JP2665988B2 - 接着シート - Google Patents
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- H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、リードフレームのダイパッド上に接着可能
な樹脂封止型半導体装置用の接着シートに関し、特に半
導体装置のワイヤーボンディングに使用するための接着
シートに関する。
な樹脂封止型半導体装置用の接着シートに関し、特に半
導体装置のワイヤーボンディングに使用するための接着
シートに関する。
＜従来の技術＞ 従来、半導体装置においては、第10図に示されるよう
に、リードフレームのダイパッド9aに接着剤10によって
半導体チップ７を固定し、半導体チップ７とリードフレ
ームのリードピン9bとの間を金ワイヤー８によってワイ
ヤーボンディングすることが行われている。そしてワイ
ヤーボンディングされた半導体チップは、金ワイヤーと
共に、樹脂で封止される。
に、リードフレームのダイパッド9aに接着剤10によって
半導体チップ７を固定し、半導体チップ７とリードフレ
ームのリードピン9bとの間を金ワイヤー８によってワイ
ヤーボンディングすることが行われている。そしてワイ
ヤーボンディングされた半導体チップは、金ワイヤーと
共に、樹脂で封止される。
近年、これら半導体装置においては、情報量の増大に
伴ない、リードフレームを構成するリードピンの多ピン
化が要求され、その一方で、実装密度の増大、低コスト
指向に伴なう半導体チップの小型化が要求されるように
なる。したがってリードピンの長さが長くなり、それに
伴なってリードピンの幅およびリードピンの間隔が狭く
なるので、リードピンの先端部の精密さが必要になって
いる。
伴ない、リードフレームを構成するリードピンの多ピン
化が要求され、その一方で、実装密度の増大、低コスト
指向に伴なう半導体チップの小型化が要求されるように
なる。したがってリードピンの長さが長くなり、それに
伴なってリードピンの幅およびリードピンの間隔が狭く
なるので、リードピンの先端部の精密さが必要になって
いる。
＜発明が解決しようとする課題＞ しかしながら、リードフレームの作成にあたり、その
エッチングの精度には限界があり、上記の要求を満たす
ことは不可能である。すなわち、従来の技術において、
小型チップと多ピンのリードピンの先端部をワイヤーボ
ンディング可能な位置に接近させると、リードフレーム
のエッチング精度又は打抜き精度の限界からリードピン
の先端同士が接触するか、又はリードを形成できないと
いう問題を生じる。それを回避するためには、小型チッ
プのリードピンの先端部との間隔を広げる必要がある
が、その場合には半導体チップとリードピンの先端との
距離が長くなるため、それらを接続する金ワイヤー同士
が樹脂封止時のワイヤー流れ等により、接触するという
問題を発生する。
エッチングの精度には限界があり、上記の要求を満たす
ことは不可能である。すなわち、従来の技術において、
小型チップと多ピンのリードピンの先端部をワイヤーボ
ンディング可能な位置に接近させると、リードフレーム
のエッチング精度又は打抜き精度の限界からリードピン
の先端同士が接触するか、又はリードを形成できないと
いう問題を生じる。それを回避するためには、小型チッ
プのリードピンの先端部との間隔を広げる必要がある
が、その場合には半導体チップとリードピンの先端との
距離が長くなるため、それらを接続する金ワイヤー同士
が樹脂封止時のワイヤー流れ等により、接触するという
問題を発生する。
これらの問題を解決するために、本発明者等は、先
に、支持体の一面に銅箔を、他面に半硬化状接着層及び
保護フィルムを設けた接着シートを提案し、そしてリー
ドピンと半導体チップとの間を接着シートを介して２段
階ワイヤーボンディングした半導体装置を提案した。
に、支持体の一面に銅箔を、他面に半硬化状接着層及び
保護フィルムを設けた接着シートを提案し、そしてリー
ドピンと半導体チップとの間を接着シートを介して２段
階ワイヤーボンディングした半導体装置を提案した。
ところが、その様な半導体装置を苛酷な高温雰囲気に
おいた場合、接着シートの層間で、パッケージクラッ
ク、すなわち、樹脂封止された半導体パッケージがひび
割れる現象が生じるという問題があった。
おいた場合、接着シートの層間で、パッケージクラッ
ク、すなわち、樹脂封止された半導体パッケージがひび
割れる現象が生じるという問題があった。
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたもの
である。
である。
すなわち本発明の目的は、小型の半導体チップと多数
本のリードピンの先端を信頼性よくワイヤーボンディン
グさせることができ、かつ苛酷な高温雰囲気においても
パッケージクラックが生じない樹脂封止型半導体装置用
の接着シートを提供することにある。
本のリードピンの先端を信頼性よくワイヤーボンディン
グさせることができ、かつ苛酷な高温雰囲気においても
パッケージクラックが生じない樹脂封止型半導体装置用
の接着シートを提供することにある。
＜課題を解決するための手段＞ 本発明者等は、検討の結果、パッケージクラックの発
生は、接着シートに含まれる微量の水分が苛酷な高温雰
囲気において蒸発して一種の爆発現象を生じるためであ
ること、そして、接着シートにフィラーを含有させるこ
とによって、上記の問題が解決されることを見出だし、
本発明を完成するに至った。
生は、接着シートに含まれる微量の水分が苛酷な高温雰
囲気において蒸発して一種の爆発現象を生じるためであ
ること、そして、接着シートにフィラーを含有させるこ
とによって、上記の問題が解決されることを見出だし、
本発明を完成するに至った。
本発明の樹脂封止型半導体装置用の接着シートは、次
の三つの場合が包含される。
の三つの場合が包含される。
すなわち、第１の接着シートは、耐熱性フィルムの一
面に、接着層を介して銅箔を積層し、他面に半硬化状接
着剤層および保護フィルムを順次設けてなる構造を有
し、そして接着層及び半硬化状接着剤層の少なくとも一
方が、シリカ、アルミナ、ジルコニア及び窒化ケイ素か
ら選ばれた少なくとも１つのフィラーを、樹脂100重量
部に対して１〜50重量部含有することを特徴とする。
面に、接着層を介して銅箔を積層し、他面に半硬化状接
着剤層および保護フィルムを順次設けてなる構造を有
し、そして接着層及び半硬化状接着剤層の少なくとも一
方が、シリカ、アルミナ、ジルコニア及び窒化ケイ素か
ら選ばれた少なくとも１つのフィラーを、樹脂100重量
部に対して１〜50重量部含有することを特徴とする。
第２の樹脂封止型半導体装置用の接着シートは、銅箔
上に形成された耐熱性樹脂層を有する積層体の、該耐熱
性樹脂層の表面に、半硬化状接着剤層および保護フィル
ムを順次設てなる構造を有し、耐熱性樹脂層及び半硬化
状接着剤層の少なくとも一方が、シリカ、アルミナ、ジ
ルコニア及び窒化ケイ素から選ばれた少なくとも１つの
フィラーを、樹脂100重量部に対して１〜50重量部含有
することを特徴とする。
上に形成された耐熱性樹脂層を有する積層体の、該耐熱
性樹脂層の表面に、半硬化状接着剤層および保護フィル
ムを順次設てなる構造を有し、耐熱性樹脂層及び半硬化
状接着剤層の少なくとも一方が、シリカ、アルミナ、ジ
ルコニア及び窒化ケイ素から選ばれた少なくとも１つの
フィラーを、樹脂100重量部に対して１〜50重量部含有
することを特徴とする。
第３の接着シートは、耐熱性フィルムの一面に、銅箔
上に形成された耐熱性樹脂層を有する積層体を、該耐熱
性樹脂層が耐熱性フィルムに面するように接着層を介し
て積層し、該耐熱性フィルムの他面に半硬化状接着剤層
および保護フィルムを順次設けてなる構造を有し、耐熱
性樹脂層、接着層及び半硬化状接着剤層の少なくとも１
つが、シリカ、アルミナ、ジルコニア及び窒化ケイ素か
ら選ばれた少なくとも１つのフィラーを、樹脂100重量
部に対して１〜50重量部含有することを特徴とする。
上に形成された耐熱性樹脂層を有する積層体を、該耐熱
性樹脂層が耐熱性フィルムに面するように接着層を介し
て積層し、該耐熱性フィルムの他面に半硬化状接着剤層
および保護フィルムを順次設けてなる構造を有し、耐熱
性樹脂層、接着層及び半硬化状接着剤層の少なくとも１
つが、シリカ、アルミナ、ジルコニア及び窒化ケイ素か
ら選ばれた少なくとも１つのフィラーを、樹脂100重量
部に対して１〜50重量部含有することを特徴とする。
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置用の接着シート
について、図面を参酌して説明する。
について、図面を参酌して説明する。
第１図ないし第３図は、それぞれ、第１ないし第３の
接着シートの断面図を示すもので、第１図においては、
耐熱性フィルム１の一面に接着層２を介して銅箔３が積
層されており、また、他面に、半硬化状接着剤層４およ
び保護フィルム５が順次設けられている。
接着シートの断面図を示すもので、第１図においては、
耐熱性フィルム１の一面に接着層２を介して銅箔３が積
層されており、また、他面に、半硬化状接着剤層４およ
び保護フィルム５が順次設けられている。
第２図においては、銅箔３上にキャスティング塗工又
は押出し成形法により耐熱性樹脂層６が形成され、その
耐熱性樹脂層６の表面に、半硬化状接着剤層４および保
護フィルム５が順次設けられている。第２図に示す構造
を有するものは、キャスティング法又は押出し成形法が
使用できるので、製造コストの低減をはかることがで
き、また、Tgの高い耐熱性接着層を設ける必要がないと
いう利点がある。
は押出し成形法により耐熱性樹脂層６が形成され、その
耐熱性樹脂層６の表面に、半硬化状接着剤層４および保
護フィルム５が順次設けられている。第２図に示す構造
を有するものは、キャスティング法又は押出し成形法が
使用できるので、製造コストの低減をはかることがで
き、また、Tgの高い耐熱性接着層を設ける必要がないと
いう利点がある。
第３図においては、銅箔３上にキャスティング塗工に
より形成された耐熱性樹脂層６を有する積層体が、耐熱
性フィルム１の一面に、接着層２を介して積層されてい
る。また、耐熱フィルム１の他面には、半硬化状接着剤
層４および保護フィルム５が順次設けられている。第３
図に示す構造を有する場合は、キャスティング塗工によ
り形成する耐熱性樹脂層の膜厚が薄過ぎて、作業が困難
である場合に適用することができる。
より形成された耐熱性樹脂層６を有する積層体が、耐熱
性フィルム１の一面に、接着層２を介して積層されてい
る。また、耐熱フィルム１の他面には、半硬化状接着剤
層４および保護フィルム５が順次設けられている。第３
図に示す構造を有する場合は、キャスティング塗工によ
り形成する耐熱性樹脂層の膜厚が薄過ぎて、作業が困難
である場合に適用することができる。
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置用の接着シート
の各層を構成する材料について説明する。
の各層を構成する材料について説明する。
（銅箔） 厚さ３オンス（１平方フィート当りの銅箔の重さ、以
下省略する）以下、好ましくは１オンス以下の圧延又は
電解銅箔又は合金銅箔が使用される。また、場合によっ
ては、銅箔の表面には酸化を抑えるためにクロメート処
理を、裏面には銅箔裏面からの隣接層への銅の拡散を抑
えるためにZn、Ni等のメッキ処理を行うこともできる。
下省略する）以下、好ましくは１オンス以下の圧延又は
電解銅箔又は合金銅箔が使用される。また、場合によっ
ては、銅箔の表面には酸化を抑えるためにクロメート処
理を、裏面には銅箔裏面からの隣接層への銅の拡散を抑
えるためにZn、Ni等のメッキ処理を行うこともできる。
（接着層） 接着層を構成する接着剤としては、ポリイミド系接着
剤、エポキシ／ポリアミド系接着剤、ポリアミドイミド
系接着剤、エポキシ系接着剤、ポリエステル系接着剤等
が使用でき、更にまた、NBR/フェノール系接着剤、ポリ
アミド系接着剤、ポリブチラール／フェノール系接着
剤、及びこれらをエポキシ変性した接着剤等も使用でき
る。ポリイミド系接着剤としては、Tgが160℃以上で分
子内にイミド環又は縮合してイミド環を形成する付加型
ポリイミド、縮合型ポリイミド等が用いられる。接着層
は、この接着剤を耐熱性フィルムの一面、或いは銅箔表
面又は耐熱性樹脂層表面に、乾燥後の塗布厚が５〜50μ
ｍ、好ましくは20μｍ以下になるように塗布し、乾燥し
た後、ラミネートされた状態で完全硬化させることによ
って形成されるもので、それによって耐熱性フィルムと
銅箔又は耐熱性樹脂層とが接着される。
剤、エポキシ／ポリアミド系接着剤、ポリアミドイミド
系接着剤、エポキシ系接着剤、ポリエステル系接着剤等
が使用でき、更にまた、NBR/フェノール系接着剤、ポリ
アミド系接着剤、ポリブチラール／フェノール系接着
剤、及びこれらをエポキシ変性した接着剤等も使用でき
る。ポリイミド系接着剤としては、Tgが160℃以上で分
子内にイミド環又は縮合してイミド環を形成する付加型
ポリイミド、縮合型ポリイミド等が用いられる。接着層
は、この接着剤を耐熱性フィルムの一面、或いは銅箔表
面又は耐熱性樹脂層表面に、乾燥後の塗布厚が５〜50μ
ｍ、好ましくは20μｍ以下になるように塗布し、乾燥し
た後、ラミネートされた状態で完全硬化させることによ
って形成されるもので、それによって耐熱性フィルムと
銅箔又は耐熱性樹脂層とが接着される。
ポリイミド系接着剤の代表的なものとしては、縮重合
反応によってイミド環を形成する下記構造式で示される
単量体単位を有するポリアミック酸（例えば、商品名LA
RK−TPI）、 両末端にアセチレン基を有するポリイミド（例えば、商
品名:MC−600、IP−6001、IP−630、FA−7001等）があ
げられる。
反応によってイミド環を形成する下記構造式で示される
単量体単位を有するポリアミック酸（例えば、商品名LA
RK−TPI）、 両末端にアセチレン基を有するポリイミド（例えば、商
品名:MC−600、IP−6001、IP−630、FA−7001等）があ
げられる。
（耐熱性フィルム） 厚さ10〜150μｍ、好ましくは25〜75μｍの、例えば
ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサル
ファイド、ポリエーテルエーテルケトン等の耐熱性フィ
ルムや、エポキシ樹脂−ガラスクロス、エポキシ樹脂−
ポリイミド−ガラスクロス等の複合耐熱性フィルムが使
用される。また、耐熱性フィルムと隣接する層との接着
力を高めるために、コロナ放電処理、プラズマ処理を行
うこともできる。
ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサル
ファイド、ポリエーテルエーテルケトン等の耐熱性フィ
ルムや、エポキシ樹脂−ガラスクロス、エポキシ樹脂−
ポリイミド−ガラスクロス等の複合耐熱性フィルムが使
用される。また、耐熱性フィルムと隣接する層との接着
力を高めるために、コロナ放電処理、プラズマ処理を行
うこともできる。
（耐熱性樹脂層） 銅箔上にキャスティング塗工または押出し成形法によ
り形成されるもので、キャスティング法に使用する耐熱
性樹脂としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
アミドイミド樹脂等があげられ、例えば、カプトン型分
子構造をもち、比較的高いTg（160℃以上）を有するポ
リイミドワニスを主成分とする接着剤を用いるのが好ま
しい。なお耐熱性樹脂層は、キャスティング塗工の代わ
りに、押出し塗工を用いて形成することもでき、例えば
ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテ
ルケトン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイ
ミド樹脂等が使用できる。
り形成されるもので、キャスティング法に使用する耐熱
性樹脂としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
アミドイミド樹脂等があげられ、例えば、カプトン型分
子構造をもち、比較的高いTg（160℃以上）を有するポ
リイミドワニスを主成分とする接着剤を用いるのが好ま
しい。なお耐熱性樹脂層は、キャスティング塗工の代わ
りに、押出し塗工を用いて形成することもでき、例えば
ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテ
ルケトン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイ
ミド樹脂等が使用できる。
（半硬化状接着剤層） 半硬化状接着剤層は、ポリイミド系、ポリイミド／ポ
リアミド系、又はエポキシ系接着剤を塗布することによ
って形成することができる。これらの接着剤には充填剤
が配合されていてもよい。
リアミド系、又はエポキシ系接着剤を塗布することによ
って形成することができる。これらの接着剤には充填剤
が配合されていてもよい。
本発明において、これら接着剤を塗布して形成される
接着剤層は、Ｂステージの半硬化状の状態にあることが
必要である。
接着剤層は、Ｂステージの半硬化状の状態にあることが
必要である。
半硬化状接着剤層の膜厚は、通常５〜50μｍの範囲に
設定するのが好ましい。
設定するのが好ましい。
（保護フィルム） 厚み10〜100μｍの、シリコーン樹脂等で剥離性を付
与したポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロ
ピレンフィルム、フッ素樹脂系フィルム、離型処理した
紙等が適用され、前記した半硬化状接着剤層には貼着す
るが、容易に剥離することができる性質を持つものであ
る。
与したポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロ
ピレンフィルム、フッ素樹脂系フィルム、離型処理した
紙等が適用され、前記した半硬化状接着剤層には貼着す
るが、容易に剥離することができる性質を持つものであ
る。
本発明の各接着シートは、接着層、耐熱性樹脂層及び
半硬化状接着剤層の少なくとも一つに、シリカ、アルミ
ナ、ジルコニア及び窒化ケイ素から選ばれた少なくとも
１つのフィラーが含有される。これらフィラーは、特に
耐熱性樹脂層に含有させるのが好ましい。
半硬化状接着剤層の少なくとも一つに、シリカ、アルミ
ナ、ジルコニア及び窒化ケイ素から選ばれた少なくとも
１つのフィラーが含有される。これらフィラーは、特に
耐熱性樹脂層に含有させるのが好ましい。
これらフィラーの粒径は、銅箔及びその他の層との密
着性を高めるために、20μｍ以下、特に10μｍ以下であ
ることが好ましい。
着性を高めるために、20μｍ以下、特に10μｍ以下であ
ることが好ましい。
また、これらフィラーの含有量は、樹脂100重量部に
対して１〜50重量部の範囲、好ましくは１〜30重量部の
範囲に設定する。それにより、接着シートの吸水率を低
下させることができ、電気電導度を低下させることなく
パッケージクラックの発生を防止することができる。し
たがって、半導体パッケージを作成する際、およびハン
ダディップの工程の際の過酷な高温雰囲気において、水
分が蒸発して一種の爆発現象が生じ、パッケージクラッ
クが発生するという問題がなくなる。
対して１〜50重量部の範囲、好ましくは１〜30重量部の
範囲に設定する。それにより、接着シートの吸水率を低
下させることができ、電気電導度を低下させることなく
パッケージクラックの発生を防止することができる。し
たがって、半導体パッケージを作成する際、およびハン
ダディップの工程の際の過酷な高温雰囲気において、水
分が蒸発して一種の爆発現象が生じ、パッケージクラッ
クが発生するという問題がなくなる。
上記フィラーの含有量が、樹脂100重量部に対して１
重量％よりも低くなると、吸水率の低下が十分でなくな
り、また、50重量％よりも高くなると、銅箔及びその他
の層との接着力が低下するので、好ましくない。
重量％よりも低くなると、吸水率の低下が十分でなくな
り、また、50重量％よりも高くなると、銅箔及びその他
の層との接着力が低下するので、好ましくない。
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置用の接着シート
を用いた半導体装置について説明する。半導体装置は、
上記第１図ないし第３図のいずれの接着シートを使用し
て形成してもよいが、説明が重複するのを避けるために
第１図に示される構造を有する場合を例にとって説明す
る。
を用いた半導体装置について説明する。半導体装置は、
上記第１図ないし第３図のいずれの接着シートを使用し
て形成してもよいが、説明が重複するのを避けるために
第１図に示される構造を有する場合を例にとって説明す
る。
第１図に示される構造の接着シートの銅箔をエッチン
グ処理することにより所定の銅箔パターンを形成し、そ
の後、銅箔パターンにニッケル又は金メッキを施し、リ
ードフレームのダイパッド部に接着可能な所定の大きさ
に打ち抜き加工を行い、第４図に示されるような銅箔パ
ターンが形成された接着シート片を作成する。なお、第
４図（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図であり、図中、１
〜５は前記の通りのものを意味し、3aは、銅箔層に形成
された銅箔パターンの半導体チップを載置する部分、3b
は条線を示す。
グ処理することにより所定の銅箔パターンを形成し、そ
の後、銅箔パターンにニッケル又は金メッキを施し、リ
ードフレームのダイパッド部に接着可能な所定の大きさ
に打ち抜き加工を行い、第４図に示されるような銅箔パ
ターンが形成された接着シート片を作成する。なお、第
４図（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図であり、図中、１
〜５は前記の通りのものを意味し、3aは、銅箔層に形成
された銅箔パターンの半導体チップを載置する部分、3b
は条線を示す。
次に、保護フィルム５を剥離した後、この接着シート
片をリードフレームのダイパッドに載置し、半硬化状接
着剤層を加熱硬化させることによって、接着させる。第
５図は、その状態を示す平面図である。図中、3aは半導
体チップを載置する部分、3bは条線を示し、９はリード
フレームであって、9aはリードフレームのダイパッド、
9bはリードピンである。
片をリードフレームのダイパッドに載置し、半硬化状接
着剤層を加熱硬化させることによって、接着させる。第
５図は、その状態を示す平面図である。図中、3aは半導
体チップを載置する部分、3bは条線を示し、９はリード
フレームであって、9aはリードフレームのダイパッド、
9bはリードピンである。
次いで、銅箔パターンの半導体チップを載置する部分
3a上に、半導体チップを接着ペーストを用いて接着し、
金ワイヤーによってワイヤーボンディングが施される。
3a上に、半導体チップを接着ペーストを用いて接着し、
金ワイヤーによってワイヤーボンディングが施される。
第６図は、上記のようにして形成された半導体装置の
一例の断面図であり、第７図は、その要部の断面図であ
る。
一例の断面図であり、第７図は、その要部の断面図であ
る。
これらの図面において、リードフレームのダイパッド
9aの上に、第４図に示される銅箔パターンが形成された
接着シート片が載置され、半硬化状接着剤層によって接
着されている。なお、4aは半硬化状接着剤層が硬化した
状態の接着層を示す。また、銅箔パターンの半導体チッ
プを載置する部分3aの上には、半導体チップ７が接着剤
10によって接着されている。半導体チップと銅箔パター
ンの条線3bとの間、および銅箔パターンの条線3bとリー
ドフレームのリードピン9bとの間には、それぞれ金ワイ
ヤー8aおよび8bによってワイヤーボンディングが施され
ている。それにより、半導体チップ７とリードピン9b
が、接着シートの銅箔層に形成された条線3bを介して電
気的に接続される。そしてこれら全体は、樹脂11によっ
て封止されている。第８図は、本発明の接着シートを使
用して形成された半導体装置の他の一例の断面図であ
り、第９図は、その要部の断面図である。
9aの上に、第４図に示される銅箔パターンが形成された
接着シート片が載置され、半硬化状接着剤層によって接
着されている。なお、4aは半硬化状接着剤層が硬化した
状態の接着層を示す。また、銅箔パターンの半導体チッ
プを載置する部分3aの上には、半導体チップ７が接着剤
10によって接着されている。半導体チップと銅箔パター
ンの条線3bとの間、および銅箔パターンの条線3bとリー
ドフレームのリードピン9bとの間には、それぞれ金ワイ
ヤー8aおよび8bによってワイヤーボンディングが施され
ている。それにより、半導体チップ７とリードピン9b
が、接着シートの銅箔層に形成された条線3bを介して電
気的に接続される。そしてこれら全体は、樹脂11によっ
て封止されている。第８図は、本発明の接着シートを使
用して形成された半導体装置の他の一例の断面図であ
り、第９図は、その要部の断面図である。
第８図においては、第４図における銅箔パターンの半
導体を載置する部分3aが打ち抜き加工によって打ち抜か
れた孔を有するリング状の形状のものが使用されてい
る。この場合、第９図に示すように、半導体チップ７
は、接着剤10によってダイパッド9a上に直接接着されて
いる。そして、半導体チップと銅箔パターンの条線3bと
の間、および銅箔パターンの条線3bとリードフレームの
リードピン9bとの間には、それぞれ金ワイヤー8aおよび
8bによってワイヤーボンディングが施されている。それ
により、半導体チップ７とリードピン9bが、接着シート
の銅箔層に形成された条線3bを介して電気的に接続され
る。そして半導体チップ及びワイヤーボンディング部の
全体が、樹脂11によって封止されている。
導体を載置する部分3aが打ち抜き加工によって打ち抜か
れた孔を有するリング状の形状のものが使用されてい
る。この場合、第９図に示すように、半導体チップ７
は、接着剤10によってダイパッド9a上に直接接着されて
いる。そして、半導体チップと銅箔パターンの条線3bと
の間、および銅箔パターンの条線3bとリードフレームの
リードピン9bとの間には、それぞれ金ワイヤー8aおよび
8bによってワイヤーボンディングが施されている。それ
により、半導体チップ７とリードピン9bが、接着シート
の銅箔層に形成された条線3bを介して電気的に接続され
る。そして半導体チップ及びワイヤーボンディング部の
全体が、樹脂11によって封止されている。
＜実施例＞ 次に、実施例及び比較例によって、本発明の樹脂封止
型半導体装置用の接着シートを説明する。
型半導体装置用の接着シートを説明する。
実施例１ 厚さ１オンスの電解銅箔（日本鉱業社製）に耐熱性樹
脂溶液をキャスティング塗工した。すなわち、耐熱性樹
脂溶液として、耐熱性ポリイミド樹脂（商品名：サーミ
ッドIP−630、カネボウエヌエスシー社製）100重量部に
対しシリカ（商品名:P−527D、水沢化学社製）25重量部
を添加した固形分濃度20％のＮ−メチルピロリドン溶液
を使用し、塗布後、150℃で１時間、200℃で１時間、30
0℃で20分間加熱硬化し、銅箔の片面に厚さ30μｍの耐
熱性樹脂層を形成した。
脂溶液をキャスティング塗工した。すなわち、耐熱性樹
脂溶液として、耐熱性ポリイミド樹脂（商品名：サーミ
ッドIP−630、カネボウエヌエスシー社製）100重量部に
対しシリカ（商品名:P−527D、水沢化学社製）25重量部
を添加した固形分濃度20％のＮ−メチルピロリドン溶液
を使用し、塗布後、150℃で１時間、200℃で１時間、30
0℃で20分間加熱硬化し、銅箔の片面に厚さ30μｍの耐
熱性樹脂層を形成した。
上記の耐熱性樹脂層の表面に、エポキシ／ポリアミド
系樹脂（商品名：エスダイン3611、積水化学社製）から
なる接着剤を厚さ10μｍになるように塗布し、乾燥した
後、ポリイミド樹脂（商品名：ユーピレックス75SS、宇
部興産社製）からなる耐熱性フィルムを貼り合わせ、16
0℃で２時間加熱処理して、接着層を硬化させた。その
後、上記耐熱性フィルム表面に、上記と同一のエポキシ
／ポリアミド系樹脂からなる接着剤を、厚さ30μｍに成
るように塗布し、150℃で５分間加熱して、半硬化状接
着剤層を設けた、 次いで、形成された半硬化状接着剤層の表面に、厚さ
38μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる
保護フィルムを貼り合わせ、第３図に示す構造の接着シ
ートを作成した。
系樹脂（商品名：エスダイン3611、積水化学社製）から
なる接着剤を厚さ10μｍになるように塗布し、乾燥した
後、ポリイミド樹脂（商品名：ユーピレックス75SS、宇
部興産社製）からなる耐熱性フィルムを貼り合わせ、16
0℃で２時間加熱処理して、接着層を硬化させた。その
後、上記耐熱性フィルム表面に、上記と同一のエポキシ
／ポリアミド系樹脂からなる接着剤を、厚さ30μｍに成
るように塗布し、150℃で５分間加熱して、半硬化状接
着剤層を設けた、 次いで、形成された半硬化状接着剤層の表面に、厚さ
38μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる
保護フィルムを貼り合わせ、第３図に示す構造の接着シ
ートを作成した。
実施例２ 実施例１の耐熱性樹脂溶液において、シリカ25重量部
の代わりに、ジルコニア（商品名:FZ、タテホ化学工業
社製）25重量部を添加したものを用いた以外は、実施例
１と同様にして接着シートを作成した。
の代わりに、ジルコニア（商品名:FZ、タテホ化学工業
社製）25重量部を添加したものを用いた以外は、実施例
１と同様にして接着シートを作成した。
実施例３ 実施例１の耐熱性樹脂溶液において、シリカ25重量部
の代わりに、窒素化ケイ素（微粉末製品、旭ガラス社
製）25重量部を添加したものを用いた以外は、実施例１
と同様にして接着シートを作成した。
の代わりに、窒素化ケイ素（微粉末製品、旭ガラス社
製）25重量部を添加したものを用いた以外は、実施例１
と同様にして接着シートを作成した。
実施例４ 実施例１の耐熱性樹脂溶液において、シリカ25重量部
の代わりに、アルミナ（商品名:AL15A、昭和電工社製）
25重量部を添加したものを用いた以外は、実施例１と同
様にして接着シートを作成した。
の代わりに、アルミナ（商品名:AL15A、昭和電工社製）
25重量部を添加したものを用いた以外は、実施例１と同
様にして接着シートを作成した。
実施例５ 厚さ１オンスの電解銅箔（日本鉱業社製）にポリアミ
ドイミド系接着剤（商品名:TORLON、アモコ社製）100重
量部に対し、シリカ（商品名:P−527D、水沢化学社製）
25重量部を添加した固形分濃度25％のジメチルアセトア
ミド溶液を、塗布厚15μｍになるように塗布し、120℃
で５分間加熱乾燥して接着層を設けた。
ドイミド系接着剤（商品名:TORLON、アモコ社製）100重
量部に対し、シリカ（商品名:P−527D、水沢化学社製）
25重量部を添加した固形分濃度25％のジメチルアセトア
ミド溶液を、塗布厚15μｍになるように塗布し、120℃
で５分間加熱乾燥して接着層を設けた。
形成された接着層の表面に、ポリイミド樹脂（商品
名：ユーピレックス75SS）からなる耐熱性フィルムをラ
ミネーターによって120℃、1m/minの条件で貼り合わ
せ、更に160℃で５時間加熱して、接着層を硬化させ
た。
名：ユーピレックス75SS）からなる耐熱性フィルムをラ
ミネーターによって120℃、1m/minの条件で貼り合わ
せ、更に160℃で５時間加熱して、接着層を硬化させ
た。
その後、上記耐熱性フィルム表面に、エポキシ／ポリ
アミド系樹脂（商品名：エスダイン3611、積水化学社
製）100重量部に対し、シリカ（商品名:P−527D、水沢
化学社製）25重量部を添加した固形分濃度25％のIPA/ト
ルエン溶液を、厚さ20μｍになるように塗布し、150℃
で５分間加熱して、半硬化状接着剤層を設けた。
アミド系樹脂（商品名：エスダイン3611、積水化学社
製）100重量部に対し、シリカ（商品名:P−527D、水沢
化学社製）25重量部を添加した固形分濃度25％のIPA/ト
ルエン溶液を、厚さ20μｍになるように塗布し、150℃
で５分間加熱して、半硬化状接着剤層を設けた。
更に、形成された半硬化状接着剤層の表面に、厚さ38
μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる保
護フィルムを貼り合わせ、第１図に示す構造の接着シー
トを作成した。
μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる保
護フィルムを貼り合わせ、第１図に示す構造の接着シー
トを作成した。
実施例６ 厚さ１オンスの電解銅箔（日本鉱業社製）に耐熱性ポ
リイミド樹脂（商品名：サーミッドIP−630、カネボウ
エヌエスシー社製）100重量部に対し、シリカ（商品名:
P−527D、水沢化学社製）25重量部を添加した固形分濃
度25％のジメチルアセトアミド溶液を、キャスティング
塗工し、更に200℃で１時間加熱硬化して、銅箔の片面
に厚さ30μｍの耐熱性樹脂層を形成した。
リイミド樹脂（商品名：サーミッドIP−630、カネボウ
エヌエスシー社製）100重量部に対し、シリカ（商品名:
P−527D、水沢化学社製）25重量部を添加した固形分濃
度25％のジメチルアセトアミド溶液を、キャスティング
塗工し、更に200℃で１時間加熱硬化して、銅箔の片面
に厚さ30μｍの耐熱性樹脂層を形成した。
上記耐熱性樹脂層の表面に、エポキシ／ポリアミド系
樹脂（商品名：エスダイン3611、積水化学社製）100重
量部に対し、シリカ（商品名:P−527D、水沢化学社製）
25重量部を添加した固形分濃度25％のIPA/トルエン溶液
を、厚さ20μｍになるように塗布し、150℃で５分間加
熱して、半硬化状接着剤層を設けた。
樹脂（商品名：エスダイン3611、積水化学社製）100重
量部に対し、シリカ（商品名:P−527D、水沢化学社製）
25重量部を添加した固形分濃度25％のIPA/トルエン溶液
を、厚さ20μｍになるように塗布し、150℃で５分間加
熱して、半硬化状接着剤層を設けた。
更に、形成された半硬化状接着剤層の表面に、厚さ38
μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる保
護フィルムを貼り合わせ、第２図に示す構造の接着シー
トを作成した。
μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる保
護フィルムを貼り合わせ、第２図に示す構造の接着シー
トを作成した。
比較例１ 実施例１の耐熱性樹脂溶液において、シリカ25重量部
の代わりに、炭酸カルシウム（商品名：シルバーＷ、白
石カルシウム社製）25重量部を添加したものを用いた以
外は、実施例１と同様にして接着シートを作成した。
の代わりに、炭酸カルシウム（商品名：シルバーＷ、白
石カルシウム社製）25重量部を添加したものを用いた以
外は、実施例１と同様にして接着シートを作成した。
比較例２ 実施例１における耐熱性樹脂溶液として、耐熱性ポリ
イミド樹脂（商品名：サーミッドIP−630、カネボウエ
ヌエスシー社製）を固形分濃度20％で含むＮ−メチルピ
ロリドン溶液を使用した以外は、実施例１と同様にして
接着シートを作成した。
イミド樹脂（商品名：サーミッドIP−630、カネボウエ
ヌエスシー社製）を固形分濃度20％で含むＮ−メチルピ
ロリドン溶液を使用した以外は、実施例１と同様にして
接着シートを作成した。
上記の実施例１〜６、比較例１及び２において作成さ
れた本発明の接着シートについて、銅箔を常法によりエ
ッチングして銅箔パターンを作成し、Niおよび金メッキ
処理した後、打ち抜き加工を施して第４図に示される状
態の形状の接着シート片を得た。保護フィルムを剥離し
た後、第７図に示されるように、リードフレームのダイ
パッド上に接着した。これら一連の工程を通して、エッ
チング性、耐メッキ性、打ち抜き加工性及びダイパッド
への接着性は、いずれも良好であった。
れた本発明の接着シートについて、銅箔を常法によりエ
ッチングして銅箔パターンを作成し、Niおよび金メッキ
処理した後、打ち抜き加工を施して第４図に示される状
態の形状の接着シート片を得た。保護フィルムを剥離し
た後、第７図に示されるように、リードフレームのダイ
パッド上に接着した。これら一連の工程を通して、エッ
チング性、耐メッキ性、打ち抜き加工性及びダイパッド
への接着性は、いずれも良好であった。
次に、接着シート片の中央部の銅箔パターン上に半導
体チップを接着して搭載した後、超音波を利用し、250
℃でワイヤーボンディングを施した（第７図参照）。
体チップを接着して搭載した後、超音波を利用し、250
℃でワイヤーボンディングを施した（第７図参照）。
これらのものについて、ワイヤーボンディングの状態
を調査したところ、いずれも良好であった。また、ワイ
ヤーボンディング後の樹脂モールド性にも以上は認めら
れなかった。
を調査したところ、いずれも良好であった。また、ワイ
ヤーボンディング後の樹脂モールド性にも以上は認めら
れなかった。
次に、これら樹脂モールドされた半導体パッケージに
ついて、PCT試験（パッケージ・クラック・テスト）を
行った。すなわち、高温時の半導体パッケージの持続性
を見るための促進試験として、飽和型PCT試験機にて、1
21℃/2気圧の条件で、樹脂モールドされた半導体パッケ
ージを50時間処理した後、240℃の半田浴に30秒間浸漬
し、その後、半導体パッケージからモールド樹脂を除去
し、接着シートの層間剥離を観察した。30個のものにつ
いて調査した結果を第１表に示す。
ついて、PCT試験（パッケージ・クラック・テスト）を
行った。すなわち、高温時の半導体パッケージの持続性
を見るための促進試験として、飽和型PCT試験機にて、1
21℃/2気圧の条件で、樹脂モールドされた半導体パッケ
ージを50時間処理した後、240℃の半田浴に30秒間浸漬
し、その後、半導体パッケージからモールド樹脂を除去
し、接着シートの層間剥離を観察した。30個のものにつ
いて調査した結果を第１表に示す。
次に、本発明の接着シートのPCT試験の際におけるフ
ィラーの溶出性（イオンの解離性）を評価するために、
次の試験を行った。すなわち、厚さ38μｍのポリエチレ
ンテレフタレートフィルムに、上記実施例１〜６及び比
較例１及び２において使用した耐熱性樹脂溶液を厚さ50
μｍになるように塗工し、150℃で１時間乾燥した後、
ポリエチレンテレフタレートフィルムをはぎ取り、その
後更に200℃で１時間、及び300℃で20分間加熱硬化し
て、耐熱性樹脂のみよりなる皮膜をサンプルとして得
た。得られたサンプルの電気電導度を、次に示す方法で
測定した。
ィラーの溶出性（イオンの解離性）を評価するために、
次の試験を行った。すなわち、厚さ38μｍのポリエチレ
ンテレフタレートフィルムに、上記実施例１〜６及び比
較例１及び２において使用した耐熱性樹脂溶液を厚さ50
μｍになるように塗工し、150℃で１時間乾燥した後、
ポリエチレンテレフタレートフィルムをはぎ取り、その
後更に200℃で１時間、及び300℃で20分間加熱硬化し
て、耐熱性樹脂のみよりなる皮膜をサンプルとして得
た。得られたサンプルの電気電導度を、次に示す方法で
測定した。
（ａ）上記サンプルを、約1cm角に切る。
（ｂ）充分に洗浄した耐熱性丸底フラスコに、サンプル
10gを採り、電気電導度５μs/cm以下のイオン交換水を1
00g加える。このフラスコに充分に洗浄した還流冷却器
を取り付け、100℃に加熱し、20時間放置する。
10gを採り、電気電導度５μs/cm以下のイオン交換水を1
00g加える。このフラスコに充分に洗浄した還流冷却器
を取り付け、100℃に加熱し、20時間放置する。
（ｃ）抽出液の電気電導度を電気電導度計（東亜電波工
業（株）製、CM−20S）によって測定する。
業（株）製、CM−20S）によって測定する。
それらの結果を第１表に示す。
＜発明の効果＞ 本発明の樹脂封止型半導体装置用の接着シートを用い
て半導体装置を作成すると、接着シートの表面の銅箔に
エッチングにより銅箔パターンを形成させることができ
るため、半導体チップとリードピンとの間のワイヤーボ
ンディングが、形成された銅箔パターンを介して二段階
的に施されることが可能になる。したがって、それぞれ
のワイヤーの長さが短くなり、ワイヤー同士が接触する
という欠点が解消される。また、上記銅箔パターンは固
定された状態で形成されているため、信頼性よくワイヤ
ーボンディングを施すことが可能になる。
て半導体装置を作成すると、接着シートの表面の銅箔に
エッチングにより銅箔パターンを形成させることができ
るため、半導体チップとリードピンとの間のワイヤーボ
ンディングが、形成された銅箔パターンを介して二段階
的に施されることが可能になる。したがって、それぞれ
のワイヤーの長さが短くなり、ワイヤー同士が接触する
という欠点が解消される。また、上記銅箔パターンは固
定された状態で形成されているため、信頼性よくワイヤ
ーボンディングを施すことが可能になる。
また、本発明の樹脂封止型半導体装置用の接着シート
においては、接着層、耐熱性樹脂層及び半硬化状接着剤
層の少なくともいずれか一つに、シリカ、アルミナ、ジ
ルコニア、及び窒化ケイ素から選択されたフィラーが含
有されているため、接着シートの吸水率を低下させるこ
とができ、苛酷な高温雰囲気下においても、電気電導度
を低下させることなくパッケージクラックの発生を防止
することができる。
においては、接着層、耐熱性樹脂層及び半硬化状接着剤
層の少なくともいずれか一つに、シリカ、アルミナ、ジ
ルコニア、及び窒化ケイ素から選択されたフィラーが含
有されているため、接着シートの吸水率を低下させるこ
とができ、苛酷な高温雰囲気下においても、電気電導度
を低下させることなくパッケージクラックの発生を防止
することができる。
第１図ないし第３図は、それぞれ本発明の接着シートの
断面図、第４図（ａ）は表面に銅箔パターンが形成され
た接着シート片の断面図、第４図（ｂ）はその平面図、
第５図は、第４図の接着シート片をリードフレームに接
着した状態を示す平面図、第６図は、本発明の接着シー
トを用いて形成された半導体装置の一例の断面図、第７
図は、第６図の半導体装置の要部を示す説明図、第８図
は、本発明の接着シートを用いて形成された半導体装置
の他の一例の断面図、第９図は、第８図の半導体装置の
要部を説明する説明図、第10図は従来の半導体装置にお
けるワイヤーボンディングが施された状態を説明する説
明図である。 １……耐熱性フィルム、２……接着層、３……銅箔、3a
……半導体チップを載置する部分、3b……条線、４……
半硬化状接着剤層、５……保護フィルム、６……耐熱性
樹脂層、７……半導体チップ、８、8aおよび8b……金ワ
イヤー、９……リードフレーム、9a……ダイパッド、9b
……リードピン、10……接着剤、11……樹脂。
断面図、第４図（ａ）は表面に銅箔パターンが形成され
た接着シート片の断面図、第４図（ｂ）はその平面図、
第５図は、第４図の接着シート片をリードフレームに接
着した状態を示す平面図、第６図は、本発明の接着シー
トを用いて形成された半導体装置の一例の断面図、第７
図は、第６図の半導体装置の要部を示す説明図、第８図
は、本発明の接着シートを用いて形成された半導体装置
の他の一例の断面図、第９図は、第８図の半導体装置の
要部を説明する説明図、第10図は従来の半導体装置にお
けるワイヤーボンディングが施された状態を説明する説
明図である。 １……耐熱性フィルム、２……接着層、３……銅箔、3a
……半導体チップを載置する部分、3b……条線、４……
半硬化状接着剤層、５……保護フィルム、６……耐熱性
樹脂層、７……半導体チップ、８、8aおよび8b……金ワ
イヤー、９……リードフレーム、9a……ダイパッド、9b
……リードピン、10……接着剤、11……樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渋谷 章広 静岡県静岡市用宗巴町３番１号 株式会 社巴川製紙所技術研究所内 (72)発明者 中山 信之 静岡県静岡市用宗巴町３番１号 株式会 社巴川製紙所技術研究所内 (72)発明者 越村 淳 静岡県静岡市用宗巴町３番１号 株式会 社巴川製紙所技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−52854（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−28469（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−141038（ＪＰ，Ｕ)
Claims (4)
- 【請求項１】耐熱性フィルムの一面に、接着層を介して
銅箔を積層し、他面に半硬化状接着剤層および保護フィ
ルムを順次設けてなり、該接着層及び半硬化状接着剤層
の少なくとも一方が、シリカ、アルミナ、ジルコニア及
び窒化ケイ素から選ばれた少なくとも１つのフィラー
を、樹脂100重量部に対して１〜50重量部含有すること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置用の接着シート。 - 【請求項２】銅箔上にキャスティング塗工法または押出
し成形法により形成された耐熱性樹脂層を有する積層体
の、該耐熱性樹脂層の表面に、半硬化状接着剤層および
保護フィルムを順次設けてなり、該耐熱性樹脂層及び半
硬化状接着剤層の少なくとも一方が、シリカ、アルミ
ナ、ジルコニア及び窒化ケイ素から選ばれた少なくとも
１つのフィラーを、樹脂100重量部に対して１〜50重量
部含有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置用の
接着シート。 - 【請求項３】耐熱性フィルムの一面に、銅箔上にキャス
ティング塗工法または押出し成形法により形成された耐
熱性樹脂層を有する積層体を、該耐熱性樹脂層が耐熱性
フィルムに面するように接着層を介して積層し、該耐熱
性フィルムの他面に半硬化状接着剤層および保護フィル
ムを順次設けてなり、該耐熱性樹脂層、接着層及び半硬
化状接着剤層の少なくとも１つが、シリカ、アルミナ、
ジルコニア及び窒化ケイ素から選ばれた少なくとも１つ
のフィラーを、樹脂100重量部に対して１〜50重量部含
有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置用の接着
シート。 - 【請求項４】接着シートが半導体装置のワイヤーボンデ
ィングに使用するためのものである特許請求の範囲第１
項、第２項及び第３項のいずれかに記載の樹脂封止型半
導体装置用の接着シート。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2098285A JP2665988B2 (ja) | 1990-04-14 | 1990-04-14 | 接着シート |
| US07/528,203 US5091251A (en) | 1989-05-29 | 1990-05-24 | Adhesive tapes and semiconductor devices |
| EP19900110140 EP0400566B1 (en) | 1989-05-29 | 1990-05-29 | Adhesive tapes and semiconductor devices |
| DE1990607169 DE69007169T2 (de) | 1989-05-29 | 1990-05-29 | Klebebänder und Halbleiter-Vorrichtungen. |
| KR1019900007796A KR960008916B1 (ko) | 1989-05-29 | 1990-05-29 | 접착성 테이프 |
| KR1019960009310A KR960011161B1 (ko) | 1989-05-29 | 1996-03-29 | 반도체 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2098285A JP2665988B2 (ja) | 1990-04-14 | 1990-04-14 | 接着シート |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03296582A JPH03296582A (ja) | 1991-12-27 |
| JP2665988B2 true JP2665988B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=14215660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2098285A Expired - Lifetime JP2665988B2 (ja) | 1989-05-29 | 1990-04-14 | 接着シート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2665988B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990067950A (ko) * | 1998-01-19 | 1999-08-25 | 가마이 고로 | 반도체 장치용 접착 시트 및 표면-탑재형 반도체 장치 |
| KR20140145414A (ko) * | 2013-06-13 | 2014-12-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5952854A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-27 | Hitachi Ltd | 絶縁型半導体装置の製法 |
| JPS6028469A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-13 | Aisin Seiki Co Ltd | エポキシ樹脂製テ−プ |
| JPS62141038U (ja) * | 1986-03-01 | 1987-09-05 |
-
1990
- 1990-04-14 JP JP2098285A patent/JP2665988B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990067950A (ko) * | 1998-01-19 | 1999-08-25 | 가마이 고로 | 반도체 장치용 접착 시트 및 표면-탑재형 반도체 장치 |
| KR20140145414A (ko) * | 2013-06-13 | 2014-12-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 |
| KR102042471B1 (ko) | 2013-06-13 | 2019-11-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03296582A (ja) | 1991-12-27 |
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