JPH0751221Y2 - 真空チャック - Google Patents
真空チャックInfo
- Publication number
- JPH0751221Y2 JPH0751221Y2 JP8205090U JP8205090U JPH0751221Y2 JP H0751221 Y2 JPH0751221 Y2 JP H0751221Y2 JP 8205090 U JP8205090 U JP 8205090U JP 8205090 U JP8205090 U JP 8205090U JP H0751221 Y2 JPH0751221 Y2 JP H0751221Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramics
- conductive
- vacuum chuck
- conductive member
- porous
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、半導体ウェハやガラス基板を吸着して固定す
るための真空吸着装置に関する。
るための真空吸着装置に関する。
従来より、例えば半導体装置の製造工程において、半導
体ウェハを吸着固定し、研摩や切断を行うための真空チ
ャックが用いられていた。
体ウェハを吸着固定し、研摩や切断を行うための真空チ
ャックが用いられていた。
このような真空チャックとしては、吸着面に開口した複
数の貫通孔を有するものがあったが、貫通孔部分のみで
吸着するため、吸着が不均一となり、被吸着物の加工精
度が低下するなどの問題点があった。そこで、より均一
な吸着を行うために吸着面を多孔質体で形成した真空チ
ャックが用いられていた。
数の貫通孔を有するものがあったが、貫通孔部分のみで
吸着するため、吸着が不均一となり、被吸着物の加工精
度が低下するなどの問題点があった。そこで、より均一
な吸着を行うために吸着面を多孔質体で形成した真空チ
ャックが用いられていた。
例えば、第２図に示す真空チャック11は金属製の基体13
に焼結金属体からなる多孔質板12を固着して吸着面12a
を形成し、吸引孔13aより真空吸引することによって、
上記吸着面12aに半導体ウェハＷを吸着するようになっ
ていた。また、この半導体ウェハＷを切断する工程で
は、第２図に示すように、検知器15によって、基体13と
カッター16との導通を検知することにより、カッター16
の０点を検出した後、カッター16を水平方向に移動する
ようになっていた。
に焼結金属体からなる多孔質板12を固着して吸着面12a
を形成し、吸引孔13aより真空吸引することによって、
上記吸着面12aに半導体ウェハＷを吸着するようになっ
ていた。また、この半導体ウェハＷを切断する工程で
は、第２図に示すように、検知器15によって、基体13と
カッター16との導通を検知することにより、カッター16
の０点を検出した後、カッター16を水平方向に移動する
ようになっていた。
また、上記の如き金属製の真空チャックはバリ、カエ
リ、サビが発生しやすく耐摩耗性が小さいことから寿命
が短く、優れた平坦度を維持できない、などの欠点があ
った。そこで、基体13を緻密質セラミックスで多孔質板
12を多孔質セラミックスでそれぞれ形成することが行わ
れていた（特開昭59−124536号、62−53774号、63−169
243号公報など参照）。このように、真空チャック11を
セラミックスによって形成する場合、セラミックスは導
電性がないため、第３図に示すように、吸着面12aと同
一平面となるように、金属リングからなる導電部材14を
配置し、この導電部材の検出面14aとカッター16間の通
電を検知することによってカッター16の０点検出を行う
ようになっていた。
リ、サビが発生しやすく耐摩耗性が小さいことから寿命
が短く、優れた平坦度を維持できない、などの欠点があ
った。そこで、基体13を緻密質セラミックスで多孔質板
12を多孔質セラミックスでそれぞれ形成することが行わ
れていた（特開昭59−124536号、62−53774号、63−169
243号公報など参照）。このように、真空チャック11を
セラミックスによって形成する場合、セラミックスは導
電性がないため、第３図に示すように、吸着面12aと同
一平面となるように、金属リングからなる導電部材14を
配置し、この導電部材の検出面14aとカッター16間の通
電を検知することによってカッター16の０点検出を行う
ようになっていた。
ところが、第３図に示す真空チャック11は多孔質セラミ
ックスからなる吸着面12aと金属からなる検出面14aを同
一平面とすることが困難であった。
ックスからなる吸着面12aと金属からなる検出面14aを同
一平面とすることが困難であった。
即ち、吸着面12aと検出面14aを同時にダイヤモンド砥石
で研磨すると、むしろ金属の方が加工性が悪く、研磨
後、検出面14aが高くなり、数μｍ程度の段差ｄを生じ
ていた。このままで、使用すると、カッター16での切断
時に半導体ウェハＷを完全に切断できないため、段差ｄ
の分だけ補正しなければならないという不都合があっ
た。
で研磨すると、むしろ金属の方が加工性が悪く、研磨
後、検出面14aが高くなり、数μｍ程度の段差ｄを生じ
ていた。このままで、使用すると、カッター16での切断
時に半導体ウェハＷを完全に切断できないため、段差ｄ
の分だけ補正しなければならないという不都合があっ
た。
上記に鑑みて本考案は、多孔質セラミックスからなる吸
着面の周辺部に、表面に導電膜を形成した多孔質セラミ
ックス、または導電性セラミックスからなる導電部材を
配設して真空チャックを構成したものである。
着面の周辺部に、表面に導電膜を形成した多孔質セラミ
ックス、または導電性セラミックスからなる導電部材を
配設して真空チャックを構成したものである。
本考案によれば、カッターの０点検出用の導電部材とし
てセラミックス体を用いているため、吸着面と検出面の
加工性がほぼおなじであり、両者を同時に研磨して容易
に段差のない同一平面とできる。
てセラミックス体を用いているため、吸着面と検出面の
加工性がほぼおなじであり、両者を同時に研磨して容易
に段差のない同一平面とできる。
以下、本考案実施例を図によって説明する。第１図に示
す真空チャック１は緻密質セラミックスからなる基体３
の上面に気孔率30〜40％、平均細孔径５〜500μｍの多
孔質セラミックスからなる多孔質板２を固着して吸着面
2aを形成し、吸引孔3aより真空吸引することによって、
吸着面2aに半導体ウェハＷを吸着するようになってい
る。また、吸着面2aの周辺部には、導電部材４を配設し
ているが、この導電部材４は、表面に導電膜を形成した
多孔質セラミックスまたは導電性セラミックスからなっ
ており、検出面4aと吸着面2aが同一平面となるように研
磨してある。
す真空チャック１は緻密質セラミックスからなる基体３
の上面に気孔率30〜40％、平均細孔径５〜500μｍの多
孔質セラミックスからなる多孔質板２を固着して吸着面
2aを形成し、吸引孔3aより真空吸引することによって、
吸着面2aに半導体ウェハＷを吸着するようになってい
る。また、吸着面2aの周辺部には、導電部材４を配設し
ているが、この導電部材４は、表面に導電膜を形成した
多孔質セラミックスまたは導電性セラミックスからなっ
ており、検出面4aと吸着面2aが同一平面となるように研
磨してある。
この真空チャック１を用いて、半導体ウェハＷの切断を
行う際は、カッター６と導電部材４の検出面4aとの通電
を検知器５で検知することによって、カッター６を０点
検出を行い、このままの高さでカッター６を水平方向に
移動させればよい。
行う際は、カッター６と導電部材４の検出面4aとの通電
を検知器５で検知することによって、カッター６を０点
検出を行い、このままの高さでカッター６を水平方向に
移動させればよい。
また、導電部材４は、全周囲に存在するようにリング状
としてあるが、周囲の一部のみに取付けてもよい。さら
に、この導電部材４は、無機質接合剤によって基体３と
固着した後、検出面4aおよび吸着面2aを同時に研磨する
ことによって、両面を同一平面とすることができる。
としてあるが、周囲の一部のみに取付けてもよい。さら
に、この導電部材４は、無機質接合剤によって基体３と
固着した後、検出面4aおよび吸着面2aを同時に研磨する
ことによって、両面を同一平面とすることができる。
上記導電部材４として、表面に導電膜を形成した多孔質
セラミックスを用いた例について説明する。
セラミックスを用いた例について説明する。
まず、アルミナ、ジルコニア等のセラミック原料に焼成
時に焼失する物質を混入して焼成したりあるいはこれら
のセラミックス粒子をガラスで焼き固めるなどの手段に
よって導電部材４として必要な形状をもった多孔質セラ
ミックスを製造する。次に、この多孔質セラミックスの
全表面に無電解メッキを施して、Ni、Cuなどの金属メッ
キ層を形成し、導電膜とする。この金属メッキ層は、体
積固有抵抗が10-5〜10-6Ω・cmと極めて低く、従って、
この多孔質セラミックスの表面は優れた導電性を持つこ
ととなる。
時に焼失する物質を混入して焼成したりあるいはこれら
のセラミックス粒子をガラスで焼き固めるなどの手段に
よって導電部材４として必要な形状をもった多孔質セラ
ミックスを製造する。次に、この多孔質セラミックスの
全表面に無電解メッキを施して、Ni、Cuなどの金属メッ
キ層を形成し、導電膜とする。この金属メッキ層は、体
積固有抵抗が10-5〜10-6Ω・cmと極めて低く、従って、
この多孔質セラミックスの表面は優れた導電性を持つこ
ととなる。
また、上記金属メッキ層は、すべての開気孔中にも形成
されることから、この多孔質セラミックスを研磨して検
出面4aを形成すると、この検出面4aの開気孔部分には金
属メッキ層が露出し、したがって検出面4aは導電性を有
することとなる。
されることから、この多孔質セラミックスを研磨して検
出面4aを形成すると、この検出面4aの開気孔部分には金
属メッキ層が露出し、したがって検出面4aは導電性を有
することとなる。
なお、上記金属メッキ層となる金属の種類はNi、Cuなど
を用いるが、耐蝕性、密着強度などの点から、Niが最も
優れていた。また、金属メッキ層の厚みは、0.5μｍ以
上あれば検出面4aに導電性を持たせることができる。さ
らに、上記実施例では導電膜として、金属メッキを施し
たもののみを示したが、この他に、CVD法などによりTi
C、TiNなどの導電性薄膜を形成したものでもよい。
を用いるが、耐蝕性、密着強度などの点から、Niが最も
優れていた。また、金属メッキ層の厚みは、0.5μｍ以
上あれば検出面4aに導電性を持たせることができる。さ
らに、上記実施例では導電膜として、金属メッキを施し
たもののみを示したが、この他に、CVD法などによりTi
C、TiNなどの導電性薄膜を形成したものでもよい。
次に導電部材４として導電性セラミックスを用いた例に
ついて説明する。
ついて説明する。
前記したように、カッター６との間で電気的導通を検知
するためには、導電部材４として、体積固有抵抗が103
Ω・cm以下の材質を用いる必要がある。
するためには、導電部材４として、体積固有抵抗が103
Ω・cm以下の材質を用いる必要がある。
このようなセラミックスとしては、たとえばSiCを主成
分とし、焼結助剤としてＢ、Ｃを用いた炭化珪素質セラ
ミックス（体積固有抵抗103Ω・cm）や、SiCを主成分と
し、所定の焼結助剤と、Tiなどの導電性付与剤0.5〜10
重量％を添加してなる導電性炭化珪素質セラミックス
（体積固有抵抗100〜102Ω・cm）、あるいは、Si3N4を
主成分とし、所定の焼結助剤とTiなどの導電性付与剤15
〜60重量％を添加してなる導電性窒化珪素質セラミック
ス（体積固有抵抗100〜102Ω・cm）などを用いる。な
お、上記導電性付与剤としては、Tiなどの4a、5a、6a族
元素の単体、炭化物、窒化物、炭窒化物を用いればよ
く、これらの導電性付与剤を添加することによって、上
記に示したもの以外にもさまざまなセラミックスに導電
性を付与することができる。
分とし、焼結助剤としてＢ、Ｃを用いた炭化珪素質セラ
ミックス（体積固有抵抗103Ω・cm）や、SiCを主成分と
し、所定の焼結助剤と、Tiなどの導電性付与剤0.5〜10
重量％を添加してなる導電性炭化珪素質セラミックス
（体積固有抵抗100〜102Ω・cm）、あるいは、Si3N4を
主成分とし、所定の焼結助剤とTiなどの導電性付与剤15
〜60重量％を添加してなる導電性窒化珪素質セラミック
ス（体積固有抵抗100〜102Ω・cm）などを用いる。な
お、上記導電性付与剤としては、Tiなどの4a、5a、6a族
元素の単体、炭化物、窒化物、炭窒化物を用いればよ
く、これらの導電性付与剤を添加することによって、上
記に示したもの以外にもさまざまなセラミックスに導電
性を付与することができる。
これらの導電性セラミックス原料を導電部材４としての
所定の形状に成形、焼成した後、研磨して検出面4aを形
成すると、この検出面4aは導電性をもつことになる。ま
た、このように導電部材４として導電性セラミックスを
用いる場合は、緻密質体、多孔質体のいずれでも良い。
所定の形状に成形、焼成した後、研磨して検出面4aを形
成すると、この検出面4aは導電性をもつことになる。ま
た、このように導電部材４として導電性セラミックスを
用いる場合は、緻密質体、多孔質体のいずれでも良い。
さらに、以上の実施例において、多孔質板12、基体13を
形成するセラミックスとしてはアルミナ、ジルコニア、
炭化珪素、窒化珪素など、さまざまなものを用いること
ができる。そして、導電部材４としては、上記多孔質板
12と同じ種類のセラミックスを用いれば、加工性が等し
いことから、吸着面2aと検出面4aを同一平面とさせやす
く、優れた結果を示した。
形成するセラミックスとしてはアルミナ、ジルコニア、
炭化珪素、窒化珪素など、さまざまなものを用いること
ができる。そして、導電部材４としては、上記多孔質板
12と同じ種類のセラミックスを用いれば、加工性が等し
いことから、吸着面2aと検出面4aを同一平面とさせやす
く、優れた結果を示した。
叙上のように本考案によれば、多孔質セラミックスから
なる吸着面の周辺部に、該吸着面と同一平面となるよう
に、表面に導電膜を形成した多孔質セラミックスまたは
導電性セラミックスからなる導電部材を配設したことに
よって、吸着した半導体ウェハの切断工程時に、カッタ
ーの０点検出を上記導電部材によって行うことができ、
また吸着面と導電部材の検出面を同時に研磨することに
よって容易に両者を同一平面とできる。さらに、真空チ
ャックを構成するすべての部材がセラミックスからなる
ため、耐摩耗性に優れるなど、さまざまな特長をもった
真空チャックを提供できる。
なる吸着面の周辺部に、該吸着面と同一平面となるよう
に、表面に導電膜を形成した多孔質セラミックスまたは
導電性セラミックスからなる導電部材を配設したことに
よって、吸着した半導体ウェハの切断工程時に、カッタ
ーの０点検出を上記導電部材によって行うことができ、
また吸着面と導電部材の検出面を同時に研磨することに
よって容易に両者を同一平面とできる。さらに、真空チ
ャックを構成するすべての部材がセラミックスからなる
ため、耐摩耗性に優れるなど、さまざまな特長をもった
真空チャックを提供できる。
第１図は本考案実施例に係る真空チャックの縦断面図で
ある。 第２図、第３図はそれぞれ従来の真空チャックの縦断面
図である。 1:真空チャック、2:多孔質板 2a:吸着面、3:基体 4:導電部材、5:検知器 6:カッター
ある。 第２図、第３図はそれぞれ従来の真空チャックの縦断面
図である。 1:真空チャック、2:多孔質板 2a:吸着面、3:基体 4:導電部材、5:検知器 6:カッター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｐ
Claims (1)
- 【請求項１】多孔質セラミックスからなる吸着面の周辺
部に、該吸着面と同一平面となるように、表面に導電膜
を形成した多孔質セラミックスまたは導電性セラミック
スからなる導電部材を配設したことを特徴とする真空チ
ャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8205090U JPH0751221Y2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 真空チャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8205090U JPH0751221Y2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 真空チャック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442343U JPH0442343U (ja) | 1992-04-10 |
| JPH0751221Y2 true JPH0751221Y2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=31628523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8205090U Expired - Lifetime JPH0751221Y2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 真空チャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0751221Y2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002025947A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| KR100709776B1 (ko) * | 1999-05-21 | 2007-04-19 | 가부시키가이샤 브리지스톤 | 제품 홀더 |
| KR20140055984A (ko) * | 2012-10-31 | 2014-05-09 | 가부시기가이샤 디스코 | 가공 장치 |
| JP2015162555A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06143073A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-24 | Sony Corp | バキュームチャックプレート |
| JP2010184331A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保持テーブルおよび加工装置 |
| JP5378089B2 (ja) * | 2009-07-16 | 2013-12-25 | 株式会社ディスコ | 保護テープ剥離装置 |
| JP5340841B2 (ja) * | 2009-07-21 | 2013-11-13 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP8205090U patent/JPH0751221Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100709776B1 (ko) * | 1999-05-21 | 2007-04-19 | 가부시키가이샤 브리지스톤 | 제품 홀더 |
| JP2002025947A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| KR20140055984A (ko) * | 2012-10-31 | 2014-05-09 | 가부시기가이샤 디스코 | 가공 장치 |
| JP2014090105A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工装置 |
| JP2015162555A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0442343U (ja) | 1992-04-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |