KR19980080382A - 기판 웨이퍼 처리 장치 및 이 장치의 작동 방법 - Google Patents

기판 웨이퍼 처리 장치 및 이 장치의 작동 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR19980080382A
KR19980080382A KR1019980009155A KR19980009155A KR19980080382A KR 19980080382 A KR19980080382 A KR 19980080382A KR 1019980009155 A KR1019980009155 A KR 1019980009155A KR 19980009155 A KR19980009155 A KR 19980009155A KR 19980080382 A KR19980080382 A KR 19980080382A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
susceptor
temperature
substrate wafer
sensor
wafer
Prior art date
Application number
KR1019980009155A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100402299B1 (ko
Inventor
알 프레트 케르쉬
토마스 샤프바우어
Original Assignee
로더리히 네테부쉬
지멘스 악티엔게젤샤프트
롤프 옴케
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 로더리히 네테부쉬, 지멘스 악티엔게젤샤프트, 롤프 옴케 filed Critical 로더리히 네테부쉬
Publication of KR19980080382A publication Critical patent/KR19980080382A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100402299B1 publication Critical patent/KR100402299B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • G01K7/04—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples the object to be measured not forming one of the thermoelectric materials

Abstract

기판 웨이퍼(14)를 처리하는 장치는 반응챔버(11), 기판 웨이퍼(14)를 유지하기 위한 웨이퍼 홀더(13) 및 서스셉터(12)를 갖는다. 두 개의 센서 엘리먼트(161,162)를 갖는 온도 센서(16)는 서스셉터(12)와 기판 웨이퍼(14) 사이의 장소와 서스셉터(12) 장소에서의 온도 차를 측정하기 위해 제공된다. 특히, 두 접점을 갖는 열전쌍이 온도 센서(16)로서의 역할을 한다.

Description

기판 웨이퍼 처리 장치 및 이 장치의 작동 방법
대다수 반도체 제조공정에서, 처리되어야 할 기판 웨이퍼의 온도는 1퍼센트 미만의 오차를 갖는 정확도로 측정 및/또는 조절되어야 한다. 이러한 기술적 문제는 반도체 제조 이외에 유리 또는 플라스틱 기판 웨이퍼에 박층을 도포 및/또는 열 처리 동안과 같은 기판 웨이퍼에 대한 기타 처리시 발생한다.
반도체 제조에서, 관련되는 온도는 흔히 1000℃를 훨씬 넘는다. 기판 웨이퍼가 자신의 주위부와 열 평형상태를 이루도록 온도가 서서히 변하는 반응기와, 온도가 초당 50℃씩 급격하게 변하는 소위 RTP 반응기 모두에서 발생한다.
처리되어야 할 기판 웨이퍼의 온도를 측정하는 다양한 방법이 제안되어 왔다(예로서, Solid State Technology, 1996년 12월, 34 내지 36 쪽을 참조). 광학식 방법으로, 기판 웨이퍼로부터 또는 기판 웨이퍼를 통하는 방사 강도가 측정된다. 이들 방법의 정확도는 방사 강도가 기판 웨이퍼의 광학 특성에 좌우되어 방사되거나 전송된다는 사실에 의해 제한된다. 이들 특성은 기판 웨이퍼 마다 상이하므로 고비용의 보정 방법이 필요로 된다. 더욱이, 광학 특성은 층 증착과 같은 처리 동작동안 변화될 수 있다.
반응기에 서스셉터를 설치하는 방법도 제안되었다. 서스셉터는 기판 웨이퍼에 이웃하여 배열되는 몸체이다. 서스셉터의 매스는 응용에 대한 열 필요조건에 좌우된다. 온도가 급격히 변화될 것이 요구되는 RTP 반응기에서, 서스셉터는 작은 매스를 가지므로 일반적으로 작은 두께를 갖는다. 균일한 온도를 가질것이 필요로 되는 층 증착 반응기 또는 에피택시 반응기에서, 서스셉터는 일반적으로 커다란 크기를 가지므로 커다란 두께를 갖는다. 핫 플레이트, 핫 라이너 및 열 차폐와 같은 용어는 본 명세서에서 모두 용어 서스셉터를 대신하는 용어이다. 기판 웨이퍼의 온도를 측정하기 위해, 서스셉터의 온도가 측정되고, 서스셉터의 온도는 실질적으로 기판 웨이퍼의 온도와 동일한 것으로 가정된다. 그러나, 광학 방법 또는 열전쌍을 이용한 서스셉터의 온도 측정치가 매우 정확할 지라도, 기판 웨이퍼의 온도가 서스셉터의 온도와 동일하다는 가정은 적어도 일반적으로 신뢰성을 갖지 못한다.
마지막으로, 음향방법도 제안되었지만, 이들 방법은 정확성 및 재현성으로 인해 현재까지는 만족스럽지 못한 것으로 알려졌다.
본 발명의 목적은 향상된 정확도로 기판 웨이퍼의 온도를 측정하기 위해 사용될 수 있는 수단이 구비된 기판 웨이퍼 처리 장치를 제공하는 것이다. 또다른 목적은 이러한 유형의 장치를 작동시키는 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 서로 독립적으로 제어될 수 있는 두 개의 가열 디바이스와 제어 유닛을 갖춘, 기판 웨이퍼 처리장치를 나타낸 도.
도 2는 냉각 디바이스를 갖는 기판 웨이퍼 처리 장치를 나타낸 도.
* 도면의 주요부분에 대한 간단한 설명 *
11, 21 ; 반응챔버 12, 22 ; 서스셉터
221 ; 오목부 13, 23 ; 웨이퍼 홀더
14, 24 ; 기판 웨이퍼 15, 25 ; 세라믹 실린더
16, 26 ; 열전쌍 161, 261 ; 제 1 접점
162, 262 ; 제 2 접점 163, 263 ; 와이어
171 ; 제 1 가열 디바이스 172 ; 제 2 가열 디바이스
27 ; 냉각 디바이스 18, 28 ; 측정 계기
19, 29 ; 제어 유닛
상기 목적은 청구항 1 에 따른 본 발명의 장치에 따라 달성된다. 본 발명의 추가 상세사항 및 이 장치의 작동방법은 이후의 청구항에 나타나 있다.
기판 웨이퍼 처리장치는 유리 또는 플라스틱 기판상에 박층을 증착하는 경우 및 반도체 제조에 사용될 수 있다. 반도체 제조시, 기판 웨이퍼 처리장치는 특히 RTP 반응기, 에피택시 반응기, CVD 반응기, 드라이 에칭 반응기 또는 플라즈마-강화 CVD 반응기 형태로 제조될 수 있다.
기판 웨이퍼 처리장치는 기판 웨이퍼를 쥐는 기판 홀더 및 서스셉터가 구비된 반응 챔버를 포함한다. 서스셉터와 웨이퍼 홀더 사이에 있는 위치의 온도와 서스셉터 위치에서의 온도 간의 온도 차를 측정하는 데 적합한 온도 센서가 더 구비된다. 이러한 목적으로, 온도 센서는 적어도 두 개의 온도 센서를 가지며, 이중 하나는 서스셉터상에 배열되고, 다른 하나는 서스셉터와 웨이퍼 홀더 사이의 위치에 배열된다.
기판 웨이퍼의 온도를 측정하기 위해, 본 발명은 이 장치로 측정되어야 할 기판 웨이퍼와 서스셉터 사이의 위치와 서스셉터간의 온도 차를 위해 제공한다. 이와는 별도로, 고정밀도로 측정될 수 있는 서스셉터 온도에 대한 측정이 행해진다. 서스셉터의 온도와 온도차를 기초로 하여, 기판의 온도를 측정하기 위해 교정 곡선이 사용된다.
