JPH08306838A - 電子部品用の接続リード - Google Patents
電子部品用の接続リードInfo
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- JPH08306838A JPH08306838A JP8132659A JP13265996A JPH08306838A JP H08306838 A JPH08306838 A JP H08306838A JP 8132659 A JP8132659 A JP 8132659A JP 13265996 A JP13265996 A JP 13265996A JP H08306838 A JPH08306838 A JP H08306838A
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- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 53
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910000734 martensite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 241000446313 Lamella Species 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
- C22C38/10—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing cobalt
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子素子と、複数の接続リードと、外側ケー
スとを有する形式の電子部品の接続リードでの組織硬化
型導電性合金の使用。 【解決手段】 重量％組成：０≦Co≦30、９≦Ni≦21、
５≦Mo≦12、 0.1≦Al＋Ti≦９、０≦Nb≦１、０≦Ｃ≦
0.15、０≦Mn≦５、０≦Cr≦13、を有し、残部は鉄と製
造に起因する不純物であり、必要に応じてさらに、Ｗ、
ＶおよびBeの中から選択される少なくとも１つの元素を
0.1％以下の割合で含み、銅を 0.3％以下の割合で含む
マルテンサイト型合金である組織硬化型導電性合金を使
用する。
スとを有する形式の電子部品の接続リードでの組織硬化
型導電性合金の使用。 【解決手段】 重量％組成：０≦Co≦30、９≦Ni≦21、
５≦Mo≦12、 0.1≦Al＋Ti≦９、０≦Nb≦１、０≦Ｃ≦
0.15、０≦Mn≦５、０≦Cr≦13、を有し、残部は鉄と製
造に起因する不純物であり、必要に応じてさらに、Ｗ、
ＶおよびBeの中から選択される少なくとも１つの元素を
0.1％以下の割合で含み、銅を 0.3％以下の割合で含む
マルテンサイト型合金である組織硬化型導電性合金を使
用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品用の接続
リード(pattes de connexion) に関するものである。
リード(pattes de connexion) に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品、特に集積回路や能動型のディ
スクリート部品では、例えば半導体材料の電子装置が非
常に細いワイヤによって接続リードに接続され、全体が
合成材料の保護ケース中に収容されている。ケースの外
へ延びた接続リードは「内部接続リード」とよばれるケ
ース内に位置する部分と、「外部接続リード」とよばれ
るケース外側に位置する部分とを有している。外部接続
リードは電子部品をそれが組み込まれるプリント回路に
接続するためのものである。この接続リードは約42％の
ニッケルを含有する鉄−ニッケル合金か、銅ベースの合
金であり、所望の電気的特性および機械的特性に応じて
使用する合金が選択される。
スクリート部品では、例えば半導体材料の電子装置が非
常に細いワイヤによって接続リードに接続され、全体が
合成材料の保護ケース中に収容されている。ケースの外
へ延びた接続リードは「内部接続リード」とよばれるケ
ース内に位置する部分と、「外部接続リード」とよばれ
るケース外側に位置する部分とを有している。外部接続
リードは電子部品をそれが組み込まれるプリント回路に
接続するためのものである。この接続リードは約42％の
ニッケルを含有する鉄−ニッケル合金か、銅ベースの合
金であり、所望の電気的特性および機械的特性に応じて
使用する合金が選択される。
【０００３】接続リードを作る時には合金ストリップか
ら「リードフレーム」とよばれる素材を機械的手段また
は化学的手段で切り出す。このリードフレームは金属ス
トリップによって互いに接続された複数の接続リードで
構成され、各接続リードはそれらが電子部品に集積され
た時と同じ相対位置関係に配置されている。次いで、リ
ードフレームは油や錆が除去され、洗浄され、ニッケル
メッキされ、貴金属または銅がメッキされた後、半導体
素子に組合わされ、接続される。半導体素子は内部接続
リードの中央に位置した金属部分に接着または半田付け
される。次いで、こうして得られた組立体にポリマーを
射出成形してエンキャプスレートし、最後に外部接続リ
ードを互いに切り離して独立させる。その後、外部接続
リードの錆を取り、錫メッキし、曲げ加工する。こうし
てできた電子部品は「プラスチックケースにエンキャプ
スレート(encapsulate) されている」といわれる。この
エンキャプスレーション法は受動型部品、例えばインダ
クタンス、抵抗ネットワーク、遅延ライン、コンデンサ
でも使いられている。
ら「リードフレーム」とよばれる素材を機械的手段また
は化学的手段で切り出す。このリードフレームは金属ス
