JPH075631Y2 - 縦型炉 - Google Patents
縦型炉Info
- Publication number
- JPH075631Y2 JPH075631Y2 JP1987012942U JP1294287U JPH075631Y2 JP H075631 Y2 JPH075631 Y2 JP H075631Y2 JP 1987012942 U JP1987012942 U JP 1987012942U JP 1294287 U JP1294287 U JP 1294287U JP H075631 Y2 JPH075631 Y2 JP H075631Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermocouple
- tube
- sic
- heater
- soaking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は半導体デバイス製造に使用する縦型拡散装置,C
VD装置等の縦型炉のヒータ内温度を検知するための熱電
対を使用した縦型炉に関する。
VD装置等の縦型炉のヒータ内温度を検知するための熱電
対を使用した縦型炉に関する。
一般に実際に処理の行われるウェーハーの温度を監視し
たいが、ウェーハーに熱電対を取付けるわけにはいかな
いので、出来るだけウェーハーの近傍に熱電対を置き、
その温度を検知することによりウェーハーの温度を推定
することが行われている。炉の温度が安定した状態では
ウェーハー温度との差は±0.5℃以内である。従ってウ
ェーハー近傍の温度を監視し、温度調節計にフィードバ
ックをかけてカスケード制御及びウェーハーの温度の監
視を行うことが可能になる。
たいが、ウェーハーに熱電対を取付けるわけにはいかな
いので、出来るだけウェーハーの近傍に熱電対を置き、
その温度を検知することによりウェーハーの温度を推定
することが行われている。炉の温度が安定した状態では
ウェーハー温度との差は±0.5℃以内である。従ってウ
ェーハー近傍の温度を監視し、温度調節計にフィードバ
ックをかけてカスケード制御及びウェーハーの温度の監
視を行うことが可能になる。
従来においては、第４図示のようにボート８に積載され
たウェーハー９の積載長の方向に設定された位置にジヤ
ンクション位置がくるよう第５図示のような熱電対２を
複数個、第４図の例では４本,1列に並べて反応管７内に
挿入配置し、各熱電対２によりヒータ内温度、即ちウェ
ーハー近傍の各設定点温度を検知するようにしていた。
たウェーハー９の積載長の方向に設定された位置にジヤ
ンクション位置がくるよう第５図示のような熱電対２を
複数個、第４図の例では４本,1列に並べて反応管７内に
挿入配置し、各熱電対２によりヒータ内温度、即ちウェ
ーハー近傍の各設定点温度を検知するようにしていた。
第４図において５はヒータ、11はヒータベース、６は均
熱管、10は反応管７のキヤップで、ボート８を支持する
役目もある。
熱管、10は反応管７のキヤップで、ボート８を支持する
役目もある。
また第５図において１は熱電対素線、12は石英製の熱電
対保護管、３は石英製またはアルミナ製の熱電対絶縁
管、４は断熱材製の絶縁管固定部である。
対保護管、３は石英製またはアルミナ製の熱電対絶縁
管、４は断熱材製の絶縁管固定部である。
しかしながら上記従来例にあっては、反応管７の着脱
時に熱電対２も着脱する必要があるため、着脱回数が多
くなり、着脱によるジヤンクション位置を一定にするこ
とが難しく再現性が悪く、メンテナンスが難しくなる。
保護管12が石英製であるため、1100℃以上の温度領域
で保護管12が軟化し変形する。また1100℃以下の温度
領域でも長期間使用すると変形が大きくなり、ボート８
に接触する等の問題点があった。
時に熱電対２も着脱する必要があるため、着脱回数が多
くなり、着脱によるジヤンクション位置を一定にするこ
とが難しく再現性が悪く、メンテナンスが難しくなる。
保護管12が石英製であるため、1100℃以上の温度領域
で保護管12が軟化し変形する。また1100℃以下の温度
領域でも長期間使用すると変形が大きくなり、ボート８
に接触する等の問題点があった。
本考案は反応管７の着脱時に熱電対２を着脱する必要が
なく、着脱回数を極めて少なくでき、着脱によるジヤン
クション位置が変化し難くなり、再現性が良く、メンテ
ナンスを容易にできると共に、高温領域でも変形しない
熱電対を使用した縦型炉を提供しようとするものであ
る。
なく、着脱回数を極めて少なくでき、着脱によるジヤン
クション位置が変化し難くなり、再現性が良く、メンテ
ナンスを容易にできると共に、高温領域でも変形しない
熱電対を使用した縦型炉を提供しようとするものであ
る。
即ち、本考案縦型炉は、第１図示のように熱電対２の保
護管13をSiC製とし、このSiC製保護管13を使用した熱電
対２を均熱管６と反応管７との間に挿入配置し、SiC製