이것은 단지 온도 센서가 측정한 온도차이고, 이 차이는 서스셉터의 온도 보다 훨씬 작으므로, 기판 웨이퍼의 온도에 관하여 향상된 정확도가 달성된다. 서스셉터의 온도가 1000℃ 이면, 온도 차가 섭씨 수 도이고, 온도센서를 위한 측정 에러가 10 퍼센트 범위내이면, 기판 웨이퍼의 온도에 대해 1 퍼센트 미만의 오차를 갖는 정확도가 달성된다.
적절한 서스셉터의 예는 기판 웨이퍼의 표면 영역과 비교될 수 있는 (1 cm)2내지 (1 m)2사이의 표면영역을 가지며 두께가 0.1 mm 내지 수 cm인, 그래파이트, 반도체, 유리, 세라믹 또는 금속으로 제조된 몸체이다.
바람직하게, 두 접점(junction)을 갖는 열전쌍은 온도 센서로서 사용되고, 접점은 온도센서의 엘리먼트를 나타낸다. 두 접점중의 하나는 서스셉터의 표면에 배열되고, 다른 접점은 서스셉터와 기판 웨이퍼의 사이에 배열된다. 열전쌍은 측정 온도차에 비례하여 전압을 전달한다.
바람직하게, 유리 또는 세라믹과 같은 열 절연재로 된 프레임은 열전쌍을 유지하기 위해 서스셉터의 표면에 배열된다. 예를들어, 하나의 접점은 리테이닝 디바이스의 베이스에 배열되고, 다른 접점은 반대측에 고정된다. 이 프로시저는 기하학적 배열을 결정한다. 동시에, 프레임은 서스셉터와 기판 웨이퍼 사이에 배열된 접점과 서스셉터간에 열 접촉을 방지한다. 이러한 유형의 프레임은 중공 세라믹 실린더 형태로 제조될 수 있다.
본 발명은 웨이퍼 홀더에 결합되어질 서스셉터를 제공한다. 이 경우에, 서스셉터와 기판 웨이퍼 사이의 간격은 매우 작다. 본 실시예에서, 서스셉터는 웨이퍼 홀더와 대면하는 일측상에 있는 오목부를 가지며 여기에 온도센서 엘리먼트가 배열된다. 이 경우에 서스셉터 호모지니어스에 온도를 배분시키기 위해 오목부의 크기를 가능한한 작은 크기로 유지하는 것이 유익하다.
본 발명의 장치는 서로가 독립적으로 구동될 수 있는 제 1 가열 디바이스 및 제 2 가열 디바이스를 갖는다. 적절한 가열 디바이스의 예는 램프 히터 및 저항성 히터를 포함한다. 제 1 가열 디바이스는 기판 웨이퍼를 가열시키는 것을 목적으로 하고, 제 2 가열 디바이스는 서스셉터를 가열시키는 것을 목적으로 한다. 더욱이, 이 장치는 제어 유닛을 가지며, 이 유닛을 이용하여 제 1 가열 디바이스는 온도 센서에 의해 측정된 온도 차의 함수로서 제어될 수 있다. 바람직하게 제 1 가열 디바이스는 온도 차가 제로가 되도록 제어된다. 기판 웨이퍼의 온도는 따라서 서스셉터의 온도와 동일하게 될 것이다. 그러므로 그것은 서스셉터의 온도를 측정하므로써 정확히 측정될 수 있다.
본 발명의 추가 실시예에 따라, 웨이퍼 홀더에 열적으로 결합된 냉각장치가 구비된다. 적절한 냉각 디바이스는 서스셉터와 기판 웨이퍼 사이에 헬륨으로채워진 냉각 디바이스, 또는 기계적 힘 또는 정전기력을 이용하여 인가된 압력 또는 서스셉터 냉각제를 포함한다. 냉각 디바이스를 제어할 수 있는 제어 유닛이 제공된다. 이 장치는 기판 웨이퍼가 처리에 따른 결과로 가열되는 반응기에 특히 유익하다. 이것은 플라즈마-강화 처리의 경우이다. 이 장치에서, 기판 웨이퍼의 온도는 온도차를 측정하므로써 모니터링되고, 따라서 냉각 디바이스는 기판 웨이퍼의 온도에 따라 제어될 수 있다.
본 발명은 도면에 예시된 실시예를 참조하여 아래에서 더욱 상세히 설명된다.
서스셉터(12)는 그래파이트 또는 SiC 또는 Si로 이루어지고, 웨이퍼 홀더(13)는 반응 챔버(11)에 배열된다(도 1 참조). 서스셉터(12)는 디스크 형태이고 1mm의 두께를 가지며 수십 cm의 직경을 갖는다. 웨이퍼 홀더(13)는 수정 유리이고 서스셉터(12)에 기계적으로 연결된다.
웨이퍼 홀더(13) 위에는 기판 웨이퍼(14)가 있다. 기판 웨이퍼(14)는 예를들어 직경이 수십 cm이고 약 1mm의 두께를 갖는다. 기판 웨이퍼(14)는 예를들어 단결정 실리콘 웨이퍼, SOI 웨이퍼, 유리 웨이퍼 또는 플라스틱 웨이퍼이다. 기판 웨이퍼(14)와 서스셉터간의 간격은 예를들어 10mm이다.
열 절연재로 이루어 진 프레임(15)은 서스셉터(12)의 표면상에 배열된다. 프레임(15)은 예를들어 세라믹 실린더이고 높이가 약 8mm, 직경이 1mm 이고 벽 두께가 0.2mm이다.
제 1 접점(161), 제 2 접점(162) 및 와이어(163)를 포함하는 열전쌍(16)은 반응 챔버(11)에 배열된다. 제 1 접점(161)은 서스셉터(12)의 표면상에 있는 프레이(15)의 최하부에 배열된다. 제 2 접점(162)은 프레임(15)의 대향 측부 예를들어 실린더의 협폭부에 고정된다. 열전쌍의 단자를 형성하는 와이어(163)는 피드스루(feed-through)를 통해 반응챔버(11)로부터 인출된다(상세히 도시되지 않음). 와이어(163)의 직경은 예를들어 0.1 mm이다. 열전쌍(16)은 예를들어 플라티늄/로듐으로 이루어 진다.
제 1 가열 디바이스(171) 및 제 2 가열 디바이스(172)는 반응 챔버(11)에 설치된다. 제 1 가열 디바이스(171) 및 제 2 가열 디바이스(172)는 서로가 독립적으로 구동될 수 있다. 예를들어 램프 히터가 사용될 수 있다. 제 1 가열 디바이스(171)는 기판 웨이퍼(14)를 가열시키는 데 사용된다. 제 2 가열 디바이스(172)는 서스셉터(12)를 가열시키는 데 사용된다.
열전쌍(16)의 단자를 형성하는 와이어(163)는 측정계기(18)에 연결된다. 측정계기(18)에 걸치는 전압강하는 제1 접점(161)과 제 2 접점(162)간의 온도차에 좌우되는 신호이다. 이 전압신호는 제어유닛(19)의 입력단에 공급된다. 제어유닛(19)은 제 1 가열 디바이스(171)에 연결된다. 제어유닛(19)은 열전쌍(16)에 의해 측정된 온도차에 비례하는 전압신호가 제로로 되도록 제 1 가열 디바이스(171)를 제어한다. 이 경우에, 서스셉터(12)와 기판 웨이퍼(14)가 동일온도이면, 서스셉터(12)와 기판 웨이퍼(14)사이의 임의의 지점도 동일 온도라는 사실을 이용한다. 제 2 접점(162)은 결과적으로 서스셉터(12)와 기판 웨이퍼(14)사이의 임의의 지점에 배열될 수 있다.
기판 웨이퍼(14)의 절대온도를 측정하기 위해, 서스셉터(12)의 온도는 공지된 방식으로 측정된다. 설명된 제어방법은 기판 웨이퍼(14)의 온도가 서스셉터(12)의 온도와 동일하게 되는 것을 보장한다.
추가의 예시적 실시예에서, 기판 웨이퍼 처리 장치는 서스셉터(22)와 웨이퍼 홀더(23)가 배열된 반응 챔버(21)를 포함한다(도 2 참조). 웨이퍼 홀더(23)는 서스셉터(22)에 견고하게 연결된다. 이것은 서스셉터(22)의 에지에 대한 확장부를 형성하므로, 기판 웨이퍼(24)는 실질적으로 서스셉터(22)상에 놓인다. 서스셉터(22)는 예를들어 SiC-코팅된 그래파이트로 이루어진다. 이것은 직경이 수십 cm이고 두께가 수 cm인 실질적으로 실린더 형태를 갖는다.
오목부(221)는 서스셉터(22)의 베이스 표면에 배열된다. 오목부(221)는 기판 웨이퍼(24)가 놓이는 서스셉터(22)의 베이스 표면에 인접한다. 오목부(221)는 예를들어 반경이 약 1.8 mm이고, 깊이가 약 4.5mm이다.
프레임(25)은 오목부(221)의 각각에 배열된다. 이 프레임(25)은 세라믹 실린더이고 직경이 예를들어 1mm이고 벽 두께는 0.2 mm이고 높이는 4.3 mm이다.
각각의 세라믹 실린더는 하나의 열전쌍(26)을 위한 프레임을 나타낸다. 열전쌍(26)의 각각은 제 1 접점(261), 제 2 접점(262) 및 와이어(263)를 포함한다. 와이어(263)의 직경은 예를들어 0.1mm 이다. 열전쌍(26)은 플라티늄/로듐으로 이루어진다. 이 경우에 제 1 접점(261)은 서스셉터(22)의 표면상에서, 오목부(221)의 최하부에 배열된다. 제 2 접점(262)은 프레임(25)의 대향측상에 고정된다. 두 와이어(263)는 열전쌍의 단자 역할을 하며 피드스루를 통해 측정계기에 연결된다. 제 1 접점(261)과 제 2 접점(262)의 위치의 온도차에 비례하는 전압신호는 측정계기(28)에서 생성된다.
또한 냉각 디바이스(27)가 반응챔버(21)에 배열된다. 냉각 디바이스(27)는 서스셉터(22)에 열적으로 결합된다. 따라서 이것은 서스셉터(22)의 표면상에서 웨이퍼 홀더(23)의 내부에 놓이는 기판 웨이퍼(24)에 열적으로 결합된다. 냉각 디바이스(27)는 예를들어 자체적으로 냉각되는 플레이트로 이루어진다. 대안으로, 냉각 디바이스는 서스셉터와 기판 웨이퍼(24)사이의 헬륨 세정에 의해 또는 역학적 힘 또는 정전기력을 이용하여 기판 웨이퍼에 압력을 인가하므로써 산출된다.
측정계기(28)에 의해 측정된 온도차의 함수로서 냉각 디바이스(27)를 제어하는 제어 디바이스(29)가 제공된다. 대다수 프로세스에서, 온도차는 어떠한 경우에도 소정 값을 초과하지 않도록 제어하는 것이 바람직하다. 특히 플라즈마-강화 프로세스의 경우에, 이온 충격에 의한 기판 웨이퍼(24)에 대한 수용할 수 없는 가열은 이러한 방식으로 방지된다.
본 발명은 상기한 두 실시예에 한정되지 않는다. 특히, 도 2 에 설계된 서스셉터와 마찬가지의 서스셉터가 도 1을 참조하여 설명된 실시예에서도 사용될 수 있다. 더우기, 서로가 독립적으로 제어될 수 없는 가열 디바이스도 사용가능하다. 제어방법은 이 경우에 불필요하다. 따라서 측정계기(18)는 온도차를 측정하고, 이로부터 서스셉터의 온도와 함께 서스셉터의 온도도 보정곡선을 이용하여 결정될 수 있다. 더우기, 냉각 디바이스는 도 1을 참조하여 설명된 예시적인 실시예에서 가열 디바이스 대신 구비될 수 있다.
