JPH0741825A

JPH0741825A - 真空脱ガス設備の上吹ランス装置

Info

Publication number: JPH0741825A
Application number: JP17384193A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Nimura; 洋一丹村; Hirohisa Nakajima; 廣久中島; Manabu Arai; 学新井; Kyoji Watanabe; 恭二渡辺; Junichi Shoda; 順一庄田
Original assignee: NKK Corp; Nippon Kokan Ltd
Current assignee: JFE Engineering Corp
Priority date: 1993-07-14
Filing date: 1993-07-14
Publication date: 1995-02-10

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は真空脱ガス設備の上吹ランス装置に
関する。【構成】上吹ランス装置２１は真空脱ガス槽３の上蓋
３ａの中心部を貫通挿入して、上下動可能に設け、ラン
ス２２の先端部２２ａに２点鎖線で示す軸芯に対して下
向きに２０〜５０度の角度を有するランス孔２２ｂと、
上吹ランス２２の軸芯中心の回転機構２３と、任意の位
置での回転停止機構２４を設けている。【効果】上記構造により、酸化性のガス、又は粉体の
吹き付け方向を任意の方向に調整して、溶鋼温度低下を
防止し、脱炭処理、脱硫処理、更には付着地金除去を効
率良く行うことが出来る。２次燃焼ゾーンを調整出来る
ので、真空脱ガス槽内壁の耐火物の溶損防止が可能であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は真空脱ガス設備の上吹ラ
ンス装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】高級鋼、低合金鋼、特殊鋼等を生産する
ための優れた方法として真空精錬方法が脚光を浴び、そ
れを行うための真空脱ガス設備が普及してきている。上
記真空精錬方法の主流を成しているのが、ＤＨ法、ＲＨ
法等の吸上式真空精錬方法であり、それを実施するため
の設備としてＤＨ式又はＲＨ式真空脱ガス設備が用いら
れている。

【０００３】しかし、上記吸上式真空精錬方法では下記
の（１）、（２）、（３）項に示すような問題があり、
それを解決するために、ＤＨ式又はＲＨ式真空脱ガス設
備の真空脱ガス槽内にランスを挿入する上吹きランス装
置を付加した改良設備が多く取上げられている。

【０００４】（１）脱ガス処理中に溶鋼の温度降下を伴
い、脱ガス・脱炭反応の進行が遅れること。（２）脱硫反応等が遅いこと。（３）真空脱ガス槽内壁に地金が付着すること。

【０００５】特開平２−７７５１８号公報（先行文献１
と云う）には、溶鋼の温度降下を防止して、真空脱ガス
・脱炭処理を行うためのＲＨ式真空脱ガス装置が開示さ
れている。図７はそのＲＨ式真空脱ガス装置の模式図で
ある。図７において、１は取鍋、３は真空脱ガス槽であ
る。転炉等の精錬炉で溶製された未脱酸溶鋼、弱脱酸溶
鋼もしくは既存脱酸溶鋼２は取鍋１に受湯され、取鍋１
の移動で、真空脱ガス槽３の下部に運ばれ、そこで、Ｒ
Ｈ式真空脱ガス設備によって、溶鋼の真空脱ガス・脱炭
処理を行う。

【０００６】真空脱ガス槽３は真空排気系にダクト４を
介して接続されている。溶鋼２は供給羽口６から吹込ま
れた不活性ガス等によって、真空脱ガス槽３内に吸上げ
られ、溶鋼の真空脱ガス・脱炭処理が行われる。ここで
は上吹ランス５によって真空脱ガス槽内に酸素を吹き込
み、脱ガス処理中に発生するＣＯガス１６を燃焼させ、
溶鋼２の温度降下を伴うことなしに脱ガス・脱炭反応を
進行させる。７は上昇管、８は下降管である。

【０００７】上吹ランス装置は真空脱ガス槽３内で上吹
ランス５の先端位置を溶鋼の静止面から一定の距離をお
いて配置するために、図示されていない上下動機構を設
けて、上吹ランスを上下方向に移動する。

【０００８】また、日本鉄鋼協会講演論文集「材料とプ
ロセス，５（１９９２），ｐ１２３８）」、「材料とプ
ロセス，５（１９９２），ｐ１２４０」（先行文献２と
云う）には、ＲＨ式真空脱ガス設備の真空脱ガス槽内
に、真空処理中に、粉体を溶鋼表面に向けて吹き付けて
脱硫反応等を促進させるために、ランスが上下方向に移
動可能な上吹ランス装置を用いることが開示されてい
る。

【０００９】一方、日本鉄鋼協会講演論文集「材料とプ
ロセス，５（１９９０），ｐ２３９」（先行文献３と云
う）には、ＲＨ式及びＤＨ式等の真空脱ガス設備の真空
脱ガス槽内に付着した地金を溶解するために、非処理中
に酸化性のガスを吹込むためにランスが上下方向に移動
可能な上吹ランス装置を用いることが開示されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た技術は次のような問題がある。先行文献１に開示され
た技術は、槽内圧力１Ｔｏｒｒ以上で溶鋼面に於ける到
達圧力がある一定範囲内の値となるよう酸素或いは酸素
含有ガスを吹き込んでＣＯガスを燃焼させるものであ
る。即ち、槽内圧力を１〜２００Ｔｏｒｒとし、ランス
下端を溶鋼面から１．６〜４．５ｍ離し、又は、ＣＯ燃
焼用ランス、脱炭用ランスを個別に設けてＣＯ燃焼用ラ
ンスは鋼浴から１．６〜４．５ｍの高さとし、脱炭用ラ
ンスは１．６ｍ以下とするものである。

【００１１】しかし、図７に示すように、このランス装
置を用いた方法では上吹ランス５の挿入位置が真空脱ガ
ス槽６の径方向では固定されており、真空脱ガス槽３の
中心或いはその近傍に位置するようになっている為、点
線で囲んだ二次燃焼ゾーン９が形成され、二次燃焼によ
り発生した熱の一部は溶鋼に着熱せず、高温ガス体とし
てダクト４に引かれてしまい、温度降下を防止すること
が充分でないという問題がある。

【００１２】先行文献２に開示された技術は、ＲＨ式真
空脱ガス槽上部から垂直に挿入した水冷ランスより脱硫
剤である粉体をＡｒガス等の気送ガスとともに上吹きす
るものである。

【００１３】しかし、図８に示すように、このランス装
置を用いた方法においても粉体吹込みランス１０の挿入
位置は真空脱ガス槽３の径方向では固定されており、真
空脱ガス槽３の中心或いはその近傍に位置するようにな
っており、真空脱ガス槽３内に溶鋼を入れる上昇管（浸
漬管）７が槽の中心からずれている為に、点線で囲んだ
粉体分散ゾーン１１が形成され、粉体１２の溶鋼内滞在
距離が短く、滞在中に粉体１２と溶鋼２との間に起こる
反応、即ちトランジトリー反応の時間を充分に確保する
ことは不可能である。その結果、脱硫効率が悪化し溶鋼
の低硫化が図れなく、又は溶鋼の低硫化に長時間を要す
るために、処理コストが増加するという問題がある。

【００１４】先行文献３に開示された技術は、真空脱ガ
ス槽内に挿入された酸化性ガスの吹込みランスの高さ及
び送酸速度を変化させることによって、真空槽内に付着
した地金を溶解するものである。

【００１５】しかし、図９に示すように、このランス装
置を用いた方法においても酸化性ガス（酸素ガス）を吹
込むための上吹ランス５の挿入位置は真空脱ガス槽３の
径方向では固定されており、槽の中心或いはその近傍に
位置するようになっており、かつ、ランスから吹き出さ
れる酸化性ガスの広がり角度には一定の限度がある為、
点線で囲んだ酸化性ガスの広がりゾーン１４又は一点鎖
線で囲んだ酸化性ガスの広がりゾーン１５となり、酸化
性のガスを直接に地金１３に吹き付けることは困難であ
る。その結果、地金の効率的な溶解が実施出来ないとい
う問題がある。

【００１６】この発明は、上述したような従来技術の問
題点を解決し、真空脱炭中に於ける溶鋼の温度低下を防
止し、真空処理中に於ける粉体吹付けによる脱硫反応等
を促進し、又は、非処理中に於ける真空脱ガス槽内壁の
付着地金を除去することの可能な真空脱ガス設備の上吹
ランス装置を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明は真空脱ガス槽の上蓋を貫通して挿入さ
れ、上下動可能に設けられた上吹ランス装置であって、
前記上吹ランス装置のランスの先端部に軸芯に対して下
向きに２０〜５０度の角度を有するランス孔を設けると
ともに、前記ランスを軸芯中心に回転させる機構と、任
意の位置でその回転を停止させる機構を設けたことを特
徴とする真空脱ガス設備の上吹ランス装置とするもので
ある。

【００１８】第２の発明は真空脱ガス槽の上蓋を貫通し
て挿入し、上下動可能に設けられた上吹ランス装置であ
って、前記ランス装置のランスを鉛直方向に対して５〜
５０度の角度で旋回させる機構と、任意の位置でその旋
回を停止させる機構を設けたことを特徴とする真空脱ガ
ス設備の上吹ランス装置とするものである。

【００１９】そして第３の発明は真空脱ガス槽の上蓋を
貫通して挿入し、上下動可能に設けられた上吹ランス装
置であって、前記上吹ランス装置のランスの先端部に軸
芯に対して下向きに２０〜５０度の角度を有するランス
孔を設けるとともに、前記ランスを軸芯中心に回転させ
る機構と、そのランスを鉛直方向に対して５〜５０度の
角度で旋回させる機構と、任意の位置でその回転、旋回
を停止させる機構を設けたことを特徴とする真空脱ガス
設備の上吹ランス装置とするものである。

【００２０】

【作用】上記したように第１の発明では、ランスの先端
部に軸芯に対して下向きに２０〜５０度の角度を有する
ランス孔を設ける。２０度未満の場合では二次燃焼ゾー
ンの範囲、粉体分散ゾーンの範囲の移動距離が短く、さ
らには酸化性ガスを地金位置に直接吹き付けることが困
難で、本発明の目的を達成出来ない。又、５０度を超え
た場合では、二次燃焼ゾーンと槽壁の煉瓦の接触面積が
広くなり過ぎ、槽壁の煉瓦を損傷する。

【００２１】第１の発明によれば、上吹ランス装置のラ
ンスの先端部に軸芯に対して下向きに２０〜５０度の角
度を有するランス孔を設けるとともに、前記ランスを軸
芯中心に回転させる機構と、任意の位置でその回転を停
止させる機構を設けて、真空脱ガス装置に特有な２次燃
焼ゾーンの排気孔に近ずき過ぎることを防止し、２次燃
焼ゾーンを排気孔より極力離れた位置に存在させて、排
気に引かれる高温ガス体の量を減少させる。それによっ
て、ＣＯガスの二次燃焼によって発生した熱の溶鋼への
着熱を効率良く行わせることが出来る。その場合、回転
させる機構と、任意の位置で回転を停止させる機構とを
組合わせることによって、初めて、二次燃焼ゾーンの調
整が可能となる。

【００２２】ＤＨ式、ＲＨ式等の吸上式真空脱ガス装置
に特有な上昇管、下降管等を局部的な位置に設けた真空
脱ガス槽の場合には、本発明の上吹ランス装置のランス
により、粉体分散ゾーンを上昇管（両浸漬管の内、溶鋼
が上向きに流れている浸漬管）直上まで広げることが出
来るので、トランジトリー反応長さ即ち反応時間を極力
延長せしめて、脱硫反応等を促進させることが出来る。
その場合、回転させる機構と、任意の位置で回転を停止
させる機構とを組合わせることによって、初めて、粉体
分散ゾーンの調整が可能となる。

【００２３】一方、ＲＨ式又はＤＨ式真空脱ガス設備の
真空脱ガス槽内に付着した地金を本発明の上吹きランス
装置で行う場合は、地金が付着、成長した部位に酸化性
ガスを正確に吹き付けることが出来るので、付着した地
金の除去が容易である。その場合、回転させる機構と、
任意の位置で回転を停止させる機構とを組合わせること
によって、初めて、地金が付着、成長した部位に酸化性
ガスを正確に吹き付けることの調整が可能となる。

【００２４】第２の発明では、ランスを鉛直方向に対し
て５〜５０度の角度で旋回させる機構を設ける。５度未
満の場合では二次燃焼ゾーンの範囲、粉体分散ゾーンの
範囲が狭く、さらには酸化性ガスを地金位置に直接吹き
付けることが困難で、本発明の目的を達成出来ない。
又、５０度を超えた場合では、二次燃焼ゾーンが広くな
り過ぎ、槽壁の煉瓦を損傷する。

【００２５】第２の発明でも、第１の発明と同様に、二
次燃焼ゾーンの調整が可能で、ＣＯガスの二次燃焼によ
って発生した熱の溶鋼への着熱を効率良く行わせること
が出来る。又、粉体分散ゾーンの調整が可能で脱硫反応
等を促進させることが出来る。更には地金が付着、成長
した部位に酸化性ガスを正確に吹き付けることの調整が
可能である。

【００２６】第３の発明では、ランスの先端部に軸芯に
対して下向きに２０〜５０度の角度を有するランス孔を
設け、そのランスを旋回する機構と、回転する機構と、
任意の位置で旋回、回転を停止する機構を設けたので、
よりきめ細かな調整が出来る。

【００２７】

【実施例】以下に本発明の実施例を図によって説明す
る。図１は第１の発明の上吹ランス装置を真空脱ガス設
備に取付けた状態を示す図である。

【００２８】この上吹ランス装置２１は真空脱ガス槽３
の上蓋３ａの中心部を貫通して挿入され、上下動可能に
設けられたものであって、上吹ランス装置２１のランス
２２の先端部２２ａに２点鎖線で示す軸芯に対して下向
きに２０〜５０度の角度を有するランス孔２２ｂを設け
るとともに、前記上吹ランス２２を軸芯中心に回転させ
る機構２３と、任意の位置でその回転を停止させる機構
２４を設けている。上吹ランス装置２１は必要に応じ
て、真空脱ガス槽３の上蓋３ａの中心部から偏芯した部
分を貫通して挿入することも出来る。

【００２９】図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は第１の発明
の上吹ランス装置の要部を示す図であり、（ａ）図はラ
ンスを上下動させる機構を示す図、（ｂ）図は（ａ）図
のＡ−Ａ線の断面図、（ｃ）図はランス回転装置の制御
系統を示す図である。図において、ランス台車２９には
上部フレーム３０に軸受けボックス３１を設け、軸受け
ボックス３１に係合して回転する側面にラックを有する
回転体３２を設けて、その回転体３２の上にランス受台
３３を設けている。

【００３０】ランスはランス受台３３に支持されてお
り、ランス台車２９をガイド３４に沿って上下動させる
ことによって、ランスが上下動する。ランスにはトラニ
オン４７を取付け、ランス受台３３のトラニオン受け４
８と係合させて、ランスの回転を円滑に行わせるように
している。ランスを軸芯を中心にして回転させる場合に
は、回転体３２のラックをピニオン３５と係合させて、
駆動装置２５によって行われる。

【００３１】任意の位置でその回転を停止させる機構２
４は減速機３７に取付けた回転角度検出器３８と制御装
置３９で構成して、回転角度、回転速度等を制御して、
所定の位置でランスの停止を行うことが出来るようにし
ている。

【００３２】図１、図２に示す上吹ランス装置を用いて
真空脱ガス処理を行う場合には、酸素吹込みランス２２
のランス孔２２ｂの位置を真空脱ガス槽３のダクト４と
反対側に向くように回転させて位置決めしてから停止さ
せ、酸素吹込みを行う。そのために、実線で囲んだ二次
燃焼ゾーン４５が形成され、二次燃焼により発生した熱
の全部を溶鋼に着熱させることが出来、温度降下を防止
することが出来る。

【００３３】図３は第２の発明の上吹ランス装置を真空
脱ガス設備に取付けた状態を示す図である。この上吹ラ
ンス装置２１は真空脱ガス槽３の上蓋３ａ中心部を貫通
して挿入し、上下動可能に設けられたものであって、上
吹きランス装置２１のランス２２を旋回させる機構２７
と、任意の位置でその旋回を停止させる機構２８を設け
ている。上吹ランス装置２１は必要に応じて、真空脱ガ
ス槽３の上蓋３ａの中心部から偏芯した部分を貫通して
挿入することも出来る。

【００３４】図４は第２の発明の上吹ランス装置の要部
を示す図である。図において、ランス台車２９には下部
フレーム４０の上に下部台車４１、その上に上部台車４
２を互いに直交に往復動出来るように設け、更に上部台
車４２の上にランス受台３３を設けている。ランス２２
は図１、図２の場合と同じようにランス受台３３に支持
されており、ランス台車２９をガイド３４に沿って上下
動させることによって、ランスが上下動する。

【００３５】ランスを旋回させる場合は、真空脱ガス槽
の上蓋３ａ上に設けた支点金物４３を支点として、下部
台車４１とその上の上部台車４２を互いに直交に往復動
させて、ランス先端を旋回させる。４９はシール機構で
ある。下部台車４１とその上の上部台車４２は台車内に
駆動装置２５を内蔵させており、任意の位置でその旋回
を停止させる機構２８と連結させている。任意の位置で
その旋回を停止させる機構２８は台車内に内蔵させた減
速機３７に回転角度検出器３８と制御装置３９で構成し
て、旋回角度、旋回速度等を制御して、所定の位置でラ
ンスの停止を行うことが出来るようにしている。

【００３６】又、ランス台車２９の上フレーム３０と下
フレーム４０の外側には上クランプ４３と下クランプ４
４を設けて、ランスを真空脱ガス槽３に挿入する時、引
き抜く時に、あらかじめセンターリングを行ない、その
操作を容易にしている。このランス装置を用いて、粉体
吹込み方法を行う場合には、ランス２２の先端が、真空
脱ガス槽内に溶鋼を入れる上昇管７側に向くように、旋
回して位置決めし、停止して、粉体吹込みを行う。

【００３７】そのために、実線で囲んだ粉体分散ゾーン
４５が形成され、粉体１２の溶鋼内滞在距離が長く、滞
在中に粉体１２と溶鋼２との間に起こる反応、即ちトラ
ンジトリー反応の時間を充分に確保することが出来る。
その結果、脱硫効率が向上し溶鋼の低硫化が図れ、又は
溶鋼の低硫化を短時間で処理出来るために、処理コスト
が低下する。

【００３８】図５は第３の発明の上吹ランス装置を真空
脱ガス設備に取付けた状態を示す図である。この上吹ラ
ンス装置２１は真空脱ガス槽３の上蓋３ａ中心部を貫通
して挿入し、上下動可能に設けられたものであって、上
吹ランス装置２１のランス２２の先端部２２ａに軸芯に
対して下向きに２０〜５０度の角度を有するランス孔２
２ｂを設けるとともに、前記ランスを軸芯を中心に回転
させる機構２３と、そのランスを鉛直方向に５〜５０度
の角度で旋回させる機構２７と、任意の位置でその回転
を停止させる機構２４、旋回を停止させる機構２８を設
けている。

【００３９】上吹ランス装置２１は必要に応じて、真空
脱ガス槽３の上蓋３ａの中心部から偏芯した部分を貫通
して挿入することも出来る。ここでは上吹ランス装置２
１により、真空脱ガス槽３の内壁に付着した地金を除去
する状態を示しており、取鍋の代わりに地金のための専
用鍋１ａを用いている。

【００４０】図６は図３の実施例の要部を示す図であ
る。上述した回転装置と旋回装置の組合わせによるもの
であり、図において、ランス台車２９には下部フレーム
４０の上に下部台車４１、その上に上部台車４２を互い
に直交に往復動出来るように設け、更に上部台車４２の
上に、軸受けボックス３１を設け、軸受けボックス３１
に係合して回転する側面にラックを有する回転体３２を
設けて、その回転体３２の上にランス受台３３を設けて
いる。

【００４１】ランス２２は図１、図２の場合と同じよう
にランス受台３３に支持されており、ランス台車２９を
ガイド３４に沿って上下動させることによって、ランス
が上下動する。ランスを旋回させる場合は、真空脱ガス
槽の上蓋３ａ上に設けた支点金物４３を支点として、下
部台車４１とその上の上部台車４２を互いに直交に往復
動させて、ランス先端を旋回させる。

【００４２】下部台車４１とその上の上部台車４２は台
車内に駆動装置２５を内蔵させており、任意の位置でそ
の旋回を停止させる機構２８と連結させている。任意の
位置でその旋回を停止させる機構２８は台車内に内蔵さ
せた減速機３７に回転角度検出器３８と制御装置３９で
構成して、旋回角度、旋回速度等を制御して、所定の位
置でランスの停止を行うことが出来るようにしている。
又、更に、ランスを軸芯を中心にして回転させる場合に
は、回転体３２のラックをピニオン３５と係合させて、
駆動装置２５によって行われる。

【００４３】任意の位置でその回転を停止させる機構２
４は減速機３７に取付けた回転角度検出器３８と制御装
置３９で構成して、回転角度、回転速度等を制御して、
所定の位置でランスの停止を行うことが出来るようにし
ている。このランス装置を用いて酸化性ガス（酸素ガ
ス）を吹込み、地金１３を除去する場合に、槽内の地金
の付着している箇所に酸化性ガスを吹付けが出来る位置
に、ランス先端のランス孔を向けるように、旋回し、回
転して位置決めし、停止して、酸化性ガスを吹付けを行
う。

【００４４】ランスから吹き出される酸化性ガスの広が
り角度は自在に調節することが出来るので、実線で囲ん
だ酸化性ガスの広がりゾーン４６を形成出来るので、酸
化性ガスを直接に地金１３に吹き付けることが出来る。
その結果、地金の効率的な溶解が実施出来る。

【００４５】次に本発明の装置を用いて、精錬した実施
例を詳述する。（実施例１）第１の発明に対応した実施例である。２５
０トン転炉で一次脱炭精錬されたＣ：０．０２〜０．０
５％の溶鋼を図１、図２に示すような、ランス孔を軸芯
に対し２０度の角度をもたせ、且つ回転する上吹ランス
で、２分で２５０トンの溶鋼が循環出来る循環流量の２
５０トン用ＲＨ式真空脱ガス装置を用い、図１に示すよ
うに二次燃焼ゾーンを排気孔より極力離れた位置となる
ように、上吹ランスを設置し、１５Ｎｍ³／分の酸素流
量で酸素上吹き処理を行ないながら真空脱炭処理し、処
理中の着熱効率等について調査した。その結果を従来の
上吹きランスを使用した場合と比較して表１に示す。

【００４６】

【表１】

【００４７】実施例では発生ＣＯガスの二次燃焼の着熱
効率は８０％と高いのに対して、従来例では６０％とそ
の差が２０％であり、この発明の有効であることが確認
された。尚、この実施例に於いては、ＲＨ式真空脱ガス
装置の真空処理について述べたがＤＨ式の真空脱ガス装
置の真空処理に適用することも出来る。

【００４８】（実施例２）第２の発明に対応した実施例
である。溶銑予備処理設備で脱硫処理された溶銑を２５
０トン転炉で一次脱炭精錬することによって得たＳ：３
０ｐｐｍの溶鋼を図３、図４に示すような、ランスを鉛
直方向に対し５度の角度をもたせ、旋回する上吹きラン
スで、２分で２５０トンの溶鋼が循環出来る循環流量の
２５０トン用ＲＨ式真空脱ガス装置を用い、粉体吹き付
け位置を上昇管の直上とし、１００ｋｇ／分の粉体吹き
込み速度で粉体上吹き処理を行ないながら真空処理し、
処理後の到達Ｓ等について調査した。その結果を従来の
上吹きランスを使用した場合の結果と比較して表２に示
す。

【００４９】

【表２】

【００５０】実施例では処理後の到達Ｓは１０ｐｐｍと
低いのに対して、従来例では２０ｐｐｍと、その差は１
０ｐｐｍであり、この発明が有効であることが確認され
た。（実施例３）第３の発明に対応した実施例である。

【００５１】図５、図６に示すような上吹きランスを有
する２５０トン用ＲＨ式真空脱ガス装置を用いて、ラン
ス孔を軸芯に対して下向きに２０度の角度を有し、ラン
スの旋回角度を鉛直方向に対して２０度とし、非処理中
に１５Ｎｍ³／分の酸素流量で酸素上吹きを実施するこ
とによって、ＲＨ式真空脱ガス槽内に付着した地金の溶
解作業を行ない、地金溶解速度等について調査した。そ
の結果を従来の上吹きランスを使用した場合の結果と比
較し表３に示す。

【００５２】

【表３】

【００５３】実施例では、地金溶解速度は２０トン／時
間と大きいのに対して、従来例では１０トン／時間と、
その差は１０トン／時間てあり、この発明が有効である
ことが確認された。この実施例に於いては、ＲＨ式真空
脱ガス装置の真空処理について述べたがＤＨ式の真空脱
ガス装置の真空処理に適用することも出来る。

【００５４】上記実施例に述べたように、以下の効果が
ある。（１）温度降下防止のみならず、二次燃焼ゾーンの位置
を調整して、真空脱ガス槽の耐火物の溶損防止が可能で
ある。（２）脱硫反応等を効率良くできるので、処理時間の短
縮、フラックス原単位の低減が可能である。（３）地金溶解効率の促進が出来るので、地金溶解作業
時間の短縮、酸素原単位の低減が可能である。また、本発明のランス装置は必要に応じてＶＯＤ等の真
空脱ガス設備にも適用することが出来る。

【００５５】

【発明の効果】以上のように本発明はランス装置のラン
スに所定の角度を持たせ、ランスの回転機構、旋回機
構、それらの組合わせ機構、そして任意の位置での停止
機構を設けるという構造によって、以下の効果をもたら
し、大幅なコストダウンが可能である。

【００５６】（１）ランスをその中心軸を中心として回
転させる機構と、任意の位置で回転を停止する機構を設
けているので、酸化性のガス、又は粉体の吹き付け方向
を任意の方向に調整して、脱炭処理、脱硫処理、更には
付着地金除去を効率良く行うことが出来る。

【００５７】（２）ランスに鉛直方向に対して角度を持
たせた状態で旋回させる機構を設けて、更にはそれにラ
ンスをその中心軸を中心として回転させる機構を設け
て、真空槽の大きさに関係なく、酸化性のガス、又は粉
体の吹き付け方向を任意の方向に調整して、脱炭処理、
脱硫処理、更には付着地金除去を効率良く行うことが出
来る。（３）２次燃焼ゾーンを調整出来るので、真空脱ガス槽
内壁の耐火物の溶損防止が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の発明の上吹ランス装置を真空脱ガス設備
に取付けた状態を示す図である。

【図２】第１の発明の上吹ランス装置の要部を示す図で
ある。

【図３】第２の発明の上吹ランス装置を真空脱ガス設備
に取付けた状態を示す図である。

【図４】第２の発明の上吹ランス装置の要部を示す図で
ある。

【図５】第３の発明の上吹ランス装置を真空脱ガス設備
に取付けた状態を示す図である。

【図６】第３の発明の上吹ランス装置の要部を示す図で
ある。

【図７】従来のランス装置を用いた真空脱ガス装置の二
次燃焼ゾーンの状態を示す図である。

【図８】従来のランス装置を用いた真空脱ガス装置の粉
体分散ゾーンの状態を示す図である。

【図９】従来のランス装置を用いた真空脱ガス装置の酸
化性ガスの広がりゾーンの状態を示す図である。

【符号の説明】

２１上吹ランス装置２２ランス２２ａランス先端部２２ｂランス孔２３回転機構２４回転停止機構２７ランス旋回機構２８旋回停止機構２９ランス台車３０上部フレーム３１軸受けボックス３２回転体３２３３ランス受台３４ガイド３５ピニオン３６上部フレーム３７減速機３８回転角度検出器３９制御装置４０下部フレーム４１下部台車４２上部台車４３支点金物４４下クランプ４５粉体分散ゾーン４６酸化性ガスの広がりゾーン４７トラニオン４８トラニオン受け４９シール機構

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者渡辺恭二東京都千代田区丸の内一丁目１番２号日本鋼管株式会社内 (72)発明者庄田順一東京都千代田区丸の内一丁目１番２号日本鋼管株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空脱ガス槽の上蓋を貫通して挿入さ
れ、上下動可能に設けられた上吹ランス装置であって、
前記上吹ランス装置のランスの先端部に軸芯に対して下
向きに２０〜５０度の角度を有するランス孔を設けると
ともに、前記ランスを軸芯中心に回転させる機構と、任
意の位置でその回転を停止させる機構を設けたことを特
徴とする真空脱ガス設備の上吹ランス装置。
【請求項２】真空脱ガス槽の上蓋を貫通して挿入し、
上下動可能に設けられた上吹ランス装置であって、前記
ランス装置のランスを鉛直方向に対して５〜５０度の角
度で旋回させる機構と、任意の位置でその旋回を停止さ
せる機構を設けたことを特徴とする真空脱ガス設備の上
吹ランス装置。
【請求項３】真空脱ガス槽の上蓋を貫通して挿入し、
上下動可能に設けられた上吹ランス装置であって、前記
上吹ランス装置のランスの先端部に軸芯に対して下向き
に２０〜５０度の角度を有するランス孔を設けるととも
に、前記ランスを軸芯中心に回転させる機構と、そのラ
ンスを鉛直方向に対して５〜５０度の角度で旋回させる
機構と、任意の位置でその回転、旋回を停止させる機構
を設けたことを特徴とする真空脱ガス設備の上吹ランス
装置。