保護管13の下部に取り付けられる断面Ｌ字型の熱電対固
定金具14を縦型炉のヒータベース11に取り付ける構造と
したものである。
護管13をSiC製とし、このSiC製保護管13を使用した熱電
対２を均熱管６と反応管７との間に挿入配置し、SiC製
保護管13の下部に取り付けられる断面Ｌ字型の熱電対固
定金具14を縦型炉のヒータベース11に取り付ける構造と
したものである。
均熱管６と反応管７との間にSiC製保護管13を使用した
熱電対２が挿入配置されているので、反応管７の着脱時
に熱電対２を着脱する必要がない。１度、熱電対２を設
置すれば均熱管６を取外す時以外、着脱する必要がな
く、着脱による熱電対２のジヤンクション位置が変化し
難い。さらに保護管13が断面Ｌ字型の熱電対固定金具14
によって縦型炉のヒータベース11に取り付けられるた
め、熱電対２のジャンクション位置を縦型炉に対し保持
することができる。そのため、反応管７の着脱時にも熱
電対２は移動することがなく、メンテナンスがさらに容
易になる。保護管13をSiC製としたので、1200℃以上の
高温領域で使用しても変形が大巾に少なくなる。
熱電対２が挿入配置されているので、反応管７の着脱時
に熱電対２を着脱する必要がない。１度、熱電対２を設
置すれば均熱管６を取外す時以外、着脱する必要がな
く、着脱による熱電対２のジヤンクション位置が変化し
難い。さらに保護管13が断面Ｌ字型の熱電対固定金具14
によって縦型炉のヒータベース11に取り付けられるた
め、熱電対２のジャンクション位置を縦型炉に対し保持
することができる。そのため、反応管７の着脱時にも熱
電対２は移動することがなく、メンテナンスがさらに容
易になる。保護管13をSiC製としたので、1200℃以上の
高温領域で使用しても変形が大巾に少なくなる。
以下図面により本考案の実施例を説明する。
第１図は本考案縦型炉の一実施例を示す簡略断面図、第
２図（ａ），（ｂ）は本考案における熱電対の例を示す
簡略断面図、第３図（ａ），（ｂ）はそれぞれ第２図
（ａ）示の本考案における熱電対の使用例を示す斜視図
及びその簡略断面図である。
２図（ａ），（ｂ）は本考案における熱電対の例を示す
簡略断面図、第３図（ａ），（ｂ）はそれぞれ第２図
（ａ）示の本考案における熱電対の使用例を示す斜視図
及びその簡略断面図である。
第１図において５はヒータ、11はヒータベース、６は均
熱管、７は石英製の反応管、８は多数のウェーハー９を
積載したボート、10は反応管７のキヤップで、ボート８
を支持する役目も果たす。
熱管、７は石英製の反応管、８は多数のウェーハー９を
積載したボート、10は反応管７のキヤップで、ボート８
を支持する役目も果たす。
熱電対２の保護管13をSiC製とし、このSiC製保護管13を
使用した熱電対２を均熱管６と反応管７との間に挿入配
置し、第１図の下部挿入式縦型炉の例ではSiC製保護管1
3の下部をヒータベース11に取付ける。
使用した熱電対２を均熱管６と反応管７との間に挿入配
置し、第１図の下部挿入式縦型炉の例ではSiC製保護管1
3の下部をヒータベース11に取付ける。
熱電対２の使用数は、ボート８に積載されたウェーハー
９の積載長の方向に設定する設定点数（測温したい位置
に設定される数）によって定められ、第１図例のように
設定点数が４箇所の場合は、第３図（ａ），（ｂ）に示
すように各設定点にジヤンクション位置がくるように熱
電対２を４本、１列に並べて均熱管６と反応管７との間
に挿入配置することになる。
９の積載長の方向に設定する設定点数（測温したい位置
に設定される数）によって定められ、第１図例のように
設定点数が４箇所の場合は、第３図（ａ），（ｂ）に示
すように各設定点にジヤンクション位置がくるように熱
電対２を４本、１列に並べて均熱管６と反応管７との間
に挿入配置することになる。
第２図（ａ）は上面閉塞型のSiC製保護管を使用した熱
電対の例で、第１図及び第３図（ａ），（ｂ）に示した
ものと同じである。第２図（ｂ）は上面開放型のSiC製
保護管を使用した熱電対の例である。
電対の例で、第１図及び第３図（ａ），（ｂ）に示した
ものと同じである。第２図（ｂ）は上面開放型のSiC製
保護管を使用した熱電対の例である。
第２図において１は熱電対素線、３は石英製またはアル
ミナ製の絶縁管、４は絶縁管３とSiC製保護管13とを固
定する断熱材製の固定部である。14は保護管13の下部に
取付けられたＬ字型の熱電対固定金具で、この固定金具
14によりヒータベース11に取付けられる（第１図参
照）。15は熱電対素線１の保護管13より引き出された部
分に被覆された耐熱性のフレキシブル断熱材製絶縁チュ
ーブである。
ミナ製の絶縁管、４は絶縁管３とSiC製保護管13とを固
定する断熱材製の固定部である。14は保護管13の下部に
取付けられたＬ字型の熱電対固定金具で、この固定金具
14によりヒータベース11に取付けられる（第１図参