トリップによって互いに接続された複数の接続リードで
構成され、各接続リードはそれらが電子部品に集積され
た時と同じ相対位置関係に配置されている。次いで、リ
ードフレームは油や錆が除去され、洗浄され、ニッケル
メッキされ、貴金属または銅がメッキされた後、半導体
素子に組合わされ、接続される。半導体素子は内部接続
リードの中央に位置した金属部分に接着または半田付け
される。次いで、こうして得られた組立体にポリマーを
射出成形してエンキャプスレートし、最後に外部接続リ
ードを互いに切り離して独立させる。その後、外部接続
リードの錆を取り、錫メッキし、曲げ加工する。こうし
てできた電子部品は「プラスチックケースにエンキャプ
スレート(encapsulate) されている」といわれる。この
エンキャプスレーション法は受動型部品、例えばインダ
クタンス、抵抗ネットワーク、遅延ライン、コンデンサ
でも使いられている。
【０００４】電子素子の接続には一般に「テープ自動ボ
ンディング」またはＴＡＢと呼ばれる方法も用いられて
いる。この方法ではメッキまたは張合せで銅合金の被膜
を形成したポリイミドフィルムからリードフレームが作
られる。
ンディング」またはＴＡＢと呼ばれる方法も用いられて
いる。この方法ではメッキまたは張合せで銅合金の被膜
を形成したポリイミドフィルムからリードフレームが作
られる。
【０００５】上記２つの方法はいずれも使用する合金の
機械特性が不十分であるという欠点がある。特に、圧延
金属シートを用いる最初の方法では接続リードの厚さを
0.1mm以下にすることは困難なため、部品の小型化が制
限される。また、ポリイミドフィルムに被膜を形成する
第２の方法では、取付けを容易にするために内部接続リ
ードを長くすることが望まれても、内部接続リードを長
くすることができない。いずれの場合も、製造上の制
約、特に成形適性と、接続リードに要求される機械強度
とを両方満足する手段は知られていないので、例えば厚
さ１mm以下の集積回路は製造が困難である。しかし、用
途によっては厚さ0.5 mm以下の集積回路を高い製造収率
で製造できることが望まれている。また、厚さ0.5 mm以
下のケースにエンキャプスレートされた素子より成る電
子部品は外部接続リードが非常に脆弱なため取扱いが極
めて困難である。
機械特性が不十分であるという欠点がある。特に、圧延
金属シートを用いる最初の方法では接続リードの厚さを
0.1mm以下にすることは困難なため、部品の小型化が制
限される。また、ポリイミドフィルムに被膜を形成する
第２の方法では、取付けを容易にするために内部接続リ
ードを長くすることが望まれても、内部接続リードを長
くすることができない。いずれの場合も、製造上の制
約、特に成形適性と、接続リードに要求される機械強度
とを両方満足する手段は知られていないので、例えば厚
さ１mm以下の集積回路は製造が困難である。しかし、用
途によっては厚さ0.5 mm以下の集積回路を高い製造収率
で製造できることが望まれている。また、厚さ0.5 mm以
下のケースにエンキャプスレートされた素子より成る電
子部品は外部接続リードが非常に脆弱なため取扱いが極
めて困難である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上記欠
点を解決して、電子部品の取扱い、プリント回路への取
付けが容易になる十分な機械的強度を有する厚さ 0.1 m
m 以下の電子部品用の接続リードの製造手段を提供する
ことにある。
点を解決して、電子部品の取扱い、プリント回路への取
付けが容易になる十分な機械的強度を有する厚さ 0.1 m
m 以下の電子部品用の接続リードの製造手段を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、電子素子と複
数の接続リードと外側ケースとを有する形式の電子部品
の接続リードの製造での組織硬化型(urcissement struc
tural)導電性合金の使用にある。この組織硬化型合金を
組織硬化処理前に切断してリードフレームを作る。切断
は機械的または化学的に行うことができる。組織硬化型
導電性合金は、例えば下記化学重量％組成： ０％≦ Co ≦30％ ９％≦ Ni ≦21％ ５％≦ Mo ≦12％ 0.1％≦Al＋Ti≦９％ ０％≦ Nb ≦１％ ０％≦ Ｃ ≦0.15％ ０％≦ Mn ≦５％ ０％≦ Cr ≦13％ を有し、残部は鉄と製造に起因する不純物であり、必要
に応じてさらに、Ｗ、ＶおよびBeの中から選択される少
なくとも１つの元素を 0.1％以下の割合で含み、銅を
0.3％以下の割合で含み、マルテンサイト型合金であ
る。
数の接続リードと外側ケースとを有する形式の電子部品
の接続リードの製造での組織硬化型(urcissement struc
tural)導電性合金の使用にある。この組織硬化型合金を
組織硬化処理前に切断してリードフレームを作る。切断
は機械的または化学的に行うことができる。組織硬化型
導電性合金は、例えば下記化学重量％組成： ０％≦ Co ≦30％ ９％≦ Ni ≦21％ ５％≦ Mo ≦12％ 0.1％≦Al＋Ti≦９％ ０％≦ Nb ≦１％ ０％≦ Ｃ ≦0.15％ ０％≦ Mn ≦５％ ０％≦ Cr ≦13％ を有し、残部は鉄と製造に起因する不純物であり、必要
に応じてさらに、Ｗ、ＶおよびBeの中から選択される少
なくとも１つの元素を 0.1％以下の割合で含み、銅を
0.3％以下の割合で含み、マルテンサイト型合金であ
る。
【０００８】この組織硬化型導電性合金は下記化学組成
が好ましい： ８％≦Co≦10％ 17％≦Ni≦19％ ５％≦Mo≦６％ 0.3 ％≦Ti≦0.7 ％
が好ましい： ８％≦Co≦10％ 17％≦Ni≦19％ ５％≦Mo≦６％ 0.3 ％≦Ti≦0.7 ％
【０００９】組織硬化型導電性合金は下記重量％組成を
有するオーステナイト合金であってもよい： 35％≦Co≦55％ 15％≦Cr≦25％ 10％≦Ni≦35％ ０％≦Fe≦20％ ０％≦Mo≦10％ ０％≦Ｗ≦15％ ０％≦Mn≦２％ ０％≦Ｃ≦0.15％ 残部は製造に起因する不純物。
有するオーステナイト合金であってもよい： 35％≦Co≦55％ 15％≦Cr≦25％ 10％≦Ni≦35％ ０％≦Fe≦20％ ０％≦Mo≦10％ ０％≦Ｗ≦15％ ０％≦Mn≦２％ ０％≦Ｃ≦0.15％ 残部は製造に起因する不純物。
【００１０】このオーステナイトの組織硬化型導電性合
金は下記重量％組成を有するのが好ましい： 39％≦Co≦41％ 15％≦Fe≦20％ 15％≦Ni≦17％ ６％≦Mo≦８％ 19 ％≦Cr≦21％
金は下記重量％組成を有するのが好ましい： 39％≦Co≦41％ 15％≦Fe≦20％ 15％≦Ni≦17％ ６％≦Mo≦８％ 19 ％≦Cr≦21％
【００１１】本発明はさらに、半導体素子と、複数の接
続リードと、外側ケースとを有する電子部品において、
接続リードが下記重量％組成： ０％ ≦ Co ≦30％ ９％ ≦ Ni ≦21％ ５％ ≦ Mo ≦12％ 0.1 ％≦Al＋Ti≦９％ ０％ ≦ Nb ≦１％ ０％ ≦ Ｃ ≦0.15％ ０％ ≦ Mn ≦５％ ０％ ≦ Cr ≦13％ を有し、必要に応じてさらに、Ｗ、ＶおよびBeの中らか
選択される少なくとも１つの元素を 0.1％以下の割合で
含み、銅を 0.3％以下の割合の含み、残部は鉄と製造に
起因する不純物である、マルテンサイトの組織硬化型導
電性合金で構成されることを特徴とする電子部品を提供
する。
続リードと、外側ケースとを有する電子部品において、
接続リードが下記重量％組成： ０％ ≦ Co ≦30％ ９％ ≦ Ni ≦21％ ５％ ≦ Mo ≦12％ 0.1 ％≦Al＋Ti≦９％ ０％ ≦ Nb ≦１％ ０％ ≦ Ｃ ≦0.15％ ０％ ≦ Mn ≦５％ ０％ ≦ Cr ≦13％ を有し、必要に応じてさらに、Ｗ、ＶおよびBeの中らか
選択される少なくとも１つの元素を 0.1％以下の割合で
含み、銅を 0.3％以下の割合の含み、残部は鉄と製造に
起因する不純物である、マルテンサイトの組織硬化型導
電性合金で構成されることを特徴とする電子部品を提供
する。
【００１２】このマルテンサイトの組織硬化型導電性合
金は下記重量％組成を有するのが好ましい： ８％≦Co≦10％ 17％≦Ni≦25％ ５％≦Mo≦６％ 0.3 ％≦Ti≦0.7 ％
金は下記重量％組成を有するのが好ましい： ８％≦Co≦10％ 17％≦Ni≦25％ ５％≦Mo≦６％ 0.3 ％≦Ti≦0.7 ％
【００１３】本発明の電子部品は下記重量％組成を有す
る組織硬化型オーステナイト合金より成る接続リードを
有することもできる： 35％≦Co≦55％ 15％≦Cr≦25％ 10％≦Ni≦35％ ０％≦Fe≦20％ ０％≦Mo≦10％ ０％≦Ｗ≦15％ ０％≦Mn≦２％ ０％≦Ｃ≦0.15％ 残部は鉄と製造に起因する不純物
る組織硬化型オーステナイト合金より成る接続リードを
有することもできる： 35％≦Co≦55％ 15％≦Cr≦25％ 10％≦Ni≦35％ ０％≦Fe≦20％ ０％≦Mo≦10％ ０％≦Ｗ≦15％ ０％≦Mn≦２％ ０％≦Ｃ≦0.15％ 残部は鉄と製造に起因する不純物
【００１４】この組織硬化型導電性合金は下記重量％組
成を有するのが好ましい： 39％≦Co≦41％ 15％≦Fe≦20％ 15％≦Ni≦17％ ６％≦Mo≦８％ 19％≦Cr≦21％。 本発明の電子部品の接続リードの厚さは 0.1 mm 以下に
することができる。
成を有するのが好ましい： 39％≦Co≦41％ 15％≦Fe≦20％ 15％≦Ni≦17％ ６％≦Mo≦８％ 19％≦Cr≦21％。 本発明の電子部品の接続リードの厚さは 0.1 mm 以下に
することができる。
【００１５】本発明はさらに、下記工程よりなることを
特徴とする電子素子と、複数の接続リードと、外側ケー
スとを有する電子部品の製造方法を提供する： 1) 組織硬化前に組織硬化型導電性合金からなるリード
フレームを作り、 2) 内部接続リードまたは外部接続リードを作り、 3) 二次的硬化熱処理を行い、 4) 内部接続リードに電子素子を固定し、 5) エンキャプスレーションによって外側ケースを作
り、 6) 外部接続リードを切断する。
特徴とする電子素子と、複数の接続リードと、外側ケー
スとを有する電子部品の製造方法を提供する： 1) 組織硬化前に組織硬化型導電性合金からなるリード
フレームを作り、 2) 内部接続リードまたは外部接続リードを作り、 3) 二次的硬化熱処理を行い、 4) 内部接続リードに電子素子を固定し、 5) エンキャプスレーションによって外側ケースを作
り、 6) 外部接続リードを切断する。
【００１６】本発明の電子部品は下記の方法で製造する
こともできる： 1) 組織硬化前に組織硬化型導電性合金からなるリード
フレームを作り、 2) 内部接続リードに電子素子を固定し、 3) エンキャプスレーションによって外側ケースを作
り、 4) 外部接続リードを切断し、 5) 外部接続リードを成形し、 6) 外部接続リードを局部的に二次硬化熱処理する。
こともできる： 1) 組織硬化前に組織硬化型導電性合金からなるリード
フレームを作り、 2) 内部接続リードに電子素子を固定し、 3) エンキャプスレーションによって外側ケースを作
り、 4) 外部接続リードを切断し、 5) 外部接続リードを成形し、 6) 外部接続リードを局部的に二次硬化熱処理する。
【００１７】本発明の他の対象は、少なくとも一層の組
織硬化型導電性合金の層を有し、必要に応じてポリマー
層を有するリードフレーム用テープを用いたテープ自動
接続(tape automated bonding)による電子部品の製造方
法にある。以下、電子部品の例としてドーピングされた
シリコンチップ上に回路を形成したマイクロプロセッサ
を用いて本発明をより詳細に説明する。
織硬化型導電性合金の層を有し、必要に応じてポリマー
層を有するリードフレーム用テープを用いたテープ自動
接続(tape automated bonding)による電子部品の製造方
法にある。以下、電子部品の例としてドーピングされた
シリコンチップ上に回路を形成したマイクロプロセッサ
を用いて本発明をより詳細に説明する。
【００１８】
【実施例】第１実施例では、マイクロプロセッサ回路が
直径約30μｍの金またはアルミニウムのワイヤによって
内部接続リードに接続され、組立体全体がシリカ、その
他の絶縁材料を充填したエポキシ樹脂の容器からなる外
側ケース中にエンキャプスレートされる。外部接続リー
ドはプリント回路に半田付け可能な形状を有し、ケース
の外側まで延びている。
直径約30μｍの金またはアルミニウムのワイヤによって
内部接続リードに接続され、組立体全体がシリカ、その
他の絶縁材料を充填したエポキシ樹脂の容器からなる外
側ケース中にエンキャプスレートされる。外部接続リー
ドはプリント回路に半田付け可能な形状を有し、ケース
の外側まで延びている。
【００１９】内部接続リードと外部接続リードは組織硬
化型のマルテンサイト導電性合金で構成され、この合金
は組織硬化後の降伏強度(limite d'elasticite) が 140
0MPaで、下記化学組成（重量％組成）： ０％ ≦ Co ≦30％ ９％ ≦ Ni ≦21％ ５％ ≦ Mo ≦12％ 0.1％ ≦Al＋Ti≦９％ ０％ ≦ Nb ≦１％ ０％ ≦ Ｃ ≦0.15％ ０％ ≦ Mn ≦５％ ０％ ≦ Cr ≦13％ を有し、必要な場合にはさらに、Ｗ、ＶおよびBeの中か
ら選択される少なくとも１つの元素を 0.1％以下の割合
で含み、銅を 0.3％以下の割合で含み、残部は鉄と製造
に起因する不純物である。
化型のマルテンサイト導電性合金で構成され、この合金
は組織硬化後の降伏強度(limite d'elasticite) が 140
0MPaで、下記化学組成（重量％組成）： ０％ ≦ Co ≦30％ ９％ ≦ Ni ≦21％ ５％ ≦ Mo ≦12％ 0.1％ ≦Al＋Ti≦９％ ０％ ≦ Nb ≦１％ ０％ ≦ Ｃ ≦0.15％ ０％ ≦ Mn ≦５％ ０％ ≦ Cr ≦13％ を有し、必要な場合にはさらに、Ｗ、ＶおよびBeの中か
ら選択される少なくとも１つの元素を 0.1％以下の割合
で含み、銅を 0.3％以下の割合で含み、残部は鉄と製造
に起因する不純物である。
【００２０】この組織硬化型導電性合金は下記化学組成
を有するのが好ましい： ８％≦Co≦10％ 17％≦Ni≦25％ ５％≦Mo≦６％ 0.3％≦Ti≦0.7 ％ この好ましい化学組成の場合、合金の膨張係数は８×10
-6／Ｋ〜12×10-6／Ｋとなり、シリコン、ポリマーおよ
び接続リードの各膨張係数が良く合う。必要に応じて、
接続リードにニッケルメッキし、続いて金、銀またはパ
ラジウムをメッキすることができ、外側部分に錫メッキ
したり、半田を付着させることができる。
を有するのが好ましい： ８％≦Co≦10％ 17％≦Ni≦25％ ５％≦Mo≦６％ 0.3％≦Ti≦0.7 ％ この好ましい化学組成の場合、合金の膨張係数は８×10
-6／Ｋ〜12×10-6／Ｋとなり、シリコン、ポリマーおよ
び接続リードの各膨張係数が良く合う。必要に応じて、
接続リードにニッケルメッキし、続いて金、銀またはパ
ラジウムをメッキすることができ、外側部分に錫メッキ
したり、半田を付着させることができる。
【００２１】この電子部品を製造するには、降伏強度が
1,100 MPa以下となるように 750℃〜1000℃の温度で熱
処理して軟くした組織硬化型の導電性合金の厚さ 0.1 m
m 、好ましくは30〜80μｍのフィルムからリードフレー
ムを作る。リードフレーム自体は公知のものであり、シ
リコンチップを収容するための複数の切抜き孔を有する
長方形のプレートである。各切抜き孔は一端がこのプレ
ートに接続された複数の薄片を有し、一般に各薄片は同
一領域へ向かって互いに放射状に収束するように延び、
この中心に小さな長方形のプレートがあり、このプレー
ト上にシリコンチップが実装される。各薄片が接続リー
ドを構成する。薄片の収束中心部近くの部分が内部接続
リードを構成し、それを除く部分が外部接続リードを構
成する。切抜き孔は機械的なパンチングまたは化学的に
切り抜くことができる。
1,100 MPa以下となるように 750℃〜1000℃の温度で熱
処理して軟くした組織硬化型の導電性合金の厚さ 0.1 m
m 、好ましくは30〜80μｍのフィルムからリードフレー
ムを作る。リードフレーム自体は公知のものであり、シ
リコンチップを収容するための複数の切抜き孔を有する
長方形のプレートである。各切抜き孔は一端がこのプレ
ートに接続された複数の薄片を有し、一般に各薄片は同
一領域へ向かって互いに放射状に収束するように延び、
この中心に小さな長方形のプレートがあり、このプレー
ト上にシリコンチップが実装される。各薄片が接続リー
ドを構成する。薄片の収束中心部近くの部分が内部接続
リードを構成し、それを除く部分が外部接続リードを構
成する。切抜き孔は機械的なパンチングまたは化学的に
切り抜くことができる。
【００２２】一般には、金属フィルムに切抜き孔を形成
しした後に、陽極脱脂または陰極脱脂をし、洗浄し、次
いでニッケルメッキした後、金、銀、銅またはパラジウ
ムをメッキする。最後に５〜12個のシリコンチップを収
容するための長方形リードフレームに切断する。
しした後に、陽極脱脂または陰極脱脂をし、洗浄し、次
いでニッケルメッキした後、金、銀、銅またはパラジウ
ムをメッキする。最後に５〜12個のシリコンチップを収
容するための長方形リードフレームに切断する。
【００２３】リードフレームに切断後に、曲げまたはプ
レス加工で接続リードに成形し、次いで、例えば 400〜
550 ℃で１〜５時間、好ましくは不活性雰囲気下で、加
熱処理して硬化させる。この熱処理を約 700℃の温度に
数秒〜数分間加熱することで行うこともできる。リード
の成形を切断操作時に行うこともできる。この場合、熱
処理は切断／成形操作後に行う。
レス加工で接続リードに成形し、次いで、例えば 400〜
550 ℃で１〜５時間、好ましくは不活性雰囲気下で、加
熱処理して硬化させる。この熱処理を約 700℃の温度に
数秒〜数分間加熱することで行うこともできる。リード
の成形を切断操作時に行うこともできる。この場合、熱
処理は切断／成形操作後に行う。
【００２４】次に、薄片の収束部分の中心にある各プレ
ート上に回路を有するシリコンチップを半田付けまたは
接着し、次いで、金またはアルミニウムのワイヤで回路
を各薄片に接続する。シリコンチップを薄片に接続した
後、ポリマーを加圧下に射出してエンキャプスレーショ
ンによって各チップ用の外側ケースを成形し、全体を 1
70〜250 ℃で４〜16時間硬化させる。ケースのエンキャ
プスレーション作業の完了後、外側ケースの外部に一定
長の薄片が残るように外側ケースの周囲のリードフレー
ムをケースから一定距離の所で切断し、薄片間に残った
過剰な樹脂を除去する。こうして得られたケースには集
積回路が収容され、その外側には外部接続リードが延び
ている。硝酸で錆を除去した後、洗浄し、錫メッキまた
は半田を盛付けて外部接続リードの作製を完了する。本
発明では、厚さが0.1 mm以下で、降伏強度が 1400MPa以
上の接続リードを有する電子部品が得られる。
ート上に回路を有するシリコンチップを半田付けまたは
接着し、次いで、金またはアルミニウムのワイヤで回路
を各薄片に接続する。シリコンチップを薄片に接続した
後、ポリマーを加圧下に射出してエンキャプスレーショ
ンによって各チップ用の外側ケースを成形し、全体を 1
70〜250 ℃で４〜16時間硬化させる。ケースのエンキャ
プスレーション作業の完了後、外側ケースの外部に一定
長の薄片が残るように外側ケースの周囲のリードフレー
ムをケースから一定距離の所で切断し、薄片間に残った
過剰な樹脂を除去する。こうして得られたケースには集
積回路が収容され、その外側には外部接続リードが延び
ている。硝酸で錆を除去した後、洗浄し、錫メッキまた
は半田を盛付けて外部接続リードの作製を完了する。本
発明では、厚さが0.1 mm以下で、降伏強度が 1400MPa以
上の接続リードを有する電子部品が得られる。
【００２５】接続リードを成形してからリードフレーム
にシリコンチップを取付けるのではなく、シリコンチッ
プを取付け、ケースを成形し、ケース周囲の接続リード
を切断し、曲げ加工で外部接続リードを成形し、次い
で、外部接続リードを例えばレーザを用いた局所的熱処
理で硬化させることもできる。
にシリコンチップを取付けるのではなく、シリコンチッ
プを取付け、ケースを成形し、ケース周囲の接続リード
を切断し、曲げ加工で外部接続リードを成形し、次い
で、外部接続リードを例えばレーザを用いた局所的熱処
理で硬化させることもできる。
【００２６】用途によっては、非磁性またはステンレス
の組織硬化型導電性合金が好ましい場合がある。その場
合には下記重量％組成のオーステナイトの組織硬化型導
電性合金を用いることができる： 35％≦Co≦55％ 15％≦Cr≦25％ 10％≦Ni≦35％ ０％≦Fe≦20％ ０％≦Mo≦10％ ０％≦Ｗ≦15％ ０％≦Mn≦２％ ０％≦Ｃ≦0.15％ 残部は鉄と製造に起因する不純物。
の組織硬化型導電性合金が好ましい場合がある。その場
合には下記重量％組成のオーステナイトの組織硬化型導
電性合金を用いることができる： 35％≦Co≦55％ 15％≦Cr≦25％ 10％≦Ni≦35％ ０％≦Fe≦20％ ０％≦Mo≦10％ ０％≦Ｗ≦15％ ０％≦Mn≦２％ ０％≦Ｃ≦0.15％ 残部は鉄と製造に起因する不純物。
【００２７】この組織硬化型オーステナイト合金は下記
重量％組成であるのが好ましい： 39％≦Co≦41％ 15％≦Fe≦20％ 15％≦Ni≦17％ ６％≦Mo≦８％ 19％≦Cr≦21％。 この合金が上記のものと異なる点は、接続リードの曲げ
および硬化熱処理前の合金の降伏強度が 1300MPa以下
で、硬化熱処理後には 1500MPa以上になるという点での
みである。
重量％組成であるのが好ましい： 39％≦Co≦41％ 15％≦Fe≦20％ 15％≦Ni≦17％ ６％≦Mo≦８％ 19％≦Cr≦21％。 この合金が上記のものと異なる点は、接続リードの曲げ
および硬化熱処理前の合金の降伏強度が 1300MPa以下
で、硬化熱処理後には 1500MPa以上になるという点での
みである。
【００２８】第２実施例はテープ上にリードフレームを
配置する大規模生産に適した電子部品の製造方法に対応
する。この方法はＴＡＢまたはテープ自動ボンディング
として知られている。この第２実施例では、ポリイミド
等のポリマー層と上記組織硬化型導電性合金層とで構成
されるテープを例えば貼合せで作る。次に、例えば化学
エッチングによって組織硬化型導電性合金層に一連のリ
ードフレームを切り抜き、接続リードを作り、上記熱処
理によって硬化する。硬化熱処理を行う前に接続リード
を成形しても、硬化熱処理を最初に行ってから接続リー
ドを成形してもよい。
配置する大規模生産に適した電子部品の製造方法に対応
する。この方法はＴＡＢまたはテープ自動ボンディング
として知られている。この第２実施例では、ポリイミド
等のポリマー層と上記組織硬化型導電性合金層とで構成
されるテープを例えば貼合せで作る。次に、例えば化学
エッチングによって組織硬化型導電性合金層に一連のリ
ードフレームを切り抜き、接続リードを作り、上記熱処
理によって硬化する。硬化熱処理を行う前に接続リード
を成形しても、硬化熱処理を最初に行ってから接続リー
ドを成形してもよい。
【００２９】次に、周知の方法によって、電子素子、例
えば集積回路を形成したシリコンチップを含む電子素子
を各リードフレームに配置し、内部接続リードを電子素
子に半田付けする。次に、こうして作られた回路を電子
回路は例えばプリント回路へと送られる (例えば外部接
続リードを自動切断し、プリント回路に半田付けによっ
て接続する特殊機械を用いて) 。
えば集積回路を形成したシリコンチップを含む電子素子
を各リードフレームに配置し、内部接続リードを電子素
子に半田付けする。次に、こうして作られた回路を電子
回路は例えばプリント回路へと送られる (例えば外部接
続リードを自動切断し、プリント回路に半田付けによっ
て接続する特殊機械を用いて) 。
【００３０】本発明合金を用いると、公知の内部接続リ
ードよりも少なくとも15％長い内部接続リードを作るこ
とができる。本発明合金は非常に優れた機械特性を有す
るので、組織硬化型導電性合金のみで構成されるストリ
ップ (すなわちポリマー層を含まないストリップ) にも
ＴＡＢ法を適用することができる。本発明方法で得られ
る組織硬化型導電性合金の接続リードを有する外側樹脂
ケース内にシリコンチップを収容した電子部品の合計の
厚さは１mm以下であり、接続リードの厚さは 0.1 mm 以
下、例えば0.03〜0.08mmである。この表面実装型の電子
部品の接続リードは従来のものより脆性が低い。一般
に、本発明の組織硬化型導電性合金はディスクリートな
能動部品および受動型部品、特に表面実装型のインダク
タンス、抵抗性ネットワークまたはコンデンサに使用す
ることができる。
ードよりも少なくとも15％長い内部接続リードを作るこ
とができる。本発明合金は非常に優れた機械特性を有す
るので、組織硬化型導電性合金のみで構成されるストリ
ップ (すなわちポリマー層を含まないストリップ) にも
ＴＡＢ法を適用することができる。本発明方法で得られ
る組織硬化型導電性合金の接続リードを有する外側樹脂
ケース内にシリコンチップを収容した電子部品の合計の
厚さは１mm以下であり、接続リードの厚さは 0.1 mm 以
下、例えば0.03〜0.08mmである。この表面実装型の電子
部品の接続リードは従来のものより脆性が低い。一般
に、本発明の組織硬化型導電性合金はディスクリートな
能動部品および受動型部品、特に表面実装型のインダク
タンス、抵抗性ネットワークまたはコンデンサに使用す
ることができる。
Claims (13)
- 【請求項１】 電子素子と、複数の接続リードと、外側
ケースとを有する形式の電子部品の接続リードでの組織
硬化型導電性合金の使用。 - 【請求項２】 組織硬化型導電性合金が下記重量％組
成： ０％≦ Co ≦30％ ９％≦ Ni ≦21％ ５％≦ Mo ≦12％ 0.1％≦Al＋Ti≦９％ ０％≦ Nb ≦１％ ０％≦ Ｃ ≦0.15％ ０％≦ Mn ≦５％ ０％≦ Cr ≦13％ を有し、残部は鉄と製造に起因する不純物であり、必要
に応じてさらに、Ｗ、ＶおよびBeの中から選択される少
なくとも１つの元素を 0.1％以下の割合で含み、銅を
0.3％以下の割合で含む、マルテンサイト型合金である
ことを特徴とする請求項１に記載の使用。 - 【請求項３】 組織硬化型導電性合金が下記重量％組成
を有する請求項２に記載の使用： ８％≦Co≦10％ 17％≦Ni≦19％ ４％≦Mo≦６％ 0.3 ％≦Ti≦0.7 ％。 - 【請求項４】 組織硬化型導電性合金が下記重量％組成
を有するオーステナイト合金である請求項１に記載の使
用： 35％≦Co≦55％ 15％≦Cr≦25％ 10％≦Ni≦35％ ０％≦Fe≦20％ ０％≦Mo≦10％ ０％≦Ｗ≦15％ ０％≦Mn≦２％ ０％≦Ｃ≦0.15％ 残部は製造に起因する不純物。 - 【請求項５】 組織硬化型導電性合金が下記重量％組成
を有する請求項４に記載の使用： 39％≦Co≦41％ 15％≦Fe≦20％ 15％≦Ni≦17％ ６％≦Mo≦８％ 19％≦Cr≦21％。 - 【請求項６】 半導体素子と、複数の接続リードと、外
側ケースとを有する電子部品において、接続リードが下
記重量％組成： ０％ ≦ Co ≦30％ ９％ ≦ Ni ≦21％ ５％ ≦ Mo ≦12％ 0.1 ％≦Al＋Ti≦９％ ０％ ≦ Nb ≦１％ ０％ ≦ Ｃ ≦0.15％ ０％ ≦ Mn ≦５％ ０％ ≦ Cr ≦13％ を有し、必要に応じてさらに、Ｗ、ＶおよびBeの中らか
選択される少なくとも１つの元素を 0.1％以下の割合で
含み、銅を 0.3％以下の割合の含み、残部は鉄と製造に
起因する不純物である、マルテンサイトの組織硬化型導
電性合金で構成されることを特徴とする電子部品。 - 【請求項７】 組織硬化型導電性合金が下記重量％を有
する請求項６に記載の電子部品： ８％≦Co≦10％ 17％≦Ni≦25％ ５％≦Mo≦６％ 0.3％≦Ti≦0.7 ％。 - 【請求項８】 半導体素子と、複数の接続リードと、外
側ケースとを有する電子部品において、接続リードが下
記重量％組成： 35％≦Co≦55％ 15％≦Cr≦25％ 10％≦Ni≦35％ ０％≦Fe≦20％ ０％≦Mo≦10％ ０％≦Ｗ≦15％ ０％≦Mn≦２％ ０％≦Ｃ≦0.15％ を有し、残部は鉄と製造に起因する不純物であるオース
テナイトの組織硬化型導電性合金で構成されることを特
徴とする電子部品。 - 【請求項９】 組織硬化型導電性合金が下記重量％を有
する請求項８に記載の電子部品： 39％≦Co≦41％ 15％≦Fe≦20％ 15％≦Ni≦17％ ６％≦Mo≦８％ 19％≦Cr≦21％。 - 【請求項１０】 接続リードの厚さが 0.1 mm 以下であ
る請求項項６〜９のいずれか一項に記載の電子部品。 - 【請求項１１】 下記工程よりなることを特徴とする電
子素子と、複数の接続リードと、外側ケースとを有する
電子部品の製造方法： 1) 組織硬化前に組織硬化型導電性合金からなるリード
フレームを作り、 2) 内部接続リードまたは外部接続リードを作り、 3) 二次的硬化熱処理を行い、 4) 内部接続リードに電子素子を固定し、 5) エンキャプスレーションによって外側ケースを作
り、 6) 外部接続リードを切断する。 - 【請求項１２】 下記工程よりなることを特徴とする電
子素子と、複数の接続リードと、外側ケースとを有する
電子部品の製造方法： 1) 組織硬化前に組織硬化型導電性合金からなるリード
フレームを作り、 2) 内部接続リードに電子素子を固定し、 3) エンキャプスレーションによって外側ケースを作
り、 4) 外部接続リードを切断し、 5) 外部接続リードを成形し、 6) 外部接続リードを局部的に二次硬化熱処理する。 - 【請求項１３】 下記工程よりなることを特徴とする電
子素子と接続リードとを有する電子部品の製造方法： 1) 組織硬化前の少なくとも１層のオーステナイトまた
はマルテンサイトの組織硬化型導電性合金の層を有し、
必要に応じてさらにポリマー層を有するストリップを作
り、 2) このストリップからリードフレームを切取り、 3) 接続リードを成形してから硬化熱処理するか、硬化
処理してから接続リードを成形し、 4) 内部接続リードを電子素子に半田付けし、 5) 外部接続リードを切断し、半田付けでプリント回路
に接続する。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9505015 | 1995-04-27 | ||
| FR9505015A FR2733630B1 (fr) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | Pattes de connexion pour composant electronique |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08306838A true JPH08306838A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=9478470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8132659A Withdrawn JPH08306838A (ja) | 1995-04-27 | 1996-04-30 | 電子部品用の接続リード |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5744868A (ja) |
| EP (2) | EP0991122A3 (ja) |
| JP (1) | JPH08306838A (ja) |
| KR (1) | KR960039229A (ja) |
| CN (3) | CN1140902A (ja) |
| FR (1) | FR2733630B1 (ja) |
| RU (1) | RU2159482C2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7831470B1 (en) * | 1996-09-04 | 2010-11-09 | Walker Digital, Llc | Method and apparatus for facilitating electronic commerce through providing cross-benefits during a transaction |
| FR2733630B1 (fr) * | 1995-04-27 | 1997-05-30 | Imphy Sa | Pattes de connexion pour composant electronique |
| US7162434B1 (en) * | 1997-05-05 | 2007-01-09 | Walker Digital, Llc | Method and apparatus for facilitating the sale of subscriptions to periodicals |
| JP3334864B2 (ja) * | 1998-11-19 | 2002-10-15 | 松下電器産業株式会社 | 電子装置 |
| DE60033772T2 (de) * | 1999-12-24 | 2007-10-31 | Hitachi Metals, Ltd. | Martensitaushärtender Stahl mit hoher Dauerfestigkeit und Band aus dem martensitaushärtenden Stahl |
| FR2816959B1 (fr) * | 2000-11-17 | 2003-08-01 | Imphy Ugine Precision | Procede pour fabriquer une bande ou une piece decoupee dans une bande en acier maraging laminee a froid |
| US20080006937A1 (en) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Texas Instruments Incorporated | Solderability Improvement Method for Leaded Semiconductor Package |
| US9141346B2 (en) * | 2011-05-12 | 2015-09-22 | Google Inc. | Layout management in a rapid application development tool |
| JP6166953B2 (ja) * | 2012-06-06 | 2017-07-19 | 大同特殊鋼株式会社 | マルエージング鋼 |
| US10840005B2 (en) | 2013-01-25 | 2020-11-17 | Vishay Dale Electronics, Llc | Low profile high current composite transformer |
| CN106756583A (zh) * | 2015-11-25 | 2017-05-31 | 中国科学院金属研究所 | 一种超高强高韧马氏体时效钢及其制备方法和应用 |
| US10998124B2 (en) | 2016-05-06 | 2021-05-04 | Vishay Dale Electronics, Llc | Nested flat wound coils forming windings for transformers and inductors |
| EP3507816A4 (en) | 2016-08-31 | 2020-02-26 | Vishay Dale Electronics, LLC | INDUCTANCE COIL COMPRISING A HIGH CURRENT COIL HAVING LOW DIRECT CURRENT RESISTANCE |
| USD1034462S1 (en) | 2021-03-01 | 2024-07-09 | Vishay Dale Electronics, Llc | Inductor package |
| US11948724B2 (en) | 2021-06-18 | 2024-04-02 | Vishay Dale Electronics, Llc | Method for making a multi-thickness electro-magnetic device |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3790372A (en) * | 1972-05-04 | 1974-02-05 | M Chaturvedi | Co-ni-cr base austentic alloys precipitation strengthened by intermetallic compounds and carbides |
| JPS5348917A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-02 | Hitachi Ltd | Print wire |
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-
1995
- 1995-04-27 FR FR9505015A patent/FR2733630B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-04-05 EP EP99123564A patent/EP0991122A3/fr not_active Withdrawn
- 1996-04-05 EP EP96400735A patent/EP0740341A1/fr not_active Ceased
- 1996-04-25 US US08/639,275 patent/US5744868A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-26 CN CN96105652A patent/CN1140902A/zh active Pending
- 1996-04-26 KR KR1019960013244A patent/KR960039229A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-04-26 RU RU96108126/28A patent/RU2159482C2/ru active
- 1996-04-30 JP JP8132659A patent/JPH08306838A/ja not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-01-12 US US09/005,775 patent/US5888848A/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-04-03 CN CN00102600A patent/CN1269605A/zh active Pending
- 2000-04-03 CN CN00102599A patent/CN1269604A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1269605A (zh) | 2000-10-11 |
| FR2733630B1 (fr) | 1997-05-30 |
| CN1140902A (zh) | 1997-01-22 |
| EP0740341A1 (fr) | 1996-10-30 |
| RU2159482C2 (ru) | 2000-11-20 |
| US5888848A (en) | 1999-03-30 |
| CN1269604A (zh) | 2000-10-11 |
| US5744868A (en) | 1998-04-28 |
| KR960039229A (ko) | 1996-11-21 |
| EP0991122A3 (fr) | 2000-07-26 |
| EP0991122A2 (fr) | 2000-04-05 |
| FR2733630A1 (fr) | 1996-10-31 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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