JPH07320224A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH07320224A JPH07320224A JP10886994A JP10886994A JPH07320224A JP H07320224 A JPH07320224 A JP H07320224A JP 10886994 A JP10886994 A JP 10886994A JP 10886994 A JP10886994 A JP 10886994A JP H07320224 A JPH07320224 A JP H07320224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core
- oxide film
- film
- pair
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 コアの接合強度の高め、MIG型磁気ヘッド
の品質、歩留りを改善する。 【構成】 一対の強磁性体のコア半体2の接合面に高飽
和磁束密度の金属磁性膜4と非磁性体の酸化シリコン膜
6とを積層し、一対のコア半体2を接合一体化したチッ
プコア11を有するMIG型磁気ヘッドにおいて、前記
金属磁性膜4と酸化シリコン膜6との間に金属磁性膜4
とほぼ同一の熱膨張係数を有するジルコニア酸化膜12
を形成する。また、接合部がコアの熱歪み等の応力に充
分耐え得るようなコア半体2の形状構造にする。
の品質、歩留りを改善する。 【構成】 一対の強磁性体のコア半体2の接合面に高飽
和磁束密度の金属磁性膜4と非磁性体の酸化シリコン膜
6とを積層し、一対のコア半体2を接合一体化したチッ
プコア11を有するMIG型磁気ヘッドにおいて、前記
金属磁性膜4と酸化シリコン膜6との間に金属磁性膜4
とほぼ同一の熱膨張係数を有するジルコニア酸化膜12
を形成する。また、接合部がコアの熱歪み等の応力に充
分耐え得るようなコア半体2の形状構造にする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は強磁性体のコアと非磁
性体のギャップスペーサの間に高飽和磁束密度のセンダ
スト等の金属磁性膜を形成したMIG[メタルインギャ
ップ]型磁気ヘッド、特に該磁気ヘッドのチップコアの
接合構造に関する。
性体のギャップスペーサの間に高飽和磁束密度のセンダ
スト等の金属磁性膜を形成したMIG[メタルインギャ
ップ]型磁気ヘッド、特に該磁気ヘッドのチップコアの
接合構造に関する。
【0002】
【従来の技術】ハードディスクなどの磁気記録媒体に高
記録密度で情報の読み書きをするMIG型磁気ヘッドの
チップコア例を図6に示し説明すると、このチップコア
1は一対のコア半体2をガラス3で接合一体化して構成
される。コア半体2は、フェライト等の強磁性体で、図
7に示すように、互いに接合される接合面に高飽和磁束
密度の金属磁性膜4と非磁性体のギャップスペーサ5で
あるSiO2 の酸化シリコン膜6及びガラス膜7を積層
している。
記録密度で情報の読み書きをするMIG型磁気ヘッドの
チップコア例を図6に示し説明すると、このチップコア
1は一対のコア半体2をガラス3で接合一体化して構成
される。コア半体2は、フェライト等の強磁性体で、図
7に示すように、互いに接合される接合面に高飽和磁束
密度の金属磁性膜4と非磁性体のギャップスペーサ5で
あるSiO2 の酸化シリコン膜6及びガラス膜7を積層
している。
【0003】金属磁性膜4はFeTaN,FeZrN,
FeTiNなどの金属磁性材料の薄膜で、この金属磁性
膜4上に酸化シリコン膜6とガラス膜7が積層して被膜
される。一対のコア半体2は、接合面の中央部に巻線用
の凹部8を有する。そして、図8に示すように、一対の
コア半体2を突き合わせ、このときの凹部8で形成され
る空間に挿入されたガラス棒3’とコア半体2の接合面
上に被膜したガラス膜7を加熱して、ガラス膜7とガラ
ス棒3’を溶融させることで、一対のコア半体2がガラ
ス接合される。
FeTiNなどの金属磁性材料の薄膜で、この金属磁性
膜4上に酸化シリコン膜6とガラス膜7が積層して被膜
される。一対のコア半体2は、接合面の中央部に巻線用
の凹部8を有する。そして、図8に示すように、一対の
コア半体2を突き合わせ、このときの凹部8で形成され
る空間に挿入されたガラス棒3’とコア半体2の接合面
上に被膜したガラス膜7を加熱して、ガラス膜7とガラ
ス棒3’を溶融させることで、一対のコア半体2がガラ
ス接合される。
【0004】ガラス接合された一対のコア半体2は頂面
の接合端面に、一対のコア半体2における非磁性体のギ
ャップスペーサ5、つまり酸化シリコン膜6とガラス膜
7の膜厚とで決まる作動ギャップ9が形成される。尚、
一対のコア半体2のガラス接合には、上述のコア半体2