照）。15は熱電対素線１の保護管13より引き出された部
分に被覆された耐熱性のフレキシブル断熱材製絶縁チュ
ーブである。
第１図，第２図（ａ）及び第３図（ａ），（ｂ）に示し
た上面閉塞型のSiC製保護管13を使用した熱電対２を用
いるときは、熱電対素線１及びアルミナ製絶縁管３から
の粉体がボート8,これに積載されたウェーハー９は言う
に及ばず、反応管７を汚染することがないので好まし
い。
た上面閉塞型のSiC製保護管13を使用した熱電対２を用
いるときは、熱電対素線１及びアルミナ製絶縁管３から
の粉体がボート8,これに積載されたウェーハー９は言う
に及ばず、反応管７を汚染することがないので好まし
い。
本考案における熱電対２の取付け及びヒータ内温度の測
定は次のようにして行う。
定は次のようにして行う。
即ち、まず、ヒータ５内に均熱管６を挿入し、ヒータベ
ース11に固定する。しかる後、均熱管６内に熱電対２を
挿入配置し、そのSiC製保護管13の下部をＬ字型の熱電
対固定金具14でヒータベース11に取付ける。そして反応
管７を熱電対２のSiC製保護管13に接触しないように挿
入し、多数のウェーハー９を積載したボート８を反応管
７内に挿入すれば、ヒータ内温度測定の準備が完了す
る。
ース11に固定する。しかる後、均熱管６内に熱電対２を
挿入配置し、そのSiC製保護管13の下部をＬ字型の熱電
対固定金具14でヒータベース11に取付ける。そして反応
管７を熱電対２のSiC製保護管13に接触しないように挿
入し、多数のウェーハー９を積載したボート８を反応管
７内に挿入すれば、ヒータ内温度測定の準備が完了す
る。
本実施例は上記のようにSiC製保護管13を使用した熱電
対２を測温したい設定点数に従って複数本，この例では
４本を１列に並べてＬ字型の熱電対固定金具14に固定
し、この４本の熱電対２を均熱管６と反応管７との間に
挿入配置し、当該固定金具14によってヒータベース11に
取付けた構成であるから、測温設定点のヒータ内温度を
各熱電対２で検知することができ、これによってウェー
ハー９の温度を知ることができる。反応管７の着脱時に
熱電対２を着脱する必要がなくなる。１度、熱電対２を
設置すれば、均熱管６を取外す時以外、着脱する必要が
ない。また、保護管13をSiC製としたので、1200℃以上
の高温領域で使用しても変形が大巾に少なくなる。
対２を測温したい設定点数に従って複数本，この例では
４本を１列に並べてＬ字型の熱電対固定金具14に固定
し、この４本の熱電対２を均熱管６と反応管７との間に
挿入配置し、当該固定金具14によってヒータベース11に
取付けた構成であるから、測温設定点のヒータ内温度を
各熱電対２で検知することができ、これによってウェー
ハー９の温度を知ることができる。反応管７の着脱時に
熱電対２を着脱する必要がなくなる。１度、熱電対２を
設置すれば、均熱管６を取外す時以外、着脱する必要が
ない。また、保護管13をSiC製としたので、1200℃以上
の高温領域で使用しても変形が大巾に少なくなる。
上述のように本考案によれば、反応管７の着脱時に熱
電対２を着脱する必要がないので、メンテナンスが容易
になる。１度、熱電対を設置すればその位置は縦型炉
に対して保持され、また、均熱管６を取外す時以外、着
脱する必要がないので、熱電対２の着脱回数が極めて少
なくなり、着脱による熱電対２のジヤンクション位置が
変化し難くなり、再現性が良くなる。熱電対２を着脱
する回数が極めて少なくなるので、熱電対２の配線を動
かす機会がそれだけ少なくなり、その部分の耐久性が向
上する。熱電対２の保護管13をSiC製としたので、120
0℃以上の高温領域で使用しても変形を大巾に少なくで
きる。
電対２を着脱する必要がないので、メンテナンスが容易
になる。１度、熱電対を設置すればその位置は縦型炉
に対して保持され、また、均熱管６を取外す時以外、着
脱する必要がないので、熱電対２の着脱回数が極めて少
なくなり、着脱による熱電対２のジヤンクション位置が
変化し難くなり、再現性が良くなる。熱電対２を着脱
する回数が極めて少なくなるので、熱電対２の配線を動
かす機会がそれだけ少なくなり、その部分の耐久性が向
上する。熱電対２の保護管13をSiC製としたので、120
0℃以上の高温領域で使用しても変形を大巾に少なくで
きる。
第１図は本考案縦型炉の一実施例を示す簡略断面図、第
２図（ａ），（ｂ）は本考案における熱電対の例を示す
簡略断面図、第３図（ａ），（ｂ）はそれぞれ第２図
（ａ）示の本考案における熱電対の使用例を示す斜視図
及びその簡略断面図、第４図は従来熱電対の取付け構造
の一例を示す簡略断面図、第５図は第４図で使用する熱
電対の一例を示す断面図である。 ２……熱電対、６……均熱管、７……反応管、11……ヒ
ータベース、13……SiC製保護管、14……Ｌ字型の熱電
対固定金具。
２図（ａ），（ｂ）は本考案における熱電対の例を示す
簡略断面図、第３図（ａ），（ｂ）はそれぞれ第２図
（ａ）示の本考案における熱電対の使用例を示す斜視図
及びその簡略断面図、第４図は従来熱電対の取付け構造
の一例を示す簡略断面図、第５図は第４図で使用する熱
電対の一例を示す断面図である。 ２……熱電対、６……均熱管、７……反応管、11……ヒ
ータベース、13……SiC製保護管、14……Ｌ字型の熱電
対固定金具。
Claims (1)
- 【請求項１】熱処理を行う空間を形成する反応管（７）
と、反応管（７）の周囲を覆う均熱管（６）と、均熱管
（６）の周囲を覆うヒータ（５）と、ヒータ（５）を支
持するヒータベース（11）とを備える縦型炉において、 熱電対（２）の保護管（13）をSiC製とし、 該SiC製保護管（13）を使用した熱電対（２）を均熱管
（６）と反応管（７）との間に挿入配置し、 該SiC製保護管（13）の下部に取付けられる断面Ｌ字型
の熱電対固定金具（14）をヒータベース（11）に取り付
けることを特徴とする縦型炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987012942U JPH075631Y2 (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 縦型炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987012942U JPH075631Y2 (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 縦型炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63121431U JPS63121431U (ja) | 1988-08-05 |
| JPH075631Y2 true JPH075631Y2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=30801542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987012942U Expired - Lifetime JPH075631Y2 (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 縦型炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH075631Y2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4210041B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2009-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP4557499B2 (ja) * | 2003-04-07 | 2010-10-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
| JP2012172871A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置および熱処理装置の温度測定方法 |
| JP6080451B2 (ja) * | 2012-09-25 | 2017-02-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び熱電対支持体 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56110648U (ja) * | 1980-01-29 | 1981-08-27 | ||
| JPS5878424A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体拡散炉用マザ−ボ−ト |
| JPS61241916A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-28 | Deisuko Saiyaa Japan:Kk | 半導体熱処理装置 |
| JPS62272525A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-26 | Hitachi Ltd | 熱処理装置 |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP1987012942U patent/JPH075631Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63121431U (ja) | 1988-08-05 |
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