또한 도 2를 참조하여 설명된 예시적인 실시예에서 유사한 변형, 특히 기판 웨이퍼(24)의 표면에서의 온도 비균등성이 중요하지 않다면, 단 하나의 오목부 설치, 또는 도 1을 참조하여 설명된 서스셉터와 마찬가지의 서스셉터의 사용, 또는 도 1을 참조하여 설명된 바와 같은 제어 방법 또는 독립적으로 제어가능한 가열 디바이스의 사용과 같은 변형을 갖는 것도 가능하다. 이 제어방법에 대한 추가 설명은 생략한다.
상기와 같은 구성에 의해 기판 웨이퍼의 온도를 정확히 측정하여 기판 웨이퍼를 고정밀도로 처리할 수 있다.

Claims (10)

  1. 기판 웨이퍼(14)를 유지하기 위한 웨이퍼 홀더(13)와 서스셉터(12)가 반응챔버(11)에 구비되고,
    서스셉터(12)와 기판 웨이퍼(14)사이의 위치와 서스셉터의 위치간의 온도차를 측정하는 온도 센서(16)가 구비되고, 이 온도센서는 두 개의 센서 엘리먼트(161,162)를 가지는 데, 이 센서엘리먼트 중에서 센서 엘리먼트(161)는 서스셉터(12)상에 배열되고 하나의 센서 엘리먼트(162)는 서스셉터(12)와 기판 웨이퍼(14) 사이에 배열되는 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 센서 엘리먼트를 나타내는 두 개의 접점(161,162)을 갖는 열전쌍은 온도 센서(16)로서 이용되는 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 열절연재로 된 프레임(15)은 열전쌍(16)을 유지하기 위해 서스셉터(12)의 표면에 배열되는 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,
    서스셉터(22)는 웨이퍼 홀더(23)에 연결되고,
    서스셉터(22)에는 웨이퍼 홀더와 대면하는 측상에 있고 센서 엘리먼트(261,262)가 배열된 오목부(221)가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼 처리 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,
    기판 웨이퍼를 가열시키기 위한 제 1 가열 디바이스(171)와 서스셉터(12)를 가열시키기 위한 제 2 가열 디바이스(172)가 구비되는 데, 상기 제 1 가열 디바이스(171)와 제 2 가열 디바이스(172)는 서로가 독립적으로 구동되며,
    제어 유닛(19)이 구비되는 데, 제 1 가열디바이스(171)는 제어유닛(19)을 이용하여 온도 센서(60)에 의해 측정된 온도 차의 함수로서 제어될 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼 처리 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,
    웨이퍼 홀더(23)에 열적으로 결합된 냉각 디바이스(27)가 구비되고,
    냉각 유닛(29)이 구비되는 데, 냉각 디바이스(27)는 냉각 유닛(29)을 이용하여 제어될 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    각각이 두 개의 센서 엘리먼트(261,262)를 갖춘 다수의 온도 센서(26)가 구비되는 데, 하나의 센서 엘리먼트(261)는 각각의 경우에 서스셉터(22)상의 상이한 위치에 배열되며 다른 하나의 센서 엘리먼트(262)는 서스셉터(22)와 기판 웨이퍼(24)사이에 배열되는 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼 처리 장치.
  8. 제 1 항에 따른 장치로 기판 웨이퍼의 온도를 측정하는 방법에 있어서,
    서스셉터(12)의 온도가 측정되고,
    기판 웨이퍼(14)의 온도는, 보정 곡선을 이용하여 온도 센서로 측정된 온도차와 서스셉터의 온도에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 5 항에 따른 장치를 작동하는 방법에 있어서,
    제 1 가열 디바이스(171)는 측정된 온도차가 실질적으로 제로가 되도록 제어 유닛(19)에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 6 항에 따른 장치를 작동하는 방법에 있어서,
    서스셉터(22)의 온도가 측정되고,
    기판 웨이퍼의 온도는 온도 센서(26)로 측정된 온도차와 서스셉터의 온도에 의해 결정되며,
    냉각 디바이스(27)는 기판 웨이퍼(24)의 온도의 함수로서 제어 유닛(29)에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 방법.
KR10-1998-0009155A 1997-03-20 1998-03-18 기판웨이퍼처리장치및이장치의작동방법 KR100402299B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19711702A DE19711702C1 (de) 1997-03-20 1997-03-20 Anordnung zur Bearbeitung einer Substratscheibe und Verfahren zu deren Betrieb
DE19711702.3 1997-03-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980080382A true KR19980080382A (ko) 1998-11-25
KR100402299B1 KR100402299B1 (ko) 2003-11-14

Family

ID=7824059

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1998-0009155A KR100402299B1 (ko) 1997-03-20 1998-03-18 기판웨이퍼처리장치및이장치의작동방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5998767A (ko)
EP (1) EP0874388B1 (ko)
JP (1) JP3878321B2 (ko)
KR (1) KR100402299B1 (ko)
DE (2) DE19711702C1 (ko)
TW (1) TW373251B (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1093664A4 (en) 1998-05-11 2003-07-09 Semitool Inc TEMPERATURE CONTROL SYSTEM FOR THERMAL ACTUATOR
US6169271B1 (en) * 1998-07-13 2001-01-02 Mattson Technology, Inc. Model based method for wafer temperature control in a thermal processing system for semiconductor manufacturing
DE19922919C2 (de) * 1999-05-19 2002-01-17 Infineon Technologies Ag Anlage zur Bearbeitung von Wafern
DE19936081A1 (de) 1999-07-30 2001-02-08 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zum Temperieren eines Mehrschichtkörpers, sowie ein unter Anwendung des Verfahrens hergestellter Mehrschichtkörper
US6403931B1 (en) * 1999-10-07 2002-06-11 Ventana Medical Systems, Inc. Slide heater calibrator and temperature converter apparatus and method
EP1277237B1 (de) 1999-10-20 2010-09-15 Saint-Gobain Glass France S.A. Vorrichtung und Verfahren zum Temperieren mindestens eines Prozessierguts
US20030016727A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-23 Tokyo Electron Limited Method of and apparatus for measuring and controlling substrate holder temperature using ultrasonic tomography
US6510888B1 (en) 2001-08-01 2003-01-28 Applied Materials, Inc. Substrate support and method of fabricating the same
WO2004053946A2 (en) * 2002-12-09 2004-06-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. System and method for suppression of wafer temperature drift in cold-wall cvd system
JP2005285963A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Sumco Corp Ｓｏｉ基板の製造方法
US7802917B2 (en) * 2005-08-05 2010-09-28 Lam Research Corporation Method and apparatus for chuck thermal calibration
US8034410B2 (en) * 2007-07-17 2011-10-11 Asm International N.V. Protective inserts to line holes in parts for semiconductor process equipment
US9758871B2 (en) * 2008-12-10 2017-09-12 Sumco Techxiv Corporation Method and apparatus for manufacturing epitaxial silicon wafer
JP5824886B2 (ja) * 2011-06-07 2015-12-02 株式会社ニコン 基板貼り合わせ方法および温度検出装置
US10998205B2 (en) * 2018-09-14 2021-05-04 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
CN110828365A (zh) * 2019-11-19 2020-02-21 全球能源互联网研究院有限公司 退火组件及退火方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4243441A (en) * 1979-05-09 1981-01-06 National Steel Corporation Method for metal strip temperature control
JPS57183041A (en) * 1981-05-06 1982-11-11 Nec Corp Annealing method for chemical semiconductor
US4711989A (en) * 1986-05-19 1987-12-08 Thermco Systems, Inc. Diffusion furnace multizone temperature control
US5198034A (en) * 1987-03-31 1993-03-30 Epsilon Technology, Inc. Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment
JPH0623935B2 (ja) * 1988-02-09 1994-03-30 大日本スクリーン製造株式会社 再現性を高めた熱処理制御方法
JPH01297795A (ja) * 1988-05-26 1989-11-30 Matsushita Electric Works Ltd 差動式熱感知器
US5059770A (en) * 1989-09-19 1991-10-22 Watkins-Johnson Company Multi-zone planar heater assembly and method of operation
US5106200A (en) * 1990-12-20 1992-04-21 Applied Materials, Inc. Apparatus for measuring temperature of wafer
US5356486A (en) * 1991-03-04 1994-10-18 Applied Materials, Inc. Combined wafer support and temperature monitoring device
JP2824003B2 (ja) * 1993-02-16 1998-11-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板の温度測定装置
US5624590A (en) * 1993-04-02 1997-04-29 Lucent Technologies, Inc. Semiconductor processing technique, including pyrometric measurement of radiantly heated bodies and an apparatus for practicing this technique
TW275132B (en) * 1994-08-31 1996-05-01 Tokyo Electron Co Ltd Treatment apparatus
US5716133A (en) * 1995-01-17 1998-02-10 Applied Komatsu Technology, Inc. Shielded heat sensor for measuring temperature
US5685906A (en) * 1995-03-23 1997-11-11 Seh America, Inc. Method and apparatus for configuring an epitaxial reactor for reduced set-up time and improved layer quality
US5551985A (en) * 1995-08-18 1996-09-03 Torrex Equipment Corporation Method and apparatus for cold wall chemical vapor deposition
US5831249A (en) * 1997-01-29 1998-11-03 Advanced Micro Devices, Inc. Secondary measurement of rapid thermal annealer temperature

Also Published As

Publication number Publication date
JP3878321B2 (ja) 2007-02-07
KR100402299B1 (ko) 2003-11-14
US5998767A (en) 1999-12-07
EP0874388A3 (de) 2001-06-20
TW373251B (en) 1999-11-01
EP0874388A2 (de) 1998-10-28
EP0874388B1 (de) 2006-10-04
JPH10270373A (ja) 1998-10-09
DE59813748D1 (de) 2006-11-16
DE19711702C1 (de) 1998-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100402299B1 (ko) 기판웨이퍼처리장치및이장치의작동방법
US6188044B1 (en) High-performance energy transfer system and method for thermal processing applications
US6191399B1 (en) System of controlling the temperature of a processing chamber
US5315092A (en) Apparatus for heat-treating wafer by light-irradiation and device for measuring temperature of substrate used in such apparatus
KR20190106720A (ko) 반도체 처리 장치 및 반도체 처리 장치를 모니터링하고 제어하기 위한 방법
JP2001522141A (ja) 低質量サポートを用いたウェハの加工方法
US4854727A (en) Emissivity calibration apparatus and method
JPH05118928A (ja) 接触式の温度測定方法
KR20070057669A (ko) 다중 구역 저항 가열기
JPH11507473A (ja) ウエハの温度制御方法及び装置
KR19990037028A (ko) 반도체웨이퍼의 틀린위치를 검출하는 방법 및 장치
KR20240049234A (ko) 반도체 공정 챔버를 열적으로 검교정하기 위한 시스템 및 방법
KR101086152B1 (ko) 열 프로세싱 챔버용 실린더
EP0212116B1 (en) Cvd temperature control
EP0280952B1 (en) Direct wafer temperature control
JPH06204143A (ja) Ｃｖｄ装置
US4989991A (en) Emissivity calibration apparatus and method
JPH11354526A (ja) 板体加熱装置
JPH0451538A (ja) 温度測定装置及びそれを用いた気相成長装置
JPH05259082A (ja) エピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法
JP2982026B2 (ja) 温度測定装置とこれを用いた被加熱体の温度測定装置
KR100190357B1 (ko) 웨이퍼가열 및 모니터링 시스템 및 작동방법
JPH03252127A (ja) 気相成長装置の温度制御方法
KR100901918B1 (ko) Ｃｖｄ 장비의 온도보정 장치 및 방법
KR20010090375A (ko) 웨이퍼 로딩장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060929

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee