JPH07320224A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH07320224A JPH07320224A JP10886994A JP10886994A JPH07320224A JP H07320224 A JPH07320224 A JP H07320224A JP 10886994 A JP10886994 A JP 10886994A JP 10886994 A JP10886994 A JP 10886994A JP H07320224 A JPH07320224 A JP H07320224A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コアの接合強度の高め、ＭＩＧ型磁気ヘッド
の品質、歩留りを改善する。 【構成】 一対の強磁性体のコア半体２の接合面に高飽
和磁束密度の金属磁性膜４と非磁性体の酸化シリコン膜
６とを積層し、一対のコア半体２を接合一体化したチッ
プコア１１を有するＭＩＧ型磁気ヘッドにおいて、前記
金属磁性膜４と酸化シリコン膜６との間に金属磁性膜４
とほぼ同一の熱膨張係数を有するジルコニア酸化膜１２
を形成する。また、接合部がコアの熱歪み等の応力に充
分耐え得るようなコア半体２の形状構造にする。
の品質、歩留りを改善する。 【構成】 一対の強磁性体のコア半体２の接合面に高飽
和磁束密度の金属磁性膜４と非磁性体の酸化シリコン膜
６とを積層し、一対のコア半体２を接合一体化したチッ
プコア１１を有するＭＩＧ型磁気ヘッドにおいて、前記
金属磁性膜４と酸化シリコン膜６との間に金属磁性膜４
とほぼ同一の熱膨張係数を有するジルコニア酸化膜１２
を形成する。また、接合部がコアの熱歪み等の応力に充
分耐え得るようなコア半体２の形状構造にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は強磁性体のコアと非磁
性体のギャップスペーサの間に高飽和磁束密度のセンダ
スト等の金属磁性膜を形成したＭＩＧ［メタルインギャ
ップ］型磁気ヘッド、特に該磁気ヘッドのチップコアの
接合構造に関する。
性体のギャップスペーサの間に高飽和磁束密度のセンダ
スト等の金属磁性膜を形成したＭＩＧ［メタルインギャ
ップ］型磁気ヘッド、特に該磁気ヘッドのチップコアの
接合構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスクなどの磁気記録媒体に高
記録密度で情報の読み書きをするＭＩＧ型磁気ヘッドの
チップコア例を図６に示し説明すると、このチップコア
１は一対のコア半体２をガラス３で接合一体化して構成
される。コア半体２は、フェライト等の強磁性体で、図
７に示すように、互いに接合される接合面に高飽和磁束
密度の金属磁性膜４と非磁性体のギャップスペーサ５で
あるＳｉＯ2 の酸化シリコン膜６及びガラス膜７を積層
している。
記録密度で情報の読み書きをするＭＩＧ型磁気ヘッドの
チップコア例を図６に示し説明すると、このチップコア
１は一対のコア半体２をガラス３で接合一体化して構成
される。コア半体２は、フェライト等の強磁性体で、図
７に示すように、互いに接合される接合面に高飽和磁束
密度の金属磁性膜４と非磁性体のギャップスペーサ５で
あるＳｉＯ2 の酸化シリコン膜６及びガラス膜７を積層
している。
【０００３】金属磁性膜４はＦｅＴａＮ，ＦｅＺｒＮ，
ＦｅＴｉＮなどの金属磁性材料の薄膜で、この金属磁性
膜４上に酸化シリコン膜６とガラス膜７が積層して被膜
される。一対のコア半体２は、接合面の中央部に巻線用
の凹部８を有する。そして、図８に示すように、一対の
コア半体２を突き合わせ、このときの凹部８で形成され
る空間に挿入されたガラス棒３’とコア半体２の接合面
上に被膜したガラス膜７を加熱して、ガラス膜７とガラ
ス棒３’を溶融させることで、一対のコア半体２がガラ
ス接合される。
ＦｅＴｉＮなどの金属磁性材料の薄膜で、この金属磁性
膜４上に酸化シリコン膜６とガラス膜７が積層して被膜
される。一対のコア半体２は、接合面の中央部に巻線用
の凹部８を有する。そして、図８に示すように、一対の
コア半体２を突き合わせ、このときの凹部８で形成され
る空間に挿入されたガラス棒３’とコア半体２の接合面
上に被膜したガラス膜７を加熱して、ガラス膜７とガラ
ス棒３’を溶融させることで、一対のコア半体２がガラ
ス接合される。
【０００４】ガラス接合された一対のコア半体２は頂面
