JPH07320223A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH07320223A JPH07320223A JP10886494A JP10886494A JPH07320223A JP H07320223 A JPH07320223 A JP H07320223A JP 10886494 A JP10886494 A JP 10886494A JP 10886494 A JP10886494 A JP 10886494A JP H07320223 A JPH07320223 A JP H07320223A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 一対のコア半体の接合強度を上げてチップコ
アの品質、歩留まりを改善したＭＩＧ型磁気ヘッド。 【構成】 強磁性体のコア半体２の接合面にＦｅＴａＮ
合金磁性膜４と非磁性体のギャップスペーサ５を積層し
て、一対のコア半体２をガラス接合してチップコア１を
構成したＭＩＧ型磁気ヘッドで、ギャップスペーサ５が
ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ 3 酸化膜５ａと酸化シリコン膜５ｂと
ガラス膜５ｃの積層体とする。ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化
膜５ａは、ＦｅＴａＮ合金磁性膜４とほぼ同一の熱膨張
係数の材質で、コア半体２のガラス接合時の熱でＦｅＴ
ａＮ合金磁性膜４から剥離せず、ＦｅＴａＮ合金磁性膜
４とギャップスペーサ５の接合強度を安定させて、一対
のチップコア１の接合強度、チップコア１の強度を増大
させる。ガラス膜５ｃは、一対のコア半体２のガラス接
合面積を増大させて、チップコア１の強度を尚更に増大
させる。
アの品質、歩留まりを改善したＭＩＧ型磁気ヘッド。 【構成】 強磁性体のコア半体２の接合面にＦｅＴａＮ
合金磁性膜４と非磁性体のギャップスペーサ５を積層し
て、一対のコア半体２をガラス接合してチップコア１を
構成したＭＩＧ型磁気ヘッドで、ギャップスペーサ５が
ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ 3 酸化膜５ａと酸化シリコン膜５ｂと
ガラス膜５ｃの積層体とする。ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化
膜５ａは、ＦｅＴａＮ合金磁性膜４とほぼ同一の熱膨張
係数の材質で、コア半体２のガラス接合時の熱でＦｅＴ
ａＮ合金磁性膜４から剥離せず、ＦｅＴａＮ合金磁性膜
４とギャップスペーサ５の接合強度を安定させて、一対
のチップコア１の接合強度、チップコア１の強度を増大
させる。ガラス膜５ｃは、一対のコア半体２のガラス接
合面積を増大させて、チップコア１の強度を尚更に増大
させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強磁性体のコアと非磁
性体のギャップスペーサの間に高飽和磁束密度の金属磁
性膜を形成したＭＩＧ［メタルインギャップ］型磁気ヘ
ッドに関する。
性体のギャップスペーサの間に高飽和磁束密度の金属磁
性膜を形成したＭＩＧ［メタルインギャップ］型磁気ヘ
ッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスクなどの磁気記録媒体に高
記録密度で情報の読み書きをするＭＩＧ型磁気ヘッドの
チップコア例を図７に示し説明すると、このチップコア
１’は一対のコア半体２をガラス３で接合一体化して構
成される。一対のコア半体２は、フェライト等の強磁性
体で、図８に示すように、互いに接合される接合面に高
飽和磁束密度の金属磁性膜４と非磁性体のギャップスペ
ーサであるＳｉＯ2 の酸化シリコン膜７を積層してい
る。
記録密度で情報の読み書きをするＭＩＧ型磁気ヘッドの
チップコア例を図７に示し説明すると、このチップコア
１’は一対のコア半体２をガラス３で接合一体化して構
成される。一対のコア半体２は、フェライト等の強磁性
体で、図８に示すように、互いに接合される接合面に高
飽和磁束密度の金属磁性膜４と非磁性体のギャップスペ
ーサであるＳｉＯ2 の酸化シリコン膜７を積層してい
る。
【０００３】金属磁性膜４はＦｅＴａＮ合金磁性膜など
の薄膜で、この膜上に酸化シリコン膜７が形成される。
一対のコア半体２は、接合面中央部に巻線用の凹部６を
有する。図９に示すように、一対のコア半体２を突き合
わせ、このときの凹部６で形成される空間に挿入された
ガラス棒３’を溶融させることで、一対のコア半体２が
ガラス接合される。ガラス接合された一対のコア半体２
の頂面の接合部に、一対のコア半体２における酸化シリ
コン膜７の膜厚で決まる磁気ギャップが形成される。
の薄膜で、この膜上に酸化シリコン膜７が形成される。
一対のコア半体２は、接合面中央部に巻線用の凹部６を
有する。図９に示すように、一対のコア半体２を突き合
わせ、このときの凹部６で形成される空間に挿入された
ガラス棒３’を溶融させることで、一対のコア半体２が
ガラス接合される。ガラス接合された一対のコア半体２
の頂面の接合部に、一対のコア半体２における酸化シリ
コン膜７の膜厚で決まる磁気ギャップが形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一対のコア半体２をガ
ラス接合するときの熱処理時、或いは、チップコア１’
を外部部材にガラス溶着などで取付けるときの熱処理時
に、コア半体２の金属磁性膜４からギャップスペーサの
酸化シリコン膜７が部分的に剥離することがあった。例
えば、図９の状態で一対のコア半体２をガラス接合する
とき、ガラス棒３’を約５５０℃に加熱して溶融させて
いるが、このガラス接合時の加熱と冷却の段階で酸化シ
リコン膜７が金属磁性膜４から部分的に剥離して、一対
のコア半体２の機械的接合強度が弱くなり、これが原因
でチップコア製品の歩留まりが悪くなることがあった。
ラス接合するときの熱処理時、或いは、チップコア１’
を外部部材にガラス溶着などで取付けるときの熱処理時
に、コア半体２の金属磁性膜４からギャップスペーサの
酸化シリコン膜７が部分的に剥離することがあった。例
えば、図９の状態で一対のコア半体２をガラス接合する
とき、ガラス棒３’を約５５０℃に加熱して溶融させて
いるが、このガラス接合時の加熱と冷却の段階で酸化シ
リコン膜７が金属磁性膜４から部分的に剥離して、一対
のコア半体２の機械的接合強度が弱くなり、これが原因
でチップコア製品の歩留まりが悪くなることがあった。
【０００５】本発明の目的とするところは、一対のコア
半体の接合強度を上げてチップコアの品質、歩留まりを
改善したＭＩＧ型磁気ヘッドを提供することにある。
半体の接合強度を上げてチップコアの品質、歩留まりを
改善したＭＩＧ型磁気ヘッドを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、一対の強磁性
体のコア半体の接合面に高飽和磁束密度のＦｅＴａＮ合
金磁性膜と非磁性体のギャップスペーサを積層して、一
対のコア半体を接合一体化したチップコアを有するＭＩ
Ｇ型磁気ヘッドであって、ギャップスペーサにＦｅＴａ
Ｎ合金磁性膜とほぼ同一の熱膨張係数でＦｅＴａＮ合金
磁性膜上に直接に形成されるＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜
を設けることで、上記目的を達成するものである。
体のコア半体の接合面に高飽和磁束密度のＦｅＴａＮ合
金磁性膜と非磁性体のギャップスペーサを積層して、一
対のコア半体を接合一体化したチップコアを有するＭＩ
Ｇ型磁気ヘッドであって、ギャップスペーサにＦｅＴａ
Ｎ合金磁性膜とほぼ同一の熱膨張係数でＦｅＴａＮ合金
磁性膜上に直接に形成されるＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜
を設けることで、上記目的を達成するものである。
【０００７】また、本発明においては上記ＺｒＯ2 −Ｙ
2 Ｏ3 酸化膜上にガラス膜、或いは、ＳｉＯ2 膜を形成
してギャップスペーサとすること、特に上記ＺｒＯ2 −
Ｙ2Ｏ3 酸化膜上にＳｉＯ2 膜とガラス膜を積層してギ
ャップスペーサとすることが、磁気ヘッドの品質改善上
に望ましい。
2 Ｏ3 酸化膜上にガラス膜、或いは、ＳｉＯ2 膜を形成
してギャップスペーサとすること、特に上記ＺｒＯ2 −
Ｙ2Ｏ3 酸化膜上にＳｉＯ2 膜とガラス膜を積層してギ
ャップスペーサとすることが、磁気ヘッドの品質改善上
に望ましい。
【０００８】
【作用】本発明者は、ＭＩＧ型磁気ヘッドにおけるコア
半体やチップコアの熱処理時にコア半体のＦｅＴａＮ合
金磁性膜からギャップスペーサの酸化シリコン膜が部分
的に剥離する原因の１つに、ＦｅＴａＮ合金磁性膜と酸
化シリコン膜の熱膨張係数の差が大き過ぎることがある
と考え、ＦｅＴａＮ合金磁性膜上にこのＦｅＴａＮ合金
磁性膜とほぼ同一の熱膨張係数のＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸
化膜を形成した。その結果、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜
が酸化シリコン膜などと共にギャップスペーサとなり、
コア熱処理時にほぼ同一の熱膨張係数となりこの間には
剥離がほとんど発生せず、ＦｅＴａＮ合金磁性膜からギ
ャップスペーサが部分的に剥がれてコア半体の接合強度
が低下する問題が解決された。
半体やチップコアの熱処理時にコア半体のＦｅＴａＮ合
金磁性膜からギャップスペーサの酸化シリコン膜が部分
的に剥離する原因の１つに、ＦｅＴａＮ合金磁性膜と酸
化シリコン膜の熱膨張係数の差が大き過ぎることがある
と考え、ＦｅＴａＮ合金磁性膜上にこのＦｅＴａＮ合金
磁性膜とほぼ同一の熱膨張係数のＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸
化膜を形成した。その結果、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜
が酸化シリコン膜などと共にギャップスペーサとなり、
コア熱処理時にほぼ同一の熱膨張係数となりこの間には
剥離がほとんど発生せず、ＦｅＴａＮ合金磁性膜からギ
ャップスペーサが部分的に剥がれてコア半体の接合強度
が低下する問題が解決された。
【０００９】
【実施例】以下、各種実施例について図１乃至図６を参
照して説明する。なお、図７乃至図９を含む全図を通じ
て同一、又は、相当部分には同一符号が付してある。
照して説明する。なお、図７乃至図９を含む全図を通じ
て同一、又は、相当部分には同一符号が付してある。
【００１０】図１乃至図３は第１の実施例を説明するた
めのもので、一対のコア半体２の接合面に高飽和磁束密
度のＦｅＴａＮ合金磁性膜４と非磁性体のギャップスペ
ーサ５が積層され、一対のコア半体２がガラス３で接合
一体化されてＭＩＧ型チップコア１が構成される。この
第１の実施例においては、コア半体２のＦｅＴａＮ合金
磁性膜４上にこれとほぼ同一の熱膨張係数のＺｒＯ2 −
Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａを形成し、この上に酸化シリコン膜
５ｂとガラス膜５ｃを積層して、ＺｒＯ2 −Ｙ 2 Ｏ3 酸
化膜５ａと酸化シリコン膜５ｂとガラス膜５ｃの三者で
ギャップスペーサ５を形成したことを特徴とする。
めのもので、一対のコア半体２の接合面に高飽和磁束密
度のＦｅＴａＮ合金磁性膜４と非磁性体のギャップスペ
ーサ５が積層され、一対のコア半体２がガラス３で接合
一体化されてＭＩＧ型チップコア１が構成される。この
第１の実施例においては、コア半体２のＦｅＴａＮ合金
磁性膜４上にこれとほぼ同一の熱膨張係数のＺｒＯ2 −
Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａを形成し、この上に酸化シリコン膜
５ｂとガラス膜５ｃを積層して、ＺｒＯ2 −Ｙ 2 Ｏ3 酸
化膜５ａと酸化シリコン膜５ｂとガラス膜５ｃの三者で
ギャップスペーサ５を形成したことを特徴とする。
【００１１】ＦｅＴａＮ合金磁性膜４上に直接形成され
るＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａは、ジルコニアイット
リウム［ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 ］の他アルミナ［Ａｌ2 Ｏ
3 ］なども適している。ＦｅＴａＮ合金磁性膜４が熱膨
張係数１１２×１０-7／℃の場合、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3
酸化膜５ａはＦｅＴａＮ合金磁性膜の熱膨張係数１１２
×１０-7／℃に極近い熱膨張係数１０３×１０-7／℃の
ものが適切である。その理由は後述する。
るＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａは、ジルコニアイット
リウム［ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 ］の他アルミナ［Ａｌ2 Ｏ
3 ］なども適している。ＦｅＴａＮ合金磁性膜４が熱膨
張係数１１２×１０-7／℃の場合、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3
酸化膜５ａはＦｅＴａＮ合金磁性膜の熱膨張係数１１２
×１０-7／℃に極近い熱膨張係数１０３×１０-7／℃の
ものが適切である。その理由は後述する。
【００１２】ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａと酸化シリ
コン膜５ｂとガラス膜５ｃの三者は、それぞれに膜厚が
規定されて、所定の厚さのギャップスペーサ５を形成す
る。ガラス膜５ｃは、ギャップスペーサ５となると共
に、次のように一対のコア半体２の磁気ギャップ対向面
の接合に使用される。
コン膜５ｂとガラス膜５ｃの三者は、それぞれに膜厚が
規定されて、所定の厚さのギャップスペーサ５を形成す
る。ガラス膜５ｃは、ギャップスペーサ５となると共
に、次のように一対のコア半体２の磁気ギャップ対向面
の接合に使用される。
【００１３】図２及び図３に示すように、一対のコア半
体２の互いのガラス膜５ｃを接合させた状態で、コア半
体２の凹部６で形成された空間にガラス棒３’を挿入
し、ガラス棒３’とガラス膜５ｃを加熱溶融させること
で、一対のコア半体２がガラス接合されてチップコア１
が形成される。ガラス膜５ｃは、ガラス棒３’より低融
点のいわゆる低融点ガラスが望ましく、ガラス膜５ｃに
低融点ガラスを用いた場合は、ガラス膜５ｃが先に溶融
してコア半体２の磁気ギャップ面がガラス溶着された
後、ガラス棒３’が溶融してコア半体２が確実にガラス
接合される。このように一対のコア半体２をガラス接合
すると、ガラス膜５ｃによる磁気ギャップ面のガラス接
合の分だけガラス接合面積が増大して、一対のコア半体
２の接合強度が増大する。
体２の互いのガラス膜５ｃを接合させた状態で、コア半
体２の凹部６で形成された空間にガラス棒３’を挿入
し、ガラス棒３’とガラス膜５ｃを加熱溶融させること
で、一対のコア半体２がガラス接合されてチップコア１
が形成される。ガラス膜５ｃは、ガラス棒３’より低融
点のいわゆる低融点ガラスが望ましく、ガラス膜５ｃに
低融点ガラスを用いた場合は、ガラス膜５ｃが先に溶融
してコア半体２の磁気ギャップ面がガラス溶着された
後、ガラス棒３’が溶融してコア半体２が確実にガラス
接合される。このように一対のコア半体２をガラス接合
すると、ガラス膜５ｃによる磁気ギャップ面のガラス接
合の分だけガラス接合面積が増大して、一対のコア半体
２の接合強度が増大する。
【００１４】なお、一対のコア半体２を融点の異なる２
種類のガラス３とガラス膜５ｃで接合一体化すると、チ
ップコア１を外部部材にガラス溶着などで取付けるとき
の熱処理温度をガラス膜５ｃが溶融してもガラス３が溶
融しないように設定しておくことで、チップコア１の一
対のコア半体２は常にガラス３で安定して接合された状
態にあって、一対のコア半体２の相互の位置ズレが防止
でき、チップコア１の品質が安定する。
種類のガラス３とガラス膜５ｃで接合一体化すると、チ
ップコア１を外部部材にガラス溶着などで取付けるとき
の熱処理温度をガラス膜５ｃが溶融してもガラス３が溶
融しないように設定しておくことで、チップコア１の一
対のコア半体２は常にガラス３で安定して接合された状
態にあって、一対のコア半体２の相互の位置ズレが防止
でき、チップコア１の品質が安定する。
【００１５】上記実施例において、一対のコア半体２の
ガラス接合時、ＦｅＴａＮ合金磁性膜４とギャップスペ
ーサ５の間に部分的な剥離は生じない。即ち、ＦｅＴａ
Ｎ合金磁性膜４とＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａの熱膨
張係数差が微小で、両者がほぼ一体的に熱膨張及び収縮
する結果、ＦｅＴａＮ合金磁性膜４からＺｒＯ2 −Ｙ 2
Ｏ3 酸化膜５ａが部分的にせよ剥離する心配が無くな
る。例えばＦｅＴａＮ合金磁性膜４が熱膨張係数１１２
×１０-7／℃のＦｅＴａＮ合金、ＺｒＯ2 −Ｙ2Ｏ3 酸
化膜５ａが熱膨張係数１０３×１０-7／℃のジルコニア
イットリウムの場合、両者の熱膨張係数差が９×１０-7
／℃と小さく、このようにＦｅＴａＮ合金磁性膜４とＺ
ｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａの熱膨張係数の差が約４５
×１０-7／℃以下の範囲にあると、ＦｅＴａＮ合金磁性
膜４とＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａの間で部分的な剥
離が確実に防止されることが実験で実証された。
ガラス接合時、ＦｅＴａＮ合金磁性膜４とギャップスペ
ーサ５の間に部分的な剥離は生じない。即ち、ＦｅＴａ
Ｎ合金磁性膜４とＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａの熱膨
張係数差が微小で、両者がほぼ一体的に熱膨張及び収縮
する結果、ＦｅＴａＮ合金磁性膜４からＺｒＯ2 −Ｙ 2
Ｏ3 酸化膜５ａが部分的にせよ剥離する心配が無くな
る。例えばＦｅＴａＮ合金磁性膜４が熱膨張係数１１２
×１０-7／℃のＦｅＴａＮ合金、ＺｒＯ2 −Ｙ2Ｏ3 酸
化膜５ａが熱膨張係数１０３×１０-7／℃のジルコニア
イットリウムの場合、両者の熱膨張係数差が９×１０-7
／℃と小さく、このようにＦｅＴａＮ合金磁性膜４とＺ
ｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａの熱膨張係数の差が約４５
×１０-7／℃以下の範囲にあると、ＦｅＴａＮ合金磁性
膜４とＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａの間で部分的な剥
離が確実に防止されることが実験で実証された。
【００１６】また、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａとそ
の上の酸化シリコン膜５ｂは、共に酸化物同士で元々に
接合性が良くて、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａと酸化
シリコン膜５ｂの熱膨張係数の差で酸化シリコン膜５ｂ
がＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａから剥がれる心配がな
い。そのため、結果的にＦｅＴａＮ合金磁性膜４とギャ
ップスペーサ５の間に部分的な剥離が生じず、一対のコ
ア半体２のガラス接合部の機械的強度が増大し、この強
度増大と上記したガラス膜５ｃによる接合強度増大の効
果も加わって、チップコア１の強度が一段と向上する。
の上の酸化シリコン膜５ｂは、共に酸化物同士で元々に
接合性が良くて、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａと酸化
シリコン膜５ｂの熱膨張係数の差で酸化シリコン膜５ｂ
がＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａから剥がれる心配がな
い。そのため、結果的にＦｅＴａＮ合金磁性膜４とギャ
ップスペーサ５の間に部分的な剥離が生じず、一対のコ
ア半体２のガラス接合部の機械的強度が増大し、この強
度増大と上記したガラス膜５ｃによる接合強度増大の効
果も加わって、チップコア１の強度が一段と向上する。
【００１７】一対のコア半体２のガラス膜５ｃ下の酸化
シリコン膜５ｂは、ギャップスペーサ５の一部を形成す
ると共に、ガラス膜５ｃに含まれる酸素成分がＦｅＴａ
Ｎ合金磁性膜４に拡散するのを防止するバリヤとして作
用する。即ち、一対のコア半体２の磁気ギャップ対向面
をガラス膜５ｃでガラス接合するときの熱で、ガラス膜
５ｃに含まれる酸素成分が酸化シリコン膜５ｂからＦｅ
ＴａＮ合金磁性膜４に向けて拡散しようとするが、酸化
シリコン膜５ｂが酸素成分の拡散通過を阻止して、酸素
成分でＦｅＴａＮ合金磁性膜４が劣化するのを防止す
る。
シリコン膜５ｂは、ギャップスペーサ５の一部を形成す
ると共に、ガラス膜５ｃに含まれる酸素成分がＦｅＴａ
Ｎ合金磁性膜４に拡散するのを防止するバリヤとして作
用する。即ち、一対のコア半体２の磁気ギャップ対向面
をガラス膜５ｃでガラス接合するときの熱で、ガラス膜
５ｃに含まれる酸素成分が酸化シリコン膜５ｂからＦｅ
ＴａＮ合金磁性膜４に向けて拡散しようとするが、酸化
シリコン膜５ｂが酸素成分の拡散通過を阻止して、酸素
成分でＦｅＴａＮ合金磁性膜４が劣化するのを防止す
る。
【００１８】ＭＩＧ型磁気ヘッドの種類によっては、コ
ア半体２の磁気ギャップ対向面をガラス膜５ｃで接合す
る構造に限らず、次の変更が可能である。
ア半体２の磁気ギャップ対向面をガラス膜５ｃで接合す
る構造に限らず、次の変更が可能である。
【００１９】図４に示される第２の実施例は、コア半体
２の接合面のＦｅＴａＮ合金磁性膜４上にＺｒＯ2 −Ｙ
2 Ｏ3 酸化膜５ａだけを形成して、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3
酸化膜５ａだけでギャップスペーサ５を形成している。
この場合、一対のコア半体２のＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化
膜５ａ同士を接合しておいて、一対のコア半体２がガラ
ス接合され、このときもＦｅＴａＮ合金磁性膜４からＺ
ｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａが剥がれる心配が無く、チ
ップコア１の強度が増大する。
２の接合面のＦｅＴａＮ合金磁性膜４上にＺｒＯ2 −Ｙ
2 Ｏ3 酸化膜５ａだけを形成して、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3
酸化膜５ａだけでギャップスペーサ５を形成している。
この場合、一対のコア半体２のＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化
膜５ａ同士を接合しておいて、一対のコア半体２がガラ
ス接合され、このときもＦｅＴａＮ合金磁性膜４からＺ
ｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａが剥がれる心配が無く、チ
ップコア１の強度が増大する。
【００２０】図５に示される第３の実施例は、コア半体
２の接合面のＦｅＴａＮ合金磁性膜４上にＺｒＯ2 −Ｙ
2 Ｏ3 酸化膜５ａとガラス膜５ｃだけを形成して、Ｚｒ
Ｏ2−Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａとガラス膜５ｃでギャップス
ペーサ５を形成している。この第３の実施例は、ガラス
膜５ｃが溶融するときに酸素成分がＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ 3
酸化膜５ａを通過してＦｅＴａＮ合金磁性膜４を劣化さ
せる心配が若干あるが、ガラス膜５ｃによる一対のコア
半体２の接合強度増大の効果が優先される磁気ヘッドに
好適である。
２の接合面のＦｅＴａＮ合金磁性膜４上にＺｒＯ2 −Ｙ
2 Ｏ3 酸化膜５ａとガラス膜５ｃだけを形成して、Ｚｒ
Ｏ2−Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａとガラス膜５ｃでギャップス
ペーサ５を形成している。この第３の実施例は、ガラス
膜５ｃが溶融するときに酸素成分がＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ 3
酸化膜５ａを通過してＦｅＴａＮ合金磁性膜４を劣化さ
せる心配が若干あるが、ガラス膜５ｃによる一対のコア
半体２の接合強度増大の効果が優先される磁気ヘッドに
好適である。
【００２１】図６に示される第４の実施例は、コア半体
２の接合面のＦｅＴａＮ合金磁性膜４上にＺｒＯ2 −Ｙ
2 Ｏ3 酸化膜５ａと酸化シリコン膜５ｂだけを形成し
て、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａと酸化シリコン膜５
ｂでギャップスペーサ５を形成している。この場合、一
対のコア半体２の酸化シリコン膜５ｂ同士を接合してお
いて、一対のコア半体２がガラス接合されて、強度の増
大したチップコア１が得られる。
２の接合面のＦｅＴａＮ合金磁性膜４上にＺｒＯ2 −Ｙ
2 Ｏ3 酸化膜５ａと酸化シリコン膜５ｂだけを形成し
て、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜５ａと酸化シリコン膜５
ｂでギャップスペーサ５を形成している。この場合、一
対のコア半体２の酸化シリコン膜５ｂ同士を接合してお
いて、一対のコア半体２がガラス接合されて、強度の増
大したチップコア１が得られる。
【００２２】尚、前記ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜はその
他の熱膨張係数が７０〜１３０×１０-7／℃である金属
酸化膜であってもよく、また、前記ガラス膜は４００〜
６００℃の温度でガラスが溶融するものが適している。
更に、ＦｅＴａＮ合金磁性膜の熱膨張係数とＺｒＯ2 −
Ｙ2 Ｏ3 酸化膜の熱膨張係数との差が４５×１０-7／℃
以下で構成されれば、ギャップ形成が最適に行なわれる
ことが判明した。
他の熱膨張係数が７０〜１３０×１０-7／℃である金属
酸化膜であってもよく、また、前記ガラス膜は４００〜
６００℃の温度でガラスが溶融するものが適している。
更に、ＦｅＴａＮ合金磁性膜の熱膨張係数とＺｒＯ2 −
Ｙ2 Ｏ3 酸化膜の熱膨張係数との差が４５×１０-7／℃
以下で構成されれば、ギャップ形成が最適に行なわれる
ことが判明した。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、コア半体の接合面のＦ
ｅＴａＮ合金磁性膜上に直接にほぼ同一熱膨張係数のＺ
ｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜を形成し、このＺｒＯ2 −Ｙ2
Ｏ3 酸化膜を含めてギャップスペーサを形成したので、
一対のコア半体のガラス接合時などの熱処理時にＦｅＴ
ａＮ合金磁性膜からギャップスペーサが部分的に剥離す
る心配がほぼ皆無となり、一対のコア半体の接合強度、
チップコアの強度の一段と増大した高信頼度、製造歩留
まりの良いＭＩＧ型磁気ヘッドが提供できる。
ｅＴａＮ合金磁性膜上に直接にほぼ同一熱膨張係数のＺ
ｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜を形成し、このＺｒＯ2 −Ｙ2
Ｏ3 酸化膜を含めてギャップスペーサを形成したので、
一対のコア半体のガラス接合時などの熱処理時にＦｅＴ
ａＮ合金磁性膜からギャップスペーサが部分的に剥離す
る心配がほぼ皆無となり、一対のコア半体の接合強度、
チップコアの強度の一段と増大した高信頼度、製造歩留
まりの良いＭＩＧ型磁気ヘッドが提供できる。
【００２４】また、ＦｅＴａＮ合金磁性膜上に形成され
たギャップスペーサの最上層をガラス膜にして、ガラス
膜で一対のコア半体の磁気ギャップ対向面をガラス接合
するようにすると、一対のコア半体のガラス接合面積が
ガラス膜の分だけ増大し、接合強度の尚更の増大化が図
れる。
たギャップスペーサの最上層をガラス膜にして、ガラス
膜で一対のコア半体の磁気ギャップ対向面をガラス接合
するようにすると、一対のコア半体のガラス接合面積が
ガラス膜の分だけ増大し、接合強度の尚更の増大化が図
れる。
【００２５】また、ＦｅＴａＮ合金磁性膜上にＺｒＯ2
−Ｙ2 Ｏ3 酸化膜、酸化シリコン膜、ガラス膜を積層し
て、ガラス膜で一対のコア半体の磁気ギャップ対向面を
ガラス接合すると、ガラス膜で一対のコア半体の接合強
度が増大すると共に、酸化シリコン膜がガラス膜の酸素
成分がＦｅＴａＮ合金磁性膜に拡散して劣化させるのを
未然に防止して、品質の安定したＭＩＧ型磁気ヘッドが
提供できる。
−Ｙ2 Ｏ3 酸化膜、酸化シリコン膜、ガラス膜を積層し
て、ガラス膜で一対のコア半体の磁気ギャップ対向面を
ガラス接合すると、ガラス膜で一対のコア半体の接合強
度が増大すると共に、酸化シリコン膜がガラス膜の酸素
成分がＦｅＴａＮ合金磁性膜に拡散して劣化させるのを
未然に防止して、品質の安定したＭＩＧ型磁気ヘッドが
提供できる。
【図１】本発明の第１の実施例を示すＭＩＧ型磁気ヘッ
ドにおけるチップコアの部分拡大図を含む正面図
ドにおけるチップコアの部分拡大図を含む正面図
【図２】図１のチップコアを構成するコア半体の接合前
の部分正面図
の部分正面図
【図３】図１のチップコアのガラス接合時の正面図
【図４】本発明の第２の実施例を示すＭＩＧ型磁気ヘッ
ドにおけるチップコアの部分正面図
ドにおけるチップコアの部分正面図
【図５】本発明の第３の実施例を示すＭＩＧ型磁気ヘッ
ドにおけるチップコアの部分正面図
ドにおけるチップコアの部分正面図
【図６】本発明の第４の実施例を示すＭＩＧ型磁気ヘッ
ドにおけるチップコアの部分正面図
ドにおけるチップコアの部分正面図
【図７】従来のＭＩＧ型磁気ヘッドにおけるチップコア
の部分拡大図を含む正面図
の部分拡大図を含む正面図
【図８】図７のチップコアを構成するコア半体の接合前
の部分正面図
の部分正面図
【図９】図７のチップコアのガラス接合時の正面図
１ チップコア ２ コア半体 ３ ガラス ４ ＦｅＴａＮ合金磁性膜 ５ ギャップスペーサ ５ａ ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜 ５ｂ 酸化シリコン膜 ５ｃ ガラス膜
Claims (4)
- 【請求項１】 一対の強磁性体のコア半体の接合面に高
飽和磁束密度のＦｅＴａＮ合金磁性膜と非磁性体のギャ
ップスペーサを積層して、一対のコア半体を接合一体化
したチップコアを有するＭＩＧ型磁気ヘッドであって、 前記ギャップスペーサが、ＦｅＴａＮ合金磁性膜とほぼ
同一の熱膨張係数でＦｅＴａＮ合金磁性膜上に直接に形
成されるＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜からなることを特徴
とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記ギャップスペーサが、ＦｅＴａＮ合
金磁性膜上に直接に形成されるＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化
膜と、このＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜上に形成されるガ
ラス膜からなることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘ
ッド。 - 【請求項３】 前記ギャップスペーサが、ＦｅＴａＮ合
金磁性膜上に直接に形成されるＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化
膜と、このＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜上に形成されるＳ
ｉＯ2 膜からなることを特徴とする請求項１記載の磁気
ヘッド。 - 【請求項４】 前記ギャップスペーサが、ＦｅＴａＮ合
金磁性膜とほぼ同一の熱膨張係数でＦｅＴａＮ合金磁性
膜上に直接に形成されるＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3酸化膜と、
このＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 酸化膜上に形成されるＳｉＯ2
膜と、このＳｉＯ2 膜上に形成されるガラス膜の積層体
であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10886494A JPH07320223A (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10886494A JPH07320223A (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07320223A true JPH07320223A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14495528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10886494A Withdrawn JPH07320223A (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07320223A (ja) |
-
1994
- 1994-05-24 JP JP10886494A patent/JPH07320223A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010731 |