JP7122174B2 - 静電チャック、および、静電チャックの製造方法 - Google Patents
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Description
A-1.静電チャック100の構成:
図1は、本実施形態における静電チャック100の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図2は、本実施形態における静電チャック100のXZ断面構成を概略的に示す説明図である。各図には、方向を特定するための互いに直交するXYZ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Z軸正方向を上方向といい、Z軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック100は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。
図3は、セラミックス部材10の吸着面S1の表面状態を模式的に示す説明図である。図3には、面方向(Y軸方向)視における吸着面S1の凹凸状態が例示されている。
セラミックス部材10の吸着面S1は、次の表面条件を満たす。
<表面条件>
(吸着面S1における特定表面部分の面積/吸着面S1の全体の面積)×100 ≧ 70%
吸着面S1における特定表面部分は、吸着面S1の内、面方向(例えばY軸方向)視で、吸着面S1の最頂部Pを通り、かつ、面方向に平行な仮想直線Lからの上下方向の距離ΔZが0.5μm以内の表面部分である。なお、仮想直線Lは、セラミックス部材10の中心軸に略垂直な線である。また、上記閾値である「0.5μm」は、本実施形態におけるセラミックス部材10を形成するセラミックス材料の平均粒径と同等以下の寸法である。以下、「(吸着面S1における特定表面部分の面積/吸着面S1の全体の面積)×100」を「吸着面S1における特定表面部分の面積率」という。吸着面S1における特定表面部分の面積は、特許請求の範囲における第1の面積に相当し、吸着面S1における特定表面部分の面積率は、特許請求の範囲における面積率に相当する。なお、上記表面条件を満たすか否かは、公知のレーザ顕微鏡を用いてセラミックス部材10の吸着面S1の表面の凹凸を測定することにより判定することができる。
図4は、本実施形態における静電チャック100の製造方法を示すフローチャートである。
まず、セラミックス焼成体を準備する(S110)。セラミックス焼成体は、後述の平研・マシニング加工(S120)やラップ研磨加工(S130)が施されることによって上述の静電チャック100におけるセラミックス部材10となるものである。セラミックス焼成体は、公知の作製方法によって作製可能である。例えば、複数のセラミックスグリーンシート(例えばアルミナグリーンシート)を準備し、各セラミックスグリーンシートに、吸着電極40および固定用電極50や接続端子22等を構成するためのメタライズインクの印刷や孔開け加工等を行い、その後、複数のセラミックスグリーンシートを積層して熱圧着し、所定の円板形状にカットした上で焼成することにより、セラミックス焼成体が作製される。
次に、セラミックス焼成体のうち、固定用電極50が形成された面とは反対側の上面(吸着面S1になる表面)に対して、平研加工を施し、次に、カップ砥石を用いたマシニング加工を施す(S120)。具体的には、セラミックス焼成体の上面の表面粗さ(Ra)が0.1μm以上、0.5μm以下になるように、セラミックス焼成体の上面に対して、例えば平研加工およびマシニング加工を施す。S120の工程は、特許請求の範囲における第1の研磨工程に相当する。なお、平研・マシニング加工後のセラミックス焼成体の上面については、上述した吸着面S1における特定表面部分の面積率が70%未満であり、上記表面条件を満たさない(図3B参照)。
次に、平研・マシニング加工後のセラミックス焼成体の上面に対してラップ研磨加工を施す(S130)。具体的には、セラミックス焼成体の上面における特定表面部分の面積率が70%以上になるように、セラミックス焼成体の上面に対して、例えば鏡面研磨加工を施す。これにより、図3Bに示された凹凸における凸部の頂部がそぎ落とされ、特定表面部分の面積率が高くなり、上記表面条件を満たす吸着面S1が形成される。これにより、上述した構成の静電チャック100の製造が完了する。なお、本実施形態では、吸着面S1に複数の突起を形成しないため、吸着面S1に対してブラスト処理を施さない。S130の工程は、特許請求の範囲における第2の研磨工程に相当する。
図5は、各サンプルにおけるウェハWに対する吸着面S1の吸着力の持続性に関する評価結果を示す説明図である。図5には、各サンプルについて、吸着電極40への電圧印加の停止時点からの経過時間(hour)と、その経過時間に伴う吸着面S1の吸着力(kgf)の変化の推移が示されている。
以上説明したように、本実施形態の静電チャック100は、吸着電極40への電圧印加の停止後も、ウェハWに対する吸着面S1の吸着力の持続性が要求される用途で使用される。本願発明者は、吸着面S1における特定表面部分の面積率が70%以上であると、ウェハWに対する吸着面S1の吸着力の持続性が大きく向上することを見出した。これにより、本静電チャック100によれば、ウェハWに対する吸着面S1の吸着力の持続性を向上させることができる。
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
ΔZ: 距離
Claims (2)
- 第1の方向に略垂直な略平面状の第1の表面を有するセラミックス部材と、
前記セラミックス部材に配置され、静電引力を発生させる吸着電極と、
を備え、
前記セラミックス部材の前記第1の表面上に対象物を保持する静電チャックにおいて、
前記セラミックス部材の前記第1の表面における最頂部と最低部との間の前記第1の方向の距離は、0.5μmより長く、
前記セラミックス部材の前記第1の表面の内、前記第1の方向に垂直な第2の方向視で、前記第1の表面の前記最頂部を通り、かつ、前記第2の方向に平行な仮想直線からの前記第1の方向の距離が0.5μm以内の表面部分の面積を第1の面積とするとき、前記第1の表面の面積に対する前記第1の面積の割合である面積率が70%以上である、
ことを特徴とする静電チャック。 - 第1の方向に略垂直な略平面状の第1の表面を有するセラミックス部材と、
前記セラミックス部材に配置され、静電引力を発生させる吸着電極と、
を備え、
前記セラミックス部材の前記第1の表面上に対象物を保持する静電チャックの製造方法において、
前記セラミックス部材を準備する工程と、
前記セラミックス部材の前記第1の表面の表面粗さ(Ra)が0.1μm以上、0.5μm以下になるように、前記第1の表面に対して研磨加工を施す第1の研磨工程と、
前記第1の研磨工程後に、前記セラミックス部材の前記第1の表面における最頂部と最低部との間の前記第1の方向の距離は、0.5μmより長く、前記セラミックス部材の前記第1の表面の内、前記第1の方向に垂直な第2の方向視で、前記第1の表面の前記最頂部を通り、かつ、前記第2の方向に平行な仮想直線からの前記第1の方向の距離が0.5μm以内の表面部分の面積を第1の面積とするとき、前記第1の表面の面積に対する前記第1の面積の割合である面積率が70%以上になるように、前記第1の表面に対してラップ研磨加工を施す第2の研磨工程と、
を含む、
ことを特徴とする静電チャックの製造方法。
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JP2018119524A JP7122174B2 (ja) | 2018-06-25 | 2018-06-25 | 静電チャック、および、静電チャックの製造方法 |
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WO2001013423A1 (fr) | 1999-08-10 | 2001-02-22 | Ibiden Co., Ltd. | Plaque ceramique pour dispositif de production de semi-conducteurs |
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- 2018-06-25 JP JP2018119524A patent/JP7122174B2/ja active Active
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