JPH01235359A - 半導体装置用リードフレームのメッキ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体装置用リードフレームに係り、特に、
そのリードフレームのメッキ方法に関するものである。

（従来の技術） 従来、このような分野の技術としては、例えば、特開昭
６０−１００６９５号、特公昭５４−３６０６５号、特
開昭６０−１８３７５６号、特開昭６０−１８３７５７
号に記載されるものがあった。

以下、その構成を図を用いて説明する。

第３図は係る従来の部分メッキを施した半導体装置用リ
ードフレームの平面図、第４図はその半導体装置の斜視
図、第５図はその半導体装置のリードフレームの部分拡
大斜視図、第６図はその部分メンキされたリードフレー
ムの断面図である。

これらの図において、ｌはアイランド、２はリード、３
は樹脂封止外殻、５は半導体素子、６は外界部、７はモ
ールドフラッシュ、８はＳｎ−Ｎｉ合金メッキ、９は部
分貴金属メッキである。

第６図に示すように、リードフレーム素材上にＳｎ含！
！６０％の組成のＳｎ−Ｎｉ合金メッキ８を略全面に行
い、通常の方法により、Ａｇによる部分貴金属メッキ９
を行い、これをＡｇペーストを用いてｌｃ＆ｆｌ立を行
う。この場合、Ａｇペーストによるグイボンディングに
際し、Ａｇペーストの硬化は１５０℃×１時間の熱処理
、その後２００°ｃｘ２時間のヘーキングを行った。そ
して、以下のようにワイヤボンディング及び樹脂封止を
行い、最後に該封止樹脂を完全に硬化させる目的で、１
５０℃×４時間〜５時間エージングさせ、フレームを切
断して第４図のように加工を行いＩＣを完成させた。

このように構成することにより、ハンダ付着性が向上し
、しかも良好な耐触性を示すことがも１認された。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記リードフレームはＩｃ！ＩＪＩ立上
必要最小限のメッキエリアしか備えていない。つまり、
リード内方端部（ワイヤ接続部）とアイランドと呼ばれ
る半導体素子固着部にＡｇから成る部分メッキが施され
ているのみである。また、部分メッキを行う場合は、部
分メッキ装置にセットしたり、取り外したりする作業が
煩雑であるため、リードが曲がったり、また、メッキ時
間が長く、経済的に不都合であるという問題点があった
。

本発明は、以上述べた部分メッキによるリードフレーム
の曲がり、部分メッキ装置の脱着作業の煩わしさ、更に
は、メッキ時間が長いという問題点を除去し、製造が容
易であり、しかも経済性の優れた半導体装置用リードフ
レームの製造方法を提供することを目的とする。

（課題を解決するための手段） 本発明は、半導体装置に用いられるリードフレームのメ
ッキ方法において、所定の形状に加工された長尺状のリ
ード素材上にＳｎ−Ｎｉ合金メッキを行い、その１麦、
全面に極薄篩メッキを施ずようにしたものである。

（作用） 本発明によれば、半導体装置に用いられるリードフレー
ムのメッキ方法において、全面又は一部分に形成された
Ｓｎ−Ｎｉ合金メッキを施したリードフレームに対して
従来実施されていた部分メッキに変えて、全面に極薄へ
〇メッキ、つまり、ストライク（ｓｔｒｉｋｅ）Ａｕメ
ッキを施こすようにしたものである。

ここで、ストライク（ｓｔｒｉｋｅ）メッキとは、正常
の電流密度よりも高い電流密度で短時間メッキを施すこ
とであり、この方法によれば、密着が通常のメッキより
もはるかに強い。

（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。

第１図は本発明の半導体ｇＴｌ用リードフレームのメッ
キ方法によって得られるリードフレームの断面図、第２
図は本発明の半導体装置用リードフレームのメッキ工程
図である。

第１図中、１０はアイランド、１１はリード部、１２は
Ｓｎ−Ｎｉ合金メッキ、１３はストライク（ｓｔｒｉｋ
ｅ）Ａｕメッキである。

本発明の半導体装置用リードフレームのメッキ方法を第
２図を用いて説明する。

■まず、所定の形状に加工された長尺状のリードフレー
ム素材を用意する。

■そのリードフレーム素材の一部或いは全面にＳｎＮｉ
合金メッキ１２を施こす。

■全面にストライク篩メッキ１３を施こす。このストラ
イクＡｕメッキはオーロポンド（田中貴金属株式会社製
）メッキ浴中で行い、メッキ時間は常温１分で、メッキ
厚０．０４〜０．０７　ｐ　ｍを得た。

これらの作業は、従来では短冊形の１枚の個片に切断し
てリードフレームをプレス、又はエツチング加工によっ
て所定のパターンに加工したので１枚のリードフレーム
が曲がりやすく、変形し易いものであったが、本発明に
よれば、リボン状に連続して形成されているリードフレ
ーム素材にＳｎ−Ｎｉ合金メッキ、続いて、ストライク
Ａｕメッキを行う。つまり、連続作業によるメッキがで
きるので、作業中にリードフレームが曲がったりするこ
とがなく、歩留まりも良好である。また、従来の部分メ
ッキはその作業に２〜３分かかっていたが、本発明によ
れば、その作業に１公人度を要するのみであり、短時間
で作業を終えることができる。

また、メッキ厚は、従来は１〜２μｍ程度であったが、
本発明によれば、Ｉ／１００μｍ程凌であり、半導体素
子固着部後のワイヤボンド（金属細線による配線）を行
う場合にも実用上問題にならない程度の強度が得られた
。半導体素子搭載後、樹脂封止した後、リード部のハン
ダ付は性もＳｎ−Ｎｉ合金メッキだけでも良好であるが
、更に、ストライクＡｕメッキによる極薄金メッキが施
されているので、ハンダ付は性はすこぶる良好で経時変
化等に対しても良好な結果を示すことができる。

なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。

（発明の効果） 以−ヒ、詳細に説明したように、本発明によれば、従来
の所定の形状に加工された長尺状のリードフレームへの
Ａｇの部分メッキに代えて、全面にストライクＡｕメッ
キ（極薄金メッキ）を行うようにしたので、連続作業が
できると共に、メッキ時間も１／２〜１／３と短くなり
、リードフレームは１枚づつの個片でないので、メッキ
時の取扱も容易になる。またリードフレームが曲がるこ
とはなく、その歩留まりが向上する。更に、ストライク
Ａｕメッキしたので、更なる耐触性の向上、経時変化に
対しても良好な結果をもたらすことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体装置用リードフレームのメッキ
方法によって得られるリードフレームの断面図、第２図
は本発明の半導体装置用リードフレームのメッキ工程図
、第３図は従来の部分メッキを施した゛１′−導体′Ａ
置用リードフレームの・Ｌ面図、第４図はその半導体装
置の斜視図、第５図はその半導体Ｖｔ’Ｗｔのリードフ
レームの部分拡大斜視図、第６図はその部分メッキされ
たリードフレームの断面図である。 １０・・・アイランド、１１・・・リード部、１２・・
・Ｓｎ−Ｎｉ合金メッキ、１３・・・ストライク（ｓｔ
ｒｉｋｅ）Ａｕメッキ。 特許出願人　沖電気工業株代会社

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体装置に用いられるリードフレームのメッキ
   方法において、 （ａ）所定の形状に加工された長尺状のリードフレーム
   素材上にＳｎ−Ｎｉ合金メッキを行い、 （ｂ）その後、全面に極薄Ａｕメッキを施すようにした
   ことを特徴とする半導体装置用リードフレームのメッキ
   方法。
2. （２）前記極薄金メッキは１００Å乃至１０００Åの厚
   さに形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体装
   置用リードフレームのメッキ方法。