JPH07278763A - アンテナ用磁心材料および薄型アンテナならびにそれを用いたカード - Google Patents
アンテナ用磁心材料および薄型アンテナならびにそれを用いたカードInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、100kHz以上の周波数で十分なアン
テナ性能を確保し、薄型化が可能で変形に強いアンテナ
用磁心材料およびQ値の高いアンテナならびにそれを用
いた薄型ICカ−ドを提供することを目的としている。 【構成】 一般式：(Co1-aFea)100-b-c-d-eTbSicBdY
e（原子％、ここで、TはMn,Ni,Ti,Zr,Hf,Cr,Mo,Nb,Mo,
W,Ta,Cu,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Re,Snから選ばれた少なく
とも一種の元素、YはC,Ge,Ga,P,Alから選ばれた少なく
とも一 種の元素を示し、a,b,c,dおよびeはそれぞれ0≦
a≦0.1、0≦b≦15、0≦c≦20、5≦d≦25、0≦e≦20、15
≦c+d≦30を満足する。）からなり、板厚が25μm以下で
あるアモルファス合金薄帯からなるアンテナ用磁心材
料。
テナ性能を確保し、薄型化が可能で変形に強いアンテナ
用磁心材料およびQ値の高いアンテナならびにそれを用
いた薄型ICカ−ドを提供することを目的としている。 【構成】 一般式：(Co1-aFea)100-b-c-d-eTbSicBdY
e（原子％、ここで、TはMn,Ni,Ti,Zr,Hf,Cr,Mo,Nb,Mo,
W,Ta,Cu,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Re,Snから選ばれた少なく
とも一種の元素、YはC,Ge,Ga,P,Alから選ばれた少なく
とも一 種の元素を示し、a,b,c,dおよびeはそれぞれ0≦
a≦0.1、0≦b≦15、0≦c≦20、5≦d≦25、0≦e≦20、15
≦c+d≦30を満足する。）からなり、板厚が25μm以下で
あるアモルファス合金薄帯からなるアンテナ用磁心材
料。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュ−タとの信号
伝達を目的に用いられるＩＣカード型インターフェイス
や駅の改札等に用いられるカ−ドならびにカードに適す
る薄型のアンテナおよびそれに適する磁心材料に関す
る。
伝達を目的に用いられるＩＣカード型インターフェイス
や駅の改札等に用いられるカ−ドならびにカードに適す
る薄型のアンテナおよびそれに適する磁心材料に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、外部記憶装置やモデム等のパソコ
ン周辺機能をクレジット・カード・サイズに収めたPCカ
ードが使用されるようになってきている。たとえば、ノ
ート・パソコンを含む小型端末では、PCMCIA(Personal
Computer Memory Card International)やJEIDA(Japan E
lectronic Industry Development Association)規格に
対応したICカード型のインターフェイスを搭載している
ものが採用されるようになってきている。これらのカー
ドは寸法によりタイプ１、タイプ２、タイプ３があり、
タイプ１がもっとも薄い。したがって、このように薄い
カードとするためには、これに用いられる部品の薄型化
が必須である。
ン周辺機能をクレジット・カード・サイズに収めたPCカ
ードが使用されるようになってきている。たとえば、ノ
ート・パソコンを含む小型端末では、PCMCIA(Personal
Computer Memory Card International)やJEIDA(Japan E
lectronic Industry Development Association)規格に
対応したICカード型のインターフェイスを搭載している
ものが採用されるようになってきている。これらのカー
ドは寸法によりタイプ１、タイプ２、タイプ３があり、
タイプ１がもっとも薄い。したがって、このように薄い
カードとするためには、これに用いられる部品の薄型化
が必須である。
【０００３】これらのカードとパソコン等の接続には現
在は主に導電性の端子のついたソケットが採用されてい
る。しかし、この方式では端子の接触が悪くなる問題
や、ICカード内部のメモリ−情報等がコピ−されやすい
等の問題点がある。これに対してICカード型のインタ−
フェイスとコンピュータの接続に電波を利用する方法で
は端子の接触不良が回避できる、距離が離れていても使
用可能である等の長所がある。
在は主に導電性の端子のついたソケットが採用されてい
る。しかし、この方式では端子の接触が悪くなる問題
や、ICカード内部のメモリ−情報等がコピ−されやすい
等の問題点がある。これに対してICカード型のインタ−
フェイスとコンピュータの接続に電波を利用する方法で
は端子の接触不良が回避できる、距離が離れていても使
用可能である等の長所がある。
【０００４】このような電波により信号伝達を行なうIC
カードの用途としては、この他に電車、バス等の定期
券、スキ−のリフト券、会員券や身分証明書等、従来、
人が目により確認をしていたものを無人化することが考
えられる。すなわち、ICカードより情報を電波に変え送
信し、これをたとえば改札口でキャッチし問題なければ
通過、問題があれば改札口をふさいだり警報を出すこと
が可能となってくる。このカードも前記用途同様にポケ
ットや財布等に容易に挿入できる必要があり、現在のク
レジットカードのような薄さが要求される。また、ポケ
ットベルのようにメッセージを表示する機器をカード化
することも考えられる。この場合は送信を行わず受信だ
けとなることもありうる。
カードの用途としては、この他に電車、バス等の定期
券、スキ−のリフト券、会員券や身分証明書等、従来、
人が目により確認をしていたものを無人化することが考
えられる。すなわち、ICカードより情報を電波に変え送
信し、これをたとえば改札口でキャッチし問題なければ
通過、問題があれば改札口をふさいだり警報を出すこと
が可能となってくる。このカードも前記用途同様にポケ
ットや財布等に容易に挿入できる必要があり、現在のク
レジットカードのような薄さが要求される。また、ポケ
ットベルのようにメッセージを表示する機器をカード化
することも考えられる。この場合は送信を行わず受信だ
けとなることもありうる。
【０００５】このように電波によりICカードの信号伝達
を行なう場合にはカードが薄いため送受信に用いるアン
テナは薄型でかつ高性能なものが必要となってくる。こ
れらの用途に使用される周波数は規制等の問題から134k
Hzを中心とする周波数帯となっている。
を行なう場合にはカードが薄いため送受信に用いるアン
テナは薄型でかつ高性能なものが必要となってくる。こ
れらの用途に使用される周波数は規制等の問題から134k
Hzを中心とする周波数帯となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来、カード用アンテ
ナとしては、フェライト磁心を使用したものが用いられ
ている。しかし、フェライトは脆いためにわずかに変形
しただけでも割れが発生する問題があり、ズボンのポケ
ット等に入れ持ち歩いたりする場合にカードが変形し割
れが発生し使用できなくなる問題がある。この問題を解
決するために、カードが変形しない構造とすることも可
能であるが、強固な構造が必要となり、コストアップや
サイズが大きくなる問題が生ずる。また、ズボンのポケ
ット等に入れた場合に変形しないため違和感がある等の
問題点がある。
ナとしては、フェライト磁心を使用したものが用いられ
ている。しかし、フェライトは脆いためにわずかに変形
しただけでも割れが発生する問題があり、ズボンのポケ
ット等に入れ持ち歩いたりする場合にカードが変形し割
れが発生し使用できなくなる問題がある。この問題を解
決するために、カードが変形しない構造とすることも可
能であるが、強固な構造が必要となり、コストアップや
サイズが大きくなる問題が生ずる。また、ズボンのポケ
ット等に入れた場合に変形しないため違和感がある等の
問題点がある。
【０００７】一方、アモルファス合金薄帯を積層した磁
心をアンテナに用いた例としては特開平５−２６７９２
２号等に記載されている車載用アンテナが知られてい
る。アモルファス合金は高い透磁率を示すためアンテナ
とした場合に高いインダクタンスが得られる。アモルフ
ァスを用いたアンテナでは、10kHzから20kHz程度の周波
数帯ではフェライトよりもQ値(Quality Factor)が高く
優れている。 ここで、Q＝ωL/R (ω＝2πf, L:インダクタンス, R:コイルの損失を含む
抵抗)である。
心をアンテナに用いた例としては特開平５−２６７９２
２号等に記載されている車載用アンテナが知られてい
る。アモルファス合金は高い透磁率を示すためアンテナ
とした場合に高いインダクタンスが得られる。アモルフ
ァスを用いたアンテナでは、10kHzから20kHz程度の周波
数帯ではフェライトよりもQ値(Quality Factor)が高く
優れている。 ここで、Q＝ωL/R (ω＝2πf, L:インダクタンス, R:コイルの損失を含む
抵抗)である。
【０００８】特開平５−２６７９２２号には、アモルフ
ァスを用いたアンテナでは、390゜Cから420゜Cで0.5時間
から2時間程度熱処理することや、板厚が15μmから35μ
m程度が望ましいことが記載されている。しかし、この
ようなアモルファスを使用した磁心を用いたアンテナで
は更に周波数が高い前記ICカードに使用される134kHz付
近の周波数帯では十分なQ値が得られないという問題が
ある。
ァスを用いたアンテナでは、390゜Cから420゜Cで0.5時間
から2時間程度熱処理することや、板厚が15μmから35μ
m程度が望ましいことが記載されている。しかし、この
ようなアモルファスを使用した磁心を用いたアンテナで
は更に周波数が高い前記ICカードに使用される134kHz付
近の周波数帯では十分なQ値が得られないという問題が
ある。
【０００９】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、特に100kHz以上の周波数で十分なア
ンテナ性能を確保し、薄型化が可能で変形に強いアンテ
ナ用磁心材料およびQ値の高いアンテナならびにそれを
用いた薄型ICカ−ドを提供することを目的としている。
になされたもので、特に100kHz以上の周波数で十分なア
ンテナ性能を確保し、薄型化が可能で変形に強いアンテ
ナ用磁心材料およびQ値の高いアンテナならびにそれを
用いた薄型ICカ−ドを提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】鋭意検討の結果本発明者
らは、一般式：(Co1-aFea)100-b-c-d-eTbSicBdYe（原子
％、ここで、TはMn,Ni,Ti,Zr,Hf,Cr,Mo,Nb,Mo,W,Ta,Cu,
Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Re,Snか ら選ばれた少なくとも一種
の元素、YはC,Ge,Ga,P,Alから選ばれた少なくとも一 種
の元素を示し、a,b,c,dおよびeはそれぞれ0≦a≦0.1、0
≦b≦15、0≦c≦20、5≦d≦25、0≦e≦20、15≦c+d≦30
を満足する。）からなるアモルファス合金薄帯であり、
板厚が25μm以下であることを特徴とする磁心材料が薄
型のアンテナ用として優れた特性を示すことを見いだし
本発明に想到した。
らは、一般式：(Co1-aFea)100-b-c-d-eTbSicBdYe（原子
％、ここで、TはMn,Ni,Ti,Zr,Hf,Cr,Mo,Nb,Mo,W,Ta,Cu,
Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Re,Snか ら選ばれた少なくとも一種
の元素、YはC,Ge,Ga,P,Alから選ばれた少なくとも一 種
の元素を示し、a,b,c,dおよびeはそれぞれ0≦a≦0.1、0
≦b≦15、0≦c≦20、5≦d≦25、0≦e≦20、15≦c+d≦30
を満足する。）からなるアモルファス合金薄帯であり、
板厚が25μm以下であることを特徴とする磁心材料が薄
型のアンテナ用として優れた特性を示すことを見いだし
本発明に想到した。
【００１１】式中TはMn,Ni,Ti,Zr,Hf,Cr,Mo,Nb,Mo,W,T
a,Cu,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Re,Sn,Alから選ばれた少なく
とも一種の元素であり、Q値を増加する効果や耐蝕性を
改善する効果を有する。T量bが20at%を越えるとQ値が低
下するため0≦b≦15が望ましい。XはC,Ge,Ga,Pから選ば
れた少なくとも一種の元素であり、アモルファス形成を
助ける効果を有する。Y量eは0≦e≦20である必要があ
る。この理由はeが20を越えると著しい磁束密度の低下
を招くためである。Feの組成比aは0≦a≦0.1である必要
がある。この理由はFeの組成比aが0.1を越えると磁歪が
増加し変形や樹脂による接着等によりQ値が低下しやす
くなるためである。Si量c、B量dおよびSi量とB量の和は
それぞれ0≦c≦20、5≦d≦25、15≦c+d≦30を満足する
必要がある。この理由はこの範囲をはずれると134kHz付
近のQ値が著しく低下するためである。より好ましくは1
0≦c≦20、5≦d≦10である。この範囲で表面に抵抗の高
いSiO2酸化膜が多くできやすく絶縁がとれやすく、絶縁
処理を行わなくても比較的Q値の高いものが得られやす
い。
a,Cu,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Re,Sn,Alから選ばれた少なく
とも一種の元素であり、Q値を増加する効果や耐蝕性を
改善する効果を有する。T量bが20at%を越えるとQ値が低
下するため0≦b≦15が望ましい。XはC,Ge,Ga,Pから選ば
れた少なくとも一種の元素であり、アモルファス形成を
助ける効果を有する。Y量eは0≦e≦20である必要があ
る。この理由はeが20を越えると著しい磁束密度の低下
を招くためである。Feの組成比aは0≦a≦0.1である必要
がある。この理由はFeの組成比aが0.1を越えると磁歪が
増加し変形や樹脂による接着等によりQ値が低下しやす
くなるためである。Si量c、B量dおよびSi量とB量の和は
それぞれ0≦c≦20、5≦d≦25、15≦c+d≦30を満足する
必要がある。この理由はこの範囲をはずれると134kHz付
近のQ値が著しく低下するためである。より好ましくは1
0≦c≦20、5≦d≦10である。この範囲で表面に抵抗の高
いSiO2酸化膜が多くできやすく絶縁がとれやすく、絶縁
処理を行わなくても比較的Q値の高いものが得られやす
い。
【００１２】また、本発明は、一般式：（Fe1-vMv）
100-x-y-z-wAxM'yM''zXw（原子％、ここで、MはCo,Niか
ら選ばれた少なくとも1種の元素を、AはCu,Auから選ば
れた少なくとも1種の元素、M'はTi,V,Zr,Nb,Mo,Hf,Taお
よびWから選ばれた少なくとも1種の元素、M''はCr,Mn,A
l,Sn,Zn,Ag,In,白金属元素,Mg,Ca,Sr,Y,希土類元素,N,O
およびSから選ばれた少なくとも1種の元素、XはB,Si,C,
Ge,GaおよびPから選ばれた少なくとも1種の元素を示
し、v,w,x,yおよびzはそれぞれ0≦v≦0.5、0≦x≦10、
0.1≦y≦20、0≦z≦20、2≦w≦30を満足する。）で表さ
れ、組織の少なくとも50%が粒径100nm以下の結晶粒から
なり、板厚25μm以下の合金薄帯であることを特徴とす
る磁心材料である。AはCu,Auから選ばれる少なくとも1
種の元素であり結晶粒組織をより均一微細にする効果を
有する。M'はTi,V,Zr,Nb,Mo,Hf,TaおよびWから選ばれた
少なくとも1種の元素であり、結晶粒を微細化する効果
がある。M''はCr,Mn,Al,Sn,Zn,Ag,In,白金属元素,Mg,C
a,Sr,Y,希土類元素,N,OおよびSから選ばれた少なくとも
1種の元素であり、耐蝕性を改善したり、Q値を改善する
効果がある。XはB,Si,C,Ge,GaおよびPから選ばれた少な
くとも1種の元素であり、アモルファス化を容易にし結
晶粒組織を均一微細にしたり、比抵抗を上昇しQ値の改
善等に効果がある。本発明に用いられるナノ結晶合金の
平均粒径は100nm以下で、特に本用途に適する特性は平
均粒径が2から30nmの範囲である。ナノ結晶合金のキュ
リ−温度は通常500゜C以上であり、フェライトの200゜C程
度、Co基アモルファス合金の400゜C以下に比べて著しく
大きい。また、従来の結晶材料に比べて透磁率の温度変
化が小さく優れた安定性を有している。
100-x-y-z-wAxM'yM''zXw（原子％、ここで、MはCo,Niか
ら選ばれた少なくとも1種の元素を、AはCu,Auから選ば
れた少なくとも1種の元素、M'はTi,V,Zr,Nb,Mo,Hf,Taお
よびWから選ばれた少なくとも1種の元素、M''はCr,Mn,A
l,Sn,Zn,Ag,In,白金属元素,Mg,Ca,Sr,Y,希土類元素,N,O
およびSから選ばれた少なくとも1種の元素、XはB,Si,C,
Ge,GaおよびPから選ばれた少なくとも1種の元素を示
し、v,w,x,yおよびzはそれぞれ0≦v≦0.5、0≦x≦10、
0.1≦y≦20、0≦z≦20、2≦w≦30を満足する。）で表さ
れ、組織の少なくとも50%が粒径100nm以下の結晶粒から
なり、板厚25μm以下の合金薄帯であることを特徴とす
る磁心材料である。AはCu,Auから選ばれる少なくとも1
種の元素であり結晶粒組織をより均一微細にする効果を
有する。M'はTi,V,Zr,Nb,Mo,Hf,TaおよびWから選ばれた
少なくとも1種の元素であり、結晶粒を微細化する効果
がある。M''はCr,Mn,Al,Sn,Zn,Ag,In,白金属元素,Mg,C
a,Sr,Y,希土類元素,N,OおよびSから選ばれた少なくとも
1種の元素であり、耐蝕性を改善したり、Q値を改善する
効果がある。XはB,Si,C,Ge,GaおよびPから選ばれた少な
くとも1種の元素であり、アモルファス化を容易にし結
晶粒組織を均一微細にしたり、比抵抗を上昇しQ値の改
善等に効果がある。本発明に用いられるナノ結晶合金の
平均粒径は100nm以下で、特に本用途に適する特性は平
均粒径が2から30nmの範囲である。ナノ結晶合金のキュ
リ−温度は通常500゜C以上であり、フェライトの200゜C程
度、Co基アモルファス合金の400゜C以下に比べて著しく
大きい。また、従来の結晶材料に比べて透磁率の温度変
化が小さく優れた安定性を有している。
【００１３】前記発明において板厚は25μm以下である
必要がある。25μmを越えるとQ値が著しく低下しアンテ
ナとしての感度が落ちたり発振しなくなる等実用的でな
くなるためである。特に望ましい板厚は15μm未満であ
る。板厚を15μm未満とすることにより一層のQ値上昇と
周波数特性の改善が図られより好ましい結果が得られ
る。
必要がある。25μmを越えるとQ値が著しく低下しアンテ
ナとしての感度が落ちたり発振しなくなる等実用的でな
くなるためである。特に望ましい板厚は15μm未満であ
る。板厚を15μm未満とすることにより一層のQ値上昇と
周波数特性の改善が図られより好ましい結果が得られ
る。
【００１４】本発明において、薄帯幅方向あるいは厚さ
方向に誘導磁気異方性が付与されていることが134kHz付
近のQ値を上昇することに有効である。誘導磁気異方性
を付与する方法としては磁場を薄帯幅方向あるいは厚さ
方向に印加しながらキュリ−温度以下で熱処理を行なっ
たり、応力化で熱処理する、表面を部分的に結晶化させ
る等の方法がある。アンテナ用としては300゜C以下でか
つ材料のキュリ−温度以下の比較的低い温度で磁場中熱
処理する方法が脆化も少なく特性もむしろ改善されるた
め好ましい。材料の比初透磁率はあまり高くない方が13
4kHz付近のQ値改善には効果がある。
方向に誘導磁気異方性が付与されていることが134kHz付
近のQ値を上昇することに有効である。誘導磁気異方性
を付与する方法としては磁場を薄帯幅方向あるいは厚さ
方向に印加しながらキュリ−温度以下で熱処理を行なっ
たり、応力化で熱処理する、表面を部分的に結晶化させ
る等の方法がある。アンテナ用としては300゜C以下でか
つ材料のキュリ−温度以下の比較的低い温度で磁場中熱
処理する方法が脆化も少なく特性もむしろ改善されるた
め好ましい。材料の比初透磁率はあまり高くない方が13
4kHz付近のQ値改善には効果がある。
【００１５】また、本発明は、一般式：(Co1-aFea)
100-b-c-d-eTbSicBdYe（原子％、ここで、TはMn,Ni,Ti,
Zr,Hf,Cr,Mo,Nb,Mo,W,Ta,Cu,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Re,Sn
か ら選ばれた少なくとも一種の元素、YはC,Ge,Ga,P,Al
から選ばれた少なくとも一 種の元素を示し、a,b,c,dお
よびeはそれぞれ0≦a≦0.1、0≦b≦15、0≦c≦20、5≦d
≦25、0≦e≦20、15≦c+d≦30を満足する。）で表さ
れ、かつ板厚が25μm以下のアモルファス合金薄帯の積
層物からなるアンテナ用磁心と、前記アンテナ用磁心に
巻回された少なくとも1つのコイルとを具備し、134kHz
におけるQ値が25以上、厚さが3mm以下であることを特徴
とする薄型アンテナである。好ましくはQ値は35以上で
ある。より好ましくはQ値は40以上である。特に本発明
のアンテナは1mm以下の厚さのクレジットカードタイプ
のICカードに適する。
100-b-c-d-eTbSicBdYe（原子％、ここで、TはMn,Ni,Ti,
Zr,Hf,Cr,Mo,Nb,Mo,W,Ta,Cu,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Re,Sn
か ら選ばれた少なくとも一種の元素、YはC,Ge,Ga,P,Al
から選ばれた少なくとも一 種の元素を示し、a,b,c,dお
よびeはそれぞれ0≦a≦0.1、0≦b≦15、0≦c≦20、5≦d
≦25、0≦e≦20、15≦c+d≦30を満足する。）で表さ
れ、かつ板厚が25μm以下のアモルファス合金薄帯の積
層物からなるアンテナ用磁心と、前記アンテナ用磁心に
巻回された少なくとも1つのコイルとを具備し、134kHz
におけるQ値が25以上、厚さが3mm以下であることを特徴
とする薄型アンテナである。好ましくはQ値は35以上で
ある。より好ましくはQ値は40以上である。特に本発明
のアンテナは1mm以下の厚さのクレジットカードタイプ
のICカードに適する。
【００１６】さらに、本発明は、一般式：（Fe1-vMv）
100-x-y-z-wAxM'yM''zXw（原子％、ここで、MはCo,Niか
ら選ばれた少なくとも1種の元素を、AはCu,Auから選ば
れた少なくとも1種の元素、M'はTi,V,Zr,Nb,Mo,Hf,Taお
よびWから選ばれた少なくとも1種の元素、M''はCr,Mn,A
l,Sn,Zn,Ag,In,白金属元素,Mg,Ca,Sr,Y,希土類 元素,N,
OおよびSから選ばれた少なくとも1種の元素、XはB,Si,
C,Ge,GaおよびPから選ばれた少なくとも1種の元素を示
し、v,w,x,yおよびzはそれぞれ0≦v≦0.5、0≦x≦10、
0.1≦y≦20、0≦z≦20、2≦w≦30を満足する。）で表さ
れ、組織の少なくとも50%が粒径50nm以下の結晶粒から
なり、板厚25μm以下であるナノ結晶磁性合金薄帯の積
層物からなるアンテナ用磁心と、前記アンテナ用磁心に
巻回された少なくとも1つのコイルとを具備し、134kHz
におけるQ値が25以上、厚さが5mm以下であることを特徴
とする薄型アンテナである。好ましくはQ値は35以上で
ある。より好ましくはQ値は40以上である。特に本発明
のアンテナは1mm以下の厚さのクレジットカードタイプ
のICカードに適する。
100-x-y-z-wAxM'yM''zXw（原子％、ここで、MはCo,Niか
ら選ばれた少なくとも1種の元素を、AはCu,Auから選ば
れた少なくとも1種の元素、M'はTi,V,Zr,Nb,Mo,Hf,Taお
よびWから選ばれた少なくとも1種の元素、M''はCr,Mn,A
l,Sn,Zn,Ag,In,白金属元素,Mg,Ca,Sr,Y,希土類 元素,N,
OおよびSから選ばれた少なくとも1種の元素、XはB,Si,
C,Ge,GaおよびPから選ばれた少なくとも1種の元素を示
し、v,w,x,yおよびzはそれぞれ0≦v≦0.5、0≦x≦10、
0.1≦y≦20、0≦z≦20、2≦w≦30を満足する。）で表さ
れ、組織の少なくとも50%が粒径50nm以下の結晶粒から
なり、板厚25μm以下であるナノ結晶磁性合金薄帯の積
層物からなるアンテナ用磁心と、前記アンテナ用磁心に
巻回された少なくとも1つのコイルとを具備し、134kHz
におけるQ値が25以上、厚さが5mm以下であることを特徴
とする薄型アンテナである。好ましくはQ値は35以上で
ある。より好ましくはQ値は40以上である。特に本発明
のアンテナは1mm以下の厚さのクレジットカードタイプ
のICカードに適する。
【００１７】これらのアンテナでは合金薄帯は積層され
ており各薄帯は樹脂で接着する場合がある。樹脂は有機
系たとえばエポキシ系の樹脂やシリコン系の樹脂等を用
いる。また、必要に応じて合金薄帯はSiO2,MgO,Al2O3等
の粉末や膜により層間絶縁される。また前記樹脂により
表面を絶縁しても良い。また、前記接着が絶縁を兼ねる
場合もある。合金薄帯間に絶縁テープをはさんで積層す
る場合もある。各合金薄帯どうしが電気的に絶縁されて
いる場合は、合金薄帯の積層したものの周囲に樹脂をつ
けて合金薄帯どうしを接着し積層体を作製したり、粘着
性のテープで合金薄帯積層物を両側をはさむ等の方法に
より固定することが可能である。場合によっては固定せ
ずに巻線を行い使用しても良い。ただしコイルと積層体
の間は電気的に絶縁されるように樹脂層を設けたり、絶
縁紙や絶縁テープのようなものを使用する等の方法が行
われる。
ており各薄帯は樹脂で接着する場合がある。樹脂は有機
系たとえばエポキシ系の樹脂やシリコン系の樹脂等を用
いる。また、必要に応じて合金薄帯はSiO2,MgO,Al2O3等
の粉末や膜により層間絶縁される。また前記樹脂により
表面を絶縁しても良い。また、前記接着が絶縁を兼ねる
場合もある。合金薄帯間に絶縁テープをはさんで積層す
る場合もある。各合金薄帯どうしが電気的に絶縁されて
いる場合は、合金薄帯の積層したものの周囲に樹脂をつ
けて合金薄帯どうしを接着し積層体を作製したり、粘着
性のテープで合金薄帯積層物を両側をはさむ等の方法に
より固定することが可能である。場合によっては固定せ
ずに巻線を行い使用しても良い。ただしコイルと積層体
の間は電気的に絶縁されるように樹脂層を設けたり、絶
縁紙や絶縁テープのようなものを使用する等の方法が行
われる。
【００１８】また、熱処理は積層方法にもよるが接着前
に行なう場合と、接着後に行う場合がある。また接着前
と後の両方行なう場合もある。熱処理の際は前述のよう
に磁場を印加しながら行なうとQ値の上昇効果が大き
い。また、熱硬化型の樹脂を用いて接着する場合は硬化
の際に磁場を印加しながら行なうとQ値が上昇しより好
ましい結果が得られる。また、硬化の際磁場を印加しな
い場合は硬化後磁場を印加しながら熱処理するとQ値の
向上が図れる。
に行なう場合と、接着後に行う場合がある。また接着前
と後の両方行なう場合もある。熱処理の際は前述のよう
に磁場を印加しながら行なうとQ値の上昇効果が大き
い。また、熱硬化型の樹脂を用いて接着する場合は硬化
の際に磁場を印加しながら行なうとQ値が上昇しより好
ましい結果が得られる。また、硬化の際磁場を印加しな
い場合は硬化後磁場を印加しながら熱処理するとQ値の
向上が図れる。
【００１９】134kHzにおけるインダクタンスＬは発振周
波数の観点から1mH以上が望ましい。厚さ方向に5mm変形
後も破損しないアンテナを用いたカードは、カード変形
に対してアンテナが破損せず特性劣下が無いため薄型カ
ード用アンテナに適したものとなる。5mm変形とはアン
テナ磁心両端部を結んだ直線に対してアンテナ磁心中央
部が何mmずれているかで定義する。
波数の観点から1mH以上が望ましい。厚さ方向に5mm変形
後も破損しないアンテナを用いたカードは、カード変形
に対してアンテナが破損せず特性劣下が無いため薄型カ
ード用アンテナに適したものとなる。5mm変形とはアン
テナ磁心両端部を結んだ直線に対してアンテナ磁心中央
部が何mmずれているかで定義する。
【００２０】本発明は、少なくとも一つの本発明にかか
る薄型アンテナと送信回路が内蔵されているカードであ
る。これはカード内部の情報信号を使用目的により更に
受信回路が内蔵される。また、アンテナを内蔵しかつ従
来のコネクタもついたカードも本発明に含まれる。この
場合は情報をインプットしたり、内容を書き換える等の
頻度の低い作業を行なう場合だけコネクタから電気信号
を入れ、普段使用する場合に電波を利用する等の方法も
とることができる。1mm変形後も変形前の機能を維持し
ているカードはポケット等に入れた場合にも違和感なく
かつ故障しないため好ましい。
る薄型アンテナと送信回路が内蔵されているカードであ
る。これはカード内部の情報信号を使用目的により更に
受信回路が内蔵される。また、アンテナを内蔵しかつ従
来のコネクタもついたカードも本発明に含まれる。この
場合は情報をインプットしたり、内容を書き換える等の
頻度の低い作業を行なう場合だけコネクタから電気信号
を入れ、普段使用する場合に電波を利用する等の方法も
とることができる。1mm変形後も変形前の機能を維持し
ているカードはポケット等に入れた場合にも違和感なく
かつ故障しないため好ましい。
【００２１】スパッタ法、蒸着法やメッキ法等により作
製した薄膜からなる磁心を用いたアンテナおよびこれを
内蔵したカードも基本的考えは本発明と同じであり本発
明に含まれる。この場合基板はフレキシブルなものが適
する。また、膜の場合はCo-Nb-Zr系やCo-Ta-Zrアモルフ
ァス膜等薄帯では作製困難な組成も使用可能となる。
製した薄膜からなる磁心を用いたアンテナおよびこれを
内蔵したカードも基本的考えは本発明と同じであり本発
明に含まれる。この場合基板はフレキシブルなものが適
する。また、膜の場合はCo-Nb-Zr系やCo-Ta-Zrアモルフ
ァス膜等薄帯では作製困難な組成も使用可能となる。
【００２２】
【作用】本発明おいては、特に100kHz以上特に134kHzを
中心とする周波数帯で十分な送受信レベルを確保し、薄
型化が可能で変形に強いアンテナ用磁心材料およびQ値
の高いアンテナならびにそれを用いた変形に強い薄型IC
カ−ドが実現される。更に変形に対してもフェライトの
ような割れが発生しないためカード用アンテナに用いた
場合に多少変形してもアンテナとしての機能が維持され
るメリットを有する。
中心とする周波数帯で十分な送受信レベルを確保し、薄
型化が可能で変形に強いアンテナ用磁心材料およびQ値
の高いアンテナならびにそれを用いた変形に強い薄型IC
カ−ドが実現される。更に変形に対してもフェライトの
ような割れが発生しないためカード用アンテナに用いた
場合に多少変形してもアンテナとしての機能が維持され
るメリットを有する。
【００２３】
【実施例】以下、本発明を実施例にしたがって説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２４】（実施例１）図１は、本発明の一実施例の
アンテナの構成を示す図である。同図において、1はア
ンテナ用磁心である。このアンテナ用磁心1は、高透磁
率磁性材料である前記アモルファス合金薄帯及びまた
は、ナノ結晶磁性合金薄帯の積層物から主としてなるも
のである。本実施例におけるアンテナ用磁心1は、上述
したようなアモルファス合金薄帯及び／またはナノ結晶
磁性合金薄帯を積層し、この積層物の層間を固定するこ
とによって構成されたものである。この積層物の固定手
段としては、例えば図２に示すように、合金薄帯5の層
間に樹脂4、例えばエポキシ樹脂を含浸し、この樹脂4を
硬化させることで、積層物全体を固定する樹脂含浸法を
採用することができる。この樹脂含浸によれば、積層物
の固定のみならず、層間絶縁も行うことができるため、
合金薄帯2の積層物の剛性向上だけでなく、アンテナ特
性の向上にも寄与する。このような樹脂含浸法を適用し
たアンテナ用薄型磁心は、例えば以下のようにして製造
する。まず、前述したような組成を有する合金溶湯を急
冷し、アモルファス薄帯を得る。次いで、この薄帯を切
断し、熱処理を行い表面に樹脂をつけ積層し、樹脂を硬
化させる。また、必要に応じて更に熱処理を行なう。以
上の方法により剛性や機械的強度に優れた磁心が得られ
る。次に、上述したような方法により製造したアンテナ
用磁心1に、発信器3に接続された信号送信用コイル2を
巻回することによって本発明アンテナが構成される。そ
して、このアンテナからパソコンや改札等に設置されて
いるアンテナに信号を伝送する。また、外部から信号を
アンテナで受け取る機能を有するカードも本発明に含ま
れる。この場合は信号のやりとりが可能となる。
アンテナの構成を示す図である。同図において、1はア
ンテナ用磁心である。このアンテナ用磁心1は、高透磁
率磁性材料である前記アモルファス合金薄帯及びまた
は、ナノ結晶磁性合金薄帯の積層物から主としてなるも
のである。本実施例におけるアンテナ用磁心1は、上述
したようなアモルファス合金薄帯及び／またはナノ結晶
磁性合金薄帯を積層し、この積層物の層間を固定するこ
とによって構成されたものである。この積層物の固定手
段としては、例えば図２に示すように、合金薄帯5の層
間に樹脂4、例えばエポキシ樹脂を含浸し、この樹脂4を
硬化させることで、積層物全体を固定する樹脂含浸法を
採用することができる。この樹脂含浸によれば、積層物
の固定のみならず、層間絶縁も行うことができるため、
合金薄帯2の積層物の剛性向上だけでなく、アンテナ特
性の向上にも寄与する。このような樹脂含浸法を適用し
たアンテナ用薄型磁心は、例えば以下のようにして製造
する。まず、前述したような組成を有する合金溶湯を急
冷し、アモルファス薄帯を得る。次いで、この薄帯を切
断し、熱処理を行い表面に樹脂をつけ積層し、樹脂を硬
化させる。また、必要に応じて更に熱処理を行なう。以
上の方法により剛性や機械的強度に優れた磁心が得られ
る。次に、上述したような方法により製造したアンテナ
用磁心1に、発信器3に接続された信号送信用コイル2を
巻回することによって本発明アンテナが構成される。そ
して、このアンテナからパソコンや改札等に設置されて
いるアンテナに信号を伝送する。また、外部から信号を
アンテナで受け取る機能を有するカードも本発明に含ま
れる。この場合は信号のやりとりが可能となる。
【００２５】（実施例２）組成が、Cobal.Fe1.5Mn4Mo1S
i15B9.5 (原子%)で表される幅8mm×厚さ8μmのアモルフ
ァス磁性合金薄帯を作製し、これを長さ50mmに切断し
た。切断した薄帯を重ね薄帯幅方向に280kA・m-1の磁場
を印加し200゜Cで4時間の熱処理を行った。次に、この薄
帯表面にエポキシ樹脂を塗布し積層し、150゜Cで1時間硬
化させ、幅8mm長さ50mm厚さ0.2mmのアモルファス合金積
層体からなるアンテナ用磁心を作製した。次にこの磁心
を再度幅方向に280kA・m-1の磁場を印加しながら、1500゜
Cで12時間の熱処理を行った。このように作製したアン
テナ用磁心に0.08mm径の導線300ターンを巻きアンテナA
を作製し134kHzにおけるインダクタンスLおよびQ値を測
定した。得られた結果を表１に示す。また、本発明との
比較として、従来報告されているような、400゜C×1時間
の熱処理を行ったアンテナBの特性と、薄帯長手方向に
磁場を印加し磁場中熱処理を行ったアンテナCの特性お
よびフェライトを用いたアンテナDの特性を示す。ま
た、両端部を結んだ直線よりも中央部を5mm変形させた
場合の磁心の割れについても表１に示す。フェライトは
Q値は十分であるが割れが発生し、曲げや衝撃等が予想
されるこのようなカード用アンテナには適していない。
一方、アモルファスからなるアンテナは割れは発生しな
いが、従来の材料や、長手方向に磁場中熱処理したもの
では十分なQ値が得られず感度が悪い、発振しない等の
問題が生じ薄型のアンテナには適さない。
i15B9.5 (原子%)で表される幅8mm×厚さ8μmのアモルフ
ァス磁性合金薄帯を作製し、これを長さ50mmに切断し
た。切断した薄帯を重ね薄帯幅方向に280kA・m-1の磁場
を印加し200゜Cで4時間の熱処理を行った。次に、この薄
帯表面にエポキシ樹脂を塗布し積層し、150゜Cで1時間硬
化させ、幅8mm長さ50mm厚さ0.2mmのアモルファス合金積
層体からなるアンテナ用磁心を作製した。次にこの磁心
を再度幅方向に280kA・m-1の磁場を印加しながら、1500゜
Cで12時間の熱処理を行った。このように作製したアン
テナ用磁心に0.08mm径の導線300ターンを巻きアンテナA
を作製し134kHzにおけるインダクタンスLおよびQ値を測
定した。得られた結果を表１に示す。また、本発明との
比較として、従来報告されているような、400゜C×1時間
の熱処理を行ったアンテナBの特性と、薄帯長手方向に
磁場を印加し磁場中熱処理を行ったアンテナCの特性お
よびフェライトを用いたアンテナDの特性を示す。ま
た、両端部を結んだ直線よりも中央部を5mm変形させた
場合の磁心の割れについても表１に示す。フェライトは
Q値は十分であるが割れが発生し、曲げや衝撃等が予想
されるこのようなカード用アンテナには適していない。
一方、アモルファスからなるアンテナは割れは発生しな
いが、従来の材料や、長手方向に磁場中熱処理したもの
では十分なQ値が得られず感度が悪い、発振しない等の
問題が生じ薄型のアンテナには適さない。
【００２６】
【表１】
【００２７】（実施例３）組成が、Fe73.5Cu1Nb3Si14.5
B6.5(原子%)で表される幅8mm×厚さ6μmのアモルファス
磁性合金薄帯を作製し、薄帯表面にSiO2の0.5μm厚さの
絶縁膜を形成した。これを長さ50mmに切断した。切断し
た薄帯を重ね薄帯厚さ方向に600kA・m-1の磁場を印加し5
50゜Cで1時間の熱処理を行い2゜C/minの平均冷却速度で室
温まで冷却した。熱処理後の合金薄帯は粒径約10nmの微
細なbcc相を主体とする結晶粒からなっていることが確
認された。次に、この薄帯表面にエポキシ樹脂を塗布し
積層し、150゜Cで1時間硬化させ、幅8mm長さ50mm厚さ0.2
mmのナノ結晶合金積層体からなるアンテナ用磁心を作製
した。このように作製したアンテナ用磁心に0.08mm径の
導線300ターンを巻きアンテナを作製し134kHzにおける
インダクタンスLおよびQ値を測定した。また、両端部を
結んだ直線よりも中央部を5mm変形させた場合の磁心の
割れについても検討した。インダクタンスLは2.6mH、Q
は44であり十分な特性を示していた。また割れも発生し
なかった。
B6.5(原子%)で表される幅8mm×厚さ6μmのアモルファス
磁性合金薄帯を作製し、薄帯表面にSiO2の0.5μm厚さの
絶縁膜を形成した。これを長さ50mmに切断した。切断し
た薄帯を重ね薄帯厚さ方向に600kA・m-1の磁場を印加し5
50゜Cで1時間の熱処理を行い2゜C/minの平均冷却速度で室
温まで冷却した。熱処理後の合金薄帯は粒径約10nmの微
細なbcc相を主体とする結晶粒からなっていることが確
認された。次に、この薄帯表面にエポキシ樹脂を塗布し
積層し、150゜Cで1時間硬化させ、幅8mm長さ50mm厚さ0.2
mmのナノ結晶合金積層体からなるアンテナ用磁心を作製
した。このように作製したアンテナ用磁心に0.08mm径の
導線300ターンを巻きアンテナを作製し134kHzにおける
インダクタンスLおよびQ値を測定した。また、両端部を
結んだ直線よりも中央部を5mm変形させた場合の磁心の
割れについても検討した。インダクタンスLは2.6mH、Q
は44であり十分な特性を示していた。また割れも発生し
なかった。
【００２８】（実施例４）組成が、Cobal.Fe2Mn4Mo0.3S
i15B9.5 (原子%)で表される幅8mmの板厚の異なるアモル
ファス磁性合金薄帯を作製し、これを長さ50mmに切断し
た。切断した薄帯を重ね薄帯幅方向に280kA・m-1の磁場
を印加し200゜Cで4時間の熱処理を行った。次に、この薄
帯表面にエポキシ樹脂を塗布し積層し、薄帯幅方向に10
0kA・m-1磁場を印加しながら150゜Cで1時間硬化させ、幅8
mm長さ50mm厚さ0.2mmのアモルファス積層体からなるア
ンテナ用磁心を作製した。このように作製したアンテナ
用磁心に0.08mm径の導線300ターンを巻きアンテナを作
製し、134kHzにおけるQ値を測定した。得られた結果を
表２に示す。板厚が薄いほどQは上昇することが分か
る。25μm以下の板厚では25以上のQ値が得られる。特に
15μm以下では35以上のQ値が、10μm以下では40以上のQ
値が得られる。
i15B9.5 (原子%)で表される幅8mmの板厚の異なるアモル
ファス磁性合金薄帯を作製し、これを長さ50mmに切断し
た。切断した薄帯を重ね薄帯幅方向に280kA・m-1の磁場
を印加し200゜Cで4時間の熱処理を行った。次に、この薄
帯表面にエポキシ樹脂を塗布し積層し、薄帯幅方向に10
0kA・m-1磁場を印加しながら150゜Cで1時間硬化させ、幅8
mm長さ50mm厚さ0.2mmのアモルファス積層体からなるア
ンテナ用磁心を作製した。このように作製したアンテナ
用磁心に0.08mm径の導線300ターンを巻きアンテナを作
製し、134kHzにおけるQ値を測定した。得られた結果を
表２に示す。板厚が薄いほどQは上昇することが分か
る。25μm以下の板厚では25以上のQ値が得られる。特に
15μm以下では35以上のQ値が、10μm以下では40以上のQ
値が得られる。
【００２９】
【表２】
【００３０】（実施例５）組成が、Cobal.Fe2Mn4Mo0.3S
i15B9.5 (原子%)で表される幅8mm、板厚7μmのアモルフ
ァス磁性合金薄帯を作製し、これを長さ50mmに切断し
た。切断した薄帯を重ね薄帯幅方向に280kA・m-1の磁場
を印加し200゜Cで4時間の熱処理を行った。次に、この薄
帯表面に無機系ワニスを塗布し積層し、薄帯幅方向に10
0kA・m-1磁場を印加しながら150゜Cで1時間硬化させ、幅8
mm長さ50mm厚さ0.2mmのアモルファス積層体からなるア
ンテナ用磁心を作製した。このように作製したアンテナ
用磁心に0.08mm径の導線300ターンを巻き本発明アンテ
ナを作製しQ値の周波数依存性を測定した。比較のため
に400゜Cで1時間の熱処理を行った従来のアモルファス合
金からなるアンテナおよび磁心の無い空心コイルについ
ても比較した。得られた結果を図３に示す。100kHz以上
の周波数帯において従来のアモルファスを用いたアンテ
ナよりも高いQが得られており薄型アンテナとして優れ
た特性を示すことが分かる。
i15B9.5 (原子%)で表される幅8mm、板厚7μmのアモルフ
ァス磁性合金薄帯を作製し、これを長さ50mmに切断し
た。切断した薄帯を重ね薄帯幅方向に280kA・m-1の磁場
を印加し200゜Cで4時間の熱処理を行った。次に、この薄
帯表面に無機系ワニスを塗布し積層し、薄帯幅方向に10
0kA・m-1磁場を印加しながら150゜Cで1時間硬化させ、幅8
mm長さ50mm厚さ0.2mmのアモルファス積層体からなるア
ンテナ用磁心を作製した。このように作製したアンテナ
用磁心に0.08mm径の導線300ターンを巻き本発明アンテ
ナを作製しQ値の周波数依存性を測定した。比較のため
に400゜Cで1時間の熱処理を行った従来のアモルファス合
金からなるアンテナおよび磁心の無い空心コイルについ
ても比較した。得られた結果を図３に示す。100kHz以上
の周波数帯において従来のアモルファスを用いたアンテ
ナよりも高いQが得られており薄型アンテナとして優れ
た特性を示すことが分かる。
【００３１】
【表３】
【００３２】（実施例６）表３に示す組成の幅8mm×厚
さ5μmのアモルファス磁性合金薄帯を作製し、薄帯表面
にSiO2膜を形成後、これを長さ50mmに切断した。切断し
た薄帯を重ね薄帯幅方向に280kA・m-1の磁場を印加し窒
素ガス雰囲気中150゜Cで24時間の熱処理を行った。熱処
理後の合金はX線回折の結果アモルファス状態にあるこ
とが確認された。次に、この薄帯表面に室温硬化型のエ
ポキシ樹脂を塗布し積層し、室温で硬化させ、幅8mm長
さ50mm厚さ0.3mmのアモルファス積層体からなるアンテ
ナ用磁心を作製し、134kHzにおけるQ値を測定した。得
られた結果を表３に示す。本発明の組成は高いQ値が得
られるが本発明外の組成では高いQ値が得られず薄型ア
ンテナとして使用するには不適である。
さ5μmのアモルファス磁性合金薄帯を作製し、薄帯表面
にSiO2膜を形成後、これを長さ50mmに切断した。切断し
た薄帯を重ね薄帯幅方向に280kA・m-1の磁場を印加し窒
素ガス雰囲気中150゜Cで24時間の熱処理を行った。熱処
理後の合金はX線回折の結果アモルファス状態にあるこ
とが確認された。次に、この薄帯表面に室温硬化型のエ
ポキシ樹脂を塗布し積層し、室温で硬化させ、幅8mm長
さ50mm厚さ0.3mmのアモルファス積層体からなるアンテ
ナ用磁心を作製し、134kHzにおけるQ値を測定した。得
られた結果を表３に示す。本発明の組成は高いQ値が得
られるが本発明外の組成では高いQ値が得られず薄型ア
ンテナとして使用するには不適である。
【００３３】（実施例７）表４に示す組成の幅8mm×厚
さ4μmのアモルファス磁性合金薄帯を作製し、薄帯表面
にSiO2膜を形成後、これを長さ50mmに切断した。切断し
た薄帯を重ね薄帯幅方向に280kA・m-1の磁場を印加しAr
雰囲気中550゜Cで1時間保持後室温まで1゜C/minの速度で
冷却し熱処理を行った。熱処理後の合金薄帯は粒径約10
nmの微細なbcc相を主体とする結晶粒からなっているこ
とが確認された。次に、この薄帯表面に室温硬化型のエ
ポキシ樹脂を塗布し積層し、室温で硬化させ、幅8mm長
さ50mm厚さ0.3mmのナノ結晶合金積層体からなるアンテ
ナ用磁心を作製し、134kHzにおけるQ値を測定した。得
られた結果を表４に示す。本発明の組成は高いQ値が得
られるが本発明外の組成では高いQ値が得られず薄型ア
ンテナとして使用するには不適である。
さ4μmのアモルファス磁性合金薄帯を作製し、薄帯表面
にSiO2膜を形成後、これを長さ50mmに切断した。切断し
た薄帯を重ね薄帯幅方向に280kA・m-1の磁場を印加しAr
雰囲気中550゜Cで1時間保持後室温まで1゜C/minの速度で
冷却し熱処理を行った。熱処理後の合金薄帯は粒径約10
nmの微細なbcc相を主体とする結晶粒からなっているこ
とが確認された。次に、この薄帯表面に室温硬化型のエ
ポキシ樹脂を塗布し積層し、室温で硬化させ、幅8mm長
さ50mm厚さ0.3mmのナノ結晶合金積層体からなるアンテ
ナ用磁心を作製し、134kHzにおけるQ値を測定した。得
られた結果を表４に示す。本発明の組成は高いQ値が得
られるが本発明外の組成では高いQ値が得られず薄型ア
ンテナとして使用するには不適である。
【００３４】
【表４】
【００３５】（実施例８）組成が、Cobal.Fe4Mo1Si14B
9.5 (原子%)で表される幅8mm、板厚5μmのアモルファス
磁性合金薄帯を作製し、これを長さ50mmに切断した。切
断した薄帯を重ね薄帯幅方向に280kA・m-1の磁場を印加
し200゜Cで8時間の熱処理を行った。次に、この薄帯表面
にエポキシ系樹脂を塗布し積層し、室温で24時間かけ硬
化させ、幅8mm長さ50mm厚さ0.2mmのアモルファス積層体
からなるアンテナ用磁心を作製した。このように作製し
たアンテナ用磁心に0.08mm径の導線300ターンを巻き本
発明アンテナを作製し、図４に示すような厚さ3.3mm、
1.7mmおよび0.8mmのICカードを作製した。ICカードの幅
方向の両端部を結んだ直線に対して中央部を1mm変形さ
せ元に戻した後に電波の出力を比較したがどのカードも
変化は認められなかった。
9.5 (原子%)で表される幅8mm、板厚5μmのアモルファス
磁性合金薄帯を作製し、これを長さ50mmに切断した。切
断した薄帯を重ね薄帯幅方向に280kA・m-1の磁場を印加
し200゜Cで8時間の熱処理を行った。次に、この薄帯表面
にエポキシ系樹脂を塗布し積層し、室温で24時間かけ硬
化させ、幅8mm長さ50mm厚さ0.2mmのアモルファス積層体
からなるアンテナ用磁心を作製した。このように作製し
たアンテナ用磁心に0.08mm径の導線300ターンを巻き本
発明アンテナを作製し、図４に示すような厚さ3.3mm、
1.7mmおよび0.8mmのICカードを作製した。ICカードの幅
方向の両端部を結んだ直線に対して中央部を1mm変形さ
せ元に戻した後に電波の出力を比較したがどのカードも
変化は認められなかった。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば特
に100kHz以上特に134kHzを中心とする周波数帯で十分な
送受信レベルを確保し、薄型化が可能で変形に強いアン
テナ用磁心材料およびQ値の高いアンテナ、ならびにそ
れを用いた変形に強い薄型ICカ−ドが実現されるためそ
の効果は著しいものがある。
に100kHz以上特に134kHzを中心とする周波数帯で十分な
送受信レベルを確保し、薄型化が可能で変形に強いアン
テナ用磁心材料およびQ値の高いアンテナ、ならびにそ
れを用いた変形に強い薄型ICカ−ドが実現されるためそ
の効果は著しいものがある。
【図１】本発明に係わるアンテナの構成例を示した図で
ある。
ある。
【図２】図１に示すアンテナの磁心断面を拡大して示し
た図である。
た図である。
【図３】Q値の周波数依存性を示した図である。
【図４】本発明に係わるICカードの構造を示した図であ
る。
る。
１ アンテナ用磁心（アモルファス合金薄帯および／ま
たはナノ結晶合金薄帯）、２ 信号送信用コイル、３
発振器、４ 積層物固定用樹脂
たはナノ結晶合金薄帯）、２ 信号送信用コイル、３
発振器、４ 積層物固定用樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２２Ｃ 45/04 Ｅ Ｈ０１Ｆ 1/153 1/16 Ｈ０１Ｑ 7/06
Claims (11)
- 【請求項１】 一般式：(Co1-aFea)100-b-c-d-eTbSicBd
Ye（原子％、ここで、TはMn,Ni,Ti,Zr,Hf,Cr,Mo,Nb,Mo,
W,Ta,Cu,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Re,Snから選ばれた少なく
とも一種の元素、YはC,Ge,Ga,P,Alから選ばれた少なく
とも一 種の元素を示し、a,b,c,dおよびeはそれぞれ0≦
a≦0.1、0≦b≦15、0≦c≦20、5≦d≦25、0≦e≦20、15
≦c+d≦30を満足する。）からなり、板厚が25μm以下で
あるアモルファス合金薄帯からなることを特徴とするア
ンテナ用磁心材料。 - 【請求項２】 一般式：（Fe1-vMv）100-x-y-z-wAxM'
yM''zXw（原子％、ここで、MはCo,Niから選ばれた少な
くとも1種の元素を、AはCu,Auから選ばれた少なくとも1
種の元素、M'はTi,V,Zr,Nb,Mo,Hf,TaおよびWから選ばれ
た少なくとも1種の元素、M''はCr,Mn,Al,Sn,Zn,Ag,In,
白金属元素,Mg,Ca,Sr,Y,希土類 元素,N,OおよびSから選
ばれた少なくとも1種の元素、XはB,Si,C,Ge,GaおよびP
から選ばれた少なくとも1種の元素を示し、v,w,x,yおよ
びzはそれぞれ0≦v≦0.5、0≦x≦10、0.1≦y≦20、0≦z
≦20、2≦w≦30を満足する。）からなり、組織の少なく
とも50%が粒径100nm以下の結晶粒からなる板厚25μm以
下のナノ結晶合金薄帯からなることを特徴とするアンテ
ナ用磁心材料。 - 【請求項３】 前記合金薄帯の幅方向あるいは厚さ方向
に誘導磁気異方性が付与されていることを特徴とする請
求項１または２に記載のアンテナ用磁心材料。 - 【請求項４】 合金薄帯の板厚が15μm未満であること
を特徴とする請求項１乃至３のいづれかに記載のアンテ
ナ用磁心材料。 - 【請求項５】 一般式：(Co1-aFea)100-b-c-d-eTbSicBd
Ye（原子％、ここで、TはMn,Ni,Ti,Zr,Hf,Cr,Mo,Nb,Mo,
W,Ta,Cu,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Re,Snか ら選ばれた少なく
とも一種の元素、YはC,Ge,Ga,P,Alから選ばれた少なく
とも一 種の元素を示し、a,b,c,dおよびeはそれぞれ0≦
a≦0.1、0≦b≦15、0≦c≦20、5≦d≦25、0≦e≦20、15
≦b+c≦30を満足する。）で表され、かつ板厚が25μm以
下のアモルファス合金薄帯の積層物からなるアンテナ用
磁心と、前記アンテナ用磁心に巻回された少なくとも1
つのコイルとを具備し、134kHzにおけるQ値が25以上、
厚さが3mm以下であることを特徴とする薄型アンテナ。 - 【請求項６】 一般式：（Fe1-vMv）100-x-y-z-wAxM'
yM''zXw（原子％、ここで、MはCo,Niから選ばれた少な
くとも1種の元素を、AはCu,Auから選ばれた少なくとも1
種の元素、M'はTi,V,Zr,Nb,Mo,Hf,TaおよびWから選ばれ
た少なくとも1種の元素、M''はCr,Mn,Al,Sn,Zn,Ag,In,
白金属元素,Mg,Ca,Sr,Y,希土類 元素,N,OおよびSから選
ばれた少なくとも1種の元素、XはB,Si,C,Ge,GaおよびP
から選ばれた少なくとも1種の元素を示し、v,w,x,yおよ
びzはそれぞれ0≦v≦0.5、0≦x≦10、0.1≦y≦20、0≦z
≦20、2≦w≦30を満足する。）で表され、組織の少なく
とも50%が粒径50nm以下の結晶粒からなり、板厚25μm以
下であるナノ結晶磁性合金薄帯の積層物からなるアンテ
ナ用磁心と、前記アンテナ用磁心に巻回された少なくと
も1つのコイルとを具備し、134kHzにおけるQ値が25以
上、厚さが3mm以下であることを特徴とする薄型アンテ
ナ。 - 【請求項７】 厚さが1mm以下であることを特徴とする
請求項５または６に記載の薄型アンテナ。 - 【請求項８】 134kHzにおけるインダクタンスＬが1mH
以上であることを特徴とする請求項５乃至７のいづれか
に記載の薄型アンテナ。 - 【請求項９】 5mm変形後も破損しないことを特徴とす
る請求項５乃至８のいづれかに記載の薄型アンテナ。 - 【請求項１０】 少なくとも一つの請求項６または７に
記載される薄型アンテナと送信回路および／または受信
回路が内蔵されていることを特徴とするカード。 - 【請求項１１】 1mm変形後も変形前の機能を維持して
いることを特徴とする請求項１０に記載のカ−ド。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07222994A JP3891448B2 (ja) | 1994-04-11 | 1994-04-11 | 薄型アンテナおよびそれを用いたカード |
| DE19513607A DE19513607C2 (de) | 1994-04-11 | 1995-04-10 | Magnetkernelement und seine Verwendung in einer Dünnfilmantenne und einer mit dieser versehenen Karte |
| CN95104515A CN1075672C (zh) | 1994-04-11 | 1995-04-11 | 天线,薄膜天线使用的磁芯元件和装备有薄膜天线的卡 |
| US08/419,690 US5567537A (en) | 1994-04-11 | 1995-04-11 | Magnetic core element for antenna, thin-film antenna, and card equipped with thin-film antenna |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07222994A JP3891448B2 (ja) | 1994-04-11 | 1994-04-11 | 薄型アンテナおよびそれを用いたカード |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006306329A Division JP2007119922A (ja) | 2006-11-13 | 2006-11-13 | アンテナ用磁心材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07278763A true JPH07278763A (ja) | 1995-10-24 |
| JP3891448B2 JP3891448B2 (ja) | 2007-03-14 |
Family
ID=13483239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07222994A Expired - Lifetime JP3891448B2 (ja) | 1994-04-11 | 1994-04-11 | 薄型アンテナおよびそれを用いたカード |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5567537A (ja) |
| JP (1) | JP3891448B2 (ja) |
| CN (1) | CN1075672C (ja) |
| DE (1) | DE19513607C2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000269726A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Toshiba Corp | 非接触データキャリア用アンテナ磁心及びそれを用いた非接触データキャリアパッケージ |
| JP2003283231A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Aisin Seiki Co Ltd | アンテナおよびその製造方法 |
| JPWO2005041224A1 (ja) * | 2003-10-23 | 2007-04-26 | 株式会社東芝 | インダクタンス素子とその製造方法 |
| JP2008136185A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-06-12 | Hitachi Metals Ltd | アンテナ用磁心とその製造方法、およびアンテナ |
| US7445852B2 (en) | 2002-01-16 | 2008-11-04 | Mitsui Chemicals, Inc. | Magnetic substrate, laminate of magnetic substrate and method for producing thereof |
| WO2008133026A1 (ja) | 2007-04-13 | 2008-11-06 | Hitachi Metals, Ltd. | アンテナ用磁心、アンテナ用磁心の製造方法、およびアンテナ |
| JPWO2008018179A1 (ja) * | 2006-08-11 | 2009-12-24 | 三井化学株式会社 | アンテナ用コアおよびアンテナ |
| KR101158070B1 (ko) * | 2010-08-20 | 2012-06-22 | 주식회사 포스코 | 용선을 활용한 고탄소 철계 비정질 합금 및 그 제조방법 |
| WO2013114893A1 (ja) * | 2012-02-03 | 2013-08-08 | 株式会社 東芝 | アンテナ磁心とそれを用いたアンテナおよび検知システム |
| JP2014003084A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Hitachi Industrial Equipment Systems Co Ltd | 磁心及びその製造方法 |
Families Citing this family (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100459839B1 (ko) * | 1995-08-22 | 2005-02-07 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 트랜스폰더용안테나및트랜스폰더 |
| WO1998011506A1 (de) * | 1996-09-10 | 1998-03-19 | Pav Card Gmbh | Chipkarte und verfahren zur herstellung einer chipkarte |
| CH691417A5 (fr) * | 1997-02-19 | 2001-07-13 | Njc Innovations | Etiquette RF comportant un circuit intégré associé à des éléments à perméabilité élevée. |
| US6559808B1 (en) | 1998-03-03 | 2003-05-06 | Vacuumschmelze Gmbh | Low-pass filter for a diplexer |
| FR2788455B1 (fr) * | 1999-01-19 | 2001-04-06 | Imphy Ugine Precision | Procede de traitement d'une bande mince metallique fragile et pieces magnetiques realisees a partir d'une bande en alliage nanocristallin |
| US6181284B1 (en) | 1999-05-28 | 2001-01-30 | 3 Com Corporation | Antenna for portable computers |
| US6174205B1 (en) | 1999-05-28 | 2001-01-16 | 3Com Corporation | Communication card extension and adapter port |
| DE19926699C2 (de) | 1999-06-11 | 2003-10-30 | Vacuumschmelze Gmbh | Hochpaßzweig einer Frequenzweiche für ADSL-Systeme |
| US6482330B1 (en) * | 1999-10-01 | 2002-11-19 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a data storage card |
| DE19948897A1 (de) * | 1999-10-11 | 2001-04-19 | Vacuumschmelze Gmbh | Schnittstellenmodule für lokale Datennetzwerke |
| FR2808943B1 (fr) * | 2000-05-12 | 2004-10-01 | Valeo Electronique | Identifiant pour systeme "d'acces et demarrage mains-libres" avec une bobine emettrice et/ou receptrice disposee dans l'epaisseur du substrat |
| IL140281A0 (en) * | 2000-12-13 | 2002-02-10 | Coil-based electronic and electrical components (such as coils, transformers, filters and motors) based on nanotechnology | |
| US7978078B2 (en) | 2001-12-21 | 2011-07-12 | Sensormatic Electronics, LLC | Magnetic core transceiver for electronic article surveillance marker detection |
| JP2003317052A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Smart Card:Kk | Ｉｃタグシステム |
| US6906495B2 (en) * | 2002-05-13 | 2005-06-14 | Splashpower Limited | Contact-less power transfer |
| GB2388716B (en) * | 2002-05-13 | 2004-10-20 | Splashpower Ltd | Improvements relating to contact-less power transfer |
| US7091858B2 (en) * | 2003-01-14 | 2006-08-15 | Sensormatic Electronics Corporation | Wide exit electronic article surveillance antenna system |
| US7154447B2 (en) * | 2003-12-22 | 2006-12-26 | Sensormatic Electronics Corporation | Nanocrystalline core antenna for EAS and RFID applications |
| WO2004066438A1 (de) | 2003-01-23 | 2004-08-05 | Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg | Antennenkern |
| DE10302646B4 (de) * | 2003-01-23 | 2010-05-20 | Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg | Antennenkern und Verfahren zum Herstellen eines Antennenkerns |
| US7167140B2 (en) * | 2003-07-02 | 2007-01-23 | Nec Tokin Corporation | Coil antenna |
| US7971053B2 (en) * | 2004-05-26 | 2011-06-28 | At&T Intellectual Property I, L. P. | Methods, systems, and products for intrusion detection |
| DE102004037682A1 (de) * | 2004-08-02 | 2006-03-16 | Huf Hülsbeck & Fürst Gmbh & Co. Kg | Sendeantennenanordnung zum Abstrahlen eines langwelligen Aufwecksignals für einen ID-Geber eines schlüssellosen Kraftfahrzeugzugangssystems |
| GB2439852B (en) | 2005-02-17 | 2009-06-10 | Liquidmetal Technologies Inc | Antenna structures made of bulk-solidifying amorphous alloys |
| KR100523313B1 (ko) * | 2005-04-26 | 2005-10-24 | (주) 아모센스 | 무선 식별 안테나용 압소바 및 이를 이용한 무선 식별안테나 |
| CN100372033C (zh) * | 2005-06-23 | 2008-02-27 | 安泰科技股份有限公司 | 漏电保护器用抗直流偏磁互感器磁芯及其制造方法 |
| DE102005045911B4 (de) * | 2005-09-26 | 2012-04-12 | Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg | Magnetkern, Magnetanodnung und Verfahren zur Herstellung des Magnetkerns |
| CN1331975C (zh) * | 2005-12-08 | 2007-08-15 | 南开大学 | 纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料 |
| US7504952B2 (en) | 2005-12-28 | 2009-03-17 | Sandlinks Ltd. | Wide band RFID system with tag on flexible label |
| DE102006042349B4 (de) * | 2006-09-08 | 2010-05-20 | Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung einer Magnetanordnung mit einem flachen Magnetkern und derartige Magnetanordnung |
| JP2008153925A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Alps Electric Co Ltd | アンテナシート及びその製造方法 |
| US7771545B2 (en) * | 2007-04-12 | 2010-08-10 | General Electric Company | Amorphous metal alloy having high tensile strength and electrical resistivity |
| JPWO2010073577A1 (ja) | 2008-12-22 | 2012-06-07 | 株式会社東芝 | アンテナ磁心とその製造方法、及びそれを用いたアンテナと検知システム |
| WO2011036962A1 (ja) * | 2009-09-25 | 2011-03-31 | 株式会社村田製作所 | アンテナ装置及び携帯端末 |
| WO2012020581A1 (ja) * | 2010-08-12 | 2012-02-16 | 株式会社村田製作所 | アンテナ装置及び通信端末装置 |
| JP5814854B2 (ja) * | 2012-04-18 | 2015-11-17 | 株式会社東芝 | 通信装置 |
| WO2014126220A1 (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | 日立金属株式会社 | Ｆｅ基ナノ結晶軟磁性合金を用いた環状磁心、及びそれを用いた磁性部品 |
| WO2015194895A1 (ko) | 2014-06-19 | 2015-12-23 | 주식회사 아모그린텍 | 저주파 안테나, 그의 제조방법 및 이를 이용한 키레스 엔트리 시스템 |
| WO2016031311A1 (ja) * | 2014-08-27 | 2016-03-03 | 株式会社村田製作所 | コイルアンテナ、無線ｉｃデバイスおよびコイルアンテナの製造方法 |
| DE102015111038B4 (de) * | 2015-07-08 | 2021-05-06 | Infineon Technologies Ag | Eine vertikale Ferritantenne mit vorgefertigten Verbindungsbauteilen |
| KR101977254B1 (ko) * | 2015-10-05 | 2019-05-10 | 주식회사 아모센스 | 다기능 복합모듈 및 이를 포함하는 휴대용 기기 |
| DK3427339T3 (da) * | 2016-03-07 | 2020-12-07 | Sivantos Pte Ltd | Antenne |
| KR20180047889A (ko) * | 2016-11-01 | 2018-05-10 | 삼성전기주식회사 | 안테나 장치 |
| CN107142429B (zh) * | 2017-05-22 | 2019-01-18 | 西安工业大学 | 一种制备原料全部为低纯度工业合金的Fe基非晶合金及其制备方法 |
| CN107345265B (zh) * | 2017-06-22 | 2019-08-09 | 东莞市大忠电子有限公司 | 一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺 |
| PL234845B1 (pl) * | 2018-05-25 | 2020-04-30 | Politechnika Czestochowska | Amorficzny stop objętościowy |
| US10647556B2 (en) | 2018-10-02 | 2020-05-12 | Goodrich Corporation | Hoist cable sensor with differential drive |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5267922A (en) * | 1975-12-03 | 1977-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Character signal generation system |
| US4187128A (en) * | 1978-09-26 | 1980-02-05 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Magnetic devices including amorphous alloys |
| JPH02223205A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-09-05 | Kurieiteitsuku Japan:Kk | アンテナ |
| DE68921856T2 (de) * | 1988-12-20 | 1995-12-07 | Toshiba Kawasaki Kk | Weichmagnetische auf Fe-basierende Legierung. |
| US5096513A (en) * | 1989-09-01 | 1992-03-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Very thin soft magnetic alloy strips and magnetic core and electromagnetic apparatus made therefrom |
| DE69013642T2 (de) * | 1989-11-17 | 1995-03-02 | Hitachi Metals Ltd | Magnetlegierung mit ultrakleinen Kristallkörnern und Herstellungsverfahren. |
| DE69018422T2 (de) * | 1989-12-28 | 1995-10-19 | Toshiba Kawasaki Kk | Auf Eisen basierende weichmagnetische Legierung, ihr Herstellungsverfahren und Magnetkern daraus. |
| JP2559074B2 (ja) * | 1990-04-27 | 1996-11-27 | 株式会社クリエイティックジャパン | アンテナ素子 |
| DE4109840A1 (de) * | 1991-03-26 | 1992-10-01 | Bosch Gmbh Robert | Antenne zum empfang von lang- und/oder laengstwellen |
| JPH04321190A (ja) * | 1991-04-22 | 1992-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | 非接触型携帯記憶装置のアンテナ回路 |
| JPH05267922A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Toshiba Corp | 車載用アンテナ |
| JP3233313B2 (ja) * | 1993-07-21 | 2001-11-26 | 日立金属株式会社 | パルス減衰特性に優れたナノ結晶合金の製造方法 |
-
1994
- 1994-04-11 JP JP07222994A patent/JP3891448B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-04-10 DE DE19513607A patent/DE19513607C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-11 US US08/419,690 patent/US5567537A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-11 CN CN95104515A patent/CN1075672C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000269726A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Toshiba Corp | 非接触データキャリア用アンテナ磁心及びそれを用いた非接触データキャリアパッケージ |
| US7445852B2 (en) | 2002-01-16 | 2008-11-04 | Mitsui Chemicals, Inc. | Magnetic substrate, laminate of magnetic substrate and method for producing thereof |
| JP2003283231A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Aisin Seiki Co Ltd | アンテナおよびその製造方法 |
| JP2011014919A (ja) * | 2003-10-23 | 2011-01-20 | Toshiba Corp | インダクタンス素子とその製造方法 |
| JPWO2005041224A1 (ja) * | 2003-10-23 | 2007-04-26 | 株式会社東芝 | インダクタンス素子とその製造方法 |
| JP4619953B2 (ja) * | 2003-10-23 | 2011-01-26 | 株式会社東芝 | インダクタンス素子 |
| US7504924B2 (en) | 2003-10-23 | 2009-03-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Inductive device and method for manufacturing same |
| US8035569B2 (en) | 2006-08-11 | 2011-10-11 | Mitsui Chemicals, Inc. | Antenna core and antenna |
| JPWO2008018179A1 (ja) * | 2006-08-11 | 2009-12-24 | 三井化学株式会社 | アンテナ用コアおよびアンテナ |
| JP2008136185A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-06-12 | Hitachi Metals Ltd | アンテナ用磁心とその製造方法、およびアンテナ |
| JP4471037B2 (ja) * | 2007-04-13 | 2010-06-02 | 日立金属株式会社 | アンテナ用磁心、アンテナ用磁心の製造方法、およびアンテナ |
| JPWO2008133026A1 (ja) * | 2007-04-13 | 2010-07-22 | 日立金属株式会社 | アンテナ用磁心、アンテナ用磁心の製造方法、およびアンテナ |
| WO2008133026A1 (ja) | 2007-04-13 | 2008-11-06 | Hitachi Metals, Ltd. | アンテナ用磁心、アンテナ用磁心の製造方法、およびアンテナ |
| KR101158070B1 (ko) * | 2010-08-20 | 2012-06-22 | 주식회사 포스코 | 용선을 활용한 고탄소 철계 비정질 합금 및 그 제조방법 |
| WO2013114893A1 (ja) * | 2012-02-03 | 2013-08-08 | 株式会社 東芝 | アンテナ磁心とそれを用いたアンテナおよび検知システム |
| JPWO2013114893A1 (ja) * | 2012-02-03 | 2015-05-11 | 株式会社東芝 | アンテナ磁心とそれを用いたアンテナおよび検知システム |
| US9466882B2 (en) | 2012-02-03 | 2016-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Antenna magnetic core, antenna using same, and detection system |
| JP2014003084A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Hitachi Industrial Equipment Systems Co Ltd | 磁心及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1075672C (zh) | 2001-11-28 |
| CN1111829A (zh) | 1995-11-15 |
| DE19513607A1 (de) | 1995-10-12 |
| DE19513607C2 (de) | 1999-07-15 |
| US5567537A (en) | 1996-10-22 |
| JP3891448B2 (ja) | 2007-03-14 |
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| A02 | Decision of refusal |
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| A521 | Written amendment |
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|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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| A521 | Written amendment |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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