の接合面上に被膜したガラス膜7と凹部8の空間に挿入
したガラス棒3’の両者による接合の他、接合面上に被
膜したガラス膜7のみによる接合、あるいは凹部8の空
間に挿入したガラス棒3’のみによる接合がなされる。
の接合端面に、一対のコア半体2における非磁性体のギ
ャップスペーサ5、つまり酸化シリコン膜6とガラス膜
7の膜厚とで決まる作動ギャップ9が形成される。尚、
一対のコア半体2のガラス接合には、上述のコア半体2
の接合面上に被膜したガラス膜7と凹部8の空間に挿入
したガラス棒3’の両者による接合の他、接合面上に被
膜したガラス膜7のみによる接合、あるいは凹部8の空
間に挿入したガラス棒3’のみによる接合がなされる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成されるチップコア1は一対のコア半体2をガラ
ス接合するときの熱処理時、あるいは、チップコア1を
外部部材にガラス溶着などで取付けるときの熱処理時
に、コア半体2の金属磁性膜4から酸化シリコン膜6が
部分的に剥離することがあった。例えば、図8の状態で
一対のコア半体2をガラス接合するとき、ガラス棒3’
を約550℃に加熱して溶融させているが、このガラス
接合時の加熱と冷却の段階で、コア半体2が矢示するよ
うに歪んで接合部に応力がかかり、酸化シリコン膜6が
金属磁性膜4から部分的に剥離して、一対のコア半体2
の機械的接合強度が弱くなり、これが原因でチップコア
1の製品歩留まりが悪くなることがあった。
うに構成されるチップコア1は一対のコア半体2をガラ
ス接合するときの熱処理時、あるいは、チップコア1を
外部部材にガラス溶着などで取付けるときの熱処理時
に、コア半体2の金属磁性膜4から酸化シリコン膜6が
部分的に剥離することがあった。例えば、図8の状態で
一対のコア半体2をガラス接合するとき、ガラス棒3’
を約550℃に加熱して溶融させているが、このガラス
接合時の加熱と冷却の段階で、コア半体2が矢示するよ
うに歪んで接合部に応力がかかり、酸化シリコン膜6が
金属磁性膜4から部分的に剥離して、一対のコア半体2
の機械的接合強度が弱くなり、これが原因でチップコア
1の製品歩留まりが悪くなることがあった。
【0006】ところで、このようにガラス接合されるコ
アチップの機械的接合強度の向上には、コア半体の接合
面を凹、凸の嵌合構造にすることが考えられており、例
えば、図9に示すように、前部コアaと後部コアbとの
接合部にそれぞれ凸部cと凹部dとを、両コアa,bの
厚さ方向のほぼ中央部に幅方向に沿って対向して形成
し、これらの凸部cと凹部dとを互いに嵌合して接合す
るもの(特公平1−56449号公報)や、図10に示
すように、前部コアa’と後部コアb’との接合部に前
後方向に互いに嵌合するテーパを有する凹部c’と凸部
d’を形成し、これらの凹部c’と凸部d’を嵌合して
接合するようにした磁気ヘッドが提案されている。
アチップの機械的接合強度の向上には、コア半体の接合
面を凹、凸の嵌合構造にすることが考えられており、例
えば、図9に示すように、前部コアaと後部コアbとの
接合部にそれぞれ凸部cと凹部dとを、両コアa,bの
厚さ方向のほぼ中央部に幅方向に沿って対向して形成
し、これらの凸部cと凹部dとを互いに嵌合して接合す
るもの(特公平1−56449号公報)や、図10に示
すように、前部コアa’と後部コアb’との接合部に前
後方向に互いに嵌合するテーパを有する凹部c’と凸部
d’を形成し、これらの凹部c’と凸部d’を嵌合して
接合するようにした磁気ヘッドが提案されている。
【0007】しかしながら、これらは何れもコアの接合
部に一対の凹、凸する嵌合部を設け、接合面の機械的強
度を図ったものであるが、前者は両コアa,bの厚さ方
向に沿って凸部cと凹部dを形成するものであり、コア
の熱歪み等の応力には有効と思われるものの、コア自体
が小さいため、嵌合する凸部cや凹部dの形成が極めて
困難である。また、後者は両コアa’、b’の接合部に
嵌合するテーパを有する凹部c’と凸部d’を形成する
もので、凹部c’や凸部d’の形成は比較的可能である
ものの、テーパ状の嵌合構造であり、接合面の機械的強
度の改善は前者に比べて低いものであった。
部に一対の凹、凸する嵌合部を設け、接合面の機械的強
度を図ったものであるが、前者は両コアa,bの厚さ方
向に沿って凸部cと凹部dを形成するものであり、コア
の熱歪み等の応力には有効と思われるものの、コア自体
が小さいため、嵌合する凸部cや凹部dの形成が極めて
困難である。また、後者は両コアa’、b’の接合部に
嵌合するテーパを有する凹部c’と凸部d’を形成する
もので、凹部c’や凸部d’の形成は比較的可能である
ものの、テーパ状の嵌合構造であり、接合面の機械的強
度の改善は前者に比べて低いものであった。
【0008】また、これらの磁気ヘッドは何れも前部コ
アと後部コアを、コアの端部を突合わせて接合する構造
のものであり、本発明のように、一対の強磁性体のコア
半体を、コアの長手方向に沿って接合させ、接合端面に
作動ギャップを形成するMIG型磁気ヘッドに適用して
も接合面の機械的強度の改善は期待し得ないものであっ
た。
アと後部コアを、コアの端部を突合わせて接合する構造
のものであり、本発明のように、一対の強磁性体のコア
半体を、コアの長手方向に沿って接合させ、接合端面に
作動ギャップを形成するMIG型磁気ヘッドに適用して
も接合面の機械的強度の改善は期待し得ないものであっ
た。
【0009】従って、本発明の目的は、簡単な構造なが
ら、一対のコア半体の接合強度を上げてチップコアの品
質、歩留まりの改善がなされるMIG型磁気ヘッドを提
供することにある。
ら、一対のコア半体の接合強度を上げてチップコアの品
質、歩留まりの改善がなされるMIG型磁気ヘッドを提
供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は一対のコア半体の接合面に積層される非磁
性体の酸化シリコン膜が金属磁性膜から剥離しないよう
に接合部の接着強度を高めるように構成する。また、接
合部にコアの熱歪み等の応力が余りかからないようなコ
ア半体の形状構造にする。また、接合部がコアの熱歪み
等の応力に充分耐え得るようなコア半体の形状構造に構
成するもので、具体的には次のように構成する。即ち、
本発明の磁気ヘッドは一対の強磁性体のコア半体の接合
面に高飽和磁束密度の金属磁性膜と非磁性体の酸化シリ
コン膜とを積層し、一対のコア半体を接合一体化したチ
ップコアを有するMIG型磁気ヘッドにおいて、前記金
属磁性膜と酸化シリコン膜との間に金属磁性膜とほぼ同
一の熱膨張係数を有するジルコニア酸化膜を形成したこ
とを特徴としている。また、前記金属磁性膜はFeTa
Nで形成されたことを特徴としている。また、本発明の
磁気ヘッドは一対の強磁性体のコア半体の接合面に高飽
和磁束密度の金属磁性膜と非磁性体の酸化シリコン膜と
を積層し、一対のコア半体を接合一体化したチップコア
を有するMIG型磁気ヘッドにおいて、前記一対の強磁
性体はそれぞれ相対する垂直面と水平面に接合面を形成
した断面略L字型コア半体と断面略四角型コア半体とで
構成し、前記垂直面と水平面の接合面を互いに一体に接
合したことを特徴としている。また、本発明の磁気ヘッ
ドは一対の強磁性体のコア半体の接合面に高飽和磁束密
度の金属磁性膜と非磁性体の酸化シリコン膜とを積層
し、一対のコア半体を接合一体化したチップコアを有す
るMIG型磁気ヘッドにおいて、前記一対の強磁性体は
それぞれコアの長さ方向に沿って接合面を形成した断面
略直方型コア半体で構成すると共に、前記各接合面にコ
アの長さ方向と直交する方向に凹状溝と凸状溝を対向し
て形成し、これらの凹状溝と凸状溝を嵌合して接合面を
互いに一体に接合したことを特徴としている。また、前
記断面略L字型コア半体と断面略四角型コア半体及び前
記断面略直方型コア半体は前記接合面の金属磁性膜と酸
化シリコン膜との間に金属磁性膜とほぼ同一の熱膨張係
数を有するジルコニア酸化膜が形成されたことを特徴と
している。
め、本発明は一対のコア半体の接合面に積層される非磁
性体の酸化シリコン膜が金属磁性膜から剥離しないよう
に接合部の接着強度を高めるように構成する。また、接
合部にコアの熱歪み等の応力が余りかからないようなコ
ア半体の形状構造にする。また、接合部がコアの熱歪み
等の応力に充分耐え得るようなコア半体の形状構造に構
成するもので、具体的には次のように構成する。即ち、
本発明の磁気ヘッドは一対の強磁性体のコア半体の接合
面に高飽和磁束密度の金属磁性膜と非磁性体の酸化シリ
コン膜とを積層し、一対のコア半体を接合一体化したチ
ップコアを有するMIG型磁気ヘッドにおいて、前記金
属磁性膜と酸化シリコン膜との間に金属磁性膜とほぼ同
一の熱膨張係数を有するジルコニア酸化膜を形成したこ
とを特徴としている。また、前記金属磁性膜はFeTa
Nで形成されたことを特徴としている。また、本発明の
磁気ヘッドは一対の強磁性体のコア半体の接合面に高飽
和磁束密度の金属磁性膜と非磁性体の酸化シリコン膜と
を積層し、一対のコア半体を接合一体化したチップコア
を有するMIG型磁気ヘッドにおいて、前記一対の強磁
性体はそれぞれ相対する垂直面と水平面に接合面を形成
した断面略L字型コア半体と断面略四角型コア半体とで
構成し、前記垂直面と水平面の接合面を互いに一体に接
合したことを特徴としている。また、本発明の磁気ヘッ
ドは一対の強磁性体のコア半体の接合面に高飽和磁束密
度の金属磁性膜と非磁性体の酸化シリコン膜とを積層
し、一対のコア半体を接合一体化したチップコアを有す
るMIG型磁気ヘッドにおいて、前記一対の強磁性体は
それぞれコアの長さ方向に沿って接合面を形成した断面
略直方型コア半体で構成すると共に、前記各接合面にコ
アの長さ方向と直交する方向に凹状溝と凸状溝を対向し
て形成し、これらの凹状溝と凸状溝を嵌合して接合面を
互いに一体に接合したことを特徴としている。また、前
記断面略L字型コア半体と断面略四角型コア半体及び前
記断面略直方型コア半体は前記接合面の金属磁性膜と酸
化シリコン膜との間に金属磁性膜とほぼ同一の熱膨張係
数を有するジルコニア酸化膜が形成されたことを特徴と
している。
【0011】
【作用】ジルコニア酸化膜は金属磁性膜、特にFeTa
Nとほぼ同一の熱膨張係数に設定されており、コアの熱
処理時、金属磁性膜との間に殆ど剥離は発生しない。ま
た、ジルコニア酸化膜は酸化シリコン膜と同様に酸化物
であり、この間に剥離は生じない。
Nとほぼ同一の熱膨張係数に設定されており、コアの熱
処理時、金属磁性膜との間に殆ど剥離は発生しない。ま
た、ジルコニア酸化膜は酸化シリコン膜と同様に酸化物
であり、この間に剥離は生じない。
【0012】また、一対の強磁性体を断面略L字型コア
半体と断面略四角型コア半体とで構成し、コアの接合面
を互いに直交する縦、横の接合面で形成すると、接合面
にかかる応力が緩和される。また、断面略四角型コア半
体は四角状であり、直方状のものに比べて接合面にかか
る歪みの発生量が小さくなる。また、一対の強磁性体を
コアの長さ方向に沿って接合面を形成した断面略直方型
コア半体で構成し、且つ接合面に凹状溝と凸状溝を形成
すると、接合面へかかる応力が凹状溝と凸状溝の嵌合部
に付加され、接合強度が得られる。
半体と断面略四角型コア半体とで構成し、コアの接合面
を互いに直交する縦、横の接合面で形成すると、接合面
にかかる応力が緩和される。また、断面略四角型コア半
体は四角状であり、直方状のものに比べて接合面にかか
る歪みの発生量が小さくなる。また、一対の強磁性体を
コアの長さ方向に沿って接合面を形成した断面略直方型
コア半体で構成し、且つ接合面に凹状溝と凸状溝を形成
すると、接合面へかかる応力が凹状溝と凸状溝の嵌合部
に付加され、接合強度が得られる。
【0013】また、これらの接合強度を高めた各コア半
体は接合面の金属磁性膜と酸化シリコン膜との間にジル
コニア酸化膜を形成することで、コアの形状構造による
接合強度の向上に加えて、接合部の酸化シリコン膜の接
着強度が高められる。
体は接合面の金属磁性膜と酸化シリコン膜との間にジル
コニア酸化膜を形成することで、コアの形状構造による
接合強度の向上に加えて、接合部の酸化シリコン膜の接
着強度が高められる。
【0014】
【実施例】以下、本発明の各実施例を図1乃至図5を参
照して詳述する。尚、図6乃至図10を含み、同じ構成
部品、または相当する部品には同一参照符号を付してい
る。
照して詳述する。尚、図6乃至図10を含み、同じ構成
部品、または相当する部品には同一参照符号を付してい
る。
【0015】図1乃至図3は本発明の第1実施例を説明
するためのもので、非磁性体の酸化シリコン膜6が金属
磁性膜4から剥離しないように接合部の接着強度を高め
るように構成したものである。
するためのもので、非磁性体の酸化シリコン膜6が金属
磁性膜4から剥離しないように接合部の接着強度を高め
るように構成したものである。
【0016】即ち、このチップコア11は、前記従来の
チップコア1と同様に、一対のコア半体2の接合面に高
飽和磁束密度のFeTaN合金などの金属磁性膜4と非
磁性体のギャップスペーサ5となるSiO2 の酸化シリ
コン膜6及びガラス膜7を積層し、一対のコア半体2を
ガラス3で接合一体化して、接合面の一端に磁気記録媒
体に対向する作動ギャップ9を形成したMIG型磁気ヘ
ッドのチップコアである。
チップコア1と同様に、一対のコア半体2の接合面に高
飽和磁束密度のFeTaN合金などの金属磁性膜4と非
磁性体のギャップスペーサ5となるSiO2 の酸化シリ
コン膜6及びガラス膜7を積層し、一対のコア半体2を
ガラス3で接合一体化して、接合面の一端に磁気記録媒
体に対向する作動ギャップ9を形成したMIG型磁気ヘ
ッドのチップコアである。
【0017】この第1実施例において、前記チップコア
1と相違する点は金属磁性膜4と酸化シリコン膜6との
間に金属磁性膜とほぼ同一の熱膨張係数を有するジルコ
ニア酸化膜12を形成したことである。即ち、コア半体
2の金属磁性膜4上にジルコニア酸化膜12を積層し、
このジルコニア酸化膜12上に酸化シリコン膜6とガラ
ス膜7を順次積層したもので、ジルコニア酸化膜12と
酸化シリコン膜6とガラス膜7の3者でギャップスペー
サ5を形成しており、その他の構成は前記チップコア1
と同様の構成である。
1と相違する点は金属磁性膜4と酸化シリコン膜6との
間に金属磁性膜とほぼ同一の熱膨張係数を有するジルコ
ニア酸化膜12を形成したことである。即ち、コア半体
2の金属磁性膜4上にジルコニア酸化膜12を積層し、
このジルコニア酸化膜12上に酸化シリコン膜6とガラ
ス膜7を順次積層したもので、ジルコニア酸化膜12と
酸化シリコン膜6とガラス膜7の3者でギャップスペー
サ5を形成しており、その他の構成は前記チップコア1
と同様の構成である。
【0018】ジルコニア酸化膜[ZrO2 ]12は高飽
和磁束密度の金属磁性材料であるFeTaN,FeZr
N,FeTiN等の金属磁性膜4の熱膨張係数に近く、
特にFeTaNは熱膨張係数が112×10~7とジルコ
ニア酸化膜[ZrO2 ]12の熱膨張係数110×10
~7に極めて近い値であり、コア半体2のガラス接合時、
酸化シリコン膜6の金属磁性膜4からの剥離に対して、
FeTaNが適している。
和磁束密度の金属磁性材料であるFeTaN,FeZr
N,FeTiN等の金属磁性膜4の熱膨張係数に近く、
特にFeTaNは熱膨張係数が112×10~7とジルコ
ニア酸化膜[ZrO2 ]12の熱膨張係数110×10
~7に極めて近い値であり、コア半体2のガラス接合時、
酸化シリコン膜6の金属磁性膜4からの剥離に対して、
FeTaNが適している。
【0019】即ち、図3に示すように、一対のコア半体
2を突合わせ、互いのガラス膜7を接合させた状態で、
コア半体2の凹部8で形成された空間にガラス棒3’を
挿入し、ガラス棒3’とガラス膜7を加熱溶融させるこ
とで、一対のコア半体2がガラス接合されてチップコア
11が形成される。
2を突合わせ、互いのガラス膜7を接合させた状態で、
コア半体2の凹部8で形成された空間にガラス棒3’を
挿入し、ガラス棒3’とガラス膜7を加熱溶融させるこ
とで、一対のコア半体2がガラス接合されてチップコア
11が形成される。
【0020】この一対のコア半体2のガラス接合時、金
属磁性膜4とジルコニア酸化膜12の熱膨張係数差が微
小であり、特に金属磁性膜4がFeTaNで形成される
場合、両者の熱膨張係数の差が極めて小さいため、両者
がほぼ一体的に熱膨張及び収縮する結果、金属磁性膜4
からジルコニア酸化膜12が部分的にせよ剥離すること
がなくなることが確認された。
属磁性膜4とジルコニア酸化膜12の熱膨張係数差が微
小であり、特に金属磁性膜4がFeTaNで形成される
場合、両者の熱膨張係数の差が極めて小さいため、両者
がほぼ一体的に熱膨張及び収縮する結果、金属磁性膜4
からジルコニア酸化膜12が部分的にせよ剥離すること
がなくなることが確認された。
【0021】また、ジルコニア酸化膜12とその上の酸
化シリコン膜6は、共に酸化物同志で、元々接合性が良
く、ジルコニア酸化膜12と酸化シリコン膜6間で熱膨
張係数の差に起因して、酸化シリコン膜6がジルコニア
酸化膜12から剥がれる心配はない。
化シリコン膜6は、共に酸化物同志で、元々接合性が良
く、ジルコニア酸化膜12と酸化シリコン膜6間で熱膨
張係数の差に起因して、酸化シリコン膜6がジルコニア
酸化膜12から剥がれる心配はない。
【0022】そのため、結果的に一対のコア半体2のガ
ラス接合部の機械的強度が増大し、チップコア11の強
度が一段と向上する。
ラス接合部の機械的強度が増大し、チップコア11の強
度が一段と向上する。
【0023】図4は本発明の第2実施例を説明するため
のもので、接合部にコアの熱歪み等の応力が余りかから
ないように一対のコア半体2(2a,2b)の形状を構
成したものである。
のもので、接合部にコアの熱歪み等の応力が余りかから
ないように一対のコア半体2(2a,2b)の形状を構
成したものである。
【0024】即ち、このコアチップ13は前記従来の磁
気ヘッド1と同様に、一対の強磁性体のコア半体2の接
合面に高飽和磁束密度の金属磁性膜4と非磁性体の酸化
シリコン膜6とガラス膜7を積層し、一対のコア半体2
を接合一体化して、接合面の一端に磁気記録媒体に対向
する作動ギャップ9を形成したMIG型磁気ヘッドのチ
ップコアである。
気ヘッド1と同様に、一対の強磁性体のコア半体2の接
合面に高飽和磁束密度の金属磁性膜4と非磁性体の酸化
シリコン膜6とガラス膜7を積層し、一対のコア半体2
を接合一体化して、接合面の一端に磁気記録媒体に対向
する作動ギャップ9を形成したMIG型磁気ヘッドのチ
ップコアである。
【0025】このコアチップ13は一対の強磁性体のコ
ア半体2を、相対する垂直面と水平面にそれぞれ縦、横
の接合面A、Bを形成した断面略L字型コア半体2aと
断面略四角型コア半体2bとで構成し、これらの縦、横
の接合面A,Bで両コア半体2a、2bを一体に接合し
たものである。更に、詳細には、断面略四角型コア半体
2bは縦接合面Aの接合端面の前記作動ギャップ9形成
面の近傍に巻線窓用の凹部8が形成され、この巻線窓用
の凹部8を挟んで、前記縦、横の接合面A,Bで一対の
コア半体2a,2bが接合されている。
ア半体2を、相対する垂直面と水平面にそれぞれ縦、横
の接合面A、Bを形成した断面略L字型コア半体2aと
断面略四角型コア半体2bとで構成し、これらの縦、横
の接合面A,Bで両コア半体2a、2bを一体に接合し
たものである。更に、詳細には、断面略四角型コア半体
2bは縦接合面Aの接合端面の前記作動ギャップ9形成
面の近傍に巻線窓用の凹部8が形成され、この巻線窓用
の凹部8を挟んで、前記縦、横の接合面A,Bで一対の
コア半体2a,2bが接合されている。
【0026】このように、構成されたコアチップ13
は、図示しないが、両コア半体2a,2bの接合面A、
Bを突合わせ、互いのガラス膜7を接合させた状態で、
コア半体2bの凹部8で形成された空間にガラス棒を挿
入して、ガラス棒とガラス膜7を加熱溶融させること
で、前記従来のコアチップ1と同様にして、一対のコア
半体2a、2bがガラス接合され、チップコア13が形
成される。
は、図示しないが、両コア半体2a,2bの接合面A、
Bを突合わせ、互いのガラス膜7を接合させた状態で、
コア半体2bの凹部8で形成された空間にガラス棒を挿
入して、ガラス棒とガラス膜7を加熱溶融させること
で、前記従来のコアチップ1と同様にして、一対のコア
半体2a、2bがガラス接合され、チップコア13が形
成される。
【0027】この接合時、両コア半体2a,2bは縦、
横の接合面A、Bで接合されるから、前記図1のコアチ
ップ1のように、直方形のC形コア2を長手方向に接合
するものに比べて、接合部への歪みによる応力が緩和さ
れる。また、断面略四角型コア半体2bはブロック状で
全体的に熱的膨張、収縮するため、直方形のC形コア2
に比べて、歪みの発生量が小さく、接合面A,Bに付加
される応力自体も小さくなり、酸化シリコン膜6が金属
磁性膜4から剥離することがなくなる。
横の接合面A、Bで接合されるから、前記図1のコアチ
ップ1のように、直方形のC形コア2を長手方向に接合
するものに比べて、接合部への歪みによる応力が緩和さ
れる。また、断面略四角型コア半体2bはブロック状で
全体的に熱的膨張、収縮するため、直方形のC形コア2
に比べて、歪みの発生量が小さく、接合面A,Bに付加
される応力自体も小さくなり、酸化シリコン膜6が金属
磁性膜4から剥離することがなくなる。
【0028】尚、巻線窓用の凹部8は断面略四角型コア
半体2b側に形成したが、断面略L字型コア半体2a側
に形成したり、双方のコア半体2a,2bに形成しても
よい。
半体2b側に形成したが、断面略L字型コア半体2a側
に形成したり、双方のコア半体2a,2bに形成しても
よい。
【0029】図5は本発明の3実施例を説明するための
ものであり、接合部をコアの熱歪み等の応力に充分耐え
得るように一対のコア半体2(2c,2d)の形状を構
成したものである。
ものであり、接合部をコアの熱歪み等の応力に充分耐え
得るように一対のコア半体2(2c,2d)の形状を構
成したものである。
【0030】即ち、このコアチップ15も、前記従来の
コアチップ1と同様に、一対の強磁性体のコア半体2の
接合面に高飽和磁束密度の金属磁性膜4と非磁性体の酸
化シリコン膜6とガラス膜7を積層し、一対のコア半体
2を接合一体化して、接合端面に磁気記録媒体に対向す
る作動ギャップ9を形成したMIG型磁気ヘッドのチッ
プコアである。そして、両コア半体2c、2dは、従来
のコアチップ1と同様に、コアの長手方向に沿ってそれ
ぞれ接合面を形成したC形の断面略直方型に形成され、
接合端面の上記作動ギャップ9形成面の近傍に巻線窓用
の凹部8が形成されている。
コアチップ1と同様に、一対の強磁性体のコア半体2の
接合面に高飽和磁束密度の金属磁性膜4と非磁性体の酸
化シリコン膜6とガラス膜7を積層し、一対のコア半体
2を接合一体化して、接合端面に磁気記録媒体に対向す
る作動ギャップ9を形成したMIG型磁気ヘッドのチッ
プコアである。そして、両コア半体2c、2dは、従来
のコアチップ1と同様に、コアの長手方向に沿ってそれ
ぞれ接合面を形成したC形の断面略直方型に形成され、
接合端面の上記作動ギャップ9形成面の近傍に巻線窓用
の凹部8が形成されている。
【0031】このコアチップ15において、上記従来の
コアチップ1と異なる点は、両コア半体2c、2dの接
合面にそれぞれコアの長さ方向と直交する凸状溝16と
凹状溝17とを対向して形成し、凸状溝16を凹状溝1
7に嵌合して、接合面を接合したことである。
コアチップ1と異なる点は、両コア半体2c、2dの接
合面にそれぞれコアの長さ方向と直交する凸状溝16と
凹状溝17とを対向して形成し、凸状溝16を凹状溝1
7に嵌合して、接合面を接合したことである。
【0032】このように構成されたコアチップ15は、
接合面がコアの長さ方向Lに沿って凸状溝16が凹状溝
17に嵌合して接合されているため、接合面を解離する
方向にコアの応力が付与されても、応力がこの嵌合部に
かかり、接合強度が得られる。
接合面がコアの長さ方向Lに沿って凸状溝16が凹状溝
17に嵌合して接合されているため、接合面を解離する
方向にコアの応力が付与されても、応力がこの嵌合部に
かかり、接合強度が得られる。
【0033】次に、このように接合強度が高められた上
記コアチップ13及び15は、各コア半体2(2a、2
b、2c、2d)の接合面の金属磁性膜4と酸化シリコ
ン膜6との間に、図示しないが、ジルコニア酸化膜12
を形成すると、各コア半体2(2a、2b、2c、2
d)のコアの形状構造による接合強度の向上に加えて、
接合部の酸化シリコン膜6の接着強度が高められ、各コ
ア半体2の接合強度が可及的に高められ、チップコアの
品質、歩留まりが更に改善できる。
記コアチップ13及び15は、各コア半体2(2a、2
b、2c、2d)の接合面の金属磁性膜4と酸化シリコ
ン膜6との間に、図示しないが、ジルコニア酸化膜12
を形成すると、各コア半体2(2a、2b、2c、2
d)のコアの形状構造による接合強度の向上に加えて、
接合部の酸化シリコン膜6の接着強度が高められ、各コ
ア半体2の接合強度が可及的に高められ、チップコアの
品質、歩留まりが更に改善できる。
【0034】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、一対の
コア半体の表面に積層される金属磁性膜と酸化シリコン
膜との間に金属磁性膜とほぼ同一の熱膨張係数を有する
ジルコニア酸化膜を形成したから、酸化シリコン膜の接
着強度が向上し、チップコアの酸化シリコン膜の剥離が
解消される。また、接合強度が得られるように各コア半
体の形状、構造に構成したから、チップコアの強度が得
られ、コア品質、歩留まりの改善されたMIG型磁気ヘ
ッドを提供することができる。
コア半体の表面に積層される金属磁性膜と酸化シリコン
膜との間に金属磁性膜とほぼ同一の熱膨張係数を有する
ジルコニア酸化膜を形成したから、酸化シリコン膜の接
着強度が向上し、チップコアの酸化シリコン膜の剥離が
解消される。また、接合強度が得られるように各コア半
体の形状、構造に構成したから、チップコアの強度が得
られ、コア品質、歩留まりの改善されたMIG型磁気ヘ
ッドを提供することができる。
【図1】本発明の第1の実施例を示すMIG型磁気ヘッ
ドにおけるチップコアの部分拡大図を含む正面図
ドにおけるチップコアの部分拡大図を含む正面図
【図2】図1のチップコアを構成するコア半体の接合前
の部分正面図
の部分正面図
【図3】図1のチップコアのガラス接合時の正面図
【図4】本発明の第2の実施例を示すMIG型磁気ヘッ
ドにおけるチップコアの正面図
ドにおけるチップコアの正面図
【図5】本発明の第3の実施例を示すMIG型磁気ヘッ
ドにおけるチップコアの正面図
ドにおけるチップコアの正面図
【図6】従来のMIG型磁気ヘッドにおけるチップコア
の部分拡大図を含む正面図
の部分拡大図を含む正面図
【図7】図6のチップコアを構成するコア半体の接合前
の部分正面図
の部分正面図
【図8】図6のチップコアのガラス接合時の正面図
【図9】従来の他のMIG型磁気ヘッドで、チップコア
の接合構造例を示す斜視図
の接合構造例を示す斜視図
【図10】従来の他のMIG型磁気ヘッドで、チップコ
アの接合構造例を示す斜視図
アの接合構造例を示す斜視図
2 コア半体 2a 断面略L字型コア半体 2b 断面略四角型コア半体 2c 断面略直方型コア半体 2d 断面略直方型コア半体 4 金属磁性膜 6 酸化シリコン膜 11 チップコア 12 ジルコニア酸化膜 13 磁気ヘッド 15 磁気ヘッド 16 凸状溝 17 凹状溝 A 縦接合面 B 横接合面
Claims (4)
- 【請求項1】 一対の強磁性体のコア半体の接合面に高
飽和磁束密度の金属磁性膜と非磁性体の酸化シリコン膜
とを積層し、一対のコア半体を接合一体化したチップコ
アを有するMIG型磁気ヘッドにおいて、 前記金属磁性膜と酸化シリコン膜との間に金属磁性膜と
ほぼ同一の熱膨張係数を有するジルコニア酸化膜を形成
したことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項2】 一対の強磁性体のコア半体の接合面に高
飽和磁束密度の金属磁性膜と非磁性体の酸化シリコン膜
とを積層し、一対のコア半体を接合一体化したチップコ
アを有するMIG型磁気ヘッドにおいて、 前記一対の強磁性体はそれぞれ相対する垂直面と水平面
に接合面を形成した断面略L字型コア半体と断面略四角
型コア半体とで構成し、前記垂直面と水平面の接合面を
互いに一体に接合したことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項3】 一対の強磁性体のコア半体の接合面に高
飽和磁束密度の金属磁性膜と非磁性体の酸化シリコン膜
とを積層し、一対のコア半体を接合一体化したチップコ
アを有するMIG型磁気ヘッドにおいて、 前記一対の強磁性体はそれぞれコアの長さ方向に沿って
接合面を形成した断面略直方型コア半体で構成すると共
に、前記各接合面にコアの長さ方向と直交する方向に凹
状溝と凸状溝を対向して形成し、これらの凹状溝と凸状
溝を嵌合して接合面を互いに一体に接合したことを特徴
とする磁気ヘッド。 - 【請求項4】 前記断面略L字型コア半体と断面略四角
型コア半体及び前記断面略直方型コア半体は前記接合面
の金属磁性膜と酸化シリコン膜との間に金属磁性膜とほ
ぼ同一の熱膨張係数を有するジルコニア酸化膜が形成さ
れたことを特徴とする請求項2乃至3記載の磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10886994A JPH07320224A (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10886994A JPH07320224A (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07320224A true JPH07320224A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14495656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10886994A Withdrawn JPH07320224A (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07320224A (ja) |
-
1994
- 1994-05-24 JP JP10886994A patent/JPH07320224A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH07320224A (ja) | 磁気ヘッド | |
JPH08329409A (ja) | 磁気ヘッド | |
JPH0629768Y2 (ja) | 磁気ヘツド | |
JPH0448416A (ja) | 磁気ヘッド | |
JPH07320223A (ja) | 磁気ヘッド | |
JPH03222109A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
JPS63263608A (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
JPH06251309A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
JPH0258712A (ja) | 磁気ヘッドおよびこの磁気ヘッドの製造方法 | |
JPH0554581A (ja) | 浮上式磁気ヘツド | |
JPH0822602A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
JPH06338024A (ja) | 磁気ヘッド | |
JPH07192217A (ja) | 磁気ヘッド | |
JPH0294004A (ja) | 磁気ヘッド | |
JPS61153807A (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
JPH0724091B2 (ja) | 磁気ヘッドチップおよび複合型磁気ヘッド | |
JPH01106302A (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
JPH07129911A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
JPH07244816A (ja) | 磁気ヘッド | |
JPH10283610A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JPS6254807A (ja) | 磁気ヘツド及びその製造方法 | |
JPH06338027A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
JPH02216603A (ja) | 複合型磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
JPH02247807A (ja) | 磁気ヘッド | |
JPH0349003A (ja) | 磁気ヘッド |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010731 |