JPH07263605A - 多層リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents
多層リードフレーム及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH07263605A JPH07263605A JP5555894A JP5555894A JPH07263605A JP H07263605 A JPH07263605 A JP H07263605A JP 5555894 A JP5555894 A JP 5555894A JP 5555894 A JP5555894 A JP 5555894A JP H07263605 A JPH07263605 A JP H07263605A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- metal plate
- adhesive
- roughening treatment
- copper alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Abstract
(57)【要約】
【目的】金属板とモールド樹脂間の密着性を向上して、
半田リフロー時に金属板とモールド樹脂間で発生するリ
フロークラックの発生を有効に防止する。 【構成】リードフレーム１上に、ヒートスプレッダとな
る銅合金板２を積層した多層リードフレームである。銅
合金板２のリードフレーム１と接触しない面に粗面化処
理層８を形成する。リードフレーム１と接触する面に接
着剤７を設け、この接着剤７を介してリードフレーム１
に半導体素子５を接着する。粗面化処理層８は交流粗化
処理または、電解粗化処理、黒色酸化粗化処理で形成す
る。接着剤７は熱可塑性接着剤を用いても、熱硬化性接
着剤を用いてもよい。銅合金板２はモールド樹脂４中に
内蔵されるタイプであるが、粗面化処理後の表面にさら
に防錆処理を施してもよい。
半田リフロー時に金属板とモールド樹脂間で発生するリ
フロークラックの発生を有効に防止する。 【構成】リードフレーム１上に、ヒートスプレッダとな
る銅合金板２を積層した多層リードフレームである。銅
合金板２のリードフレーム１と接触しない面に粗面化処
理層８を形成する。リードフレーム１と接触する面に接
着剤７を設け、この接着剤７を介してリードフレーム１
に半導体素子５を接着する。粗面化処理層８は交流粗化
処理または、電解粗化処理、黒色酸化粗化処理で形成す
る。接着剤７は熱可塑性接着剤を用いても、熱硬化性接
着剤を用いてもよい。銅合金板２はモールド樹脂４中に
内蔵されるタイプであるが、粗面化処理後の表面にさら
に防錆処理を施してもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多層リードフレーム及び
その製造方法に係り、特に耐半田リフロー性を高めたも
のに関する。
その製造方法に係り、特に耐半田リフロー性を高めたも
のに関する。
【０００２】
【従来の技術】ロジック系素子の高集積化、及び高速化
に伴い、半導体素子を搭載するリードフレームには電気
伝搬特性の向上、及び放熱性の向上が求められている。
最近は、これに対応して、リードフレームに金属板を貼
り合わせることによって、リードのインダクタンスを減
少させた構造を有するリードフレームや、その貼り合わ
せた金属板上に直接半導体素子を搭載することによっ
て、放熱性を向上させたリードフレーム等が実用化され
ている。
に伴い、半導体素子を搭載するリードフレームには電気
伝搬特性の向上、及び放熱性の向上が求められている。
最近は、これに対応して、リードフレームに金属板を貼
り合わせることによって、リードのインダクタンスを減
少させた構造を有するリードフレームや、その貼り合わ
せた金属板上に直接半導体素子を搭載することによっ
て、放熱性を向上させたリードフレーム等が実用化され
ている。
【０００３】このようなリードフレームの代表的な形態
としては、図４に示すようなリードと金属板を両面接着
剤付きテープで貼り合わせた構造のものがある（例え
ば、日経マイクロデバイス（１９９１年５月号、ｐ９４
〜９９）。
としては、図４に示すようなリードと金属板を両面接着
剤付きテープで貼り合わせた構造のものがある（例え
ば、日経マイクロデバイス（１９９１年５月号、ｐ９４
〜９９）。
【０００４】また、リードと金属板の接着にテープを使
用しないで、図５に示すような接着剤を塗布した金属板
に直接リードを接着させた構造のものもある（特公平４
−３９７８０号公報）。
用しないで、図５に示すような接着剤を塗布した金属板
に直接リードを接着させた構造のものもある（特公平４
−３９７８０号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
構造の多層リードフレームにおいては、モールド成形後
の半田リフロー時に、リフロークラックの発生という欠
点を有している。これは、広い面積の金属板がモールド
内に存在するため、金属板とモールド樹脂との熱膨張差
によって、半田リフロー時に金属板とモールド樹脂の界
面に剥離が生じるためである。
構造の多層リードフレームにおいては、モールド成形後
の半田リフロー時に、リフロークラックの発生という欠
点を有している。これは、広い面積の金属板がモールド
内に存在するため、金属板とモールド樹脂との熱膨張差
によって、半田リフロー時に金属板とモールド樹脂の界
面に剥離が生じるためである。
【０００６】本発明の目的は、金属板とモールド樹脂と
の密着性を向上することによって、上述した従来技術の
欠点を解消して、リフロークラックの発生を防止するこ
とが可能な多層リードフレームを提供することにある。
の密着性を向上することによって、上述した従来技術の
欠点を解消して、リフロークラックの発生を防止するこ
とが可能な多層リードフレームを提供することにある。
【０００７】また本発明の目的は、生産性が向上し、コ
ストダウンを図ることが可能な多層リードフレームの製
造方法を提供することにある。
ストダウンを図ることが可能な多層リードフレームの製
造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の多層リードフレ
ームは、リードフレーム上に金属板を積層した多層リー
ドフレームにおいて、金属板の少なくともリードフレー
ム側と接触しない面に粗面化処理層が設けられ、リード
フレーム側と接触する面に接着剤が設けられているもの
である。
ームは、リードフレーム上に金属板を積層した多層リー
ドフレームにおいて、金属板の少なくともリードフレー
ム側と接触しない面に粗面化処理層が設けられ、リード
フレーム側と接触する面に接着剤が設けられているもの
である。
【０００９】また、本発明の多層リードフレームは、リ
ードフレーム上に金属板が積層され、その金属板がモー
ルド樹脂中に内蔵されるタイプの多層リードフレームに
おいて、金属板の少なくともリードフレームと接触しな
い面に防錆処理層が設けられ、リードフレーム側と接触
する面に接着剤が設けられているものである。
ードフレーム上に金属板が積層され、その金属板がモー
ルド樹脂中に内蔵されるタイプの多層リードフレームに
おいて、金属板の少なくともリードフレームと接触しな
い面に防錆処理層が設けられ、リードフレーム側と接触
する面に接着剤が設けられているものである。
【００１０】また、本発明の多層リードフレームの製造
方法は、予め金属板の一方の面に接着剤を塗布し、他方
の面または両面に粗面化処理を施す工程と、金属板を連
続して供給する工程と、金属板を他方の面から接着剤を
塗布した一方の面に向って所定形状に打ち抜く工程と、
金属板に設けられた接着剤が溶融する温度までリードフ
レームを昇温させる工程と、リードフレームに接着層を
介して金属板を貼り合わせる工程とを備えたものであ
る。
方法は、予め金属板の一方の面に接着剤を塗布し、他方
の面または両面に粗面化処理を施す工程と、金属板を連
続して供給する工程と、金属板を他方の面から接着剤を
塗布した一方の面に向って所定形状に打ち抜く工程と、
金属板に設けられた接着剤が溶融する温度までリードフ
レームを昇温させる工程と、リードフレームに接着層を
介して金属板を貼り合わせる工程とを備えたものであ
る。
【００１１】
【作用】本発明の多層リードフレームは素子搭載、ワイ
ヤボンディング後、モールド成形されるが、少なくとも
金属板のリードフレーム側と接触しない面、すなわちモ
ールド樹脂と接する側の面に粗面化処理が施されている
と、モールド樹脂と金属板との接着強度が上昇する。そ
のため、後に半田リフロー時の加熱によって発生する金
属板とモールド樹脂との界面の応力よりも接着強度が強
くなる。したがって、樹脂内に存在する広い面積の金属
板とモールド樹脂との熱膨張差があっても、リフロー時
に金属板とモールド樹脂との界面に剥離が生じなくな
り、リフロークラックが発生しない。接着強度は、粗面
化処理した面にさらに防錆処理を施すことによって上昇
し、リフロークラック発生防止の効果は大きくなる。
ヤボンディング後、モールド成形されるが、少なくとも
金属板のリードフレーム側と接触しない面、すなわちモ
ールド樹脂と接する側の面に粗面化処理が施されている
と、モールド樹脂と金属板との接着強度が上昇する。そ
のため、後に半田リフロー時の加熱によって発生する金
属板とモールド樹脂との界面の応力よりも接着強度が強
くなる。したがって、樹脂内に存在する広い面積の金属
板とモールド樹脂との熱膨張差があっても、リフロー時
に金属板とモールド樹脂との界面に剥離が生じなくな
り、リフロークラックが発生しない。接着強度は、粗面
化処理した面にさらに防錆処理を施すことによって上昇
し、リフロークラック発生防止の効果は大きくなる。
【００１２】リードフレームには銅系材料、鉄系材料
（例えば４２合金）等が使われる。金属板はヒートスプ
レッダ等として機能し、その材料は例えばＯＦＣ（無酸
素銅）等の銅系材料である。金属板は１層の積層でも２
層以上の積層でも良い。粗面化処理には、電解粗化処
理、黒色酸化粗化処理や交流粗化処理によるものがあ
る。
（例えば４２合金）等が使われる。金属板はヒートスプ
レッダ等として機能し、その材料は例えばＯＦＣ（無酸
素銅）等の銅系材料である。金属板は１層の積層でも２
層以上の積層でも良い。粗面化処理には、電解粗化処
理、黒色酸化粗化処理や交流粗化処理によるものがあ
る。
【００１３】電解粗化処理による粗面化処理は、銅及び
酸化銅からなる微細粒子を銅板表面に電着付与する方法
である。黒色粗化酸化処理による粗面化処理は、銅板表
面を酸化処理することによって、Ｃｕ2 Ｏ、ＣｕＯの混
合物を銅板表面に析出させ粗面化するものである。交流
粗化処理は、塩酸や硝酸などの電解液中に銅板を入れ、
銅板と電極の間に交流を通じ、エッチングと析出を交互
に行なう方法である。
酸化銅からなる微細粒子を銅板表面に電着付与する方法
である。黒色粗化酸化処理による粗面化処理は、銅板表
面を酸化処理することによって、Ｃｕ2 Ｏ、ＣｕＯの混
合物を銅板表面に析出させ粗面化するものである。交流
粗化処理は、塩酸や硝酸などの電解液中に銅板を入れ、
銅板と電極の間に交流を通じ、エッチングと析出を交互
に行なう方法である。
【００１４】接着剤には、熱可塑性接着剤または熱硬化
性接着剤が使える。熱可塑性接着剤を使用すると、加熱
時にリードフレームを汚染するようなアウトガス発生の
少ない、より高信頼性のリードフレームを得ることがで
きる。熱硬化性接着剤を使用すると、低温で貼付けの可
能な安価なリードフレームが得られる。熱可塑性接着剤
としてはポリエーテルアミドイミド等からなる接着剤が
ある。熱硬化性接着剤としてはフェノール・エポキシ系
樹脂等からなる接着剤がある。なお、どの接着剤を使用
するかは、粗面化処理とは無関係に選択することができ
る。
性接着剤が使える。熱可塑性接着剤を使用すると、加熱
時にリードフレームを汚染するようなアウトガス発生の
少ない、より高信頼性のリードフレームを得ることがで
きる。熱硬化性接着剤を使用すると、低温で貼付けの可
能な安価なリードフレームが得られる。熱可塑性接着剤
としてはポリエーテルアミドイミド等からなる接着剤が
ある。熱硬化性接着剤としてはフェノール・エポキシ系
樹脂等からなる接着剤がある。なお、どの接着剤を使用
するかは、粗面化処理とは無関係に選択することができ
る。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の多層リードフレームの実施例
をヒートスプレッダ付きリードフレームについて説明す
る。
をヒートスプレッダ付きリードフレームについて説明す
る。
【００１６】（実施例１）ヒートスプレッダ付きリード
フレームを図１（Ａ）に示す。リードフレームには、半
導体素子５を搭載する部分を打ち抜いた１６０ピンの銅
合金製リードフレーム１を使用した。このような銅合金
製のリードフレームとして２．０重量％Ｓｎ，０．２重
量％Ｎｉ−Ｃｕ合金を用いた。ヒートスプレッダとなる
金属板には、片面に厚さ２０μm の熱可塑性接着剤７を
塗布し、もう一方の片面に後述する粗面化処理層８を設
けた厚さ０．１mmの銅合金板２を使用した。熱可塑性接
着剤としては日立化成（株）製のポリアミドイミドから
なる接着剤ＨＭ−１（商品名）を用いた。銅合金板とし
てはリードフレームと同じ材料を用いた。このリードフ
レーム１の所定位置に銅合金板２を加熱加圧することに
よってその片面を接着した構造の多層リードフレームを
製作した。
フレームを図１（Ａ）に示す。リードフレームには、半
導体素子５を搭載する部分を打ち抜いた１６０ピンの銅
合金製リードフレーム１を使用した。このような銅合金
製のリードフレームとして２．０重量％Ｓｎ，０．２重
量％Ｎｉ−Ｃｕ合金を用いた。ヒートスプレッダとなる
金属板には、片面に厚さ２０μm の熱可塑性接着剤７を
塗布し、もう一方の片面に後述する粗面化処理層８を設
けた厚さ０．１mmの銅合金板２を使用した。熱可塑性接
着剤としては日立化成（株）製のポリアミドイミドから
なる接着剤ＨＭ−１（商品名）を用いた。銅合金板とし
てはリードフレームと同じ材料を用いた。このリードフ
レーム１の所定位置に銅合金板２を加熱加圧することに
よってその片面を接着した構造の多層リードフレームを
製作した。
【００１７】この銅合金板２のリードフレーム１側と接
着されない他の面に、表１の左欄に示すような種々の表
面処理を行った。表１においてＮｏ．１は無処理、Ｎ
ｏ．２は交流粗化処理、Ｎｏ．３は電解粗化処理、Ｎ
ｏ．４は黒色酸化粗化処理によりそれぞれ粗面化処理を
行なったものである。またＮｏ．５は無処理の銅合金板
に防錆処理を施し、Ｎｏ．６は交流粗化処理により粗面
化処理したものに更に防錆処理を施したものである。各
サンプル数は１０個である。防錆処理は、通常ジンクロ
メート処理と呼ばれるＺｎ−Ｃｒ系の防錆処理を行なっ
たものである。
着されない他の面に、表１の左欄に示すような種々の表
面処理を行った。表１においてＮｏ．１は無処理、Ｎ
ｏ．２は交流粗化処理、Ｎｏ．３は電解粗化処理、Ｎ
ｏ．４は黒色酸化粗化処理によりそれぞれ粗面化処理を
行なったものである。またＮｏ．５は無処理の銅合金板
に防錆処理を施し、Ｎｏ．６は交流粗化処理により粗面
化処理したものに更に防錆処理を施したものである。各
サンプル数は１０個である。防錆処理は、通常ジンクロ
メート処理と呼ばれるＺｎ−Ｃｒ系の防錆処理を行なっ
たものである。
【００１８】
【表１】
【００１９】このヒートスプレッダ付きリードフレーム
を用いた半導体装置は、図１（Ｂ）に示すように、銅合
金板２のリードフレーム１側と接着される面に、半導体
素子５を搭載し、金線６で半導体素子５とリードフレー
ム１とをワイヤボンディングした後、モールド樹脂４で
モールド成形を行いパッケージ化して構成した。パッケ
ージは銅合金板２がモールド樹脂４中に埋め込まれる内
蔵型とした。
を用いた半導体装置は、図１（Ｂ）に示すように、銅合
金板２のリードフレーム１側と接着される面に、半導体
素子５を搭載し、金線６で半導体素子５とリードフレー
ム１とをワイヤボンディングした後、モールド樹脂４で
モールド成形を行いパッケージ化して構成した。パッケ
ージは銅合金板２がモールド樹脂４中に埋め込まれる内
蔵型とした。
【００２０】得られたパッケージを８５℃、８５％ＲＨ
（相対湿度）恒温槽中に１６８時間放置した後、アウタ
ーリードに半田をつけるために２６０℃の半田槽中にデ
ィップ（半田リフロー）し、リフロークラックの発生を
調べた。その結果を表１の右欄に示す。交流粗化処理に
せよ電解粗化処理にせよ粗面化処理を行うことによっ
て、リフロークラックの発生が皆無になり、耐リフロー
性が著しく向上したことが分かる。また、無処理であっ
ても防錆処理を施したものもリフロークラックが皆無で
あり、粗面化処理を行ったものと同等の効果があること
が分かった。また交流粗化処理による粗面化処理に加え
て防錆処理を施したものも同様の効果があることが分か
った。なお、通常、防錆処理は露出型のものに施すが、
内蔵型のものには施さない。本実施例のものは内蔵型で
ありながら敢えて防錆処理を施している点に留意すべき
である。
（相対湿度）恒温槽中に１６８時間放置した後、アウタ
ーリードに半田をつけるために２６０℃の半田槽中にデ
ィップ（半田リフロー）し、リフロークラックの発生を
調べた。その結果を表１の右欄に示す。交流粗化処理に
せよ電解粗化処理にせよ粗面化処理を行うことによっ
て、リフロークラックの発生が皆無になり、耐リフロー
性が著しく向上したことが分かる。また、無処理であっ
ても防錆処理を施したものもリフロークラックが皆無で
あり、粗面化処理を行ったものと同等の効果があること
が分かった。また交流粗化処理による粗面化処理に加え
て防錆処理を施したものも同様の効果があることが分か
った。なお、通常、防錆処理は露出型のものに施すが、
内蔵型のものには施さない。本実施例のものは内蔵型で
ありながら敢えて防錆処理を施している点に留意すべき
である。
【００２１】上記した銅合金板表面とモールド樹脂との
接着性を調べるため、次のような単純化した試験を行っ
た。図２に試験方法を示す。表１と同様に、種々の表面
処理（表２の左欄）した銅合金板１０上に柱状のモール
ド樹脂９を接着し、矢印に示すように、銅合金板１０と
モールド樹脂９とを相対的にずらして、銅合金板１０と
モールド樹脂９間のせん断力を測定した。その結果を表
２の右欄に示す。無処理の銅合金板に較べて、粗面化処
理を施した銅合金板とモールド樹脂との接着力は著しく
大きく、これが耐フロー性の向上に効果があるものと考
えられる。また、防錆処理のみの場合、粗面化処理に防
錆処理を加えた場合も同様に効果があった。
接着性を調べるため、次のような単純化した試験を行っ
た。図２に試験方法を示す。表１と同様に、種々の表面
処理（表２の左欄）した銅合金板１０上に柱状のモール
ド樹脂９を接着し、矢印に示すように、銅合金板１０と
モールド樹脂９とを相対的にずらして、銅合金板１０と
モールド樹脂９間のせん断力を測定した。その結果を表
２の右欄に示す。無処理の銅合金板に較べて、粗面化処
理を施した銅合金板とモールド樹脂との接着力は著しく
大きく、これが耐フロー性の向上に効果があるものと考
えられる。また、防錆処理のみの場合、粗面化処理に防
錆処理を加えた場合も同様に効果があった。
【００２２】
【表２】
【００２３】（実施例２）さて、上述した実施例では多
層リードフレーム単体について説明したが、次に、上記
した多層リードフレームの連続製造方法について説明す
る。図３に製造ラインの一例を示す。
層リードフレーム単体について説明したが、次に、上記
した多層リードフレームの連続製造方法について説明す
る。図３に製造ラインの一例を示す。
【００２４】厚さ０．１mmの銅合金板の片面に厚さ２０
μm の熱可塑性接着剤を塗布した。反対の面には電解に
よる粗化処理によって粗面化処理を行い、その後、さら
に上述した防錆処理を行った。
μm の熱可塑性接着剤を塗布した。反対の面には電解に
よる粗化処理によって粗面化処理を行い、その後、さら
に上述した防錆処理を行った。
【００２５】この銅合金板２を送出装置２０にコイル状
に巻き取った後、金型を経由して巻取装置２１に連続的
に巻き取るようにする。金型は、リードフレーム１を加
熱支持する加熱ステージ１８と、銅合金板２を打ち抜く
打抜きパンチ１４と、銅合金板２を押えるストリッパ１
５とからなる。
に巻き取った後、金型を経由して巻取装置２１に連続的
に巻き取るようにする。金型は、リードフレーム１を加
熱支持する加熱ステージ１８と、銅合金板２を打ち抜く
打抜きパンチ１４と、銅合金板２を押えるストリッパ１
５とからなる。
【００２６】銅合金板１４を粗面化処理層８から接着剤
７を塗布した面に向って、パンチ１４により所定の形状
に打ち抜くと同時に、この打抜いた打抜き材１９を、３
５０℃に加熱した加熱ステージ１８上に置かれたリード
フレーム１の所定の位置に貼り付けて、図１（Ａ）に示
す構造のリードフレームを連続的に製造した。このリー
ドフレームに、素子搭載、ワイヤボンディング、モール
ド成形してパッケージ化した（図１（Ｂ））。その後、
実施例１と同じリフロー試験を行ったが、リフロークラ
ックの発生は見られなかった。
７を塗布した面に向って、パンチ１４により所定の形状
に打ち抜くと同時に、この打抜いた打抜き材１９を、３
５０℃に加熱した加熱ステージ１８上に置かれたリード
フレーム１の所定の位置に貼り付けて、図１（Ａ）に示
す構造のリードフレームを連続的に製造した。このリー
ドフレームに、素子搭載、ワイヤボンディング、モール
ド成形してパッケージ化した（図１（Ｂ））。その後、
実施例１と同じリフロー試験を行ったが、リフロークラ
ックの発生は見られなかった。
【００２７】（実施例３）実施例２と同じ銅合金板に、
熱可塑性樹脂に代えて熱硬化性接着剤を塗布したものを
使用して、実施例２と同様にリードフレームを連続製造
した。ただし、リードフレームを加熱する加熱ステージ
の温度は１８０℃とした。また熱硬化性接着剤としては
（株）巴川製糸所製のＲＸＦ（商品名）を用いた。貼り
合わせ後、Ｎ2 気流中で２５０℃×２min 加熱して接着
剤を硬化させた。このリードフレームに素子搭載、ワイ
ヤボンディング、をモールド成形してパッケージ化後、
実施例１と同じリフロー試験を行ったが、リフロークラ
ックの発生は見られなかった。
熱可塑性樹脂に代えて熱硬化性接着剤を塗布したものを
