JP5024996B2 - ガラス製静電チャックの製造方法 - Google Patents
ガラス製静電チャックの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5024996B2 JP5024996B2 JP2007191984A JP2007191984A JP5024996B2 JP 5024996 B2 JP5024996 B2 JP 5024996B2 JP 2007191984 A JP2007191984 A JP 2007191984A JP 2007191984 A JP2007191984 A JP 2007191984A JP 5024996 B2 JP5024996 B2 JP 5024996B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- electrostatic chuck
- metal layer
- dielectric layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
本発明は、半導体・液晶等の製造工程において、半導体ウエハやガラス基板、マスク等の保持、固定、搬送等に用いられ、特に、高精度のパターン形成が求められる縮小露光工程におけるフォトマスクの保持、固定に好適に用いることができるガラス製静電チャックの製造方法に関する。
半導体製造において、基板上への回路パターン形成の際には、被処理面全体を均一に加工する観点から、ウエハやフォトマスクを固定する部材として、静電作用を利用して吸脱着を行う静電チャックが広く用いられている。
また、静電チャックは、真空チャックで試料を固定すると強力な吸引力によって試料が変形し、精密な測定が困難である等、真空チャックの適用に適さない分野において、計測器用の精密ステージとしても利用されている。
また、静電チャックは、真空チャックで試料を固定すると強力な吸引力によって試料が変形し、精密な測定が困難である等、真空チャックの適用に適さない分野において、計測器用の精密ステージとしても利用されている。
近年、集積回路の集積度の向上に伴い、回路パターンの微細化が進み、高精度のパターン形成が求められている。
このため、ウエハやフォトマスクを固定する静電チャックには、温度変化に対して寸法変動の小さいこと、すなわち、低熱膨張性であること、また、吸着面が平滑であることが求められる。
また、上記パターン化処理は、高真空中で行われるため、静電チャックの特性としては、真空中でも安定した吸着力があり、ガスやパーティクルを生じないことが望ましい。
このため、ウエハやフォトマスクを固定する静電チャックには、温度変化に対して寸法変動の小さいこと、すなわち、低熱膨張性であること、また、吸着面が平滑であることが求められる。
また、上記パターン化処理は、高真空中で行われるため、静電チャックの特性としては、真空中でも安定した吸着力があり、ガスやパーティクルを生じないことが望ましい。
従来、低熱膨張性材料を用いた静電チャックとしては、例えば、特許文献１に記載されているような、コーディエライト、ＬＡＳ（ＬｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2）系セラミックス等が用いられたものが一般的であった。
特開２００４−３３５７４２号公報
しかしながら、セラミックスは、多結晶体であり、微小な結晶粒子が結合して、形状を維持しているため、上記特許文献１に記載されているようなセラミックスにより作製された静電チャックは、吸着面の平滑化のための研磨加工の際、結晶粒界の部分に数ｎｍ以上の凹凸が生じたり、セラミックス中に残留した気孔等に起因する直径数十μｍ程度のくぼみが生じたりする。
このような微小な凹凸やくぼみは、静電チャックに対する被吸着物のたわみの原因となり、計測や露光によるパターン形成における精度の低下を招き、また、チャッキング時に被吸着物に傷を付けることとなる。
したがって、吸着面には、上記のような凹凸等のない平滑な面であることが求められる。
このような微小な凹凸やくぼみは、静電チャックに対する被吸着物のたわみの原因となり、計測や露光によるパターン形成における精度の低下を招き、また、チャッキング時に被吸着物に傷を付けることとなる。
したがって、吸着面には、上記のような凹凸等のない平滑な面であることが求められる。
また、セラミックス製の静電チャックは、使用時に、セラミックスを構成している微小な結晶粒子の一部が脱落して、被吸着物の表面に付着し、該被吸着物を汚染するパーティクル発生源となることがある。
また、静電チャックの製造において、セラミックス基材上に誘電層を形成する方法としては、無機系または有機系の接着剤を用いて、誘電層を貼り付ける方法がある。
しかしながら、上記方法において、接着剤の均一な塗布は難しく、また、接着強度が不十分である場合もあり、誘電層を薄く平滑に加工することは困難であった。また、接合層に残留する不純物により、電圧を印加したときに、接合層で絶縁破壊を生じる場合もあった。さらに、高真空中で使用する場合、接着剤の成分が気化してガスが発生し、処理室内を汚染するという課題も有していた。
しかしながら、上記方法において、接着剤の均一な塗布は難しく、また、接着強度が不十分である場合もあり、誘電層を薄く平滑に加工することは困難であった。また、接合層に残留する不純物により、電圧を印加したときに、接合層で絶縁破壊を生じる場合もあった。さらに、高真空中で使用する場合、接着剤の成分が気化してガスが発生し、処理室内を汚染するという課題も有していた。
本発明は、上記技術的課題を解決するためになされたものであり、吸着面の平滑性に優れ、被吸着物を汚染するパーティクルやガスの発生がなく、被吸着物の変形や損傷を防止することができ、かつ、吸着力に優れたガラス製静電チャックの製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明に係るガラス製静電チャックの製造方法は、表裏を有する板状ガラスの内部に金属層が埋設され、前記金属層が電極であり、前記ガラスにおいて、前記金属層からガラス表面までの距離が短い側が誘電層、前記金属層からガラス表面までの距離が長い側が基材層であり、前記誘電層の厚さが４０μｍ以上３００μｍ以下であるガラス製静電チャックの製造方法において、２枚の板状ガラスの鏡面研磨された表面の間に前記金属層となる金属材料を挟み、加熱および加圧により２枚の板状ガラスの前記鏡面研磨された表面を融着させて、ガラスの内部に金属層を埋設させることを特徴とする。
このように、本発明に係るガラス製静電チャックは、接着剤等を用いることなく、融着により接合することができるため、接合面に気泡や異物を含むことなく、基材と誘電層とがガラス相で一体化したガラス体の内部に電極材料を埋設させることができる。
このように、本発明に係るガラス製静電チャックは、接着剤等を用いることなく、融着により接合することができるため、接合面に気泡や異物を含むことなく、基材と誘電層とがガラス相で一体化したガラス体の内部に電極材料を埋設させることができる。
上述したとおり、本発明に係るガラス製静電チャックによれば、材質がガラスであるため、従来のセラミックス製のものに比べて、吸着面の平滑性に優れ、被吸着物を汚染するパーティクルの発生が抑制され、被吸着物の変形や損傷を防止することができる。
また、前記静電チャックの基材と誘電層とは、接着剤等を用いずに接合することができるため、高真空中においてもガスの発生がなく、また、誘電層の薄層化を図ることができ、吸着力の向上も図られる。
したがって、本発明に係るガラス製静電チャックは、特に、高精度でのパターン形成が求められる縮小露光工程において、フォトマスクを保持するために好適に用いることができる。また、高精度計測器用のステージにも、好適に適用することができる。
また、前記静電チャックの基材と誘電層とは、接着剤等を用いずに接合することができるため、高真空中においてもガスの発生がなく、また、誘電層の薄層化を図ることができ、吸着力の向上も図られる。
したがって、本発明に係るガラス製静電チャックは、特に、高精度でのパターン形成が求められる縮小露光工程において、フォトマスクを保持するために好適に用いることができる。また、高精度計測器用のステージにも、好適に適用することができる。
以下、本発明について、より詳細に説明する。
図１に、本発明に係るガラス製静電チャックの概略構成を示す。図１に示した静電チャックは、板状ガラスの内部に金属層３が埋設され、前記金属層３が電極、前記金属層３からガラス表面までの距離が短い側（図１においては上部）が誘電層２、前記金属層３からガラス表面までの距離が長い側（図１においては下部）が基材１として構成されているものである。前記基材１には、給電端子用穴４が形成されている。
ガラス製静電チャックは、吸着面がガラス、すなわち、非晶質であるため、微小な結晶粒子の構造体である多結晶体に見られるような結晶粒界がなく、研磨加工により、平滑性に優れた表面が得られ、また、使用時においても、結晶粒子の脱落に伴うパーティクルの発生はなく、被吸着物の汚染を抑制することができる。
図１に、本発明に係るガラス製静電チャックの概略構成を示す。図１に示した静電チャックは、板状ガラスの内部に金属層３が埋設され、前記金属層３が電極、前記金属層３からガラス表面までの距離が短い側（図１においては上部）が誘電層２、前記金属層３からガラス表面までの距離が長い側（図１においては下部）が基材１として構成されているものである。前記基材１には、給電端子用穴４が形成されている。
ガラス製静電チャックは、吸着面がガラス、すなわち、非晶質であるため、微小な結晶粒子の構造体である多結晶体に見られるような結晶粒界がなく、研磨加工により、平滑性に優れた表面が得られ、また、使用時においても、結晶粒子の脱落に伴うパーティクルの発生はなく、被吸着物の汚染を抑制することができる。
前記静電チャックにおいては、誘電層と基材層は、化学的に結合して一体化しているガラスの内部に金属が埋設された構造体であるため、誘電層を薄く形成することができ、厚さ４０μｍ以上３００μｍ以下とすることにより、電極に対する十分な絶縁性および実用的な吸着力を有する静電チャックとすることができる。
なお、基材の厚さは、吸着面の面積、必要な吸着力等に応じて、面精度を維持するのに必要な強度が得られるように適宜定められる。
なお、基材の厚さは、吸着面の面積、必要な吸着力等に応じて、面精度を維持するのに必要な強度が得られるように適宜定められる。
上記のような静電チャックは、２枚の板状ガラスの間に金属材料を挟み、加熱および加圧により２枚のガラス表面を融着させて、ガラスの内部に金属層を埋設させることにより作製することができる。
このように、本発明に係るガラス製静電チャックは、接着剤等を用いることなく、熱と圧力を利用した融着により、基材、金属層および誘電層を接合することができる。このため、基材や誘電層と異なる材質の接合層が介在せず、接合面に気泡や異物を含むことなく、基材と誘電層とが一体化したガラス体の内部に電極材料が埋設された構造の静電チャックを作製することができる。
このように、本発明に係るガラス製静電チャックは、接着剤等を用いることなく、熱と圧力を利用した融着により、基材、金属層および誘電層を接合することができる。このため、基材や誘電層と異なる材質の接合層が介在せず、接合面に気泡や異物を含むことなく、基材と誘電層とが一体化したガラス体の内部に電極材料が埋設された構造の静電チャックを作製することができる。
通常、基材と誘電層との間に接合層があると、該接合層の部分で強度が低下し、加工時に割れやマイクロクラック等が発生する原因となる。
これに対して、融着により基材と誘電層とを一体化させた本発明に係る静電チャックは、上記のように、誘電層の厚さを４０μｍ以上３００μｍ以下と薄くした場合であっても、クラック発生等の問題を生じることなく、形状を維持して加工することができる。
これに対して、融着により基材と誘電層とを一体化させた本発明に係る静電チャックは、上記のように、誘電層の厚さを４０μｍ以上３００μｍ以下と薄くした場合であっても、クラック発生等の問題を生じることなく、形状を維持して加工することができる。
また、静電チャックは、真空中で使用されることも多いが、高真空中のチャンバ内で使用した場合においても、本発明に係るガラス製静電チャックは、接着剤を使用せずに作製されるため、被吸着物の汚染源となるような接合剤由来のガスが発生することもない。
なお、基材１には、図１に示したような金属層２に通じる給電端子用穴４を、基材１と誘電層２とを接合させる前に予め、形成しておくことが好ましい。
これにより、接合後、前記給電端子用穴４内で、導電ペースト等を用いて、金属層２に給電端子および導線を固定することができる。
これにより、接合後、前記給電端子用穴４内で、導電ペースト等を用いて、金属層２に給電端子および導線を固定することができる。
金属層（電極）に給電する他の方法として、基材を給電端子導入部分で厚さ方向に切断し、後述する金属層の形成方法と同様に、金属電極材料を蒸着等により形成し、加熱および加圧により基材のガラスを融着させ、これを基材の面方向にスライスすることより、給電端子が予め埋め込まれた基材を作製する方法を用いることもできる。
この場合は、誘電層との接合前に導線を接続させておくことが好ましい。これにより、ガラス内に埋設された金属層と導線とを、より確実に接続することができる。
この場合は、誘電層との接合前に導線を接続させておくことが好ましい。これにより、ガラス内に埋設された金属層と導線とを、より確実に接続することができる。
電極に給電するための導線の接続方法は、上記方法に限定されるものではない。
静電チャックは、金属層（電極）に給電することにより、吸着力を発現するものであり、本発明においては、ガラスの内部に金属層が埋設されている点に特徴を有しており、給電方法は、適宜選択することができる。
静電チャックは、金属層（電極）に給電することにより、吸着力を発現するものであり、本発明においては、ガラスの内部に金属層が埋設されている点に特徴を有しており、給電方法は、適宜選択することができる。
静電チャックは、上述したように、吸着面が温度変化による伸縮変形を生じないことが求められるため、誘電層の材質は、０〜１００℃における熱膨張係数の絶対値が５．５×１０-7／Ｋ以下であるシリカガラスであることが好ましい。
なお、前記シリカガラスは、ＶＡＤ（Vaper-phase Axial Deposition）法や直接法により製造されたものが、気泡や不純物の混入が少なく、比較的均質であることから好ましい。このようなシリカガラスを用いれば、より高電圧を印加しても絶縁破壊し難い、安定したガラス製静電チャックを作製することができる。
なお、前記シリカガラスは、ＶＡＤ（Vaper-phase Axial Deposition）法や直接法により製造されたものが、気泡や不純物の混入が少なく、比較的均質であることから好ましい。このようなシリカガラスを用いれば、より高電圧を印加しても絶縁破壊し難い、安定したガラス製静電チャックを作製することができる。
また、温度変化等による伸縮がより小さいものが求められる場合には、１８〜３０℃での熱膨張係数の絶対値が５．０×１０-8／Ｋ以下であり、シリカを主成分とし、チタニアが３質量％以上１５％質量未満であるチタニア−シリカガラスを用いることが好ましい。
前記チタニア含有量が１５質量％以上である場合、チタニア成分が結晶化したり、熱膨張係数の絶対値が大きくなる。
一方、前記チタニア含有量が３質量％未満である場合は、熱膨張係数の絶対値を小さくする効果が十分に得られない。
前記チタニア含有量が１５質量％以上である場合、チタニア成分が結晶化したり、熱膨張係数の絶対値が大きくなる。
一方、前記チタニア含有量が３質量％未満である場合は、熱膨張係数の絶対値を小さくする効果が十分に得られない。
また、前記金属層を構成する金属材料には、汎用性やガラスとの反応性の観点から、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、ＰｔおよびＴｉのうちのいずれかを用いることが好ましい。
前記金属層は、これらのうちの１種を用いた単一層構造であっても、あるいはまた、２種以上による多層構造であってもよい。
前記金属層は、これらのうちの１種を用いた単一層構造であっても、あるいはまた、２種以上による多層構造であってもよい。
また、前記金属層は、厚さ０．３μｍ以上２５０μｍ以下であることが好ましい。
前記厚さが２５０μｍを超える場合、材料の変形や熱膨張係数の差により、内部に応力が発生し、取扱いの際、静電チャックが割れるおそれがある。
一方、前記厚さが０．３μｍ未満である場合、誘電層と基材との融着時に、金属層が変形してクラックが生じ、電圧を印加した際、通電不良となりやすい。
前記厚さが２５０μｍを超える場合、材料の変形や熱膨張係数の差により、内部に応力が発生し、取扱いの際、静電チャックが割れるおそれがある。
一方、前記厚さが０．３μｍ未満である場合、誘電層と基材との融着時に、金属層が変形してクラックが生じ、電圧を印加した際、通電不良となりやすい。
前記金属層の作製は、蒸着により誘電層または基材のガラス材に、金属膜を成膜した後、エッチングによりパターン形成したり、加工した金属箔や金属メッシュを誘電層と基材との間に挿入したりすることにより行うことができる。
また、用途に応じて電極パターン構成を変化させることにより、双極タイプにも、単極タイプにも適用可能である。
また、用途に応じて電極パターン構成を変化させることにより、双極タイプにも、単極タイプにも適用可能である。
本発明に係る静電チャックは、金属をシリカガラスに埋設した構造であることから、高温や酸性雰囲気中においても金属の酸化や溶解が防止されるため、電磁シールドとしても好適に使用することができる。
また、低熱膨張性材料により構成されていることから、温度変化による寸法変形の小さい高精度計測器におけるステージ等にも好適に適用することができる。
また、低熱膨張性材料により構成されていることから、温度変化による寸法変形の小さい高精度計測器におけるステージ等にも好適に適用することができる。
以下、本発明を実施例に基づきさらに具体的に説明するが、本発明は下記実施例により制限されるものではない。
［実施例１〜４、比較例１，２］
ＶＡＤ法により製造したシリカガラスから、５０ｍｍ×５０ｍｍ×厚さ６ｍｍと５０ｍｍ×５０ｍｍ×厚さ１ｍｍの板状ガラス２枚を切り出し、接合させる面を鏡面研磨した。
厚さ１ｍｍの板状ガラス（誘電層）の接合させる面に、電極パターンを形成した。蒸着により、面内の４０ｍｍ×４０ｍｍの範囲内に、Ｍｏを厚さ約０．５μｍで、Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝２ｍｍ／０．２ｍｍのくし型状に蒸着し、双極型電極とした。
一方、厚さ６ｍｍの板状ガラス（基材）には、給電端子用穴を加工した。
前記２枚の板状ガラスを、電極が挟み込まれるようにホットプレスにセットした。真空中で１２００℃、保持時間１ｈｒ、プレス圧力２０ＭＰａで処理し、シリカガラス内部に金属層（電極）を埋設させた。
この表面を平面研削機で研削した後、吸着面側を研磨機で鏡面研磨して、表１の実施例１〜４および比較例１，２に示すような各厚さの誘電層を備えた静電チャックを作製した。
［実施例１〜４、比較例１，２］
ＶＡＤ法により製造したシリカガラスから、５０ｍｍ×５０ｍｍ×厚さ６ｍｍと５０ｍｍ×５０ｍｍ×厚さ１ｍｍの板状ガラス２枚を切り出し、接合させる面を鏡面研磨した。
厚さ１ｍｍの板状ガラス（誘電層）の接合させる面に、電極パターンを形成した。蒸着により、面内の４０ｍｍ×４０ｍｍの範囲内に、Ｍｏを厚さ約０．５μｍで、Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝２ｍｍ／０．２ｍｍのくし型状に蒸着し、双極型電極とした。
一方、厚さ６ｍｍの板状ガラス（基材）には、給電端子用穴を加工した。
前記２枚の板状ガラスを、電極が挟み込まれるようにホットプレスにセットした。真空中で１２００℃、保持時間１ｈｒ、プレス圧力２０ＭＰａで処理し、シリカガラス内部に金属層（電極）を埋設させた。
この表面を平面研削機で研削した後、吸着面側を研磨機で鏡面研磨して、表１の実施例１〜４および比較例１，２に示すような各厚さの誘電層を備えた静電チャックを作製した。
得られた静電チャックの吸着面を、非接触粗測定器（Ｎｅｗ Ｖｉｅｗ ６３００：Ｚｙｇｏ社製）により測定したところ、表面粗さＲａは０．８６ｎｍ（測定範囲：６９０μｍ×５２０μｍ）であり、また、表面には、多結晶体にみられるような粒界による凹凸や材料内部に残留した微小な気孔に起因するくぼみ等は観察されなかった。
さらに、基材に加工した給電端子用穴内に、導電ペーストを用いて、金属層に導線を固定した。
この静電チャックを用いて、導電膜を蒸着した直径３０ｍｍの板状シリカガラスを被吸着物として、吸着力の評価を行った。評価方法は、約１０-6Ｔｏｒｒの高真空中で、±２ｋＶの電圧を印加して、被吸着物を静電チャックから引き離す方向に力を加え、被吸着物が静電チャックから離れたときの力をロードセルにより計測することにより行った。
これらの評価結果を表１にまとめて示す。
この静電チャックを用いて、導電膜を蒸着した直径３０ｍｍの板状シリカガラスを被吸着物として、吸着力の評価を行った。評価方法は、約１０-6Ｔｏｒｒの高真空中で、±２ｋＶの電圧を印加して、被吸着物を静電チャックから引き離す方向に力を加え、被吸着物が静電チャックから離れたときの力をロードセルにより計測することにより行った。
これらの評価結果を表１にまとめて示す。
表１に示したように、融着により接合した静電チャックは、誘電層の厚さを３０μｍ以下とすると（比較例１）、加工中にクラックが発生して、作製することができなかった。
一方、誘電層の厚さが３５０μｍである場合（比較例２）、静電チャックを作製することができたが、吸着力が微弱なため、測定できなかった。
一方、誘電層の厚さが３５０μｍである場合（比較例２）、静電チャックを作製することができたが、吸着力が微弱なため、測定できなかった。
［比較例３］
２枚の板状ガラスの接合の際、エポキシ系樹脂接着剤を用いて接合し、それ以外については、実施例１と同様にして、静電チャックの作製を行ったところ、誘電層の厚さを薄く、かつ、平滑に加工すると、クラックが発生し、誘電層が薄い静電チャックを作製することが困難であった。
また、誘電層を厚くして作製した静電チャックをチャンバ内に設置し、１０-6Ｐａの真空状態にしようとしたところ、接着剤からの脱ガスにより、所望の真空度まで到達させることが困難であった。
２枚の板状ガラスの接合の際、エポキシ系樹脂接着剤を用いて接合し、それ以外については、実施例１と同様にして、静電チャックの作製を行ったところ、誘電層の厚さを薄く、かつ、平滑に加工すると、クラックが発生し、誘電層が薄い静電チャックを作製することが困難であった。
また、誘電層を厚くして作製した静電チャックをチャンバ内に設置し、１０-6Ｐａの真空状態にしようとしたところ、接着剤からの脱ガスにより、所望の真空度まで到達させることが困難であった。
１ 基材
２ 誘電層
３ 金属層
４ 給電端子用穴
２ 誘電層
３ 金属層
４ 給電端子用穴
Claims (1)
- 表裏を有する板状ガラスの内部に金属層が埋設され、前記金属層が電極であり、前記ガラスにおいて、前記金属層からガラス表面までの距離が短い側が誘電層、前記金属層からガラス表面までの距離が長い側が基材層であり、前記誘電層の厚さが４０μｍ以上３００μｍ以下であるガラス製静電チャックの製造方法において、
２枚の板状ガラスの鏡面研磨された表面の間に前記金属層となる金属材料を挟み、加熱および加圧により２枚の板状ガラスの前記鏡面研磨された表面を融着させて、ガラスの内部に金属層を埋設させることを特徴とするガラス製静電チャックの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007191984A JP5024996B2 (ja) | 2007-07-24 | 2007-07-24 | ガラス製静電チャックの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007191984A JP5024996B2 (ja) | 2007-07-24 | 2007-07-24 | ガラス製静電チャックの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009032718A JP2009032718A (ja) | 2009-02-12 |
| JP5024996B2 true JP5024996B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=40402970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007191984A Active JP5024996B2 (ja) | 2007-07-24 | 2007-07-24 | ガラス製静電チャックの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5024996B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5399791B2 (ja) * | 2009-06-30 | 2014-01-29 | コバレントマテリアル株式会社 | 静電チャック |
| JP6139970B2 (ja) * | 2013-05-13 | 2017-05-31 | クアーズテック株式会社 | 電極埋め込み石英部材及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6096832U (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-02 | 東芝機械株式会社 | 静電チヤツク |
| JP2975205B2 (ja) * | 1992-01-24 | 1999-11-10 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック及びその製造方法 |
| EP1359466A1 (en) * | 2002-05-01 | 2003-11-05 | ASML Netherlands B.V. | Chuck, lithographic projection apparatus, method of manufacturing a chuck and device manufacturing method |
| JP4307195B2 (ja) * | 2003-09-17 | 2009-08-05 | 京セラ株式会社 | 静電チャック |
| JP4757839B2 (ja) * | 2007-05-24 | 2011-08-24 | 太平洋セメント株式会社 | ガラス質静電チャック及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-07-24 JP JP2007191984A patent/JP5024996B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2009032718A (ja) | 2009-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4744855B2 (ja) | 静電チャック | |
| CN105074901B (zh) | 静电吸盘 | |
| JP4476701B2 (ja) | 電極内蔵焼結体の製造方法 | |
| JP6064908B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
| US20070146961A1 (en) | Electrostatic chuck | |
| KR20080025012A (ko) | 정전 척 및 그 제조 방법 | |
| JP2006269826A (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
| US11201075B2 (en) | Holding apparatus for electrostatically holding a component, including a base body joined by diffusion bonding, and process for its manufacture | |
| JP5024996B2 (ja) | ガラス製静電チャックの製造方法 | |
| JP2007109827A (ja) | 静電チャック | |
| JP2008177339A (ja) | 静電チャック | |
| KR101397133B1 (ko) | 정전척의 제조방법 | |
| JP2006060040A (ja) | 静電チャックプレート及びその製造方法 | |
| JP3426845B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP2002170871A (ja) | 静電チャック | |
| JP2008244147A (ja) | 静電チャック、その製造方法およびガラス基板の吸着方法 | |
| JP2003168726A (ja) | 半導体製造装置用静電チャックおよびその製造方法 | |
| US20050128674A1 (en) | Ceramic chuck | |
| JP5030260B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP2006319344A (ja) | 半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置 | |
| JP2002176096A (ja) | 半導体処理装置用セラミックス部材の製造方法 | |
| JP2006120847A (ja) | 双極型静電チャック、及びその製造方法 | |
| JP2001313332A (ja) | 静電吸着装置及び半導体製造装置 | |
| JP2000031254A (ja) | セラミックス製静電チャックおよびその製造方法 | |
| JP5031292B2 (ja) | 静電チャック |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100527 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101008 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110527 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110531 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110713 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120216 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120515 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120618 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120618 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150629 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5024996 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |