DE69007169T2

DE69007169T2 - Klebebänder und Halbleiter-Vorrichtungen.

Info

Publication number: DE69007169T2
Application number: DE69007169T
Authority: DE
Inventors: Atsushi Koshimura; Nobuyuki Nakayama; Yukinori Sakumoto; Akihiro Shibuya; Shigeyuki Yokoyama
Original assignee: Tomoegawa Paper Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Tomoegawa Paper Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1989-05-29
Filing date: 1990-05-29
Publication date: 1994-07-28
Anticipated expiration: 2010-05-30
Also published as: US5091251A; EP0400566A3; EP0400566B1; EP0400566A2; DE69007169D1

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

1) Gebiet der Erfindung:

Die vorliegende Erfindung betrifft Klebebänder, welche an Substratteile gebunden werden können, wie Plättchen-Anschlußfelder von Leitungsrahmen, Keramikplatten, Metallplatten und aus Harz hergestellte Schaltungplatten, und im besonderen Klebebänder, die für die Verwendung in drahtverbundenen Halbleitereinrichtungen geeignet sind. Diese Erfindung betrifft auch Halbleitereinrichtungen, die unter Verwendung solcher Klebebänder hergestellt sind.

2) Beschreibung der verwandten Technik:

Wie in Figur 11 gezeigt ist, ist eine Halbleitereinrichtung bis jetzt hergestellt worden durch Befestigen eines Halbleiterchips 7 auf einem Plättchen-Anschlußfeld 9a eines Leitungsrahmens mit einem Klebstoff 10 und dann Drahtverbinden des Halbleiterchips 7 und der Leitungsstifte 9b des Leitungsrahmens mit Golddrähten 8. Zusammen mit den Golddrähten wird der auf diese Weise drahtverbundene Halbleiterchip mit einem Harz abgeschlossen.
Bedenkt man das immer zunehmende Volumen von Information in den jüngeren Jahren, besteht nun ein zunehmendes Bedürfnis für die Einbeziehung von viel mehr Leitungsstiften in Leitungsrahmen für solche Halbleitereinrichtungen. Andererseits besteht ein anderes zunehmendes Bedürfnis nach kleineren Halbleiterchips im Hinblick auf den jüngeren Trend nach einer höheren Anbringungsdichte und niedrigeren Herstellungskosten. Infolgedessen besteht die Tendenz, daß die Leitungsstifte länger werden und demgemäß eine kleinere Breite und schmälere Zwischenräume haben. Es ist daher erforderlich, daß diese Leitungsstifte an den Spitzen der inneren Leitungen eine hohe Genauigkeit haben.
Bei der Ausbildung eines Leitungsrahmens gibt es jedoch eine Beschränkung für die Genauigkeit von dessem Ätzen, so daß das obige Erfordernis in keiner Weise erfüllt werden kann. In den konventionellen Techniken führt die Positionierung eines kleinen Chips und der Spitzen der inneren Leitungen der Leitungsstifte eines Vielstiftleitungsrahmens an Orten, die eng genug sind, um ein Drahtverbinden zu ermöglichen, zu dem Problem, daß die Spitzen der inneren Leitungen der Leitungsstifte in Kontakt miteinander gebracht werden oder daß wegen der beschränkten Genauigkeit des Ätzens oder Ausstanzens des Leitungsrahmens keine Leitungen ausgebildet werden können. Um dieses Problem zu überwinden, ist es notwendig, den Abstand zwischen dem kleinen Chip und jeder der Spitzen der inneren Leitungen der Leitungsstifte weiter zu machen. Dieses führt jedoch zu längeren Abständen zwischen dem Halbleiterchip und den proximalen Spitzen der individuellen Leitungsstifte, so daß sich dadurch das Problem entwickelt, daß die Golddrähte, welche den Halbleiterchip und die Leitungsstifte verbinden, aufgrund der Bewegung der Drähte beim Abschließen des Halbleiterchips und der Drähte mit einem Harz, in Kontakt gebracht werden.

ABRISS DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung ist im Hinblick auf die oben beschriebenen Probleme der konventionellen Techniken fertiggestellt worden.
Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Klebeband zur Verfügung zu stellen, das für die Verwendung bei einem zuverlässigen Drahtverbinden eines kleinen Halbleiterchips mit proximalen Spitzen einer Anzahl von Leitungsstiften geeignet ist.
Ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine Halbleitereinrichtungen zur Verfügung zu stellen, welche Gebrauch von dem obigen Klebeband macht.
In einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird demgemäß ein Klebeband zur Verfügung gestellt, umfassend ein wärmebeständiges Substrat, das von wenigstens einer Schicht gebildet ist, eine Kupferfolie, die auf einer Seite des Substrats vorgesehen ist, und eine halbgehärtete Klebstoffschicht und einen Schutzfilm, die aufeinanderfolgend auf der anderen Seite des Substrats vorgesehen sind.
Das Klebeband gemäß der vorliegenden Erfindung umfaßt verschiedene Ausführungsformen, welche die folgenden drei Ausführungsformen umfassen.
In einem Klebeband gemäß der ersten Ausführungsform umfaßt das wärmebeständige Substrat einen wärmebeständigen Film und eine Klebstoffschicht, die die Kupferfolie auf den wärmebeständigen Film laminiert. Es hat daher die Struktur, daß die Kupferfolie über die Klebstoffschicht auf eine Seite des wärmebeständigen Films laminiert ist, und die halbgehärtete Klebstoffschicht und der Schutzfilin aufeinanderfolgend auf der anderen Seite des wärmebeständigen Films vorgesehen sind.
In einem Klebeband gemäß der zweiten Ausführungsform umfaßt die wärmebeständige Basis eine wärmebeständige Harzschicht, die auf der Kupferfolie ausgebildet ist. Es hat demgemäß die Struktur, daß die Kupferfolie und die wärmebeständige Harzschicht in der Form eines Laminats ist und die halbgehärtete Klebstoffschicht und der Schutzfilm aufeinanderfolgend auf einer Oberfläche der wärmebeständigen Harzschicht in dem Laminat vorgesehen sind.
In einem Klebeband gemäß der dritten Ausführungsform umfaßt das wärmebeständige Substrat eine auf der Kupferfolie ausgebildete wärmebeständige Harzschicht, eine Klebstoffschicht und einen wärmebeständigen Film. Es hat demgemäß die Struktur, daß ein Laminat, welches aus der Kupferfolie und der auf der Kupferfolie ausgebildeten wärmebeständigen Harzschicht besteht, auf eine Seite des wärmebeständigen Films geschichtet ist, wobei die wärmebeständige Harzschicht nach dem wärmebeständigen Film zu gewandt ist, und die halbgehärtete Klebstoffschicht und der Schutzfilm aufeinanderfolgend auf der anderen Seite des wärmebeständigen Films vorgesehen sind.
In einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird auch eine Halbleitereinrichtungen zur Verfügung gestellt, die unter Verwendung des obigen Klebebands hergestellt ist.
Eine Halbleitereinrichtungen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfaßt: ein Klebeband, das ein wärmebeständiges Substrat hat, welches von wenigstens einer Schicht gebildet ist, eine Kupferfolienschicht, die auf einer Seite des Substrats vorgesehen ist und ein Kupferfolienmuster definiert, welches einen Chipanbringungsbereich und ein leitfähiges gedrucktes Schaltungsmuster mit Strahltypleitungen (auf die hier nachstehend als "gedruckte Leitungen" Bezug genommen wird), welches den Chipanbringungsbereich umgibt, umfaßt, und eine halbgehärtete Klebstoffschicht, die auf der anderen Seite des Substrats vorgesehen ist; einen Leitungsrahmen, der ein Plättchen-Anschlußfeld, auf welches das Klebeband geklebt ist, und eine Anzahl von Leitungsstiften hat; einen Halbleiterchip, der in dem Chipanbringungsbereich des Klebebands befestigt ist; Drähte, die durch Drahtverbindung zwischen dem Halbleiterchip und einen Enden der gedruckten Leitungen, sowie zwischen den anderen Enden der gedruckten Leitungen und den Leitungsstiften des Leitungsrahmens angebracht sind; und eine Harzabdichtung, welche den Halbleiterchip und die Drähte hermetisch einschließt; wodurch der Halbleiterchip und die entsprechenden Leitungsstifte über die entsprechenden gedruckten Leitungen, die in der Kupferfolienschicht des Klebebands ausgebildet sind, elektrisch verbunden sind.
Eine Halbleitereinrichtungen gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfaßt: ein Klebeband, das ein wärmebeständiges Substrat hat, welches von wenigstens einer Schicht gebildet ist, eine Kupferfolienschicht, die auf einer Seite des Substrats vorgesehen ist und ein Kupferfolienmuster von einer Anzahl von gedruckten Leitungen definiert, eine halbgehärtete Klebstoffschicht, die auf der anderen Seite des Substrats vorgesehen ist, und mittig einen ausgestanzten Hohlraum begrenzend; einen Leitungsrahmen, der ein Plättchen-Anschlußfeld, auf welches das Klebeband geklebt ist, und eine Anzahl von Leitungsstiften hat; einen Halbleiterchip, der in dem Hohlraum des Klebebands befestigt ist; Drähte, die durch Drahtverbindung zwischen dem Halbleiterchip und einen Enden der gedruckten Leitungen, sowie zwischen den anderen Enden der gedruckten Leitungen und den Leitungsstiften des Leitungsrahmens angebracht sind; und eine Harzabdichtung, welche den Halbleiterchip und die Drähte hermetisch umschließt; wodurch der Halbleiterchip und die entsprechenden Leitungsdrähte über die entsprechenden gedruckten Leitungen, die in der Kupferfolienschicht des Klebebands ausgebildet sind, elektrisch verbunden sind.
In der konventionellen Halbleitereinrichtung sind der Halbleiterchip und die Leitungsstifte direkt durch Drahtverbindung verbunden. Wenn der Halbleiterchip von einer kleinen Größe ist oder viele Leitungsstifte enthalten sind, tendiert die konventionelle Halbleitereinrichtung dazu, das Problem zu entwickeln, daß Spitzen von inneren Leitungen der Leitungsstifte miteinander kontaktiert werden oder Drähte gegenseitig kontaktiert werden. Dieses Problem kann durch Verwendung des Klebebands dieser Erfindung gelöst werden. In dem Fall des Klebebands dieser Erfindung kann ein Kupferfolienmuster durch Ätzen in der Kupferfolie, welche eine Oberfläche des Klebebands bildet, ausgebildet werden. Demgemäß wird die Drahtverbindung zwischen dem Halbleiterchip und den Leitungsstiften mittels des auf diese Weise ausgebildeten Kupferfolienmusters in zwei Stufen angebracht. Infolgedessen ist der Nachteil des gegenseitigen Kontakts von Drähten überwunden worden, weil die Drähte kürzer sind. Weiter ist das Kupferfolienmuster in einem festen Zustand ausgebildet worden, so daß es dadurch möglich gemacht wird, die Drahtverbindung zuverlässig anzubringen.
Das Klebeband der vorliegenden Erfindung kann nicht nur auf Plättchen-Anschlußfelder von Leitungsrahmen aufgebracht werden, sondern auch auf andere Basisteile, wie Keramikplatten, Metall- Platten und aus Harz hergestellte Schaltungsplatten.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Figuren 1 bis 3 sind Querschnittsansichten von Klebebändern gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung;
Figur 4(a) ist eine Aufsicht auf ein Stück eines Klebebands, wobei das besagte Stück ein Kupferfolienmuster hat, das auf einer Oberfläche desselben ausgebildet ist, und Figur 4(b) ist eine Querschnittsansicht des Bandstücks, betrachtet in der Richtung der Pfeile IV(b)-IV(b) der Figur 4(a);
Figur 5 ist eine Aufsicht, die das Bandstück der Figur 4 auf einen Leitungsrahmen geklebt zeigt;
Figur 6 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Halbleitereinrichtungen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Figur 7 ist eine teilweise Querschnittsansicht der Halbleitereinrichtungen der Figur 6;
Figur 8 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Halbleitereinrichtungen gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Figur 9 ist eine teilweise Querschnittsansicht der Halbleitereinrichtung der Figur 8;
Figur 10 ist eine schematische Darstellung, die eine Position zeigt, worin die Haftungs-Verbindungsfestigkeit der Drahtverbindung gemessen werden soll; und
Figur 11 ist eine schematische Darstellung, die den Zustand der in einer konventionellen Halbleitereinrichtungen angewandten Drahtverbindung zeigt.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG VON BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Gewisse Klebebänder gemäß der vorliegenden Erfindung werden nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
Die Figuren 1 bis 3 sind Querschnittsansichten von Klebebändern jeweils gemäß einer ersten bis dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Figur 1 stellt ein wärmebeständiges Substrat dar, das aus einem wärmebeständigen Film 1 und einer Klebstoffschicht 2 zum Laminieren einer Kupferfolie 3 ausgebildet ist. Figur 2 veranschaulicht ein anderes wärmebeständiges Substrat, welches aus einer wärmebeständigen Harzschicht 6 aufgebaut ist, die auf einer Kupferfolie 3 ausgebildet ist. Figur 3 zeigt ein weiteres wärmebeständiges Substrat, welches aus einer wärmebeständigen Harzschicht 6, die auf einer Kupferfolie 3 ausgebildet ist, einer Klebstoffschicht 2 und einem wärmebeständigen Film 1 zusammengesetzt ist.
In Figur 1 ist die Kupferfolie 3 auf eine Seite des wärmebeständigen Films 1 laminiert. Auf der anderen Seite des wärmebeständigen Films 1 sind eine halbgehärtete Klebstoffschicht 4 und ein Schutzfilm 5 aufeinanderfolgend vorgesehen.
Bezug nehmend als nächstes auf Figur 2, ist die wärmebeständige Harzschicht 6 auf der Kupferfolie 3 durch Gußbeschichtung oder Extrusion ausgebildet worden. Eine halbgehärtete Klebstoffschicht 4 und ein Schutzfilm 5 sind aufeinanderfolgend auf einer Oberfläche der wärmebeständigen Harzschicht 6 vorgesehen. Das Klebeband des in Figur 2 gezeigten Aufbaus ermöglicht es, die Herstellungskosten zu vermindern, da es die Verwendung von Gußbeschichtung oder Extrusion gestattet, und hat einen weiteren Vorzug, daß es keine wärmebeständige Klebstoffschicht erfordert, die eine hohe Glasumwandlungstemperatur (Tg) hat.
In Figur 3 ist ein Laminat, welches aus der Kupferfolie 3 und der wärmebeständigen Harzschicht 6, die durch Gußbeschichtung auf der Kupferfolie 3 ausgebildet ist, besteht, über die Klebstoffschicht 2 auf eine Seite des wärmebeständigen Films 1 laminiert. Weiter sind eine halbgehärtete Klebstoffschicht 4 und ein Schutzfilm 5 aufeinanderfolgend auf der anderen Seite des wärmebeständigen Films 1 vorgesehen. Die in Figur 3 veranschaulichte Struktur kann vorzugsweise dort angewandt werden, wo die Dicke der durch Gußbeschichtung ausgebildeten wärmebeständigen Harzschicht zu dünn ist, um leicht weitere Arbeit zu ermöglichen.
Als nächstes wird eine Beschreibung von Materialien gegeben, welche jede Schicht des Klebebands gemäß der vorliegenden Erfindung bilden.

(Kupferfolie)

Eine gewalzte oder elektrolytische Kupfer- oder legierte Kupferfolie, die ein Basisgewicht von weniger als 3 Unzen (das Gewicht der Kupferfolie pro Quadratfuß; die gleiche Definition wird nachstehend angewandt), vorzugsweise von einer Unze oder weniger, hat, wird verwendet. In einigen Fällen kann die Kupferfolie einer Chromatbehandlung an der Vorderseite derselben ausgesetzt werden, um Oxidation zu unterbinden, und einem Überziehen mit Zn, Ni o.dgl. an der Rückseite derselben, um eine Diffusion des Kupfers von der Rückseite der Kupferfolie zu der benachbarten Schicht zu verhindern.

(Klebstoffschicht)

Exemplarische Klebstoffe, die zur Ausbildung der Klebstoffschicht brauchbar sind, umfassen Polyimidklebstoffe, Epoxid/Polyamid-Klebstoffe, Polyamidimid-Klebstoffe, Epoxidklebstoffe und Polyesterklebstoffe; wie auch NBR/Phenol-Klebstoffe, Polyamidklebstoffe, Polybutyral/Phenol-Klebstoffe und ihre epoximodifizierten Klebstoffe. Polyimidklebstoffe umfassen Additionspolyimide und Kondensationspolyimide, welche eine Glasumwandlungstemperatur (Tg) von wenigstens 160ºC haben und Imidringe in ihren Molekülen enthalten oder Imidringe bei Kondensation bilden. Die Klebstoffschicht kann durch Aufbringen von einem dieser Klebstoffe auf eine Seite eines wärmebeständigen Films oder auf eine Oberfläche einer Kupferfolie oder eine Oberfläche einer wärmebeständigen Harzschicht ausgebildet werden, so daß sich eine Trockenbelagdicke von 5-50 um, vorzugsweise weniger als 20 um, ergibt, und nach dem Trocknen vollständiges Härten des Überzugs in einem laminierten Zustand. Durch die Klebstoffschicht werden der wärmebeständige Film und der Kupferfilm oder die wärmebeständige Harzschicht aneinander gebunden.
Typische Polyimidklebstoffe umfassen Polyaminsäuren, die monomere Einheiten haben, welche fähig sind, Imidringe durch Polykondensation zu bilden, und welche durch die folgende Strukturformel (z.B. "LARK-TPI", Handelsbezeichnung) dargestellt werden:
und Polyimide, die Acetylengruppen an beiden Enden haben (z.B. "MC-600", "IP-6001", "IP-630" und "FA-7001", alles Handelsbezeichnungen)

(Wärmebeständiger Film)

Veranschaulichungen für den wärmebeständigen Film umfassen wärmebeständige Filme, wie Polyimidfilme, Polyetherimidfilme, Polyphenylensulfidfilme und Polyetheretherketonfilme; und zusammengesetzte wärmebeständige Filme, wie Epoxidharz-Glastuch- Filme und Epoxidharz-Polyimid-Glastuch-Filme, von denen alle eine Dicke von 10-150 um, vorzugsweise 25-75 um haben. Um die Haftfestigkeit an der benachbarten Schicht zu erhöhen, kann eine Koronaentladungsbehandlung oder Plasmabehandlung auf den wärmebeständigen Film angewandt werden.

(Wärmebeständige Harzschicht)

Die wärmebeständige Harzschicht wird durch Gußbeschichtung oder Extrusion auf der Kupferfolie ausgebildet. Exemplarische wärmebeständige Harze, die für die Gußbeschichtung geeignet sind, umfassen Polyimidharze, Epoxidharze, Polyamidimidharze, und dergleichen. Es wird vorgezogen, z.B. einen Klebstoff zu verwenden, der hauptsächlich aus einem Firnis aus einem Polyimid besteht, welches die Molekularstruktur vom Kaptontyp und eine relativ hohe Tg (160ºC oder darüber) hat. Die wärmebeständige Harzschicht kann auch durch Extrusion anstatt Gußbeschichtung ausgebildet sein. Für die Extrusion können Polyphenylensulfidharze, Polyetheretherketonharze, Polyetherimidharze, Polyamidimidharze u.dgl. verwendet werden.

(Halbgehärtete Klebstoffschicht)

Die halbgehärtete Klebstoffschicht kann durch Aufbringen eines Polyimid-, Polyimid/Polyamid- oder Epoxidklebstoffs, welcher einen Füllstoff enthalten kann, ausgebildet sein.
In der vorliegenden Erfindung ist es wesentlich, daß die durch Aufbringen eines solchen Klebstoffs ausgebildete Klebstoffschicht in einem halbgehärteten Zustand des B-Stadiums ist.
Es wird generell bevorzugt, die Dicke der halbgehärteten Klebstoffschicht innerhalb eines Bereichs von 5-50 um zu steuern.

(Schutzfilm)

Exemplarische Schutzfilme umfassen Polyethylenterephthalatfilme, Polypropylenfilme und Fluorplastfilme, welche eine Dicke von 20-100 um haben und denen durch ein Silikonharz o.dgl. Ablösungseigenschaften verliehen sind; wie auch Papierblätter, die mit einem Ablösemittel behandelt worden sind. Es wird angenommen, daß der Schutzfilm mit der oben beschriebenen halbgehärteten Klebstoffschicht klebt, aber leicht von der halbgehärteten Klebstoffschicht abzuschälen ist.
In jedem Klebeband der vorliegenden Erfindung kann wenigstens eine aus der Klebstoffschicht, wärmebeständigen Harzschicht und halbgehärteten Klebstoffschicht vorzugsweise enthalten:
(1) wenigstens einen Füllstoff, der ausgewählt ist aus Siliziumdioxid, Aluminiumoxid, Zirkoniumdioxid und Siliziumnitrid; oder
(2) wenigstens ein Silankupplungsmittel, das ausgewählt ist aus Verbindungen, die durch die folgende Formel (I) repräsentiert werden:
worin X CH&sub2;=CH- oder
bedeutet, worin R&sub5; und R&sub6; je H- oder
NH&sub2;CH&sub2;CH&sub2;- sind, R&sub1; -CnH2n- bedeutet, worin n für eine ganze Zahl von 0-5 steht, und R&sub2;, R&sub3; und R&sub4; einzeln eine Gruppe repräsentieren, die ausgewählt ist aus -CH&sub3;, -OCH&sub3;, -OCH&sub2;CH&sub3; und -OCH&sub2;CH&sub2;OCH&sub3;.
Der Einschluß des Füllstoffs oder Silankupplungsmittels, die oben beschrieben sind, macht es möglich, die Wasserabsorption des Klebebands herabzusetzen, wodurch das Auftreten von Baugruppen-Rißbildung verhindert werden kann, ohne dessen elektrische Leitfähigkeit zu erniedrigen. Es ist daher möglich, das Problem zu vermeiden, daß in einer harten Hochtemperaturatmosphäre bei der Herstellung einer Halbleiterbaugruppe oder während eines Lötmitteltauchschritts ein Verdampfen von Wasser zur Induzierung einer Art von Explosionsphänomen bewirkt wird und eine Baugruppen-Rißbildung stattfindet.
In der vorliegenden Erfindung wird es im besonderen bevorzugt, den Füllstoff oder das Silankupplungsmittel in der wärmebeständigen Harzschicht aufzunehmen.
Die Teilchengröße des Füllstoffs ist weniger als 20 um, vorzugsweise weniger als 10 um, um die Haftungsfestigkeit in der Kupferfolie und einer anderen Schicht zu erhöhen.
Der Gehalt an dem Füllstoff ist vorzugsweise in einem Bereich von 1-50 Gewichtsteilen pro 100 Gewichtsteile des Harzes, wobei ein Bereich von 1-30 Gewichtsteile im besonderen bevorzugt wird. Wenn der Gehalt an dem Füllstoff kleiner als 1 Gewichtsteil Pro 100 Gewichtsteile des Harzes ist, ist die Herabsetzung der Wasserabsorption nicht genügend. Andererseits führen Füllstoffgehalte von größer als 50 Gewichtsteilen zu einer niedrigeren Haftung mit der Kupferfolie und der anderen Schicht. Es wird daher nicht bevorzugt, daß der Füllstoff in irgendeiner Menge außerhalb des obigen Bereichs enthalten ist.
Spezielle Beispiele des Silankupplungsmittels, die aus den durch die Formel (I) repräsentieren Verbindungen ausgewählt und in der vorliegenden Erfindung brauchbar sind, umfassen Vinyltrimethoxysilan, Vinyltriethoxysilan, Vinyltris(2-methoxyethoxy)silan, N-(2-Aminoethyl)-3-aminopropyl-methyldimethoxysilan, N-(2-Aminoethyl)-3-aminopropyl-trimethoxysilan und 3-Aminopropyltriethoxysilan.
Der Gehalt an einem solchen Silankupplungsmittel ist vorzugsweise in einem Bereich von 0,01-30 Gewichtsteilen pro 100 Gewichtsteile des Harzes. Wenn der Gehalt an dem Silankupplungsmittel kleiner als 0,01 Gewichtsteil pro 100 Gewichtsteile des Harzes wird, kann die Wasserabsorption nicht genügend erniedrigt werden. Wenn er 30 Gewichtsteile übersteigt, werden die mechanischen Eigenschaften der Schicht verderblich beeinflußt.
Es wird daher nicht bevorzugt, daß das Silankupplungsmittel in irgendeiner Menge außerhalb des obigen Bereichs enthalten ist.
Als nächstes wird eine Beschreibung von einigen Halbleitereinrichtungen gegeben, von denen jede von einem Klebeband der vorliegenden Erfindung Gebrauch macht. Jedes der Klebebänder der Figuren 1 bis 3 kann für die Herstellung dieser Halbleitereinrichtungen verwendet werden. Um eine Wiederholung der Beschreibung zu vermeiden, werden diese Halbleitereinrichtungen nachstehend unter der beispielsweisen Annahme beschrieben, daß ihre Klebebänder die Struktur haben, die in Figur 1 gezeigt ist.
Eine Kupferfolie von einem Klebeband, das die in Figur 1 veranschaulichte Struktur hat, wird einer Ätzbehandlung ausgesetzt, um ein gewünschtes Kupferfolienmuster auszubilden. Das Kupferfolienmuster wird dann mit Nickel oder Gold überzogen, und dann zu einer vorbestimmten Größe ausgestanzt, die für das Kleben auf ein Plättchen-Anschlußfeld eines Leitungsrahmens geeignet ist, wodurch ein Klebebandstück, welches das Kupferfolienmuster hat, ausgebildet wird, wie in den Figuren 4(a) und 4(b) veranschaulicht ist. Die Figur 4(a) ist eine Aufsicht, während die Figur 4(b) eine Querschnittsansicht ist. In diesen Zeichnungen bezeichnen 1-5 gleichartige Elemente der Struktur, 3a bezeichnet einen Chipanbringungsbereich, der in der Kupferfolienschicht ausgebildet und dazu geeignet ist, einen Halbleiterchip darauf anzubringen, und 3b bezeichnet gedruckte Leitungen.
Nachdem der Schutzfilm 5 abgeschält ist, wird das Klebebandstück auf dem Plättchen-Anschlußfeld des Leitungsrahmens plaziert, und die halbgehärtete Klebstoffschicht wird erhitzt und gehärtet, so daß das Klebebandstück an das Plättchen-Anschlußfeld angeklebt wird. Die Figur 5 ist eine Aufsicht, die diesen Zustand zeigt. In der Zeichnung sind der Chipanbringungsbereich 3a zum Anbringen eines Halbleiterchips darauf, die gedruckten Leitungen 3b, der Leitungsrahmen 9, das Plättchen-Anschlußfeld 9a und die Leitungsstifte 9b gezeigt.
Als nächstes wird der Halbleiterchip mit einer Klebstoffpaste auf den Chipanbringungsbereich 3a des Kupferfolienmusters geklebt, und dann wird Drahtverbindung unter Verwendung von Golddrähten angewandt.

BEISPIELE

Als nächstes werden Halbleitereinrichtungen gemäß bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf einige der beigefügten Zeichnungen beschrieben.
Figur 6 ust eine Querschnittansicht einer Halbleitereinrichtung gemäß einer Ausführungsform dieser Erfindung, und Figur 7 ist eine teilweise Querschnittsansicht der Halbleitereinrichtung.
In Figur 6 ist das in Figur 4 gezeigte Klebebandstück, auf welchem das Kupferfolienmuster ausgebildet ist, auf einem Plättchen-Anschlußfeld 9a eines Leitungsrahmens plaziert und mit einer halbgehäteten Klebstoffschicht an das Plättchen-Anschlußfeld 9a angeklebt. Die Schicht 4a ist eine Klebstoffschicht, die als ein Ergebnis des Härtens der halbgehäteten Klebstoffschicht ausgebildet ist. Ein Halbleiterchip 7 ist mit einem Klebstoff 10 auf den Chipanbringungsbereich 3a des Kupferfolienmusters gekelbt. Drahtverbindung ist mit Golddrähten 8a, 8b zwischen dem Halbleiterchip 7 und gedruckten Leitungen 3b des Kupferfolienmusters und zwischen den gedruckten Leitungen 3b des Kupferfolienmusters und den entsprechenden Leitungsstiften 9b eines Leitungsrahmens angewandt worden. Demgemäß sind der Halbleiterchip 7 und die Leitungsstifte 9b über die gedruckten Leitungen 3b, die in der Kupferfolienschicht des Klebebands ausgebildet sind, elektrische miteinander verbunden. Der Formungsbereich des Leitungsrahmens einschgließlich des Halbleiterchips, der Golddrähte und der inneren Leitungsstifte, etc. sind mit einem Harz 11 hermetisch abgeschlossen.
Die Figur 8 ist eine Querschittansicht einer Halbleitereinrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform dieser Erfindung, und die Figur 9 ist eine teilweise Querschnittsansicht der Halbleitereinrichtung.
In Figur 8 ist der Chipanbringungsbereich 3a der Kupferfolie der Figur 4 zu einem Hohlraum ausgestanzt worden. Ein Halbleiterchip 7 ist direkt auf ein Plättchen-Anschlußfeld 9a mit einem Klebstoff 10 aufgeklebt. Drahtverbindung ist mit Golddrähten 8a, 8b zwischen dem Halbleiterchip 7 und gedruckten Leitungen 3b des Kupferfolienmusters und zwischen den gedruckten Leitungen 3b des Kupferfolienmusters und entsprechenden Leitungsstiften 9b eines Leitungsrahmens angewandt worden. Demgemäß sind der Halbleiterchip 7 und die Leitungsstifte 9b über die gedruckten Leitungen 3b, die in der Kupferfolienschicht des Klebebands ausgebildet sind, elektrisch miteinander verbunden. Der Formungsbereich des Leitungsrahmens einschließlich des Halbleiterchips, der Golddrähte und der inneren Leitungsstifte sind hermetisch mit einem Harz 11 abgeschlossen.
Die Ausführungsformen der Figuren 6 bis 9 sind unter Verwendung des in Figur 1 gezeigten Klebebands beschrieben worden. Wenn das in Figur 2 oder Figur 3 gezeigte Klebeband verwendet wird, können Halbleitereinrichtungen auch in einer entsprechenden Art und Weise hergestellt werden.
Das Klebeband der vorliegenden Erfindung wird nachstehend speziell durch die folgenden Beispiele beschrieben.

Beispiel 1:

Eine elektrolytische Kupferfolie, die ein Basisgewicht von 1 Unze hat (Produkt von Nippon Mining Co., Ltd.), wurde mit einem Polyimidharz ("Thermid IP-630", Handelsbezeichnung, Produkt von NSC-Kanebo Co., Ltd.; Dimethylacetamidbeschichtungsformulierung von 20 % Feststoffkonzentration) bis zu einer Belagdicke von 15 um beschichtet. Die auf diese Weise beschichtete Kupferfolie wurde bei 120ºC während 5 Minuten erhitzt und getrocknet, wodurch eine Klebstoffschicht ausgebildet wurde.
Auf die Oberfläche der demgemäß ausgebildeten Klebstoffschicht wurde ein wärmebeständiger Film, der von einem Polyimidfilm ("Kapton 500V", Handelsbezeichnung; Produkt von Du Pont-Toray Co., Ltd.) gebildet war, bei 120ºC und 1 m/min. durch Laminierungswalzen geklebt. Das resultierende Laminat wurde weiter bei 160ºC während 5 Stunden erhitzt, um die Klebstoffschicht zu härten.
Ein Klebstoff, der aus einem Epoxid/Polyamid-Harz ("S-dain 3611", Handelsbezeichnung; Produkt von Sekisui Chemical Co., Ltd.) zusammengesetzt war, wurde bis zu einer Dicke von 20 um auf die Oberfläche des wärmebeständigen Films aufgebracht, gefolgt von Erhitzen bei 150ºC während 5 Minuten, um eine halbgehärtete Klebstoffschicht vorzusehen.
Weiter wurde ein Schutzfilm, der von einem 38 um dicken Polyethylenterephthalatfilm gebildet war, auf die Oberfläche der demgemäß ausgebildeten halbgehärteten Klebstoffschicht geklebt, wodurch ein Klebeband der in Figur 1 gezeigten Struktur hergestellt wurde.

Beispiel 2:

Eine gewalzte Kupferfolie, die ein Basisgewicht von 1 Unze hat (Produkt von Nippon Mining Co., Ltd.) wurde gußbeschichtet mit einer N-methylpyrrolidonbeschichtungsformulierung eines wärmebeständigen Polyimidharzes ("Thermid IP-630", Handelsbezeichnung; Produkt von NSC-Kanebo Co., Ltd.). Die Feststoffkonzentration der Beschichtungsformulierung war 20 %. Die aufgebrachte Schicht wurde erhitzt und gehärtet bei 200ºC während 1 Stunde, wodurch eine 30 um dicke wärmebeständige Harzschicht auf einer Seite der Kupferfolie ausgebildet wurde.
Auf die Oberfläche der wärmebeständigen Harzschicht wurde ein Klebstoff, bestehend aus einem Epoxid/Polyamidharz ("S-dain 3611", Handelsbezeichnung; Produkt von Sekisui Chemical Co., Ltd.) bis zu einer Dicke von 20 um aufgetragen, gefolgt von Erhitzen bei 150ºC während 5 Minuten, um eine halbgehärtete Klebstoffschicht vorzusehen.
Weiter wurde ein aus einem 38 um dicken Polyethylenterephthalatfilm ausgebildeter Schutzfilm auf die Oberfläche der demgemäß ausgebildeten halbgehärteten Klebstoffschicht gebunden, wodurch ein Klebeband der in Figur 2 gezeigten Struktur erzeugt wurde.

Beispiel 3:

Eine gewalzte Kupferfolie, die ein Basisgewicht von 1 Unze hat (Produkt von Nippon Mining Co., Ltd.) wurde gußbeschichtet mit einer N-methylpyrrolidonbeschichtungsformulierung eines wärmebeständigen Polyimidharzes ("Thermid IP-630", Handelsbezeichnung; Produkt von NSC-Kanebo Co., Ltd.). Die Feststoffkonzentration der Beschichtungsformulierung war 20 %. Die aufgebrachte Schicht wurde erhitzt und gehärtet bei 200ºC während 1 Stunde, wodurch eine 30 um dicke wärmebeständige Harzschicht auf einer Seite der Kupferfolie ausgebildet wurde.
Auf die Oberfläche der wärmebeständigen Harzschicht wurde ein Klebstoff, bestehend aus einem Epoxid/Polyamidharz ("S-dain 3611", Handelsbezeichnung; Produkt von Sekisui Chemical Co., Ltd.) bis zu einer Dicke von 10 um aufgetragen, gefolgt von Erhitzen bei 160ºC während 2 Stunden, um die Klebstoffschicht zu härten.
Danach wurde ein Klebstoff, der aus dem gleichen Epoxid/Polyamidharz, wie der oben verwendete besteht, bis zu einer Dicke von 30 um auf die Oberfläche des wärmebeständigen Films aufgetragen, gefolgt von Erhitzen bei 150ºC während 5 Minuten, um eine halbgehärtete Klebstoffschicht vorzusehen.
Ein aus einem 38 um dicken Polyethylenterephthalatfilm ausgebildeter Schutzfilm wurde als nächstes an die Oberfläche der demgemäß ausgebildeten halbgehärteten Klebstoffschicht gebunden, wodurch ein Klebeband der in Figur 3 gezeigten Struktur erzeugt wurde.
Unter Verwendung von jedem der oben jeweils in den Beispielen 1-3 hergestellten Klebebänder der vorliegenden Erfindung wurde die Kupferfolie durch ein in der Technik an sich bekanntes Verfahren zur Ausbildung eines Kupferfolienmusters geätzt. Nachdem das Kupferfolienmuster mit Ni und Gold überzogen worden war, wurde Stanzen so angewandt, daß ein Klebebandstück der in Figur 4 veranschaulichten Form erhalten wurde. Nachdem der Schutzfilm abgeschält worden war, wurde das Klebebandstück auf ein Plättchen-Anschlußfeld eines Leitungsrahmens geklebt, wie in Figur 6 veranschaulicht ist. Während des Verfahrens jener Herstellungen wurden das Ätzen, der Widerstand gegen Überzugsmittel, das Stanzen und das Anbringen an dem Plättchen-Anschlußfeld erfolgreich ausgeführt.
Ein Halbleiterchip wurde an das mittige Kupferfolienmuster des Klebebandstücks geklebt, wodurch der Halbleiterchip dort angebracht wurde. Unter Verwendung von Ultraschallwellen wurde dann bei 250 ºC Drahtverbindung angewandt (siehe Figur 6).
Der Zustand der Drahtverbindung wurde mit Bezug auf jede der Halbleitereinrichtungen, die wie oben beschrieben hergestellt waren, untersucht. Es wurden nämlich die Haftfestigkeiten an drei Punkten A, B und C, die in Figur 10 gezeigt sind, durch einen Drahtverbindungstester gemessen. Als ein Ergebnis wurde bestätigt, daß alle die Klebebänder genügend Haftfestigkeit liefern, wie unten in Tabelle 1 gezeigt ist. Tabelle 1 Beispiel Draht
Als ein Ergebnis einer Röntgenstrahlenanalyse wurde gefunden, daß Harzformlinge, die nach der Drahtverbindung aufgebracht wurden, kein Problem aufweisen. Es wurde daher bestätigt, daß jene Klebebänder genügend Zuverlässigkeit als Elemente von Halbleiter-Einrichtungen hatten.

Beispiel 4:

Eine elektrolytische Kupferfolie, die ein Basisgewicht von 1 Unze hat (Produkt von Nippon Mining Co., Ltd.) wurde mit einer wärmebeständigen Harzbeschichtungsformulierung gußbeschichtet. Es wurde nämlich eine 30 um dicke wärmebeständige Harzschicht auf einer Seite der Kupferfolie ausgebildet durch Verwenden einer N-methylpyrrolidonbeschichtungsformulierung aus einer Mischung, welche aus 100 Gewichtsteilen eines wärmebeständigen Polyimidharzes ("Thermid IP-630", Handelsbezeichnung; Produkt von NSC-Kanebo Co., Ltd.) und 25 Gewichtsteilen von Siliziumdioxid ("p-527D", Handelsbezeichnung; Produkt von Mizusawa Industrial Chemicals, Ltd.) als die wärmebeständige Harzbeschichtungsformulierung, und Erhitzen und nach dem Beschichten, Erhitzen und Härten des Auftrags bei 150ºC während einer Stunde, bei 200ºC während einer Stunde und dann bei 300ºC während 20 Minuten. Die Feststoffkonzentration der N-methylpyrrolidonbeschichtungsformulierung war 20 %.
Ein aus einem Epoxid/Polyamidharz ("S-dain 3611", Handelsbezeichnung; Produkt von Sekisui Chemical Co., Ltd.) gebildeter Klebstoff wurde bis zu einer Dicke von 10 um auf die Oberfläche der wärmebeständigen Harzschicht aufgebracht. Nachdem der Klebstoff getrocknet war, wurde ein aus einem Polyimidharz ("Upilex 75SS", Handelsbezeichnung; Produkt von Ube Industries, Ltd.) hergestellter wärmebeständiger Film angeklebt. Das resultierende Laminat wurde bei 160ºC während 2 Stunden erhitzt, um die Klebstoffschicht zu härten. Auf die Oberfläche des wärmebeständigen Films wurde ein Klebstoff, der aus dem gleichen Epoxid/Polyamidharz, wie jener, der oben verwendet wurde, bestand, aufgetragen, so daß sich eine Dicke von 30 um ergab, gefolgt von Erhitzen bei 150ºC während 5 Minuten, um eine halbgehärtete Klebstoffschicht vorzusehen. Ein aus einem 38 um dicken Polyethylenterephthalatfilm ausgebildeter Schutzfilm wurde als nächstes an die Oberfläche der demgemäß ausgebildeten halbgehärteten Klebstoffschicht gebunden, wodurch ein Klebeband der in Figur 3 gezeigten Struktur erzeugt wurde.

Beispiel 5:

Ein Klebeband wurde in einer dem Beispiel 4 gleichartigen Art und Weise hergestellt, ausgenommen, daß in die wärmebeständige Harzbeschichtungsformulierung des Beispiels 4 anstelle von 25 Gewichtsteilen Siliziumdioxid 25 Gewichtsteile von Zirkoniumdioxid ("FZ", Handelsbezeichnung; Produkt von Tateho Chemical Industries Co., Ltd.) zugefügt wurden.

Beispiel 6:

Ein Klebeband wurde in einer dem Beispiel 4 gleichartigen Art und Weise hergestellt, ausgenommen, daß in die wärmebeständige Harzbeschichtungsformulierung des Beispiels 4 anstelle von 25 Gewichtsteilen Siliziumdioxid 25 Gewichtsteile von Siliziumnitrid (feines Pulverprodukt; Produkt von Asahi Glass Co., Ltd.) hinzugefügt wurden.

Beispiel 7:

Ein Klebeband wurde in einer dem Beispiel 4 gleichartigen Art und Weise hergestellt, ausgenommen, daß in die wärmebeständige Harzbeschichtungsformulierung des Beispiels 4 anstelle von 25 Gewichtsteilen Siliziumdioxid 25 Gewichtsteile von Aluminiumoxid ("AL15A", Handelsbezeichnung; Produkt von Showa Denko K.K.) hinzugefügt wurden.

Beispiel 8:

Eine elektrolytische Kupferfolie, die ein Basisgewicht von 1 Unze hat (Produkt von Nippon Mining Co., Ltd.) wurde mit einer wärmebeständigen Harzbeschichtungsformulierung gußbeschichtet. Als die wärmebeständige Harzbeschichtungsformulierung wurde eine N-methylpyrrolidonbeschichtungsformulierung aus einer Mischung verwendet, welche aus 100 Gewichtsteilen eines wärmebeständigen Polyimidharzes ("Thermid IP-630", Handelsbezeichnung; Produkt von NSC-Kanebo Co., Ltd.) und 1 Gewichtsteil eines Silankupplungsmittels bestehend aus der Verbindung, die dargestellt wird durch die folgende Strukturformel:
H&sub2;NCH&sub2;CH&sub2;NHCH&sub2;CH&sub2;CH&sub2; i(OCH&sub3;)&sub2;
("Sairaeisu S-310", Handelsbezeichnung; Produkt von Chisso Corporation), bestand. Die Feststoffkonzentration der N-methylpyrrolidonbeschichtungsformulierung war 20 %. Nach dem Beschichten wurde die aufgebrachte Beschichtungsformulierung erhitzt und gehärtet bei 150ºC während 1 Stunde, bei 200ºC während 1 Stunde und dann bei 300ºC während 20 Minuten, wodurch eine 30 um dicke wärmebeständige Harzschicht auf einer Seite der Kupferfolie ausgebildet wurde.
Das Verfahren des Beispiels 4 folgte dann, um ein Klebeband herzustellen.

Beispiel 9:

Ein Klebeband wurde in einer dem Beispiel 8 gleichartigen Art und Weise hergestellt, ausgenommen, daß anstelle des Silankupplungsmittels in der wärmebeständigen Harzbeschichtungsformulierung im Beispiel 8 eine wärmebeständige Harzbeschichtungsformulierung verwendet wurde, die erhalten wurde durch Hinzufügen von 1 Gewichtsteil eines Silankupplungsmittels, das aus einer Verbindung bestand, die durch die folgende Strukturformel repräsentiert wird:
CH&sub2;=CHSi(OCH&sub2;CH&sub2;OCH&sub3;)&sub3;
("Sairaeisu S-230", Handelsbezeichnung; Produkt von Chisso Corporation).

Beispiel 10:

Ein Klebeband wurde in einer dem Beispiel 8 gleichartigen Art und Weise hergestellt, ausgenommen, daß anstelle des Silankupplungsmittels in der wärmebeständigen Harzbeschichtungsformulierung im Beispiel 8 eine wärmebeständige Harzbeschichtungsformulierung verwendet wurde, die erhalten wurde durch Hinzufügen von 1 Gewichtsteil eines Silankupplungsmittels, das aus der Verbindung bestand, die durch die folgende Strukturformel repräsentiert wird:
H&sub2;NCH&sub2;CH&sub2;Si(OCH&sub2;CH&sub3;)&sub3;
("Sairaeisu S-330", Handelsbezeichnung; Produkt von Chisso Corporation)

Beispiel 11:

Eine elektrolytische Kupferfolie, die ein Basisgewicht von 1 Unze hat (Produkt von Nippon Mining Co., Ltd.) wurde beschichtet mit einer Dimethylacetamidbeschichtungsformulierung aus einer Mischung, welche aus 100 Gewichtsteilen eines Polyamidimidklebstoffs ("TORLON", Handelsbezeichnung; Produkt von Amoco Corporation) und 25 Gewichtsteilen von Siliziumdioxid ("P- 527D", Handelsbezeichnung; Produkt von Mizusawa Industrial Chemicals, Ltd.) bestand, so daß sich eine Beschichtungsdicke von 15 um ergab. Die Feststoffkonzentration der Dimethylacetamidbeschichtungsformulierung war 25 %. Die demgemäß beschichtete Kupferfolie wurde erhitzt und getrocknet bei 120ºC während 5 Minuten, wodurch eine Klebstoffschicht vorgesehen wurde.
An die Oberfläche der demgemäß ausgebildeten Klebstoffschicht wurde ein aus einem Polyimidharz ("Upilex 75SS", Handelsbezeichnung) ausgebildeter wärmebeständiger Film bei 120ºC und 1 m/min durch Laminierungswalzen gebunden. Das resultierende Laminat wurde weiter bei 160ºC während 5 Stunden erhitzt, um die Klebstoffschicht zu härten.
Eine IPA/Toluol-Beschichtungsformulierung aus einer Mischung, welche aus 100 Gewichtsteilen eines Epoxid/Polyamidharzes ("S- dain 3611", Handelsbezeichnung; Produkt von Sekisui Chemical Co., Ltd.) und 25 Gewichtsteilen Siliziumdioxid ("P-527D", Handelsbezeichnung; Produkt von Mizusawa Industrial Chemicals, Ltd.) bestand, wurde dann bis zu einer Dicke von 20 um auf die Oberfläche des wärmebeständigen Films aufgebracht. Die Feststoffkonzentration der Beschichtungsformulierung war 25 %. Das resultierende Laminat wurde bei 150ºC während 5 Minuten erhitzt, so daß eine halbgehärtete Klebstoffschicht vorgesehen wurde.
Weiter wurde ein aus einem 38 um dicken Polyethylenterephthalatfilm ausgebildeter Schutzfilm an die Oberfläche der demgemäß ausgebildeten halbgehärteten Klebstoffschicht gebunden, wodurch ein Klebeband der in Figur 1 gezeigten Struktur erzeugt wurde.

Beispiel 12:

Eine elektrolytische Kupferfolie, die ein Basisgewicht von 1 Unze hat (Produkt von Nippon Mining Co., Ltd.), wurde gußbeschichtet mit einer Dimethylacetamidbeschichtungsformulierung aus einer Mischung, welche aus 100 Gewichtsteilen eines wärmebeständigen Polyimidharzes ("Thermid IP-630", Handelsbezeichnung; Produkt von NSC-Kanebo Co., Ltd.) und 25 Gewichtsteilen Siliziumdioxid ("P-527D", Handelsbezeichnung; Produkt von Mizusawa Industrial Chemicals, Ltd.) bestand, so daß sich eine Dicke von 30 um ergab. Die Feststoffkonzentration der Dimethylacetamidbeschichtungsformulierung war 25 %. Die demgemäß beschichtete Kupferfolie wurde erhitzt und getrocknet bei 200ºC während einer Stunde, wodurch eine wärmebeständige Harzschicht auf einer Seite der Kupferfolie ausgebildet wurde.
Auf die Oberfläche der demgemäß ausgebildeten wärmebeständigen Harzschicht wurde dann eine IPA/Toluol-Beschichtungsformulierung aus einer Mischung, welche aus 100 Gewichtsteilen eines Epoxid/Polyamidharzes ("S-dain 3611", Handelsbezeichnung; Produkt von Sekisui Chemical Co., Ltd.) und 25 Gewichtsteilen von Siliziumdioxid ("P-527D", Handelsbezeichnung; Produkt von Mizusawa Industrial Chemicals, Ltd.) bestand, bis zu einer Dicke von 20 um aufgetragen. Die Feststoffkonzentration der Beschichtungsformulierung war 25 %. Das resultierende Laminat wurde bei 150ºC während 5 Minuten erhitzt, so daß eine halbgehärtete Klebstoffschicht vorgesehen wurde.
Weiter wurde ein aus einem 38 um dicken Polyethylenterephthalatfilm ausgebildeter Schutzfilm an die Oberfläche der demgemäß ausgebildeten halbgehärteten Klebstoffschicht gebunden, wodurch ein Klebeband der in Figur 2 gezeigten Struktur erzeugt wurde.

Beispiel 13:

Eine elektrolytische Kupferfolie, die ein Basisgewicht von 1 Unze hat (Produkt von Nippon Mining Co., Ltd.), wurde beschichtet mit einer Dimethylacetamidbeschichtungsformulierung aus einer Mischung, welche aus 100 Gewichtsteilen eines Polyamidimidklebstoffs ("TORLON", Handelsbezeichnung; Produkt von Amoco Corporation) und 1 Gewichtsteil eines Silankupplungsmittels, bestehend aus der Verbindung, die durch die folgende Strukturformel repräsentiert wird:
H&sub2;NCH&sub2;CH&sub2;NHCH&sub2;CH&sub2;CH&sub2; i(OCH&sub3;)&sub2;
("Sairaeisu S-310", Handelsbezeichnung; Produkt von Chisso Corporation) bestand, so daß sich eine Beschichtungsdicke von 15 um ergab. Die Feststoffkonzentration der Beschichtungsformulierung war 20 %. Die demgemäß beschichtete Kupferfolie wurde erhitzt und getrocknet bei 120ºC während 5 Minuten, wodurch eine Klebstoffschicht vorgesehen wurde.
An die Oberfläche der demgemäß ausgebildeten Klebstoffschicht wurde ein aus einem Polyimidharz ("Upilex 75SS", Handelsbezeichnung) ausgebildeter wärmebeständiger Film bei 120ºC und 1 m/min durch Laminierungswalzen gebunden. Das resultierende Laminat wurde weiter bei 160ºC während 5 Stunden erhitzt, um die Klebstoffschicht zu härten.
Auf die Oberfläche des wärmebeständigen Films wurde dann eine IPA/Toluolbeschichtungsformulierung aus einer Mischung, welche aus 100 Gewichtsteilen eines Epoxid/Polyamidharzes ("S-dain 3611, Handelsbezeichnung; Produkt von Sekisui Chemical Co., Ltd.) und 1 Gewichtsteil eines Silankupplungsmittels ("Sairaeisu S-310", Handelsbezeichnung; Produkt von Chisso Corporation) bestand, bis zu einer Dicke von 20 um aufgebracht. Die Feststoffkonzentration der Beschichtungsformulierung war 20 %. Das resultierende Laminat wurde bei 150ºC während 5 Minuten erhitzt, so daß eine halbgehärtete Klebstoffschicht vorgesehen wurde.
Weiter wurde ein aus einem 38 um dicken Polyethylenterephthalatfilm ausgebildeter Schutzfilm an die Oberfläche der demgemäß ausgebildeten halbgehärteten Klebstoffschicht gebunden, wodurch ein Klebeband der in Figur 1 gezeigten Struktur hergestellt wurde.

Beispiel 14:

Eine elektrolytische Kupferfolie, die ein Basisgewicht von 1 Unze hat (Produkt von Nippon Mining Co., Ltd.), wurde gußbeschichtet mit einer Dimethylacetamidbeschichtungsformulierung aus einer Mischung, welche aus 100 Gewichtsteilen eines wärmebeständigen Polyimidharzes ("Thermid IP-630", Handelsbezeichnung; Produkt von NSC-Kanebo Co., Ltd.) und 1 Gewichtsteil eines Silankupplungsmittels, bestehend aus der durch die folgende Strukturformel repräsentierten Verbindung:
H&sub2;NCH&sub2;CH&sub2;NHCH&sub2;CH&sub2;CH&sub2; i(OCH&sub3;)&sub2;
("Sairaeisu S-310", Handelsbezeichnung; Produkt von Chisso Corporation) bestand. Die Feststoffkonzentration der Beschichtungsformulierung war 20 %. Die demgemäß beschichtete Kupferfolie wurde erhitzt und getrocknet bei 200ºC während 1 Stunde, wodurch eine 30 um dicke wärmebeständige Harzschicht auf einer Seite der Kupferfolie ausgebildet wurde.
Auf die Oberfläche der demgemäß ausgebildeten wärmebeständigen Harzschicht wurde dann eine IPA/Toluolbeschichtungsformulierung aus einer Mischung, welche aus 100 Gewichtsteilen eines Epoxid/Polyamidharzes ("S-dain 3611", Handelsbezeichnung; Produkt von Sekisui Chemical Co., Ltd.) und l Gewichtsteil eines Silankupplungsmittels ("Sairaeisu S-310", Handelsbezeichnung; Produkt von Chisso Corporation) bestand, bis zu einer Dicke von 20 um aufgetragen. Die Feststoffkonzentration der Beschichtungsformulierung war 20 %. Das resultierende Laminat wurde bei 150ºC während 5 Minuten erhitzt, so daß eine halbgehärtete Klebstoffschicht vorgesehen wurde.
Weiter wurde ein aus einem 38 um dicken Polyethylenterepththalatfilm ausgebildeter Schutzfilm an die Oberfläche der demgemäß ausgebildeten halbgehärteten Klebstoffschicht gebunden, wodurch ein Klebeband der in Figur 2 gezeigten Struktur hergestellt wurde.
Unter Verwendung von jedem der jeweils oben in den Beispielen 4-14 hergestellten Klebebänder der vorliegenden Erfindung wurde die Kupferfolie durch ein in der Technik an sich bekanntes Verfahren geätzt, um ein Kupferfolienmuster auszubilden. Nachdem das Kupferfolienmuster mit Nickel und Gold überzogen worden war, wurde Stanzen so angewandt, daß ein Klebebandstück der in Figur 4 veranschaulichten Form erhalten wurde. Nachdem der Schutzfilm abgeschält worden war, wurde das Klebebandstück auf ein Plättchen-Anschlußfeld eines Leitungsrahmens geklebt, wie in Figur 6 veranschaulicht. Während des Verfahrens jener Herstellungen wurden das Ätzen, der Widerstand gegen Überzugsmittel, das Stanzen und das Anbringen an dem Plättchen-Anschlußfeld erfolgreich ausgeführt.
Ein Halbleiterchip wurde an das mittige Kupferfolienmuster des Klebebandstücks angeklebt, wodurch der Halbleiterchip dort angebracht wurde. Unter Verwendung von Ultraschallwellen wurde dann Drahtverbindung bei 250ºC angewandt (siehe Figur 6).
Hinsichtlich der Halbleitereinrichtungen, die wie oben beschrieben hergestellt wurden, wurde der Drahtverbindungszustand untersucht. Alle die Halbleitereinrichtungen hatten eine gute Drahtverbindung. Weiter wurde gefunden, daß nach der Drahtverbindung aufgebrachte Harzformlinge kein Problem beinhalten.
Ein Druck-Kocher-Test (PCT) wurde dann an den harzgeformten Halbleiterbaugruppen ausgeführt. Als ein beschleunigter Test für die Bestimmung der Dauerhaftigkeit der Halbleiterbaugruppen bei erhöhten Temperaturen wurden die harzgeformten Halbleiterbaugruppen während 50 Stunden unter den Bedingungen von 121ºC/2 atm mittels einer gesättigten PCT-Testmaschine behandelt. Danach wurden die Halbleiterbaugruppen während 30 Sekunden in ein Lotbad von 240ºC getaucht. Das Formlingsharz wurde von den Halbleiterbaugruppen entfernt, und die Klebebandstücke wurden studiert, um zu bestimmen, ob sich eine Delaminierung entwikkelt hatte oder nicht. Es wurden dreißig Proben pro Beispiel getestet. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 zusammengefaßt.
Der folgende Test wurde als nächstes ausgeführt, um die Grade an wäßrigen Ionen der Füllstoffe zu beurteilen, d.h. die Grade der Dissoziation der Füllstoffe in Ionen während des PCT-Tests der Klebebänder der vorliegenden Erfindung. Stücke von 38 um dicken Polyethylenterephthalatfilmen wurden mit den wärmebeständigen Harzbeschichtungsformulierungen, die oben in den Beispielen 4-10, 12 und 14 verwendet wurden, bzw. den Beschichtungsformulierungen, die zur Ausbildung der Klebstoffschichten in den Beispielen 11 und 13 verwendet wurden, beschichtet, so daß sich eine Beschichtungsdicke von 50 um ergab. Die demgemäß beschichteten Filmstücke wurden bei 150ºC während 1 Stunde getrocknet, und die Stücke des Polyethylenterephthalatfilms wurden abgeschält. Die übrigbleibenden Beschichtungsschichten wurden bei 200ºC während 1 Stunde und dann bei 300ºC während 20 Minuten erhitzt und gehärtet, wodurch Beschichtungsfilme, die allein aus einer wärmebeständigen Harzschicht oder einer Klebstoffschicht ausgebildet sind, als Proben erhalten wurden. Die elektrischen Leitfähigkeiten der demgemäß erhaltenen Proben wurden in der folgenden Art und Weise gemessen.
(a) Jede Probe wurde in etwa 1 cm quadratische Stücke geschnitten.
(b) Zehn Gramm der demgemäß zugeschnittenen Probe wurden in einem wärmebeständigen Rundbodenkolben plaziert, welcher sorgfältig gewaschen worden war, gefolgt durch die Hinzufügung von 100 g deionisiertem Wasser, dessen elektrische Leitfähigkeit nicht höher als 5 us/cm war. Ein sorgfältig gewaschener Rückflußverflüssiger wurde an dem Kolben angebracht. Die Inhalte wurden auf 100ºC erhitzt und wurden dann während 20 Stunden stehengelassen.
(c) Die elektrische Leitfähigkeit des resultierenden Extrakts wurde durch einen Leitfähigkeitsmesser gemessen.
Die Ergebnisse sind auch in Tabelle 2 gezeigt. Tabelle 2 Delaminierung* Elektrische Leitfähigkeit (us/cm) Beispiel *Anzahl von Proben mit Delaminierung/Anzahl von gemessen Proben.

Claims

1. Klebeband, dadurch gekennzeichnet, daß es ein wärmebeständiges Substrat, das aus mindestens einer Schicht gebildet ist, eine Kupferfolie, die auf einer Seite des Substrats vorgesehen ist, und eine semigehärtete Klebstoffschicht und einen Schutzfilm, die aufeinanderfolgend auf der anderen Seite des Substrats vorgesehen sind, aufweist.

2. Klebeband nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das wärmebeständige Substrat einen wärmebeständigen Film und eine Klebstoffschicht, die die Kupferfolie auf den wärmebeständigen Film laminiert, aufweist.

3. Klebeband nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Klebstoffschicht und der semigehärteten Klebstoffschicht ein Harz enthält und pro 100 Gew.-Teile des Harzes 1 bis 50 Gew.-Teile von mindestens einem Füllstoff, ausgewählt aus Siliciumdioxid, Aluminiumoxid, Zirconiumdioxid und Siliciumnitrid, enthält.

4. Klebeband nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Klebstoffschicht und der semigehärteten Klebstoffschicht ein Harz enthält und pro 100 Gew.-Teile des Harzes 0,01 bis 30 Gew.-Teile von mindestens einem Silankupplungsmittel, ausgewählt aus Verbindungen, die durch die folgende Formel (I) dargestellt werden:

worin X CH&sub2;=CH- oder

bedeutet, worin R&sub5; und R&sub6; je H- oder NH&sub2;CH&sub2;CH&sub2;- bedeuten, R&sub1; CnH2n- bedeutet, worin n für eine ganze Zahl von 0 bis 5 steht und R&sub2;, R&sub3; und R&sub4; individuell eine Gruppe, ausgewählt aus -CH&sub3;, -OCH&sub3;, -OCH&sub2;CH&sub3; und -OCH&sub2;CH&sub2;OCH&sub3;, bedeuten, enthält.

5. Klebeband nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das wärmebeständige Substrat eine wärmebeständige Harzschicht, die auf der Kupferfolie gebildet ist, umfaßt.

6. Klebeband nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der wärmebeständigen Harzschicht und der semigehärteten Klebstoffschicht ein Harz enthält und pro 100 Gew.-Teile des Harzes 1 bis 50 Gew.-Teile von mindestens einem Füllstoff, ausgewählt aus Siliciumdioxid, Aluminiumoxid, Zirconiumdioxid und Siliciumnitrid, enthält.

7. Klebeband nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Klebstoffschicht und der semigehärteten Klebstoffschicht ein Harz enthält und pro 100 Gew.-Teile des Harzes 0,01 bis 30 Gew.-Teile von mindestens einem Silankupplungsmittel, ausgewählt aus Verbindungen, die durch die folgende Formel (I) dargestellt werden:

worin X CH&sub2;=CH- oder

bedeutet, worin R&sub5; und R&sub6; je H- oder NH&sub2;CH&sub2;CH&sub2;- bedeuten, R&sub1; -CnH2n- bedeutet, worin n für eine ganze Zahl von 0 bis 5 steht und R&sub2;, R&sub3; und R&sub4; individuell eine Gruppe, ausgewählt aus -CH&sub3;, -OCH&sub3;, -OCH&sub2;CH&sub3; und -OCH&sub2;CH&sub2;OCH&sub3;, bedeuten, enthält.

8. Klebeband nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die wärmebeständige Basis eine auf einer Kupferfolie gebildete wärmebeständige Harzschicht, eine Klebstoffschicht und einen wärmebeständigen Film umfaßt.

9. Klebeband nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der wärmebeständigen Harzschicht, der Klebstoffschicht und der semigehärteten Klebstoffschicht ein Harz enthält und pro 100 Gew.-Teile des Harzes 1 bis 50 Gew.-Teile von mindestens einem Füllstoff, ausgewählt aus Siliciumdioxid, Aluminiumoxid, Zirconiumdioxid und Siliciumnitrid, enthält.

10. Klebeband nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der wärmebeständigen Klebstoffschicht, der Klebstoffschicht und der semigehärteten Klebstoffschicht ein Harz enthält und pro 100 Gew.-Teile des Harzes 0,01 bis 30 Gew.-Teile von mindestens einem Silankupplungsmittel, ausgewählt aus Verbindungen, die durch die folgende Formel (I) dargestellt werden:

worin X CH&sub2;=CH- oder

bedeutet, worin R&sub5; und R&sub6; je H--

oder NH&sub2;CH&sub2;CH&sub2;- bedeuten, R&sub1; -CnH2n- bedeutet, worin n für eine ganze Zahl von 0 bis 5 steht und R&sub2;, R&sub3; und R&sub4; individuell eine Gruppe, ausgewählt aus -CH&sub3;, -OCH&sub3;, -OCH&sub2;CH&sub3; und -OCH&sub2;CH&sub2;OCH&sub3;, bedeuten, enthält.

11. Klebeband nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die semigehärtete Klebstoffschicht ein Harz enthält und pro 100 Gew.-Teile des Harzes 1 bis 50 Gew.-Teile von mindestens einem Füllstoff, ausgewählt aus Siliciumdioxid, Aluminiumoxid, Zirconiumdioxid und Siliciumnitrid, enthält.

12. Klebeband nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die semigehärtete Klebstoffschicht ein Harz enthält und pro 100 Gew.-Teile des Harzes 0,01 bis 30 Gew.-Teile von mindestens einem Silankupplungsmittel, ausgewählt aus Verbindungen, die durch die folgende Formel (I) dargestellt werden:

worin X CH&sub2;=CH- oder

bedeutet, worin R&sub5; und R&sub6; je H- oder NH&sub2;CH&sub2;CH&sub2;- bedeuten, R&sub1; -CnH2n- bedeutet, worin n für eine ganze Zahl von 0 bis 5 steht, und R&sub2;, R&sub3; und R&sub4; individuell eine Gruppe, ausgewählt aus -CH&sub3;, -OCH&sub3;, -OCH&sub2;CH&sub3; und -OCH&sub2;CH&sub2;OCH&sub3;, bedeuten, enthält.

13. Eine Halbleitereinrichtung, umfassend: ein Klebeband, das ein wärmebeständiges Substrat hat, welches von wenigstens einer Schicht gebildet ist, eine Kupferfolie, die auf einer Seite des Substrats vorgesehen ist und ein Kupferfolienmuster definiert, welches einen Chipanbringungsbereich und eine den Chipanbringungsbereich umgebende Anzahl von gedruckten Leitungen umfaßt, und eine halbgehärtete Klebstoffschicht, die auf der anderen Seite des Substrats vorgesehen;

einen Leitungsrahmen, der ein Plättchen-Anschlußfeld hat, auf welches das Klebeband geklebt ist, und eine Anzahl von Leitungsstiften;

einen Halbleiterchip, der auf dem Chipanbringungsbereich des Klebebands befestigt ist;

Drähte, die durch Drahtverbindung zwischen dem Halbleiterchip und einen Enden der gedruckten Leitungen, sowie zwischen den anderen Enden der gedruckten Leitungen und den Leitungsstiften des Leitungsrahmens angebracht sind; und

ein hermetisch abdichtendes Harz, das den Halbleiterchip und die Drähte umschließt;

wodurch der Halbleiterchip und die entsprechenden Leitungsstifte über die entsprechenden gedruckten Leitungen, die in der Kupferfolienschicht des Klebebands ausgebildet sind, elektrisch verbunden sind.

14. Eine Halbleitereinrichtung, umfassend: ein Klebeband, das ein wärmebeständiges Substrat hat, welches von wenigstens einer Schicht gebildet ist, eine Kupferfolienschicht, die auf einer Seite des Substrats vorgesehen ist und ein Kupferfolienmuster von gedruckten Leitungen definiert, eine halbgehärtete Klebstoffschicht, die auf der anderen Seite der Basis vorgesehen ist, und das mittig einen ausgestanzten Hohlraum begrenzt;

einen Leitungsrahmen, der ein Plättchen-Anschlußfeld hat, auf welchen das Klebeband geklebt ist, und eine gleichartige Anzahl von Leitungsstiften;

einen Halbleiterchip, der in dem Hohlraum des Klebebands befestigt ist;