の接合端面に、一対のコア半体２における非磁性体のギ
ャップスペーサ５、つまり酸化シリコン膜６とガラス膜
７の膜厚とで決まる作動ギャップ９が形成される。尚、
一対のコア半体２のガラス接合には、上述のコア半体２
の接合面上に被膜したガラス膜７と凹部８の空間に挿入
したガラス棒３’の両者による接合の他、接合面上に被
膜したガラス膜７のみによる接合、あるいは凹部８の空
間に挿入したガラス棒３’のみによる接合がなされる。
の接合端面に、一対のコア半体２における非磁性体のギ
ャップスペーサ５、つまり酸化シリコン膜６とガラス膜
７の膜厚とで決まる作動ギャップ９が形成される。尚、
一対のコア半体２のガラス接合には、上述のコア半体２
の接合面上に被膜したガラス膜７と凹部８の空間に挿入
したガラス棒３’の両者による接合の他、接合面上に被
膜したガラス膜７のみによる接合、あるいは凹部８の空
間に挿入したガラス棒３’のみによる接合がなされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成されるチップコア１は一対のコア半体２をガラ
ス接合するときの熱処理時、あるいは、チップコア１を
外部部材にガラス溶着などで取付けるときの熱処理時
に、コア半体２の金属磁性膜４から酸化シリコン膜６が
部分的に剥離することがあった。例えば、図８の状態で
一対のコア半体２をガラス接合するとき、ガラス棒３’
を約５５０℃に加熱して溶融させているが、このガラス
接合時の加熱と冷却の段階で、コア半体２が矢示するよ
うに歪んで接合部に応力がかかり、酸化シリコン膜６が
金属磁性膜４から部分的に剥離して、一対のコア半体２
の機械的接合強度が弱くなり、これが原因でチップコア
１の製品歩留まりが悪くなることがあった。
うに構成されるチップコア１は一対のコア半体２をガラ
ス接合するときの熱処理時、あるいは、チップコア１を
外部部材にガラス溶着などで取付けるときの熱処理時
に、コア半体２の金属磁性膜４から酸化シリコン膜６が
部分的に剥離することがあった。例えば、図８の状態で
一対のコア半体２をガラス接合するとき、ガラス棒３’
を約５５０℃に加熱して溶融させているが、このガラス
接合時の加熱と冷却の段階で、コア半体２が矢示するよ
うに歪んで接合部に応力がかかり、酸化シリコン膜６が
金属磁性膜４から部分的に剥離して、一対のコア半体２
の機械的接合強度が弱くなり、これが原因でチップコア
１の製品歩留まりが悪くなることがあった。
【０００６】ところで、このようにガラス接合されるコ
アチップの機械的接合強度の向上には、コア半体の接合
面を凹、凸の嵌合構造にすることが考えられており、例
えば、図９に示すように、前部コアａと後部コアｂとの
接合部にそれぞれ凸部ｃと凹部ｄとを、両コアａ，ｂの
厚さ方向のほぼ中央部に幅方向に沿って対向して形成
し、これらの凸部ｃと凹部ｄとを互いに嵌合して接合す
るもの（特公平１−５６４４９号公報）や、図１０に示
すように、前部コアａ’と後部コアｂ’との接合部に前
後方向に互いに嵌合するテーパを有する凹部ｃ’と凸部
ｄ’を形成し、これらの凹部ｃ’と凸部ｄ’を嵌合して
接合するようにした磁気ヘッドが提案されている。
アチップの機械的接合強度の向上には、コア半体の接合
面を凹、凸の嵌合構造にすることが考えられており、例
えば、図９に示すように、前部コアａと後部コアｂとの
接合部にそれぞれ凸部ｃと凹部ｄとを、両コアａ，ｂの
厚さ方向のほぼ中央部に幅方向に沿って対向して形成
し、これらの凸部ｃと凹部ｄとを互いに嵌合して接合す
るもの（特公平１−５６４４９号公報）や、図１０に示
すように、前部コアａ’と後部コアｂ’との接合部に前
後方向に互いに嵌合するテーパを有する凹部ｃ’と凸部
ｄ’を形成し、これらの凹部ｃ’と凸部ｄ’を嵌合して
接合するようにした磁気ヘッドが提案されている。
【０００７】しかしながら、これらは何れもコアの接合
部に一対の凹、凸する嵌合部を設け、接合面の機械的強
度を図ったものであるが、前者は両コアａ，ｂの厚さ方
向に沿って凸部ｃと凹部ｄを形成するものであり、コア
の熱歪み等の応力には有効と思われるものの、コア自体
が小さいため、嵌合する凸部ｃや凹部ｄの形成が極めて
困難である。また、後者は両コアａ’、ｂ’の接合部に
嵌合するテーパを有する凹部ｃ’と凸部ｄ’を形成する
もので、凹部ｃ’や凸部ｄ’の形成は比較的可能である
ものの、テーパ状の嵌合構造であり、接合面の機械的強
度の改善は前者に比べて低いものであった。
部に一対の凹、凸する嵌合部を設け、接合面の機械的強
度を図ったものであるが、前者は両コアａ，ｂの厚さ方
向に沿って凸部ｃと凹部ｄを形成するものであり、コア
の熱歪み等の応力には有効と思われるものの、コア自体
が小さいため、嵌合する凸部ｃや凹部ｄの形成が極めて
困難である。また、後者は両コアａ’、ｂ’の接合部に
嵌合するテーパを有する凹部ｃ’と凸部ｄ’を形成する
もので、凹部ｃ’や凸部ｄ’の形成は比較的可能である
ものの、テーパ状の嵌合構造であり、接合面の機械的強
度の改善は前者に比べて低いものであった。
【０００８】また、これらの磁気ヘッドは何れも前部コ
アと後部コアを、コアの端部を突合わせて接合する構造
のものであり、本発明のように、一対の強磁性体のコア
半体を、コアの長手方向に沿って接合させ、接合端面に
作動ギャップを形成するＭＩＧ型磁気ヘッドに適用して
も接合面の機械的強度の改善は期待し得ないものであっ
た。
アと後部コアを、コアの端部を突合わせて接合する構造
のものであり、本発明のように、一対の強磁性体のコア
半体を、コアの長手方向に沿って接合させ、接合端面に
作動ギャップを形成するＭＩＧ型磁気ヘッドに適用して
も接合面の機械的強度の改善は期待し得ないものであっ
た。
【０００９】従って、本発明の目的は、簡単な構造なが
ら、一対のコア半体の接合強度を上げてチップコアの品
質、歩留まりの改善がなされるＭＩＧ型磁気ヘッドを提
供することにある。
ら、一対のコア半体の接合強度を上げてチップコアの品
質、歩留まりの改善がなされるＭＩＧ型磁気ヘッドを提
供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は一対のコア半体の接合面に積層される非磁
性体の酸化シリコン膜が金属磁性膜から剥離しないよう
に接合部の接着強度を高めるように構成する。また、接
合部にコアの熱歪み等の応力が余りかからないようなコ
ア半体の形状構造にする。また、接合部がコアの熱歪み
等の応力に充分耐え得るようなコア半体の形状構造に構
成するもので、具体的には次のように構成する。即ち、
本発明の磁気ヘッドは一対の強磁性体のコア半体の接合
面に高飽和磁束密度の金属磁性膜と非磁性体の酸化シリ
コン膜とを積層し、一対のコア半体を接合一体化したチ
ップコアを有するＭＩＧ型磁気ヘッドにおいて、前記金
属磁性膜と酸化シリコン膜との間に金属磁性膜とほぼ同
一の熱膨張係数を有するジルコニア酸化膜を形成したこ
とを特徴としている。また、前記金属磁性膜はＦｅＴａ
Ｎで形成されたことを特徴としている。また、本発明の
磁気ヘッドは一対の強磁性体のコア半体の接合面に高飽
和磁束密度の金属磁性膜と非磁性体の酸化シリコン膜と
を積層し、一対のコア半体を接合一体化したチップコア
を有するＭＩＧ型磁気ヘッドにおいて、前記一対の強磁
性体はそれぞれ相対する垂直面と水平面に接合面を形成
した断面略Ｌ字型コア半体と断面略四角型コア半体とで
構成し、前記垂直面と水平面の接合面を互いに一体に接
合したことを特徴としている。また、本発明の磁気ヘッ
ドは一対の強磁性体のコア半体の接合面に高飽和磁束密
度の金属磁性膜と非磁性体の酸化シリコン膜とを積層
し、一対のコア半体を接合一体化したチップコアを有す
るＭＩＧ型磁気ヘッドにおいて、前記一対の強磁性体は
それぞれコアの長さ方向に沿って接合面を形成した断面
略直方型コア半体で構成すると共に、前記各接合面にコ
アの長さ方向と直交する方向に凹状溝と凸状溝を対向し
て形成し、これらの凹状溝と凸状溝を嵌合して接合面を
互いに一体に接合したことを特徴としている。また、前
記断面略Ｌ字型コア半体と断面略四角型コア半体及び前
記断面略直方型コア半体は前記接合面の金属磁性膜と酸
化シリコン膜との間に金属磁性膜とほぼ同一の熱膨張係
数を有するジルコニア酸化膜が形成されたことを特徴と
している。
め、本発明は一対のコア半体の接合面に積層される非磁
性体の酸化シリコン膜が金属磁性膜から剥離しないよう
に接合部の接着強度を高めるように構成する。また、接
合部にコアの熱歪み等の応力が余りかからないようなコ
ア半体の形状構造にする。また、接合部がコアの熱歪み
等の応力に充分耐え得るようなコア半体の形状構造に構
成するもので、具体的には次のように構成する。即ち、
本発明の磁気ヘッドは一対の強磁性体のコア半体の接合
面に高飽和磁束密度の金属磁性膜と非磁性体の酸化シリ
コン膜とを積層し、一対のコア半体を接合一体化したチ
ップコアを有するＭＩＧ型磁気ヘッドにおいて、前記金
属磁性膜と酸化シリコン膜との間に金属磁性膜とほぼ同
一の熱膨張係数を有するジルコニア酸化膜を形成したこ
とを特徴としている。また、前記金属磁性膜はＦｅＴａ
Ｎで形成されたことを特徴としている。また、本発明の
磁気ヘッドは一対の強磁性体のコア半体の接合面に高飽
和磁束密度の金属磁性膜と非磁性体の酸化シリコン膜と
を積層し、一対のコア半体を接合一体化したチップコア
を有するＭＩＧ型磁気ヘッドにおいて、前記一対の強磁
性体はそれぞれ相対する垂直面と水平面に接合面を形成
した断面略Ｌ字型コア半体と断面略四角型コア半体とで
構成し、前記垂直面と水平面の接合面を互いに一体に接
合したことを特徴としている。また、本発明の磁気ヘッ
ドは一対の強磁性体のコア半体の接合面に高飽和磁束密
度の金属磁性膜と非磁性体の酸化シリコン膜とを積層
し、一対のコア半体を接合一体化したチップコアを有す
るＭＩＧ型磁気ヘッドにおいて、前記一対の強磁性体は
それぞれコアの長さ方向に沿って接合面を形成した断面
略直方型コア半体で構成すると共に、前記各接合面にコ
アの長さ方向と直交する方向に凹状溝と凸状溝を対向し
て形成し、これらの凹状溝と凸状溝を嵌合して接合面を
互いに一体に接合したことを特徴としている。また、前
記断面略Ｌ字型コア半体と断面略四角型コア半体及び前
記断面略直方型コア半体は前記接合面の金属磁性膜と酸
化シリコン膜との間に金属磁性膜とほぼ同一の熱膨張係
数を有するジルコニア酸化膜が形成されたことを特徴と
している。
【００１１】
【作用】ジルコニア酸化膜は金属磁性膜、特にＦｅＴａ
Ｎとほぼ同一の熱膨張係数に設定されており、コアの熱
処理時、金属磁性膜との間に殆ど剥離は発生しない。ま
た、ジルコニア酸化膜は酸化シリコン膜と同様に酸化物
であり、この間に剥離は生じない。
Ｎとほぼ同一の熱膨張係数に設定されており、コアの熱
処理時、金属磁性膜との間に殆ど剥離は発生しない。ま
た、ジルコニア酸化膜は酸化シリコン膜と同様に酸化物
であり、この間に剥離は生じない。
【００１２】また、一対の強磁性体を断面略Ｌ字型コア
半体と断面略四角型コア半体とで構成し、コアの接合面
を互いに直交する縦、横の接合面で形成すると、接合面
にかかる応力が緩和される。また、断面略四角型コア半
体は四角状であり、直方状のものに比べて接合面にかか
る歪みの発生量が小さくなる。また、一対の強磁性体を
コアの長さ方向に沿って接合面を形成した断面略直方型
コア半体で構成し、且つ接合面に凹状溝と凸状溝を形成
すると、接合面へかかる応力が凹状溝と凸状溝の嵌合部
に付加され、接合強度が得られる。
半体と断面略四角型コア半体とで構成し、コアの接合面
を互いに直交する縦、横の接合面で形成すると、接合面
にかかる応力が緩和される。また、断面略四角型コア半
体は四角状であり、直方状のものに比べて接合面にかか
る歪みの発生量が小さくなる。また、一対の強磁性体を
コアの長さ方向に沿って接合面を形成した断面略直方型
コア半体で構成し、且つ接合面に凹状溝と凸状溝を形成
すると、接合面へかかる応力が凹状溝と凸状溝の嵌合部
に付加され、接合強度が得られる。
【００１３】また、これらの接合強度を高めた各コア半
体は接合面の金属磁性膜と酸化シリコン膜との間にジル
コニア酸化膜を形成することで、コアの形状構造による
接合強度の向上に加えて、接合部の酸化シリコン膜の接
着強度が高められる。
体は接合面の金属磁性膜と酸化シリコン膜との間にジル
コニア酸化膜を形成することで、コアの形状構造による
接合強度の向上に加えて、接合部の酸化シリコン膜の接
着強度が高められる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の各実施例を図１乃至図５を参
照して詳述する。尚、図６乃至図１０を含み、同じ構成
部品、または相当する部品には同一参照符号を付してい
る。
照して詳述する。尚、図６乃至図１０を含み、同じ構成
部品、または相当する部品には同一参照符号を付してい
る。
【００１５】図１乃至図３は本発明の第１実施例を説明
するためのもので、非磁性体の酸化シリコン膜６が金属
磁性膜４から剥離しないように接合部の接着強度を高め
るように構成したものである。
するためのもので、非磁性体の酸化シリコン膜６が金属
磁性膜４から剥離しないように接合部の接着強度を高め
るように構成したものである。
【００１６】即ち、このチップコア１１は、前記従来の
チップコア１と同様に、一対のコア半体２の接合面に高
飽和磁束密度のＦｅＴａＮ合金などの金属磁性膜４と非
磁性体のギャップスペーサ５となるＳｉＯ2 の酸化シリ
コン膜６及びガラス膜７を積層し、一対のコア半体２を
ガラス３で接合一体化して、接合面の一端に磁気記録媒
体に対向する作動ギャップ９を形成したＭＩＧ型磁気ヘ
ッドのチップコアである。
チップコア１と同様に、一対のコア半体２の接合面に高
飽和磁束密度のＦｅＴａＮ合金などの金属磁性膜４と非
磁性体のギャップスペーサ５となるＳｉＯ2 の酸化シリ
コン膜６及びガラス膜７を積層し、一対のコア半体２を
ガラス３で接合一体化して、接合面の一端に磁気記録媒
体に対向する作動ギャップ９を形成したＭＩＧ型磁気ヘ
ッドのチップコアである。
【００１７】この第１実施例において、前記チップコア
１と相違する点は金属磁性膜４と酸化シリコン膜６との
間に金属磁性膜とほぼ同一の熱膨張係数を有するジルコ
ニア酸化膜１２を形成したことである。即ち、コア半体
２の金属磁性膜４上にジルコニア酸化膜１２を積層し、
このジルコニア酸化膜１２上に酸化シリコン膜６とガラ
ス膜７を順次積層したもので、ジルコニア酸化膜１２と
酸化シリコン膜６とガラス膜７の３者でギャップスペー
サ５を形成しており、その他の構成は前記チップコア１
と同様の構成である。
１と相違する点は金属磁性膜４と酸化シリコン膜６との
間に金属磁性膜とほぼ同一の熱膨張係数を有するジルコ
ニア酸化膜１２を形成したことである。即ち、コア半体
２の金属磁性膜４上にジルコニア酸化膜１２を積層し、
このジルコニア酸化膜１２上に酸化シリコン膜６とガラ
ス膜７を順次積層したもので、ジルコニア酸化膜１２と
酸化シリコン膜６とガラス膜７の３者でギャップスペー
サ５を形成しており、その他の構成は前記チップコア１
と同様の構成である。
【００１８】ジルコニア酸化膜［ＺｒＯ2 ］１２は高飽
和磁束密度の金属磁性材料であるＦｅＴａＮ，ＦｅＺｒ
Ｎ，ＦｅＴｉＮ等の金属磁性膜４の熱膨張係数に近く、
特にＦｅＴａＮは熱膨張係数が１１２×１０~7とジルコ
ニア酸化膜［ＺｒＯ2 ］１２の熱膨張係数１１０×１０
~7に極めて近い値であり、コア半体２のガラス接合時、
酸化シリコン膜６の金属磁性膜４からの剥離に対して、
ＦｅＴａＮが適している。
和磁束密度の金属磁性材料であるＦｅＴａＮ，ＦｅＺｒ
Ｎ，ＦｅＴｉＮ等の金属磁性膜４の熱膨張係数に近く、
特にＦｅＴａＮは熱膨張係数が１１２×１０~7とジルコ
ニア酸化膜［ＺｒＯ2 ］１２の熱膨張係数１１０×１０
~7に極めて近い値であり、コア半体２のガラス接合時、
酸化シリコン膜６の金属磁性膜４からの剥離に対して、
ＦｅＴａＮが適している。
【００１９】即ち、図３に示すように、一対のコア半体
２を突合わせ、互いのガラス膜７を接合させた状態で、
コア半体２の凹部８で形成された空間にガラス棒３’を
挿入し、ガラス棒３’とガラス膜７を加熱溶融させるこ
とで、一対のコア半体２がガラス接合されてチップコア
１１が形成される。
２を突合わせ、互いのガラス膜７を接合させた状態で、
コア半体２の凹部８で形成された空間にガラス棒３’を
挿入し、ガラス棒３’とガラス膜７を加熱溶融させるこ
とで、一対のコア半体２がガラス接合されてチップコア
１１が形成される。
【００２０】この一対のコア半体２のガラス接合時、金
属磁性膜４とジルコニア酸化膜１２の熱膨張係数差が微
小であり、特に金属磁性膜４がＦｅＴａＮで形成される
場合、両者の熱膨張係数の差が極めて小さいため、両者
がほぼ一体的に熱膨張及び収縮する結果、金属磁性膜４
からジルコニア酸化膜１２が部分的にせよ剥離すること
がなくなることが確認された。
属磁性膜４とジルコニア酸化膜１２の熱膨張係数差が微
小であり、特に金属磁性膜４がＦｅＴａＮで形成される
場合、両者の熱膨張係数の差が極めて小さいため、両者
がほぼ一体的に熱膨張及び収縮する結果、金属磁性膜４
からジルコニア酸化膜１２が部分的にせよ剥離すること
がなくなることが確認された。
【００２１】また、ジルコニア酸化膜１２とその上の酸
化シリコン膜６は、共に酸化物同志で、元々接合性が良
く、ジルコニア酸化膜１２と酸化シリコン膜６間で熱膨
張係数の差に起因して、酸化シリコン膜６がジルコニア
酸化膜１２から剥がれる心配はない。
化シリコン膜６は、共に酸化物同志で、元々接合性が良
く、ジルコニア酸化膜１２と酸化シリコン膜６間で熱膨
張係数の差に起因して、酸化シリコン膜６がジルコニア
酸化膜１２から剥がれる心配はない。
【００２２】そのため、結果的に一対のコア半体２のガ
ラス接合部の機械的強度が増大し、チップコア１１の強
度が一段と向上する。
ラス接合部の機械的強度が増大し、チップコア１１の強
度が一段と向上する。
【００２３】図４は本発明の第２実施例を説明するため
のもので、接合部にコアの熱歪み等の応力が余りかから
ないように一対のコア半体２（２ａ，２ｂ）の形状を構
成したものである。
のもので、接合部にコアの熱歪み等の応力が余りかから
ないように一対のコア半体２（２ａ，２ｂ）の形状を構
成したものである。
【００２４】即ち、このコアチップ１３は前記従来の磁
気ヘッド１と同様に、一対の強磁性体のコア半体２の接
合面に高飽和磁束密度の金属磁性膜４と非磁性体の酸化
シリコン膜６とガラス膜７を積層し、一対のコア半体２
を接合一体化して、接合面の一端に磁気記録媒体に対向
する作動ギャップ９を形成したＭＩＧ型磁気ヘッドのチ
ップコアである。
気ヘッド１と同様に、一対の強磁性体のコア半体２の接
合面に高飽和磁束密度の金属磁性膜４と非磁性体の酸化
シリコン膜６とガラス膜７を積層し、一対のコア半体２
を接合一体化して、接合面の一端に磁気記録媒体に対向
する作動ギャップ９を形成したＭＩＧ型磁気ヘッドのチ
ップコアである。
【００２５】このコアチップ１３は一対の強磁性体のコ
ア半体２を、相対する垂直面と水平面にそれぞれ縦、横
の接合面Ａ、Ｂを形成した断面略Ｌ字型コア半体２ａと
断面略四角型コア半体２ｂとで構成し、これらの縦、横
の接合面Ａ，Ｂで両コア半体２ａ、２ｂを一体に接合し
たものである。更に、詳細には、断面略四角型コア半体
２ｂは縦接合面Ａの接合端面の前記作動ギャップ９形成
面の近傍に巻線窓用の凹部８が形成され、この巻線窓用
の凹部８を挟んで、前記縦、横の接合面Ａ，Ｂで一対の
コア半体２ａ，２ｂが接合されている。
ア半体２を、相対する垂直面と水平面にそれぞれ縦、横
の接合面Ａ、Ｂを形成した断面略Ｌ字型コア半体２ａと
断面略四角型コア半体２ｂとで構成し、これらの縦、横
の接合面Ａ，Ｂで両コア半体２ａ、２ｂを一体に接合し
たものである。更に、詳細には、断面略四角型コア半体
２ｂは縦接合面Ａの接合端面の前記作動ギャップ９形成
面の近傍に巻線窓用の凹部８が形成され、この巻線窓用
の凹部８を挟んで、前記縦、横の接合面Ａ，Ｂで一対の
コア半体２ａ，２ｂが接合されている。
【００２６】このように、構成されたコアチップ１３
は、図示しないが、両コア半体２ａ，２ｂの接合面Ａ、
Ｂを突合わせ、互いのガラス膜７を接合させた状態で、
コア半体２ｂの凹部８で形成された空間にガラス棒を挿
入して、ガラス棒とガラス膜７を加熱溶融させること
で、前記従来のコアチップ１と同様にして、一対のコア
半体２ａ、２ｂがガラス接合され、チップコア１３が形
成される。
は、図示しないが、両コア半体２ａ，２ｂの接合面Ａ、
Ｂを突合わせ、互いのガラス膜７を接合させた状態で、
コア半体２ｂの凹部８で形成された空間にガラス棒を挿
入して、ガラス棒とガラス膜７を加熱溶融させること
で、前記従来のコアチップ１と同様にして、一対のコア
半体２ａ、２ｂがガラス接合され、チップコア１３が形
成される。
【００２７】この接合時、両コア半体２ａ，２ｂは縦、
横の接合面Ａ、Ｂで接合されるから、前記図１のコアチ
ップ１のように、直方形のＣ形コア２を長手方向に接合
するものに比べて、接合部への歪みによる応力が緩和さ
れる。また、断面略四角型コア半体２ｂはブロック状で
全体的に熱的膨張、収縮するため、直方形のＣ形コア２
に比べて、歪みの発生量が小さく、接合面Ａ，Ｂに付加
される応力自体も小さくなり、酸化シリコン膜６が金属
磁性膜４から剥離することがなくなる。
横の接合面Ａ、Ｂで接合されるから、前記図１のコアチ
ップ１のように、直方形のＣ形コア２を長手方向に接合
するものに比べて、接合部への歪みによる応力が緩和さ
れる。また、断面略四角型コア半体２ｂはブロック状で
全体的に熱的膨張、収縮するため、直方形のＣ形コア２
に比べて、歪みの発生量が小さく、接合面Ａ，Ｂに付加
される応力自体も小さくなり、酸化シリコン膜６が金属
磁性膜４から剥離することがなくなる。
【００２８】尚、巻線窓用の凹部８は断面略四角型コア
半体２ｂ側に形成したが、断面略Ｌ字型コア半体２ａ側
に形成したり、双方のコア半体２ａ，２ｂに形成しても
よい。
半体２ｂ側に形成したが、断面略Ｌ字型コア半体２ａ側
に形成したり、双方のコア半体２ａ，２ｂに形成しても
よい。
【００２９】図５は本発明の３実施例を説明するための
ものであり、接合部をコアの熱歪み等の応力に充分耐え
得るように一対のコア半体２（２ｃ，２ｄ）の形状を構
成したものである。
ものであり、接合部をコアの熱歪み等の応力に充分耐え
得るように一対のコア半体２（２ｃ，２ｄ）の形状を構
成したものである。
【００３０】即ち、このコアチップ１５も、前記従来の
コアチップ１と同様に、一対の強磁性体のコア半体２の
接合面に高飽和磁束密度の金属磁性膜４と非磁性体の酸
化シリコン膜６とガラス膜７を積層し、一対のコア半体
２を接合一体化して、接合端面に磁気記録媒体に対向す
る作動ギャップ９を形成したＭＩＧ型磁気ヘッドのチッ
プコアである。そして、両コア半体２ｃ、２ｄは、従来
のコアチップ１と同様に、コアの長手方向に沿ってそれ
ぞれ接合面を形成したＣ形の断面略直方型に形成され、
接合端面の上記作動ギャップ９形成面の近傍に巻線窓用
の凹部８が形成されている。
コアチップ１と同様に、一対の強磁性体のコア半体２の
接合面に高飽和磁束密度の金属磁性膜４と非磁性体の酸
化シリコン膜６とガラス膜７を積層し、一対のコア半体
２を接合一体化して、接合端面に磁気記録媒体に対向す
る作動ギャップ９を形成したＭＩＧ型磁気ヘッドのチッ
プコアである。そして、両コア半体２ｃ、２ｄは、従来
のコアチップ１と同様に、コアの長手方向に沿ってそれ
ぞれ接合面を形成したＣ形の断面略直方型に形成され、
接合端面の上記作動ギャップ９形成面の近傍に巻線窓用
の凹部８が形成されている。
【００３１】このコアチップ１５において、上記従来の
コアチップ１と異なる点は、両コア半体２ｃ、２ｄの接
合面にそれぞれコアの長さ方向と直交する凸状溝１６と
凹状溝１７とを対向して形成し、凸状溝１６を凹状溝１
７に嵌合して、接合面を接合したことである。
コアチップ１と異なる点は、両コア半体２ｃ、２ｄの接
合面にそれぞれコアの長さ方向と直交する凸状溝１６と
凹状溝１７とを対向して形成し、凸状溝１６を凹状溝１
７に嵌合して、接合面を接合したことである。
【００３２】このように構成されたコアチップ１５は、
接合面がコアの長さ方向Ｌに沿って凸状溝１６が凹状溝
１７に嵌合して接合されているため、接合面を解離する
方向にコアの応力が付与されても、応力がこの嵌合部に
かかり、接合強度が得られる。
接合面がコアの長さ方向Ｌに沿って凸状溝１６が凹状溝
１７に嵌合して接合されているため、接合面を解離する
方向にコアの応力が付与されても、応力がこの嵌合部に
かかり、接合強度が得られる。
【００３３】次に、このように接合強度が高められた上
記コアチップ１３及び１５は、各コア半体２（２ａ、２
ｂ、２ｃ、２ｄ）の接合面の金属磁性膜４と酸化シリコ
ン膜６との間に、図示しないが、ジルコニア酸化膜１２
を形成すると、各コア半体２（２ａ、２ｂ、２ｃ、２
ｄ）のコアの形状構造による接合強度の向上に加えて、
接合部の酸化シリコン膜６の接着強度が高められ、各コ
ア半体２の接合強度が可及的に高められ、チップコアの
品質、歩留まりが更に改善できる。
記コアチップ１３及び１５は、各コア半体２（２ａ、２
ｂ、２ｃ、２ｄ）の接合面の金属磁性膜４と酸化シリコ
ン膜６との間に、図示しないが、ジルコニア酸化膜１２
を形成すると、各コア半体２（２ａ、２ｂ、２ｃ、２
ｄ）のコアの形状構造による接合強度の向上に加えて、
接合部の酸化シリコン膜６の接着強度が高められ、各コ
ア半体２の接合強度が可及的に高められ、チップコアの
品質、歩留まりが更に改善できる。
【００３４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、一対の
コア半体の表面に積層される金属磁性膜と酸化シリコン
膜との間に金属磁性膜とほぼ同一の熱膨張係数を有する
ジルコニア酸化膜を形成したから、酸化シリコン膜の接
着強度が向上し、チップコアの酸化シリコン膜の剥離が
解消される。また、接合強度が得られるように各コア半
体の形状、構造に構成したから、チップコアの強度が得
られ、コア品質、歩留まりの改善されたＭＩＧ型磁気ヘ
ッドを提供することができる。
コア半体の表面に積層される金属磁性膜と酸化シリコン
膜との間に金属磁性膜とほぼ同一の熱膨張係数を有する
ジルコニア酸化膜を形成したから、酸化シリコン膜の接
着強度が向上し、チップコアの酸化シリコン膜の剥離が
解消される。また、接合強度が得られるように各コア半
体の形状、構造に構成したから、チップコアの強度が得
られ、コア品質、歩留まりの改善されたＭＩＧ型磁気ヘ
ッドを提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示すＭＩＧ型磁気ヘッ
ドにおけるチップコアの部分拡大図を含む正面図
ドにおけるチップコアの部分拡大図を含む正面図
【図２】図１のチップコアを構成するコア半体の接合前
の部分正面図
の部分正面図
【図３】図１のチップコアのガラス接合時の正面図
【図４】本発明の第２の実施例を示すＭＩＧ型磁気ヘッ
ドにおけるチップコアの正面図
ドにおけるチップコアの正面図
【図５】本発明の第３の実施例を示すＭＩＧ型磁気ヘッ
ドにおけるチップコアの正面図
ドにおけるチップコアの正面図
【図６】従来のＭＩＧ型磁気ヘッドにおけるチップコア
の部分拡大図を含む正面図
の部分拡大図を含む正面図
【図７】図６のチップコアを構成するコア半体の接合前
の部分正面図
の部分正面図
【図８】図６のチップコアのガラス接合時の正面図
【図９】従来の他のＭＩＧ型磁気ヘッドで、チップコア
の接合構造例を示す斜視図
の接合構造例を示す斜視図
【図１０】従来の他のＭＩＧ型磁気ヘッドで、チップコ
アの接合構造例を示す斜視図
アの接合構造例を示す斜視図
2 コア半体 2a 断面略Ｌ字型コア半体 2b 断面略四角型コア半体 2c 断面略直方型コア半体 2d 断面略直方型コア半体 4 金属磁性膜 6 酸化シリコン膜 11 チップコア 12 ジルコニア酸化膜 13 磁気ヘッド 15 磁気ヘッド 16 凸状溝 17 凹状溝 A 縦接合面 B 横接合面
Claims (4)
- 【請求項１】 一対の強磁性体のコア半体の接合面に高
飽和磁束密度の金属磁性膜と非磁性体の酸化シリコン膜
とを積層し、一対のコア半体を接合一体化したチップコ
アを有するＭＩＧ型磁気ヘッドにおいて、 前記金属磁性膜と酸化シリコン膜との間に金属磁性膜と
ほぼ同一の熱膨張係数を有するジルコニア酸化膜を形成
したことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 一対の強磁性体のコア半体の接合面に高
飽和磁束密度の金属磁性膜と非磁性体の酸化シリコン膜
とを積層し、一対のコア半体を接合一体化したチップコ
アを有するＭＩＧ型磁気ヘッドにおいて、 前記一対の強磁性体はそれぞれ相対する垂直面と水平面
に接合面を形成した断面略Ｌ字型コア半体と断面略四角
型コア半体とで構成し、前記垂直面と水平面の接合面を
互いに一体に接合したことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項３】 一対の強磁性体のコア半体の接合面に高
飽和磁束密度の金属磁性膜と非磁性体の酸化シリコン膜
とを積層し、一対のコア半体を接合一体化したチップコ
アを有するＭＩＧ型磁気ヘッドにおいて、 前記一対の強磁性体はそれぞれコアの長さ方向に沿って
接合面を形成した断面略直方型コア半体で構成すると共
に、前記各接合面にコアの長さ方向と直交する方向に凹
状溝と凸状溝を対向して形成し、これらの凹状溝と凸状
溝を嵌合して接合面を互いに一体に接合したことを特徴
とする磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記断面略Ｌ字型コア半体と断面略四角
型コア半体及び前記断面略直方型コア半体は前記接合面
の金属磁性膜と酸化シリコン膜との間に金属磁性膜とほ
ぼ同一の熱膨張係数を有するジルコニア酸化膜が形成さ
れたことを特徴とする請求項２乃至３記載の磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10886994A JPH07320224A (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10886994A JPH07320224A (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07320224A true JPH07320224A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14495656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10886994A Withdrawn JPH07320224A (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07320224A (ja) |
-
1994
- 1994-05-24 JP JP10886994A patent/JPH07320224A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010731 |