JPH10284640A - 半導体装置用ステム - Google Patents
半導体装置用ステムInfo
- Publication number
- JPH10284640A JPH10284640A JP12064397A JP12064397A JPH10284640A JP H10284640 A JPH10284640 A JP H10284640A JP 12064397 A JP12064397 A JP 12064397A JP 12064397 A JP12064397 A JP 12064397A JP H10284640 A JPH10284640 A JP H10284640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating film
- electroless
- nickel
- palladium
- stem
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 鉄系素材にパラジウムめっき皮膜を形成して
も耐食性、ダイボンディング性、ワイヤボンディング性
およびはんだ付け性に優れた半導体装置用ステムを提供
することを目的とする。 【解決手段】 鉄材からなるステムと、鉄−ニッケル合
金からなるリードで構成された半導体装置用ステムの金
属部表面に無電解ニッケル−リンめっき皮膜を１．０μ
ｍ形成し、その上に無電解銅めっき皮膜を１．０〜２．
０μｍ形成し、その上に無電解ニッケル−リン合金めっ
き皮膜を３〜５μｍ形成し、その上に無電解パラジウム
めっき皮膜を０．１〜０．２μｍ形成し、さらにその上
に無電解金めっき皮膜を０．０１〜０．０５μｍ形成し
た。
も耐食性、ダイボンディング性、ワイヤボンディング性
およびはんだ付け性に優れた半導体装置用ステムを提供
することを目的とする。 【解決手段】 鉄材からなるステムと、鉄−ニッケル合
金からなるリードで構成された半導体装置用ステムの金
属部表面に無電解ニッケル−リンめっき皮膜を１．０μ
ｍ形成し、その上に無電解銅めっき皮膜を１．０〜２．
０μｍ形成し、その上に無電解ニッケル−リン合金めっ
き皮膜を３〜５μｍ形成し、その上に無電解パラジウム
めっき皮膜を０．１〜０．２μｍ形成し、さらにその上
に無電解金めっき皮膜を０．０１〜０．０５μｍ形成し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、鉄または鉄系合金
を素材金属とする半導体装置用ステムに関する。
を素材金属とする半導体装置用ステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置用ステムは、耐食性、半導体
チップとのダイボンディング性、ワイヤボンディング
性、あるいはプリント基板へのはんだ付け性などの特性
が要求され、これらを満足させるために様々な表面処理
が施されている。
チップとのダイボンディング性、ワイヤボンディング
性、あるいはプリント基板へのはんだ付け性などの特性
が要求され、これらを満足させるために様々な表面処理
が施されている。
【０００３】従来、たとえば半導体装置用ステムの金属
部表面にニッケルめっき皮膜を形成し、はんだ付け性確
保のために、さらにアウターリードに形成されたニッケ
ルめっき皮膜上にはんだディップまたは、はんだめっき
によりはんだ皮膜を形成したものがある。また、半導体
装置用ステムの金属部表面にニッケルめっき皮膜を形成
し、その上に金、銀などの貴金属めっき皮膜が形成され
たものも知られている。
部表面にニッケルめっき皮膜を形成し、はんだ付け性確
保のために、さらにアウターリードに形成されたニッケ
ルめっき皮膜上にはんだディップまたは、はんだめっき
によりはんだ皮膜を形成したものがある。また、半導体
装置用ステムの金属部表面にニッケルめっき皮膜を形成
し、その上に金、銀などの貴金属めっき皮膜が形成され
たものも知られている。
【０００４】前者においては、はんだディップまたはは
んだめっき工程を別工程で行う必要があるため作業性が
悪いという問題や環境保護における鉛使用削減の観点か
らその見直しが迫られている。後者においては、金、銀
などの貴金属はプリント基板実装時に使用するはんだと
極めて易溶性であり、はんだ付け中に基体金属が露出し
て接着性を著しく阻害するため、コスト的にはできるだ
け薄い金めっきが望まれながら、実際上には０．１〜
２．０μｍという厚めっきを行う必要があり、コストが
非常に高くなるという問題がある。
んだめっき工程を別工程で行う必要があるため作業性が
悪いという問題や環境保護における鉛使用削減の観点か
らその見直しが迫られている。後者においては、金、銀
などの貴金属はプリント基板実装時に使用するはんだと
極めて易溶性であり、はんだ付け中に基体金属が露出し
て接着性を著しく阻害するため、コスト的にはできるだ
け薄い金めっきが望まれながら、実際上には０．１〜
２．０μｍという厚めっきを行う必要があり、コストが
非常に高くなるという問題がある。
【０００５】近年、これらに代わって比較的安価なパラ
ジウムめっきが注目されている。パラジウムはダイボン
ディング性、ワイヤボンディング性、およびはんだ付け
性などにも優れた特性を持っており、銅系素材のリード
フレームではすでに実用化されている。
ジウムめっきが注目されている。パラジウムはダイボン
ディング性、ワイヤボンディング性、およびはんだ付け
性などにも優れた特性を持っており、銅系素材のリード
フレームではすでに実用化されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記パ
ラジウムめっきは素材金属が銅系素材のものに限定され
ており、半導体装置用ステムのように素材材料が鉄また
は鉄系合金に対しては困難とされている。この理由を以
下に説明する。
ラジウムめっきは素材金属が銅系素材のものに限定され
ており、半導体装置用ステムのように素材材料が鉄また
は鉄系合金に対しては困難とされている。この理由を以
下に説明する。
【０００７】（１）パラジウムは鉄、鉄−ニッケル合金
と高い電位差を生じ、環境試験によって腐食が生ずる。
また、鉄成分が拡散表出してはんだ付け性を劣化させ
る。
と高い電位差を生じ、環境試験によって腐食が生ずる。
また、鉄成分が拡散表出してはんだ付け性を劣化させ
る。
【０００８】（２）下地ニッケルめっき上にパラジウム
めっきした場合においても、ニッケルめっきのピンホー
ルを消滅させるためには少なくとも５〜１０μｍのニッ
ケルめっきが必要となるため、リード折り曲げ強度が弱
くなる。なお、２〜５μｍ程度のニッケルめっき厚で
は、ニッケルめっきのピンホールを介して上記示したパ
ラジウムとの電位差により腐食が生ずる。また、ボンデ
ィングなどの加熱処理工程で素材の鉄分がパラジウム表
面に拡散表出しはんだ付け性を低下させる。
めっきした場合においても、ニッケルめっきのピンホー
ルを消滅させるためには少なくとも５〜１０μｍのニッ
ケルめっきが必要となるため、リード折り曲げ強度が弱
くなる。なお、２〜５μｍ程度のニッケルめっき厚で
は、ニッケルめっきのピンホールを介して上記示したパ
ラジウムとの電位差により腐食が生ずる。また、ボンデ
ィングなどの加熱処理工程で素材の鉄分がパラジウム表
面に拡散表出しはんだ付け性を低下させる。
【０００９】（３）下地ニッケルめっきの上に薄いパラ
ジウムめっきを施し、さらにその表面にごく薄い金めっ
きを施す方法も見いだされているが、この方法によって
もボンディング性、はんだ付け性は向上するが、環境試
験において上記（２）の問題を完全に解消することはで
きない。
ジウムめっきを施し、さらにその表面にごく薄い金めっ
きを施す方法も見いだされているが、この方法によって
もボンディング性、はんだ付け性は向上するが、環境試
験において上記（２）の問題を完全に解消することはで
きない。
【００１０】以上説明した鉄系素材へのパラジウムめっ
きに対する問題点は、たとえば「表面技術 Ｖｏｌ．４
４ Ｎｏ．１２，１９９３ Ｐ１１３〜１１９ パラジ
ウムめっきリードフレームの熱処理後の特性」にも記載
があり、現状技術では鉄系素材へのパラジウムめっきは
困難であるため、これら素材へのパラジウムめっき方法
の改善が強く要望されている。
きに対する問題点は、たとえば「表面技術 Ｖｏｌ．４
４ Ｎｏ．１２，１９９３ Ｐ１１３〜１１９ パラジ
ウムめっきリードフレームの熱処理後の特性」にも記載
があり、現状技術では鉄系素材へのパラジウムめっきは
困難であるため、これら素材へのパラジウムめっき方法
の改善が強く要望されている。
【００１１】本発明は上記問題点を解決するものであ
り、鉄系素材にパラジウムめっき皮膜を形成しても耐食
性、ダイボンディング性、ワイヤボンディング性、およ
びはんだ付け性に優れた半導体装置用ステムを提供する
ことを目的とする。
り、鉄系素材にパラジウムめっき皮膜を形成しても耐食
性、ダイボンディング性、ワイヤボンディング性、およ
びはんだ付け性に優れた半導体装置用ステムを提供する
ことを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、鉄または鉄系合金を素材金属とする半導体
装置用ステムの金属部表面に無電解銅めっき皮膜を形成
し、その上に無電解ニッケル−リンまたはニッケル−ボ
ロンめっき皮膜を形成し、さらにその上に無電解パラジ
ウムめっきまたはパラジウム合金めっき皮膜を形成した
ものである。
に本発明は、鉄または鉄系合金を素材金属とする半導体
装置用ステムの金属部表面に無電解銅めっき皮膜を形成
し、その上に無電解ニッケル−リンまたはニッケル−ボ
ロンめっき皮膜を形成し、さらにその上に無電解パラジ
ウムめっきまたはパラジウム合金めっき皮膜を形成した
ものである。
【００１３】また、本発明は、鉄または鉄系合金を素材
金属とする半導体装置用ステムの金属部表面に無電解ニ
ッケル−リンまたはニッケル−ボロンめっき皮膜を形成
し、その上に無電解銅めっき皮膜を形成し、その上に無
電解ニッケル−リンまたはニッケル−ボロンめっき皮膜
を形成し、さらにその上に無電解パラジウムめっきまた
はパラジウム合金めっき皮膜を形成したものである。
金属とする半導体装置用ステムの金属部表面に無電解ニ
ッケル−リンまたはニッケル−ボロンめっき皮膜を形成
し、その上に無電解銅めっき皮膜を形成し、その上に無
電解ニッケル−リンまたはニッケル−ボロンめっき皮膜
を形成し、さらにその上に無電解パラジウムめっきまた
はパラジウム合金めっき皮膜を形成したものである。
【００１４】また、本発明は、最上層の無電解パラジウ
ムまたはパラジウム合金めっき上に、さらにごく薄い金
めっき皮膜を形成したものである。
ムまたはパラジウム合金めっき上に、さらにごく薄い金
めっき皮膜を形成したものである。
【００１５】この本発明によれば、鉄系素材にパラジウ
ムめっき皮膜を形成しても耐食性、ダイボンディング
性、ワイヤボンディング性およびはんだ付け性に優れた
半導体装置用ステムを提供することができる。
ムめっき皮膜を形成しても耐食性、ダイボンディング
性、ワイヤボンディング性およびはんだ付け性に優れた
半導体装置用ステムを提供することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、
鉄または鉄系合金を素材材料とする半導体装置用ステム
の金属部表面に下地無電解銅めっき皮膜を形成し、その
上に無電解ニッケル−リンまたはニッケル−ボロンめっ
き皮膜を形成し、さらにその上に無電解パラジウムめっ
きまたはパラジウム合金めっき皮膜を形成したものであ
る。
鉄または鉄系合金を素材材料とする半導体装置用ステム
の金属部表面に下地無電解銅めっき皮膜を形成し、その
上に無電解ニッケル−リンまたはニッケル−ボロンめっ
き皮膜を形成し、さらにその上に無電解パラジウムめっ
きまたはパラジウム合金めっき皮膜を形成したものであ
る。
【００１７】各めっき皮膜の厚みは、無電解銅めっき皮
膜が０．５〜５μｍ、無電解ニッケル−リンまたは無電
解ニッケル−ボロンめっき皮膜が２〜６μｍ、無電解パ
ラジウムめっき皮膜が０．０５〜０．５μｍ程度の厚み
に形成するのが好ましい。
膜が０．５〜５μｍ、無電解ニッケル−リンまたは無電
解ニッケル−ボロンめっき皮膜が２〜６μｍ、無電解パ
ラジウムめっき皮膜が０．０５〜０．５μｍ程度の厚み
に形成するのが好ましい。
【００１８】下地無電解銅めっき皮膜は被覆性と均一電
着性に優れており、銅めっき皮膜を形成し、その上に無
電解ニッケル−リンまたは無電解ニッケル−ボロンめっ
き皮膜を形成することによりピンホールの発生を抑える
ことができ、鉄系素材とパラジウムとの電位差による腐
食を防止することができる。また、無電解ニッケル−リ
ン合金めっき皮膜は、電気ニッケルめっき皮膜に比べて
ピンホールの発生が少ないため、パラジウムめっき皮膜
の耐食性をさらに高めることができる。
着性に優れており、銅めっき皮膜を形成し、その上に無
電解ニッケル−リンまたは無電解ニッケル−ボロンめっ
き皮膜を形成することによりピンホールの発生を抑える
ことができ、鉄系素材とパラジウムとの電位差による腐
食を防止することができる。また、無電解ニッケル−リ
ン合金めっき皮膜は、電気ニッケルめっき皮膜に比べて
ピンホールの発生が少ないため、パラジウムめっき皮膜
の耐食性をさらに高めることができる。
【００１９】また、上記めっき工程を全て無電解めっき
法で行うため、半導体装置用ステムを治具内に整列させ
た状態で一連の工程を行うことができ、電気めっき法に
おけるバレルめっきのようにリードが折曲したりするこ
とがなく、作業性よくめっき皮膜を形成することができ
る。
法で行うため、半導体装置用ステムを治具内に整列させ
た状態で一連の工程を行うことができ、電気めっき法に
おけるバレルめっきのようにリードが折曲したりするこ
とがなく、作業性よくめっき皮膜を形成することができ
る。
【００２０】本発明の請求項２に記載の発明は、鉄また
は鉄系合金を素材材料とする半導体装置用ステムの金属
部表面に無電解ニッケル−リンまたはニッケル−ボロン
めっき皮膜を形成し、その上に無電解銅めっき皮膜を形
成し、その上に無電解ニッケル−リンまたは無電解ニッ
ケル−ボロンめっき皮膜を形成し、さらにその上に無電
解パラジウムめっきまたは無電解パラジウム合金めっき
皮膜を形成したものである。この無電解ニッケル−リン
またはニッケル−ボロンめっき皮膜は、０．１〜３μ
ｍ、さらに好適には０．５〜１．５μｍ形成するのが好
ましい。
は鉄系合金を素材材料とする半導体装置用ステムの金属
部表面に無電解ニッケル−リンまたはニッケル−ボロン
めっき皮膜を形成し、その上に無電解銅めっき皮膜を形
成し、その上に無電解ニッケル−リンまたは無電解ニッ
ケル−ボロンめっき皮膜を形成し、さらにその上に無電
解パラジウムめっきまたは無電解パラジウム合金めっき
皮膜を形成したものである。この無電解ニッケル−リン
またはニッケル−ボロンめっき皮膜は、０．１〜３μ
ｍ、さらに好適には０．５〜１．５μｍ形成するのが好
ましい。
【００２１】鉄系素材の表面に、直接無電解銅めっき皮
膜を形成すると、置換反応を生じ銅成分が表面に析出
し、上層との密着性が悪くなることがある。しかしなが
ら、素材表面にまず、無電解ニッケル−リンまたはニッ
ケル−ボロンめっき皮膜を形成し、その上に無電解銅め
っき皮膜を形成することにより、このような不都合を防
止することができる。
膜を形成すると、置換反応を生じ銅成分が表面に析出
し、上層との密着性が悪くなることがある。しかしなが
ら、素材表面にまず、無電解ニッケル−リンまたはニッ
ケル−ボロンめっき皮膜を形成し、その上に無電解銅め
っき皮膜を形成することにより、このような不都合を防
止することができる。
【００２２】本発明の請求項３記載の発明は、前記無電
解パラジウムめっき皮膜または無電解パラジウム合金め
っき皮膜の表面にごく薄い無電解金めっき皮膜を形成し
たものである。この金めっき皮膜は、０．００５〜０．
１μｍ程度形成すればよい。
解パラジウムめっき皮膜または無電解パラジウム合金め
っき皮膜の表面にごく薄い無電解金めっき皮膜を形成し
たものである。この金めっき皮膜は、０．００５〜０．
１μｍ程度形成すればよい。
【００２３】金めっき皮膜は、パラジウムめっき皮膜の
保護膜となり、パラジウムめっき皮膜の酸化およびパラ
ジウムと有機物が反応してパラジウムめっき皮膜の表面
にポリマー層を形成するブラウンパワード現象によるダ
イボンディング性、ワイヤボンディング性およびはんだ
付け性の劣化を防止することができる。
保護膜となり、パラジウムめっき皮膜の酸化およびパラ
ジウムと有機物が反応してパラジウムめっき皮膜の表面
にポリマー層を形成するブラウンパワード現象によるダ
イボンディング性、ワイヤボンディング性およびはんだ
付け性の劣化を防止することができる。
【００２４】以下、本発明の一実施の形態について図面
を参照しながら説明する。 （実施の形態１）図１（ａ）は、本実施の形態における
半導体装置用ステムの断面図、（ｂ）はそのリード部を
示す要部拡大断面図である。
を参照しながら説明する。 （実施の形態１）図１（ａ）は、本実施の形態における
半導体装置用ステムの断面図、（ｂ）はそのリード部を
示す要部拡大断面図である。
【００２５】ベース１に設けられた一対の孔部（図示せ
ず）にはガラス４を介してリード２、２が絶縁封着さ
れ、ベース１下面に導かれている。ベース１上面に突出
したヒートシンク３には半導体チップ（図示せず）がダ
イボンディングされ、そのボンディングパッド（図示せ
ず）からインナーリード２ａ、２ａにワイヤボンディン
グによって接続されるようになっている。
ず）にはガラス４を介してリード２、２が絶縁封着さ
れ、ベース１下面に導かれている。ベース１上面に突出
したヒートシンク３には半導体チップ（図示せず）がダ
イボンディングされ、そのボンディングパッド（図示せ
ず）からインナーリード２ａ、２ａにワイヤボンディン
グによって接続されるようになっている。
【００２６】ベース１は鉄により構成されており、リー
ド２、２は鉄−ニッケル合金からなり、このベース１お
よびリード２、２の金属部表面には下地無電解銅めっき
皮膜５を１．０〜２．０μｍ形成し、その上に無電解ニ
ッケル−リン合金めっき皮膜６を３〜５μｍ形成した。
さらにその上に無電解パラジウム−リン合金めっき皮膜
７を０．１〜０．２μｍ形成し、その上に無電解金めっ
き皮膜８を０．０１〜０．０５μｍ形成した。
ド２、２は鉄−ニッケル合金からなり、このベース１お
よびリード２、２の金属部表面には下地無電解銅めっき
皮膜５を１．０〜２．０μｍ形成し、その上に無電解ニ
ッケル−リン合金めっき皮膜６を３〜５μｍ形成した。
さらにその上に無電解パラジウム−リン合金めっき皮膜
７を０．１〜０．２μｍ形成し、その上に無電解金めっ
き皮膜８を０．０１〜０．０５μｍ形成した。
【００２７】次に、上記半導体装置用ステムの製造方法
について説明する。カーボン治具内でベースに設けられ
た透孔にガラスを介してリードを組み立て、シーリング
炉で封着する。次いで、完成した半導体装置用ステムを
めっき治具内に整列させた状態で無電解銅めっきを行
う。次いで無電解ニッケルーリン合金めっきを行う。次
いで、無電解パラジウムめっきを行う。次いで無電解金
めっきを行う。このように、めっき工程を無電解めっき
法で行うため、半導体装置用ステムを整列されたままの
状態で行うことができ、作業性に優れると同時にバレル
めっきのようにリードが折曲したりステム本体が変形、
損傷するなどの不都合が起こらない。
について説明する。カーボン治具内でベースに設けられ
た透孔にガラスを介してリードを組み立て、シーリング
炉で封着する。次いで、完成した半導体装置用ステムを
めっき治具内に整列させた状態で無電解銅めっきを行
う。次いで無電解ニッケルーリン合金めっきを行う。次
いで、無電解パラジウムめっきを行う。次いで無電解金
めっきを行う。このように、めっき工程を無電解めっき
法で行うため、半導体装置用ステムを整列されたままの
状態で行うことができ、作業性に優れると同時にバレル
めっきのようにリードが折曲したりステム本体が変形、
損傷するなどの不都合が起こらない。
【００２８】なお、本実施の形態で設定した各めっき皮
膜の厚みは、現状のめっき液で実用確認を行ったもの
で、ステム素材、めっき浴およびめっき方法などの変更
により適宜設定することができる。
膜の厚みは、現状のめっき液で実用確認を行ったもの
で、ステム素材、めっき浴およびめっき方法などの変更
により適宜設定することができる。
【００２９】（実施の形態２）実施の形態１で説明した
のと同じ半導体装置用ステムの金属部表面に、まず無電
解ニッケル−リンめっき皮膜を１．０μｍ形成し、その
上に無電解銅めっき皮膜を１．０〜２．０μｍ形成し、
その上に無電解ニッケル−リン合金めっき皮膜を３〜５
μｍ形成し、その上に無電解パラジウム−リン合金めっ
き皮膜を０．１〜０．２μｍ形成し、さらにその上に無
電解金めっき皮膜を０．０１〜０．０５μｍ形成した。
のと同じ半導体装置用ステムの金属部表面に、まず無電
解ニッケル−リンめっき皮膜を１．０μｍ形成し、その
上に無電解銅めっき皮膜を１．０〜２．０μｍ形成し、
その上に無電解ニッケル−リン合金めっき皮膜を３〜５
μｍ形成し、その上に無電解パラジウム−リン合金めっ
き皮膜を０．１〜０．２μｍ形成し、さらにその上に無
電解金めっき皮膜を０．０１〜０．０５μｍ形成した。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、鉄
系素材にパラジウムめっき皮膜を形成しても、耐食性、
ダイボンディング性、ワイヤボンディング性およびはん
だ付け性に優れた半導体装置用ステムを提供することが
できる。このため、金の使用量を低減することができ
る。また、はんだディップ工程を別工程で行うこともな
いため、作業性にも優れている。
系素材にパラジウムめっき皮膜を形成しても、耐食性、
ダイボンディング性、ワイヤボンディング性およびはん
だ付け性に優れた半導体装置用ステムを提供することが
できる。このため、金の使用量を低減することができ
る。また、はんだディップ工程を別工程で行うこともな
いため、作業性にも優れている。
【００３１】さらに、全てのめっき工程を無電解めっき
により行うため、半導体装置用ステムを整列させたまま
の状態でめっきすることができ、リードが折曲するなど
の不都合が起こることもなく、めっき治具への再整列も
必要ないため作業性にも優れた効果を得ることができ
る。
により行うため、半導体装置用ステムを整列させたまま
の状態でめっきすることができ、リードが折曲するなど
の不都合が起こることもなく、めっき治具への再整列も
必要ないため作業性にも優れた効果を得ることができ
る。
【図１】（ａ）本発明の一実施の形態を示す半導体装置
用ステムの断面図 （ｂ）同リード部を示す要部拡大断面図
用ステムの断面図 （ｂ）同リード部を示す要部拡大断面図
１ ベース ２ リード ２ａ インナーリード ２ｂ アウターリード ３ ヒートシンク ４ ガラス ５ 無電解銅めっき皮膜 ６ 無電解ニッケル−リン合金めっき皮膜 ７ 無電解パラジウムめっき皮膜 ８ 無電解金めっき皮膜
Claims (3)
- 【請求項１】 鉄または鉄系合金を素材金属とする半導
体装置用ステムの金属部表面に無電解銅めっき皮膜を形
成し、その上に無電解ニッケル−リンまたはニッケル−
ボロンめっき皮膜を形成し、さらにその上に無電解パラ
ジウムまたはパラジウム合金めっき皮膜を形成したこと
を特徴とする半導体装置用ステム。 - 【請求項２】 鉄または鉄系合金を素材金属とする半導
体装置用ステムの金属部表面に無電解ニッケル−リンま
たはニッケル−ボロンめっき皮膜を形成し、その上に無
電解銅めっき皮膜を形成し、その上に無電解ニッケル−
リンまたはニッケル−ボロンめっき皮膜を形成し、さら
にその上に無電解パラジウムまたはパラジウム合金めっ
き皮膜を形成したことを特徴とする半導体装置用ステ
ム。 - 【請求項３】 前記無電解パラジウムまたはパラジウム
合金めっき皮膜上にごく薄い無電解金めっき皮膜を形成
したことを特徴とする請求項１および２記載の半導体装
置用ステム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12064397A JP3757539B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-05-12 | 半導体装置用ステム |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2492397 | 1997-02-07 | ||
| JP9-24923 | 1997-02-07 | ||
| JP12064397A JP3757539B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-05-12 | 半導体装置用ステム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284640A true JPH10284640A (ja) | 1998-10-23 |
| JP3757539B2 JP3757539B2 (ja) | 2006-03-22 |
Family
ID=26362506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12064397A Expired - Fee Related JP3757539B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-05-12 | 半導体装置用ステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3757539B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005256128A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Renesas Technology Corp | めっき方法 |
| JP2014154389A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミックヒータおよびセラミックヒータの製造方法 |
-
1997
- 1997-05-12 JP JP12064397A patent/JP3757539B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005256128A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Renesas Technology Corp | めっき方法 |
| JP2014154389A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミックヒータおよびセラミックヒータの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3757539B2 (ja) | 2006-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3760075B2 (ja) | 半導体パッケージ用リードフレーム | |
| US7245006B2 (en) | Palladium-spot leadframes for high adhesion semiconductor devices and method of fabrication | |
| US5436082A (en) | Protective coating combination for lead frames | |
| CA2118758C (en) | Lead frame for integrated circuits | |
| US6583500B1 (en) | Thin tin preplated semiconductor leadframes | |
| US5650661A (en) | Protective coating combination for lead frames | |
| KR20020045360A (ko) | Ａｇ 선도금을 이용한 반도체 패키지용 리드프레임 | |
| US5728285A (en) | Protective coating combination for lead frames | |
| WO1996034412A9 (en) | Protective coating combination for lead frames | |
| US6519845B1 (en) | Wire bonding to dual metal covered pad surfaces | |
| JP2002076229A (ja) | 銀めっきを含む半導体のリードフレームおよびその製造方法 | |
| US20040155321A1 (en) | Method for fabricating preplated nickel/palladium and tin leadframes | |
| JP2000269398A (ja) | 半導体デバイスのアルミニウム製リードフレームおよび製造方法 | |
| KR20050002601A (ko) | 반도체 패키지용 리드 프레임 | |
| KR20060112119A (ko) | 반도체 팩키지용 리드프레임 및 그 제조 방법 | |
| JP2925815B2 (ja) | 半導体チップ実装用リードフレームとその製造方法 | |
| JP2000077593A (ja) | 半導体用リードフレーム | |
| US6545342B1 (en) | Pre-finished leadframe for semiconductor devices and method of fabrication | |
| US20030137032A1 (en) | Pre-finished leadframe for semiconductor devices and method fo fabrication | |
| KR20050100966A (ko) | 리드프레임 및 그 제조 방법 | |
| JP3757539B2 (ja) | 半導体装置用ステム | |
| KR100378489B1 (ko) | 은 또는 은 합금도금을 이용한 반도체 패키지용 리드프레임 및 그 제조방법 | |
| JPH09293817A (ja) | 電子部品 | |
| JPH1197577A (ja) | 半導体装置用ステムの製造方法 | |
| JPH06302756A (ja) | 半導体装置用リードフレーム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040915 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050308 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050428 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Effective date: 20050623 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051101 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051108 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051206 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20051219 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100113 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |