JPH0737571B2 - 電子部品用成形体 - Google Patents
電子部品用成形体Info
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- JPH0737571B2 JPH0737571B2 JP62089692A JP8969287A JPH0737571B2 JP H0737571 B2 JPH0737571 B2 JP H0737571B2 JP 62089692 A JP62089692 A JP 62089692A JP 8969287 A JP8969287 A JP 8969287A JP H0737571 B2 JPH0737571 B2 JP H0737571B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- silica
- bis
- molding
- oligomer
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- Expired - Lifetime
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ポリイミド樹脂組成物、特に半導体封止材と
して好適であり、また半導体パッケージ用基板あるいは
ハイブリッドIC用基板などにも極めて有効な材料として
用いることが出来るポリイミド樹脂組成物をトランスフ
ァー成形して得た電子部品用成形体に関するものであ
る。
して好適であり、また半導体パッケージ用基板あるいは
ハイブリッドIC用基板などにも極めて有効な材料として
用いることが出来るポリイミド樹脂組成物をトランスフ
ァー成形して得た電子部品用成形体に関するものであ
る。
従来の技術 現在IC、LSI等の半導体を樹脂封止するには主としてエ
ポキシ樹脂−シリカ系配合物よりなる封止材を用い、ト
ランスファー成形法などの成形法により成形している。
ポキシ樹脂−シリカ系配合物よりなる封止材を用い、ト
ランスファー成形法などの成形法により成形している。
しかし、半導体の集積度が急速に高まるにつれ従来のエ
ポキシ−シリカ系のものでは線膨張係数が大きい、耐熱
性が足りない、信頼性が足りないなどの問題点が生じて
いる。
ポキシ−シリカ系のものでは線膨張係数が大きい、耐熱
性が足りない、信頼性が足りないなどの問題点が生じて
いる。
この様な背景のもとで、より高耐熱性、低線膨張係数の
樹脂ベースの封止材が求められており、その観点から見
ると、ポリイミド樹脂は極めて有望な樹脂である。
樹脂ベースの封止材が求められており、その観点から見
ると、ポリイミド樹脂は極めて有望な樹脂である。
しかし、一般的にポリイミド樹脂は耐湿性に劣り、これ
に無機フィラーを含有させ半導体の封止材として用いて
も、封止材の本来の目的である半導体に耐湿性を付与す
る役目を果さなくなる傾向があり、封止材として用いる
ことが不適当であると考えられていた。
に無機フィラーを含有させ半導体の封止材として用いて
も、封止材の本来の目的である半導体に耐湿性を付与す
る役目を果さなくなる傾向があり、封止材として用いる
ことが不適当であると考えられていた。
またオリゴイミドとヒドロキシル性有機けい素化合物と
の反応あ生成物やオリゴイミドとポリアミンとヒドロキ
シル性有機けい素化合物との反応生成物よりなるポリイ
ミド系樹脂も知られている（特開昭54−138100号公報、
特開昭56−11926号公報）が、これは通常のポリイミド
樹脂の耐熱性を保持しながら、さらに耐老化性を付与さ
せたものであった。
の反応あ生成物やオリゴイミドとポリアミンとヒドロキ
シル性有機けい素化合物との反応生成物よりなるポリイ
ミド系樹脂も知られている（特開昭54−138100号公報、
特開昭56−11926号公報）が、これは通常のポリイミド
樹脂の耐熱性を保持しながら、さらに耐老化性を付与さ
せたものであった。
発明が解決しようとする問題点 本発明は、これらの従来技術の問題点、すなわちエポキ
シ樹脂−シリカ系配合物よりなる封止材の線膨張係数が
大きいこと、耐熱性が低いこと、信頼性が十分でないこ
と、またポリイミド系樹脂の耐湿性の悪いことなどの半
導体の樹脂封止材として適当でない性質を改善したポリ
イミド樹脂組成物をトランスファー成形して得た電子部
品用成形体を提供することを目的とする。
シ樹脂−シリカ系配合物よりなる封止材の線膨張係数が
大きいこと、耐熱性が低いこと、信頼性が十分でないこ
と、またポリイミド系樹脂の耐湿性の悪いことなどの半
導体の樹脂封止材として適当でない性質を改善したポリ
イミド樹脂組成物をトランスファー成形して得た電子部
品用成形体を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段 本発明者らは、これらの従来技術の問題点を解決するた
めに、種々検討した結果、ポリイミド樹脂の欠点であっ
た耐湿性を、Si原子に結合したヒドロキシル基ないしア
ルコキシル基を有するシリコーンモノマー及び／又はオ
リゴマーとシリカとを組合せて配合することにより、上
記欠点が大巾に改良され、プレッシャークッカーテスト
（PCT）後の体積抵抗値の低下が少なく、かつポリイミ
ド樹脂の本来の高耐熱性、低線膨張係数を備えた樹脂組
成物を見出したものである。
めに、種々検討した結果、ポリイミド樹脂の欠点であっ
た耐湿性を、Si原子に結合したヒドロキシル基ないしア
ルコキシル基を有するシリコーンモノマー及び／又はオ
リゴマーとシリカとを組合せて配合することにより、上
記欠点が大巾に改良され、プレッシャークッカーテスト
（PCT）後の体積抵抗値の低下が少なく、かつポリイミ
ド樹脂の本来の高耐熱性、低線膨張係数を備えた樹脂組
成物を見出したものである。
すなわち、本発明は、ポリアミノビスマレイミド樹脂、
Si原子に結合したヒドロキシル基もしくはアルコキシル
基を有するシリコーンモノマー及び／又はオリゴマー、
並びにシリカより主としてなり、しかもポリアミノビス
マレイミド樹脂／シリコーンモノマー及び／又はオリゴ
マーの比率が重量比で99.5/0.5〜70/30、ポリアミノビ
スマレイミド樹脂／シリカの比率が重量比で100/100〜1
00/600であるポリイミド樹脂組成物をトランスファー成
形して得たことを特徴とする電子部品用成形体である。
Si原子に結合したヒドロキシル基もしくはアルコキシル
基を有するシリコーンモノマー及び／又はオリゴマー、
並びにシリカより主としてなり、しかもポリアミノビス
マレイミド樹脂／シリコーンモノマー及び／又はオリゴ
マーの比率が重量比で99.5/0.5〜70/30、ポリアミノビ
スマレイミド樹脂／シリカの比率が重量比で100/100〜1
00/600であるポリイミド樹脂組成物をトランスファー成
形して得たことを特徴とする電子部品用成形体である。
作用 本発明の組成物をポリアミノビスマレイミド樹脂の軟化
点以上の温度で加熱混合すると、ポリアミノビスマレイ
ミド樹脂とSi原子に結合したヒドロキシル基ないしアル
コキシル基を有するシリコーンモノマー及び／又はオリ
ゴマーとシリカとが均一混合されるとともに、シリコー
ンは主として単独で縮合するか、及び／又はシリカとカ
ップリング反応するかいずれかの状態となり、成形用樹
脂組成物となる。
点以上の温度で加熱混合すると、ポリアミノビスマレイ
ミド樹脂とSi原子に結合したヒドロキシル基ないしアル
コキシル基を有するシリコーンモノマー及び／又はオリ
ゴマーとシリカとが均一混合されるとともに、シリコー
ンは主として単独で縮合するか、及び／又はシリカとカ
ップリング反応するかいずれかの状態となり、成形用樹
脂組成物となる。
これを適当な粒度に粉砕すると、トランスファー成形、
射出成形、圧縮成形等の成形法が適用可能となり、これ
を半導体封止や半導体の基板等に用い、さらにこれをポ
ストキュアーすると耐湿性が良好で、プレッシャークッ
カーテスト後の体積抵抗値の低下が少なく、またポリイ
ミド樹脂の特徴である高耐熱性、低線膨張係数等の特性
を備えたものが得られる。
射出成形、圧縮成形等の成形法が適用可能となり、これ
を半導体封止や半導体の基板等に用い、さらにこれをポ
ストキュアーすると耐湿性が良好で、プレッシャークッ
カーテスト後の体積抵抗値の低下が少なく、またポリイ
ミド樹脂の特徴である高耐熱性、低線膨張係数等の特性
を備えたものが得られる。
以下、本発明の各構成要素について説明する。
（１）ポリアミノビスマレイミド樹脂 一般式〔Ｉ〕で表わされるビスマレイミドと一般式〔I
I〕で表わされる芳香族ジアミンとを反応させることに
よって得られる反応生成物である。
I〕で表わされる芳香族ジアミンとを反応させることに
よって得られる反応生成物である。
一般式〔Ｉ〕 （但し式中Ｒは２価の有機基、好ましくは芳香族基であ
る。） 一般式〔II〕 （但し、式中ＺはCH2、Ｏ、Ｓ、SOまたはSO2、R1、R2は
水素原子、低級アルキル基、アリール基、シクロアルキ
ル基または低級アシル基である。） 一般式〔Ｉ〕で示されるビスマレイミドの具体例として
は、例えば、N,N′−ｍ−フェニレンジマレイミド、N,
N′−ｐ−フェニレンジマレイミド、N,N′−オキシ（ジ
−ｐ−フェニレン）ジマレイミド、N,N′−メチレン
（ジ−ｐ−フェニレン）ジマレイミド、N,N′−エチレ
ン（ジ−ｐ−フェニレン）ジマレイド、N,N′−スルホ
（ジ−ｐ−フェニレン）ジマレイミド、N,N′−ｍ−フ
ェニレンビス（ｐ−オキシフェニレン）ジマレイミド、
N,N′−メチレン（ジ−1,4−シクロヘキシレン）ジマレ
イミド、N,N′−イソプロピリデン（ジ−1,4−シクロヘ
キシレン）ジマレイミド、2,6−キシリレンジマレイミ
ド、2,5−オキサジアゾリレンジマレイミド、N,N′−ｐ
−フェニレン（ジメチレン）ジマレイミド、N,N′−２
−メチル−ｐ−トルイレンジマレイミド、N,N′−チオ
（ジフェニレン）ジシトラコンイミド、N,N′−メチレ
ン（ジ−ｐ−フェニレン）ビス（クロルマレイミド）、
N,N′−ヘキサメチレンビス（シアノメチルマレイミ
ド）などがあげられる。
る。） 一般式〔II〕 （但し、式中ＺはCH2、Ｏ、Ｓ、SOまたはSO2、R1、R2は
水素原子、低級アルキル基、アリール基、シクロアルキ
ル基または低級アシル基である。） 一般式〔Ｉ〕で示されるビスマレイミドの具体例として
は、例えば、N,N′−ｍ−フェニレンジマレイミド、N,
N′−ｐ−フェニレンジマレイミド、N,N′−オキシ（ジ
−ｐ−フェニレン）ジマレイミド、N,N′−メチレン
（ジ−ｐ−フェニレン）ジマレイミド、N,N′−エチレ
ン（ジ−ｐ−フェニレン）ジマレイド、N,N′−スルホ
（ジ−ｐ−フェニレン）ジマレイミド、N,N′−ｍ−フ
ェニレンビス（ｐ−オキシフェニレン）ジマレイミド、
N,N′−メチレン（ジ−1,4−シクロヘキシレン）ジマレ
イミド、N,N′−イソプロピリデン（ジ−1,4−シクロヘ
キシレン）ジマレイミド、2,6−キシリレンジマレイミ
ド、2,5−オキサジアゾリレンジマレイミド、N,N′−ｐ
−フェニレン（ジメチレン）ジマレイミド、N,N′−２
−メチル−ｐ−トルイレンジマレイミド、N,N′−チオ
（ジフェニレン）ジシトラコンイミド、N,N′−メチレ
ン（ジ−ｐ−フェニレン）ビス（クロルマレイミド）、
N,N′−ヘキサメチレンビス（シアノメチルマレイミ
ド）などがあげられる。
一般式〔II〕の芳香族ジアミンの具体例としては、例え
ば、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、3,3′−ジア
ミノジフェニルスルホン、4,4′−ジアミノジフェニル
メタン、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フ
ェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、2,2−ビ
ス（４−アミノフェニル）プロパン、ベンジジン、4,
4′−ジアミノジフェニルスルフィド、ビス（４−アミ
ノフェニル）メチルホスフィンオキシド、ビス（４−ア
ミノフェニル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（４
−アミノフェニル）メチルアミン、1,5−ジアミノナフ
タリン、1,1−ビス（ｐ−アミノフェニル）フタラン、
4,4′−ジアミノベンゾフェノン、4,4′−ジアミノアゾ
ベンゼン、ビス（４−アミノフェニル）フェニルメタ
ン、1,1−ビス（４−アミノフェニル）シクロヘキサ
ン、1,1−ビス（４−アミノ−３−メチルフェニル）シ
クロヘキサン、2,5−ビス（ｍ−アミノフェニル）−1,
3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス（ｐ−アミノフェニ
ル−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス（ｍ−アミノ
フェニル）チアゾロ（4,5−ｄ）チアゾール、55′−ジ
（ｍ−アミノフェニル）−2,2′−ビス（1,3,4−オキサ
ジアゾリル）、4,4′−ビス（ｐ−アミノフェニル）−
2,2′−ジチアゾール、ｍ−ビス（４−ｐ−アミノフェ
ニル−２−チアゾリルベンゼン、2,2′−ビス（ｍ−ア
ミノフェニル）−5,5′−ジベンズイミダゾール、4,4′
−ジアミノベンズアニリド、4,4′−ジアミノフェニル
ベンゾエート、N,N′−ビス（４−アミノベンジル）−
ｐ−フェニレンジアミン、3,5−ビス（ｍ−アミノフェ
ニル）−４−フェニル−1,2,4−トリアゾールおよびこ
れらの無機酸塩などがあげられる。
ば、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、3,3′−ジア
ミノジフェニルスルホン、4,4′−ジアミノジフェニル
メタン、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フ
ェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、2,2−ビ
ス（４−アミノフェニル）プロパン、ベンジジン、4,
4′−ジアミノジフェニルスルフィド、ビス（４−アミ
ノフェニル）メチルホスフィンオキシド、ビス（４−ア
ミノフェニル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（４
−アミノフェニル）メチルアミン、1,5−ジアミノナフ
タリン、1,1−ビス（ｐ−アミノフェニル）フタラン、
4,4′−ジアミノベンゾフェノン、4,4′−ジアミノアゾ
ベンゼン、ビス（４−アミノフェニル）フェニルメタ
ン、1,1−ビス（４−アミノフェニル）シクロヘキサ
ン、1,1−ビス（４−アミノ−３−メチルフェニル）シ
クロヘキサン、2,5−ビス（ｍ−アミノフェニル）−1,
3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス（ｐ−アミノフェニ
ル−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス（ｍ−アミノ
フェニル）チアゾロ（4,5−ｄ）チアゾール、55′−ジ
（ｍ−アミノフェニル）−2,2′−ビス（1,3,4−オキサ
ジアゾリル）、4,4′−ビス（ｐ−アミノフェニル）−
2,2′−ジチアゾール、ｍ−ビス（４−ｐ−アミノフェ
ニル−２−チアゾリルベンゼン、2,2′−ビス（ｍ−ア
ミノフェニル）−5,5′−ジベンズイミダゾール、4,4′
−ジアミノベンズアニリド、4,4′−ジアミノフェニル
ベンゾエート、N,N′−ビス（４−アミノベンジル）−
ｐ−フェニレンジアミン、3,5−ビス（ｍ−アミノフェ
ニル）−４−フェニル−1,2,4−トリアゾールおよびこ
れらの無機酸塩などがあげられる。
本発明に用いられるポリアミノビスマレイミド樹脂は、
前記したビスマレイミドと芳香族ジアミンとを公知の方
法によって反応させたものを用いるが、その分子量とし
ては400〜1500程度のものが好ましく、またこれに未反
応モノマーを多量に含有するものであってもよい。
前記したビスマレイミドと芳香族ジアミンとを公知の方
法によって反応させたものを用いるが、その分子量とし
ては400〜1500程度のものが好ましく、またこれに未反
応モノマーを多量に含有するものであってもよい。
（２）シリコーンモノマー及び／又はオリゴマーSi原子
に結合したヒドロキシル基もしくはアルコキシル基を少
なくとも１個以上含むシリコーンモノマー及び／又はオ
リゴマーであり具体例として例えばトリフェニルシラノ
ール、ジフェニルシランジオール、メチルフェニルシラ
ンジオール、ジエチルシランジオール、ジメトキシジフ
ェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、フェニル
トリエトキシシラン、ジエトキシジメチルシラン、トリ
エトキシシラン、1,1−ジメチル−3,3−ジフェニルジシ
ロキサン−1,3−ジオール、1,4−ビス（ヒドロキシジメ
チルシリル）ベンゼン、シフェニルエトキシビニルシラ
ンなどがあげられる。
に結合したヒドロキシル基もしくはアルコキシル基を少
なくとも１個以上含むシリコーンモノマー及び／又はオ
リゴマーであり具体例として例えばトリフェニルシラノ
ール、ジフェニルシランジオール、メチルフェニルシラ
ンジオール、ジエチルシランジオール、ジメトキシジフ
ェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、フェニル
トリエトキシシラン、ジエトキシジメチルシラン、トリ
エトキシシラン、1,1−ジメチル−3,3−ジフェニルジシ
ロキサン−1,3−ジオール、1,4−ビス（ヒドロキシジメ
チルシリル）ベンゼン、シフェニルエトキシビニルシラ
ンなどがあげられる。
（３）無機フィラーとしてシリカが用いられる。具体例
としては溶融シリカ（無定形）、結晶性シリカ、などが
あげられ、これらを１種以上用いることができる。さら
にこれらにアルミナ、チタン、マイカ、炭酸カルシウ
ム、タルク、水酸化アルミニウム、コーデイエライト、
ボロンナイトライド、シリコンカーバイド、ガラス繊維
などを無機フィラー中25重量％以下配合することができ
る。
としては溶融シリカ（無定形）、結晶性シリカ、などが
あげられ、これらを１種以上用いることができる。さら
にこれらにアルミナ、チタン、マイカ、炭酸カルシウ
ム、タルク、水酸化アルミニウム、コーデイエライト、
ボロンナイトライド、シリコンカーバイド、ガラス繊維
などを無機フィラー中25重量％以下配合することができ
る。
以上説明した本発明の必須成分の配合割合は、ポリアミ
ノビスマレイミド樹脂／シリコーンモノマー及び／又は
オリゴマーの比率は重量比で99.5/0.5〜70/30、望まし
くは98/2〜80/20である。
ノビスマレイミド樹脂／シリコーンモノマー及び／又は
オリゴマーの比率は重量比で99.5/0.5〜70/30、望まし
くは98/2〜80/20である。
シリコンモノマー及び／又はオリゴマーの比率が0.5未
満であると、耐湿性改善効果がなく、逆に30超では耐熱
性が大巾に低下し、かつ線膨張係数も大きくなるので好
ましくない。
満であると、耐湿性改善効果がなく、逆に30超では耐熱
性が大巾に低下し、かつ線膨張係数も大きくなるので好
ましくない。
ポリアミノビスマレイミド樹脂／シリカの配合比率は重
量比で100/50〜100/1000、望ましくは、100/100〜100/6
00である。無機フィラーの配合比率がこの範囲では成形
性が悪くなるが、50未満の場合はさらに線膨張係数が大
きくなり、1000超の場合は耐湿性が悪くなるので好まし
くない。
量比で100/50〜100/1000、望ましくは、100/100〜100/6
00である。無機フィラーの配合比率がこの範囲では成形
性が悪くなるが、50未満の場合はさらに線膨張係数が大
きくなり、1000超の場合は耐湿性が悪くなるので好まし
くない。
本発明では前記必須成分の他に従来から使用されている
公知の添加剤、例えば硬化促進剤、内部離型剤、シラン
カップリング剤、着色剤、難燃剤などを単独又は併用し
て用いることができ、その配合割合も通常用いられてい
る範囲で、本発明の目的が達成される割合であればよ
い。これらの具体例をあげると、ポリアミノビスマレイ
ミドの硬化促進剤として、過酸化物類、イミダゾール類
等、内部離型剤としてカルナバワックス、ステアリン
酸、モンタン酸ワックス等、シランカップリング剤とし
て、γ−グリシドオキシプロピルトリメトキシシラン、
γ−アミノプロピルトリエトキシシラン等、着色剤とし
てカーボンブラック等、難燃剤として臭素化合物、酸化
アンチモン等である。
公知の添加剤、例えば硬化促進剤、内部離型剤、シラン
カップリング剤、着色剤、難燃剤などを単独又は併用し
て用いることができ、その配合割合も通常用いられてい
る範囲で、本発明の目的が達成される割合であればよ
い。これらの具体例をあげると、ポリアミノビスマレイ
ミドの硬化促進剤として、過酸化物類、イミダゾール類
等、内部離型剤としてカルナバワックス、ステアリン
酸、モンタン酸ワックス等、シランカップリング剤とし
て、γ−グリシドオキシプロピルトリメトキシシラン、
γ−アミノプロピルトリエトキシシラン等、着色剤とし
てカーボンブラック等、難燃剤として臭素化合物、酸化
アンチモン等である。
次に、本発明の樹脂組成物の製法及びこれを成形する方
法について説明する。
法について説明する。
まずポリアミノビスマレイミド樹脂、特定のシリコーン
モノマー及び／又はオリゴマー、無機フィラーを所定量
配合した配合物を二軸押出機、二本ロール等の混練装置
に入れ、ポリアミノビスマレイミド樹脂の軟化点以上の
温度（100〜130℃程度）で混合した後、室温まで冷却
し、グラニュール状ないし粉末状に粉砕し、成形用組成
物とする。この樹脂組成物は、トランスファー成形、射
出成形、圧縮成形などの成形法によって、成形加工が可
能である。
モノマー及び／又はオリゴマー、無機フィラーを所定量
配合した配合物を二軸押出機、二本ロール等の混練装置
に入れ、ポリアミノビスマレイミド樹脂の軟化点以上の
温度（100〜130℃程度）で混合した後、室温まで冷却
し、グラニュール状ないし粉末状に粉砕し、成形用組成
物とする。この樹脂組成物は、トランスファー成形、射
出成形、圧縮成形などの成形法によって、成形加工が可
能である。
次いで、この樹脂組成物を成形加工するには、トランス
ファー成形法により成形する場合、温度180〜200℃、成
形時間５〜15分程度、成形圧力は成形方法及び温度等な
どによって変るが、通常30〜100kg/cm2程度で行うこと
ができる。
ファー成形法により成形する場合、温度180〜200℃、成
形時間５〜15分程度、成形圧力は成形方法及び温度等な
どによって変るが、通常30〜100kg/cm2程度で行うこと
ができる。
上記の方法で成形した成形物を、さらにエアーオーブン
中、180〜220℃程度の温度で６〜24時間程度ポストキュ
アーすれば、ポリイミド樹脂の本来の性能を備えたもの
が得られる。
中、180〜220℃程度の温度で６〜24時間程度ポストキュ
アーすれば、ポリイミド樹脂の本来の性能を備えたもの
が得られる。
以上のようにして製造されたものは、従来の樹脂封止材
に比べて大巾にその性能が改良され、特にプレッシャー
クッカーテスト後の体積抵抗値の低下が少なく、耐熱
性、低線膨張係数を備えたものである。
に比べて大巾にその性能が改良され、特にプレッシャー
クッカーテスト後の体積抵抗値の低下が少なく、耐熱
性、低線膨張係数を備えたものである。
以上本発明の明細書では半導体の樹脂封止材を中心に説
明したが、本発明の組成物の用途は封止材に限られるも
のではなく、封止材と同様の性能が要求される半導体パ
ッケージ用基板あるいはハイブリッドIC用基板などの半
導体基板用材料として用いることができるものである。
明したが、本発明の組成物の用途は封止材に限られるも
のではなく、封止材と同様の性能が要求される半導体パ
ッケージ用基板あるいはハイブリッドIC用基板などの半
導体基板用材料として用いることができるものである。
以下実施例をあげてさらに具体的に説明する。
実施例 実施例１〜４、比較例１、２ 表１に示す組成物を120〜130℃の温度で二本ロールを使
って、充分混練、混合後、冷却してグラニュール状に粉
砕し成形用の材料を得た。
って、充分混練、混合後、冷却してグラニュール状に粉
砕し成形用の材料を得た。
次いでこの材料をトランスファー成形機を用いて次の条
件で成形し、12.5mm×12.5mm×60mmの角柱状、100mm×1
00mm×2mmの平板状テストピースを得た。
件で成形し、12.5mm×12.5mm×60mmの角柱状、100mm×1
00mm×2mmの平板状テストピースを得た。
成形温度 180℃ 成形時間 10分 成形圧力 70kg/cm2 さらに、このテストピースを180℃×20時間、エアーオ
ープン中でポストキュアし、物性測定に供した。
ープン中でポストキュアし、物性測定に供した。
成形物の物性測定は次の方法で行った。結果は表１に示
す。
す。
（１）線膨張係数 12.5mm×12.5mm×60mmのテストピースを用い、ASTM D−
696に基いて測定した。
696に基いて測定した。
（２）ガラス転移温度（Tg） ASTM D−696に基く線膨張係数測定時の、温度−寸法変
位曲線の折れ曲がり点をTgとした。
位曲線の折れ曲がり点をTgとした。
（３）体積抵抗 常態の場合100×100×2mmの平板状テストピースを用
い、JIS K−6911に基いて測定した。また耐湿性につい
てテストピースを温度125℃、２気圧のオートクレーブ
中（媒体：水）で200時間保持するプレッシャークッカ
ーテスト（PCT）をした後、体積抵抗を測定して評価し
た。なおプレッシャークッカーテストは、オートクレー
ブ中に純水を入れて、その中にテストピースを浸漬し、
オートクレーブごと120℃のオイルバスにつけ、内圧2kg
/cm2として200hrs保持した。
い、JIS K−6911に基いて測定した。また耐湿性につい
てテストピースを温度125℃、２気圧のオートクレーブ
中（媒体：水）で200時間保持するプレッシャークッカ
ーテスト（PCT）をした後、体積抵抗を測定して評価し
た。なおプレッシャークッカーテストは、オートクレー
ブ中に純水を入れて、その中にテストピースを浸漬し、
オートクレーブごと120℃のオイルバスにつけ、内圧2kg
/cm2として200hrs保持した。
発明の効果 本発明は、ポリアミノビスマレイミド樹脂、Si原子に結
合したヒドロキシル基もしくはアルコキシル基を有する
シリコーンモノマー及び／又はオリゴマー、シリカとを
主成分としてなる樹脂組成物をトランスファー成形して
得た電子部品用成形体であって、これを半導体の封止や
半導体パッケージ用基板あるいはハイブリッドIC用基板
などに用いると、プレッシャークッカーテスト後の体積
抵抗値の低下が少なく、高耐熱性、低線膨張係数など、
従来のものに比べて格段優れたものが得られる。
合したヒドロキシル基もしくはアルコキシル基を有する
シリコーンモノマー及び／又はオリゴマー、シリカとを
主成分としてなる樹脂組成物をトランスファー成形して
得た電子部品用成形体であって、これを半導体の封止や
半導体パッケージ用基板あるいはハイブリッドIC用基板
などに用いると、プレッシャークッカーテスト後の体積
抵抗値の低下が少なく、高耐熱性、低線膨張係数など、
従来のものに比べて格段優れたものが得られる。
Claims (2)
- 【請求項１】ポリアミノビスマレイミド樹脂、Si原子に
結合したヒドロキシル基もしくはアルコキシル基を有す
るシリコーンモノマー及び／又はオリゴマー、並びにシ
リカより主としてなり、しかもポリアミノビスマレイミ
ド樹脂／シリコーンモノマー及び／又はオリゴマーの比
率が重量比で99.5/0.5〜70/30、ポリアミノビスマレイ
ミド樹脂／シリカの比率が重量比で100/100〜100/600で
あるポリイミド樹脂組成物をトランスファー成形して得
たことを特徴とする電子部品用成形体。 - 【請求項２】シリカが溶融シリカである特許請求の範囲
第１項記載の電子部品用成形体。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62089692A JPH0737571B2 (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | 電子部品用成形体 |
| CA000564011A CA1335616C (en) | 1987-04-14 | 1988-04-13 | Polyimide resin compositions |
| KR1019880004230A KR910004764B1 (ko) | 1987-04-14 | 1988-04-14 | 폴리이미드 수지조성물 |
| AT88303358T ATE108196T1 (de) | 1987-04-14 | 1988-04-14 | Polyimidharz-zusammensetzungen. |
| US07/181,529 US4885329A (en) | 1987-04-14 | 1988-04-14 | Polyimide resin compositions |
| EP88303358A EP0288209B1 (en) | 1987-04-14 | 1988-04-14 | Polyimide resin compositions |
| CN88102982A CN1024420C (zh) | 1987-04-14 | 1988-04-14 | 聚酰亚胺树脂组合物 |
| DE3850517T DE3850517T2 (de) | 1987-04-14 | 1988-04-14 | Polyimidharz-Zusammensetzungen. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62089692A JPH0737571B2 (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | 電子部品用成形体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63256652A JPS63256652A (ja) | 1988-10-24 |
| JPH0737571B2 true JPH0737571B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=13977814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62089692A Expired - Lifetime JPH0737571B2 (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | 電子部品用成形体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737571B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6445463A (en) * | 1987-08-13 | 1989-02-17 | Shinetsu Chemical Co | Addition type polyimide polymer composition |
| CN115850710B (zh) * | 2022-10-11 | 2023-09-15 | 苏州生益科技有限公司 | 改性双马来酰亚胺预聚物、树脂组合物及树脂组合物的应用 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2422696A1 (fr) * | 1978-04-13 | 1979-11-09 | Rhone Poulenc Ind | Polymeres a groupements imide |
| FR2460308A1 (fr) * | 1979-07-03 | 1981-01-23 | Rhone Poulenc Ind | Procede de preparation de polymeres a groupements imide modifies par du silicium |
-
1987
- 1987-04-14 JP JP62089692A patent/JPH0737571B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63256652A (ja) | 1988-10-24 |
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