JP2014090105A - 加工装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】軽量で着脱が容易な保持テーブルを有する保持手段を具備した加工装置を提供する。
【解決手段】保持手段4は、被加工物を吸引保持する吸引領域421と、吸引領域421を囲繞する外周領域422を有する保持テーブル42と、保持テーブル42を着脱可能に支持し、吸引領域421に吸引力を伝達する支持基台41とから構成されており、保持テーブル42は、ポーラスセラミックスにより構成され、吸引領域421を除く領域にメッキ層427が施されている。
【選択図】図3

Description

本発明は、ウエーハ等の被加工物を加工するための切削装置、レーザー加工装置や研削装置等の加工装置に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切削装置やレーザー加工装置等の加工装置によってダイシングすることにより個々の半導体デバイスを製造している。また、半導体デバイスの小型化および軽量化を図るために、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々のデバイスに分割するのに先立って、研削装置によって半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成している。
例えば、切削装置やレーザー加工装置等の加工装置は、ウエーハ等の被加工物を保持する保持テーブルを備えた保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に加工を施す加工手段と、保持手段と加工手段とを相対的に加工送り方向に加工送りする加工送り手段とを具備している。このような加工装置における被加工物を保持する保持手段を構成する保持テーブルは、被加工物を吸引保持する保持領域と、該保持領域を囲繞する外周領域を有する枠体とからなっている。
このように構成された保持テーブルを構成する枠体は、切削装置の切削手段を構成する切削ブレードとの電気的導通により原点位置を設定するために、ステンレス鋼等の金属材によって形成されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2005−142202号公報
しかるに、近年、半導体デバイス製造における生産性を向上させるために、ウエーハの直径が300mmから450mmと大口径化の傾向があり、これに対応してウエーハを保持する保持テーブルも大口径化する必要がある。直径が300mmのウエーハに対応する保持テーブルの重量は10kg程度であるが、直径が450mmのウエーハに対応する保持テーブルの重量は20kgを超える重さとなる。ウエーハを加工する際にはウエーハの種類に対応して最適な保持テーブルに交換するが、上述したように保持テーブルの重量が20kgを超えると、一人で保持テーブルを着脱することが困難になるという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、軽量で着脱が容易な保持テーブルを有する保持手段を具備した加工装置を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に加工を施す加工手段と、該保持手段と該加工手段とを相対的に加工送り方向に加工送りする加工送り手段とを、具備する加工装置において、
該保持手段は、被加工物を吸引保持する吸引領域と該吸引領域を囲繞する外周領域とを有する保持テーブルと、該保持テーブルを着脱可能に支持し該吸引領域に吸引力を伝達する支持基台とから構成されており、
該保持テーブルは、ポーラスセラミックスによって構成され、該吸引領域を除く領域にメッキ層が施されている、
ことを特徴とする加工装置が提供される。
上記外周領域の上面は吸引領域の上面から所定の段差をもって形成されており、該段差に相当する厚みを有し吸引領域の外周に嵌合する金属リングが外周領域に配設されている。
本発明による加工装置おける被加工物を保持する保持手段を構成する保持テーブルは、ポーラスセラミックスによって構成されているので、従来用いられているステンレス鋼の保持テーブルと比較して極めて軽量であるため、一人の作業者でも容易に着脱作業を実施することができる。
また、保持テーブルは、吸引領域を除く領域にメッキ層が形成されているので、切削装置に適用した場合には、切削手段を構成する切削ブレードとの電気的通電による原点位置を設定することができる。
本発明による本発明に従って構成された加工装置としての切削装置の斜視図。 図1に示す切削装置に装備される保持手段の保持テーブルを分解して示す斜視図。 図1に示す切削装置に装備される保持手段の断面図。 図2および図3に示す保持手段を構成する保持テーブルの吸引領域を除く領域にメッキ層を被覆する方法の説明図。 図2および図3に示す保持手段を構成する保持テーブルの吸引領域を除く領域にメッキ層を被覆する他の方法を示す説明図。 被加工物としての半導体ウエーハを環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着した状態を示す斜視図。
以下、本発明に従って構成された加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1には、本発明に従って構成された加工装置としての切削装置の斜視図が示されている。
図1に示された切削装置は、静止基台2と、該静止基台2に加工送り方向である矢印Xで示す方向に移動可能に配設され被加工物であるウエーハを保持する被加工物保持機構3と、静止基台2に割り出し送り方向である矢印Yで示す方向(加工送り方向である矢印Xで示す方向に直交する方向)に移動可能に配設されたスピンドル支持機構6と、該スピンドル支持機構6に切り込み送り方向である矢印Zで示す方向に移動可能に配設された切削手段(加工手段)としてのスピンドルユニット7が配設されている。
上記被加工物保持機構3は、被加工物としてのウエーハを保持する保持手段4と、該保持手段4を支持し矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめる保持テーブル支持機構5とからなっている。なお、保持手段4については、後で詳細に説明する。
図1を参照して説明を続けると、保持テーブル支持機構5は、静止基台2上に矢印Xで示す加工送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール51、51と、該案内レール51、51上に矢印Xで示す加工送り方向に移動可能に配設され上記保持手段4を支持する移動基台52と、該移動基台52を一対の案内レール51、51に沿って移動せしめる加工送り手段53を具備している。
上記移動基台52は矩形状に形成され、その下面には上記一対の案内レール51、51と嵌合する被案内溝521、521が形成されている。この被案内溝521、521を一対の案内レール51、51に嵌合することにより、移動基台52は一対の案内レール51、51に沿って移動可能に配設される。
上記加工送り手段53は、上記一対の案内レール51と51の間に平行に配設された雄ネジロッド531と、該雄ネジロッド531を回転駆動するためのサーボモータ532等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド531は、その一端が上記静止基台2に固定された軸受ブロック533に回転自在に支持されており、その他端が上記サーボモータ532の出力軸に連結されている。なお、雄ネジロッド531は、移動基台52の中央部に形成された雌ネジ522に螺合されている。従って、サーボモータ532によって雄ネジロッド531を正転および逆転駆動することにより、移動基台52は案内レール51、51に沿って矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられる。
次に、上記保持手段4について、図2乃至図3を参照して説明する。
図2および図3に示す保持手段4は、移動基台52の上面に配設された円筒状の支持筒体55に図3に示すように軸受56を介して回転可能に支持されている。このように支持筒体55に回転可能に支持される保持手段4は、図2および図3に示すように円柱状の支持基台41と、該支持基台41の上面に配設された保持テーブル42とからなっている。支持基台41はステンレス鋼等の金属材によって形成されており、その上面には円形の嵌合凹部411が設けられている。この支持基台41には、図3に示すように嵌合凹部411に開口する吸引通路413が設けられており、この吸引通路413は図示しない吸引手段に連通されている。従って、図示しない吸引手段が作動すると、吸引通路413を通して負圧が作用せしめられる。
図2乃至図3を参照して説明を続けると、保持手段4を構成する保持テーブル42は、全体として円盤状に形成され、被加工物を吸引保持する吸引領域421と、該吸引領域421を囲繞する外周領域422を有するとともに、下部中央に下方に突出して設けられ上記支持基台41に設けられた嵌合凹部411に嵌合する円筒状底部423を備えている。この保持テーブル42を構成する円筒状底部423には、上記支持基台41に設けられた嵌合凹部411に嵌合した状態で支持基台41に設けられた吸引通路413と連通する連通路424が形成されている。また、保持テーブル42には、円筒状底部423に形成された連通路424に一端が連通し半径方向に延びる放射状吸引路425と、吸引通路413と同心円状に形成され放射状吸引路425と交差して形成された複数の円形吸引路426を備えている。
上述したように構成された保持テーブル42は、図示の実施形態においては気孔の大きさが10〜30μmで気孔率が40%のポーラスセラミックスによって形成されている。このポーラスセラミックスによって形成される保持テーブル42の作り方としては、粒径が30〜60μmで体積比70%のアルミナセラミックスと、粒径が5μm以下で体積比15%のフリットと、体積比15%の有機接着剤を混練して成型し、1100℃で5時間焼成することにより製作することができる。このようにして形成された保持テーブル42は、従来用いられているステンレス鋼の比重7に比較して比重が3.9と小さいアルミナセラミックスによって気孔率が40%のポーラスセラミックスからなっているので、重量がステンレス鋼による保持テーブルの1/3程度となる。
上記のように形成された保持テーブル42には、上記吸引領域421を除く領域にメッキ層427が施されている。ここで、保持テーブル42の吸引領域421を除く領域にメッキ層427を被覆する方法について、図4を参照して説明する。
図4の(a)に示す保持テーブル42の吸引領域421に図4の(b)に示すようにマスキングテープ428を貼着する。このとき上記円筒状底部423に形成された連通路424にもマスキングする。このように吸引領域421および連通路424にマスキングされた保持テーブル42に無電解ニッケルメッキを施すことにより、図4の(c)に示すように吸引領域421を除く領域にニッケルによるメッキ層427が形成される。なお、メッキ層427は、特に外周領域422において1mm程度浸透して形成することが望ましい。
次に、保持テーブル42の他の実施形態について、図5を参照して説明する。
図5に示す実施形態における保持テーブル42は、図5の(a)に示すように外周領域422の上面は吸引領域421の上面より所定の段差422aをもって形成されている。そして、吸引領域421に図5の(b)に示すようにマスキングテープ428を貼着する。このとき上記円筒状底部423に形成された連通路424にもマスキングする。このように吸引領域421および連通路424にマスキングされた保持テーブル42に無電解ニッケルメッキを施すことにより、図5の(c)に示すように吸引領域421を除く領域にニッケルによるメッキ層427が形成される。そして、図5の(c)および図5の(d)に示すように上記段差422aに相当する厚みを有し吸引領域の外周に嵌合するステンレス鋼等からなる金属リング429を外周領域422に配設する。
以上のように構成された保持テーブル42が支持基台41に装着された保持手段4は、図示しない回転駆動手段によって適宜回動せしめられるように構成されている。また、保持手段4を構成する支持基台41の外周部上面には、2個のクランプ43の基部が適宜の固定手段によって取付けられている。なお、保持手段4を構成する支持基台41を回転可能に支持する支持筒体55の上端には、カバーテーブル57が配設されている。
図1に戻って説明を続けると、上記スピンドル支持機構6は、静止基台2上に矢印Yで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール61、61と、該案内レール61、61上に矢印Yで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台62を具備している。この可動支持基台62は、案内レール61、61上に移動可能に配設された移動支持部621と、該移動支持部621に取り付けられた装着部622とからなっている。移動支持部621の下面には案内レール61、61と嵌合する一対の被案内溝621a、621aが形成されており、この被案内溝621a、621aを案内レール61、61に嵌合することにより、可動支持基台62は案内レール61、61に沿って移動可能に構成される。また、装着部622は、一側面に矢印Zで示す方向に延びる一対の案内レール622a、622aが平行に設けられている。
図示の実施形態におけるスピンドル支持機構6は、可動支持基台62を一対の案内レール61、61に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動させるための割り出し送り手段63を具備している。割り出し送り手段63は、上記一対の案内レール61、61の間に平行に配設された雄ネジロッド631と、該雄ネジロッド631を回転駆動するためのパルスモータ632等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド631は、その一端が上記静止基台2に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ632の出力軸に連結されている。なお、雄ネジロッド631は、可動支持基台62を構成する移動支持部621の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ632によって雄ネジロッド631を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台62は案内レール61、61に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
図示の実施形態のおけるスピンドルユニット7は、ユニットホルダ71と、該ユニットホルダ71に取り付けられたスピンドルハウジング72と、該スピンドルハウジング72に回転可能に支持された回転スピンドル73を具備している。ユニットホルダ71は、上記装着部622に設けられた一対の案内レール622a、622aに摺動可能に嵌合する一対の被案内溝71a、71aが設けられており、この被案内溝71a、71aを上記案内レール622a、622aに嵌合することにより、矢印Zで示す切り込み送り方向に移動可能に支持される。上記回転スピンドル73はスピンドルハウジング72の先端から突出して配設されており、この回転スピンドル73の先端部に切削ブレード74が装着されている。切削ブレード74は、アルミニウムによって形成された円盤状の基台の外周部側面にダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めて厚さが15〜30μmに形成された円環状の切れ刃を備えている。この切削ブレード74を装着した回転スピンドル73は、サーボモータ75等の駆動源によって回転駆動せしめられる。なお、切削ブレード74の両側には、切削ブレード74による切削部に切削水を供給する切削水供給ノズル76が配設されている。上記スピンドルハウジング72の先端部には、上記チャックテーブル4上に保持された被加工物を撮像し、上記切削ブレード74によって切削すべき領域を検出するための撮像手段77を具備している。この撮像手段77は、顕微鏡やCCDカメラ等の光学手段からなっており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
図示の実施形態におけるスピンドルユニット7は、ホルダ71を一対の案内レール622a、622aに沿って矢印Zで示す方向に移動させるための切込み送り手段78を具備している。切込み送り手段78は、上記加工送り手段53および割り出し送り手段63と同様に案内レール622a、622a の間に配設された雄ネジロッド(図示せず)と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ782等の駆動源を含んでおり、パルスモータ782によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ71とスピンドルハウジング72および回転スピンドル73を案内レール622a、622a に沿って矢印Zで示す切り込み送り方向に移動せしめる。
図示の実施形態における切削装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
図6には、上述した切削装置によって切削加工される被加工物であるウエーハとしての半導体ウエーハが示されている。図6に示す半導体ウエーハ10は、シリコンウエーハからなっており、表面10aには格子状のストリート101が形成されており、この格子状のストリート101によって区画された複数の領域にデバイス102が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ10は、裏面10bが環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着される。
上述した半導体ウエーハ10をストリート101に沿って切削するに際しては、シリコンウエーハからなる半導体ウエーハ10の切削加工に適した保持テーブル42を選択し、図3に示すように円筒状底部423を支持基台41に設けられた嵌合凹部411に嵌合して装着する。このとき、保持テーブル42は上述したようにポーラスセラミックスによって形成されているので、従来用いられているステンレス鋼の保持テーブルと比較して重量が1/3程度であるため、一人の作業者でも容易に着脱作業を実施することができる。
このようにして、シリコンウエーハからなる半導体ウエーハ10の切削加工に適した保持テーブル42を支持基台41に装着したならば、切削ブレード74の原点位置を設定するセットアップ工程を実施する。このセットアップ工程は、保持手段4を構成する保持テーブル42を切削ブレード74による切削加工領域に移動し、保持テーブル42の外周領域422を切削ブレード74の直下に位置付ける。そして、切込み送り手段78を作動して切削ブレード74を下降し、切削ブレード74の切れ刃の外周が保持テーブル42の外周領域422に接触した時点を検出し、そのときの切削ブレード74の位置を原点として設定する。このとき、保持テーブル42には吸引領域421を除く領域にニッケルによるメッキ層427が形成されているので、外周領域422に被覆されたメッキ層427に切削ブレード74が接触することにより検出電流が通電するため、保持テーブル42の上面と切削ブレード74との接触を検出することができる。
なお、保持テーブル42として図5に示すように外周領域422を吸引領域421と所定の段差422aをもって形成し、上述したように吸引領域421を除く領域にニッケルによるメッキ層427が形成した後に、段差422aに相当する厚みを有し吸引領域の外周に嵌合する金属リング429を外周領域422に配設した構成のものにおいては、長期に渡って使用することができる。
次に、上記図6に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着された半導体ウエーハ10のダイシングテープT側を保持手段4を構成する保持テーブル42上に載置するとともに、環状のフレームFをクランプ43によって固定する。そして、図示しない吸引手段を作動すると、支持基台41に設けられた吸引通路413、保持テーブル42に設けられた連通路424と放射状吸引路425および円形吸引路426に負圧が作用する(図3参照)。この結果、保持テーブル42は上述したようにポーラスセラミックスによって形成されているとともに吸引領域421を除く領域にニッケルによるメッキ層427が形成されているので、吸引領域421に吸引力が作用して、ダイシングテープTを介して半導体ウエーハ10が吸引保持される(ウエーハ保持工程)。
上述したウエーハ保持工程を実施したならば、加工送り手段53を作動して保持手段4を撮像手段77の直下まで移動せしめる。保持手段4が撮像手段77の直下に位置付けられると、撮像手段77および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ10の切削加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段77および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ10の所定方向に形成されているストリート101と、ストリート101に沿って切削する切削ブレード74との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削加工すべき加工領域のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ10に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びるストリート101に対しても、同様に切削加工すべき加工領域のアライメントが遂行される(アライメント工程)。
その後、保持手段4を切削ブレード74の下方である切削加工領域に移動し、切削ブレード74を所定方向に回転せしめるとともに、矢印Zで示す方向に所定量切り込み送りし、切削ブレード74の最下端がダイシングテープTに達する位置に位置付ける。そして、半導体ウエーハ10を吸引保持した保持手段4を切削送り方向である矢印Xで示す方向に所定の切削送り速度で移動する。この結果、保持手段4を構成する保持テーブル42上に保持された半導体ウエーハ10は、切削ブレード74により所定のストリート101に沿って切断される(切削工程)。この切削工程を実施する際には、切削水供給ノズル76から切削水が切削ブレード74の側面に向けて噴射される。
以上のようにして、半導体ウエーハ10を所定のストリート101に沿って切断したら、保持手段4を図1において矢印Yで示す方向にストリート101の間隔だけ割り出し送りし、上記切削工程を実施する。そして、半導体ウエーハ10の所定方向に延在するストリートの全てに沿って切削工程を実施したならば、保持手段4を90度回転させて、半導体ウエーハ10の所定方向と直交する方向に延在するストリート101に沿って切削工程を実行することにより、半導体ウエーハ10に格子状に形成された全てのストリート101が切削されて個々のデバイス102に分割される。なお、分割された個々のデバイス102は、ダイシングテープTの作用によってバラバラにはならず、環状のフレームFに支持されたウエーハの状態が維持されている。このようにして分割された個々の半導体チップは、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着された状態で次工程に搬送される。
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、上述した実施形態においては半導体ウエーハ10をストリート101に沿って切削する切削装置に本発明を適用した例を示したが、本発明はレーザー加工装置や研削装置等の加工装置に広く適用することができる。
2:静止基台
3:被加工物保持機構
4:保持手段
41:支持基台
42:保持テーブル
5:保持テーブル支持機構
53:加工送り手段
6:スピンドル支持機構
63:割り出し送り手段
7:スピンドルユニット
72:スピンドルハウジング
73:回転スピンドル
74:切削ブレード
77:撮像手段
78:切込み送り手段
10:半導体ウエーハ
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ

Claims (1)

  1. チューブを接続するための接続穴と備えたコネクター本体と、該コネクター本体の接続穴の内周面に装着され接続穴に挿入されたチューブの外周面をシールするシールリングおよびチューブの外周面を係止する係止手段と、を具備するチューブコネクターであって、
    該コネクター本体の接続穴内に配設されチューブの接続穴への挿入によりチューブの先端部内側に嵌入するコアパイプが該コネクター本体に固定されている、
    ことを特徴とするチューブコネクター。
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