に形成された第 1のキャリア輸送層と、 前記第.1のキ ャリァ輸送層の陰極側に tfff己第 1のキヤリァ輸送層と接するように形成された第 2のキャリア輸送層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた^ エレクトロルミネッセンスディスプレイであって、 前記第 1のキャリア輸送層の イオン化ポテンシャル I P P 1と、前記第 2のキャリア輸送層のイオン化ポテンシ ャル I p P 2との関係が、 I P P 1く I p P 2であることを特徴とする有機エレクトロ ルミネッセンスディスプレイを^^することにある。
本発明によれば、 発光層の陽極側に第 1のキャリア輸送層と、 第 1のキャリア 輸送層の陰極側に第 1のキヤリァ輸送層のイオン化ポテンシャル I p P 1より小 さなイオン化ポテンシャル I P P 2を有する第 2のキヤリァ輸送層とが形成され ている。 したがって、 正孔が陽極から発光層へ向かう手前の第 1のキャリア輸送 層と第 2のキヤリァ輸送層との界面にエネルギー P章壁が形成され、 第 1のキヤリ ァ輸送層に正孔が蓄積されて発光層に流れる正孔電流量が低下するため、 正孔電 流量が調節されて、 有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を向上させる ことができ、 上記有機エレクトロルミネッセンス素子を有機エレクトロノレミネッ センスディスプレイに形成することで、 有機エレク トロルミネッセンスディスプ レイの視認性の向上及び低消費電力化が可能である。 図面の簡単な説明
図 1は、 従来の有機 E L素子の断面図を示した図である。
図 2は、図 1に示す有機 E L素子のエネルギーダイアグラムを示した図である。 図 3は、 本発明の第 1の実施の形態の有機 E L素子の断面図である。
図 4は、 第 1の実施の形態の有機 E L素子のエネルギーダイアグラムを示した 図である。
図 5は、 光吸収スぺクトルの波長依存性を示した図である。
図 6は、 紫外線のエネルギーと光電子の放出数の平方根との関係を示した図で ある。
図 7は、 第 1実施例に用いた層の電子親和力 E a、 イオン化ポテンシャル I p 及ぴエネルギーギヤップ E gを示した図である。
図 8は、 第 2実施例の有機 E L素子の層構成を示した図である。
図 9は、 比較例 2及ぴ 3の有機 E L素子の膜構成を示した図である。
図 1 0は、 第 1実施例の有機 E L素子の正孔電流量と電圧の関係を示した図で ある。
図 1 1は、 第 2実施例の有機 E L素子の正孔電流量と電圧の関係を示した図で ある。
図 1 2は、 比較例 1の有機 E L素子の正孔電流量と電圧の関係を示した図であ る。
図 1 3は、 第 1実施例の有機 E L素子の電子電流量の電圧依存性を示した図で ある。
図 1 4は、 有機 E L素子の発光効率の電圧依存性を示した図である。
図 1 5は、 本発明の第 2の実施の形態の有機エレクト口ノレミネッセンスディス プレイの概要構成を示した斜視図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
(第 1の実施の形態)
図 3は、 本発明の第 1の実施の形態の有機 EL素子の断面図である。 図 3に示 すように、 有機 EL素子 30は、 ガラス基板 33上に、 陽極 34と、 第 1のキヤ リア輸送層 35 Aと、 第 2のキャリア輸送層 35Bと、 発光層 36と、 第 3のキ ャリア輸送層 37 Aと、 第 4のキャリア輸送層 37 Bと、 電子輸送層 38と、 陰 極 39とが順次形成された構成となっている。第 1のキャリア輸送層 35 Aには、 第 2のキャリア輸送層 35 Bよりもイオン化ポテンシャノレ I pが小さく、 第 3の キヤリァ輸送層 37 Aには、 第 4のキヤリァ輸送層 37 Bよりも電子親和力 E a が小さい材料が用いられている。
有機 EL素子 30は、 10 ηπ!〜 1000 nm程度の膜厚を有している。 10 OOnmよりも厚いと、 抵抗が上がり電流が流れにくくなつてしまい 10 nmよ り薄いと発光層 36自体の厚さが過度に薄くなり、 発光輝度が不足してしまう。 陽極 34と陰極 39は、 有機 E L素子 30の所望の位置に «]£を印加するため の電極であり、陽極 34は、例えば、 I TOや I ZO(I n d i um Z i nc O x i d e) などを用いることができ、 陰極 39は、 例えば、 A 1/L i F電極や A g/Mg電極などを用いることができる。 ,
第 1, 第 2のキヤリァ輸送層 35 A, 35 Bは、 電子、 正孔の輸送能力の高い 材料により構成され、 第 1のキャリア輸送層 35 Aには下記式 (1) に示される 2-TNATA (東洋インキネ環) を用いることができ、 第 2のキャリア輸送層 35Bには、 下記式 (2) に示される a— NPD (東洋インキネ: fc¾) や EL 00 2 (保土ケ谷化学社製) などを用いることができる。 第 1, 第 2のキャリア輸送 層 35A, 35 Bの膜厚は、 10 nm〜50 nmの範囲に設定され、 有機 EL素 子を構成する層の数と有機 EL素子全体の厚さに応じて適宜選択される。
Figure imgf000009_0001
Figure imgf000009_0002
(2) 第 3, 第 4のキャリア輸送層 37 A, 37Bは、 電子、 正孔の輸送能力の高い 材料により構成され、 第 3のキャリア輸送層 37 Aには TYE— 704 (東洋ィ ンキネ ±¾) を用いることができ、 第 4のキャリア輸送層 37 Bには、 TYG— 2 01 (東洋インキネ: fc ) や CBP (同人化 究所據) などを用いることがで きる。 第 3, 第 4のキャリア輸送層 37 A, 378の^)¥は、 10nm〜50n mの範囲に設定され、 有機 E L素子を構成する層の数と有機 E L素子全体の厚さ に応じて適宜選択される。
発光層 36は、 所望の発光色を発光するための材料、 例えば有機蛍光体が含ま れ、 金属錯体等の材料により構成されており、 例えば、 TYG-201 (東洋ィ ンキネ ±¾) や下記式 (3) に示した A 1 q3 (t r i s (8-hy d r o xy q u i n o 1 i o) a 1 urn i n i urn) (東洋インキネ±¾)等を用いることができ る。 発光層 3 6の膜厚は、 1 0 n m〜 5 0 n mの範囲に設定され、 前記キヤリァ 輸送層と同様に適: 13:さが選択される。
Figure imgf000010_0001
電子輸送層 3 8は、 電子の輸送能力の高い材料により構成され、 例えば、 TY E - 7 0 4 (東洋ィンキ社製) や TYE— 7 0 3 (東洋ィンキネ土製) 等を用いる ことができる。
上記有機 E L素子 3 0の各層は、 例えば、 真空蒸着法により圧力を 1 . 3 3 X 1 0 _4 P a、 ガラス基板 3 3の を室温にして形成される。
図 4は、 第 1の実施の形態の有機 E L素子のエネルギーダイ了グラムを示した 図である。 図 4中の E a、 E g、 I pは、 それぞれ有機 E L素子の各層の電子親 和力 E a、 エネルギーギヤップ E g、 イオン化ポテンシャル I pを示しており、 電子親和力 E aは伝導レベル 4 1 (伝導帯の下端のエネルギー) と真空準位のェ ネルギーとの差であり、 エネルギーギヤップ E gは伝導レベル 4 1と価電子レべ ル 4 2 (価電子帯の上端のエネルギー) のエネルギーとの差であり、 イオン化ポ テンシャル I は価電子レベル 4 2と真空 とのエネルギーの差である。 図 4に示すように、 発光層 3 6の陽極 3 4側に第 2のキヤリァ輸送層 3 5 Bが 形成され、 第 2のキャリア輸送層 3 5 Bの陽極 3 4側には第 1のキャリア輸送層 3 5 Aが形成され、 発光層 3 6の陰極 3 9側には第 3のキヤリァ輸送層 3 7 Aが 形成され、 第 3のキャリア輸送層 3 7 Aの陰極 3 9側には第 4のキャリア輸送層 3 7 Bが形成されている。
第 1のキャリア輸送層 3 5 A、 第 2のキャリア輸送層 3 5 Bのイオン化ポテン シャルをそれぞれ、 I p35A、 I p 35Bとすると、第 1のキャリア輸送層 35 Aと 第 2のキャリア輸送層 35 Bとの関係は、 I p35A< I p 35Bに設定されている。 また、 第 3のキャリア輸送層 37 A、 第 4のキャリア輸送層 37 Bの電子親和力 をそれぞれ、 Ea37A、 Ea37Bとすると、第 3のキャリア輸送層 37 Aと第 4の キャリア輸送層 37 Bとの関係は、 Ea37A<Ea37Bに設定されてぃる。 さらに、 発光層 36、 第 2のキャリア輸送層 35 B、 第 3のキャリア輸送層 37 Aのエネ ルギーギヤップをそれぞれ、 Eg36、 Eg35B、 Eg37Aとすると、 発光層 36、 第 2のキャリア輸送層 35 B、第 3のキャリア輸送層 37Aとの関係は、 Eg36 く Eg35B, Eg36<Eg37Aに設定されている。
正孔の流れについて説明する。 正孔は、 陽極 34から陰極 39に向かって第 1 のキャリア輸送層 35Aと第 2のキャリア輸送層 35Bを通り発光層 36に る。 し力し、 第 1のキャリア輸送層 35Aと第 2のキャリア輸送層 35Bとの界 面には、 エネノレギー障壁 BH— Aが形成されている。 エネノレギー障壁 BH— Aの 高さ EBH_Aは、 第 1のキャリア輸送層 35 Aのイオンィ匕ポテンシャル I p35Aと 第 2のキャリア輸送層 35 Bのイオン化ポテンシャル I p35Bとの差、 すなわち
I Pass" I P 35Aである。 I P 35B> I P 35Aに設定されているので E BHA>0である。 したがって、正孔はエネルギー障壁 BH— Aにより第 1のキヤ リア輸送層 35 Aに蓄積され、 発光層 36に流れる正孔電流量が低下する。 その 結果、 発光層 36に流れ込む正孔電流量が調整され、 電子と正孔が再結合するの で発光効率を向上させることができる。
また、 第 2のキャリア輸送層 35 Bのエネルギーギャップ E g35Bは、 発光層 36のエネルギーギャップ Eg 36よりも大きいので、第 2のキャリア輸送層 35 Bでの再結合が抑制され、 発光層 36での発光効率を向上させることができる。 次に、 電子の流れについて説明する。 電子は、 陰極 39から陽極 34に向かつ て、 電子輸送層 38、 第 4のキヤリァ輸送層 37 B及び第 3のキヤリァ輸送層 3 7 Aを通り発光層 36に る。 しかし、 第 4のキャリア輸送層 37 Βと第 3の キヤリァ輸送層 37 Αとの界面には、エネルギー障壁 B E-Bが形成されている。 エネルギー障壁 B E— Bの高さ E BE Bは、第 4のキヤリァ輸送層 37Bの電子親 和力 E a 37Bと第 3のキヤリァ輸送層 37 Aの電子親和力 E a 37Aとの差、すなわ ち EBE_B=E a 37B一 E a 37Aで ¾る。 E a 37B>E a 37Aに設定されているので EBE_B〉0である。 したがって、電子は第 4のキャリア輸送層 37 Bに蓄積され て電子電流量が低下し、 発光層 36に流れ込む電子電流量の調整ができる。 よつ て、 正孔にとつてのエネルギー障壁 BH— Aを複数形成し、 力つ電子にとっての エネルギー障壁 B E— Aを設けることで正孔電流量と電子電流量を調整し、 発光 層 36での発光効率を向上させることができる。
また、 第 3のキヤリァ輸送層 37 Aのエネルギーギヤップ E g 37Aは、 発光層 36のエネルギーギャップ Eg 36よりも大きいので、第 3のキャリア輸送層 37 Aでの再結合が抑制され、 発光層 36での発光効率を向上させることができる。 本実施の形態によれば、 上述したように、 発光層 36の陽極側に形成された第 2のキヤリァ輸送層 35 Bと、 発光層 36の陰極側に形成された第 3のキャリア 輸送層 37Aとでの発光を防ぐと共に、 正孔電流量と電子電流量を調整して、 発 光層 36での発光効率を向上することができる。
[第 1実施例]
第 1実施例の有機 EL素子を以下のように形成した。 ガラス基板 33上に、 真 空蒸着法により、 陽極 34に ITO電極と、 第 1のキャリア輸送層 35AZ第 2 のキャリア輸送層 35Bに 2— TNATA層( J?30 ηπ Ζα— NPD層(膜 厚 10 nm)、 2— TNATA層(麟 10 nm) /a— NPD層(膜厚 10腹) 及ぴ 2— ΤΝΑΤΑ層 (酵 l Onm) /a_NPD層 (膜厚 30nm) と、 発 光層 36にノンドープ型の緑色発光する TYG— 201層を膜厚 20 nmと、 第 3のキャリア輸送層 37 AZ第 4のキャリア輸送層 378に丁 £—704層 (醇 10 nm) /TYG-201層(D¥1 Onm)及ぴ TYE— 704層(膜 厚 10nm) ZTYG—201層 (醇 10nm) と、 電子輸送層 38に TYE —704層を膜厚 2 Onmと、 陰極 39にフッ化リチウム膜がU¥0. 5 nmと A 1膜が醇 100 n mからなる A 1 / L i F積層膜を順次形成した。
第 1の実施の形態では、 発光層の陽極側に第 1のキヤリァ輸送層 35 A/第 2 のキャリア輸送層 35Bからなる積層構造を 1層のみ形成したが、 第 1実施例で 3層形成した。 また、 第 1の実施の形態では、 発光層の陽極側に第 3のキャリア 輸送層 37 AZ第 4のキャリア輸送層 37Bからなる積層構造を 1層のみ形成し たが、 第 1実施例では 2層形成した。
ここで、 本発明を実施する上で重要なエネルギーギヤップ E gとイオン化ポテ ンシャル I pの測定方法について説明する。
エネルギーギヤップ E gは、 上記有機 E L素子 3 0の形成方法と同様な方法を 用いて有機 E L素子 3 0の各層を與虫に形成した薄膜を、 光吸収スぺクトルが測 定できる分光光度計装置、 例えば、 日立機スぺクトロフォトメーター U— 4 1 0 0を用いて大気中で紫外から可視領域の光を薄膜に対して照射して測定した。 図 5は、光吸収スぺクトルの波長依存性を示した図である。図 5中の曲線 Jは、 測定結果である光吸収スぺクトルを示している。 なお、 範囲 Tは、 光吸収スぺク トルの強度が立ち上がり部のうち、曲線 Jが直線になっている部分を示している。 範囲 Uは、 光吸収スペクトルの未吸収波長領域において、 曲線 Jが直線になって いる部分を示している。 ϊί/镍 Kは、 範囲 Τに示した曲線 Jと重なるように引いた 直線である。直線 Lは、範囲 Uに示した曲線 Jと重なるように引いた 镍である。 エネルギーギヤップ E gは、 直線 Kと直線 Lとの交点 Mから求められる。
イオン化ポテンシャル I pは、 エネルギーギヤップ E gの測定に用いた薄膜と 同様に形成された薄膜を用いて、 大気雰囲気型紫外線光電子分析装置、 例えば、 理研計器製 AC— 1を用いて大気中で紫外線を薄膜に対して照射して、 放出され る光電子の数を測定して、 紫外線のエネルギーと光電子の放出数の平方根との関 係から求められる。 理研計器製 AC— 1の測定条件は、 紫外線のエネルギー範囲 が 3. 8〜 6 . 2 e V、 紫外線の強度が 2 0 n Wである。 薄膜の は、 5 0 η mを用いた。
図 6は、 紫外線のエネルギーと光電子の放出数の平方根との関係を示した図で ある。 放出される光電子の数は紫外線のエネルギーの大きさに依存し、 図 6中に 示した範囲 Nにおレ、ては、 紫外線のエネルギーが小さいため光電子は放出されな いが、 範囲 Oにおいては、 紫外線のエネルギーが十分に大きいため、 光電子は真 空 立よりも高いエネルギーの^ (立へ励起され、 光電子が放出される。 図 6中に 示した直線 Pは、 紫外線のエネルギーが 4. 2 e V〜5 . 3 e Vの間について最 小 2乗法により引かれた近似直線を示している。 直線 Qは、 紫外線のエネノレギー が 5. 6 e V〜 5. 9 e Vの間につレ、て最小 2乗法により引かれた近似 ]£/镍を示 している。
と, Qの交点 Rは、 光電子放出のしきい値エネルギーを示しており、 この光電子放出のしきレ、値エネルギーがイオン化ポテンシャル I ρである。 電子 親和力 Eaは、 イオン化ポテンシャル I pとエネルギーギャップ E gとの差 (E a= I p— Eg) により求められる。
図 7は、 第 1実施例に用いた層の電子親和力 E a、 ィオン化ポテンシャル I p 及ぴエネルギーギャップ Egを示した図である。 図 7に示すように、 第 1のキヤ リア輸送層 35 Aに用いた 2— TN AT A層のイオン化ポテンシャル I pは 5. 19 e Vであり、 第 2のキャリア輸送層 35Bに用ぃたQ;—NPD層のィォン化 ポテンシャル I pは 5. 46 eVである。 よって、 2— TNAT A層と α— N P D層のイオン化ポテンシャル I ρとの差により、 第 1のキャリア輸送層 35 Αと 第 2のキャリア輸送層 35 Bの界面に、 0, 27 eVの大きさのエネルギー障壁 が 3つ形成される。 また、 第 4のキャリア輸送層 37Bに用いた TYG— 201 層の電子親和力 E aは 3. 20 eVであり、 第 3のキャリア輸送層 37 Aに用い た TYE—704層の電子親和力 E aは 2. 97 e Vである。
したがって、 TYG— 201層と TYE—704層の電子親和力 E aの差によ り、 第 4のキャリア輸送層 37 Bと第 3のキャリア輸送層 37 Aの界面に、 0. 23 e Vの大きさのエネルギー障壁が 2つ形成される。 その結果、 第 1のキヤリ ァ輸送層 35Aと第 2のキヤリァ輸送層 35Bの界面に形成された 3つのエネル ギー障壁により、 第 1のキャリア輸送層に用いた 2—TNAT A層にそれぞれ正 孔が蓄積されて、 正孔電流量は低下する。 また、 第 4の.キャリア輸送層 37Bと 第 3のキヤリァ輸送層 37 Aの界面に形成された 2つのエネルギー障壁により、 第 4のキャリア輸送層に用いた TYG— 201層にそれぞれ電子が蓄積されて、 電子電流量が低下する。 その結果、 発光層 36に流れる電子電流量と正孔電流量 とが調節されて、 電子と正孔が再結合するため、 発光効率を向上させることがで きる。
また、 第 2のキャリア輸送層 35 Bに用いた α— NPD層のエネノレギーギヤッ プ Egは 3. 04 eVであり、 第 3のキャリア輸送層 37 Aに用いた TYE— 7 04層のエネノレギーギヤップ E gは 2. 76 e Vであり、 発光層 36のエネルギ 一ギャップ E gは 2. 4 0 e Vである。 よって、 第 2のキャリア輸送層 3 5 Bの エネルギーギヤップ E gは、 発光層 3 6のエネルギーギヤップ E gよりも 0. 6 4 e V大きく、 第 3のキヤリァ輸送層 3 7 Aのエネルギーギヤップ E gは、 発光 層 3 6のエネルギーギヤップ E gよりも 0. 3 6 e V大きいため、 発光層 3 6で の電子と正孔の再結合する確率が増加し、 発光層 3 6に用いた TYG— 2 0 1層 の発光効率を向上させることができる。
[第 2実施例]
図 8は、 第 2実施例の有機 E L素子の層構成を示した図である。
第 2の実施例は、 第 1実施例において、 発光層 3 6と陽極との間に第 1のキヤ リァ輸送層 3 5 A/第 2のキヤリァ輸送層 3 5 B力らなる積層構造を 1組少なく 形成したものである。 なお、 有機 E L素子の全体の厚さにより各層の卿享が決定 されている。
第 2実施例によれば、 第 1実施例よりも第 1のキヤリァ輸送層 3 5 A/第 2の キャリア輸送層 3 5 Bが 1組少なく形成されている。 先の発明が解決しようとす る! ¾ で述べたように正孔電流量と電子電流量の大きさは、 有機 E L素子を構成 する膜の種類や積層する により変わる。 したがって、 有機 E L素子の正孔電 流量が電子電流量と比較してあまり大きくない には、 第 1実施例のように 3 つのエネルギー障壁を形成すると、 正孔電流量が小さくなりすぎて発光効率が低 下してしまう。 したがって、 正孔にとつてのエネルギー障壁を 1つ少なく形成し て、 第 1実施例よりも正孔電流量の低下を抑制することで、 より多くの電子が正 孔との再結合に寄与し、 有機 E L素子全体の発光効率を高めることができる。
[発光効率の評価]
次に、 第 1及び第 2実施例の有機 E L素子の発光輝度の評価を行なった。 本発 明によらない比較例 1〜 3の有機 E L素子を作成して評価した。
比較例 1の有機 E L素子は、 ガラス基板上に、 真空蒸着法を用いて、'陽極に I TO電極と、 正孔注入層に 2— TNATA層を酵 3 0 n mと、 正孔輸送層に — N P D層を J^i¥ 5 0 nmと、 発光層にノンドープ型の緑色発光する TYG— 2 0 1層を膜厚4 0 11 111と、 電子輸送層に TYE— 7 0 4層を廳4 0 nmと、 フ ッ化リチウム膜が膜厚 0. 5 11 111と 1膜が醇1 0 O n mからなる A l /L i F積層膜とが順次形成された構成とした。 真空蒸着装置内の圧力とガラス基板の 温度は、圧力が 1 . 3 3 X 1 0— 4 P a、 ガラス基板の温度は室温とした。 次に、 比較例 2〜 3の有機 E L素子を比較例 1と同様な方法により形成した。
図 9は、 比較例 2及ぴ 3の有機 E L素子の膜構成を示した図である。
次に、 第 1実施例及び第 2実施例の有機 E L素子に電圧を印加し、 陽極から発 光層の陽極側に接する第 2のキヤリァ輸送層の間に流れる電流量と、 陰極から発 光層の陰極側に接する第 3のキヤリァ輸送層の間に流れる電流量とを別々に測定 した。 また、 比較例 1の有機 E L素子に電圧を印加し、 陽極から正孔輸送層の間 の電流量と、 陰極から電子輸送層の間の電流量とを別々に測定した。
なお、 第 1実施例及び第 2実施例の発光層の陽極側に接する第 2のキヤリ.ァ輸送 層から陽極の間に流れる電流量と、 比較例 1の陽極から正孔輸送層の間の電流量 は、正孔が陽極から陰極側へ移動することで発生する電流量と考えることができ、 本評価ではこの電流量を正孔電流量と定義する。 また、 第 1実施例及び第 2実施 例の発光層の陰極側に接する第 3のキャリア輸送層から陰極の間に流れる電流量 と、 比較例 1の陰極から電子輸送層の間の電流量は、 電子が陰極から陽極側へ移 動することで発生する電流量と考えることができ、 本評価ではこの電流量を電子 電流量と定義する。
図 1 0は、 第 1実施例の有機 E L素子の正孔電流量と電圧の関係を示した図で あり、 図 1 1は、 第 2実施例の有機 E L素子の正孔電流量と MEの関係を示した 図であり、 図 1 2は、 比較例 1の有機 E L素子の正孔電流量と電圧の関係を示し た図である。
図 1 0に示した第 1実施例の有機 E L素子には、 発光層の陽極側にエネルギー 障壁が 3つ形成されており、 図 1 1に示した第 2実施例の有機 E L素子には、 発 光層の陽極側にエネルギー P章壁が 2つ形成されている。 また、 図 1 2に示した比 較例 1にはエネルギー障壁が 1つ形成されている。図 1 0〜図 1 2に示すように、 発光層の陽極側にエネルギー障壁が多く形成されると、 正孔電流量が低下するこ とが分力ゝる。
図 1 3は、 第 1実施例の有機 E L素子の電子電流量と flffの関係を示した図で ある。 図 1 3に示した有機 E L素子は、 発光層の陰極側にエネルギー障壁が 2つ 形成されている。 図 1 3の電子電流量と図 1 1に示した発光層の陽極側に 2つの エネルギー障壁が形成した の正孔電流量とを比較すると、 正孔電流量は電子 電流量よりも大きいことが分かる。 このことから、 エネルギー P章壁を形成しない 場合には、 正孔電流量は電子電流量よりも大きいことが分かる。
図 1 4は、 有機 E L素子の発光効率の電圧依存性を示した図である。 図 1 4に 示すように、 第 2実施例の有機 E L素子の発光効率が最も高いことが分かる。 ここで、 正孔にとつてのエネルギー障壁を多く設けた第 1実施例よりも、 第 2 実施例の有機 E L素子の発光効率が高くなった原因についての考察を行う。 有機 E L素子の発光効率を向上させるためには、 正孔電流量を小さくすることと、 発 光層 3 6において再結合に寄与する電子の数と正孔の数との差を小さくすること が必要である。 電子電流量は、 電子の数と電子の移動度により決まり、 正孔電流 量は、 正孔の数と正孔の移動度により決まる。 また、 一般的に電子の移動度は、 正孔の移動度よりも小さいため、 電子の数と正孔の数とが同じ場合でも電子電流 量と正孔電流量とは同じにはならない。 エネルギー P章壁を形成しない場合には、 正孔電流量は電子電流量よりも大きく、 正孔にとってのエネルギー障壁を設ける ことで、 正孔電流量が減少すると共に、 正孔の数も減少する。 実施例 1において は、 正孔にとってのエネルギー障壁が 3つ形成されており、 電子と再結合する正 孔の数を必要以上に減少させてしまったと考えられる。 実施例 2では、 実施例 1 よりも少ない 2つのエネルギー P章壁を設けたため、 電子の数と正孔の数との差を 小さくできたため、 発光効率が向上して実施例 1よりも良い結果になったと考え られる。
(第 2の実施の形態)
図 1 5は、 本発明の第 2の実施の形態の有機エレクトロノレミネッセンスデイス プレイ (有機 E Lディスプレイ) の概要構成を示した斜視図である。 図 1 5に示 すように、 有機 E Lディスプレイ 5 0は、 ガラス基板 3 3上に陰極 3 9である A l ZL i F電極と、 陽極 3 4である I T O電極とが直交するように形成され、 そ の間に第 1の実施の形態の有機 E L素子を構成する積層体 4 5が形成された構成 となっている。 有機 E Lディスプレイ 5 0の発光は、 発光させたい発光層の領域 の I T O電極と A 1 /L i F電極をそれぞれ指定して ¾j£を印加して行なう。 有 機 E Lディスプレイ 5 0を上記構成としたことで、 発光効率を向上することがで さる。
以上、 本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、 本発明はかかる特定 の実施の形態に限定されるものではなく、 特許請求の範囲内に記載された本発明 の記載範囲内において、 種々の変形'変更が可能である。
例えば、 第 1の実施の形態に示した有機 E L素子に設ける正孔のエネルギー障 壁と電子のエネルギー P章壁の個数は各有機 E L素子に応じて適宜に選択して良い。 産業上利用可能性
本発明によれば、 発光層の陽極側に第 1のキャリア輸送層と、 第 1のキャリア 輸送層の陰極側に第 1のキヤリァ輸送層のイオン化ポテンシャル I p P 1より小 さなイオン化ポテンシャル I p P 2を有する第 2のキヤリァ輸送層とを形成する ことにより、 正孔が陽極から発光層へ向かう手前の第 1のキヤリァ輸送層と第 2 のキヤリァ輸送層との界面にエネルギー障壁が形成され、 第 1のキヤリァ輸送層 に正孔が蓄積されて発光層に流れる正孔電流量が低下して、 正孔電流量が調節さ れるため、 発光効率を向上させることができる。

Claims

請求の範囲
1. 互いに対向する陽極と陰極との間に形成された発光層と、
前記発光層の陽極側に形成された第 1のキヤリァ輸送層と、
前記第 1のキヤリァ輸送層の陰極側に前記第 1のキヤリァ輸送層と接するよう に形成された第 2のキヤリァ輸送層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素 子であって、
嫌己第 1のキャリア輸送層のイオンィ匕ポテンシャル I Pp1と、 tfria第 2のキヤ リア輸送層のイオンィ匕ポテンシャル I pP2との関係が、 I pP1< I pP2であるこ とを特徴とする有機エレクト口ルミネッセンス素子。
2. 前記第 1のキャリア輸送層は、 aNPDを用い、 前記第 2のキャリア輸 送層には、 2—TN AT Aを用いることを特徴とする請求項 1に記載の有機エレ クトロルミネッセンス素子。
3. 前記発光層のエネルギーギヤップ E g EMLと前記第 2のキヤリァ輸送層 のエネルギーギヤップ E g P2との関係が、 E g EMLく E g P2であることを特徴と する請求項 1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4. 互いに対向する陽極と陰極との間に形成された発光層と、
嫌己発光層の陰極側に形成された第 1のキヤリァ輸送層と、
前記第 1のキヤリァ輸送層の陰極側に接するように形成された第 2のキャリア 輸送層とを備えた有機ェレクトロルミネッセンス素子であって、
前記第 1のキヤリァ輸送層の電子親和力 E a p と、前記第 2のキヤリァ輸送層 の電子親和力 E a p 2との関係が、 EaP1<EaP2であることを特徴とする有機ェ レクト口/レミネッセンス素子。
5. 前記第 1のキャリア輸送層には、 TYE 704を用い、 前記第 2のキヤ リア輸送層には、 TYG— 201を用いることを特徴とする請求項 4に記載の有 機エレクトロルミネッセンス素子。
6. 前記発光層のエネルギーギヤップ E g EMLと前記第 1のキヤリァ輸送層 のエネルギーギヤップ E g p iとの関係が、 E g EMLく E g P であることを特徴と する請求項 4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7. 互いに対向する陽極と陰極との間に形成された発光層と、 前記発光層の 陽極側に形成された第 1のキヤリァ輸送層と、
前記第 1のキヤリァ輸送層の陰極側に前記第 1のキヤリァ輸送層と接するよう に形成された第 2のキヤリァ輸送層と、
前記発光層の陰極側に形成された第 3のキヤリァ輸送層と、
前記第 3のキヤリァ輸送層の陰極側に前記第 3のキヤリァ輸送層と接するよう に形成された第 4のキヤリァ輸送層とを備えた有機ェレクト口ルミネッセンス素 子であって、
前記第 1のキャリア輸送層のイオン化ポテンシャル I pP1と、嫌己第 2のキヤ リア輸送層のイオン化ポテンシャル I pP2との関係が、 I pP1< I pP2であり、 かつ前記第 3のキヤリァ輸送層の電子親和力 E a P3と、 tiflB第 4のキヤリァ輸送 層の電子親和力 E a P4との関係力 E a P3く E a P4であることを特徴とする有機 エレクトロノレミネッセンス素子。
8. 前記発光層のエネルギーギャップ EgEMLと、 歸己第 2のキャリア輸送 層のエネルギーギヤップ E g P2と、前記第 3のキヤリァ輸送層のエネルギーギヤ ップ EgP3との関係が、 EgEML<EgP2, EgEMLく EgP3であることを特徴 とする請求項 7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
9. 互いに対向する陽極と陰極との間に形成された発光層と、
前記発光層の陽極側に形成された第 1のキヤリァ輸送層と、
前記第 1のキヤリァ輸送層の陰極側に ΙίίΙ己第 1のキヤリァ輸送層と接するよう に形成された第 2のキヤリァ輸送層とを有する有機ェレクト口ルミネッセンス素 子を備えた有機エレクトロルミネッセンスディスプレイであって、
前記第 1のキャリア輸送層のイオン化ポテンシャル I PP1と、 lf己第 2のキヤ リア輸送層のイオン化ポテンシャル I pP2との関係が、 I pP1< I pP2であるこ とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ。
10. 互いに対向する陽極と陰極との間に形成された発光層と、
前記発光層の陰極側に形成された第 1のキヤリァ輸送層と、
IfrlB第 1のキヤリァ輸送層の陰極側に接するように形成された第 2のキャリア 輸送層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子を有する有機エレクトロル 爾己第 1のキヤリァ輸送層の電子親和力 E a P と、前記第 2のキヤリァ輸送層 の電子親和力 EaP2との関係力 EaP1<EaP2であることを特徴とする有機ェ レクトロルミネッセンスディスプレイ。
11. 互いに対向する陽極と陰極との間に形成された発光層と、 前記発光層 の陽極側に形成された第 1のキヤリァ輸送層と、
前記第 1のキヤリァ輸送層の陰極側に ΙίίΐΒ第 1のキヤリァ輸送層と接するよう に形成された第 2のキヤリァ輸送層と、
前記発光層の陰極側に形成された第 3のキヤリァ輸送層と、
前記第 3のキヤリァ輸送層の陰極側に ΙίίΐΒ第 3のキヤリァ輸送層と接するよう に形成された第 4のキヤリァ輸送層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素 子を備えた有機エレクトロルミネッセンスディスプレイであって、
前記第 1のキャリア輸送層のイオン化ポテンシャル I ρΡ1と、 t&f己第 2のキヤ リア輸送層のイオン化ポテンシャル I pP2との関係が、 I pP1< I pP2であり、 力つ前記第 3のキヤリァ輸送層の電子親和力 E a P3と、編己第 4のキヤリァ輸送 層の電子親和力 E a P4との関係が、 EaP3<Ea P4であることを特徴とする有機 エレク トロルミネッセンスディスプレイ。
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