使用して、実施例２と同様にリードフレームを連続製造
した。ただし、リードフレームを加熱する加熱ステージ
の温度は１８０℃とした。また熱硬化性接着剤としては
（株）巴川製糸所製のＲＸＦ（商品名）を用いた。貼り
合わせ後、Ｎ2 気流中で２５０℃×２min 加熱して接着
剤を硬化させた。このリードフレームに素子搭載、ワイ
ヤボンディング、をモールド成形してパッケージ化後、
実施例１と同じリフロー試験を行ったが、リフロークラ
ックの発生は見られなかった。
【００２８】
(1) 本発明の多層リードフレームによれば、金属板の両
面あるいは少なくともリードと接着しない面を粗面化処
理することによって、モールド樹脂と金属板との接着力
が著しく向上するため、耐リフロー性が大きく改善さ
れ、高い信頼性を持つことができる。
面あるいは少なくともリードと接着しない面を粗面化処
理することによって、モールド樹脂と金属板との接着力
が著しく向上するため、耐リフロー性が大きく改善さ
れ、高い信頼性を持つことができる。
【００２９】(2) 本発明の多層リードフレームによれ
ば、金属板がモールド樹脂中に内蔵されるため本来防錆
処理を必要としないが、金属板の少なくともリードフレ
ームと接触しない面に防錆処理を施すようにしたので、
モールド樹脂と金属板との接着強度を高めることがで
き、上記と同様な効果を得ることができる。
ば、金属板がモールド樹脂中に内蔵されるため本来防錆
処理を必要としないが、金属板の少なくともリードフレ
ームと接触しない面に防錆処理を施すようにしたので、
モールド樹脂と金属板との接着強度を高めることがで
き、上記と同様な効果を得ることができる。
【００３０】(3) また、本発明の多層リードフレームの
製造方法によれば、予め粗面化処理及び接着剤を施した
金属板を打ち抜いて、この金属板をリードフレームに接
着剤を介して貼り合わせるようにし、これらを連続して
行うようにしたので、生産性が向上し、コストダウンを
図ることができる。
製造方法によれば、予め粗面化処理及び接着剤を施した
金属板を打ち抜いて、この金属板をリードフレームに接
着剤を介して貼り合わせるようにし、これらを連続して
行うようにしたので、生産性が向上し、コストダウンを
図ることができる。
【図１】本発明の多層リードフレームの実施例を説明す
るための金属板内蔵型の半導体装置の断面図である。
るための金属板内蔵型の半導体装置の断面図である。
【図２】金属板とモールド樹脂との接着力を測定する方
法を示す説明図である。
法を示す説明図である。
【図３】本発明の多層リードフレームの製造方法の実施
例を説明するためのリードフレーム製造装置の構成図で
ある。
例を説明するためのリードフレーム製造装置の構成図で
ある。
【図４】従来例の接着剤付きテープを用いた多層リード
フレームを説明するための金属板内蔵型の半導体装置の
断面図である。
フレームを説明するための金属板内蔵型の半導体装置の
断面図である。
【図５】従来例の接着剤付き金属板を用いた多層リード
フレームを説明するための金属板内蔵型の半導体装置の
断面図である。
フレームを説明するための金属板内蔵型の半導体装置の
断面図である。
１ リードフレーム ２ 銅合金板（金属板） ４ モールド樹脂 ５ 半導体素子 ６ 金線 ７ 接着剤 ８ 粗面化処理層 ９ モールド樹脂 １０ 銅合金板（金属板） １４ 打抜きパンチ １５ ストリッパ １７ ダイ １８ 加熱ステージ １９ 打抜き材 ２０ 送出装置 ２１ 巻取装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ａ 8617−4Ｍ (72)発明者 高萩 茂治 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 米本 隆治 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】リードフレーム上に金属板を積層した多層
リードフレームにおいて、上記金属板の少なくともリー
ドフレーム側と接触しない面に粗面化処理層が設けら
れ、リードフレーム側と接触する面に接着剤が設けられ
ていることを特徴とする多層リードフレーム。 - 【請求項２】上記粗面化処理層の表面にさらに防錆処理
層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の
多層リードフレーム。 - 【請求項３】リードフレーム上に金属板が積層され、そ
の金属板がモールド樹脂中に内蔵されるタイプの多層リ
ードフレームにおいて、上記金属板の少なくともリード
フレームと接触しない面に防錆処理層が設けられ、リー
ドフレーム側と接触する面に接着剤が設けられているこ
とを特徴とする多層リードフレーム。 - 【請求項４】上記粗面化処理層が電解粗化処理、黒色酸
化粗化処理、あるいは交流粗化処理のうちいずれか一つ
の方法により設けられていることを特徴とする請求項１
ないし３のいずれかに記載の多層リードフレーム。 - 【請求項５】上記接着剤が熱可塑性接着剤であることを
特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の多層リ
ードフレーム。 - 【請求項６】上記接着剤が熱硬化性接着剤であることを
特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の多層リ
ードフレーム。 - 【請求項７】予め金属板の一方の面に接着剤を塗布し、
他方の面または両面に粗面化処理を施す工程と、上記金
属板を連続して供給する工程と、上記金属板を他方の面
から接着剤を塗布した一方の面に向って所定形状に打ち
抜く工程と、上記金属板に設けられた上記接着剤が溶融
する温度までリードフレームを昇温させる工程と、上記
リードフレームに上記接着層を介して上記金属板を貼り
合わせる工程とを備えたことを特徴とする多層リードフ
レームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5555894A JP3186408B2 (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 多層リードフレーム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5555894A JP3186408B2 (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 多層リードフレーム及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263605A true JPH07263605A (ja) | 1995-10-13 |
| JP3186408B2 JP3186408B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=13002038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5555894A Expired - Lifetime JP3186408B2 (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 多層リードフレーム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3186408B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998042022A1 (fr) * | 1997-03-18 | 1998-09-24 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a semiconducteur et procede de fabrication associe |
| JP2001015682A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型電子装置 |
| JP2005353814A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Stanley Electric Co Ltd | 大電力用ｌｅｄランプ |
-
1994
- 1994-03-25 JP JP5555894A patent/JP3186408B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998042022A1 (fr) * | 1997-03-18 | 1998-09-24 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a semiconducteur et procede de fabrication associe |
| US6166446A (en) * | 1997-03-18 | 2000-12-26 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and fabrication process thereof |
| JP2001015682A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型電子装置 |
| JP2005353814A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Stanley Electric Co Ltd | 大電力用ｌｅｄランプ |
| JP4485856B2 (ja) * | 2004-06-10 | 2010-06-23 | スタンレー電気株式会社 | 大電力用ｌｅｄランプ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3186408B2 (ja) | 2001-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1480270B1 (en) | Packaging component and semiconductor package | |
| US5360991A (en) | Integrated circuit devices with solderable lead frame | |
| JP3070862B2 (ja) | 優れた接着特性を有するリードフレーム | |
| KR20010052602A (ko) | 반도체 장치용 리드 프레임 | |
| JP2009526381A (ja) | 半導体ｑｆｎ／ｓｏｎデバイス用のアルミニウム・リードフレーム | |
| JP2001110971A (ja) | 半導体パッケージ用リードフレーム及びその製造方法 | |
| JPH0846116A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| US4767049A (en) | Special surfaces for wire bonding | |
| JPH08306838A (ja) | 電子部品用の接続リード | |
| JPH06334087A (ja) | 半導体装置用リードフレームの製造方法 | |
| JP3186408B2 (ja) | 多層リードフレーム及びその製造方法 | |
| US5573845A (en) | Superficial coating layer having acicular structures for electrical conductors | |
| KR0142648B1 (ko) | 베어본딩용 동합금 리드프레임 | |
| JPS6149450A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム | |
| JPH09283688A (ja) | 銅被覆リードフレーム材 | |
| JPH06302756A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPS61198507A (ja) | 電子部品用複合材料及びその製造方法 | |
| JPH10163404A (ja) | Ｂｇａ用入出力端子 | |
| US20220084919A1 (en) | Semiconductor package and a method for manufacturing of a semiconductor package | |
| JP2665988B2 (ja) | 接着シート | |
| JPS61272955A (ja) | 電子機器用Ａｌ系条材 | |
| JPS621898A (ja) | プリント基板用鋼材およびその製造方法 | |
| NL8900172A (nl) | Werkwijze voor het soldeerbaar maken van metalen roosters voor halfgeleiders. | |
| JP2001262254A (ja) | 電子部品用銅系複合材料およびその製造方法ならびにそれを用いた半導体用リードフレーム | |
| JPS60201651A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140511 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |